一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理、使用方法及裝置、系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理、使用方法及裝置、系統(tǒng)。其中，NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理方法包括：識別出NAND?Flash燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊，半空塊是燒寫數(shù)據(jù)中部分頁寫有數(shù)據(jù)、其余頁空白的塊，在所有半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊。通過上述方式，本發(fā)明能夠使得燒寫數(shù)據(jù)塊都滿足每個頁都空或者每個頁都寫有數(shù)據(jù)的要求，從而避免高溫貼片時已燒寫數(shù)據(jù)出現(xiàn)損壞，提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。
【專利說明】—種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理、使用方法及裝置、系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及計算機(jī)數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，特別是涉及一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理、使用方法及裝置、系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]非易失閃存(NAND Flash)以其容量大、訪問速度快以及單位容量的成本低廉等特點，在嵌入式領(lǐng)域越來越廣泛地被用作存放數(shù)據(jù)的載體。雖然NAND Flash在各類閃存芯片中有容量和成本上的優(yōu)勢，但可靠性相對較差也是其固有的缺陷。
[0003]NAND Flash根據(jù)其工藝結(jié)構(gòu)又可分為單層單元(Single Level Cell，SLC)和多層單元(Multi Level Cell, MLC)兩種類型。SLC用一個存儲單元存放一個比特的信息,而MLC 一個存儲單元則可以存放兩個字比特的信息，因此MLC有著成本上的天然優(yōu)勢，隨著市場對NAND Flash容量越來越大的需求，MLC的應(yīng)用逐漸廣泛。但也由于其特殊的物理結(jié)構(gòu)，MLC的可靠性相對于SLC要差地多，因此在取得成本優(yōu)勢的同時提高M(jìn)LC可靠性成了必須解決的問題。
[0004]NAND Flash在量產(chǎn)時，一般是使用專門的燒錄器將燒寫數(shù)據(jù)寫入到NAND Flash,然后通過高溫貼片方式將NAND Flash貼片到電路板上。但是高溫貼片可能會使其中已經(jīng)寫好的數(shù)據(jù)發(fā)生損壞，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理、使用方法及裝置、系統(tǒng)，能夠使低成本的MLC NAND Flash大規(guī)模應(yīng)用于產(chǎn)品中，在保證生產(chǎn)效率的同時還能確保NAND Flash的可靠性。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理方法，在燒寫數(shù)據(jù)之前，包括:識別出NANDFlash燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊，所述半空塊是燒寫數(shù)據(jù)中部分頁寫有數(shù)據(jù)、其余頁空白的塊；在所有所述半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使所述半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊，所述全滿塊是每頁均寫有數(shù)據(jù)的塊，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種NAND Flash的使用方法，所述方法包括:系統(tǒng)上電時，判斷所述NANDFlash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的半空塊與其他全滿塊；若所述NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則將所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的又一種技術(shù)方案是:提供一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理裝置，所述裝置包括識別模塊和寫入模塊，其中:所述識別模塊用于識別出NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊，所述半空塊是燒寫數(shù)據(jù)中部分頁寫有數(shù)據(jù)、其余頁空白的塊；所述寫入模塊用于在所有所述半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使所述半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊，所述全滿塊是每頁均寫有數(shù)據(jù)的塊，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。
[0009]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的還有一種技術(shù)方案是:提供一種NAND Flash的運行系統(tǒng)，所述運行系統(tǒng)包括判斷模塊和處理模塊，其中:所述判斷模塊用于在系統(tǒng)上電時，判斷所述NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的半空塊與其他全滿塊；所述處理模塊用于在所述NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則將所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理。
