非易失性存儲器及其操作方法以及計算裝置制造方法
【專利摘要】公開了一種非易失性存儲器及其操作方法以及計算裝置。所述非易失性存儲器包括多個存儲體、邏輯控制器和多個讀寫（RW）電路。每一個存儲體包括多個存儲器單元。邏輯控制器包括分別對應于所述多個存儲體的多個存儲單元，且被構造為基于存儲在各個存儲單元中的模式信息來將寫使能信號和讀使能信號輸出給各個存儲體。RW電路分別與存儲體連接，且被構造為響應于各個存儲體的寫使能信號和讀使能信號來獨立地啟用或禁用個存儲體的寫操作和讀操作。在模式信息被存儲在各個存儲單元之后的初始狀態(tài)中，無論在相應的存儲單元中存儲的模式信息如何，邏輯控制器都激活各個存儲體的寫使能信號和讀使能信號。
【專利說明】非易失性存儲器及其操作方法以及計算裝置
[0001]要求于2012年11月29日提交到韓國知識產(chǎn)權局的第10-2012-0137079號韓國專利申請的優(yōu)先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用合并與此。
【技術領域】
[0002]在此描述的本發(fā)明的構思的實施例涉及半導體存儲器，更具體地講，涉及非易失性存儲器和非易失性存儲器的操作方法。
【背景技術】
[0003]使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等半導體材料來制造半導體存儲器裝置。半導體存儲器裝置通常被分類為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。
[0004]易失性存儲器裝置在斷電時失去存儲的內容。易失性存儲器裝置包括隨機存取存儲器(RAM)、靜態(tài)RAM (SRAM)、動態(tài)RAM (DRAM)、同步DRAM (SDRAM)等。非易失性存儲器裝置甚至在斷電時也保留存儲的內容。非易失性存儲器裝置包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM (PROM)、電可編程ROM (EPROM)、電可擦除可編程ROM (EEPR0M)、閃速存儲器、相變RAM(PRAM)、磁RAM (MRAM)、電阻式RAM (RRAM)、鐵電RAM (FRAM)等。特別地，通?？焖俚貓?zhí)行、消耗較少的電力并且具有良好的非易失性特性的MRAM會是下一代存儲器。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明構思的一方面提供了一種非易失性存儲器，該非易失性存儲器包括多個存儲體(bank)、邏輯控制器和多個讀寫(RW)電路。每一個存儲體包括多個存儲器單元。邏輯控制器包括分別對應于所述多個存儲體的多個存儲單元，且被構造為基于存儲在各個存儲單元中的模式信息來將寫使能信號和讀使能信號輸出給各個存儲體。RW電路分別與存儲體連接，且被構造為響應于各個存儲體的寫使能信號和讀使能信號來獨立地啟用或禁用各個存儲體的寫操作和讀操作。在模式信息被存儲在各個存儲單元之后的初始狀態(tài)中，無論在各個存儲單元中存儲的模式信息如何，邏輯控制器都激活各個存儲體的寫使能信號和讀使能信號。
[0006]在示意性實施例中，在每一個存儲單元中存儲的模式信息可以包括與讀使能信號相關聯(lián)的讀位和與寫使能信號相關聯(lián)的寫位。
[0007]在示意性實施例中，每一個存儲體可以被控制為根據(jù)讀位和寫位的值以隨機存取模式、只讀模式、安全模式和易失性模式中的一個模式操作。
[0008]在示意性實施例中，當存儲在從多個存儲單元中選擇的存儲單元中的模式信息指示只讀模式時，邏輯控制器還被構造為當在與選擇的存儲單元對應的存儲體中執(zhí)行寫操作之后在選擇的存儲單元中設置寫標記。
[0009]在示意性實施例中，邏輯控制器可以基于在選擇的存儲單元中存儲的模式信息和設置的寫標記來去激活供應給與選擇的存儲單元對應的RW電路的寫使能信號。[0010]在示意性實施例中，當存儲在從多個存儲單元中選擇的存儲單元中的模式信息指示易失性模式時，邏輯控制器還可以被構造為當在與選擇的存儲單元對應的存儲體中執(zhí)行寫操作之后在選擇的存儲單元中設置重置標記。
