專利名稱：具有墊緣強化結構的接線墊及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種使用在半導體封裝應用中的接線墊結構。尤其，本發(fā)明是關于一新穎接線墊結構及其制造方法。
在印刷電路板或是其它的集成電路(IC)的封裝制造過程中，在印刷電路板中的半導體裝置經過一接線制造工藝過程而分別與外界連接。在此制造工藝過程中，提供一個或是多個接線墊與最外面的導電層上的半導體組件作個別部份接觸。然后，一接線連接至所述接線墊以允許所述半導體裝置與所述IC封裝的內部導線發(fā)生電接觸?？稍谙嗤奈恢蒙咸峁┮粚右陨系慕泳€墊，而每層連接到在芯片上的個別導電層上。


圖1為顯示一種傳統(tǒng)接線墊結構以及所述金屬接線墊結構如何相對于芯片表面上多層半導體裝置中的其它層進行定位的橫剖面圖。一般來說，一金屬層4(底層)沉積在第一介電層2之上。隨后一第二介電層3形成在所述金屬層4之上。最后一第三介電層5沉積在所述第二介電層3之上，并使用微影蝕刻技術而留下一接線墊窗8，并于其中沉積一金屬接線墊層6。一具有化學抗性的密封材料，例如聚酰亞胺(polyimide)，沉積在所述第三介電層5之上而形成一保護層7，以提供良好的抗性來抵抗水氣，污染物等。然后借助微影蝕刻工藝來蝕刻所述保護層7而暴露出所述墊的開放區(qū)域。此完成了最基本的接線墊形成程序，而所述接線墊已預備好連接至一接線。在所述第二介電層3之內可形成一個或是多個導電結構以提供所述金屬接線墊及所述底層之間的電連接。另一方面，所述接線墊并不需要直接設置在導電層之上；它可以借助一導線而連接到導電層上。然而，此部份的接線墊的形成為現有技術，于是在此予以省略。
當所述金屬接線墊及所述第二介電層之間的附著力強度不足以去抵抗接合接線到所述接線墊的接線過程中所發(fā)生的熱應力或機械應力時，則接線剝落的問題便會發(fā)生。此情況會發(fā)生在任何鄰接層之間，例如，于金屬接線墊及下面的復晶硅層的間，于金屬層與介電層的間，于介電層與復晶硅層的間，以及于阻障層及介電層之間等等。隨著半導體裝置的尺寸愈變愈小，接線墊剝落的問題實質上變得更為嚴重，并且已變成阻礙生產率更進一步提高的主要因素。
圖2為顯示設計成通過減緩剝離來改善穩(wěn)定性的現有接線墊結構的橫剖面圖。一接觸區(qū)，也就是一通道，形成在第二介電層的中，以一金屬材料填充而形成一金屬接線墊12，且與下面的金屬層4接觸。圖2還顯示形成一小的突出部份11，它自所述接線墊延伸而出并沉積在所述第二介電層3之上。所述底層可以是金屬層或復晶硅層。一般來說，所述接線墊與所述底層具有良好的附著特性，且借助通道的形成所提供的大接觸表面而實質上提供經強化的附著性。然而，在接線過程中所遭遇的高溫熱應力及/或震動應力之下，裂縫9會在所述突出部份11之下的第二介電層中形成。一旦形成所述裂縫，它便會延著所述金屬接線墊12及所述第二介電層3之間的界面?zhèn)鞑ィ虼嗽斐山泳€墊剝落的發(fā)生。
一般而言，此接線制作過程可以大致歸類成兩種形式即金線/金球接線工藝以及鋁線楔形接線工藝。此鋁線楔形接線工藝廣泛地使用在芯片板(COB)上，其中鋁線是通過超聲波震蕩及施加于楔形上的壓力的合并使用而被焊接到所述接線墊上。金線/金球接線工藝一般是通過于升高溫度下先被形成為一個球形的金線施壓于接線墊上而完成。此鋁線楔形接線工藝在建立接線位置方面不夠精確，且在施加接線壓力時也不夠均勻，所以相對于金線/金球的接線工藝，它更傾向于使接線墊剝落，其主要是由于不均勻的機械及/或熱應力所造成。
圖3顯示另一種現有的經改進的接線墊結構，其中數個固定物13形成于連接金屬接線墊6及底層4的所述第二介電層3之內。所提供的固定物增加了與金屬層4的水平接觸表面和增加與第二介電層的垂直接觸表面。這兩個部份都可以增加附著力和增加所述金屬接線墊的穩(wěn)定性。
