專利名稱：接收和/或發(fā)射電磁信號的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種接收和/或發(fā)射信號的設(shè)備，該設(shè)備可以用在無線傳輸領(lǐng)域，尤其可以用在如室內(nèi)環(huán)境、體育館、電視演播室或音樂廳、運動場、火車站等封閉或半封閉環(huán)境中發(fā)射的情況中。
背景技術(shù)：
在已知的高容量無線發(fā)射系統(tǒng)中，發(fā)射機發(fā)出的信號沿著多個不同的路線到達接收機。當在接收機處將這些信號組合時，通過不同長度的路由傳播的多個射線之間的相位差產(chǎn)生干涉圖像，很有可能引起信號的漸弱(fadeout)或嚴重的退化。這樣，如圖1所示，圖1示出了在頻率5.8GHz，在封閉環(huán)境中的無線鏈接中的某點附近所測量的功率的空間分布，收到的信號功率在分數(shù)波長量級的較短距離上變化了幾十分貝。此外，漸弱的位置作為如新物體的出現(xiàn)和經(jīng)過的行人等周圍環(huán)境的改變的函數(shù)，隨著時間發(fā)生改變。這些歸因于多路徑的漸弱可以引起信號質(zhì)量和系統(tǒng)性能的極大退化。
為了彌補于多路徑相關(guān)的漸弱問題，目前使用定向天線，通過其輻射圖的空間選擇性，使其能夠減少接收機接收的射線數(shù)目，從而削弱了多路徑效應(yīng)。在這種情況下，需要與信號處理電路相關(guān)的幾個定向天線，以確保360°的空間覆蓋范圍。以本申請人名義遞交的法國專利申請No.9813855也提出了一種小型多波束天線，使其能夠增加陣列的譜效率。但是，對于多數(shù)室內(nèi)或便攜式設(shè)備，這些解決方案仍然是體積較大而且昂貴的。
為了克服漸弱，通常使用最多的技術(shù)是利用空間分集(spacediversity)的技術(shù)。如圖2所示，這項技術(shù)尤其使用了如兩個貼片型(patch type)天線(1，2)等與開關(guān)3相關(guān)聯(lián)的一對具有較寬空間覆蓋范圍的天線。兩個天線之間的間隔必須大于等于λ0/2，其中λ0是與天線的工作頻率相對應(yīng)的波長。利用這種類型的設(shè)備，可以看出兩個天線同時處于漸弱的幾率非常小。在Kamilo Feher博士的WirelessDigital Communication一書，第七章Diversity Techniques for Mobile-Wireless Radio Systems，尤其是344頁的圖7.8中給出了證明結(jié)果。通過假設(shè)每個貼片(patch)所接收的電平完全獨立而進行的純幾率計算，也可以證明這一點?？梢赃@樣說，在這種情況下，如果天線所接收的信號具有小于其可檢測閾值的電平的幾率為p(例如1％)，則對于兩個天線來說，此電平低于閾值的幾率就是p2(因此為0.01％)。如果兩個信號并非完全不相關(guān)的，則Pdiv滿足0.01％＜pdiv＜1％，其中pdiv是在分集(diversity)情況下，所接收到的電平低于可檢測閾值的幾率。
因此，通過監(jiān)控電路(未示出)檢查所接收的信號，依靠開關(guān)3，可以選擇與表現(xiàn)出最高電平的天線相連的分支。如圖2所示，天線開關(guān)3與開關(guān)4相連，當開關(guān)4將兩個貼片天線1或2與Tx5電路相連時，能夠使貼片天線1或2工作在發(fā)射模式，或者當開關(guān)4將兩個貼片天線1或2與Rx6電路相連時，能夠使貼片天線1或2工作在接收模式。
特別為了解決致密性(compactness)問題，專利US 5,714,961提出通過利用以不同模式工作的兩個環(huán)形槽來獲得輻射分集，借助于饋線網(wǎng)絡(luò)來控制槽的輻射圖樣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種上述解決方案的替代解決方案，其優(yōu)勢在于更大的致密性、更低的成本以及實現(xiàn)起來更為容易。