[0011]在示意性實施例中，當與選擇的存儲單元對應的存儲體被擦除(erase)時,邏輯控制器還可以被構造為重置在選擇的存儲單元中設置的重置標記。
[0012]在示意性實施例中，當執(zhí)行斷電時，響應于在選擇的存儲單元中存儲的模式信息和設置的重置標記，邏輯控制器可以控制與選擇的存儲單元對應的RW電路，使得與選擇的存儲單元對應的存儲體被擦除可重置選擇的存儲單元的重置標記。
[0013]在示意性實施例中，當執(zhí)行重啟(re-boot)時，響應于設置的重置標記,邏輯控制器可以控制與選擇的存儲單元對應的RW電路使得與選定的存儲單元相對應的存儲體被擦除，并且可以重置選擇的存儲單元的設置的重置標記。
[0014]在示意性實施例中，當存儲在從多個存儲單元中選擇的存儲單元中的模式信息指示安全模式時，響應于存儲在選擇的存儲單元中的模式信息，邏輯控制器可以在選擇的存儲單元中設置寫標記，并且可以去激活供應給與選擇的存儲單元對應的RW電路的寫使能信號，并且可以在執(zhí)行與選擇的存儲單元對應的存儲體的寫操作之后設置寫標記。
[0015]在示意性實施例中，當存儲在從多個存儲單元中選擇的存儲單元中的模式信息指示安全模式時，邏輯控制器還可以在執(zhí)行寫操作之后的與選擇的存儲單元對應的存儲體的讀操作之后在選擇的存儲單元中設置讀標記。
[0016]在示意性實施例中，邏輯控制器可以基于選擇的存儲單元的模式信息和設置的讀標記，來去激活供應給與選擇的存儲單元對應的RW電路的讀使能信號。
[0017]在示意性實施例中，當執(zhí)行啟動(boot)時，邏輯控制器可以重置設置的讀標記。
[0018]本發(fā)明構思的另一個方面提供一種操作非易失性存儲器的方法，所述非易失性存儲器包括多個存儲體。所述方法包括:將存儲體分成至少兩個組；基于對應的模式信息來確定所述至少兩個組中的每一組的操作的模式，該模式信息指示在所述至少兩個組中的每一組中是否允許讀操作并且是否允許寫操作。在決定所述至少兩個組中的每一組的操作的模式之后的初始狀態(tài)中，無論操作模式如何都允許所述至少兩個組中的每一組的寫操作和讀操作。
[0019]在示意性實施例中，確定操作的模式的步驟可以包括確定所述至少兩個組中的至少一個組處于允許寫操作和讀操作的隨機存取模式。
[0020]在示意性實施例中，確定操作模式可以包括確定所述至少兩個組中的至少一個組處于只讀模式，其中，在所述只讀模式中，執(zhí)行一個寫操作并且隨后的寫操作被禁止，以及允許讀操作。
[0021]在示意性實施例中，確定操作的模式的步驟可以包括確定所述至少兩個組中的至少一個組處于安全模式，其中，在所述安全模式中，在執(zhí)行初始的寫操作之后禁止寫操作，以及在執(zhí)行啟動期間的讀操作之后禁止讀操作。
[0022]在示意性實施例中，確定操作模式可以包括確定所述至少兩個組中的至少一個組處于易失性模式，其中，在所述易失性模式中，所述至少一個組在斷電或通電時被擦除。
[0023]在示意性實施例中，所述方法還可以包括:改變至少一個存儲體的操作模式；響應于操作模式的改變來擦除模式被改變的所述至少一個存儲體。[0024]在示意性實施例中，所述方法還可以包括:接收用于改變至少一個存儲體的操作模式的改變請求；根據(jù)改變請求執(zhí)行認證操作；在認證操作通過時允許根據(jù)改變請求的操作的模式的改變，并且在認證操作失敗時拒絕改變請求。
[0025]本發(fā)明構思的另一方面提供了一種非易失性存儲器，所述非易失性存儲器包括:共享讀寫(RW)電路的多個存儲器塊，每一個存儲器塊包括多個存儲器單元；邏輯控制器，包括分別對應于所述多個存儲器塊的多個存儲單元，并且被構造為基于存儲在各個存儲單元中的操作模式信息來將寫使能信號和讀使能信號輸出到各個存儲器塊。RW電路被構造為響應于各個存儲器塊的寫使能信號和讀使能信號來獨立地啟用或禁用各個存儲器塊的寫操作和讀操作。在操作模式信息被存儲在各個存儲單元之后的初始狀態(tài)中，無論在各個存儲單元中存儲的操作模式信息如何，邏輯控制器都啟用相應的存儲器塊的寫使能信號和讀使能信號。
