Eeprom的測試方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種EEPROM的測試方法，包括以下步驟：S1、對0地址寫入0xAA，讀取0地址的數(shù)據(jù)，判斷0地址讀出的數(shù)據(jù)是否為0xAA，若否則測試不合格；S2、對0地址寫入0x55，讀取0地址的數(shù)據(jù)，判斷0地址讀出的數(shù)據(jù)是否為0x55，若否則測試不合格；S3、依次讀取從0地址至N地址的數(shù)據(jù)，其中N為期望的EEPROM的字節(jié)容量；S4、判斷N地址讀出的數(shù)據(jù)是否為0x55，若否則測試不合格；S5、對0地址寫入0xFF，讀取0地址的數(shù)據(jù)，判斷0地址讀出的數(shù)據(jù)是否為0xFF，若否則測試不合格，若是測試合格。本發(fā)明能在批量測試同容量EEPROM時及時發(fā)現(xiàn)混入的其他容量的EEPROM。
【專利說明】
EEPROM的測試方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于集成電路測試領(lǐng)域，特別涉及一種EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)的測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前常用的EEPROM測試方法參考一般集成電路的測試方法，該方法存在兩個問題，對于兩種EEPROM特有的異常情況無法測試排除。
[0003]第一種為在批量測試EEPROM過程中，為了節(jié)約EEPROM的測試時間，通常僅對首地址進行讀寫操作，對全片進行讀操作測試，并不會特意進行芯片存儲容量的查詢與判斷，因為那樣會消耗較多的測試時間。在測試一批同樣容量的EEPROM時，如果摻雜有其他容量的EEPR0M，在進行全片OxFF讀取測試時，對于實際存儲容量同當(dāng)前測試期望的存儲容量不同的其他的EEPROM不能及時發(fā)現(xiàn)，對于存儲容量大于當(dāng)前測試容量的EEPROM會存在漏測一部分存儲空間的問題。
[0004]第二種情況為EEPROM芯片測試過程中，有時會存在由于外界信號干擾或者電壓不穩(wěn)定等其它原因造成的I2C(Inter — Integrated Circuit)測試總線上的誤操作，進而造成EEPROM誤寫為全OxFF，但是當(dāng)前的測試方法又是僅進行全片OxFF讀取測試，所以會將有問題的芯片誤判為正常芯片，即當(dāng)前的測試方法無法排除這種異常誤操作的情況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中批量測試同容量EEPROM時對于混入的其他容量的EEPROM無法及時發(fā)現(xiàn)的缺陷，提供一種不需要增加硬件且測試耗時較少的EEPROM的測試方法。
[0006]本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題:
[0007]一種EEPROM的測試方法，其特點在于，包括以下步驟:S1、對O地址寫入OxAA，讀取O地址的數(shù)據(jù)，判斷O地址讀出的數(shù)據(jù)是否為OxAA，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟S2;S2、對O地址寫入0x55，讀取O地址的數(shù)據(jù)，判斷O地址讀出的數(shù)據(jù)是否為0x55，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟S3 ； S3、依次讀取從O地址至附也址的數(shù)據(jù)，其中N為期望的EEPROM的字節(jié)容量;S4、判斷N地址讀出的數(shù)據(jù)是否為0x55，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟35; S5、對O地址寫入OxFF，讀取O地址的數(shù)據(jù)，判斷O地址讀出的數(shù)據(jù)是否為OxFF，若否則測試不合格，若是測試合格。
[0008]本方案中，對于期望的EEPROM的字節(jié)容量為N字節(jié)的EEPROM而言，其有效地址為O至N-1字節(jié)，當(dāng)對N字節(jié)地址或者2N字節(jié)地址訪問時實際上均訪問的是O地址對應(yīng)的EEPROM的物理存儲空間，本方案就是利用了EEPROM電路的這種循環(huán)地址機制。本方案中當(dāng)N地址讀出的數(shù)據(jù)為0x55時，根據(jù)EEPROM電路的循環(huán)地址機制能夠獲知，附也址實際上讀取的是O地址存儲的0x55，相反，如果N地址讀出的還是OxFF，那很可能當(dāng)前測試中的EEPROM的存儲容量是大于期望的EEPROM的存儲容量的。由此可知，本方案在不需要增加額外硬件開銷也不需要額外花費較多測試時間的基礎(chǔ)上，在EEPROM批量測試時能夠有效識別出混入的同期望的容量不同的EEPROM芯片。