[0010]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過在燒寫數(shù)據(jù)之前，識別出NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)中的部分頁寫有數(shù)據(jù)、其余頁空白的所有半空塊，在所有半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使半空塊均轉(zhuǎn)換為每頁均寫有數(shù)據(jù)的全滿塊，其中預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。通過這樣的方式，對半空塊進(jìn)行處理，使得燒寫數(shù)據(jù)塊都滿足每個頁都空或者每個頁都寫有數(shù)據(jù)的要求，從而避免高溫貼片時已燒寫數(shù)據(jù)出現(xiàn)損壞，提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明提供的一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理方法一個實施方式的流程圖；
[0012]圖2是本發(fā)明提供的一種NAND Flash的使用方法一個實施方式的流程圖；
[0013]圖3是本發(fā)明提供的一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理裝置一個實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖4是本發(fā)明提供的一種NAND Flash的運行系統(tǒng)一個實施方式的結(jié)構(gòu)不意圖?！揪唧w實施方式】
[0015]請參閱圖1，圖1是本發(fā)明提供的一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理方法一個實施方式的流程圖，本實施方式的NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理方法包括:
[0016]SlOl:識別出NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊；
[0017]在燒寫數(shù)據(jù)之前，對燒寫數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，其主要目的是為了使燒寫數(shù)據(jù)的所有數(shù)據(jù)塊的每個頁都空或者每個頁都寫有數(shù)據(jù)的要求，而不要出現(xiàn)一個半空塊的狀態(tài)。所述半空塊是指部分頁寫有數(shù)據(jù)，而其余頁空白的塊。因此，對燒寫數(shù)據(jù)進(jìn)行處理需要先識別出燒寫數(shù)據(jù)中的半空塊。
[0018]可以通過對燒寫數(shù)據(jù)按頁順序讀取來一一識別燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊。
[0019]對于MLC NAND Flash, 一般而言其要求一個塊從前往后順序?qū)?，而不是反過來從后往前寫數(shù)據(jù)。因此，一個半空塊一定是前半部分存放有數(shù)據(jù)，后半部分為空區(qū)域。利用這一點可以提高識別半空塊的效率。如果一個塊的第一個頁就是空頁，可以認(rèn)為這個塊是完全沒使用的空塊，不再需要判斷后面的頁。如果從前往后判斷發(fā)現(xiàn)中間某個頁為空頁，則可以認(rèn)為這個塊是半空塊，也不需要再判斷后面頁的情況了。當(dāng)然，為提高速度，當(dāng)從前往后判斷發(fā)現(xiàn)塊中第一頁有數(shù)據(jù)，則立即判斷該塊的最后一頁是否有數(shù)據(jù)，若沒有數(shù)據(jù)則認(rèn)為是半空塊，反之則認(rèn)為是全滿塊。這樣可以提高對MLC NAND Flash的燒寫數(shù)據(jù)中半空塊的識別效率。
[0020]S102:在所有半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊；
[0021]一般NAND Flash在生產(chǎn)時，都通過燒錄器將燒寫數(shù)據(jù)寫入Flash中，但是燒錄器只負(fù)責(zé)燒寫環(huán)節(jié)，用戶提供什么數(shù)據(jù)，它就原樣燒寫什么數(shù)據(jù)。由于NAND Flash擦除后的默認(rèn)值就是1，如果燒錄數(shù)據(jù)中某個頁的值全部是I就可以認(rèn)為這是一個空頁。而燒錄器在寫NAND Flash之前會將整個NAND Flash擦除一遍，因此出于加快燒寫速度的考慮，燒錄器如果發(fā)現(xiàn)燒寫數(shù)據(jù)中某個頁是空的會跳過去不做燒寫，NANDFlash中對應(yīng)的位置自然就保持在擦除后的空頁狀態(tài)。
[0022]對于MLC NAND Flash，一般而言只有整個塊都是空的狀態(tài)才適合在燒寫時直接跳過去，而半空塊盡管也含有空頁，但是這些空頁也不應(yīng)該跳過去，需要強(qiáng)制燒寫其中的每一個頁。因此需要對半空塊進(jìn)行處理以避免在燒寫時其被跳過。
[0023]本發(fā)明實施方式中通過在所有半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊。這里預(yù)設(shè)標(biāo)記字符是用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。
[0024]作為一種優(yōu)選的實現(xiàn)方式，可以在所有半空塊中所有空白頁的開頭預(yù)定比特寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。
[0025]另外，為了產(chǎn)品性能，進(jìn)一步考慮NAND Flash的糾錯碼(ECC, Error CorrectionCode)校驗碼問題,如下:
[0026]由于NAND Flash的可靠性較差，因此需要在每個頁面中加入ECC校驗碼來確保用戶數(shù)據(jù)的完整性。在寫入數(shù)據(jù)的時候生成ECC，ECC連同用戶數(shù)據(jù)一起寫入NAND Flash中。而在讀取數(shù)據(jù)時會重新計算ECC值并和寫入的ECC進(jìn)行比對，看數(shù)據(jù)是否有損壞。ECC還具有一定的糾錯能力，如果錯誤的比特數(shù)沒有超出所用ECC算法的糾錯能力，損壞的數(shù)據(jù)可以糾正回來。
