存儲器裝置與其操作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種存儲器裝置與其操作方法，該操作方法包括：決定該存儲器裝置的一操作狀態(tài)；當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第一操作狀態(tài)時，施加一重設(shè)脈沖至該存儲器裝置；當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第二操作狀態(tài)時，施加該重設(shè)脈沖與至少一第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器裝置，該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于一熔化電流；當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第三操作狀態(tài)時，施加該重設(shè)脈沖與至少一第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器裝置，該第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于該熔化電流；以及當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第四操作狀態(tài)時，施加一設(shè)定脈沖至該存儲器裝置。
【專利說明】
存儲器裝置與其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲器裝置與其操作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]儲存級存儲器(Storage Class Memory, SCM)可用于減少系統(tǒng)延遲(systemlatency)，故已愈來愈受到注意。然而，以目前來看的話，由于長寫入延遲與高寫入耗能，使得不易將多位階控制相變存儲器應(yīng)用至儲存級存儲器。
[0003]故而，需要能有一種存儲器裝置與其操作方法，能改善存儲器裝置性能，比如，能達到短寫入延遲與低寫入耗能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲器裝置與其操作方法，其利用至少一個遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流及/或至少一個相同脈沖設(shè)定檢驗電流來編程存儲器陣列，以減少寫入延遲與寫入耗能。
[0005]根據(jù)本發(fā)明一實施例，提出一種存儲器裝置的操作方法，包括:決定該存儲器裝置的一操作狀態(tài)；當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第一操作狀態(tài)時，施加一重設(shè)脈沖至該存儲器裝置；當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第二操作狀態(tài)時，施加該重設(shè)脈沖與至少一第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器裝置，該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于一熔化電流；當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第三操作狀態(tài)時，施加該重設(shè)脈沖與至少一第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器裝置，該第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于該熔化電流；以及當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第四操作狀態(tài)時，施加一設(shè)定脈沖至該存儲器裝置。
[0006]根據(jù)本發(fā)明另一實施例，提出一種存儲器裝置，包括:一存儲器陣列；一控制電路，根據(jù)一輸入數(shù)據(jù)來決定該存儲器陣列的一操作狀態(tài)；以及一脈沖產(chǎn)生電路，耦接至該存儲器陣列與該控制電路，受控于該控制電路。當(dāng)該控制電路決定該存儲器陣列操作于一第一操作狀態(tài)時，該脈沖產(chǎn)生電路施加一重設(shè)脈沖至該存儲器陣列。當(dāng)該控制電路決定該存儲器陣列操作于一第二操作狀態(tài)時，該脈沖產(chǎn)生電路施加該重設(shè)脈沖與至少一第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器陣列，該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于一熔化電流。當(dāng)該控制電路決定該存儲器陣列操作于一第三操作狀態(tài)時，該脈沖產(chǎn)生電路施加該重設(shè)脈沖與至少一第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器陣列，該第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于該熔化電流。當(dāng)該控制電路決定該存儲器陣列操作于一第四操作狀態(tài)時，該脈沖產(chǎn)生電路施加一設(shè)定脈沖至該存儲器陣列。
[0007]為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下:
【附圖說明】
[0008]圖1顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的存儲器裝置的功能方塊圖。
[0009]圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的存儲器裝置的操作方法。