[0009]較佳地，所述步驟S3中，若待測試EEPROM的容量同所述期望的EEPROM的字節(jié)容量相同，則O地址和附也址對應(yīng)EEPROM的同一個物理存儲空間。
[0010]較佳地，所述步驟S4之前還包括判斷步驟S3中從I地址至N-1地址依次讀出的數(shù)據(jù)是否全為OxFF的步驟，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟S4。
[0011]本方案中，對于待測試EEPROM的容量同所述期望的EEPROM的字節(jié)容量相同時，讀出的O地址和附也址應(yīng)該對應(yīng)EEPROM的同一個物理存儲空間，所以讀出的都應(yīng)該是0x55才正確，而地址I至N-1，均應(yīng)該是默認值OxFF才正確，其它情況均表示EEPROM測試不合格。
[0012]較佳地，所述步驟S4中，若N地址讀出的數(shù)據(jù)是0x55，則測試的EEPROM的容量同所述期望的EEPROM的字節(jié)容量相同，繼續(xù)執(zhí)行步驟S5;若N地址讀出的數(shù)據(jù)為OxFF，則測試的EEPROM的容量大于所述期望的EEPROM的字節(jié)容量，測試不合格。
[0013]本方案中，在判斷出N地址讀出的數(shù)據(jù)為OxFF時，排除其它異常原因，能夠判斷當(dāng)前測試的EEPROM的容量大于期望的EEPROM的容量，隨后可以針對該EEPROM的實際容量重新進行測試，此處的測試不合格并不能說明當(dāng)前測試的EEPROM就是存在問題的芯片，只表示容量不匹配。
[0014]較佳地，若N/2地址讀出的數(shù)據(jù)是0x55，則測試的EEPROM的容量小于所述期望的EEPROM的字節(jié)容量，測試不合格。
[0015]本方案中，對于期望測試的容量為4K字節(jié)的EEPROM而言，如果當(dāng)前測試的EEPROM容量為2K字節(jié)，那么此時N為4K，N/2為2K，對于當(dāng)前測得的2K字節(jié)容量的EEPROM芯片，在讀O地址，2K地址和4K地址時讀出的都是O地址對應(yīng)的物理存儲空間的數(shù)據(jù)，也就是都是0x55，也就是說依次連續(xù)從地址O讀到地址N，共讀出3次0x55，如果其余地址均為OxFF，那么可以初步判斷當(dāng)前測試的EEPROM的容量是小于期望的EEPROM的容量，實際上是僅有期望的EEPROM的容量的一半。
[0016]較佳地，所述步驟Sii前還包括擦除EEPROM的步驟。
[0017]本方案中，對于在測試前已經(jīng)被編程過的EEPR0M，其內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)已經(jīng)不是出廠時默認的OxFF，所以有必要在測試之前對整個芯片進行擦除操作，使其恢復(fù)為全OxFF，而對于出廠后未編程過的EEPROM則不需要這一擦除步驟。
[0018]本發(fā)明的積極進步效果在于:本發(fā)明提供的EEPROM的測試方法，針對期望的字節(jié)容量為N字節(jié)的EEPROM芯片，利用EEPROM電路的地址循環(huán)機制，調(diào)整寫入和讀出的數(shù)據(jù)，同時增加一次N地址的數(shù)據(jù)讀操作，有效且不增加成本的解決了能夠及時發(fā)現(xiàn)批量測試同容量EEPROM時對于混入的其他容量的EEPROM的問題。另外本發(fā)明對于EEPROM全芯片的讀操作測試采用0x55數(shù)據(jù)同默認的OxFF相結(jié)合的方式，而不是全OxFF數(shù)據(jù)讀出驗證的方式，有效的解決了由于外界信號干擾或者電壓不穩(wěn)定等其它原因造成的I2C測試總線上的誤操作造成的EEPROM被誤寫為全OxFF而無法發(fā)現(xiàn)的問題。本發(fā)明提供的EEPROM的測試方法不需要增加額外的硬件且測試耗時較少，即保證測試效率的同時也沒有增加測試成本。
【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明一較佳實施例的EEPROM的測試方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0020]下面通過實施例的方式進一步說明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實施例范圍之中。
[0021 ] 如圖1所示，一種EEPROM的測試方法，包括以下步驟:
[0022]步驟101、對O地址寫入OxAA;
[0023]步驟102、讀取O地址的數(shù)據(jù)，判斷O地址讀出的數(shù)據(jù)是否為OxAA，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟103 ；
[0024]步驟103、對O地址寫入0x55;
[0025]步驟104、讀取O地址的數(shù)據(jù)，判斷O地址讀出的數(shù)據(jù)是否為0x55，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟105 ；
