專利名稱：汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系有關(guān)于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)，特別有關(guān)于一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制造方法，更特別有關(guān)于一種汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制造方法。
然而在半導(dǎo)體裝置中，靜電放電(ESDelectrostatic discharge)經(jīng)常在干燥環(huán)境下因碰觸帶靜電體而自晶片的輸出入墊(I/O pad)侵入，造成集成電路損傷。尤其MOS晶體管因其具有容易破裂(rupture)的薄閘極氧化層(thingate oxide)，因此對(duì)高電壓放電(high voltage discharges)極為敏感。
如

圖1所示，半導(dǎo)體裝置中一般具有內(nèi)部電路組件區(qū)30及一與之電性連接的輸出入墊10，其中，于兩者之間加入一靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)20，以對(duì)靜電放電進(jìn)行限電位和過濾，避免發(fā)生ESD損傷。
靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)20一般包括金氧半(MOS)晶體管，如NMOS、PMOS、或CMOS晶體管，如圖2所示，在NMOS晶體管的場(chǎng)合中，閘極21和源極22接地，因此，在正常運(yùn)作時(shí)NMOS晶體管25并不導(dǎo)通，而在發(fā)生靜電放電時(shí)，則利用內(nèi)建NPN雙載子晶體管26(build-in parastic npn bipolar transistor，或簡(jiǎn)稱BJT組件)的預(yù)先導(dǎo)通，來保護(hù)內(nèi)部電路元件區(qū)30，其中，源極N+型摻雜區(qū)22形成射極E，汲極N+型摻雜區(qū)23形成集極C，而P型硅基底24則形成基極B，由于射基極E、B接地，當(dāng)靜電放電出現(xiàn)在輸出入墊10時(shí)，ESD電壓將觸發(fā)(trigger)寄生雙載子晶體管26，使NMOS晶體管25因電壓崩潰(breakdown)而進(jìn)入跳回區(qū)(snapback region)，并藉此傳導(dǎo)ESD電流。
然而，如果當(dāng)作ESD保護(hù)組件的NMOS晶體管25不能及時(shí)因電壓崩潰而進(jìn)入跳回區(qū)，或是無法及時(shí)將大量的ESD電流傳導(dǎo)出去，則靜電放電將直接侵入內(nèi)部電路元件區(qū)30造成損傷。因此，發(fā)展一種能實(shí)時(shí)將大量的ESD電流傳導(dǎo)出去的ESD組件就成為半導(dǎo)體組件技術(shù)上的一大課題。
本發(fā)明提供另一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，至少包括一半導(dǎo)體基底，其具有第一導(dǎo)電型態(tài)；一閘極結(jié)構(gòu)，位于該半導(dǎo)體基底表面；一源/汲極，其具有第二導(dǎo)電型態(tài)，位于該閘極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體基底內(nèi)；以及一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)，位于該汲極內(nèi)。
另外，本發(fā)明提供的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法之一，至少包括下列步驟提供一半導(dǎo)體基底；形成一閘極結(jié)構(gòu)于該基底表面；形成一源極區(qū)與一汲極區(qū)于該閘極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該基底內(nèi)；以及于該汲極區(qū)內(nèi)形成一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)。
本發(fā)明提供的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法之二，包括下列步驟提供一具有第一導(dǎo)電型態(tài)的基底；形成一閘極結(jié)構(gòu)于該基底表面；以該閘極結(jié)構(gòu)為遮蔽罩幕，將具有第二導(dǎo)電型態(tài)的離子植入該基底內(nèi)，形成一淡摻雜區(qū)；于該閘極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁；以該閘極結(jié)構(gòu)和間隙壁為遮蔽罩幕，將具有第二導(dǎo)電型態(tài)的離子植入該基底，形成一源極區(qū)與一汲極區(qū)；以及形成一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)于該汲極區(qū)內(nèi)。
本發(fā)明提供的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法之三，包括下列步驟提供一P型基底；形成一閘極結(jié)構(gòu)于基底表面；以閘極結(jié)構(gòu)為遮蔽罩幕，將N型離子植入基底內(nèi)，形成一N-型淡摻雜區(qū)；于該閘極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁；以該閘極結(jié)構(gòu)和間隙壁為遮蔽罩幕，將N型離子植入基底，形成N+型的一源極區(qū)與一汲極區(qū)；以及于該汲極區(qū)內(nèi)形成一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)。