因此，本發(fā)明的主題是一種接收和/或發(fā)射電磁信號的設(shè)備，至少包括兩個波接收和/或波發(fā)射裝置，所述設(shè)備由槽型天線(slot typeantenna)和連接裝置構(gòu)成，所述連接裝置將所述接收和/或發(fā)射裝置中的至少一個與利用信號的裝置相連，其特征在于所述連接裝置由公共饋線組成，所述線路與所述槽型天線電磁耦合，并端接在電子部件中，使其能夠通過控制信號在所述線路的末端模擬短路或開路，從而，在所述部件處于導(dǎo)通狀態(tài)時，從所述設(shè)備發(fā)出的輻射圖樣與所述部件處于關(guān)斷狀態(tài)時，從所述設(shè)備發(fā)出的輻射圖樣不同。
按照第一實施例，所述槽型天線至少由一個位于另一個內(nèi)部的兩個諧振槽組成，所述槽之一工作在基諧模式，而另一槽工作在高階模式。在這種情況下，所述槽可以是環(huán)形、正方形或矩形的，或者可以具有任何其他兼容的形狀。此外，所述槽可以裝備有能夠輻射圓偏振波的裝置。利用這種類型的設(shè)備，當電子部件處于導(dǎo)通狀態(tài)時，獲得的輻射圖樣是外側(cè)槽的輻射圖樣，然而，在電子部件處于關(guān)斷狀態(tài)時，獲得的輻射圖樣來自于內(nèi)側(cè)槽的輻射圖樣和外側(cè)槽的輻射圖樣的組合。在電子部件處于關(guān)斷狀態(tài)的情況下，通過調(diào)整饋線的寬度以及兩個槽中心之間的間隙獲得對每種模式的貢獻的幅度和相位調(diào)整。
按照另一實施例，所述槽型天線由圍繞中心點均勻分布的Vivaldi型天線組成。
按照本發(fā)明的特征，在與利用信號的裝置相對的一側(cè)，所述饋線與諸如二極管、用作二極管的晶體管、MEMs(代表微機電系統(tǒng))等電子部件相連，所述電子部件根據(jù)其偏壓狀態(tài)，能夠在所述線路的末端模擬短路(以正電壓施加正向偏壓時)或開路(沒有偏壓V＝0)電子部件和與所述線路電磁耦合的所述第一槽之間的線路長度以及與所述線路電磁耦合的第一槽和第二槽之間的長度等于λ/4的奇數(shù)倍，其中λm=λ0/ϵreff,]]>λ0是真空中的波長，εreff是所述線路的等價相對介電常數(shù)，此外，隨后連續(xù)的槽之間的線路長度等于λm/2的倍數(shù)。
按照實施例，所述饋線是以微帶技術(shù)或共面技術(shù)形成的線路。此外，利用信號的裝置包括控制裝置，所述控制裝置將大于等于所述部件的關(guān)斷電壓的電壓發(fā)送到所述饋線上，作為所收到的信號電平的函數(shù)。


通過閱讀對多種實施例的描述，并參照附圖，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將變得更加清楚，其中
已經(jīng)描述過的圖1代表室內(nèi)環(huán)境中天線功率的空間變化。
已經(jīng)描述過的圖2是空間分集式發(fā)射/接收設(shè)備的示意性平面圖。
圖3是依照本發(fā)明從上面表現(xiàn)發(fā)射/接收設(shè)備的拓撲的示意圖。
圖4A和4B表示基諧模式和第一高階模式中的環(huán)形槽輻射。
圖5A到5E分別是用于解釋本發(fā)明工作方式的、與圖3相同的示意圖及等價電路圖。
圖6是依照本發(fā)明第二實施例的發(fā)射/接收設(shè)備的示意圖。
圖7A和7B是表示其形狀分別與圖6和圖3的形狀相同、但用于圓偏振工作方式的槽的示意圖。
圖8依照本發(fā)明示意性地表示了發(fā)射/接收設(shè)備的另一實施例。
圖9A和9B分別是由Vivaldi型天線構(gòu)成的槽對天線饋電的情況下，依照本發(fā)明的發(fā)射/接收設(shè)備的示意圖及其等價電路圖。
圖10是依照本發(fā)明與利用裝置相連的發(fā)射/接收設(shè)備的視圖。
為了簡化描述，在圖中，相同的元件標有相同的參考數(shù)字。
具體實施例方式
