專利名稱：具有一對共享一條公共導(dǎo)線的磁性位的存儲設(shè)備陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電阻存儲單元陣列領(lǐng)域。尤其是，這個發(fā)明涉及一個具有共享一條公共導(dǎo)線的存儲器位對以增加陣列密度的存儲器陣列。
背景技術(shù)：
一個電阻隨機存取存儲器(RAM)是這樣一個交叉點類型的存儲器陣列，該陣列是夾在兩個以高于或者低于該單元的正交方向運行的導(dǎo)線網(wǎng)格之間的間隔存儲器單元的一個平面矩陣。在圖1中顯示的電阻RAM陣列10就是一個示例。沿一個方向運行的行導(dǎo)線12被稱為字線，并且沿一個通常垂直于第一方向的一個第二方向延伸的列導(dǎo)線14被稱為位線。該存儲器單元16通常以一個正方或者矩形陣列排列，以便每個存儲器單元16都和一條字線12以及一條相交的位線14連接。
在一個電阻RAM陣列中，每個存儲器單元的阻抗都具有超過一個態(tài)的狀態(tài)，而且在該存儲器單元中的數(shù)據(jù)是該單元電阻狀態(tài)的一個函數(shù)。該電阻性存儲器單元可以包含一個或多個磁層，一個熔絲或者反熔絲、或者通過改變該單元標(biāo)稱電阻量值來存儲或者產(chǎn)生信息的任何單元。在一個電阻RAM陣列中使用的其它類型電阻單元包含作為一個只讀存儲器一部分的多硅電阻，或者作為可重寫存儲設(shè)備的相變材料。
一種類型的電阻隨機存取存儲器是一種磁性隨機存取存儲器(MRAM)，其中每個存儲器單元由多個由絕緣層隔開的磁層形成。一個磁層被稱作釘扎層，其中磁性方向是固定的以便不在一個在影響范圍內(nèi)的應(yīng)用磁場面前發(fā)生旋轉(zhuǎn)。另一個磁層被稱為讀出層，其中磁性方向在一個與該釘扎層的狀態(tài)一致的狀態(tài)和一個與該釘扎層的狀態(tài)不一致的狀態(tài)之間變化。一個隔離隧道阻擋層夾在該磁性釘扎層和磁性讀出層之間。這個隔離的隧道阻擋層允許在該讀出層和釘扎層之間出現(xiàn)量子力學(xué)隧道效應(yīng)。該隧道效應(yīng)是電子自旋相關(guān)的，導(dǎo)致該存儲器單元的阻抗是該讀出層和釘扎層的磁化相對方向的一個函數(shù)。在用于該讀出層兩個狀態(tài)的結(jié)電阻中的變化確定了保存在該存儲器單元中的數(shù)據(jù)。在2001年1月2號、授予Brug等人的美國專利6,169,686公開了這樣一種磁存儲器單元存儲器。
參見圖2，其中顯示了一個MRAM存儲器單元。存儲器單元16被顯示為一個三層存儲器單元20。在每個單元20中，依據(jù)該單元20中的磁性讀出層22的方向存儲一位信息。通常，單元20具有兩個對應(yīng)于邏輯狀態(tài)“1”和“0”的穩(wěn)定磁性狀態(tài)。在讀出層22上的雙向箭頭顯示了這個二進(jìn)制狀態(tài)性能。在單元20中的一個釘扎層24通過一個薄絕緣體26和讀出層隔開。釘扎層24具有一個固定的磁性方向，諸如由在層24上的單向箭頭17顯示的那樣。當(dāng)該讀出層22的磁性狀態(tài)和釘扎層24的磁化方向朝向同一個方向時，該單元磁化被稱為“平行”。類似地，當(dāng)該讀出層22的磁性狀態(tài)和釘扎層24的磁化方向朝向相反方向時，該單元磁化被稱“反平行”。這些方向分別對應(yīng)于一個低電阻狀態(tài)和一個高電阻狀態(tài)。
可以通過向和一個選定存儲器單元相交的一條字線12和位線14應(yīng)用電流，改變該選定存儲器單元20的磁性狀態(tài)。該電流產(chǎn)生兩個正交的磁場，當(dāng)它們組合在一起時，將在平行和反平行狀態(tài)之間切換選定存儲器單元20的磁性方向。其它未被選擇的存儲器單元只從和該未被選擇的存儲器單元相交的字線或者位線接收一個磁場。該單個磁場不是足夠強以改變該未被選擇單元的磁性方向，因此它們保持它們的磁性方向。