本發(fā)明的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，由于位于該汲極內(nèi)的該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)，能夠產(chǎn)生大量漏電流，而能增進(jìn)該靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的效果。
圖2系顯示圖1的傳統(tǒng)靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體剖面圖。
圖3和圖4系顯示本發(fā)明的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造流程剖面圖。
圖5系顯示本發(fā)明的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，以及內(nèi)建寄生雙載子晶體管示意圖。
首先請(qǐng)參閱圖3，該步驟為依傳統(tǒng)半導(dǎo)體制程在基底300表面形成一閘極結(jié)構(gòu)310，其包括一閘極絕緣層312及一閘極導(dǎo)電層314。其中該基底300為一半導(dǎo)體材質(zhì)，其導(dǎo)電型態(tài)則有P型及N型兩種，另在制作互補(bǔ)式金氧半晶體管的場(chǎng)合中(CMOS)，基底亦有可能包括P型井、N型井或雙井，在此以P型硅基底為例，但并非限定本發(fā)明。其形成步驟則例如先定義主動(dòng)區(qū)，其次利用一熱氧化制程，如區(qū)域氧化法(LOCOS)形成一場(chǎng)絕緣層(field insulator)(未顯示)，藉此可隔離出內(nèi)部電路元件區(qū)(未顯示)、靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)區(qū)100及其它各自的主動(dòng)區(qū)(未顯示)。然而為了方便說明，本實(shí)施例的說明將只針對(duì)該靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)區(qū)100的部分做說明。
請(qǐng)參閱圖3，在該基底300表面依序形成一絕緣層(未顯示)及一導(dǎo)電層(未顯示)，該絕緣層系作為后續(xù)閘極氧化層的材料，因此通常系在高溫環(huán)境下以熱氧化制程來形成。而導(dǎo)電層一般為一復(fù)晶硅層，其例如可以硅甲烷SiH4為主反應(yīng)物，并藉低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)制程產(chǎn)生，用以作為后續(xù)的閘電極。其中，為使導(dǎo)電層具有導(dǎo)電性，可使用熱擴(kuò)散法或離子植入法植入磷或砷離子，形成經(jīng)摻雜的復(fù)晶硅層。之后，例如可以一微影蝕刻制程步驟圖案化該復(fù)晶硅層314、閘極氧化層312，而形成一閘極結(jié)構(gòu)310。
接著仍請(qǐng)參閱圖3，以該閘極結(jié)構(gòu)310為遮蔽罩幕，將與基底具不同導(dǎo)電型態(tài)的離子植入該基底300內(nèi)，形成一淡摻雜區(qū)330(亦稱為L(zhǎng)DD區(qū))。例如，利用離子布植程序，植入N型離子如含磷或含砷離子至P型基底300，形成N-淡摻雜區(qū)330，其植入劑量大抵為5E13～5E19atom/cm3，能量則大抵為10～50Kev。之后，當(dāng)然可對(duì)該淡摻雜區(qū)330進(jìn)行一回火處理。
其次，仍請(qǐng)參閱圖3，該步驟系在該閘極結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成間隙壁(spacer)320，其形成方式例如是先順應(yīng)性地形成例如是以CVD制程沉積的SiO2層的一絕緣層(未顯示)于該基底300與該閘極結(jié)構(gòu)310表面上，然后經(jīng)例如是干蝕刻的非均向性蝕刻制程來去除部分該絕緣層而形成該間隙壁320。另外要說明的是，形成該間隙壁320的步驟并非一定必要，也就是說，即使不形成該間隙壁320也不會(huì)影響本發(fā)明的靜電放電保護(hù)效果。當(dāng)然，若不形成該間隙壁320時(shí)，則前述的形成該淡摻雜區(qū)330的步驟可以省略。
仍請(qǐng)參閱圖3，該步驟系以閘極結(jié)構(gòu)310及該間隙壁320為遮蔽罩幕，將離子植入該基底300，而形成是濃摻雜區(qū)的一源極340、一汲極350。亦即將與淡摻雜區(qū)330具相同導(dǎo)電型態(tài)的離子植入該基底300內(nèi)，且以較高的劑量形成濃摻雜區(qū)(亦即源/汲極)。其形成方式例如可利用離子布植程序，來植入N型離子如含磷或含砷離子形成一N+型濃摻雜區(qū)的該源極340、該汲極350，其植入劑量大抵為2E20～2E21atom/cm3，能量則大抵為40～80Kev。之后，當(dāng)然可對(duì)該源/汲極340、350進(jìn)行一回火處理。
接著請(qǐng)參閱圖4，該步驟系于該汲極350內(nèi)形成一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400，其形成方式例如先將不需離子植入的區(qū)域用光阻(未圖標(biāo))當(dāng)作是罩幕罩起來，然后再利用離子布植程序410，來植入例如是鍺(Ge)或氬(Ar)離子于該汲極350內(nèi)，使部分該汲極350內(nèi)的結(jié)晶結(jié)構(gòu)被打成具有缺陷的區(qū)域400，然后再除去該光阻罩幕(未圖標(biāo))，而形成一靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)101。而前述的植入鍺的劑量大抵為2E20～2E21atom/cm3，能量則大抵為40～80Kev，而位于該汲極350內(nèi)的該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400的范圍，系從該基底300表面開始，并延伸至垂直深度大抵為200～400埃之處，如圖4所示。這里要強(qiáng)調(diào)的是，任何可以形成該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400的方式都屬于本發(fā)明的專利范圍，本實(shí)施例雖僅以植入鍺或氬離子為例，但并非限定本發(fā)明。
