一種具有保持力測試功能的相變存儲器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種具有保持力測試功能的相變存儲器，包括：對行地址信號進(jìn)行譯碼以開啟存儲陣列相應(yīng)字線的行譯碼器單元；對列地址信號進(jìn)行譯碼的列譯碼器單元；輸出測試電壓/電流信號的電壓源/電流源單元；開啟存儲陣列中相應(yīng)位線，并將測試電壓/電流信號加載到相應(yīng)存儲單元上的列選擇器單元；讀取加載有測試電壓/電流信號的存儲單元上的電流/電壓的電流/電壓讀出單元，以測試保持力特性。本發(fā)明在進(jìn)行保持力測試時，對存儲單元施加電壓/電流，外部監(jiān)控設(shè)備通過電流/電壓讀出模塊對存儲單元的電流/電壓變化情況進(jìn)行記錄，統(tǒng)計存儲狀態(tài)失效的時間，從而得到相變存儲器的保持力特性，操作簡單、準(zhǔn)確性高。
【專利說明】
一種具有保持力測試功能的相變存儲器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，特別是涉及一種具有保持力測試功能的相變存儲器。
【背景技術(shù)】
[0002]相變存儲器單元是基于20世紀(jì)60年代末70年代初提出的相變薄膜可以應(yīng)用于相變存儲介質(zhì)的構(gòu)想建立起來的，是一種價格便宜、性能穩(wěn)定的存儲器件。相變存儲器單元可以做在硅晶片襯底上，其關(guān)鍵材料是可記錄的相變薄膜、加熱電極材料、絕熱材料和引出電極材，其研究熱點(diǎn)也就圍繞器件工藝展開。器件的物理機(jī)制研究包括如何減小器件料等。相變存儲器單元的基本原理是用電脈沖信號作用于器件單元上，使相變材料在非晶態(tài)與多晶態(tài)之間發(fā)生可逆相變，通過分辨非晶態(tài)時的高阻與多晶態(tài)時的低阻實(shí)現(xiàn)信息的寫入、擦除和讀出操作。
[0003]相變存儲器由于具有高速讀取、高可擦寫次數(shù)、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗強(qiáng)震動和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，被國際半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會認(rèn)為最有可能取代目前的閃存存儲器而成為未來存儲器主流產(chǎn)品和最先成為商用產(chǎn)品的器件。
[0004]相變存儲器的讀、寫、擦操作就是在器件單元上施加不同寬度和高度的電壓或電流脈沖信號:擦操作(RESET)，當(dāng)加一個短且強(qiáng)的脈沖信號使器件單元中的相變材料溫度升高到熔化溫度以上后，再經(jīng)過快速冷卻從而實(shí)現(xiàn)相變材料多晶態(tài)到非晶態(tài)的轉(zhuǎn)換，即“I”態(tài)至Γ0”態(tài)的轉(zhuǎn)換；寫操作(SET)，當(dāng)施加一個長且中等強(qiáng)度的脈沖信號使相變材料溫度升到熔化溫度之下、結(jié)晶溫度之上后，并保持一段時間促使晶核生長，從而實(shí)現(xiàn)非晶態(tài)到多晶態(tài)的轉(zhuǎn)換，即“O”態(tài)到“I”態(tài)的轉(zhuǎn)換;讀操作，當(dāng)加一個對相變材料的狀態(tài)不會產(chǎn)生影響的很弱的脈沖信號后，通過測量器件單元的電阻值來讀取它的狀態(tài)。
[0005]存儲器的保持力是指存儲單元保持?jǐn)?shù)據(jù)的能力。存儲器的保持力測試通常的模式是在溫度125°C以上對存儲器進(jìn)行加熱，檢測存儲單元存儲數(shù)據(jù)在高溫下的保持時間。但是由于相變存儲器在高溫下會發(fā)生結(jié)晶從而導(dǎo)致采用此種方法測試的保持力性能不夠精準(zhǔn)。因此采用在溫度25?125°C對相變存儲器施加小電壓或電流，測試在電壓或電流作用下相變單元的保持時間。為此，在相變存儲器芯片的外圍電路中加入小電壓源/電流源電路以及對應(yīng)的電流/電壓讀出電路，用于測試相變存儲器的保持力特性。