接線墊的剝落或剝離已是困擾與接線技術有關的集成電路封裝工業(yè)的一個主要不穩(wěn)定問題。許多可能的解決方案已經被提出和實施，誠如下列的現有技術的參考文獻所示。
美國專利第4,060,828號揭示了一種具有多層接線結構的半導體裝置，在其接線層的接線墊之下的絕緣層中具有一附加的穿透孔互連結構。此’828號專利的目的是要在所述接線墊與其下的另一接線之間提供一個附加且經保護的電接觸，當那些接線墊的暴露部份被腐蝕且變成斷開，穿過絕緣層所形成的附加電接觸仍然可以提供所需的連接。雖然此’828號專利并不直接涉及所述接線墊剝落的問題，但是此第’828號專利所揭示的于直接位于金屬層之下的絕緣層中提供一穿透孔互連結構的觀念則是已被采用，縱使大部分為改進形式，基本上所有的現有技術都是以提供固定結構的方式來處理解決接線墊剝落問題。
美國專利第4,981,061號揭示了一種在包括一主動區(qū)域的半導體基材的主要表面上形成一第一絕緣層的半導體裝置。一第一接觸孔形成于對應所述主動區(qū)域的所述第一絕緣層中的一位置上，以及一第一導電層形成于所述第一接觸孔及環(huán)繞所述接觸孔的部分第一絕緣層之中。隨后一第二絕緣層形成在所述第一導電層及所述第一絕緣層之上，以及一第二接觸孔形成于對應所述第一導電層的所述第二絕緣層中的一位置上且定位在所述第一接觸孔之上。然后一第二導電層形成在所述第二絕緣層之上并填充所述第二接觸孔。最后，一接線連接到位于所述第一及第二接觸孔之上的第二導電層區(qū)域中。在第’061號專利所揭示的結構中，于接線期間施加在所述第二絕緣層上的壓力由填充于第一及第二接觸孔中的第一及第二導電層的柱狀部分所支撐。因此，減少了作用在所述第二絕緣層上的壓力而壓抑裂縫的發(fā)生。
美國專利第5,309,205號揭示了一種接線結構，它是通過在一半導體裝置的一下面區(qū)域上沉積一阻障層并于所述阻障層上沉積第一導電層而形成。然后將所述阻障層圖案化并蝕刻以形成一導電區(qū)域。于此’205號專利中，此導電區(qū)域可以為一網格狀，而一第二導電層沉積在所述導電層及部份的所述暴露的下面區(qū)域之上。所述第二導電層與所述下面區(qū)域之間產生了一良好的粘著接觸，因而避免了接線墊的剝落。
美國專利第5,248,903號和美國專利第5,248,797號揭示了一接線墊結構，它通過提供一復合的接線墊而減輕了于接線期間所遭遇到的接線墊剝落問題，它包括一上接線墊及一下接線墊，以及在此兩者間的一絕緣成分區(qū)。至少有一開口通過所述絕緣成分區(qū)且自所述下接線墊延伸到所述上接線墊。所述至少一開口與所述下接線墊的一周圍區(qū)域對齊。然后提供一導電材料來填充所述數個開口并電連接所述上及下接線墊。所述至少一個開口可以是數個導電通道(via)、環(huán)繞所述周圍區(qū)域的一環(huán)狀開口或是一個或是多個延長的細縫般開口。在一單一接線墊結構中形成上及下接線墊的需求將會增加生產成本。
美國專利第5,309,025號揭示了一種可減輕接線墊剝落問題的改進的接線墊結構。此第’025號專利中所揭示的接線墊包括一阻障層，且借助先沉積一阻障層在一半導體裝置的下面區(qū)域上以及再沉積一第一導電層于所述阻障層之上而形成。而后將所述阻障層及所述導電層圖案化并蝕刻以定義出一導電區(qū)域。形成數個導電區(qū)域，每個導電區(qū)域通過形成一絕緣側壁而與外界隔離。一第二導電層沉積在所述導電區(qū)域及部份地暴露于下面區(qū)域之上。所述第二導電層與下面區(qū)域之間產生了良好的附著接觸，因此避免了接線墊的剝落。