另外特別要強(qiáng)調(diào)的是，形成該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400的步驟必須要在該淡摻雜區(qū)330及源/汲極340、350的回火處理(或稱活性化處理，activation process)之后，因?yàn)闉榱艘３衷撊毕萁Y(jié)構(gòu)區(qū)400中的缺陷，如此該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400才能夠產(chǎn)生大量漏電流而容易地導(dǎo)通(turn on)內(nèi)建雙載子晶體管，進(jìn)而增進(jìn)該靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)101的效果。當(dāng)然也就是說，在形成該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400之后，不能再進(jìn)行會(huì)破壞該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400的缺陷結(jié)構(gòu)的較高溫的回火處理。
接著，請(qǐng)參閱圖5，圖5系顯示本發(fā)明的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，以及內(nèi)建寄生雙載子晶體管示意圖。本發(fā)明亦提供一種靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)101，包括一半導(dǎo)體基底300，其具有第一導(dǎo)電型態(tài)；一閘極結(jié)構(gòu)310，其側(cè)壁更可以具有絕緣間隙壁320，位于該基底300表面；一源/汲極340、350，其具有第二導(dǎo)電型態(tài)，位于該閘極結(jié)構(gòu)310兩側(cè)的該基底300內(nèi)；以及一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400，位于該汲極350內(nèi)。其中該源/汲極340、350內(nèi)可更包括有LDD區(qū)330。
本發(fā)明的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)101的特征在于位于該汲極350內(nèi)的該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400，能夠產(chǎn)生大量漏電流而容易地導(dǎo)通內(nèi)建雙載子晶體管500，進(jìn)而增進(jìn)該靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)101的效果。
而本發(fā)明的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)101的制造方法，則例如由上述的制造方法所形成，因此各組件的材質(zhì)如前所述，在此不再詳述。
還有，本發(fā)明的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)101，以及其內(nèi)建雙載子晶體管500系如圖5所示，在NMOS晶體管的場(chǎng)合中，閘極結(jié)構(gòu)310和源極340接地，因此，在正常運(yùn)作時(shí)NMOS晶體管并不導(dǎo)通，而在發(fā)生靜電放電時(shí)，則利用該內(nèi)建NPN雙載子晶體管500的預(yù)先導(dǎo)通，來保護(hù)內(nèi)部電路元件區(qū)520，其中，源極340系當(dāng)作是射極E，汲極350系當(dāng)作是集極C，而P型硅基底300則當(dāng)作是基極B，由于射基極E、B接地，當(dāng)靜電放電出現(xiàn)在輸出入墊510時(shí)，ESD電壓將觸發(fā)(trigger)寄生雙載子晶體管500而進(jìn)入跳回區(qū)(snapback region)。此時(shí)由于本發(fā)明的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)101的特征位于該汲極350內(nèi)的缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400，會(huì)產(chǎn)生(induce)大量漏電流而容易地導(dǎo)通該內(nèi)建NPN雙載子晶體管500，進(jìn)而增進(jìn)該靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)101的效果。并且，由于靜電放電時(shí)的施加電壓(ESD zapping)，使得位于該汲極350下側(cè)的接合處(junction)的電子空乏區(qū)530(depletion region)范圍變大而更接近該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)400，如此更促使靜電放電的漏電流變得更大而更容易地導(dǎo)通該內(nèi)建NPN雙載子晶體管500，進(jìn)而更增進(jìn)該靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)101的效果，以避免內(nèi)部電路元件區(qū)520的損傷。