[0026]通過本發(fā)明構思的實施例，存儲體可以被劃分為多個組。存儲體的組可以按照不同的操作模式操作。因此，可以提高操作性能并提供用戶便利性。
[0027]本發(fā)明構思的另一方面提供了一種計算系統(tǒng)，所述計算系統(tǒng)包括被構造為控制操作的模式的應用處理器和被構造為從應用處理器接收模式信息的非易失性存儲器。該非易失性存儲器包括:多個存儲體，每一個存儲體包括多個存儲器單元；邏輯控制器，包括分別對應于所述多個存儲體的多個存儲單元，并且被構造為基于識別操作的模式的在各個的存儲單元中存儲的模式信息來激活和去激活被提供給相應的存儲體的寫使能信號和讀使能信號；多個讀寫(RW)電路，該多個RW電路分別與多個存儲體連接，并且被構造為響應于基于在各個存儲單元中存儲的對應的模式信息激活和去激活各個存儲體的寫使能信號和讀使能信號來獨立地啟用或禁用各個存儲體的寫操作和讀操作。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]根據(jù)下面參照附圖的描述，上述和其它的目的和特征將變得明顯，在各個圖中相同的附圖標記始終表示相同的部件，除非另有說明，在附圖中:
[0029]圖1是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的計算系統(tǒng)的框圖；
[0030]圖2是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的操作非易失性存儲器的方法的流程圖；
[0031]圖3是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的非易失性存儲器的框圖；
[0032]圖4是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的操作非易失性存儲器的方法的流程圖；
[0033]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的存儲體或者讀寫電路的操作模式的表；
[0034]圖6是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的設置計算系統(tǒng)的模式的方法的流程圖；
[0035]圖7是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的的方法的流程圖，在該方法中，計算系統(tǒng)控制處于只讀模式中的非易失性存儲器的至少一個存儲體；
[0036]圖8是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的的方法的流程圖，在該方法中，計算系統(tǒng)控制處于安全模式中的至少一個存儲體；
[0037]圖9是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的的方法的流程圖，在該方法中，計算系統(tǒng)控制處于易失性模式中的至少一個存儲體；
[0038]圖10是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的另一實施例的設置計算系統(tǒng)的模式的方法的流程圖；
[0039]圖11是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的另一實施例的設置計算系統(tǒng)的模式的方法的流程圖；
[0040]圖12是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的另一實施例的設置計算系統(tǒng)的模式的方法的流程圖；
[0041]圖13是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖；以及
[0042]圖14是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的另一實施例的非易失性存儲器的框圖。