[0010]圖3A顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的所施加的脈沖電流的波形圖。
[0011]圖3B顯示于應(yīng)用本發(fā)明實施例的操作方法后，晶體管陣列的電阻值與正規(guī)化存儲器單元數(shù)量的關(guān)系。
[0012]圖3C顯示應(yīng)用本發(fā)明實施例的脈沖數(shù)量與正規(guī)化存儲器單元數(shù)量的關(guān)系。
[0013]圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的所施加的脈沖電流的另一種可能波形圖。
[0014]圖5顯示阻抗值-電流值的關(guān)系值，以解釋「熔化電流」。
[0015]【符號說明】
[0016]100:存儲器裝置 110:存儲器陣列
[0017]120:脈沖產(chǎn)生電路 130:控制電路
[0018]201 ?280:步驟
【具體實施方式】
[0019]本說明書的技術(shù)用語是參照本技術(shù)領(lǐng)域的習(xí)慣用語，如本說明書對部分用語有加以說明或定義，該部分用語的解釋是以本說明書的說明或定義為準(zhǔn)。本揭露的各個實施例分別具有一或多個技術(shù)特征。在可能實施的前提下，本技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者可選擇性地實施任一實施例中部分或全部的技術(shù)特征，或者選擇性地將這些實施例中部分或全部的技術(shù)特征加以組合。
[0020]現(xiàn)請參考圖1，其顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的存儲器裝置的功能方塊圖。如圖1所示，存儲器裝置100包括:存儲器陣列110、脈沖產(chǎn)生電路120與控制電路130。在此，存儲器裝置100以雙端點(2-terminal)存儲器裝置為例做說明，但當(dāng)知本發(fā)明并不受限于此。進一步地，雙端點存儲器裝置比如包括阻抗型(resistive type)存儲器裝置，而阻抗型存儲器單元比如包括相變型存儲器(PCM, phase change memory)裝置，磁阻式隨機存取存儲器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)裝置或可變電阻式存儲器(Resistiverandom-access memory，RRAM 或 ReRAM)裝置等。
[0021]存儲器陣列110包括排列成陣列的多個存儲器單元。該些存儲器單元可比如為多位階控制(MLC)相變型存儲器單元，其利用不同的電阻位階來儲存數(shù)據(jù)。比如，當(dāng)被編程至高阻抗時，其可儲存位I ;相反地，當(dāng)被編程至低阻抗時，其可儲存位O。此外，單一存儲器單元可以儲存至少2位。
[0022]控制電路130根據(jù)輸入數(shù)據(jù)IN來決定存儲器陣列110要被編程至何種狀態(tài)，據(jù)以產(chǎn)生狀態(tài)信號SS(state signal)給脈沖產(chǎn)生電路120。
[0023]脈沖產(chǎn)生電路120耦接至存儲器陣列110與控制電路130。根據(jù)由控制電路130所傳來的狀態(tài)信號SS，脈沖產(chǎn)生電路120產(chǎn)生脈沖給存儲器陣列110，以將存儲器陣列110編程至不同狀態(tài)。在此，以存儲器陣列110可操作于4種狀態(tài)00、01、10與11為例做說明，所謂的「狀態(tài)00」是指將存儲器單元編程，以儲存位00。其余的狀態(tài)可依此類推。
[0024]現(xiàn)將說明本發(fā)明實施例如何將存儲器陣列編程。
[0025]如圖2所示，其顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的存儲器裝置的操作方法。如圖2所示，在步驟210中，決定存儲器陣列110的狀態(tài)。比如，由控制電路130根據(jù)輸入數(shù)據(jù)IN來要將決定存儲器陣列I1編程至何種狀態(tài)(比如，狀態(tài)00，狀態(tài)01，狀態(tài)10與狀態(tài)11之一)。如果要將存儲器陣列I1編程至狀態(tài)11的話，則如步驟220所示，施加重設(shè)脈沖RESET_P至存儲器陣列110。如果要將存儲器陣列110編程至狀態(tài)10的話，則如步驟240-248所示，施加重設(shè)脈沖RESET_P與遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流(incremental pulse set verificat1ncurrent) SJNfSjrV..至存儲器陣列110。如果要將存儲器陣列110編程至狀態(tài)01的話，則如步驟260-268所示，施加重設(shè)脈沖RESET_P與相同脈沖設(shè)定檢驗電流(identical pulseset verificat1n current) SJDaSJD2."至存儲器陣列110。如果要將存儲器陣列110編程至狀態(tài)00的話，則如步驟280所示，施加設(shè)定脈沖SET_P至存儲器陣列110。
[0026]現(xiàn)將詳細說明如何將存儲器陣列110編程至狀態(tài)10。如步驟240所示，施加重設(shè)脈沖RESET_P至存儲器陣列110。如步驟242所示，將參數(shù)i設(shè)定為初始值(i = I)，其中參數(shù)i可視為是所要施加的遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的數(shù)量。在步驟244中，施加遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流SJNASJNy+SJN1至存儲器陣列110。在步驟246中，檢查存儲器陣列110是否已通過檢驗(也就是，檢查存儲器陣列110是否已被編程至狀態(tài)10)。如果是的話，則操作結(jié)束。如果不是的話，則在步驟248中，將i值加l(i = i+Ι)，且流程回至步驟244。也就是說，如果仍未將存儲器陣列110編程至狀態(tài)10的話，則所要施加的遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的數(shù)量要增加(比如，加I)。