在圖3中示意性示出的是依照本發(fā)明的發(fā)射/接收波的設(shè)備的第一實施例。在這種情況下，波發(fā)射/接收裝置是槽型天線。更具體地，波發(fā)射/接收裝置由一個位于另一個內(nèi)部的兩個環(huán)形槽型天線10、11構(gòu)成。以所需的尺寸形成兩個環(huán)形槽型天線10和11，使得內(nèi)側(cè)環(huán)形槽11工作在如圖4B所示的基諧模式，而外側(cè)環(huán)形槽10工作在如圖4A所示的第一高階模式。與每種模式相對應(yīng)的、圖4A和圖4B所示的輻射圖樣不同，因而，每個天線通過其輻射圖樣所接收的射線的組合得到的功率電平不同。在空間分集的情況下，可以看到通過兩個圖樣的兩種不同組合所收到的電平不可能同時對應(yīng)兩個漸弱。具體地，天線所接收的電平與通過其輻射圖樣所接收的多個“射線”的場的矢量合成(幅度和相位矢量和)成正比。由于射線通常沿不同的路由傳播，其幅度和相位通常互不相同，從而，其矢量合成可能提供接近于0的信號，即漸弱，或相反，可以相長組合，即給出信號峰。由于通過多路徑所接收的圖樣的組合不同，得到的信號同時對應(yīng)漸弱的機會很小。因而，如上所述，可以通過簡單的幾率計算加以證明。利用這種安排，從而在可以從一個槽簡單地切換到另一槽的條件下，能夠以與現(xiàn)有的空間分集所獲得的有效性等價的有效性克服與多路徑相關(guān)的漸弱。為了完成此任務(wù)，如圖3所示，及如參照圖5A和5B所解釋的那樣，兩個環(huán)形槽10和11電磁耦合于與利用信號的裝置(未示出)相連的公共饋線。在本實施例中，饋線12由跨越兩個槽10和11的微帶線組成。
依照本發(fā)明，微帶線12的末端與二極管13相連，在所示的實施例中，二極管13的另一端接地。二極管13可以是PIN型二極管(即，所采用的來自H.P.的HS-LP 489 B二極管)。此外，如圖3所示，在二極管13的接線端之一與第一環(huán)形槽11之間的饋線長度11等于λm/4或λm/4的奇數(shù)倍，其中，λm=λ0/ϵreff,]]>λ0是真空中的波長，εreff是線路的等價相對介電常數(shù)。同樣，如圖3所示，二極管13的連接點與第二環(huán)形槽10之間的饋線長度12大約等于λm/2，或更一般地等于λm/2的倍數(shù)，λm為上面所給出的數(shù)值?，F(xiàn)在將參照圖5A到5D，對依照本發(fā)明的設(shè)備的工作方式進行描述。當二極管13處于導(dǎo)通狀態(tài)時，即當通過線路施加直流偏壓+V時，如圖5A所示，線路12相對于激勵裝置的末端處于短路面中。按照上述所給出的線路的尺寸，在微帶線12和第一天線10之間的截面等價于開路面，而微帶線12與第二槽11之間的截面對應(yīng)于短路面。在這些條件下，如圖5C的等價圖所示，只激勵了外側(cè)環(huán)形槽型天線11，而天線圖樣是第一高階模式的天線圖樣，即如圖4A所示。當在諧振附近工作時，通過B.Knorr首次提出的微帶線和槽線之間的公知的簡單轉(zhuǎn)換等價圖，獲得圖5C的等價圖。電路由表示為Zfund、與環(huán)形槽10相對應(yīng)的基諧模式的阻抗組成。阻抗與比例為N∶1的阻抗變換器相連。阻抗變換器的另一分支與對應(yīng)于特征阻抗Z12和電長度(electrical length)θ12c的線路末端12c和特征阻抗Z12b和電長度θ12c的微帶線12b的電阻(對應(yīng)于線路12末端的短路)串聯(lián)。此線路與比例為1∶N的另一阻抗變換器相連，此阻抗變換器與環(huán)形槽12的等價電路Zhig相連。由特征阻抗Z12a和電長度θ12a的微帶線12a的長度將部件12與以符號發(fā)生器G表示的激勵電路相連。二極管的短路CC通過四分之一波長的線路12c對應(yīng)于開路CO。也是四分之一波長的線路12b同樣對應(yīng)于短路CC。因而，得到圖5C′所示的等價圖，對應(yīng)于只激勵了工作在高階模式的槽的利用一個槽的操作。