美國專利第5,707,894號揭示了一種可降低于接線墊及底層之間的接線墊剝落問題的接線墊結構及形成此結構的工藝方法。第’894號專利所揭示的方法包括先在接線墊區(qū)域中的基材表面上形成數個固定墊。其次，一第一絕緣層形成在所述基材表面及固定墊之上。數個通道孔穿過所述第一絕緣層并且為與所述第二金屬層(覆蓋第一絕緣層)相同的材料所填充，因而形成固定墊及所述第二金屬層之間的導電連接。所述通道孔具有比固定墊小的橫截面，使得所述固定墊及所述第二金屬層的組合在所述第一絕緣層中形成小”鉤”，因而將所述第二金屬層(也就是所述接線墊層)固定在所述底層上。
使用上述的方案皆有其優(yōu)缺點，然而，在高度競爭的半導體市場中鑒于迫切要減少生產成本，則非探究選擇其它更理想的結構不可，該結構可以單獨作業(yè)或是附加到既有的技術上，以更確保接線墊剝落問題的不再發(fā)生并改善生產率。
本發(fā)明的目的是提供一種使用在集成電路組件的封裝操作期間的接線應用中的接線墊及其制造方法，可以減緩剝落問題而且不需要使用任何現有的固定技術以避免新問題的的產生，而且根據制造者的需求還可與數種現有技術結合使用。
為實現上述目的，本發(fā)明提供一種用于半導體裝置封裝接線用的接線墊，其特點是，它包括一層迭結構，它包括有一上介電層、一金屬接線墊層，一中間介電層和一形成在芯片上的底層，所述中間介電層形成在所述底層之上，所述金屬接線墊層至少部分形成在所述中間介電層之上，而所述上介電層形成在所述接線墊層之上；以及一接線框架結構，它與所述金屬接線墊層分隔而形成；所述接線框架結構包括形成在所述上介電層之上的至少一個框架組件，所述至少一個框架組件的一部分重迭在所述金屬接線墊的一部份之上；所述至少一個框架組件借助至少一孔填充物而連接到所述底層上。
為實現上述目的，本發(fā)明提供一種制造使用于半導體裝置封裝接線用的接線墊的方法，其特點是，它包括以下步驟形成一下介電層于一芯片上；形成一底層于所述下介電層之上；形成一中間介電層于所述底層之上，其中，所述中間介電層包括至少一個第一穿透孔，所述孔用于形成一金屬接線墊層的一區(qū)域；以一孔填充物材料來填充所述至少一個第一穿透孔，并且同時或依序于所述中間介電墊層中形成所述金屬接線墊層及一組件，所述組件與所述金屬接線墊層分開并通過所述被填充的第一穿透孔而與所述底層接觸；形成一上介電層于所述金屬接線墊層之上，其中，所述上介電層包括至少一個連接到所述組件的第二穿透孔；填充所述至少一個第二穿透孔，并且同時或依序于所述上介電層之上形成至少一個框架組件，其中，所述框架組件包括一部份重迭在所述金屬介電層的一部份之上，且所述框架組件通過所述被填充的第二穿透孔而與所述組件連接。
在本發(fā)明的接線墊結構中提供有一接線框架，它是以類似于相框固定相片的方式將金屬接線墊固定在一位置上而不會被剝離或剝落。較佳的是部分或完全沿著所述接線墊的數個邊緣中的一邊緣提供數個接線框架。所述接線框架包括在所述金屬接線墊中但與所述接線墊隔離的一島形組件以及沉積在所述第三介電層頂端的一框架組件。所述框架組件延伸以覆蓋部份的接線墊，以提供一”框住”的效果，產生對所述接線墊強化的作用。所述島形組件以及所述框架組件是經由一個或是更多個孔填充物(或通道)而相連接。所述島形組件還通過一個或多個孔填充物(或是接觸區(qū))而連接到底層。所述底層可以是金屬層、復晶硅層或是與所述孔填充物材料間具有良好附著性的介電層。所述孔填充物的實例為鎢插塞、形成所述覆蓋層的直接填充材料(可以是框架層或是島形層)或是金屬接線墊層。若不同的材料(例如鎢插塞)被用來形成所述孔填充物，則需要一附加的步驟。另一方面，若是使用來自所述覆蓋層的相同材料(也就是接線墊)來形成所述孔填充物，那幺一般可以形成所述覆蓋層的相同步驟來形成(通過沉積)。
要注意的是，如上面所討論，此所設計的”底”層可以為金屬層，但并不需要是金屬層。就設計目的來說，因所述接線墊可以連接到一非直接安置在所述接線墊之下的一導電層，所以直接在所述接線墊層的下提供一導電層是方便的。由于所述接線墊可以連接到非直接位于其下的其它導電層上，所以此”底”層可以為復晶硅，可以是具有導電性或是非導電性的。
