專利名稱：薄膜半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在圖像顯示裝置等中使用的的薄膜半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
在形成現(xiàn)有的薄膜半導(dǎo)體器件(主要在圖像顯示裝置等中使用的薄膜晶體管(TFT))的母體薄膜中主要使用了高溫多晶硅。該高溫多晶硅是利用900℃左右的高溫?zé)崽幚碓谑⒒迳闲纬闪硕嗑Ч瓒鴺?gòu)成的，其中形成比較大的粒徑(500～600nm)的多晶硅。在由該高溫多晶硅形成的TFT中，由于將粒界密度低且結(jié)晶性良好的硅薄膜作為溝道來(lái)利用，故電子遷移率為100～150[cm2/Vs]，即，可得到接近于單晶硅的電子遷移率(～500[cm2/Vs]，S.M.Sze，Physics ofSemiconductor Devices，p.29，Second Edition，Wiley)。但是，由于該高溫多晶硅必須使用高價(jià)的石英基板以便能耐受高溫工藝，故因基板成本的緣故，難以降低裝置整體的成本，TFT的普及受到限制。
近年來(lái)，對(duì)低溫多晶硅作了大量的研究，以便用低溫多晶硅來(lái)代替高溫多晶硅。該低溫多晶硅是使用受激準(zhǔn)分子激光退火等的熔融再結(jié)晶法對(duì)用CVD法等在低成本的玻璃基板或塑料基板上形成的非晶硅進(jìn)行了結(jié)晶化的多晶硅。如果使用該方法，則由于可在低溫(～150℃)下形成多晶硅薄膜，故具有能形成非常廉價(jià)的TFT的優(yōu)點(diǎn)。但是，迄今為止的低溫多晶硅與高溫多晶硅相比，其粒徑小且表面凹凸變得顯著，此外，只能形成面取向無(wú)序的多晶硅。如果結(jié)晶粒小，則在載流子路徑上存在的粒界密度變大，此外，如果表面凹凸大，則存在對(duì)于柵電壓的耐壓變小的問(wèn)題。此外，如果面取向是無(wú)序的，則由于粒界中的陷阱能級(jí)密度相對(duì)地變大，故在哪一種情況下都使晶體管特性惡化。因此，將現(xiàn)有的低溫多晶硅作為元件材料的制品的TFT的電子效應(yīng)遷移率被限于約～150[cm2/Vs]。由于用這樣小的電子遷移率不能達(dá)到所必要的元件速度，故引起在同一玻璃(或塑料)基板上能形成的元件的種類受到限制的問(wèn)題。例如，在圖像顯示裝置的情況下，雖然能在玻璃(或塑料)上形成像素部，但在現(xiàn)有的印刷基板上形成其它的源驅(qū)動(dòng)器、柵驅(qū)動(dòng)器、解碼器、緩沖器、移位寄存器、數(shù)模變換電路、外圍控制器等的電路，必須用電纜端子將其與基板連接來(lái)使用。在這樣的方法中，存在畫面尺寸變小且裝置整體成本提高的問(wèn)題。
為了改善這樣的問(wèn)題，必須有使結(jié)晶粒徑變大、使表面平坦化和使結(jié)晶粒的位置與面取向一致的技術(shù)。迄今為止，為了使低溫多晶硅實(shí)現(xiàn)大粒徑化、平坦化而且控制結(jié)晶粒的位置和面取向，提出了各種各樣的技術(shù)。在這些技術(shù)中，有下述的技術(shù)等在絕緣體基板上形成的非晶硅膜中有選擇地導(dǎo)入有助于結(jié)晶化的金屬元素、通過(guò)在與基板平行的方向上進(jìn)行結(jié)晶生長(zhǎng)來(lái)形成在載流子移動(dòng)方向上具有[111]軸的多晶硅的技術(shù)(特開平7-321339)；精密地控制熱處理用光束的形狀和照射位置移動(dòng)量、形成在基板垂直方向上具有<100>軸、在光束掃描方向上具有平行(或45°)的{220}面的矩形的多晶硅的技術(shù)(特開平10-41234)；以及在基板上形成第1多晶硅層、用各向異性刻蝕形成具有特定面({100}、{110}、{111})的某一個(gè)的籽晶、通過(guò)在其上形成第2多晶硅層來(lái)形成面取向一致的柱狀的多晶硅層的技術(shù)(特開平8-55808)。但是，雖然進(jìn)行了這樣多的試驗(yàn)，但仍未能得到遷移率足夠高的TFT。
上述的結(jié)晶化法都不能說(shuō)是充分完善的技術(shù)，能達(dá)到的最大粒徑約2μm，是不充分的。其中，未能達(dá)到對(duì)大畫面的液晶顯示面板所要求的薄膜晶體管的實(shí)用的大小、約8μm，此外，未能抑制由結(jié)晶粒的位置偏移引起的元件間離散性。再者，重要的問(wèn)題是硅薄膜表面的凹凸。上述的方法中的使用激光(特別是受激準(zhǔn)分子激光)的結(jié)晶化法中，由于伴隨硅的熔融固化過(guò)程的體積膨脹的緣故，結(jié)晶粒相互間發(fā)生碰撞，粒界向上隆起，形成了凸起。在目前的情況下，在受激準(zhǔn)分子激光退火的情況下，該凸起的大小有時(shí)為50～100nm，與原來(lái)的硅薄膜的膜厚相當(dāng)。如果形成這樣的凸起，則存在對(duì)于柵電壓的耐壓顯著地減少、容易發(fā)生柵漏泄電流的問(wèn)題。因此，在目前的情況下，將加厚柵絕緣膜作為解決上述問(wèn)題的對(duì)策，其代價(jià)是犧牲遷移率。因此，尚未達(dá)到用這些技術(shù)來(lái)置換現(xiàn)有的低功能的薄膜晶體管器件的程度。此外，這些技術(shù)沒(méi)有實(shí)現(xiàn)與基板相接情況的硅結(jié)晶中的最佳晶格結(jié)構(gòu)(即，結(jié)晶面取向)，這一點(diǎn)也成為上述的原因，這與膜的形成方法或熱處理方法無(wú)關(guān)、是由硅與基板間的界面變形決定的本質(zhì)的限制。

發(fā)明內(nèi)容
因而，為了以低成本實(shí)現(xiàn)高性能且大面積的圖像顯示裝置，本發(fā)明的課題是通過(guò)提供在與具有考慮了與基板的界面變形的最佳晶格結(jié)構(gòu)的面取向一致的狀態(tài)下使成為TFT的元件材料的低溫多晶硅實(shí)現(xiàn)大粒徑化(模擬的單晶)且使表面平坦以便能充分地確保柵耐壓的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高遷移率的TFT。