參見圖3，其中顯示了一個MRAM存儲器陣列30。一個讀出放大器32連接到一個選定存儲器單元36的位線34。電壓Vr應(yīng)用于選定存儲器單元36的字線38，而且讀出放大器32應(yīng)用一個電壓到單元36的位線34。該讀出放大器32提供反映該存儲器單元36狀態(tài)的一個放大輸出39。同一個位線電壓應(yīng)用于所有的位線34，有效地把在未被選擇行上的所有單元偏置到零電位。這個動作使位線電流互相隔離，從而有效地堵塞了大多數(shù)否則可以流過次級通道、有可能導(dǎo)致在該選定存儲器單元的讀出功能中的錯誤的泄漏電流。
與所有存儲器陣列有關(guān)的幾個問題是需要簡化結(jié)構(gòu)、期望增加存儲器存儲密度、以及需要減小在該陣列內(nèi)的導(dǎo)線。該MRAM存儲器陣列很好地解決了第一個問題，因為MRAM位單元是一個當(dāng)前已知的最簡單的存儲器單元。增加存儲器存儲密度的性能一般已經(jīng)通過減小在該陣列內(nèi)的每個單元尺寸實現(xiàn)了。導(dǎo)線的減少已經(jīng)局限于在行和列中布置了多少個單元。
因此，所需要的是一種增加陣列密度而不用必須首先減小單元尺寸的解決方案。更進(jìn)一步，所需要的是一種通過讓兩個單元對共享公共路徑來減少導(dǎo)線通道的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
依據(jù)本發(fā)明，公開了一個具有平行存儲器平面的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。每個存儲器平面包含一個存儲器單元的第一電阻交叉點平面、一個存儲器單元的第二電阻交叉點平面、多條在該存儲器單元的第一和第二平面之間共享的導(dǎo)電字線、多條位線、其中每條位線從第一平面連接一個或多個單元到在第二平面中的另一個存儲器單元、以及多個單向單元。此外，一個單向單元沿一個第一導(dǎo)電方向連接來自第一平面的一個第一存儲器單元到一條選定字線和選定位線，以及一個第二單向單元沿一個第二導(dǎo)電方向連接來自第二平面的一個第二單元到該選定字線和選定位線。發(fā)明此外提供了一個從在第一平面中的一個存儲器單元到在共享同一條位線的第二平面中的一個存儲器單元形成的單向?qū)щ娡贰?br> 該數(shù)據(jù)存儲設(shè)備此外包含多個讀取電路，其中每個都通過一條相應(yīng)的位線和一個或多個存儲器單元組連接，并且可操作來讀出流過該相關(guān)組中的一個存儲器單元的電流。該讀取電路此外包含一個讀出放大器，其可以是一個電流模式讀出放大器。
在一個替換實施例中，還公開了一個具有平行存儲器平面的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。在該替換實施例中，首先包含了一個存儲器單元的第一電阻交叉點平面以及一個存儲器單元的第二電阻交叉點平面。此外，在存儲器單元的第一和第二平面之間共享一個字線平面。提供了多條位線，其中每條位線都連接來自第一平面的一個存儲器單元到在第二平面中的另一個存儲器單元。還提供了多個單向單元，其中每個單向單元都用來連接在任何一個平面中的一個存儲器單元，其中該單向單元阻止一個存儲器單元對共享同一條位線的另一個存儲器單元的干涉。
通過結(jié)合附圖舉例說明本發(fā)明原理的以下詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點將變得明顯。


圖1是一個顯示了依據(jù)本發(fā)明的一個現(xiàn)有技術(shù)電阻交叉點存儲器單元的示意視圖；圖2是一個顯示了一個MRAM存儲器單元以及連接到那里的導(dǎo)線的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)的示意視圖；圖3是一個顯示了依據(jù)本發(fā)明、具有讀出單元的現(xiàn)有技術(shù)存儲器陣列結(jié)構(gòu)的示意視圖；圖4說明了一個依據(jù)本發(fā)明、包含一個具有背對背二極管存儲器單元配置的公共字線平面的MRAM存儲單元陣列；圖5說明了一個基于圖4中的陣列的一個多平面MRAM存儲單元陣列；圖6說明了一個具有如在本發(fā)明中考慮的支持讀/寫電路的一個MRAM存儲單元陣列的示意圖；圖7說明了依據(jù)本發(fā)明、在圖4中的一個存儲器平面上執(zhí)行的一個寫入過程；圖8描述了一個圖7中的寫入過程的流程圖；圖9說明了依據(jù)本發(fā)明、在圖4中的一個存儲器平面上執(zhí)行的一個讀取過程；圖10描述了圖9中的讀取過程的一個流程圖；以及圖11說明了依據(jù)本發(fā)明制造的MRAM存儲器單元的一個剖視圖。