[0027]現(xiàn)將詳細說明如何將存儲器陣列110編程至狀態(tài)01。相似地，如步驟260所示，施加重設(shè)脈沖RESET_P至存儲器陣列110。如步驟262所示，將參數(shù)j設(shè)定為初始值(j =I)，其中參數(shù)j可視為是所要施加的相同脈沖設(shè)定檢驗電流的數(shù)量。在步驟264中，施加相同脈沖設(shè)定檢驗電流SJDaSJD2*"+SJDj至存儲器陣列110。在步驟266中，檢查存儲器陣列110是否已通過檢驗(也就是，檢查存儲器陣列110是否已被編程至狀態(tài)01)。如果是的話，則操作結(jié)束。如果不是的話，則在步驟268中，將j值加l(j = j+1)，且流程回至步驟264。也就是說，如果仍未將存儲器陣列110編程至狀態(tài)01的話，則所要施加的相同脈沖設(shè)定檢驗電流的脈沖數(shù)量要增加(比如，加I)。
[0028]現(xiàn)請參考圖3A，其顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的所施加的脈沖電流的波形圖。如圖3A所示，在本發(fā)明實施例中，設(shè)定脈沖SET_P比如是呈階梯變化，其脈沖寬度比如為800ns，其初始電流比如為200 μ Α，也可稱為單一階梯式設(shè)定脈沖。也就是說，在脈沖寬度之內(nèi)，設(shè)定脈沖SET_P從初始電流200 μ A逐漸降低至某一值(比如，0Α)。
[0029]重設(shè)脈沖RESET_P比如是，其脈沖寬度為40ns，其電流值為400 μΑ。亦即，在短時間內(nèi)施加高電流(重設(shè)脈沖RESET_P)，以讓存儲器單元呈現(xiàn)非結(jié)晶形(amorphous)，來讓存儲器單元被編程為狀態(tài)11。
[0030]遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流S_INp S_IN2、…、SJN1如圖3A所示。在此，遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流3_1&、S_IN2、…、3_1隊的脈沖寬度比如固定為160ns，且各遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流呈現(xiàn)階梯式變化，故而，圖3A的遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流S_IN1、S_IN2、…、SJN1也可稱為遞增式階梯脈沖設(shè)定檢驗電流。在這些遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流S_IN 1、S_IN2,…、SJN1中，遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流S_IN:具有最低初始電流值(比如是25 μ A)，遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流3_1隊具有第二低初始電流值(比如是25 μ Α+2 μ A = 27 μ Α);依此類推。也就是說，所謂的「遞增式」是指，愈后面所施加的脈沖設(shè)定檢驗電流的初始電流值愈大。由圖式可看出，在后的遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流S-1N1的初始電流高于在前的遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流3_爪(1 1)0在此假設(shè)遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的最大可允許初始電流值不可超過恪化電流(melting current)，恪化電流比如為45 μ A。
[0031]同樣地，以遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流SJN1來看，在其脈沖寬度之內(nèi)，其電流值由初始電流值逐漸降低至一值(比如O)。
[0032]相同脈沖設(shè)定檢驗電流S_ID2…、3_叫如圖3A所示。在此，相同脈沖設(shè)定檢驗電流…、SJDj的脈沖寬度比如固定為160ns，且各相同脈沖設(shè)定檢驗電流呈現(xiàn)階梯式變化，故而，圖3A的相同脈沖設(shè)定檢驗電流S_ID1、S_ID2、…、S_ID^可稱為相同階梯脈沖設(shè)定檢驗電流。這些相同脈沖設(shè)定檢驗電流S_IDp S_ID2、…、SJDj具有相同初始電流值(比如是45 μ A)。在此假設(shè)相同脈沖設(shè)定檢驗電流的最大可允許初始電流值不可以超過熔化電流。同樣地，以相同脈沖設(shè)定檢驗電流S_ID,來看，在其脈沖寬度之內(nèi)，其電流值由初始電流值逐漸降低至O。其實，各相同脈沖設(shè)定檢驗電流SJDp S_ID2、…、S_IDj乃是相同的。
[0033]請同時參考圖2與圖3A。要將存儲器陣列110編程至狀態(tài)10時，先施加重設(shè)脈沖RESET_P至存儲器陣列110。接著，在第I個循環(huán)中，施加遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流3_1&至存儲器陣列110，并決定是否存儲器陣列110已通過檢驗。如果尚未的話，代表存儲器陣列110的電阻值仍過高，需要施加更多的遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流給存儲器陣列110。故而，在第2個循環(huán)中，施加遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流3_1&與S_IN2 (也就是要多施加一個遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流)至存儲器陣列110，并決定是否存儲器陣列110已通過檢驗。依此類推，直到存儲器陣列110通過檢驗為止。