本發(fā)明中所應(yīng)用的物質(zhì)材料，并不限于實(shí)施例所引述，其能由各種具恰當(dāng)特性的物質(zhì)和形成方法所置換，且本發(fā)明的結(jié)構(gòu)空間亦不限于實(shí)施例引用的尺寸大小。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)由權(quán)利要求書所界定。
權(quán)利要求
1.一種汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟提供具有一閘極結(jié)構(gòu)的一基底；形成一源極區(qū)與一汲極區(qū)于該閘極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該基底內(nèi)；以及形成一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)于該汲極區(qū)內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中形成該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)系利用離子布植制程來形成缺陷結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該離子布植制程系植入鍺(Ge)或氬(Ar)離子。
4.如權(quán)利要求3所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該鍺離子的植入劑量大抵為5E14～1E16atom/cm3，能量則大抵為40～60Kev。
5.一種汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟提供一具有第一導(dǎo)電型態(tài)的基底；形成一閘極結(jié)構(gòu)于該基底表面；以該閘極結(jié)構(gòu)為遮蔽罩幕，將具有第二導(dǎo)電型態(tài)的離子植入該基底內(nèi)，形成一淡摻雜區(qū)；于該閘極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁；以該閘極結(jié)構(gòu)和間隙壁為遮蔽罩幕，將具有第二導(dǎo)電型態(tài)的離子植入該基底，形成一源極區(qū)與一汲極區(qū)；以及形成一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)于該汲極區(qū)內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中在形成該淡摻雜區(qū)之后，更對(duì)該淡摻雜區(qū)進(jìn)行一回火制程。
7.如權(quán)利要求5所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中在形成該源/汲極區(qū)之后，更對(duì)該源/汲極區(qū)進(jìn)行一回火制程。
8.如權(quán)利要求5所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該第一導(dǎo)電型態(tài)為P型，該第二導(dǎo)電型態(tài)為N型。
9.如權(quán)利要求5所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該第一導(dǎo)電型態(tài)為N型，該第二導(dǎo)電型態(tài)為P型。
10.如權(quán)利要求5所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中形成該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)系利用離子布植制程來形成缺陷結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求10所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該離子布植制程系植入鍺(Ge)或氬(Ar)離子。
12.如權(quán)利要求11所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中，該鍺離子的植入劑量大抵為5E14～1E16atom/cm3，能量則大抵為40～60Kev。
13.如權(quán)利要求5所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該淡摻雜區(qū)系經(jīng)由離子布植制程將N-型離子植入于該基底內(nèi)。
14.如權(quán)利要求13所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該N-型離子系包括含磷和含砷離子之一者，其植入劑量大抵為5E13～5E19atom/cm3，能量則大抵為10～50Kev。
15.如權(quán)利要求5所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中，該源/汲極區(qū)系經(jīng)由離子布植制程將N+型離子植入于該基底內(nèi)而形成N+型濃摻雜區(qū)。
16.如權(quán)利要求15所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該N+型離子系包括含磷和含砷離子之一者，其植入劑量大抵為2E20～2E21atom/cm3，能量則大抵為40～80Kev。
17.如權(quán)利要求5所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)之后，無須再進(jìn)行回火制程。