[0006]鑒于此，如何設(shè)計相變存儲器的外圍電路，實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的存儲單元保持力性能評估是目前亟待解決的關(guān)鍵問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種具有保持力測試功能的相變存儲器，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中相變存儲器芯片的保持力測試的問題。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種具有保持力測試功能的相變存儲器，所述具有保持力測試功能的相變存儲器至少包括:
[0009]存儲陣列、行譯碼器單元、列譯碼器單元、列選擇器單元、電壓源單元及電流讀出單元；
[0010]所述行譯碼器單元接收行地址信號，對所述行地址信號進(jìn)行譯碼得到行地址選擇信號，并根據(jù)所述行地址選擇信號開啟所述存儲陣列中相應(yīng)的字線；
[0011]所述列譯碼器單元接收列地址信號，對所述列地址信號進(jìn)行譯碼得到列地址選擇信號；
[0012]所述電壓源單元輸出保持力測試電壓信號；
[0013]所述列選擇器單元連接于所述列譯碼器單元及所述電壓源單元的輸出端，根據(jù)所述列地址選擇信號開啟所述存儲陣列中相應(yīng)的位線，并將保持力測試電壓信號加載到相應(yīng)的存儲單元上；
[0014]所述電流讀出單元連接于所述列選擇器單元的輸出端，讀取加載有所述保持力測試電壓信號的存儲單元上的電流，以測試所述存儲單元的保持力特性。
[0015]優(yōu)選地，還包括數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元、驅(qū)動電路單元以及敏感放大器單元；
[0016]所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元連接數(shù)據(jù)總線，用于傳遞數(shù)據(jù)信號；
[0017]所述驅(qū)動電路單元連接于所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元及所述列選擇器單元之間，接收所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元輸出的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)以電流脈沖的形式通過所述列選擇器單元輸入到相應(yīng)的存儲單元中；
[0018]所述敏感放大器單元連接于所述列選擇器單元及所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元之間，存儲單元中的數(shù)據(jù)通過所述列選擇器單元傳輸?shù)剿雒舾蟹糯笃鲉卧?，所述敏感放大器單元將讀取到的數(shù)據(jù)進(jìn)行放大，并傳輸?shù)剿鰯?shù)據(jù)緩沖鎖存單元，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀出。
[0019]更優(yōu)選地，還包括配置單元，所述配置單元連接于所述驅(qū)動電路單元以及敏感放大器單元的輸入端，為所述驅(qū)動電路單元以及敏感放大器單元提供配置信號。
[0020]優(yōu)選地，還包括連接于所述行譯碼器單元及所述列譯碼器單元輸入端的地址緩沖鎖存單元，所述地址緩沖鎖存單元連接地址總線，接收外部地址信號并分別將行地址信號及列地址信號發(fā)送給所述行譯碼器單元及所述列譯碼器單元。
[0021 ] 優(yōu)選地，還包括連接于各單元輸入端的邏輯控制單元，所述邏輯控制單元連接控制總線，接收外部控制信號并分別對各單元進(jìn)行邏輯控制。
[0022 ]優(yōu)選地，所述列選擇器單元由傳輸門或MOS晶體管組成。
[0023]優(yōu)選地，用電流源單元代替所述電壓源單元，用電壓讀出單元代替所述電流讀出單元;所述電流源單元輸出保持力測試電流信號;所述電壓讀出單元讀取加載有所述保持力測試電流信號的存儲單元上的電壓，以測試所述存儲單元的保持力特性。
[0024]如上所述，本發(fā)明的具有保持力測試功能的相變存儲器，具有以下有益效果:
[0025]本發(fā)明的具有保持力測試功能的相變存儲器加入電壓源/電流源以及對應(yīng)的電流/電壓讀出模塊，在對存儲單元進(jìn)行保持力測試時，用戶通過控制總線對存儲單元施加電壓/電流，外部監(jiān)控設(shè)備通過電流/電壓讀出模塊端口對存儲單元的電流/電壓變化情況進(jìn)行記錄，統(tǒng)計存儲狀態(tài)失效的時間，從而得到相變存儲器的保持力特性；同時，內(nèi)部施加電壓/電流信號比從外面施加的信號的干擾和寄生因素影響小，性能好。
【附圖說明】
[0026]圖1顯示為本發(fā)明的具有保持力測試功能的相變存儲器的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖2顯示為本發(fā)明的具有保持力測試功能的相變存儲器的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]元件標(biāo)號說明
[0029]I具有保持力測試功能的相變存儲器
[0030]10存儲陣列
[0031]11行譯碼器單元
[0032]12列譯碼器單元
[0033]13列選擇器單元
[0034]141電壓源單元
[0035]142電流源單元
[0036]151電流讀出單元
[0037]152電壓讀出單元
[0038]16地址緩沖鎖存單元
[0039]17數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元
[0040]18驅(qū)動電路單元[0041 ]19敏感放大器單元
[0042]20邏輯控制單元
【具體實(shí)施方式】
[0043]以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0044]請參閱圖1?圖2。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0045]實(shí)施例一
[0046]如圖1所示，本發(fā)明提供一種具有保持力測試功能的相變存儲器I，所述具有保持力測試功能的相變存儲器I包括:
[0047]存儲陣列10、行譯碼器單元11、列譯碼器單元12、列選擇器單元13、電壓源單元141、電流讀出單元151、地址緩沖鎖存單元16、數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元17、驅(qū)動電路單元18、敏感放大器單元19、邏輯控制單元20以及配置單元。
[0048]如圖1所示，所述存儲陣列10由存儲單元按照一定的行和列相交叉所組成，用于對數(shù)據(jù)信息進(jìn)行存儲。
[0049]如圖1所示，所述地址緩沖鎖存單元16的輸入端連接地址總線及所述邏輯控制單元20，輸出端連接所述行譯碼器單元11及所述列譯碼器單元12。
[0050]具體地，如圖1所示，所述地址緩沖鎖存單元16受所述邏輯控制單元20的控制接收外部地址信號，并對外部地址信號進(jìn)行緩存，然后分別將行地址信號及列地址信號發(fā)送到所述行譯碼器單元11及所述列譯碼器單元12。
[0051]如圖1所示，所述行譯碼器單元11的輸入端連接所述地址緩沖鎖存單元16及所述邏輯控制單元20，輸出端連接所述存儲陣列10。
[0052]具體地，如圖1所示，所述行譯碼器單元11受所述邏輯控制單元20的控制接收所述地址緩沖鎖存單元16輸出的行地址信號，對所述行地址信號進(jìn)行譯碼得到行地址選擇信號，并將所述行地址選擇信號輸入到所述存儲陣列10中，所述行地址選擇信號開啟所述存儲陣列10中相應(yīng)的字線，即開啟某一行存儲單元。
[0053]如圖1所示，所述列譯碼器單元12的輸入端連接所述地址緩沖鎖存單元16及所述邏輯控制單元20，輸出端連接所述列選擇器單元13。
[0054]具體地，如圖1所示，所述列譯碼器單元12受所述邏輯控制單元20的控制接收所述地址緩沖鎖存單元16輸出的列地址信號，對所述列地址信號進(jìn)行譯碼得到列地址選擇信號，并將所述列地址選擇信號輸入到所述列選擇器單元13中。
[0055]如圖1所示，所述列選擇器單元13的輸入端連接所述列譯碼器單元12、所述電壓源單元141、所述驅(qū)動電路單元18，輸出端連接所述電流讀出單元151、所述敏感放大器單元19，同時與所述存儲陣列10雙向連接。