為了解決上述課題，本發(fā)明的薄膜半導(dǎo)體器件中通過(guò)使用固體激光照射時(shí)間和空間的調(diào)制光來(lái)代替由受激準(zhǔn)分子激光那樣的脈沖狀光照射進(jìn)行的瞬間的熔融固化以實(shí)現(xiàn)對(duì)于硅薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)和生長(zhǎng)速度來(lái)說(shuō)接近于最佳的結(jié)晶生長(zhǎng)，通過(guò)形成大粒徑、平坦且其面取向被控制的結(jié)晶粒并使用這些結(jié)晶粒形成溝道，實(shí)現(xiàn)高遷移率的TFT。
按照本發(fā)明，可用大粒徑且表面凹凸小的矩形結(jié)晶粒形成溝道，由此，可實(shí)現(xiàn)高遷移率且柵耐壓高的薄膜晶體管。由此，由于可在同一玻璃基板上以集約方式形成像素部、外圍電路，故可得到高功能的薄膜半導(dǎo)體器件和使用該薄膜半導(dǎo)體器件的圖像顯示裝置。


圖1A、1B是示出了本發(fā)明的第1實(shí)施例的薄膜晶體管的溝道部的硅薄膜中的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的圖，(1A)是從斜上方看的圖，(1B)是粒界部的剖面圖。
圖2A、2B是示出了本發(fā)明的第2實(shí)施例的薄膜晶體管的溝道部的硅薄膜中的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的圖，(2A)是從斜上方看的圖，(2B)是粒界部的剖面圖。
圖3A、3B是示出了本發(fā)明的第3實(shí)施例的薄膜晶體管的溝道部的硅薄膜中的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的圖，(3A)是從斜上方看的圖，(3B)是粒界部的剖面圖。
圖4A、4B是示出了本發(fā)明的第4實(shí)施例的薄膜晶體管的溝道部的硅薄膜中的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的圖，(4A)是從斜上方看的圖，(4B)是粒界部的剖面圖。
圖5是本發(fā)明的第5實(shí)施例的薄膜晶體管的剖面圖(上部)、平面圖(下部)和與上部的剖面相差90度的方向看的剖面圖(右)。
圖6是本發(fā)明的第6實(shí)施例的薄膜晶體管的剖面圖(上部)、平面圖(下部)和與上部的剖面相差90度的方向看的剖面圖(右)。
圖7是本發(fā)明的第7實(shí)施例的薄膜晶體管的剖面圖(上部)、平面圖(下部)和與上部的剖面相差90度的方向看的剖面圖(右)。
圖8是本發(fā)明的第8實(shí)施例的薄膜晶體管的剖面圖(上部)、平面圖(下部)和與上部的剖面相差90度的方向看的剖面圖(右)。
圖9涉及本發(fā)明的實(shí)施例9，示出了將實(shí)施例5的晶體管應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置的電路部的情況的圖形形成的實(shí)施例。
圖10涉及本發(fā)明的實(shí)施例10，是從上看將由實(shí)施例9的方向一致的晶體管組構(gòu)成的區(qū)域應(yīng)用于圖像顯示裝置的外圍電路部和像素部的情況的配置圖。
圖11示出本發(fā)明的實(shí)施例11的圖像顯示裝置。
圖12是本發(fā)明的實(shí)施例12的計(jì)算機(jī)用監(jiān)視器或電視機(jī)的外觀圖。
圖13是本發(fā)明的實(shí)施例13的攜帶電話機(jī)的外觀圖。
圖14是本發(fā)明的實(shí)施例14的可移動(dòng)終端的外觀圖。
圖15是本發(fā)明的實(shí)施例15的數(shù)字?jǐn)z像機(jī)的外觀圖。
圖16是本發(fā)明的實(shí)施例16的RF元件的外觀圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。
在本說(shuō)明書中，將結(jié)晶取向[100]、
、
那樣等效的取向組歸納起來(lái)如<100>那樣來(lái)標(biāo)記。當(dāng)然對(duì)于其它的取向(<110>、<111>)來(lái)說(shuō)，也完全是同樣地成立的。
(實(shí)施例1)圖1A、1B是說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施例的薄膜晶體管的溝道部分的薄膜結(jié)構(gòu)的圖。(1A)是從斜上方看的立體圖，(1B)是粒界部分的剖面圖。在絕緣體基板1上有硅薄膜2，硅薄膜2是排列多個(gè)具有細(xì)長(zhǎng)形的矩形結(jié)晶粒3而構(gòu)成的多晶，矩形結(jié)晶粒3特別是其表面在粒界4中呈凹陷狀。矩形結(jié)晶粒3的平均長(zhǎng)度為5μm，平均的寬度為0.8～3μm。在粒界中，除了單單在長(zhǎng)度方向上連續(xù)的粒界外，在有些地方也存在具有從結(jié)晶粒的中途起發(fā)生的粒界5或二個(gè)粒界在中途相交的粒界6那樣的形狀的粒界。在這樣的結(jié)晶粒中，在其長(zhǎng)度方向上流過(guò)電流時(shí)，由于橫斷的粒界少，故遷移率非常高。此外，由于粒界部呈凹陷狀，故具有提高了對(duì)于柵電壓的耐壓的優(yōu)點(diǎn)。使固體激光與取向8平行地掃描來(lái)形成這樣的形狀，但此時(shí)的掃描速度與照射能量的關(guān)系中，在對(duì)硅薄膜照射的有效能量E滿足a＜E＜c的關(guān)系的條件下進(jìn)行了結(jié)晶化的情況下形成這樣的形狀。在此，a是在硅完全熔融中所必要的能量，c是在硅凝集中所必要的能量。由于該結(jié)晶化條件的范圍很寬，故可充分地確保工藝容限。換言之，是能以高的生產(chǎn)率應(yīng)用于大型基板的照射條件。