[0027]為了避免對半空塊的所有空白頁寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符而不會導(dǎo)致以后讀到這些頁出現(xiàn)系統(tǒng)報告ECC錯誤。對半空塊的所有空白頁寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符通過以下這種優(yōu)選方式實現(xiàn):即在半空塊的所有空白頁的開頭幾個比特寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符0，并且寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符比特數(shù)控制在ECC可糾錯的比特范圍內(nèi)(即寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符比特數(shù)小于或等于ECC可糾錯的比特數(shù)量)。比如ECC可糾錯范圍為10比特，這里寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符比特數(shù)可以是< 10的任何比特數(shù)。當(dāng)然為了方便，可以只寫在每頁開頭I比特寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。
[0028]這樣，ECC就不用重新計算。系統(tǒng)初始化時，讀到這些經(jīng)過處理的半空塊的空白頁，既不會有實際的數(shù)據(jù)損壞發(fā)生，同時又能找出這些標(biāo)記過的半空塊。
[0029]燒錄器在燒寫以上經(jīng)過處理的燒寫數(shù)據(jù)時，看到的燒寫數(shù)據(jù)要么是全部內(nèi)容為空的塊，要么是所有頁都寫過數(shù)據(jù)的塊，因此，燒錄器要么對所有頁都寫過數(shù)據(jù)的塊進(jìn)行完整的寫入，而跳過全部內(nèi)容為空的塊。
[0030]S103:在所有半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符后，對NAND Flash進(jìn)行燒寫數(shù)據(jù)的處理。
[0031]通過上述實施方式的描述，可以理解，本發(fā)明實施方式的NANDFlash燒寫數(shù)據(jù)的處理方法，通過在燒寫數(shù)據(jù)之前，識別出NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)中的部分頁寫有數(shù)據(jù)、其余頁空白的所有半空塊，在所有半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使半空塊均轉(zhuǎn)換為每頁均寫有數(shù)據(jù)的全滿塊，其中預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。通過這樣的方式，對半空塊進(jìn)行處理，使得燒寫數(shù)據(jù)塊都滿足每個頁都空或者每個頁都寫有數(shù)據(jù)的要求，從而避免高溫貼片時已燒寫數(shù)據(jù)出現(xiàn)損壞，提高產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。
[0032]另外，在優(yōu)選實現(xiàn)方式中半空塊中空白頁寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符比特數(shù)控制在ECC可糾錯的范圍內(nèi)，這樣后續(xù)在讀到這些頁的時候，既不會有實際的數(shù)據(jù)損壞，又能方便找出這些經(jīng)過處理的頁進(jìn)行修復(fù)處理以便這些頁可以被重復(fù)利用。
[0033]進(jìn)一步地，在半空塊的所有空白頁的開頭幾個比特寫入能被ECC糾錯的預(yù)設(shè)標(biāo)記字符后，可以不在該寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的頁中設(shè)置ECC校驗碼，以方便后續(xù)系統(tǒng)初始化時能夠根據(jù)不設(shè)置ECC校驗碼但又有比特寫入的特征快速識別出寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的全滿塊。當(dāng)然，在其他實施方式中，也可以在寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的同時設(shè)置ECC校驗碼。此時，寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的頁中，除了預(yù)設(shè)標(biāo)記字符外，沒有其他數(shù)據(jù)，以此為特征來識別該塊是寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的全滿塊。在萬一出現(xiàn)沒有預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的其他全滿塊的相應(yīng)頁前面也碰巧同樣存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符時，因為這種情況下預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的后面會跟隨數(shù)據(jù)，因此也可以以此為特征來識別該塊是沒有預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的全滿塊。
[0034]本發(fā)明用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的全滿塊的方式，不限于上述設(shè)定預(yù)定數(shù)量的O作為預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的方式，還可以其他任何能夠區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的全滿塊與其他沒有寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的全滿塊的方式，比如設(shè)計可標(biāo)識的字符排列或字符內(nèi)容等等。