如圖5B所示，當二極管13處于關(guān)斷狀態(tài)時，即G處于零偏壓，與二極管相連的線路端處于開路面CO。在這些條件下，如圖5D的等價圖所示，激勵了兩個槽，由于此時二極管的開路CO通過四分之一波線12c對應(yīng)于短路CC。天線圖樣得自于由小槽10產(chǎn)生的基諧模式和由大槽11產(chǎn)生的高階模式。通過激勵線路12，在天線的輸入處每個模式所對應(yīng)阻抗的相對值可以調(diào)整每個模式的幅度權(quán)重。通過中心之間的間隔，即如圖5E所示的兩個槽的長度12b，可以調(diào)整相位權(quán)重。
此外，為了在二極管工作在導(dǎo)通模式時，天線設(shè)備能夠只激勵外側(cè)槽的高階模式，長度12b必須大約等于λm/4的奇數(shù)倍。
上述的解決方案使其可以獲得比圖2所示的裝置更為緊湊的信號發(fā)射/接收設(shè)備。此外，在這種情況下，使用簡單的二極管代替了具有三個接線端的開關(guān)，從而使其能夠降低設(shè)備的成本以及開關(guān)損耗，并且使用了單一的公共饋線，從而簡化的系統(tǒng)的實現(xiàn)。
現(xiàn)在，將參照圖6到圖10，對可以用在本發(fā)明的框架中的槽型發(fā)射/接收天線的多種其他實施例進行描述。例如，如圖6所示，槽饋天線(slot-fed antenna)由一個位于另一個內(nèi)部的兩個正方形槽20、21組成，由與二極管23串聯(lián)的微帶饋線22對槽20、21饋電，二極管23的另一端與以符號24表示的地平面相連。相對于方槽20和21，以能夠線偏振工作的方式放置饋線22。圖7A和7B所示的是與圖3和圖6類似的槽型天線。但是，以能夠以圓偏振工作的方式修改了這些天線。例如，在圖7A中，槽30和31由一個位于另一個內(nèi)部的兩個正方形構(gòu)成，由微帶線32按照正方形的一條對角線對槽30和31饋電，此饋線端接于二極管33，二極管33串聯(lián)在線路32的一端與地平面34之間。在圖7B的情況下，槽由一個位于另一個內(nèi)部的兩個環(huán)形槽40、41構(gòu)成，以公知的方式裝配環(huán)形槽，以產(chǎn)生圓偏振，即以對角線相對的凹口40′、40″、41′、41″。
依照本發(fā)明，由根據(jù)上述所給出的尺寸橫跨兩個槽40和41的饋線42激勵環(huán)形槽40和41，線路42的末端與二極管43相連，二極管43串聯(lián)在線路42和地平面44之間。圖8所示的是以共面技術(shù)實現(xiàn)的兩個槽型天線和公共饋線。在這種情況下，通過共面線51來實現(xiàn)環(huán)形槽的激勵。然后，將二極管52安排在饋線51的金屬元件51′和在其上實現(xiàn)了形成天線的環(huán)形槽501和502的襯底的金屬部分50′之間。
圖9A和9B涉及在由槽型天線構(gòu)成的波接收和/或發(fā)射裝置由Vivaldi型天線構(gòu)成的情況下，依照本發(fā)明的設(shè)備的另一實施例。在這種情況下，Vivaldi型天線圍繞以圖中的O表示的中心點均勻分布，以獲得相當大的空間覆蓋范圍。
圖9A所示的是由相互垂直放置的四個Vivaldi天線構(gòu)成的波接收和/或發(fā)射裝置，以符號槽60、61、62、63表示這些已知形狀的天線。本領(lǐng)域的技術(shù)人員公知Vivaldi天線的結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明的框架中將不對其進行詳細地描述。依照本發(fā)明，通過如以微帶線技術(shù)等實現(xiàn)的單一的饋線64激勵這四個Vivaldi天線60、61、62、63。此饋線以如下方式橫越四個Vivaldi天線的槽i)從與二極管相連的一端算起，位于前兩個槽(槽63和槽62)之間的線路間隔的長度等于λm/4，更一般地大約等于λm/4的奇數(shù)倍。
ii)在兩個連續(xù)的槽之間(即，在圖9所示的情況下，槽62和61之間以及槽61和60之間)的所有其他線路間隔的長度都等于λm/2，更一般地大約等于λm/2的倍數(shù)。