[0034]相似地，要將存儲器陣列編程至狀態(tài)01時，先施加重設(shè)脈沖RESET_P至存儲器陣列110。接著，在第I個循環(huán)中，施加相同脈沖設(shè)定檢驗電流S_IDi至存儲器陣列110，并決定是否存儲器陣列110已通過檢驗。如果尚未的話，代表存儲器陣列110的電阻值仍過高，需要施加更多的相同脈沖設(shè)定檢驗電流給存儲器陣列110。故而，在第2個循環(huán)中，施加相同脈沖設(shè)定檢驗電流3_101與S_ID2 (也就是要多施加一個相同脈沖設(shè)定檢驗電流)至存儲器陣列110，并決定是否存儲器陣列110已通過檢驗。依此類推，直到存儲器陣列110通過檢驗為止。
[0035]圖3B顯示應(yīng)用本發(fā)明實施例的操作方法后，晶體管陣列的電阻值與正規(guī)化存儲器單元數(shù)量的關(guān)系。正規(guī)化存儲器單元數(shù)量指的是，落在此電阻值的存儲器單元的正規(guī)化百分比。由圖3B可看出，經(jīng)應(yīng)用本發(fā)明實施例后，可被判定為狀態(tài)11的存儲器單元的百分比約為98.3% ;可被判定為狀態(tài)10的存儲器單元的百分比約為97.4%可被判定為狀態(tài)01的存儲器單元的百分比約為98.9% ;以及可被判定為狀態(tài)00的存儲器單元的百分比約為99.9%。由圖3B可看出，在本發(fā)明實施例中，可以有效地將絕大部份存儲器單元編程至所需要的狀態(tài)，故而，存儲器裝置的性能可獲得改善。
[0036]圖3C則顯示應(yīng)用本發(fā)明實施例的脈沖數(shù)量(i或j值)與正規(guī)化存儲器單元數(shù)量的關(guān)系。如圖3C所示，以狀態(tài)01來看，絕大部份的存儲器單元可在脈沖數(shù)量為3 (j = 3)即被編程至狀態(tài)01 ;相似地，以狀態(tài)10來看，絕大部份的存儲器單元可在脈沖數(shù)量為4 (i =4)即被編程至狀態(tài)10。故而，由圖3C可看出，本發(fā)明實施例的確可以大幅減少所需要脈沖數(shù)量，故而，能降低功率消耗并減少寫入延遲。
[0037]現(xiàn)請參考圖4，其顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的所施加的脈沖電流的另一種可能波形圖。圖4的設(shè)定脈沖SET_P與重設(shè)脈沖RESET_P的波形基本上可以相同或相似于圖3A，故其細節(jié)在此省略。
[0038]在圖4中，遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流S_IN/、S_IN2’ -,S.1N/的脈沖寬度比如固定為40ns，且其為方波，故而，圖4的遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流也可稱為遞增式方波脈沖設(shè)定檢驗電流。在這些遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流SJN1’、S_IN2’ -,S.1N/中，遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流SJN1 ’具有最低初始電流值(比如是25 μ A)，遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流S_IN2’具有第二低初始電流值(比如是25 μΑ+2 μΑ = 27 μ A);依此類推。遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的最大可允許初始電流值不可超過熔化電流。由圖式可看出，在后的遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流SJN1 ’的初始電流高于在前的遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流S_IN(1 1),0
[0039]相同脈沖設(shè)定檢驗電流SJD1 ’、S_ID2’、…、S_ID/如圖4所示。在此，相同脈沖設(shè)定檢驗電流SJD1’、S_ID2’、-,S_ID/的脈沖寬度比如固定為40ns，且其為方波，故而，圖4的相同脈沖設(shè)定檢驗電流S_ID/、S_ID2’、-^S_ID/也可稱為相同方波脈沖設(shè)定檢驗電流。這些相同脈沖設(shè)定檢驗電流SJD1’、S_ID2’、…、S_ID/具有相同初始電流值(比如是45 μ A)。在此假設(shè)相同脈沖設(shè)定檢驗電流的最大可允許初始電流值為45 μ Α，請注意，相同脈沖設(shè)定檢驗電流的最大可允許初始電流值不可以超過熔化電流。其實，各相同脈沖設(shè)定檢驗電流S_ID/、S_ID2’、...、S_ID/乃是相同的。
[0040]此外，在上例中，設(shè)定檢驗電流S_ID/S_ID’ /S_IN/S_IN’雖以階梯波形或方波為例做說明，但本發(fā)明并不受限于此。比如，在本發(fā)明其他可能實施例中，設(shè)定檢驗電流S_ID/S_ID’/S_IN/S_IN’的波形也可為三角波、梯形等皆可。其原則乃是:以遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流S_IN/S_IN’而言，愈后面的遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流/S_IN’的初始電流愈高。以相同脈沖設(shè)定檢驗電流S_ID/S_ID’而言，所有的相同脈沖設(shè)定檢驗電流S_ID/S_ID’皆相同。
