Nor型flash數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]可靠性是產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi)完成規(guī)定功能的能力。對于閃存(FlashMemory)，簡稱FLASH，一般而言，數(shù)據(jù)保持能力、耐久力、抗干擾能力等是評價閃存可靠性的重要參數(shù)，其中，數(shù)據(jù)保持力指的是閃存存儲的數(shù)據(jù)經(jīng)過一段時間之后沒有失真或丟失，仍可以有效讀出的能力。
[0003]對于FLASH，隨著時間的推移，F(xiàn)LASH中存儲單元的閾值電壓會發(fā)生變化。圖1示出的是現(xiàn)有技術(shù)中NOR型FLASH中存儲單元的閾值電壓變化示意圖；參考圖1，對于FLASH中存儲單元而言，浮柵中存儲的電荷量決定了存儲單元的閾值電壓，而存儲單元的閾值電壓則決定了存儲單元是存儲數(shù)據(jù)0，還是存儲數(shù)據(jù)I。隨著時間的推移，外界條件會不斷作用于存儲陣列中存儲單元，致使浮柵中儲存的電荷通過存儲單元的溝道流失；隨著存儲單元浮柵中電荷的減少會引起存儲單元的閾值電壓的降低，當(dāng)存儲單元的閾值電壓減小到一定值后，就難以判斷出存儲單元存儲的數(shù)據(jù)是O還是1，從而在讀操作中引起數(shù)據(jù)的誤讀，使得NOR型FLASH可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，以恢復(fù)NOR型FLASH中存儲單元中的閾值電壓，進(jìn)而恢復(fù)存儲陣列中存儲單元存儲的數(shù)據(jù)，提高NOR型FLASH的可靠性。
[0005]在第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，包括:
[0006]步驟la、NOR型FLASH接收全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令；
[0007]步驟2a、根據(jù)所述全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令，記錄所述存儲塊中閾值電壓大于第一閾值的存儲單元；
[0008]步驟3a、記錄所述存儲塊中閾值電壓小于第二閾值的存儲單元，其中，所述第二閾值大于第一閾值；
[0009]步驟4a、對所述存儲塊中閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值的存儲單元進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)；所述數(shù)據(jù)恢復(fù)為提高閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值存儲單元的閾值電壓。
[0010]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，重復(fù)執(zhí)行步驟2a至步驟4a，以使存儲陣列中各個存儲塊都實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)恢復(fù)。
[0011]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，所述對所述存儲塊中閾值電壓小于第二閾值的存儲單元進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)，包括:
[0012]在所述閾值電壓小于第二閾值的存儲單元的柵極施加第一電壓值，漏極施加第二電壓值，源極連接于接地極。
[0013]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，所述第一電壓值為8V至12V和所述第二電壓值為2V至6V。
[0014]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，還包括:根據(jù)所述NOR型FLASH的使用時間，向所述NOR型FLASH發(fā)送一個數(shù)據(jù)恢復(fù)指令。
[0015]在第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，包括:
[0016]步驟lb、NOR型FLASH接收全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令；
[0017]步驟2b、根據(jù)所述全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令，記錄所述存儲陣列中閾值電壓大于第一閾值的存儲單元；
[0018]步驟3b、記錄所述存儲陣列中閾值電壓小于第二閾值的存儲單元，其中，所述第二閾值大于第一閾值；
[0019]步驟4b、依次對所述存儲陣列中閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值的存儲單元進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)；所述數(shù)據(jù)恢復(fù)為提高閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值存儲單元的閾值電壓。