[0035]而本發(fā)明讀取NAND Flash的順序也不限于從前到后，在合適情況下也可以設(shè)計為其他順序比如從后到前，此時本發(fā)明區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的全滿塊的方式則適應(yīng)性調(diào)整，不再贅述。
[0036]請參閱圖2，圖2是本發(fā)明提供的一種NAND Flash的使用方法的一個實施方式流程圖，本實施方式的NAND Flash的使用方法包括:
[0037]S201:系統(tǒng)上電；
[0038]系統(tǒng)上電時，會對NAND Flash每個塊進(jìn)行讀取，以便獲得文件系統(tǒng)相關(guān)的信息。
[0039]S202:判斷NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符；
[0040]通過對NAND Flash每個塊的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，從中判斷NANDFlash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。
[0041]原來系統(tǒng)上電時一般讀取每個塊的開頭兩頁，而本發(fā)明一種比較優(yōu)選的實施方式中，針對MLC NAND Flash，為了找出燒寫數(shù)據(jù)中原本屬于半空塊，但是在燒寫數(shù)據(jù)時做過預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊，讀取燒寫數(shù)據(jù)每個塊開頭兩頁后，再多讀取燒寫數(shù)據(jù)塊最后一頁。由于MLC NAND Flash要求一個塊必須從前往后順序?qū)?，因此半空塊的后半部分為做過標(biāo)記的空區(qū)域，讀取其最后一頁，通常會得到一個可糾正的ECC結(jié)果。如果得到一個可糾正的ECC結(jié)果，則可以認(rèn)為讀到一個存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的半空塊。
[0042]為了便于找到存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的數(shù)據(jù)塊，預(yù)存預(yù)設(shè)標(biāo)記字符為0，并控制寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符比特數(shù)小于或等于ECC可糾錯的比特數(shù)。這樣，當(dāng)某個塊的最后一頁得到ECC結(jié)果時，該頁已被ECC糾正，所以邏輯上看來被標(biāo)記的半空塊后半部分還是空頁狀態(tài)，并沒有之前被標(biāo)記的預(yù)設(shè)標(biāo)記字符O。
[0043]可以對系統(tǒng)上電后找到的存在預(yù)存預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊信息用一個專門的空塊來記錄，以后如果在開機(jī)則只對沒有記錄的塊讀取最后一個頁，可以加快后續(xù)開機(jī)的速度。
[0044]S203:將存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理。
[0045]存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊是被預(yù)先做過標(biāo)記的半空塊，但是其并不是真正的半空狀態(tài)，其空頁還不能直接用于存放數(shù)據(jù)。因此，會將找出的存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行修復(fù)處理以便能重新使用。所述的修復(fù)處理是將存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)拷貝出來，寫入空白塊，然后對存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理。擦除之后的塊，可以在以后重新使用，即可以直接寫入數(shù)據(jù)。
[0046]通過這樣的方式，對標(biāo)記過的半空塊，能夠釋放其空白頁，使這些頁又能夠被利用，一般而言上述修復(fù)處理過程，不會對空白頁進(jìn)行拷貝，所以原來的空頁中寫入的一定比特預(yù)設(shè)標(biāo)記字符在經(jīng)過上述修復(fù)處理后自然就消失了。
[0047]對存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)拷貝出來屬于一個讀過程，而又將其寫入空白塊屬于一個寫過程，為提高效率，讀、寫過程是可以同步完成的。而對存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理的步驟，則可以在后臺異步完成。
[0048]如果燒寫數(shù)據(jù)塊中存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊在很長時間內(nèi)不會被寫入數(shù)據(jù)，那么這個存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊在被寫入數(shù)據(jù)前，某個系統(tǒng)空閑時間內(nèi)，將這個塊的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對這個塊進(jìn)行擦除處理。這時該執(zhí)行動作是在后臺完成的。
[0049]一個存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊在被修復(fù)處理之前，可以直接讀和擦除，但是通常不能直接寫。這樣，如果后臺的修復(fù)處理還沒有做，但又需要對存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行寫操作，則可以同步的強(qiáng)制做修復(fù)處理。因此，修復(fù)處理分兩種情況:一種情況是在后臺異步完成，它對系統(tǒng)性能影響較??；另一種是在寫請求之前同步完成。