【具體實施方式】
[0043]將針對下面的詳細描述和附圖來詳細地描述實施例。但是，本發(fā)明構思可以以各種不同的形式來實施，并且不應該被解釋為只限于說明性實施例。確切地說，這些實施例作為例子被提供，使得本公開將是徹底的、完整的，并且，將向本領域的普通技術人員全面地傳達本發(fā)明構思。
[0044]因此，關于本發(fā)明構思的一些實施例，可能對已知的處理、元件和技術不進行描述。除非另有說明，在所有的附圖和說明書中相同的附圖標記表示相同的元件，因此，將不會重復描述。在附圖中，為了清楚起見，可以對層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸進行放大。
[0045]將會理解，雖然在本文中可以使用術語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是，這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應該受這些術語的限制。這些術語僅僅用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分進行區(qū)分。因此，在不脫離本發(fā)明構思的教導的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0046]為了容易描述，在本文中可以使用諸如“在……之下”、“在……下面”、“下部的”、“在……下方”、“在……上方”、“上部的”等空間相對術語來描述一個元件或特征與另一個元件或特征的關系，如圖所示。將會理解，除了圖中繪出的取向以外，空間相對術語旨在還涵蓋裝置在使用或操作中的不同的取向。例如，如果圖中的裝置被翻轉，那么被描述為在其它的元件或特征的“下面”或“之下”或“下方”的元件將會被取向為在其它的元件或特征的“上面”。因此，示例性術語“在……下面”和“在……下方”可以涵蓋“上面”和“下面”的兩種取向。裝置可以以另外的方式被取向(旋轉90度或者以其它的取向)，并且，相應地，解釋本文中使用的空間相對描述符。另外，還將會理解，當一個層被提及為在兩個層“之間”時，它可以是兩個層之間的唯一層，或者，還可以存在一個或多個中間層。
[0047]本文中使用的術語僅僅出于描述特定實施例的目的，并且不應當限制本發(fā)明構思。如本文中使用的，單數(shù)形式“一個”、“一種”和“該”應當也包括復數(shù)形式，除非上下文中明確地另有說明。將會進一步理解，術語“包括”和/或“包含”在本說明書中使用時指定所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除一個或多個其它的特征、整體、步驟、操 作、元件、組件和/或其集合的存在或添加。如本文中使用的，術語“和/或”包括相關列舉項目中的一個或多個的所有的任何組合。此外，術語“示例性的”應當是指例子或實例。[0048]將會理解，當一個元件或層被提到在另一個元件或層“上”，與另一個元件或層“連接”、“耦接”或者“相鄰”時，它可以直接在另一個元件或層上，直接與另一個元件或層連接、耦接、或者相鄰，或者，可以存在中間元件或層。與此形成對照的是，當一個元件被提到“直接在另一個元件或層上”，與另一個元件或層“直接連接”、“直接耦接”或“直接相鄰”時，不存在中間元件或層。
[0049]除非另有定義，本文中使用的所有的術語(包括技術術語和科學技術)具有與本發(fā)明構思所屬【技術領域】的普通技術人員所通常理解的含義相同的含義。將會進一步理解，諸如常用詞典中定義的術語的術語應該被解釋為具有與其在相關領域和/或本說明書的環(huán)境中的含義一致的含義，并且將不會被解釋為理想化的或過于正式的意義，除非本文中另有明確的定義。
[0050]圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的計算系統(tǒng)1000的框圖。例如，計算系統(tǒng)1000可以是移動多媒體裝置。參照圖1，計算系統(tǒng)1000包括應用處理器1100、非易失性存儲器1200、存儲裝置1300、調制解調器1400和用戶接口 1500。