[0020]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，還包括:重復(fù)執(zhí)行步驟2b至步驟4b，以使所述存儲陣列中各個存儲單元都實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)恢復(fù)。
[0021]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，所述依次對所述存儲陣列中閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值的存儲單元進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)，包括:
[0022]依次在所述閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值的存儲單元的柵極施加第一電壓值，漏極施加第二電壓值，源極連接于接地極。
[0023]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，所述第一電壓值為8V至12V和所述第二電壓值為2V至6V。
[0024]進(jìn)一步的，所述的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，其特征在于，還包括:根據(jù)所述NOR型FLASH的使用時間，向所述NOR型FLASH發(fā)送一個數(shù)據(jù)恢復(fù)指令。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例提供的NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)的方法，當(dāng)FLASH接收全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令后，通過數(shù)據(jù)恢復(fù)操作，提高FLASH中閾值電壓小于第二閾值存儲單元的閾值電壓。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，當(dāng)FLASH接收全數(shù)據(jù)接收指令后，通過將存儲陣列中存儲單元的閾值電壓與第一閾值電壓比較，判斷出可能存儲數(shù)據(jù)O的存儲單元，進(jìn)而通過第二閾值確定需要進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)的存儲單元，進(jìn)而對FLASH存儲陣列中閾值電壓小于第二閾值且大于第一閾值的存儲單元進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)。通過數(shù)據(jù)恢復(fù)操作，將其閾值電壓恢復(fù)到一定值，進(jìn)而使得NOR型FLASH中閾值電壓較低，數(shù)據(jù)讀取不準(zhǔn)確的存儲單元，可能存儲數(shù)據(jù)O的存儲單元，恢復(fù)到能準(zhǔn)確讀取數(shù)據(jù)的閾值電壓，恢復(fù)存儲單元存儲的數(shù)據(jù)，進(jìn)而在對FLASH進(jìn)行讀取時，提高了讀取數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確型，提升了 FLASH的可靠性。
【附圖說明】
[0026]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中:
[0027]圖1示出的是現(xiàn)有技術(shù)中存儲單元電荷流失結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)方法流程示意圖；
[0029]圖2a示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中存儲陣列中存儲塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2b示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中存儲單元增強(qiáng)電荷結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖3示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)與完整的說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0033]NOR型FLASH由存儲單元(cell)組成。通常情況下，一個存儲單元包括源極(source, S),漏極(drain, D),控制柵極(controlling gate, CG),以及浮動?xùn)艠O(floatinggate,FG),控制柵極可用于接參考電壓VG。若漏極接參考電壓VD，控制柵極CG施加電壓VG以及源極S連接于接地極后，存儲單元實(shí)現(xiàn)溝道熱電子注入方式的編程操作。擦除則可以在襯底施加一正電壓，在控制柵極CG施加負(fù)電壓，進(jìn)而利用浮動?xùn)艠OFG與溝道之間的隧穿效應(yīng)，把注入浮動?xùn)艠OFG的電子吸引到溝道。存儲單元cell數(shù)據(jù)是O或I取決與浮動?xùn)艠OFG中是否有電子。如浮動?xùn)艠OFG有電子，需要高的控制柵極電壓才能使界面處感應(yīng)出導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，表示存入O。若浮動?xùn)艠OFG中無電子，則較低的控制柵極電壓就能使界面處感應(yīng)出導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示存入I。