[0050]另外，為了避免在開機(jī)過程中集中進(jìn)行多個塊的修復(fù)處理而影響開機(jī)速度，如果在后臺異步執(zhí)行修復(fù)處理時，可以設(shè)定當(dāng)開機(jī)預(yù)定時間內(nèi)需要修復(fù)處理的塊多于預(yù)定數(shù)量時，暫時關(guān)閉后臺修復(fù)處理。這里的預(yù)定時間和預(yù)定數(shù)量可以根據(jù)系統(tǒng)性能設(shè)置。比如開機(jī)50秒內(nèi)需要修復(fù)處理的塊數(shù)量多于8個，就關(guān)閉后臺修復(fù)處理?；蛘逫分鐘內(nèi)需要修復(fù)處理的塊數(shù)量多于10個時就關(guān)閉后臺修復(fù)處理等等。
[0051]通過以上實施方式的描述，本發(fā)明提供的NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理方法以及NAND Flash的使用方法，通過在燒寫數(shù)據(jù)之前，識別出NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)中的部分頁寫有數(shù)據(jù)、其余頁空白的所有半空塊，在所有半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使半空塊均轉(zhuǎn)換為每頁均寫有數(shù)據(jù)的全滿塊，能夠確保提供給燒錄器使用的燒寫數(shù)據(jù)不含半空狀態(tài)的塊。另外，在系統(tǒng)上電后，能夠識別出標(biāo)記過的半空塊，并且對這些標(biāo)記過的半空塊做修復(fù)處理，使其空余的空間能夠釋放出來被重新使用，又能盡量減少對開機(jī)時間的影響。
[0052]因此，本發(fā)明能夠使低成本的MLC NAND Flash大規(guī)模應(yīng)用于產(chǎn)品中，在保證生產(chǎn)效率的同時確保產(chǎn)品質(zhì)量的可靠。
[0053]請參閱圖3，圖3是本發(fā)明提供的一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理裝置一個實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施方式的NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理裝置100包括識別模塊11和寫入模塊12,其中:
[0054]識別模塊11用于識別出NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊，半空塊是燒寫數(shù)據(jù)中部分頁寫有數(shù)據(jù)、其余頁空白的塊；
[0055]在燒寫數(shù)據(jù)之前，本實施方式的NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理裝置對燒寫數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，其主要目的是為了使燒寫數(shù)據(jù)的所有數(shù)據(jù)塊的每個頁都空或者每個頁都寫有數(shù)據(jù)的要求，而不要出現(xiàn)一個半空塊的狀態(tài)。所述半空塊是指部分頁寫有數(shù)據(jù)，而其余頁空白的塊。因此，對燒寫數(shù)據(jù)進(jìn)行處理需要先識別出燒寫數(shù)據(jù)中的半空塊。
[0056]其中，識別模塊11可以通過對燒寫數(shù)據(jù)按頁順序讀取來一一識別燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊。其中，識別模塊11用于對燒寫數(shù)據(jù)中的塊，按照頁的順序從前往后查找，如果塊的第一頁有數(shù)據(jù)，而第一頁之后的任意一頁為空白，則識別出塊為半空塊。
[0057]對于MLC NAND Flash, 一般而言其要求一個塊必須從前往后順序?qū)?，而不是反過來從后往前寫數(shù)據(jù)。因此，一個半空塊一定是前半部分存放有數(shù)據(jù)，后半部分為空區(qū)域。利用這一點可以提高識別半空塊的效率。如果一個塊的第一個頁就是空頁，可以認(rèn)為這個塊是完全沒使用的空塊，不再需要判斷后面的頁。如果從前往后判斷發(fā)現(xiàn)中間某個頁為空頁，則可以認(rèn)為這個塊是半空塊，也不需要再判斷后面頁的情況了。當(dāng)然，為提高速度，當(dāng)從前往后判斷發(fā)現(xiàn)塊中第一頁有數(shù)據(jù)，則立即判斷該塊的最后一頁是否有數(shù)據(jù)，若沒有數(shù)據(jù)則認(rèn)為是半空塊，反之則認(rèn)為是全滿塊。這樣可以提高對MLC NAND Flash的燒寫數(shù)據(jù)中半空塊的識別效率。
[0058]寫入模塊12用于在所有所述半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊，全滿塊是每頁均寫有數(shù)據(jù)的塊，預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。
[0059]一般NAND Flash在生產(chǎn)時，都通過燒錄器將燒寫數(shù)據(jù)寫入Flash中，但是燒錄器只負(fù)責(zé)燒寫環(huán)節(jié)，用戶提供什么數(shù)據(jù)，它就原樣燒寫什么數(shù)據(jù)。由于NAND Flash擦除后的默認(rèn)值就是1，如果燒錄數(shù)據(jù)中某個頁的值全部是I就可以認(rèn)為這是一個空頁。而燒錄器在寫NAND Flash之前會將整個NAND Flash擦除一遍，因此出于加快燒寫速度的考慮，燒錄器如果發(fā)現(xiàn)燒寫數(shù)據(jù)中某個頁是空的會跳過去不做燒寫，NANDFlash中對應(yīng)的位置自然就保持在擦除后的空頁狀態(tài)。
[0060]對于MLC NAND Flash，一般而言只有整個塊都是空的狀態(tài)才適合在燒寫時直接跳過去，而半空塊盡管也含有空頁，但是這些空頁也不應(yīng)該跳過去，需要強(qiáng)制燒寫其中的每一個頁。因此需要對半空塊進(jìn)行處理以避免在燒寫時其被跳過。
[0061]本發(fā)明實施方式中通過寫入模塊在所有半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊。這里預(yù)設(shè)標(biāo)記字符是用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。