[0056]具體地，如圖1所示，所述列選擇器單元13接收所述列地址選擇信號，根據(jù)所述列地址選擇信號開啟所述存儲陣列10中相應(yīng)的位線，然后將輸入或輸出數(shù)據(jù)從相應(yīng)存儲單元中寫入或讀出。所述列選擇器單元13由包括但不限于傳輸門或MOS晶體管的器件組成，在本實(shí)施例中，所述列選擇器單元13由NMOS晶體管組成。
[0057]如圖1所示，所述電壓源單元141的輸入端連接所述邏輯控制單元20，輸出端連接所述列選擇器單元13。
[0058]具體地，如圖1所示，所述電壓源單元141受所述邏輯控制單元20的控制，向所述列選擇器單元13輸出一用于保持力測試的小電壓，即保持力測試電壓信號。所述保持力測試電壓信號通過所述列選擇器單元13加載到選中的存儲單元上。
[0059]如圖1所示，所述電流讀出單元151的輸入端連接所述邏輯控制單元20、所述列選擇器單元13，輸出端連接測試總線。
[0060]具體地，如圖1所示，所述電流讀出單元151受所述邏輯控制單元20的控制，通過所述寫選擇器單元讀取加載有所述保持力測試電壓信號的存儲單元上的電流，并通過所述測試總線將讀取到的電流輸出到外部監(jiān)控設(shè)備上，以測試所述存儲單元的保持力特性。
[0061]如圖1所示，所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元17的輸入端連接所述邏輯控制單元20、所述敏感放大器單元19，輸出端連接所述驅(qū)動電路單元18，同時與數(shù)據(jù)總線雙向連接。
[0062]具體地，如圖1所示，所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元17受所述邏輯控制單元20的控制，將數(shù)據(jù)傳入所述驅(qū)動電路單元18或從所述敏感放大器單元19讀取數(shù)據(jù)，然后經(jīng)過雙向連接的數(shù)據(jù)總線實(shí)現(xiàn)與外部電路的數(shù)據(jù)傳遞。
[0063]如圖1所示，所述驅(qū)動電路單元18的輸入端連接于所述邏輯控制單元20、所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元17、所述配置電路單元(圖中未顯示)，輸出端連接所述列選擇器單元13。
[0064]具體地，如圖1所示，所述驅(qū)動電路單元18接收所述邏輯控制單元20的邏輯控制命令及所述配置電路單元的配置信息，將從所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元17接收到的數(shù)據(jù)通過所述列選擇器單元13輸入到所述所述存儲陣列10，在本實(shí)施例中，以驅(qū)動電流脈沖的形式寫入到所述存儲陣列10中。
[0065]如圖1所示，所述敏感放大器單元19的輸入端連接所述邏輯控制單元20、所述配置電路單元、所述列選擇器單元13，輸出端連接所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元17。
[0066]具體地，如圖1所示，所述敏感放大器單元19接收所述邏輯控制單元20的邏輯控制命令及所述配置電路單元的配置信息，在讀操作時，用于接收所述列選擇器單元13所選擇的所述存儲陣列10中需要讀出的數(shù)據(jù)，并依據(jù)邏輯控制指令放大其接收到的數(shù)據(jù)，將放大后的數(shù)據(jù)輸出至所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元17。
[0067]如圖1所示，所述邏輯控制單元20的輸入端連接控制總線，對所述具有保持力測試功能的相變存儲器I選擇、寫入、讀出、保持力測試等狀態(tài)進(jìn)行邏輯控制，包括但不限于時鐘信號(CLK)，片選使能信號(/CE)，寫入使能信號(/WE)，讀出使能信號(/0E)，保持力測試使能信號(/AE)。
[0068]本發(fā)明的具有保持力測試功能的相變存儲器加入電壓源單元以及對應(yīng)的電流讀出模塊，在對存儲單元進(jìn)行保持力測試時，用戶通過控制總線對存儲單元施加小電壓，外部監(jiān)控設(shè)備通過電流讀出模塊端口對存儲單元的電流變化情況進(jìn)行記錄，統(tǒng)計存儲狀態(tài)失效的時間，從而得到相變存儲器的保持力特性，操作簡單、準(zhǔn)確性高。