依照本發(fā)明，二極管65連接在饋線64的末端與地平面66之間。最后一個Vivaldi天線63與二極管65之間的距離為λm/4或λm/4的奇數(shù)倍。利用接收和/或發(fā)射多波束信號的設(shè)備的這種具體布局，如圖9B的等價圖所示，當二極管65處于導(dǎo)通狀態(tài)，即其偏壓為正時，天線的合成圖樣對應(yīng)于波束(2)、(3)、(4)。此等價圖對應(yīng)于Knorr所述的4微帶線/槽線變化的等價圖，由與圖9A所示的線路長度相對應(yīng)的電長度及與位于激勵微帶線的末端的二極管的阻抗相對應(yīng)的電長度相分隔。當二極管處于關(guān)斷狀態(tài)(V＝0)時，合成圖樣對應(yīng)于四個波束(1)、(2)、(3)、(4)。
已經(jīng)利用二極管作為電子部件對本發(fā)明進行了描述。但是，可以用晶體管、MEM(微機電系統(tǒng))或任何等價的公知系統(tǒng)來代替二極管。同樣，槽型天線可以具有除了所示出的形狀以外任何兼容的多邊形形狀。
現(xiàn)在，將參照圖10對可以用在本發(fā)明的框架中的用于發(fā)射和接收信號的電路的實施例進行描述。在這種情況下，饋線12通過開關(guān)103將信號利用電路100與天線設(shè)備10、11相連。電路100包括發(fā)射電路101，與開關(guān)103的輸入相連，用于將到天線系統(tǒng)的信號轉(zhuǎn)換為高頻；以及接收電路102，與開關(guān)101的接線端相連，用于將天線設(shè)備10、11所接收的信號轉(zhuǎn)換為中頻。以公知的方式，每個電路101、102分別包括混頻器1011、1021和用在所述用于頻率轉(zhuǎn)換的混頻器的輸入的同一本地振蕩器104。上行電路101在輸入處包括調(diào)制電路1012，用于輸入基帶信號，其輸出與用于濾除像頻的濾波器1013的輸入相連。濾波器的輸出與混頻器1011的輸入相連。從混頻器輸出的信號已經(jīng)被轉(zhuǎn)換為高頻，并驅(qū)動功率放大器1014的輸入，功率放大器1014的輸出與帶通濾波器1015的輸入相連，帶通濾波器1015的通帶中心位于發(fā)射頻率周圍。電路102在輸入處包括低噪聲放大器1026，其輸入與開關(guān)103的輸出相連，輸出與用于濾除可轉(zhuǎn)換的信號的像頻的濾波器1027相連。濾波器的輸出與混頻器1021的輸入相連，混頻器1021借助于中頻振蕩器104，在其輸出提供轉(zhuǎn)換過的信號。在通過其通帶的中心位于中頻周圍的帶通濾波器1028的濾波之后，將這些信號發(fā)送給解調(diào)電路1029，解調(diào)電路1029能夠?qū)λ龅幕鶐盘栠M行解調(diào)。然后，在電路的輸出，將信號提供給處理電路。此外，由微處理器105測量接收電路收到的信號，并記錄在寄存器1051中。以預(yù)定的時間間隔有規(guī)律地進行此測量，所述時間間隔足夠短，不可能發(fā)生任何信息損失。當信號的電平低于預(yù)先錄下的閾值時，微控制器通過饋線發(fā)出電壓V，使其能夠依照本發(fā)明，以激勵特定的槽的方式導(dǎo)通或關(guān)斷二極管。在本實施例中，按照先檢波的輻射分集方法進行選擇最優(yōu)波束的方法，通過確定信號電平最高的波束，在信號利用裝置的上游做出對波束的選擇。也可以采用其他方法，尤其是在最優(yōu)波束的選擇方面，采用后檢波的輻射分集方法，通過選擇表現(xiàn)出誤碼率最小的通路，在電路100的下游做出對波束的選擇。在這種情況下，解調(diào)器包括用于計算誤碼率(BER)的電路。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員很明顯的是本發(fā)明并不局限于上述的
權(quán)利要求