圖12說明了依據(jù)本發(fā)明、在圖11中的MRAM存儲器單元的剖視圖的一個等效電路。
具體實施例方式
圖4說明了一個依據(jù)本發(fā)明、包含一個具有背對背二極管存儲器單元配置的公共字線平面的MRAM存儲單元陣列100；一個三維的透視圖說明了多個存儲器單元如何安排以增加單元密度同時減小一般在現(xiàn)有技術(shù)中所需的導(dǎo)線數(shù)目。存儲器陣列100包含多條行導(dǎo)線102a-m，每條起到存儲器單元108a和108b的公共導(dǎo)線的作用。單向?qū)Ь€110a和和110b分別和存儲器單元108a和108b聯(lián)接。單向開關(guān)110a和110b允許公共導(dǎo)線以這樣一種方式活動，以便僅僅在該位對中的一位依據(jù)如下所述的讀取、感測和寫入過程讀取、感測或者寫入，而不讓其它單元干擾該過程。
存儲器陣列100進(jìn)一步包含一個第一列導(dǎo)線104和一個第二列導(dǎo)線106。提供了多條第一列導(dǎo)線104a-n而且還提供了多條第二列導(dǎo)線106a-n。第一列導(dǎo)線104a連接到在同一個列中找到的每個存儲器單元108a的相對端。同樣地，每條第二列導(dǎo)線106a進(jìn)一步連接到共享同一個列的每個存儲器單元108b。單向?qū)w110以允許存儲器單元對108a和b共享同一個行導(dǎo)線的方式允許感測通路、寫入、和讀取通路與公共行導(dǎo)線102同享。
行導(dǎo)線102起字線的作用，而且沿著在在存儲單元陣列100側(cè)的一個平面中的X軸方向延伸。第一列導(dǎo)線104和第二導(dǎo)線106起沿著在存儲單元陣列100的另一側(cè)上的一個平面中的Y軸方向延伸的位線的作用。在這個特定實施例中，有一條字線102用于陣列100中的兩行，以及兩條位線104和106用于該陣列100中的每個行。每個存儲器單元108都位于一條相應(yīng)字線102和位線104或者106的第一或者第二交點處。應(yīng)當(dāng)注意到該存儲單元陣列能夠包含如果不是數(shù)千個的話就是數(shù)百個存儲器單元，而且必然不需要在每個行中的存儲器單元數(shù)量和在每個列中的存儲器單元數(shù)量相等。具體地說，已經(jīng)顯示了每行至少有兩個存儲器單元，但是每行中的列對數(shù)量不需要是一一對應(yīng)的。
存儲器單元108不局限于任何特定的設(shè)備類型。如上所述，可以使用一個自旋相關(guān)的隧道效應(yīng)設(shè)備。通過定向每個單元中的磁化來表示“1”或者“0”把數(shù)據(jù)保存在存儲器單元108中。舉例來說，參見圖4，可以通過把該讀出層的磁化定向為平行于該釘扎層的磁性方向來把邏輯值“0”保存在存儲器單元108中，以及可以通過把讀出層的磁化定向為間接相對或者反平行于釘扎層的磁性方向來把邏輯值“1”保存在該存儲器單元中。此外，也可以使用利用相變材料制造的存儲器單元，亦稱為相變存儲器單元。
圖5說明了依據(jù)本發(fā)明的一個存儲器陣列100的一個三維透視圖的示意圖。存儲器陣列100說明了存儲器平面117a-z中的附加堆積層是可能的。在這個示例中，不僅存儲器平面117可在一個垂直方向堆積，而且它們也可從前到后堆積，以在一個多平面存儲器陣列內(nèi)產(chǎn)生共享導(dǎo)體的平面存儲器設(shè)備的一個三維網(wǎng)格。該行導(dǎo)線102繼續(xù)插入在該反向的單向?qū)w110之間，并且形成一系列的導(dǎo)體平面113。此外，第一列導(dǎo)線104和該存儲設(shè)備108的頂部聯(lián)接，同時第二列導(dǎo)線106連接存儲設(shè)備108的底部行。該列導(dǎo)線104和106形成導(dǎo)線平面115a-115y。單向單元110一般由一個諸如二極管的單向電流導(dǎo)體組成。