[0069]在本實(shí)施例中，本發(fā)明的具有保持力測試功能的相變存儲器I集成于以芯片內(nèi)，通過內(nèi)部單元施加保持力測試電壓信號，可有效減小干擾和寄生因素影響小，性能大大提高。
[0070]實(shí)施例二
[0071]如圖2所示，本實(shí)施例提供一種具有保持力測試功能的相變存儲器I，本實(shí)施例的具有保持力測試功能的相變存儲器I與實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處在于，用電流源單元142代替實(shí)施例一中的電壓源單元141，用電壓讀出單元152代替實(shí)施例一中的電流讀出單元151。
[0072]如圖2所示，所述電流源單元的輸入端連接所述邏輯控制單元20，輸出端連接所述列選擇器單元13。
[0073]具體地，如圖2所示，所述電流源單元受所述邏輯控制單元20的控制，向所述列選擇器單元13輸出一用于保持力測試的小電流，即保持力測試電流信號。所述保持力測試電流信號通過所述列選擇器單元13加載到選中的存儲單元上。
[0074]如圖2所示，所述電壓讀出單元的輸入端連接所述邏輯控制單元20、所述列選擇器單元13，輸出端連接測試總線。
[0075]具體地，如圖2所示，所述電壓讀出單元受所述邏輯控制單元20的控制，通過所述寫選擇器單元讀取加載有所述保持力測試電流信號的存儲單元上的電壓，并通過所述測試總線將讀取到的電壓輸出到外部監(jiān)控設(shè)備上，以測試所述存儲單元的保持力特性。
[0076]其他單元的連接關(guān)系和工作原理與實(shí)施例--致，在此不--贅述。
[0077]如上所述，本發(fā)明的具有保持力測試功能的相變存儲器，具有以下有益效果:
[0078]本發(fā)明的具有保持力測試功能的相變存儲器加入電壓源/電流源以及對應(yīng)的電流/電壓讀出模塊，在對存儲單元進(jìn)行保持力測試時，用戶通過控制總線對存儲單元施加電壓/電流，外部監(jiān)控設(shè)備通過電流/電壓讀出模塊端口對存儲單元的電流/電壓變化情況進(jìn)行記錄，統(tǒng)計存儲狀態(tài)失效的時間，從而得到相變存儲器的保持力特性；同時，內(nèi)部施加電壓/電流信號比從外面施加的信號的干擾和寄生因素影響小，性能好。
[0079]綜上所述，本發(fā)明提供一種具有保持力測試功能的相變存儲器，包括:存儲陣列、行譯碼器單元、列譯碼器單元、列選擇器單元、電壓源/電流源單元及電流/電壓讀出單元；所述行譯碼器單元接收行地址信號，對所述行地址信號進(jìn)行譯碼得到行地址選擇信號，并根據(jù)所述行地址選擇信號開啟所述存儲陣列中相應(yīng)的字線;所述列譯碼器單元接收列地址信號，對所述列地址信號進(jìn)行譯碼得到列地址選擇信號;所述電壓源/電流源單元輸出保持力測試電壓/電流信號;所述列選擇器單元連接于所述列譯碼器單元及所述電壓源/電流源單元的輸出端，根據(jù)所述列地址選擇信號開啟所述存儲陣列中相應(yīng)的位線，并將保持力測試電壓/電流信號加載到相應(yīng)的存儲單元上;所述電流/電壓讀出單元連接于所述列選擇器單元的輸出端，讀取加載有所述保持力測試電壓/電流信號的存儲單元上的電流/電壓，以測試所述存儲單元的保持力特性。本發(fā)明的具有保持力測試功能的相變存儲器加入電壓源/電流源以及對應(yīng)的電流/電壓讀出模塊，在對存儲單元進(jìn)行保持力測試時，用戶通過控制總線對存儲單元施加電壓/電流，外部監(jiān)控設(shè)備通過電流/電壓讀出模塊端口對存儲單元的電流/電壓變化情況進(jìn)行記錄，統(tǒng)計存儲狀態(tài)失效的時間，從而得到相變存儲器的保持力特性；同時，內(nèi)部施加電壓/電流信號比從外面施加的信號的干擾和寄生因素影響小，性能好。