關(guān)于與該矩形結(jié)晶粒3的基板垂直的結(jié)晶取向7，在絕緣體基板1是玻璃且硅薄膜2的膜厚為50nm的情況下最多的取向是<110>，此外，在結(jié)晶粒的長(zhǎng)度方向的結(jié)晶取向8中，最多的取向是<100>。根據(jù)硅薄膜2的膜厚或絕緣體基板1的表面材料和基板1的表面上SiO2或SiN等的基底膜的有無(wú)或其膜厚，上述的粒界凹陷部的膜厚差和其面取向是不同的。一般來(lái)說(shuō)，硅薄膜2與絕緣體基板1之間的潤(rùn)濕性越高，上述凹陷部的凹凸越大，伴隨于此，在結(jié)晶取向7中最多的取向容易成為<100>。如果結(jié)晶取向7改變，則與其垂直的取向8的幾何學(xué)上容許的取向、即只有<100>或<110>成為主要的取向。在本發(fā)明中，主要記述了取向7為<110>、取向8為<100>的情況，但如上所述，通過(guò)控制硅薄膜的膜厚、基底膜的材料和膜厚，可將取向7定為<100>、取向8定為<100>或<110>。在取向7為<100>的情況下，沿取向8流過(guò)電流的情況的遷移率在n型晶體管中成為最大值。另一方面，在取向7為<110>的情況下，在p型晶體管中成為最大值。即，如果對(duì)n型使用<100>、對(duì)p型使用<110>，則可實(shí)現(xiàn)最大性能的n、p型混合裝載型(例如，互補(bǔ)型MOS(CMOS))的半導(dǎo)體裝置。另一方面，如果與其相反，對(duì)n型使用<110>、對(duì)p型使用<100>，則可縮小n、p型間的遷移率差(本來(lái)，n型的遷移率比p型的遷移率大約2倍)。在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中，即使n、p型各自的性能不是最大性能，但在彼此的遷移率接近的情況下，也有容易設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。在大部分的外圍電路中，以這種方式作成n、p型混合裝載型，具有能提高設(shè)計(jì)容限的優(yōu)點(diǎn)。這樣，本發(fā)明的特征在于具有下述的大的優(yōu)點(diǎn)通過(guò)控制結(jié)晶取向，能將必要的性能的晶體管應(yīng)用于必要的電路部分。
圖1(B)中示出了粒界部的剖面，但在此所謂的凹陷部的凹凸能用粒界部的平均膜厚與粒內(nèi)的平均膜厚的膜厚差9來(lái)表現(xiàn)。作為另一個(gè)表現(xiàn)，也可考慮粒界中的硅薄膜表面的法線與基板法線的角度10。這兩者的值具有彼此相關(guān)的關(guān)系。在結(jié)晶中，利用由固體激光進(jìn)行的熔融固化過(guò)程，在與激光的掃描方向垂直的方向上引起一種水滴化。該水滴化的痕跡可認(rèn)為是在掃描方向上以凸?fàn)钚纬闪溯^長(zhǎng)地延伸的表面的矩形結(jié)晶粒3。該現(xiàn)象是與作為現(xiàn)有技術(shù)的受激準(zhǔn)分子激光的結(jié)晶化有很大差別的現(xiàn)象。在受激準(zhǔn)分子激光的情況下，如上所述，熔融固化時(shí)的體積膨脹集中于粒界部，形成向上凸的粒界部，但在固體激光的情況下，由于在熔融過(guò)程中使激光掃描，故結(jié)晶在橫方向上生長(zhǎng)。因此，體積膨脹不斷地聚集于結(jié)晶生長(zhǎng)的前端，成為結(jié)晶粒相互間平行地相接的形狀。因此，不對(duì)粒界施加體積膨脹的壓力，由于硅的水滴化引起的表面張力的影響的緣故，形成了凹陷的粒界。硅薄膜與基板表面的潤(rùn)濕性越高，該水滴越容易成為圓形的，使膜厚差9和角度10同時(shí)增大。具有如果潤(rùn)濕性小則相反地使膜厚差9和角度10減少的性質(zhì)。在用上述的膜結(jié)構(gòu)和激光照射條件進(jìn)行了結(jié)晶化的情況下，該膜厚差為約10～20nm、角度10為約60～80度是最多地形成的。
本實(shí)施例的特征在于將具有這樣的形狀的結(jié)晶作為溝道來(lái)利用，能以更高的工藝生產(chǎn)率形成具有高遷移率和高的柵耐壓的晶體管。
(實(shí)施例2)圖2是說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施例的薄膜晶體管的溝道部分的薄膜結(jié)構(gòu)的圖。(a)是從斜上方看的立體圖，(b)是粒界部分的剖面圖。與上述實(shí)施例1不同之處是，在實(shí)施例1中能看到的粒界部的凹陷在實(shí)施例2中是極為平坦的，此外，矩形結(jié)晶粒3的表面在粒內(nèi)也是平坦的。矩形結(jié)晶粒3的平均的長(zhǎng)度與實(shí)施例1相同，為5μm，平均的寬度為0.8～3μm。在粒界中，除了單單在長(zhǎng)度方向上連續(xù)的粒界外，在有些地方也存在具有從結(jié)晶粒的中途起發(fā)生的粒界5或二個(gè)粒界在中途相交的粒界6那樣的形狀的粒界，這一點(diǎn)也與實(shí)施例1相同。在這樣的結(jié)晶粒中，在其長(zhǎng)度方向上流過(guò)電流時(shí)，由于成為高遷移率和特別是粒界部、結(jié)晶內(nèi)部是平坦的，故可確保對(duì)于極高的柵電壓的耐壓。換言之，具有能使柵絕緣膜的膜厚比目前的100nm薄、例如為50nm以下的優(yōu)點(diǎn)。在此時(shí)的掃描速度與照射能量的關(guān)系中，在對(duì)硅薄膜照射的有效能量E滿足a＜E＜b的關(guān)系的條件下進(jìn)行了結(jié)晶化的情況下形成這樣的形狀。在此，a是在硅完全熔融中所必要的能量，b是在硅液滴化中所必要的能量，相對(duì)于在實(shí)施例1中已說(shuō)明的硅凝集能量c來(lái)說(shuō)(b＜＜c)。由于該結(jié)晶化條件的范圍非常窄，故存在不能確保工藝容限的缺點(diǎn)，但所形成的結(jié)晶狀態(tài)是最佳的。因此，如果只應(yīng)用于不需要大面積的高功能電路部分，則具有能實(shí)現(xiàn)具有非常高的性能的半導(dǎo)體裝置或圖像顯示裝置的優(yōu)點(diǎn)。