在所述金屬接線墊之下可以提供一固定結構以提升強化的附著力。較佳的是使用本申請的相同發(fā)明人于另一仍在審查中的專利申請案中所揭示的具有數個互聯線段的單一固定結構。
在本發(fā)明的另一較佳實施例中，所述島形組件可做成延長的矩形形狀，且每對島形組件是被相似且自所述接線墊延伸而出的延長的長方形所分隔。
為更清楚理解本發(fā)明的目的、特點和優(yōu)點，下面將結合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細說明；在這些附圖中圖1是一示意側面圖，它顯示一種傳統(tǒng)接線墊結構以及金屬接線墊如何相對于芯片表面上多層半導體裝置的其它層進行定位；圖2為現有接線墊結構的示意側面圖，圖中示出通過形成與所述金屬層直接接觸的一通道形式的接線墊來減緩剝落問題進而改善所述接線墊的穩(wěn)定性；圖3為另一現有的接線墊結構的示意側面圖，其中數個固定物形成在連接所述金屬墊及所述底層的所述第二介電層內部；圖4是一示意側面圖，它顯示根據本發(fā)明一較佳實施例的接線框架；圖5是一示意側面圖，它顯示根據本發(fā)明的第二個較佳實施例的接線框架，它包括連接接線墊及底層的一固定結構；圖6是一示意側面圖，它顯示根據本發(fā)明第三個較佳實施例的接線框架，其中所述金屬接線墊是以與所述底層直接接觸的一第一通道形式而形成，而且所述接線墊結構還包括與所述第一通道直接接觸的一第二通道，以便提高所述接線墊的高度；圖7是一示意側面圖，它顯示根據本發(fā)明的第四個較佳實施例的接線框架，其中多個孔填充物形成于所述島形組件與所述底層之間以及所述島形組件與所述框架組件之間；圖8是一示意平面圖，它顯示包括根據圖7所示實施例的接線墊結構的島形組件的平面，所述島形組件包括數個接線框架；圖9是一示意平面圖，其顯示包括根據圖7所示實施例的接線墊結構的框架組件的平面，所述框架組件包括數個接線框架；以及圖10是一示意平面圖，它顯示包括根據圖7所示實施例的接線墊結構的框架組件的平面，所述框架組件包括沿著接線墊四個邊緣的數個接線框架；所述接線墊并不包圍所述島形組件，而是形成了數個接線墊支柱(bond pad leg)延伸于所述島形組件之間。
本發(fā)明揭示了一種使用于半導體裝置封裝操作期間的接線應用的改進的接線墊結構。在本發(fā)明的接線墊中提供有一接線框架以固定所述金屬接線墊于其位置上，它是以類似于相框固定照片的方式來避免其剝離或是剝落。所述接線框架包括位于所述金屬接線墊層的中但與所述接線墊隔離的島形組件以及沉積在所述第三介電層之上的一框架組件。所述框架組件延伸出以覆蓋部份的接線墊，以提供”框住”的效果。所述島形組件及所述框架組件是通過一個或多個孔填充物(或通道)而相連接。另外，所述島型組件及所述底層通過一個或多個孔填充物(或是接觸區(qū))而相連接。所述底層可以被一復晶硅層所取代或甚至為與所述孔填充物材料之間具有良好附著性的絕緣層所取代。較佳的是部分或完全沿著所述接線墊的數個邊緣中的一邊緣提供數個接線框架。
圖1是一示意側面圖，它顯示一種傳統(tǒng)接線墊結構以及金屬接線墊如何相對于芯片表面上多層半導體裝置的其它層進行定位。
圖2為現有的接線墊結構的示意側面圖，圖中示出是通過形成與所述金屬層直接接觸的一通道形式的接線墊來減緩剝落問題進而改善所述接線墊的穩(wěn)定性。
圖3為另一現有的改進的接線墊結構的示意側面圖，其中數個固定物形成在連接所述金屬墊及所述底層的所述第二介電層內部。
本發(fā)明的接線框架也可允許在所述金屬接線墊之下提供一固定結構，以提供強化的附著力。較佳的是利用本申請的相同發(fā)明人于共同審理中的專利申請案所揭示的具有數個互聯線段的單一固定結構。在本發(fā)明的一較佳實施例中，所述島形組件做成方形形狀并為金屬接線墊所圍繞。在本發(fā)明的另一較佳實施例中，所述島形組件做成延長的矩形形狀，每對島形組件通過自所述接線墊延伸而出的一相似延長的矩形物而相分隔。