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0080]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種具有保持力測試功能的相變存儲器，其特征在于，所述具有保持力測試功能的相變存儲器至少包括: 存儲陣列、行譯碼器單元、列譯碼器單元、列選擇器單元、電壓源單元及電流讀出單元； 所述行譯碼器單元接收行地址信號，對所述行地址信號進(jìn)行譯碼得到行地址選擇信號，并根據(jù)所述行地址選擇信號開啟所述存儲陣列中相應(yīng)的字線； 所述列譯碼器單元接收列地址信號，對所述列地址信號進(jìn)行譯碼得到列地址選擇信號； 所述電壓源單元輸出保持力測試電壓信號； 所述列選擇器單元連接于所述列譯碼器單元及所述電壓源單元的輸出端，根據(jù)所述列地址選擇信號開啟所述存儲陣列中相應(yīng)的位線，并將保持力測試電壓信號加載到相應(yīng)的存儲單元上； 所述電流讀出單元連接于所述列選擇器單元的輸出端，讀取加載有所述保持力測試電壓信號的存儲單元上的電流，以測試所述存儲單元的保持力特性。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有保持力測試功能的相變存儲器，其特征在于:還包括數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元、驅(qū)動電路單元以及敏感放大器單元； 所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元連接數(shù)據(jù)總線，用于傳遞數(shù)據(jù)信號； 所述驅(qū)動電路單元連接于所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元及所述列選擇器單元之間，接收所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元輸出的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)以電流脈沖的形式通過所述列選擇器單元輸入到相應(yīng)的存儲單元中； 所述敏感放大器單元連接于所述列選擇器單元及所述數(shù)據(jù)緩沖鎖存單元之間，存儲單元中的數(shù)據(jù)通過所述列選擇器單元傳輸?shù)剿雒舾蟹糯笃鲉卧?，所述敏感放大器單元將讀取到的數(shù)據(jù)進(jìn)行放大，并傳輸?shù)剿鰯?shù)據(jù)緩沖鎖存單元，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀出。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有保持力測試功能的相變存儲器，其特征在于:還包括配置單元，所述配置單元連接于所述驅(qū)動電路單元以及敏感放大器單元的輸入端，為所述驅(qū)動電路單元以及敏感放大器單元提供配置信號。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有保持力測試功能的相變存儲器，其特征在于:還包括連接于所述行譯碼器單元及所述列譯碼器單元輸入端的地址緩沖鎖存單元，所述地址緩沖鎖存單元連接地址總線，接收外部地址信號并分別將行地址信號及列地址信號發(fā)送給所述行譯碼器單元及所述列譯碼器單元。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有保持力測試功能的相變存儲器，其特征在于:還包括連接于各單元輸入端的邏輯控制單元，所述邏輯控制單元連接控制總線，接收外部控制信號并分別對各單元進(jìn)行邏輯控制。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有保持力測試功能的相變存儲器，其特征在于:所述列選擇器單元由傳輸門或MOS晶體管組成。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6任意一項所述的具有保持力測試功能的相變存儲器，其特征在于:用電流源單元代替所述電壓源單元，用電壓讀出單元代替所述電流讀出單元;所述電流源單元輸出保持力測試電流信號;所述電壓讀出單元讀取加載有所述保持力測試電流信號的存儲單元上的電壓，以測試所述存儲單元的保持力特性。
【文檔編號】G11C13/00GK106024054SQ201610349687
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月24日
【發(fā)明人】蔡道林, 陳 峰, 陳一峰, 宋志棠, 王月青, 霍如如, 魏宏陽, 盧瑤瑤
【申請人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所