具有預(yù)充電的位線多工器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種位線多工器，尤其是一種具有預(yù)充電的位線多工器。
【背景技術(shù)】
[0002]參考圖1，其顯示只讀存儲器的系統(tǒng)方塊示意圖。只讀存儲器(Read OnlyMemory) 11是用以存儲數(shù)據(jù)或程序等，其通常利用一行解碼器12及一列解碼器及多工器13讀取數(shù)據(jù)或程序等。該現(xiàn)有只讀存儲器11是利用全面性(Global)的預(yù)充電，導(dǎo)致耗費不必要的功率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種具有預(yù)充電的位線多工器，可降低功率消耗。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是提供一種具有預(yù)充電的位線多工器，包括:一位線晶體管、一第一選擇晶體管、一第二選擇晶體管及一預(yù)充電晶體管。該位線晶體管的一柵極連接至一位線。該第一選擇晶體管連接該位線晶體管及一輸出端，該第一選擇晶體管的一柵極連接至一位選擇線。該第二選擇晶體管連接該位線晶體管及一設(shè)定電位端，該第二選擇晶體管的一柵極連接至該位選擇線。該預(yù)充電晶體管連接至該位線晶體管及該第二選擇晶體管，該預(yù)充電晶體管的一柵極連接至一預(yù)充電控制線。
[0005]利用本發(fā)明位線多工器，預(yù)充電控制線可在位選擇線到達該設(shè)定電位的同時或之后，再至該設(shè)定電位，亦即預(yù)充電控制線及該預(yù)充電晶體管是在該位線多工器內(nèi)分別地進行本地(Local)控制，故本發(fā)明的位線多工器可降低功率消耗。
【附圖說明】
[0006]圖1顯示只讀存儲器的系統(tǒng)方塊示意圖；
[0007]圖2顯示本發(fā)明具有預(yù)充電的位線多工器的一實施例的電路示意圖；
[0008]圖3顯示本發(fā)明具有預(yù)充電的位線多工器的一實施例的電路示意圖；
[0009]圖4顯示本發(fā)明圖2的位線多工器應(yīng)用于只讀存儲器的電路示意圖；
[0010]圖5顯示本發(fā)明圖4的位選擇線(BL_sel)、預(yù)充電控制線(Pre_BL)、字線(WL)及輸出閂鎖預(yù)充電控制線(Pre_ol)的時序示意圖；
[0011]圖6顯示本發(fā)明圖3的位線多工器應(yīng)用于只讀存儲器的電路示意圖；
[0012]圖7顯示本發(fā)明圖6的位選擇線(BL_sel)、預(yù)充電控制線(Pre_BL)、字線(WL)及輸出閂鎖預(yù)充電控制線(Pre_ol)的時序示意圖。
[0013]符號說明:
[0014]11只讀存儲器
[0015]12行解碼器
[0016]13列解碼器及多工器
[0017]20具有預(yù)充電的位線多工器
[0018]21位線晶體管
[0019]22第一選擇晶體管
[0020]23第二選擇晶體管
[0021]24預(yù)充電晶體管
[0022]25第三選擇晶體管
[0023]30具有預(yù)充電的位線多工器
[0024]31位線晶體管
[0025]32第一選擇晶體管
[0026]33第二選擇晶體管
[0027]34預(yù)充電晶體管
[0028]35第三選擇晶體管
[0029]41存儲單元
[0030]42 節(jié)點
[0031]43輸出閂鎖器
[0032]61存儲單元
[0033]62 節(jié)點
[0034]63輸出円鎖器
[0035]211位線晶體管的柵極
[0036]212位線晶體管的源極
[0037]213位線晶體管的漏極
[0038]221 第一選擇晶體管的柵極
[0039]222 第一選擇晶體管的源極
[0040]223 第一選擇晶體管的漏極
[0041]231 第二選擇晶體管的柵極
[0042]232 第二選擇晶體管的源極
[0043]233 第二選擇晶體管的漏極
[0044]241 預(yù)充電晶體管的柵極
[0045]242 預(yù)充電晶體管的源極
[0046]243 預(yù)充電晶體管的漏極
[0047]251 第三選擇晶體管的柵極
[0048]252 第三選擇晶體管的源極
[0049]253 第三選擇晶體管的漏極