[0062]作為一種優(yōu)選的實現(xiàn)方式，寫入模塊12用于在所有半空塊中所有空白頁的開頭預(yù)定比特寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。其中，更優(yōu)選地，預(yù)設(shè)標(biāo)記字符是0，預(yù)定比特小于或等于糾錯碼可糾錯的比特數(shù)量。比如ECC可糾錯范圍為10比特，這里寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符比特數(shù)可以是< 10的任何比特數(shù)。當(dāng)然為了方便，可以只寫在每頁開頭I比特寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。這樣，ECC就不用重新計算。系統(tǒng)初始化時，讀到這些經(jīng)過處理的半空塊的空白頁，既不會有實際的數(shù)據(jù)損壞發(fā)生，同時又能找出這些標(biāo)記過的半空塊。
[0063]燒錄器在燒寫以上經(jīng)過處理的燒寫數(shù)據(jù)時，看到的燒寫數(shù)據(jù)要么是全部內(nèi)容為空的塊，要么是所有頁都寫過數(shù)據(jù)的塊，因此，燒錄器要么對所有頁都寫過數(shù)據(jù)的塊進(jìn)行完整的寫入，而跳過全部內(nèi)容為空的塊。
[0064]在所有半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符后，對NAND Flash進(jìn)行燒寫數(shù)據(jù)的處理。
[0065]請參閱圖4，圖4是本發(fā)明提供的一種NAND Flash的運行系統(tǒng)一個實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施方式的NAND Flash的運行系統(tǒng)200包括判斷模塊21和處理模塊22，其中:
[0066]判斷模塊21用于在系統(tǒng)上電時，判斷NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的半空塊與其他全滿塊。
[0067]本實施方式的NAND Flash的運行系統(tǒng)通過對NAND Flash每個塊的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，通過判斷模塊21從中判斷NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。
[0068]原來系統(tǒng)上電時一般讀取每個塊的開頭兩頁，而本發(fā)明一種比較優(yōu)選的實施方式中，針對MLC NAND Flash，為了找出燒寫數(shù)據(jù)中原本屬于半空塊，但是在燒寫數(shù)據(jù)時做過預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊，判斷模塊21讀取燒寫數(shù)據(jù)每個塊開頭兩頁后，再多讀取燒寫數(shù)據(jù)塊最后一頁。如果最后一頁存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則確定燒寫數(shù)據(jù)塊存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。
[0069]因為MLC NAND Flash要求一個塊必須從前往后順序?qū)?，因此半空塊的后半部分為做過標(biāo)記的空區(qū)域，讀取其最后一頁，只要最后一頁有預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則表明這個塊被標(biāo)記過，而避免每一頁的逐個判斷浪費不必要的時間。而且讀取數(shù)據(jù)塊的最后一頁，通常會得到一個可糾正的ECC結(jié)果。因此如果得到一個可糾正的ECC結(jié)果，也可以認(rèn)為讀到一個存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的半空塊。
[0070]處理模塊22用于在NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則將存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理。
[0071]存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊是被預(yù)先做過標(biāo)記的半空塊，但是其并不是真正的半空狀態(tài)，其空頁還不能直接用于存放數(shù)據(jù)。因此，處理模塊22會將找出的存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行修復(fù)處理以便能重新使用。所述的修復(fù)處理是將存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)拷貝出來，寫入空白塊，然后對存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理。擦除之后的塊，可以在以后重新使用，即可以直接寫入數(shù)據(jù)。
[0072]通過這樣的方式，對標(biāo)記過的半空塊，能夠釋放其空白頁，使這些頁又能夠被利用，一般而言上述修復(fù)處理過程，不會對空白頁進(jìn)行拷貝，所以原來的空頁中寫入的一定比特預(yù)設(shè)標(biāo)記字符在經(jīng)過上述修復(fù)處理后自然就消失了。
[0073]對存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)拷貝出來屬于一個讀過程，而又將其寫入空白塊屬于一個寫過程，為提高效率，讀、寫過程是可以同步完成的。而對存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理的步驟，則可以在后臺異步完成。
[0074]如果燒寫數(shù)據(jù)塊中存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊在很長時間內(nèi)不會被寫入數(shù)據(jù)，那么這個存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊在被寫入數(shù)據(jù)前，處理模塊22在某個系統(tǒng)空閑時間內(nèi)，將這個塊的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對這個塊進(jìn)行擦除處理。這時處理模塊22執(zhí)行該修復(fù)處理動作是在后臺完成的。