[0041]圖5顯示阻抗值-電流值的關(guān)系值，以解釋「熔化電流」。圖5的左邊子圖代表，當(dāng)施加脈沖寬度為40ns的脈沖時，阻抗值對電流值(由10 μ A變化至100 μ Α)的情形。在圖5的中間子圖代表，當(dāng)施加脈沖寬度為160ns的脈沖時，阻抗值對電流值(由10 μ A變化至100 μ Α)的情形。圖5的右邊子圖代表，當(dāng)施加脈沖寬度為480ns的脈沖時，阻抗值對電流值(由10 μ A變化至100 μ A)的情形。由圖5的中間子圖與右邊子圖可看出，當(dāng)操作電流超過某一臨界值(約50μΑ)時，阻抗值會由低阻值急劇變化成高阻值，將此臨界值稱為熔化電流Imelt。也就是說，如果所施加的操作電流超過恪化電流Imelt的話，則阻抗值會由低阻抗值急劇變成高阻抗值。
[0042]故而，在本發(fā)明實施例中，為避免阻抗值的急劇變化，在要將存儲器陣列編程至狀態(tài)01與狀態(tài)10時，所施加的電流不可以超過熔化電流Imelt。
[0043]如上所述，在本發(fā)明上述實施例中，存儲器裝置具有短寫入延遲(short writelatency)，{氐寫人耗會泛(low write power consumpt1n)、高十生會^ (high performance)、高可靠度(high reliability)、快速與正確編程等優(yōu)點。
[0044]綜上所述，雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視隨附的權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種存儲器裝置的操作方法，包括: 決定該存儲器裝置的一操作狀態(tài)； 當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第一操作狀態(tài)時，施加一重設(shè)脈沖至該存儲器裝置；當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第二操作狀態(tài)時，施加該重設(shè)脈沖與至少一第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器裝置，該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于一恪化電流； 當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第三操作狀態(tài)時，施加該重設(shè)脈沖與至少一第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器裝置，該第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于該熔化電流；以及 當(dāng)決定該存儲器裝置操作于一第四操作狀態(tài)時，施加一設(shè)定脈沖至該存儲器裝置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的操作方法，其中， 根據(jù)一輸入數(shù)據(jù)來決定該存儲器裝置的該操作狀態(tài)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的操作方法，其中， 該重設(shè)脈沖包括一單一階梯式重設(shè)脈沖，以讓該存儲器裝置的多個存儲器單元被編程為非結(jié)晶形；以及 該設(shè)定脈沖包括一單一階梯式設(shè)定脈沖。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的操作方法，其中， 處于該第一操作狀態(tài)下的多個存儲器單元具有一最高阻抗值； 于該第二操作狀態(tài)下的該些存儲器單元具有一第二高阻抗值； 于該第三操作狀態(tài)下的該些存儲器單元具有一第三高阻抗值；以及 于該第四操作狀態(tài)下的該些存儲器單元具有一最低阻抗值。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的操作方法，其中， 當(dāng)決定該存儲器裝置操作于該第二操作狀態(tài)時，于施加該重設(shè)脈沖與該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器裝置之后，檢查該存儲器裝置是否已被編程至該第二操作狀態(tài)； 如果否，則施加一第二遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器裝置之后，并檢查該存儲器裝置是否已被編程至該第二操作狀態(tài)； 該第二遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于該熔化電流；以及該第二遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的該最大可允許電流高于該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的該最大可允許電流。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器裝置的操作方法，其中， 該第一與該第二遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流由下列群組選出:階梯式脈沖，方波脈沖，三角波脈沖，梯形脈沖。