1.一種接收和/或發(fā)射電磁信號的設(shè)備，至少包括兩個波接收和/或波發(fā)射裝置，所述裝置由槽型天線(10，11，20，21；30，31；40，41/501，502，60，61，62，63)和連接裝置構(gòu)成，所述連接裝置將所述接收和/或發(fā)射裝置中的至少一個與利用多波束信號的裝置相連，其特征在于所述連接裝置由公共饋線(12，22，51，32，42，64)組成，所述線路與所述槽型天線電磁耦合，并端接在電子部件中，使其能夠通過控制信號在所述線路的末端模擬短路或開路，從而，在所述部件處于導(dǎo)通狀態(tài)時，從所述設(shè)備發(fā)出的輻射圖樣與所述部件處于關(guān)斷狀態(tài)時，從所述設(shè)備發(fā)出的輻射圖樣不同。
2.按照權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述槽型天線至少由一個位于另一個內(nèi)部的兩個諧振槽(10，11，20，21)組成，所述槽之一工作在基諧模式，而另一槽工作在高階模式。
3.按照權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于選擇所述饋線(12)的寬度以及兩個槽(11，10)中心之間的間隙，從而做出對所述部件處于關(guān)斷狀態(tài)時的多個工作模式的幅度和相位調(diào)整。
4.按照權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于所述槽可以是環(huán)形、正方形、矩形或多邊形的。
5.按照權(quán)利要求2到4之一所述的設(shè)備，其特征在于所述槽裝備有能夠輻射圓偏振波的裝置。
6.按照權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述槽型天線由圍繞中心點均勻分布的Vivaldi型天線組成。
7.按照權(quán)利要求1到6之一所述的設(shè)備，其特征在于另一方面，所述電子部件和與所述線路電磁耦合的所述第一槽之間的線路長度，以及與所述線路電磁耦合的第一槽和第二槽之間的長度，在工作頻率的中心，等于λm/4的奇數(shù)倍，而隨后連續(xù)的槽之間的線路長度等于λm/2的倍數(shù)，其中λm=λ0/ϵreff,]]>λ0是真空中的波長，εreff是所述線路的等價相對介電常數(shù)。
8.按照權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于所述饋線是以微帶技術(shù)或共面技術(shù)形成的線路。
9.按照前述權(quán)利要求之一所述的設(shè)備，其特征在于所述電子部件由二極管、晶體管、微機電系統(tǒng)構(gòu)成。
10.按照權(quán)利要求1到9之一所述的設(shè)備，其特征在于所述利用信號的裝置包括控制裝置，所述控制裝置將大于等于所述部件的關(guān)斷電壓的電壓發(fā)送到所述饋線上，作為所收到的信號電平的函數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種接收和/或發(fā)射電磁信號的設(shè)備，至少包括兩個波接收和/或波發(fā)射裝置，所述裝置由槽型天線(10，11)和連接裝置構(gòu)成，所述連接裝置將所述接收和/或發(fā)射裝置中的至少一個與利用多波束信號的裝置相連。所述連接裝置由公共饋線(12)組成，所述線路與所述槽型天線電磁耦合，并端接在電子部件中，使其能夠通過控制信號在所述線路的末端模擬短路或開路，從而，在所述部件處于導(dǎo)通狀態(tài)時，從所述設(shè)備發(fā)出的輻射圖樣與所述部件處于關(guān)斷狀態(tài)時，從所述設(shè)備發(fā)出的輻射圖樣不同。本發(fā)明應(yīng)用于無線鏈接領(lǐng)域。
文檔編號H01Q5/01GK1493094SQ02805386
公開日2004年4月28日 申請日期2002年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月23日
發(fā)明者阿里·盧齊耶, 弗朗索瓦絲·勒博爾澤, 瓦絲 勒博爾澤, 阿里 盧齊耶 申請人:湯姆森許可貿(mào)易公司