關(guān)于結(jié)晶取向7、結(jié)晶取向8，與實(shí)施例1相同的情況成立。除了上述的照射條件以外，根據(jù)硅薄膜2的膜厚或絕緣體基板1的表面材料和基板1的表面上SiO2或SiN等的基底膜的有無(wú)或其膜厚，這樣的平坦的粒界和粒內(nèi)是不同的。一般來(lái)說(shuō)，在硅薄膜2與絕緣體基板1之間的潤(rùn)濕性最低且硅薄膜2的膜厚比50nm大時(shí)，容易形成這樣的平坦的粒界和粒內(nèi)的結(jié)構(gòu)。在圖2(b)中示出了粒界部的剖面，但在實(shí)施例2中，膜厚差9非常小，此外角度10非常接近于0度。這意味著難以引起硅的水滴化。通過(guò)將具有這樣的形狀的結(jié)晶作為溝道來(lái)利用，將具有高遷移率和非常高的柵耐壓的晶體管應(yīng)用于必須有最高性能的電路部，具有能得到高功能的半導(dǎo)體裝置的優(yōu)點(diǎn)。
(實(shí)施例3)圖3是說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施例的薄膜晶體管的溝道部分的薄膜結(jié)構(gòu)的圖。(a)是從斜上方看的立體圖，(b)是粒界部分的剖面圖。在本實(shí)施例中，與上述實(shí)施例2不同，由于粒界部的凹陷比硅薄膜2的膜厚大，故在粒界部分中硅薄膜2分離了，具有基板1的表面被呈現(xiàn)的完全分離型粒界11。此外，矩形結(jié)晶粒3的表面較大地向上凸起。矩形結(jié)晶粒3的平均的長(zhǎng)度與實(shí)施例1相同，為5μm，平均的寬度為0.5～2μm。在完全分離型粒界中，在有些地方也存在具有從結(jié)晶粒的中途起發(fā)生的粒界12或二個(gè)粒界在中途相交的粒界13那樣的形狀的粒界，這一點(diǎn)也與實(shí)施例1相同。這樣的結(jié)晶粒的大部分在結(jié)晶粒內(nèi)是單晶，在其長(zhǎng)度方向上流過(guò)電流的情況下，由于沒(méi)有因粒界散射引起的遷移率下降的作用，故成為與單晶類似的高遷移率。此外，因?yàn)榫匦谓Y(jié)晶粒3的表面為平緩的曲面，故也能確保某種程度的對(duì)于柵電壓的耐壓。換言之，這意味著在維持目前的柵耐壓的情況下能在絕緣體基板1上形成與單晶類似的性能的晶體管?？墒?，存在下述的缺點(diǎn)因?yàn)榱鬟^(guò)一個(gè)結(jié)晶粒的電流較小，故為了解決這一問(wèn)題，必須形成寬度大的晶體管。在此時(shí)的掃描速度與照射能量的關(guān)系中，在對(duì)硅薄膜照射的有效能量E滿足c＜E＜d的關(guān)系的條件下進(jìn)行了結(jié)晶化的情況下形成這樣的形狀。在此，c與實(shí)施例1相同，是在硅凝集中所必要的能量，d是在硅蒸發(fā)中所必要的能量。該結(jié)晶化條件具有與實(shí)施例1相同程度地范圍寬的工藝容限。這樣的結(jié)晶適合于要求高遷移率而不那么要求電流值的運(yùn)算電路部。如果將其應(yīng)用于運(yùn)算電路部，則具有能實(shí)現(xiàn)具有非常高的性能的半導(dǎo)體裝置或圖像顯示裝置的優(yōu)點(diǎn)。關(guān)于結(jié)晶取向7、結(jié)晶取向8，與實(shí)施例1相同的情況成立。
除了上述的照射條件以外，根據(jù)硅薄膜2的膜厚或絕緣體基板1的表面材料和基板1的表面上SiO2或SiN等的基底膜的有無(wú)或其膜厚，這樣的凝集型的粒界和粒內(nèi)是不同的。一般來(lái)說(shuō)，在硅薄膜2與絕緣體基板1之間的潤(rùn)濕性最高且硅薄膜2的膜厚為50nm以下時(shí)，容易形成這樣的凝集型的粒界和粒內(nèi)的結(jié)構(gòu)。在圖3(b)中示出了粒界部的剖面，但在實(shí)施例3中，膜厚差14非常大，在結(jié)晶化前的硅薄膜的膜厚為50nm的情況下，也有該膜厚差14達(dá)到約100nm的情況。此外，角度15非常大，也有超過(guò)45度的情況。
通過(guò)將具有這樣的形狀的結(jié)晶作為溝道來(lái)利用，將具有最高遷移率的晶體管應(yīng)用于必須有最高性能的邏輯電路部，具有能得到高功能的半導(dǎo)體裝置的優(yōu)點(diǎn)。
(實(shí)施例4)圖4是說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施例的薄膜晶體管的溝道部分的薄膜結(jié)構(gòu)的圖。(a)是從斜上方看的立體圖，(b)是粒界部分的剖面圖。在本實(shí)施例中，與上述實(shí)施例1～實(shí)施例3不同，結(jié)晶粒的形狀不是矩形，而是多角形狀，但粒界部與實(shí)施例1～實(shí)施例3同樣，呈凹陷狀。該結(jié)晶粒3的平均直徑為1～2μm。這樣的結(jié)晶粒的大部分在結(jié)晶粒內(nèi)是單晶，但特別是由于沒(méi)有長(zhǎng)度方向，故在流過(guò)電流的情況下，因粒界散射引起的遷移率下降的作用比上述實(shí)施例1～實(shí)施例3大。但是，由于粒界部呈凹陷狀，故與以往用受激準(zhǔn)分子激光法得到的結(jié)晶相比，具有柵耐壓高的優(yōu)點(diǎn)。換言之，這意味著可形成遷移率與現(xiàn)有技術(shù)類似、而柵耐壓高的晶體管。在此時(shí)的掃描速度與照射能量的關(guān)系中，在對(duì)硅薄膜照射的有效能量E滿足E＜a的關(guān)系的條件下進(jìn)行了結(jié)晶化、其后用硅的各向異性溶液進(jìn)行刻蝕、通過(guò)有選擇地削減結(jié)晶鍵弱的粒界部可得到這樣的形狀。在此，a與實(shí)施例1相同，是在硅完全熔融中所必要的能量。該結(jié)晶化條件與實(shí)施例1相比，范圍寬且工藝的生產(chǎn)率高。通過(guò)將這樣的結(jié)晶應(yīng)用于不那么要求遷移率而大面積地存在的晶體管(例如，圖像顯示裝置的像素部等)的溝道部等，具有能實(shí)現(xiàn)具有非常高的性能的半導(dǎo)體裝置或圖像顯示裝置的優(yōu)點(diǎn)。關(guān)于結(jié)晶取向7，與實(shí)施例1相同的情況成立。