本發(fā)明的接線框架結構的優(yōu)點之一是它可以許多不同的結構來實施。為舉例說明此可變性，本發(fā)明將通過下述的較佳實施例予以更清楚和詳細的說明。要注意的是下述較佳實施例的描述僅僅是為了說明及敘述的目的，并非要將本發(fā)明局限于此所揭示的特定形式。
實施例1圖4是一示意側面圖，它顯示了根據本發(fā)明的較佳實施例的接線墊結構。所述金屬接線墊層6(或是第二層)位在所述底層4(或是第一層)之上，兩者為第二介電層3所分隔。所述底層4沉積在第一介電層2(沉積或成長在一基材1之上)之上。圖4還顯示所述框架組件21形成在所述第三介電層5之上。最后，一保護層7沉積在整片芯片表面上，而一接線墊開放窗口8則是借助微影蝕刻工藝而形成。出現在所述接線墊的上的框架組件21對所述接線墊施加一個框合或應力的效果，因而避免所述接線墊自所述介電層上剝落。
本發(fā)明的接線框架10包括形成在第二層(也就是所述接線墊層所在的層)的島形組件22以及形成在第三層(也就是在所述接線墊層6的上的金屬層)的框架組件21。所述島形組件22通過一開放區(qū)域28而與所述接線墊6分隔。提供有一孔填充物(或是接觸區(qū))23以連接框架組件21與所述島形組件22。又提供另一孔填充物(或通道)24以連接所述島形組件22及所述底層。要注意的是所述底層可以是金屬層或非金屬層。所述底層也可以是半導體層(例如復晶硅層)或是與用在接線框架結構中的所述金屬材料間有良好附著性的介電層。換句話說，第三層、第二層及第一層的構成材料可以分別是M2(第二種金屬材料)，M1(第一種金屬材料)，以及復晶硅等等。或者，他們也可以分別是M2、M1及M3。M1、M2及M3可以是相同或不同。
綜合言之，圖4顯示了至少一個框架組件形成在第三層之中，且通過位于所述第三層中的一開口而連接到第一層。至少部分于所述第二層中的開口中的島形組件連接到所述框架組件及所述第一層。這樣建構了本發(fā)明的接線框架基本架構。所述框架組件/接觸區(qū)/島形組件可以是一M2/通道/M1結構。而所述島形組件/接觸區(qū)/第一層的組合可以是M2/接觸區(qū)/復晶硅結構。所述島形組件可以定位在鄰近于并且沿著所述接線墊的一個邊緣或是多重個邊緣或接線墊的任何位置上。由于所述島形組件與所述接線墊隔離，所以不會承受到接線操作期間所施加在接線墊上的機械及熱應力，因此在接近接線墊的邊緣部分可避免介電層的裂縫。此外，其可以堅實地將接線墊固定在其位置上，以進一步免除接線墊的剝落問題。
實施例2圖5是一示意側面圖，它顯示根據本發(fā)明的第二個較佳實施例的接線墊結構，它與圖4所示的接線墊結構非常相似，除了包括連接到所述接線墊及所述底層的一固定結構之外。
實施例3圖6是一示意側面圖，它顯示根據本發(fā)明的第三個較佳實施例的接線墊結構，其中為M2結構的一部份的金屬接線墊26以與所述底層4或M1直接接觸的通道形式來形成，而且所述接線墊結構也包括一M3結構，其包括與所述第一通道26直接接觸的一第二通道32，藉此可以上升所述接線墊的高度。
實施例4圖7是一示意側面圖，它顯示根據本發(fā)明的第四個較佳實施例的接線框架，其中多個孔填充物23，24分別形成在所述島形組件與所述底層4之間以及所述島形組件23與所述框架組件21之間。
實施例5圖8是一示意平面圖，它顯示包括根據圖7所示的本發(fā)明實施例的接線墊結構的島形組件的平面布置，所述島形組件包括數個接線框架。如圖9所示，為了要提供最大的有效性，所述框架組件以連續(xù)的結構來形成。
實施例6圖9是一示意平面圖，它顯示包括根據圖7所示實施例的接線墊結構的框架組件的平面布置，所述框架組件包括數個接線框架。
實施例7