[0034]圖2示出的是本發(fā)明實(shí)施例一中NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)方法流程示意圖；參考圖2，本實(shí)施例中NOR型FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)方法包括:
[0035]步驟la、NOR型FLASH接收全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令。
[0036]全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令是指應(yīng)用NOR型FLASH的外部處理器設(shè)備或者FLASH中內(nèi)部控制邏輯單元而設(shè)定，觸發(fā)NOR型FLASH進(jìn)入數(shù)據(jù)恢復(fù)程序或?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)恢復(fù)的指令。
[0037]步驟2a、根據(jù)全芯片數(shù)據(jù)恢復(fù)指令，記錄存儲塊中閾值電壓大于第一閾值的存儲單元。
[0038]對于存儲單元，浮柵中的電荷量反映著存儲單元閾值電壓的大小。
[0039]圖2a是本發(fā)明實(shí)施例一中存儲陣列中一存儲塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]參考圖2a，圖2a中11為一存儲單元，12為進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)的一存儲塊。當(dāng)確定存儲塊12后,記錄存儲塊12中閾值電壓大于第一閾值的存儲單元。
[0041]隨著使用時間的延續(xù)，F(xiàn)LASH存儲陣列中數(shù)據(jù)為O的存儲單元的閾值電壓會不斷的減少，當(dāng)減少到一定值，就很難讀取到正確數(shù)據(jù)了。但當(dāng)存儲單元中的閾值電壓減少到一定值時，雖不能讀取到數(shù)據(jù)，或很難讀取到存儲單元記錄的數(shù)據(jù)，但是這時的閾值電壓相對于數(shù)據(jù)為I的存儲單元的閾值電壓仍有一定的區(qū)別，進(jìn)而可以通過選定一定的閾值通過和參考單元比較將其判定出來。
[0042]具體的，本實(shí)施例中，選定第一參考存儲單元，并預(yù)先設(shè)定第一閾值。其中，設(shè)定的第一閾值是指當(dāng)存儲單元的閾值電壓大于第一閾值時該存儲單元能夠被作為數(shù)據(jù)為O的存儲單元。具體的，對于存儲塊中的每個存儲單元會通過內(nèi)部的地址依次將其選中，在其柵極和漏極加合適的電壓，并與第一參考存儲單元進(jìn)行比較，若其閾值大于第一參考存儲單元的第一閾值，則認(rèn)為該存儲單元是被編程的存儲單元，存儲單元中存儲數(shù)據(jù)為O ;進(jìn)一步記錄下存儲塊中被認(rèn)為是存儲數(shù)據(jù)O的存儲單元，例如記錄存儲單元地址信息。
[0043]步驟3a、記錄存儲塊中閾值電壓小于第二閾值的存儲單元，其中第二閾值大于第一閾值。
[0044]對于在步驟3a中記錄的閾值電壓大于第一閾值的存儲單元，在本步驟中實(shí)現(xiàn)的是對在步驟3a中記錄的這些存儲單元進(jìn)行處理。
[0045]對于能被作為數(shù)據(jù)為O的存儲單元中，并非全部都需進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)操作。對于一部分?jǐn)?shù)據(jù)為O的存儲單元，其為存儲單元存儲數(shù)據(jù)O時的正常閾值電壓或大于正常閾值電壓，此時就不需要進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)，節(jié)約恢復(fù)數(shù)據(jù)操作程序。只有被作為數(shù)據(jù)為O的存儲單元中低于一定的閾值電壓才需進(jìn)行數(shù)據(jù)恢復(fù)。
[0046]具體的，本實(shí)施例中，選定第二參考存儲單元，并預(yù)先設(shè)定第二閾值。其中，第二閾值的設(shè)定指當(dāng)數(shù)據(jù)為O的存儲單元的閾值高于第二閾值時，則此數(shù)據(jù)為O的存儲單元隨著浮柵中電荷的流失等原因還不會影響對其的正確讀??；當(dāng)數(shù)據(jù)為O的存儲單元的閾值低于第二閾值時，則此數(shù)據(jù)為O的存儲單元隨著浮柵中電荷的流失等原因很快就會影響對其的正確讀取，或者已經(jīng)影響對數(shù)據(jù)為O存儲單元的正確讀取。具體的，對于存儲塊中的每個存儲單元會通過內(nèi)部的地址依次將其選中，在其柵極和漏極加合適的電壓，并與第二參考存儲單元進(jìn)行比較，若其閾值小于第二參考存儲單元的第二閾值，記錄下閾值電壓小于第二參考存儲單元的第二閾值的存儲單元。并且這些存儲單元的閾值低于第二閾值存儲單元中閾值電壓較低，在以后的使用過程中隨著浮柵中電荷的流失，會很快不能正確讀取其中記錄的數(shù)據(jù)O。