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置的操作方法，其中， 當(dāng)決定該存儲器裝置操作于該第三操作狀態(tài)時，于施加該重設(shè)脈沖與該第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器裝置之后，檢查該存儲器裝置是否已被編程至該第三操作狀態(tài)；如果否，則施加一第二相同脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器裝置之后，并檢查該存儲器裝置是否已被編程至該第三操作狀態(tài)； 該第二相同脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于該熔化電流；以及 該第二相同脈沖設(shè)定檢驗電流相同于該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器裝置的操作方法，其中， 該第一與該第二相同脈沖設(shè)定檢驗電流由下列群組選出:階梯式脈沖，方波脈沖，三角波脈沖，梯形脈沖。9.一種存儲器裝置，包括: 一存儲器陣列； 一控制電路，根據(jù)一輸入數(shù)據(jù)來決定該存儲器陣列的一操作狀態(tài)；以及 一脈沖產(chǎn)生電路，耦接至該存儲器陣列與該控制電路，受控于該控制電路， 其中， 當(dāng)該控制電路決定該存儲器陣列操作于一第一操作狀態(tài)時，該脈沖產(chǎn)生電路施加一重設(shè)脈沖至該存儲器陣列； 當(dāng)該控制電路決定該存儲器陣列操作于一第二操作狀態(tài)時，該脈沖產(chǎn)生電路施加該重設(shè)脈沖與至少一第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器陣列，該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于一熔化電流； 當(dāng)該控制電路決定該存儲器陣列操作于一第三操作狀態(tài)時，該脈沖產(chǎn)生電路施加該重設(shè)脈沖與至少一第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器陣列，該第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于該熔化電流；以及 當(dāng)該控制電路決定該存儲器陣列操作于一第四操作狀態(tài)時，該脈沖產(chǎn)生電路施加一設(shè)定脈沖至該存儲器陣列。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中， 該重設(shè)脈沖包括一單一階梯式重設(shè)脈沖，以讓該存儲器陣列的多個存儲器單元被編程為非結(jié)晶形；以及 該設(shè)定脈沖包括一單一階梯式設(shè)定脈沖。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中， 處于該第一操作狀態(tài)下的多個存儲器單元具有一最高阻抗值； 于該第二操作狀態(tài)下的該些存儲器單元具有一第二高阻抗值； 于該第三操作狀態(tài)下的該些存儲器單元具有一第三高阻抗值；以及 于該第四操作狀態(tài)下的該些存儲器單元具有一最低阻抗值。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中， 當(dāng)該控制電路決定該存儲器陣列操作于該第二操作狀態(tài)時，于該脈沖產(chǎn)生電路施加該重設(shè)脈沖與該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器陣列之后，該控制電路檢查該存儲器陣列是否已被編程至該第二操作狀態(tài)； 如果否，則于該脈沖產(chǎn)生電路施加一第二遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器陣列之后，該控制電路檢查該存儲器陣列是否已被編程至該第二操作狀態(tài)； 該第二遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于該熔化電流；以及該第二遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的該最大可允許電流高于該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流的該最大可允許電流。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器裝置，其中， 該第一與該第二遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流由下列群組選出:階梯式脈沖，方波脈沖，三角波脈沖，梯形脈沖。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中， 當(dāng)該控制電路決定該存儲器陣列操作于該第三操作狀態(tài)時，于該脈沖產(chǎn)生電路施加該重設(shè)脈沖與該第一相同脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器陣列之后，該控制電路檢查該存儲器陣列是否已被編程至該第三操作狀態(tài)； 如果否，則于該脈沖產(chǎn)生電路施加一第二相同脈沖設(shè)定檢驗電流至該存儲器陣列之后，該控制電路檢查該存儲器陣列是否已被編程至該第三操作狀態(tài)； 該第二相同脈沖設(shè)定檢驗電流的一最大可允許電流低于該熔化電流；以及 該第二相同脈沖設(shè)定檢驗電流相同于該第一遞增式脈沖設(shè)定檢驗電流。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器裝置，其中， 該第一與該第二相同脈沖設(shè)定檢驗電流由下列群組選出:階梯式脈沖，方波脈沖，三角波脈沖，梯形脈沖。
【文檔編號】G11C16/34GK105825891SQ201510361901
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2015年6月26日
【發(fā)明人】簡維志, 何永涵
【申請人】旺宏電子股份有限公司