不僅對(duì)于用上述的固體激光得到的結(jié)晶粒、而且對(duì)于用現(xiàn)有的受激準(zhǔn)分子激光結(jié)晶化得到的結(jié)晶粒，通過(guò)進(jìn)行粒界的有選擇的刻蝕工序，也可形成這樣的多角形型的結(jié)晶粒和粒界。
(實(shí)施例5)圖5是本發(fā)明的第5實(shí)施例的薄膜晶體管的展開圖。上部為剖面圖，其下部是從上面看溝道部分的平面圖，其右是從相差90°的角度描繪剖面圖的剖面圖。在絕緣體基板1上形成硅薄膜2，該硅薄膜2具有與實(shí)施例1同樣的矩形結(jié)晶粒3。以下，以實(shí)施例1的結(jié)晶結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明，但即使在該硅薄膜2的部分為實(shí)施例2或?qū)嵤├?的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的情況下，當(dāng)然也完全同樣地成立。使用硅薄膜2的一部分形成了源16、漏17和在溝道上形成了柵絕緣膜18、在其上形成了柵19。本實(shí)施例的特征在于硅薄膜2的矩形結(jié)晶粒3的長(zhǎng)度方向如圖5中所示那樣與連結(jié)源16和漏17的方向一致。如果使用這樣的方向，則有如上所述形成在電流方向上具有高遷移率的溝道的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，由于在實(shí)施例1中粒界部呈凹陷狀，故同時(shí)也可得到柵耐壓高的優(yōu)點(diǎn)。此時(shí)，本實(shí)施例的特征在于上述硅薄膜或上述源或上述漏或上述柵絕緣膜或上述柵的任一部分的表面凹凸(凸部頂點(diǎn)與凹部底邊的高低差)的沿上述溝道內(nèi)連結(jié)源與漏的方向的情況的值(分別與圖5中的表面凹凸21、表面凹凸23和表面凹凸25相對(duì)應(yīng))比沿與其垂直的方向的情況的值(分別與圖5中的表面凹凸20、表面凹凸22和表面凹凸24相對(duì)應(yīng))小。
(實(shí)施例6)圖6是本發(fā)明的第6實(shí)施例的薄膜晶體管的展開圖。上部為剖面圖，其下部是從上面看溝道部分的平面圖，其右是從相差90°的角度描繪剖面圖的剖面圖。在絕緣體基板1上形成硅薄膜2，該硅薄膜2具有與實(shí)施例1同樣的矩形結(jié)晶粒3。以下，以實(shí)施例1的結(jié)晶結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明，但即使在該硅薄膜2的部分為實(shí)施例2或?qū)嵤├?的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的情況下，當(dāng)然也完全同樣地成立。使用硅薄膜2的一部分形成了源16、漏17和在溝道上形成了柵絕緣膜18、在其上形成了柵19。本實(shí)施例的特征在于硅薄膜2的矩形結(jié)晶粒3的長(zhǎng)度方向如圖6中所示那樣與連結(jié)源16和漏17的方向垂直的方向一致。如果使用這樣的方向，則與實(shí)施例5相比，存在電流方向的遷移率下降的缺點(diǎn)，但另一方面，由于橫斷電流方向的粒界數(shù)比較多的緣故，具有減少元件間的遷移率離散性的優(yōu)點(diǎn)。該優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用于例如實(shí)施例5那樣的不需要高遷移率而打算將晶體管的閾值變動(dòng)抑制為最小限度的電路部。例如，通過(guò)將CMOS(互補(bǔ)型MOS)的n型晶體管作成本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，將相對(duì)的p型晶體管作成實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)，可得到取得兩者的平衡的電路結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，由于結(jié)晶的粒界部也呈凹陷狀，故同時(shí)也可得到柵耐壓高的優(yōu)點(diǎn)。此時(shí)，本實(shí)施例的特征在于上述硅薄膜或上述源或上述漏或上述柵絕緣膜或上述柵的任一部分的表面凹凸(凸部頂點(diǎn)與凹部底邊的高低差)的沿上述溝道內(nèi)連結(jié)源與漏的方向的情況的值(分別與圖6中的表面凹凸21、表面凹凸23和表面凹凸25相對(duì)應(yīng))比沿與其垂直的方向的情況的值(分別與圖6中的表面凹凸20、表面凹凸22和表面凹凸24相對(duì)應(yīng))大。
(實(shí)施例7)圖7是本發(fā)明的第7實(shí)施例的薄膜晶體管的展開圖。上部為剖面圖，其下部是從上面看溝道部分的平面圖，其右是從相差90°的角度描繪剖面圖的剖面圖。在絕緣體基板1上形成硅薄膜2，該硅薄膜2具有與實(shí)施例1同樣的矩形結(jié)晶粒3。以下，以實(shí)施例1的結(jié)晶結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明，但即使在該硅薄膜2的部分為實(shí)施例2或?qū)嵤├?的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的情況下，當(dāng)然也完全同樣地成立。使用硅薄膜2的一部分形成了源16、漏17和在溝道上形成了柵絕緣膜18、在其上形成了柵19。本實(shí)施例的特征在于硅薄膜2的矩形結(jié)晶粒3的長(zhǎng)度方向如圖7中所示那樣與連結(jié)源16和漏17的方向呈傾斜狀。如果使用這樣的方向，則電流方向的遷移率成為實(shí)施例5和實(shí)施例6的中間的值，此外，因?yàn)闄M斷電流方向的粒界數(shù)也同樣地成為兩者的中間值，故元件間的遷移率離散性也具有兩者的中間的值。