圖6說明了包含字線102和位線104的單一平面磁性隨機存取存儲器(MRAM)設(shè)備610。磁性隧道結(jié)108位于在單一陣列平面100內(nèi)的字和位線102和104的交叉點處。這個陣列還可以通過用導(dǎo)線106代替列導(dǎo)線104來說明，這將表示一個不同的平面。磁性隧道結(jié)108在行和列中布置，其中行沿著一個X軸方向延伸而且列沿著一個Y軸方向延伸。僅僅顯示了在陣列平面100內(nèi)的一個相對小數(shù)目的磁性隧道結(jié)108來簡化MRAM設(shè)備610的說明。實際上，可以使用任意尺寸的陣列。
起字線102作用的軌跡沿著在陣列100一側(cè)上的一個平面中的X軸方向延伸。字線102與二極管110的陽極接觸。起位線104作用的軌跡沿著在陣列100一個相鄰側(cè)上的一個平面中的Y軸方向延伸。位線104與該磁性隧道結(jié)108的數(shù)據(jù)層相連。
MRAM設(shè)備610還包含第一和第二行解碼器120a和120b、第一和第二列解碼器122a和122b、以及一個讀取/寫入電路124。該讀取/寫入電路124包含一個讀出放大器、接地連接、一個行電流源、一個電壓電源、以及一個列電流源。
在一個在一個選定磁性隧道結(jié)108上的寫操作期間，第一行解碼器120a連接一條選定字線102的一端到該行電流源126，第二行解碼器120b連接該選定字線102的一個相反端到地，第一列解碼器122a連接一條選定位線104/106的一端到地，而且第二列解碼器122b連接該選定位線104/106的相反端到列電流源128。因此，寫入電流流過選定字和位線102和104/106。
該寫入電流在選定位單元處產(chǎn)生一個組合的磁場，其足以導(dǎo)致該選定的磁性隧道結(jié)108換向。其它沿著字線102和位線104/106的未被選擇的存儲器單元108僅僅接收來自在字線102或者位線104/106中流動的電流的磁場。因此該磁場不是足夠大的，所以未被選擇的存儲器單元的狀態(tài)保持不變。
在一個在一個選定磁性隧道結(jié)108上的讀操作期間，第一行解碼器120a連接電壓電源130到一條選定字線102，而且第一列解碼器122b連接一條選定位線104/106到該讀出放大器118的一個虛地輸入端。
結(jié)果，一個讀出電流(Is)流過該選定磁性隧道結(jié)108到讀出放大器118。通過該讀出放大器測量讀出電流(Is)，由此能夠確定該磁性隧道結(jié)108的阻抗和邏輯狀態(tài)。
圖7說明了依據(jù)本發(fā)明、在存儲器陣列100上的一個寫入功能的示意圖。寫入數(shù)據(jù)到一個選定平面的一個陣列內(nèi)的位中的方法包含在圖8的流程圖中概述的步驟。起初，如步驟810所示，該電路應(yīng)用一個寫入電流到該位的一側(cè)并且把另一側(cè)接地到對應(yīng)于被選的一個或者多個位的選定行。接下來，如在步驟812中說明的那樣，該電路應(yīng)用一個正確的電流到一側(cè)并且把另一側(cè)接地到對應(yīng)于該被選位(多個)的選定列。如在步驟814中所示那樣，該陣列然后允許所有保持未被選擇的行和列浮動。在步驟816中，該存儲器陣列分析在選定列上的電流方向來確定是否寫入一個“1”或者“0”。
一次能夠?qū)懭攵鄠€位，但是如在圖6中說明的那樣，被同時寫入的位必須全部都連接到同一個行。此外依據(jù)本發(fā)明，根據(jù)一個寫入功能的性能，行和列可以可交換地使用。
在圖9的示意圖中說明了用于一個導(dǎo)線平面的讀取功能。此外，在附圖10中給出了該方法。因此，為了讀取在一個選定平面存儲器的一個陣列中的一位，如步驟1010所示，系統(tǒng)應(yīng)用一個電壓V_bias到對應(yīng)于被選位(如被接通的那樣)的選定行。接下來，如步驟1012所示，該陣列連接同一個存儲器平面中所有未被選擇的行到一個電壓Vg，其表示地電位或者某些一般由在本領(lǐng)域的技術(shù)人員選定的通用電壓。此后，如步驟1014所示，該陣列連接選定列(多個)到讀出放大器(多個)以讀取該電信號，來確定該位的狀態(tài)。在這個方法中，一次僅僅選定在該存儲器平面中的一行。然而，對于圖6中的每一個陣列，可以同時讀取在同一行上的多個位。