[0051]應用處理器1100控制計算系統(tǒng)1000的整體操作并執(zhí)行邏輯運算。例如，應用處理器1100可以由片上系統(tǒng)(SoC)形成。
[0052]非易失性存儲器1200可以用作計算系統(tǒng)1000的工作存儲器。非易失性存儲器1200可以包括各種類型的非易失性存儲器，例如，磁RAM (MRAM)、相變RAM (PRAM)、電阻式RAM (RRAM)、鐵電RAM (FRAM)等。在示出的示例中，假設非易失性存儲器1200包括MRAM，但是本發(fā)明構思的實施例并不局限于此。
[0053]非易失性存儲器1200可以從應用處理器1100接收地址ADDR、控制信號CTRL和命令CMD。此外，非易失性存儲器1200可以與應用處理器1100交換數(shù)據(jù)DATA。非易失性存儲器1200包括多個存儲體111至lln。存儲體111至Iln中的每一個可以包括能夠獨立地
執(zhí)行讀、寫或擦除的一組存儲器單元。
[0054]存儲體111至Iln可以被劃分為多個組。例如，組可以被控制為在諸如隨機存取模式、只讀模式、安全模式和易失性模式的不同的操作模式中操作。組的操作模式可以由應用處理器110來控制。
[0055]圖1示出，非易失性存儲器1200包括多個存儲體111至Iln的示例。但是，本發(fā)明構思的實施例并不局限于此。例如，非易失性存儲器1200可以包括多個存儲器塊，其中，每一個存儲器塊包括多個存儲器單元。存儲器塊可以是共享外圍電路來執(zhí)行讀、寫或擦除的存儲器單元的集合。存儲器塊可能不會同時執(zhí)行讀、寫或擦除。從這些存儲器塊選擇的一個存儲器塊可執(zhí)行讀、寫或擦除。在各種實施例中，存儲體可以包括多個存儲器塊。
[0056]下面將針對非易失性存儲器1200的存儲體(例如，存儲體111至Iln)來描述本發(fā)明構思的實施例。例如，將描述通過諸如隨機存取模式、只讀模式、安全模式和易失性模式的各種操作模式控制的非易失性存儲器1200的存儲體。但是，本教導的精神和范圍也可以被擴展到存儲器塊。例如，除了不同時執(zhí)行讀、寫或擦除的事實以外，本發(fā)明構思的實施例可以被應用到非易失性存儲器1200的存儲器塊。同樣地，可以通過諸如隨機存取模式、只讀模式、安全模式和易失性模式等的各種操作模式控制非易失性存儲器1200的存儲器塊。
[0057]存儲裝置1300可以用作用于計算系統(tǒng)的存儲設備(storage)。存儲設備可以長時間段地保留數(shù)據(jù)。存儲裝置1300可以包括各種類型的非易失性存儲器，諸如，閃速存儲器、硬盤驅動器(HDD )、MRAM、PRAM、RRAM、FRAM 等。
[0058]在示意性實施例中，非易失性存儲器1200和存儲裝置1300可以被集成在組合的存儲器中。存儲器的第一部分可以用作非易失性存儲器1200，并且存儲器的第二部分可以用作存儲裝置1300。
[0059]調制解調器1400可以在應用處理器1100的控制下與外部裝置執(zhí)行有線或無線通信。調制解調器1400可以基于各種通信標準(諸，如WiF1、CDMA、GSM、LTE、Bluetooth、NFC等中的至少一個)進行通信。在示例性實施例中，調制解調器1400可以與應用處理器110一起構成片上系統(tǒng)。
[0060]用戶接口 1500被構造為與外部裝置(未示出)交換信號。例如，用戶接口 1500可以包括一個或多個用戶輸入接口，諸如，鍵盤、鍵區(qū)、按鈕、觸摸面板、觸摸屏、觸摸板、觸摸球、相機、麥克風、陀螺儀傳感器、振動傳感器等。用戶接口 1500還可以包括一個或多個用戶輸出接口，例如，液晶顯示器(IXD)、有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置、有源矩陣OLED(AMOLED)顯示裝置、發(fā)光二極管(LED)、揚聲器、電機等。