具有這樣的結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，雖然例如實(shí)施例5或?qū)嵤├?那樣的性能方面的限制較少，但通過(guò)在因布局方面的考慮無(wú)論如何必須在實(shí)施例5或?qū)嵤├?的晶體管的區(qū)域內(nèi)與連結(jié)源與漏的方向傾斜地混合存在的晶體管中應(yīng)用該結(jié)構(gòu)，可緩和布局限制。本實(shí)施例可應(yīng)用于大面積的緩沖晶體管連續(xù)地存在的區(qū)域的一部分中的單一開關(guān)元件那樣的電路。即使在本實(shí)施例中，由于結(jié)晶的粒界部也呈凹陷狀，故同時(shí)也可得到柵耐壓高的優(yōu)點(diǎn)。此時(shí)，本實(shí)施例的特征在于由于矩形結(jié)晶粒3在沿長(zhǎng)度方向的情況和與其垂直的情況下表面凹凸不同，故上述硅薄膜或上述源或上述漏或上述柵絕緣膜或上述柵的任一部分的表面凹凸(凸部頂點(diǎn)與凹部底邊的高低差)的沿上述溝道內(nèi)連結(jié)源與漏的方向的情況的值(分別與圖7中的表面凹凸21、表面凹凸23和表面凹凸25相對(duì)應(yīng))與沿與其垂直的方向的情況的值(分別與圖7中的表面凹凸20、表面凹凸22和表面凹凸24相對(duì)應(yīng))不同。
(實(shí)施例8)圖8是本發(fā)明的第8實(shí)施例的薄膜晶體管的展開圖。上部為剖面圖，其下部是從上面看溝道部分的平面圖，其右是從相差90°的角度描繪剖面圖的剖面圖。在絕緣體基板1上形成硅薄膜2，該硅薄膜2具有與實(shí)施例4同樣的多角形狀結(jié)晶粒3。使用硅薄膜2的一部分形成了源16、漏17和在溝道上形成了柵絕緣膜18、在其上形成了柵19。如果使用這樣的方向，則雖然電流方向的遷移率與實(shí)施例5～實(shí)施例7相比成為低的值，但由于連結(jié)呈凹陷狀，故有柵耐壓高的優(yōu)點(diǎn)。由于形成該結(jié)晶結(jié)構(gòu)的激光結(jié)晶化的生產(chǎn)率與實(shí)施例5～實(shí)施例7相比為最高，故可應(yīng)用于大面積的像素部。此時(shí)，本實(shí)施例的特征在于由于多角形狀結(jié)晶粒3沒(méi)有長(zhǎng)度方向，故上述硅薄膜或上述源或上述漏或上述柵絕緣膜或上述柵的任一部分的表面凹凸(凸部頂點(diǎn)與凹部底邊的高低差)的沿上述溝道內(nèi)連結(jié)源與漏的方向的情況的值(分別與圖8中的表面凹凸21、表面凹凸23和表面凹凸28相對(duì)應(yīng))大致與沿與其垂直的方向的情況的值(分別與圖8中的表面凹凸20、表面凹凸22和表面凹凸24相對(duì)應(yīng))相等。
(實(shí)施例9)圖9是示出了將實(shí)施例5的晶體管應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置的電路部的情況的圖形形成例的圖。在具有矩形結(jié)晶粒3的晶體管的源16、漏17、柵19上形成接點(diǎn)26，與在層間絕緣膜上形成的布線27連接。以下以實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)為例來(lái)說(shuō)明，但即使在該部分為實(shí)施例6或?qū)嵤├?的結(jié)構(gòu)的情況下，當(dāng)然也完全同樣地成立。在該結(jié)構(gòu)中混合地存在各種各樣的種類的晶體管，如在連結(jié)源與漏的方向上較長(zhǎng)地延伸的形狀的晶體管28或在與其垂直的方向上較長(zhǎng)地延伸的形狀的晶體管29等。這是因?yàn)?，所要求的晶體管的性能根據(jù)電路的各功能而不同，例如，在特別要求驅(qū)動(dòng)能力(導(dǎo)通時(shí)的電流)而不是要求遷移率等情況下，大多使用晶體管29。本實(shí)施例的特征在于這樣的尺寸不同的各種各樣的晶體管中的各自的矩形結(jié)晶粒3的長(zhǎng)度方向與平行于基板的某一個(gè)方向30一致。本實(shí)施例的特征在于如果從上面看由以這種方式方向一致的一組晶體管構(gòu)成的區(qū)域，則上述硅薄膜或上述源或上述漏或上述柵絕緣膜或上述柵的任一部分的表面凹凸(凸部頂點(diǎn)與凹部底邊的高低差)的沿方向30的情況的值(分別與圖5中的表面凹凸21、表面凹凸23和表面凹凸25相對(duì)應(yīng))比沿與其垂直的方向31的情況的值(分別與圖5中的表面凹凸20、表面凹凸22和表面凹凸24相對(duì)應(yīng))小。通過(guò)以這種方式在區(qū)域內(nèi)使矩形結(jié)晶粒3的長(zhǎng)度方向一致，由于對(duì)于區(qū)域來(lái)說(shuō)只進(jìn)行一次激光掃描就可以了，故具有提高結(jié)晶化工藝的生產(chǎn)率的優(yōu)點(diǎn)。在本實(shí)施例中，是連結(jié)源與漏的方向與矩形結(jié)晶粒的長(zhǎng)度方向30相同的情況的例子，但即使對(duì)于兩者呈傾斜狀或垂直的情況，當(dāng)然也具有能提高激光結(jié)晶化的生產(chǎn)率的優(yōu)點(diǎn)。
(實(shí)施例10)圖10是從上部看將由實(shí)施例9的方向一致的晶體管組構(gòu)成的區(qū)域應(yīng)用于圖像顯示裝置的外圍電路部和像素部的情況的配置圖。與實(shí)施例9相同，有連結(jié)源16與漏17的方向與矩形結(jié)晶粒3的長(zhǎng)度方向30相同的晶體管組的區(qū)域32、兩者垂直的晶體管組的區(qū)域33、兩者呈傾斜狀的晶體管組的區(qū)域34和由不屬于哪個(gè)區(qū)域的單獨(dú)的晶體管35構(gòu)成的外圍電路部。此外，有像素36和驅(qū)動(dòng)該像素36的晶體管37，該晶體管組37也構(gòu)成了具有與區(qū)域32同樣的方向的區(qū)域38。在本實(shí)施例中，特別是區(qū)域32的長(zhǎng)度方向與基板端部的橫方向切斷線39一致，此外，區(qū)域33的長(zhǎng)度方向與基板端部的縱方向切斷線40一致。通過(guò)作成這樣的配置結(jié)構(gòu)，具有能高效地利用基板外圍部分的面積的優(yōu)點(diǎn)。