[0075]一個存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊在被修復(fù)處理之前，可以直接讀和擦除，但是通常不能直接寫。這樣，如果后臺的修復(fù)處理還沒有做，但又需要對存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行寫操作，則可以同步的強(qiáng)制做修復(fù)處理。因此，修復(fù)處理分兩種情況:一種情況是在后臺異步完成，它對系統(tǒng)性能影響較小；另一種是在寫請求之前同步完成。
[0076]為了避免在開機(jī)過程中集中進(jìn)行多個塊的修復(fù)處理而影響開機(jī)速度，如果在后臺異步執(zhí)行修復(fù)處理時，可以設(shè)定當(dāng)開機(jī)預(yù)定時間內(nèi)需要修復(fù)處理的塊多于預(yù)定數(shù)量時，處理模塊22暫時關(guān)閉后臺修復(fù)處理。這里的預(yù)定時間和預(yù)定數(shù)量可以根據(jù)系統(tǒng)性能設(shè)置。比如開機(jī)50秒內(nèi)需要修復(fù)處理的塊數(shù)量多于8個，就關(guān)閉后臺修復(fù)處理?；蛘逫分鐘內(nèi)需要修復(fù)處理的塊數(shù)量多于10個時就關(guān)閉后臺修復(fù)處理等等。
[0077]通過以上實施方式的描述，通過在燒寫數(shù)據(jù)之前，識別出NANDFlash燒寫數(shù)據(jù)中的部分頁寫有數(shù)據(jù)、其余頁空白的所有半空塊，在所有半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使半空塊均轉(zhuǎn)換為每頁均寫有數(shù)據(jù)的全滿塊，能夠確保提供給燒錄器使用的燒寫數(shù)據(jù)不含半空狀態(tài)的塊。另外，在系統(tǒng)上電后，能夠識別出標(biāo)記過的半空塊，并且對這些標(biāo)記過的半空塊做修復(fù)處理，使其空余的空間能夠釋放出來被重新使用，又能盡量減少對開機(jī)時間的影響。
[0078]因此，本發(fā)明能夠使低成本的MLC NAND Flash大規(guī)模應(yīng)用于產(chǎn)品中，在保證生產(chǎn)效率的同時確保產(chǎn)品質(zhì)量的可靠。
[0079]在本申請所提供的幾個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)，裝置和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，所述模塊或單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。
[0080]所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。
[0081 ] 另外，在本申請各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實現(xiàn)。
[0082]所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本申請的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機(jī)設(shè)備(可以是個人計算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)或處理器(processor)執(zhí)行本申請各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括:U盤、移動硬盤、只讀存儲器(ROM, Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲器(RAM, Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。
[0083]以上所述僅為本申請的實施例，并非因此限制本申請的專利范圍，凡是利用本申請說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本申請的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理方法，其特征在于，在燒寫數(shù)據(jù)之前，包括: 識別出NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊，所述半空塊是燒寫數(shù)據(jù)中部分頁寫有數(shù)據(jù)、其余頁空白的塊； 在所有所述半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使所述半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊，所述全滿塊是每頁均寫有數(shù)據(jù)的塊，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所有所述半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的步驟包括:在所有所述半空塊中所有空白頁的開頭預(yù)定比特寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符是O。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定比特小于或等于糾錯碼可糾錯的比特數(shù)量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述識別出燒寫數(shù)據(jù)中的半空塊的步驟包括: 對于燒寫數(shù)據(jù)中的塊，按照頁的順序從前往后查找； 如果所述塊的第一頁有數(shù)據(jù)，而所述第一頁之后的任意一頁為空白，則識別出所述塊為半空塊。