[0061]圖2是示意性示出根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的操作非易失性存儲器1200的方法的流程圖。參照圖1和2，在操作SllO中，多個存儲體被劃分為少兩個組。在操作S120中，分別決定劃分的組的讀使能模式和寫使能模式。可通過分別決定劃分的組的讀使能模式和寫使能模式，來獨立地控制劃分的組的操作模式。
[0062]圖3是示意性示出根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的非易失性存儲器1200的框圖。參照圖1和3，非易失性存儲器1200包括多個存儲體111至lln、多個讀寫(RW)電路121至12η和邏輯控制器130。
[0063]存儲體111至Iln中的每一個可以包括多個存儲器單元。例如，包括在存儲體111至Iln中的每一個的存儲器單元可以是磁存儲器單元。此外，在存儲體111至Iln中的每一個中，存儲器單元可以按照三維結構堆疊。
[0064]Rff電路121至12η分別與存儲體111至Iln連接。RW電路121至12η可以獨立地執(zhí)行對存儲體111至Iln的讀、寫和擦除。RW電路121至12η可以與應用處理器1100交換數(shù)據(jù)。例如，RW電路121至12η可以將從存儲體111至Iln讀取的數(shù)據(jù)輸出到應用處理器1100，并且將從應用處理器1100傳輸?shù)臄?shù)據(jù)分別寫入到存儲體111至lln。
[0065]圖3示出RW電路121至12η被設置在對應的存儲體111至Iln的一側的示例。但是，本發(fā)明構思的實施例并不局限于此。RW電路121至12η中的每一個可以包括用于選擇對應的存儲體中的存儲器單元的行的行解碼器和用于選擇存儲器單元的列的列解碼器。
[0066]Rff電路121至12η中的每一個被構造為從邏輯控制器130接收讀使能信號RE和寫使能信號WE。當讀使能信號RE被激活時，與激活的讀使能信號RE對應的RW電路121至12η在邏輯控制器130的控制下執(zhí)行讀操作。當讀使能信號RE被去激活時，無論邏輯控制器130的試圖控制如何，與去激活的讀使能信號RE對應的RW電路121至12η不執(zhí)行讀操作。當寫使能信號WE被激活時，與激活的寫使能信號WE對應的RW電路121至12η在邏輯控制器130的控制下執(zhí)行寫操作。當寫使能信號WE被去激活時，無論邏輯控制器130的試圖控制如何，與去激活的寫使能信號WE對應的RW電路121至12η都不執(zhí)行寫操作。
[0067]也就是說，讀使能信號RE分別允許和禁止RW電路121至12η中的每一個的讀操作，并且寫使能信號WE分別允許和禁止RW電路121至12η中的每一個的寫操作。[0068]邏輯控制器130被構造為控制非易失性存儲器1200的整體操作。邏輯控制器130還被構造為響應于來自應用處理器1100的控制信號CTRL、命令CMD和地址ADDR來控制RW電路121至12η。
[0069]在示出的實施例中，邏輯控制器130包括存儲電路140。存儲電路140包括分別對應于存儲體111至Iln和/或RW電路121至12η的存儲單元SI至Sn。
[0070]存儲單元SI至Sn被構造為存儲對應的存儲體111至Iln和/或RW電路121至12η的模式信息。模式信息可包括與讀使能信號相關聯(lián)的讀位和與寫使能信號相關聯(lián)的寫位。邏輯控制器130可以基于存儲在存儲單元SI至Sn中的模式信息，來激活或去激活讀使能信號RE和寫使能信號WE。也就是說，邏輯控制器130可以基于存儲在存儲單元SI至Sn中的模式信息，來控制存儲體111至Iln或RW電路121至12η的模式。
[0071]在各種實施例中，存儲單元SI至Sn可以存儲非易失性模式信息。例如，存儲單元SI至Sn可以是模式寄存器。邏輯控制器130被構造為響應于從應用處理器1100傳輸?shù)奶囟疃M入模式寄存器設置模式。在模式寄存器設置模式中，邏輯控制器130可以根據(jù)從應用處理器1100傳輸?shù)男畔?例如，ADDR、CTRL、CMD或DATA)在存儲單元SI至Sn中存儲模式信息。