(實(shí)施例11)圖11示出利用了本發(fā)明的薄膜半導(dǎo)體器件的圖像顯示裝置的例子。記載具有實(shí)施例10的區(qū)域32、區(qū)域33、像素36的絕緣體基板1上依次重疊液晶層41、共同電極42、保護(hù)膜43，用上部和下部的偏振片44夾住這些部分。通過(guò)將這些部分一體化并在導(dǎo)光片上形成，構(gòu)成了圖像顯示面板。
(實(shí)施例12)圖12是組裝了本發(fā)明的實(shí)施例的圖像顯示面板46的計(jì)算機(jī)用監(jiān)視器或電視機(jī)47的外觀圖。
(實(shí)施例13)圖13是組裝了本發(fā)明的實(shí)施例的圖像顯示面板46的攜帶電話機(jī)48的外觀圖。
(實(shí)施例14)圖14是組裝了本發(fā)明的實(shí)施例的圖像顯示面板46的可移動(dòng)終端49的外觀圖。
(實(shí)施例15)圖15是組裝了本發(fā)明的實(shí)施例的圖像顯示面板46的數(shù)字?jǐn)z像機(jī)50的外觀圖。
(實(shí)施例16)圖16是將本發(fā)明的實(shí)施例9的電路應(yīng)用于高頻元件(RF元件)的控制部的情況的電路部51和RF元件52的外觀圖。
權(quán)利要求
1.一種薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于具有絕緣體基板；在上述絕緣體基板上形成的硅薄膜；以及將上述硅薄膜作為溝道的晶體管，上述硅薄膜是排列多個(gè)具有細(xì)長(zhǎng)形的矩形結(jié)晶粒而構(gòu)成的多晶，在上述多晶中，特別是其表面在粒界中呈凹陷狀，在上述溝道內(nèi)的粒界中，具有該呈凹陷狀的表面的粒界為最多。
2.如權(quán)利要求1中所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于上述硅薄膜表面的法線與上述絕緣體基板的法線構(gòu)成的角度特別是在粒界中為1～45度的范圍。
3.如權(quán)利要求1中所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于上述硅薄膜的結(jié)晶粒界中的平均膜厚比結(jié)晶粒內(nèi)的平均膜厚小。
4.一種薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于具有絕緣體基板；在上述絕緣體基板上形成的硅薄膜；使用上述硅薄膜的一部分形成的源和漏；在上述硅薄膜上形成的柵絕緣膜；在上述柵絕緣膜上形成的柵；以及將上述硅薄膜作為溝道的晶體管，上述硅薄膜或上述源或上述漏或上述柵絕緣膜或上述柵的任一部分的表面凹凸，即凸部頂點(diǎn)與凹部底邊的高低差，在沿上述溝道內(nèi)與上述基板平行的某一方向的情況下和在沿與其垂直的方向的情況下是不同的。
5.如權(quán)利要求4中所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于上述硅薄膜或上述源或上述漏或上述柵絕緣膜或上述柵的任一部分的表面凹凸，即凸部頂點(diǎn)與凹部底邊的高低差的沿上述溝道內(nèi)特別是溝道的長(zhǎng)度方向，即連結(jié)源與漏的方向的情況的值比沿溝道的寬度方向，即與上述長(zhǎng)度方向垂直且與硅薄膜表面平行的方向的情況的值小。
6.如權(quán)利要求4中所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于上述硅薄膜或上述源或上述漏或上述柵絕緣膜或上述柵的任一部分的表面凹凸，即凸部頂點(diǎn)與凹部底邊的高低差的沿上述溝道內(nèi)特別是溝道的長(zhǎng)度方向，即連結(jié)源與漏的方向的情況的值比沿溝道的寬度方向，即與上述長(zhǎng)度方向垂直且與硅薄膜表面平行的方向的情況的值大。
7.一種薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于具有絕緣體基板；在上述絕緣體基板上形成的硅薄膜；使用上述硅薄膜的一部分形成的源和漏；在上述硅薄膜上形成的柵絕緣膜；在上述柵絕緣膜上形成的柵；將上述硅薄膜作為溝道的多個(gè)晶體管；在上述源、上述漏、上述柵上形成的接點(diǎn)；以及連接上述接點(diǎn)相互間的布線，上述多個(gè)晶體管在與基板平行的面內(nèi)具有共同的某一方向，該共同的方向與上述矩形結(jié)晶粒的長(zhǎng)度方向相一致，而且上述硅薄膜或上述源或上述漏或上述柵絕緣膜或上述柵的任一部分的表面凹凸，即凸部頂點(diǎn)與凹部底邊的高低差的在上述溝道內(nèi)沿上述共同的方向的情況的值比沿與其垂直的方向的情況的值小。
8.一種薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于在上述基板的外圍部分上主要集成了由通過(guò)至少具有一個(gè)由具有權(quán)利要求7中所述的共同的方向的上述多個(gè)晶體管構(gòu)成的區(qū)域而形成的緩沖電路、移位寄存器、解碼器、電平變換電路、驅(qū)動(dòng)電路或數(shù)模變換電路等構(gòu)成的信號(hào)電路，而在同一基板上形成了像素驅(qū)動(dòng)電路。
9.一種薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于具有絕緣體基板；在上述絕緣體基板上形成的硅薄膜；以及將上述硅薄膜作為溝道的晶體管，上述硅薄膜是排列多個(gè)具有細(xì)長(zhǎng)形的矩形結(jié)晶粒而構(gòu)成的多晶，在上述矩形結(jié)晶粒中，基板垂直方向的結(jié)晶面取向中的最多的取向?yàn)?amp;lt;110>，而且，上述矩形結(jié)晶粒的長(zhǎng)度方向的結(jié)晶面取向中的最多的取向?yàn)?amp;lt;100>。