[0026]步驟105、依次讀取從I地址至N-1地址的數(shù)據(jù)，其中N為期望的EEPROM的字節(jié)容量，N為整數(shù)，判斷讀出的數(shù)據(jù)是否為OxFF，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟106;
[0027]步驟106、讀出N地址的數(shù)據(jù)并判斷讀出的數(shù)據(jù)是否為0x55，若否則執(zhí)行步驟1061，若是則執(zhí)行步驟107;
[0028]步驟1061、判斷N地址的數(shù)據(jù)是否為OxFF，若是則可以初步判斷待測EEPROM容量大于期望的EEPROM的容量，測試不合格;若是則直接測試不合格；
[0029]步驟107、對O地址寫入OxFF;
[0030]步驟108、讀取O地址的數(shù)據(jù)，判斷O地址讀出的數(shù)據(jù)是否為OxFF，若否則測試不合格，若是測試合格。
[0031]本實施例中，若待測試EEPROM的容量同期望的EEPROM的容量相同，則O地址和附也址對應(yīng)EEPROM的同一個物理存儲空間。
[0032]本實施例中還可以進一步的判斷，在步驟105中，若N/2地址讀出的數(shù)據(jù)是0x55，在排除其它異常的情況下，則可以初步判斷當(dāng)前測試的EEPROM的容量小于期望的EEPROM的容量，該EEPROM芯片也是混入的非期望容量的EEPR0M，故測試不合格。
[0033]本實施例中，如果待測的EEPROM已經(jīng)被編程過，則在步驟101之前還需要做擦除EEPROM的操作，使其存儲的數(shù)據(jù)全部恢復(fù)為OxFF。
[0034]雖然以上描述了本發(fā)明的【具體實施方式】，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這僅是舉例說明，本發(fā)明的保護范圍是由所附權(quán)利要求書限定的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的原理和實質(zhì)的前提下，可以對這些實施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種EEPROM的測試方法，其特征在于，包括以下步驟: 51、對O地址寫入OxAA，讀取O地址的數(shù)據(jù)，判斷O地址讀出的數(shù)據(jù)是否為OxAA，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟S2; 52、對O地址寫入0x55，讀取O地址的數(shù)據(jù)，判斷O地址讀出的數(shù)據(jù)是否為0x55，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟S3; 53、依次讀取從O地址至N地址的數(shù)據(jù)，其中N為期望的EEPROM的字節(jié)容量； 54、判斷N地址讀出的數(shù)據(jù)是否為0x55，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟S5; 55、對O地址寫入OxFF，讀取O地址的數(shù)據(jù)，判斷O地址讀出的數(shù)據(jù)是否為OxFF，若否則測試不合格，若是測試合格。2.如權(quán)利要求1所述的EEPROM的測試方法，其特征在于，所述步驟S3中，若待測試EEPROM的容量同所述期望的EEPROM的字節(jié)容量相同，則O地址和附也址對應(yīng)EEPROM的同一個物理存儲空間。3.如權(quán)利要求1所述的EEPROM的測試方法，其特征在于，所述步驟S4之前還包括判斷步驟S3中從I地址至N-1地址依次讀出的數(shù)據(jù)是否全為OxFF的步驟，若否則測試不合格，若是則執(zhí)行步驟S4。4.如權(quán)利要求3所述的EEPROM的測試方法，其特征在于，所述步驟S4中，若N地址讀出的數(shù)據(jù)是0x55，則測試的EEPROM的容量同所述期望的EEPROM的字節(jié)容量相同，繼續(xù)執(zhí)行步驟S5 ;若附也址讀出的數(shù)據(jù)為OxFF，則測試的EEPROM的容量大于所述期望的EEPROM的字節(jié)容量，測試不合格。5.如權(quán)利要求3所述的EEPROM的測試方法，其特征在于，若N/2地址讀出的數(shù)據(jù)是0x55，貝Ij測試的EEPROM的容量小于所述期望的EEPROM的字節(jié)容量，測試不合格。6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的EEPROM的測試方法，其特征在于，所述步驟S1之前還包括擦除EEPROM的步驟。
【文檔編號】G11C29/18GK106024067SQ201610364123
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月27日
【發(fā)明人】聶紀(jì)平, 何軍
【申請人】上海貝嶺股份有限公司