18.一種汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟提供一P型基底；形成一閘極結(jié)構(gòu)于基底表面；以閘極結(jié)構(gòu)為遮蔽罩幕，將N型離子植入基底內(nèi)，形成一N-型淡摻雜區(qū)；于該閘極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成間隙壁；以該閘極結(jié)構(gòu)和間隙壁為遮蔽罩幕，將N型離子植入基底，形成N+型的一源極區(qū)與一汲極區(qū)；以及于該汲極區(qū)內(nèi)形成一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)。
19.如權(quán)利要求18所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中形成該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)系利用離子布植制程來形成缺陷結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求19所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該離子布植制程系植入鍺(Ge)或氬(Ar)離子。
21.如權(quán)利要求20所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)之后，無須再進(jìn)行回火制程。
22.一種汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，至少包括一基底；一閘極結(jié)構(gòu)，位于該基底表面；一源/汲極，位于該閘極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該基底內(nèi)；以及一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)，位于該汲極內(nèi)。
23.如權(quán)利要求22所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該閘極結(jié)構(gòu)可更包括有絕緣間隙壁，位于該閘極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)壁上。
24.如權(quán)利要求22所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中位于該汲極內(nèi)的該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)的范圍，系從該半導(dǎo)體基底表面開始，并延伸至垂直深度大抵為200～400埃之處。
25.一種汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，至少包括一半導(dǎo)體基底，其具有第一導(dǎo)電型態(tài)；一閘極結(jié)構(gòu)，位于該半導(dǎo)體基底表面；一源/汲極，其具有第二導(dǎo)電型態(tài)，位于該閘極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體基底內(nèi)；以及一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)，位于該汲極內(nèi)。
26.如權(quán)利要求25所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一導(dǎo)電型態(tài)為P型，第二導(dǎo)電型態(tài)為N型。
27.如權(quán)利要求25所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一導(dǎo)電型態(tài)為N型，第二導(dǎo)電型態(tài)為P型。
28.如權(quán)利要求25所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中位于該汲極內(nèi)的該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)的范圍，系從該半導(dǎo)體基底表面開始，并延伸至垂直深度大抵為200～400埃之處。
29.如權(quán)利要求25所述的汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該閘極結(jié)構(gòu)可更包括有絕緣間隙壁，位于該閘極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)壁上。
全文摘要
一種汲極內(nèi)具有缺陷區(qū)的靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，至少包括一半導(dǎo)體基底；一閘極結(jié)構(gòu)，位于該半導(dǎo)體基底表面；一源/汲極，位于該閘極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該半導(dǎo)體基底內(nèi)；以及一缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)，位于該汲極內(nèi)。由于位于該汲極內(nèi)的該缺陷結(jié)構(gòu)區(qū)，能夠產(chǎn)生大量漏電流，而能增進(jìn)該靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的效果。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1437230SQ0210350
公開日2003年8月20日 申請(qǐng)日期2002年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月6日
發(fā)明者詹宜陸, 楊富量, 許義明 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司