圖11說明了一旦制造了的結(jié)果結(jié)構(gòu)的一個截面圖。圖12說明了圖11的等效示意圖。在位對1100的這部分中，該公共行導(dǎo)線102位于兩位108a和108b之間。在字線導(dǎo)線102的兩側(cè)上制造硅二極管1110，以形成連接。第一存儲器單元108a包含一個第一磁性釘扎層材料1112。在釘扎層1112上面形成一個介質(zhì)層1114，其起用于當(dāng)在其上形成磁性數(shù)據(jù)層1116時、隧道結(jié)阻擋層的作用。存儲器位108b包含相同的結(jié)構(gòu)，但是橫穿字線導(dǎo)線102的存儲器位108a的一個鏡象。在制造該存儲器陣列中使用的步驟和為那些在MRAM存儲器單元制造技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的半導(dǎo)體工藝的眾所周知步驟是一致和兼容的。在該數(shù)據(jù)層和釘扎層內(nèi)的箭頭顯示了用于那些層的磁場方向。
依據(jù)一個特定實施例，行導(dǎo)線102由鉑形成，其中一個硅材料被置于該鉑導(dǎo)線的兩側(cè)以形成背靠背的肖特基勢壘二極管或者單向?qū)w110。然后，緊鄰該硅層制造隧道結(jié)，以產(chǎn)生一個二極管/MTJ存儲器單元110。在這個結(jié)構(gòu)中，三層導(dǎo)線組成兩個存儲器層，能夠重復(fù)這個過程以制造如圖6所示的多層存儲器設(shè)備。
與現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)相比，本發(fā)明具有幾個優(yōu)點。一個優(yōu)點是更少的行導(dǎo)線平面是必需的，由此消除了一般在每個存儲器平面具有一行導(dǎo)線的現(xiàn)有技術(shù)中需要的附加處理過程步驟。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的另一個優(yōu)點是它通過減小為在該存儲器平面內(nèi)提供多路復(fù)用所必需的晶體管開關(guān)數(shù)目而減少了開銷。還有另一個優(yōu)點是它減少了在產(chǎn)生的存儲器芯片中的整體設(shè)備尺寸。更大的效率、較不昂貴的處理過程步驟、以及增加的密度是本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)的所有重要優(yōu)點。
如上所述，該邏輯值被保存在一個選定存儲器單元中。利用一個應(yīng)用于被選單元的字線和位線的電壓，橫穿該存儲器單元結(jié)點的電流確定該單元磁化是否是平行或者反平行的。更可取地是，一個反平行方向?qū)?dǎo)致更大的MTJ電阻，并且因此降低橫穿該選定存儲器單元結(jié)點的電流。更可取地是，在沒有電源的情況下每個存儲器單元都保持磁性方向，因此被稱為“非易失性的”。
更可取地是，該行和列導(dǎo)線由諸如銅或者鋁或者導(dǎo)電材料的高導(dǎo)電性材料構(gòu)成。在該MRAM存儲器單元中，釘扎層由反鐵質(zhì)材料組成而且讀出層由受磁場影響的鐵磁性材料、諸如鎳鐵、鈷鐵或者鎳鐵鈷、組成。絕緣層可以由諸如Al2O3的任何類型絕緣材料組成，而且是非常薄的，通常不超過十到五十個埃以允許出現(xiàn)一個隧道效應(yīng)電流。
雖然上述實施例表示本發(fā)明，但是從這個說明書和附加權(quán)利要求考慮，或者從該公開發(fā)明的實施例實踐中看出，其它的實施例對于那些在本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的。該說明書和其中的實施例被認(rèn)為是僅僅用來示例，而讓本發(fā)明由權(quán)利要求和它們的等效所定義。
權(quán)利要求