圖10是一示意平面圖，它顯示包括根據圖5所示實施例的接線墊結構的框架組件的平面布置，所述框架組件包括沿著接線墊四個邊緣的數個接線框架。圖10中，它顯示了接線墊6’并不包圍所述島形組件23；而是數個接線墊支柱32延伸于所述等島形組件之間而形成。圖10還顯示了在所述接線墊6’之下的固定結構29。在沉積以及后續(xù)微影蝕刻工藝步驟后，矩形33指出所述接線墊開放區(qū)域的邊界。
權利要求
1.一種用于半導體裝置封裝接線用的接線墊，其特征在于，它包括一層迭結構，它包括有一上介電層、一金屬接線墊層，一中間介電層和一形成在芯片上的底層，所述中間介電層形成在所述底層之上，所述金屬接線墊層至少部分形成在所述中間介電層之上，而所述上介電層形成在所述接線墊層之上；以及一接線框架結構，它與所述金屬接線墊層分隔而形成；所述接線框架結構包括形成在所述上介電層之上的至少一個框架組件，所述至少一個框架組件的一部分重迭在所述金屬接線墊的一部份之上；所述至少一個框架組件借助至少一孔填充物而連接到所述底層上。
2.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述底層為金屬層、復晶硅層或與所述孔填充物具有良好附著性的介電層。
3.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述底層為一復晶硅層。
4.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，它還包括形成于連接在所述金屬接線墊層及所述底層之間的所述中間介電層內部的一固定結構(anchoringstructure)。
5.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述金屬接線墊層包括形成于與所述底層直接接觸的所述中間介電層中的一通道結構(via structure)。
6.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，它還包括至少一個島形組件，它與所述接線墊層分離并且分別借助至少一個孔填充物而連接到所述底層以及所述框架組件。
7.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述島形組件是沿著所述金屬接線墊層的一外部邊緣而形成，并且被形成在所述金屬接線墊層中的一開放區(qū)域所圍繞。
8.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述島形組件是形成在所述金屬接線墊層的外部，并且所述金屬接線墊層包括平行延伸于所述島形組件的接線墊支柱(bond pad leg)。
9.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述接線框架結構包括數個島形組件及一互連的框架組件(frame element)。
10.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述金屬接線墊層包括形成于與所述底層直接接觸的所述中間介電層的中的一通道結構，而且所述接線墊還包括在所述通道結構之上及所述上介電層的一鄰接區(qū)域的一上金屬層。
11.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述接線框結構包括連接于所述島形組件及所述框架組件之間或所述島形組件及所述底層之間，或上述兩者皆有的數個孔填充物。
12.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述孔填充物為一鎢插塞。
13.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述孔填充物與所述框架組件為相同的材料。