[0050]311 位線晶體管的柵極
[0051]312 位線晶體管的源極
[0052]313 位線晶體管的漏極
[0053]321 第一選擇晶體管的柵極
[0054]322 第一選擇晶體管的源極
[0055]323 第一選擇晶體管的漏極
[0056]331第二選擇晶體管的柵極
[0057]332第二選擇晶體管的源極
[0058]333第二選擇晶體管的漏極
[0059]341預(yù)充電晶體管的柵極
[0060]342預(yù)充電晶體管的源極
[0061]343預(yù)充電晶體管的漏極
[0062]351第三選擇晶體管的柵極
[0063]352第三選擇晶體管的源極
[0064]353第三選擇晶體管的漏極
【具體實施方式】
[0065]圖2顯示本發(fā)明具有預(yù)充電的位線多工器的一實施例的電路示意圖。本發(fā)明的位線多工器20包括:一位線晶體管21、一第一選擇晶體管22、一第二選擇晶體管23及一預(yù)充電晶體管24。該位線晶體管21的一柵極211連接至一位線(Bit line，BL)。該位線(BL)可為一只讀存儲器的其中的一位線。該第一選擇晶體管22連接該位線晶體管21及一輸出端Tout，該第一選擇晶體管22的一柵極221連接至一位選擇線(BL_sel)。該第二選擇晶體管23連接該位線晶體管21及一設(shè)定電位端，該第二選擇晶體管23的一柵極231連接至該位選擇線(BL_sel)。該預(yù)充電晶體管24連接至該位線晶體管21及該第二選擇晶體管23，該預(yù)充電晶體管24的一柵極241連接至一預(yù)充電控制線(Pre_BL)。
[0066]在一實施例中，該位線晶體管21、該第一選擇晶體管22、該第二選擇晶體管23及該預(yù)充電晶體管24為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)。
[0067]該位線晶體管21的一源極212連接至該第一選擇晶體管22的一漏極223。該第一選擇晶體管22的一源極222連接至該輸出端Tout。該位線晶體管21的一漏極213連接至該第二選擇晶體管23的一源極232。該第二選擇晶體管23的一漏極233連接至該設(shè)定電位端，在一實施例中，該設(shè)定電位端為接地端。該預(yù)充電晶體管24的一源極242連接至該位線晶體管21的該柵極211，該預(yù)充電晶體管24的一漏極243連接至該位線晶體管21的該漏極213。
[0068]當(dāng)位選擇線(BL_sel)到達一設(shè)定電位時，該第一選擇晶體管22及該第二選擇晶體管23導(dǎo)通。之后，預(yù)充電控制線(Pre_BL)再至該設(shè)定電位，使該預(yù)充電晶體管24導(dǎo)通。
[0069]因此，利用本發(fā)明位線多工器，預(yù)充電控制線(Pre_BL)可在位選擇線(BL_sel)到達該設(shè)定電位的同時或之后，再至該設(shè)定電位，亦即預(yù)充電控制線(Pre_BL)及該預(yù)充電晶體管24是在該位線多工器20內(nèi)分別地進行本地(Local)控制，并非如現(xiàn)有技術(shù)全面性地進行預(yù)充電。故本發(fā)明的位線多工器可降低功率消耗。
[0070]本發(fā)明的位線多工器20另包括一第三選擇晶體管25，其為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，連接該第一選擇晶體管22，該第三選擇晶體管25的一柵極251連接至該位選擇線的一反相線(BL_selb)，該第三選擇晶體管25的一源極252連接至該第一選擇晶體管22的該源極222，該第三選擇晶體管25的一漏極253連接至該第一選擇晶體管22的該漏極223。亦即，該第三選擇晶體管25與該第一選擇晶體管22并聯(lián)。
[0071]圖3顯示本發(fā)明具有預(yù)充電的位線多工器的一實施例的電路示意圖。本發(fā)明的位線多工器30包括:一位線晶體管31、一第一選擇晶體管32、一第二選擇晶體管33及一預(yù)充電晶體管34。該位線晶體管31的一柵極311連接至一位線(BL)。該位線(BL)可為一只讀存儲器的其中的一位線。該第一選擇晶體管32連接該位線晶體管31及一輸出端Tout，該第一選擇晶體管32的一柵極321連接至一位選擇線(BL_sel