1.一個具有平行存儲器平面的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，包含一個電阻交叉點存儲器單元的第一陣列平面；一個電阻交叉點存儲器單元的第二陣列平面；在第一和第二存儲器單元平面之間共享的多條導(dǎo)電字線；多條位線，每條位線連接來自第一平面的一個存儲器單元到在第二平面中的另一個存儲器單元；多個單向單元，其中一個單向單元沿第一導(dǎo)電方向連接來自第一平面的一個存儲器單元到一條選定字線和選定位線，以及另一個單向單元沿第二導(dǎo)電方向連接來自第二平面的另一個存儲器單元到選定字線和選定位線。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其特征在于從在第一平面中的一個存儲器單元到共享同一條字線的第二平面中的一個存儲器單元形成了一個單向?qū)щ娡贰?br> 3.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，進(jìn)一步包含多個讀取電路，每個電路都通過一條相應(yīng)的位線和一個或多個存儲器單元組連接，并且可操作來讀出流過該相關(guān)組中的一個存儲器單元的電流。
4.如權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其特征在于每個讀取電路包含一個讀出放大器。
5.如權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其特征在于在一個字線選定組中未被選擇的字線連接到一個和在該讀出放大器輸入端上的應(yīng)用電壓近似相等的電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其特征在于該未被選擇的字線被偏置到和該選定位線相同的電勢。
7.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，包含與字線相連的一個等電位產(chǎn)生器，其可操作來設(shè)置在該電阻交叉點存儲單元陣列中的電壓電平，來實質(zhì)上阻止或者牽制選定的寄生電流干擾來自沒有被讀取的相鄰存儲器單元的讀出電流。
8.如權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，其特征在于該等電位產(chǎn)生器可操作來設(shè)置每個存儲器單元組中的公共單向單元的一個輸入節(jié)點，來堵塞來自表示一個公共陣列電壓的未被選擇字線的反饋。
9.一個制造一個數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的處理方法，包含形成多條字線；形成多條位線；以及形成電阻交叉點存儲器單元的一個第一陣列平面，每個存儲器單元與一條相應(yīng)位線相連而且與一條相應(yīng)字線相連；形成一個電阻交叉點存儲器單元的第二陣列平面，每個存儲器單元與一條相應(yīng)位線和一條相應(yīng)字線相連，其中一個來自第一陣列平面的單元和一個來自第二陣列平面的單元共享一條公共位線和字線；偏置該陣列，以便一個從該公共字線流出的電流通過該單元從第一陣列到公共位線；在偏置該陣列期間堵塞電流從第二陣列流動通過該單元。
10.如權(quán)利要求9所述的處理方法，包含在該讀取處理過程期間，形成從該字線到通過該存儲器單元的位線的一個單向?qū)щ娡贰?br> 全文摘要
公開了一個具有平行存儲器平面的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備(10)。每個存儲器平面包含一個存儲器單元的第一電阻交叉點平面(108a)、一個存儲器單元的第二電阻交叉點平面(108b)、多條在存儲器單元的第一和第二平面之間共享的導(dǎo)電字線(102)、多條位線(104)，其中每條位線連接來自第一平面的一個或多個單元到在第二平面中的另一個存儲器單元、以及多個單向單元(110)。此外，一個單向單元沿一個第一導(dǎo)電方向連接來自第一平面的一個第一存儲器單元到一條選定字線和選定位線，以及一個第二單向單元沿一個第二導(dǎo)電方向連接來自第二平面的一個第二單元到選定字線和選定位線。該設(shè)備進(jìn)一步提供了一個從在第一平面中的一個存儲器單元到在共享同一條位線的第二平面中的一個存儲器單元形成的單向?qū)щ娡贰?br> 文檔編號H01L27/105GK1445782SQ0311997
公開日2003年10月1日 申請日期2003年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月14日
發(fā)明者L·T·特蘭 申請人:惠普公司