10.如權(quán)利要求9中所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于在上述矩形結(jié)晶粒中，基板垂直方向的結(jié)晶面取向中的最多的取向?yàn)?amp;lt;100>，而且，上述矩形結(jié)晶粒的長(zhǎng)度方向的結(jié)晶面取向中的最多的取向?yàn)?amp;lt;100>。
11.如權(quán)利要求9中所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于在上述矩形結(jié)晶粒中，基板垂直方向的結(jié)晶面取向中的最多的取向?yàn)?amp;lt;100>，而且，上述矩形結(jié)晶粒的長(zhǎng)度方向的結(jié)晶面取向中的最多的取向?yàn)?amp;lt;110>。
12.一種薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于具有絕緣體基板；在上述絕緣體基板上形成的硅薄膜；以及將上述硅薄膜作為溝道的晶體管，在上述溝道內(nèi)橫斷的粒界數(shù)在沿與上述基板平行的某一方向的情況下和在沿與其垂直的方向的情況下是不同的。
13.如權(quán)利要求12中所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于在上述溝道內(nèi)，沿溝道的長(zhǎng)度方向，即連結(jié)源與漏的方向橫斷的粒界數(shù)比沿溝道的寬度方向，即與上述長(zhǎng)度方向垂直且與硅薄膜表面平行的方向橫斷的粒界數(shù)小。
14.如權(quán)利要求12中所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于在上述溝道內(nèi)，沿溝道的長(zhǎng)度方向，即連結(jié)源與漏的方向橫斷的粒界數(shù)比沿溝道的寬度方向，即與上述長(zhǎng)度方向垂直且與硅薄膜表面平行的方向橫斷的粒界數(shù)大。
15.一種薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于具有絕緣體基板；在上述絕緣體基板上形成的硅薄膜；以及將上述硅薄膜作為溝道的晶體管，上述硅薄膜是排列多個(gè)具有細(xì)長(zhǎng)形的矩形結(jié)晶粒而構(gòu)成的多晶，上述多晶特別是其表面在粒界中呈平坦?fàn)睿鲜龉璞∧さ慕Y(jié)晶粒界中的平均膜厚與結(jié)晶粒內(nèi)的平均膜厚相比處于90～110％的范圍內(nèi)。
16.一種薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于具有絕緣體基板；在上述絕緣體基板上形成的硅薄膜；以及將上述硅薄膜作為溝道的晶體管，互相分離地存在多個(gè)上述硅薄膜的具有細(xì)長(zhǎng)形的矩形結(jié)晶粒，在上述矩形結(jié)晶粒相互間不存在上述硅薄膜，上述矩形結(jié)晶粒的表面沿一個(gè)方向呈平坦?fàn)?，沿與其垂直的方向呈凸起狀。
17.如權(quán)利要求16中所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于上述矩形結(jié)晶粒與上述基板的接觸角，即矩形結(jié)晶的端部表面的法線與基板法線構(gòu)成的角度，特別是處于10～60度的范圍內(nèi)。
18.一種薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于在圖像顯示裝置的外圍電路部或像素部中至少具有一個(gè)由與權(quán)利要求7的方向一致的晶體管組構(gòu)成的區(qū)域，特別是該區(qū)域的長(zhǎng)度方向與基板端部的橫方向切斷線或縱方向切斷線中的某一個(gè)方向一致。
19.一種薄膜半導(dǎo)體器件，其特征在于具有絕緣體基板；在上述絕緣體基板上形成的硅薄膜；以及將上述硅薄膜作為溝道的晶體管，上述硅薄膜是排列多個(gè)結(jié)晶粒而構(gòu)成的多晶，上述多晶特別是其表面在粒界中呈凹陷狀，具有該呈凹陷狀的表面的粒界在上述溝道內(nèi)的粒界中為最多。
全文摘要
本發(fā)明將通過(guò)提供使低溫多晶硅實(shí)現(xiàn)大粒徑化且使表面平坦化以充分地確保柵耐壓的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高遷移率的半導(dǎo)體裝置和圖像顯示裝置作為課題。本發(fā)明的薄膜半導(dǎo)體器件中，通過(guò)對(duì)固體激光等的連續(xù)的振蕩光在時(shí)間和空間方面進(jìn)行調(diào)制以實(shí)現(xiàn)對(duì)于硅薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)和生長(zhǎng)速度來(lái)說(shuō)接近于最佳的結(jié)晶生長(zhǎng)，通過(guò)形成大粒徑、在粒界部中呈現(xiàn)沒(méi)有凸起的平坦性且其面取向被控制的結(jié)晶粒并使用這些結(jié)晶粒形成溝道，實(shí)現(xiàn)高遷移率的半導(dǎo)體裝置和圖像顯示裝置。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1458698SQ0313673
公開日2003年11月26日 申請(qǐng)日期2003年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月17日
發(fā)明者山口伸也, 波多野睦子, 田井光春, 樸成基, 芝健夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所