14.一種制造使用于半導體裝置封裝接線用的接線墊的方法，其特征在于，它包括以下步驟形成一下介電層于一芯片上；形成一底層于所述下介電層之上；形成一中間介電層于所述底層之上，其中，所述中間介電層包括至少一個第一穿透孔，所述孔用于形成一金屬接線墊層的一區(qū)域；以一孔填充物材料來填充所述至少一個第一穿透孔，并且同時或依序于所述中間介電墊層中形成所述金屬接線墊層及一組件，所述組件與所述金屬接線墊層分開并通過所述被填充的第一穿透孔而與所述底層接觸；形成一上介電層于所述金屬接線墊層之上，其中，所述上介電層包括至少一個連接到所述組件的第二穿透孔；填充所述至少一個第二穿透孔，并且同時或依序于所述上介電層之上形成至少一個框架組件，其中，所述框架組件包括一部份重迭在所述金屬介電層的一部份之上，且所述框架組件通過所述被填充的第二穿透孔而與所述組件連接。
15.如權利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述底層為金屬層、復晶硅層或與填充于所述第一穿透孔的材料間具有良好附著性的介電層。
16.如權利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述底層為一復晶硅層。
17.如權利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，它還包括在連接于所述金屬接線墊層及所述底層之間的所述中間介電層內形成一固定結構的步驟。
18.如權利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述金屬接線墊層包括一于所述中間介電層之中的通道結構，所述中間介電層位于所述接線墊層之下并連接所述底層與所述接線墊層。
19.如權利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述組件是沿著所述金屬接線墊層的一外部邊緣而形成，并且被形成于所述金屬接線墊層中的一開放區(qū)域所圍繞。
20.如權利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述組件形成在所述金屬接線墊層的外側，而所述金屬接線墊層包括至少一個沿著所述組件延伸的接線墊支柱。
21.如權利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述接線框結構包括數個所述組件及一互連的框架。
22.如權利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述金屬接線墊層包括形成在與所述底層直接接觸的所述中間介電層之中的一通道結構，以及形成所述框架的步驟還于所述通道結構之上及所述上介電層的一鄰接區(qū)域形成一上金屬層。
23.如權利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述第一穿透孔或所述第二穿透孔或者兩者是由鎢插塞材質所填充。
24.如權利要求14所述的制造接線墊的方法，其特征在于，所述組件為一島形組件。
全文摘要
一種用于半導體裝置封裝接線用的接線墊包括:上介電層、金屬接線墊層、中間介電層及形成在一芯片表面上的底層及與金屬接線墊層分離而形成的接線框;接線框包括形成于中間介電層上的數個島形組件以及形成于上介電層上的互連框架組件,框架組件的一部份與金屬接線墊層的一部份重疊以強化接線墊而避免金屬接線墊層剝落,每個島形組件分別通過一個或數個孔填充物而與底層及框架組件連接。本發(fā)明可使金屬接線墊安全可靠地固定定位。
文檔編號H01L21/48GK1379466SQ0111683
公開日2002年11月13日 申請日期2001年4月10日 優(yōu)先權日2001年4月10日
發(fā)明者林錫聰 申請人:華邦電子股份有限公司