6.一種NAND Flash的使用方法，其特征在于，所述方法包括: 系統(tǒng)上電時，判斷所述NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入標(biāo)記字符的半空`塊與其他全滿塊； 若所述NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則將所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符是O。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的比特數(shù)小于或等于糾錯碼可糾錯的比特數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述判斷所述NANDFlash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的步驟包括: 讀取所有所述NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中的最后一頁； 若所述最后一頁存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則確定所述燒寫數(shù)據(jù)塊存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述將所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理的步驟在后臺異步執(zhí)行或在響應(yīng)所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊的寫請求之前同步執(zhí)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述將所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理的步驟在后臺異步執(zhí)行時，如果所述系統(tǒng)上電預(yù)定時間內(nèi)所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊多于預(yù)定數(shù)量，關(guān)閉所述后臺異步執(zhí)行。
12.—種NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)的處理裝置，其特征在于，所述裝置包括識別模塊和寫入模塊，其中: 所述識別模塊用于識別出NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)中的所有半空塊，所述半空塊是燒寫數(shù)據(jù)中部分頁寫有數(shù)據(jù)、其余頁空白的塊； 所述寫入模塊用于在所有所述半空塊的所有空白頁中寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，以使所述半空塊均轉(zhuǎn)換為全滿塊，所述全滿塊是每頁均寫有數(shù)據(jù)的塊，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊與其他全滿塊，所述預(yù)定比特小于或等于糾錯碼可糾錯的比特數(shù)量。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述寫入模塊用于在所有所述半空塊中所有空白頁的開頭預(yù)定比特寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符是O。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述預(yù)定比特小于或等于糾錯碼可糾錯的比特數(shù)量。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述識別模塊用于對燒寫數(shù)據(jù)中的塊，按照頁的順序從前往后查找，如果所述塊的第一頁有數(shù)據(jù)，而所述第一頁之后的任意一頁為空白，則識別出所述塊為半空塊。
17.一種NAND Flash的運行系統(tǒng)，其特征在于，所述運行系統(tǒng)包括判斷模塊和處理模塊，其中: 所述判斷模塊用于在系統(tǒng)上電時，判斷所述NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中是否存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符用于區(qū)別寫入預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的半空塊與其他全滿塊； 所述處理模塊用于在所述NAND Flash燒寫數(shù)據(jù)塊中存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則將所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符是O。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述預(yù)設(shè)標(biāo)記字符比特數(shù)小于或等于糾錯碼可糾錯的比特數(shù)。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述判斷模塊用于讀取所有所述NANDFlash燒寫數(shù)據(jù)塊中的最后一頁，若所述最后一頁存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符，則確定所述燒寫數(shù)據(jù)塊存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述處理模塊用于在后臺異步執(zhí)行或響應(yīng)所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊的寫請求之前同步執(zhí)行所述將所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理的步驟。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)所述處理模塊在后臺異步執(zhí)行所述將所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊中的有效數(shù)據(jù)寫入空白塊，并對所述存在預(yù)設(shè)標(biāo)記字符的塊進(jìn)行擦除處理的步驟時，如果所述系統(tǒng)上電預(yù)定時間內(nèi)需要做修復(fù)處理的塊多于預(yù)定數(shù)量，所述處理模塊關(guān)閉所述后臺異步執(zhí)行。
【文檔編號】G11C16/24GK103778964SQ201310746872
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】周濤 申請人:上海晨思電子科技有限公司, 晨星半導(dǎo)體股份有限公司