[0072]在示意性實施例中，存儲單元SI至Sn可以是熔絲。當存儲單元SI至Sn由例如電熔絲形成時，它們可以存儲與模式寄存器相同的模式信息。當存儲單元SI至Sn由例如激光熔絲形成時，它們可以通過激光切割來存儲模式信息。
[0073]圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的操作非易失性存儲器1200的方法的流程圖。圖4示出在存儲單元SI至Sn由模式寄存器形成時非易失性存儲器1200操作的示例。
[0074]參照圖1、3和4，在操作S210中，接收寄存器設置命令CMD。非易失性存儲器1200的邏輯控制器130可以從應用處理器1100接收寄存器設置命令CMD。例如，邏輯控制器130可基于接收的寄存器設置命令CMD進入模式寄存器設置模式。
[0075]在操作S220中，非易失性存儲器1200接收地址和模式信息。邏輯控制器130可以接收來自應用處理器1100的存儲體的地址和與對應于所接收到的地址的存儲體相關聯(lián)的模式信息。模式信息可以以地址、命令、控制信號或數(shù)據(jù)形式從應用處理器1100傳輸?shù)椒且资源鎯ζ?200。當模式信息以數(shù)據(jù)形式被傳輸時，用于傳輸模式信息的單獨的數(shù)據(jù)路徑可以被設置在RW電路121至12η和邏輯控制器130之間。
[0076]在操作S230中，邏輯控制器130根據(jù)接收到的地址在存儲單元SI至Sn中存儲模式信息。在操作S240中，邏輯控制器130響應于存儲在存儲單元SI至Sn中的模式信息來控制讀使能信號RE和寫使能信號WE。因此，邏輯控制器130可以激活或去激活分別與存儲體111或Iln或者RW電路121或12η相對應的讀使能信號RE和寫使能信號WE。
[0077]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的根據(jù)模式信息的存儲體111或Iln或者讀寫電路121或12η的操作模式的表。參照圖1、4和5，模式信息包括寫信息W和讀信息R。寫信息W指示對應的存儲體或RW電路的寫模式，并且讀信息R指示對應的存儲體或RW電路的讀模式。讀信息R和寫信息W可分別對應于如上所述的與讀使能信號相關聯(lián)的讀位和與寫使能信號相關聯(lián)的寫位，但不限于此。
[0078]參照圖5中示出的示例，當寫信息W和讀信息R都具有第一值(例如，I)時，寫使能信號WE和讀使能信號RE被激活。于是，對應的存儲體或RW電路被寫使能和被讀使能，由此響應于激活的寫使能信號WE和讀使能信號RE來執(zhí)行寫操作和讀操作。因此，與存儲有具有第一值的寫信息W和具有第一值的讀信息R的存儲單元相對應的存儲體或RW電路處于隨機存取模式。
[0079]當寫信息W具有第二值(例如，O)并且讀信息R具有第一值時，寫使能信號WE被初始地激活直到針對對應的存儲體或RW電路執(zhí)行寫操作，并且然后該寫使能信號WE被去激活。讀使能信號RE被激活。于是，對應的存儲體或RW電路被一次寫使能，和讀使能。因此，與存儲有具有第二值的寫信息W和具有第一值的讀信息R的存儲單元相對應的存儲體或RW電路處于只讀模式。
[0080]在示意性實施例中，與處于只讀模式的存儲體或RW電路相關聯(lián)的存儲單元還存儲寫標記作為附加模式信息。當在存儲體或RW電路中初始地執(zhí)行寫操作時，設置存儲單元的寫標記，從而在寫標記被重置之前禁止進一步的寫操作。換句話說，當寫標記處于重置狀態(tài)中時，邏輯控制器130保持寫使能信號WE處于激活狀態(tài)，并且當寫標記處于設置的狀態(tài)時，邏輯控制器130去激活寫使能信號WE。
[0081]再次參照圖5，在寫信息W和讀信息R 二者具有第二值時寫使能信號WE被初始地激活直到針對對應的存儲體或RW電路執(zhí)行寫操作，并且然后該使能信號WE被去激活。同樣地，讀使能信號RE被初始地激活直到(在計算系統(tǒng)1000的啟動開始之后)執(zhí)行讀操作，并且然后該讀使能信號RE被去激活。于是，對應的存儲體或RW電路被一次寫使能和一次讀使能。因此，與存儲有具有第二值的寫信息W和具有第二值的讀信息R的存儲單元相對應的存儲體或RW電路處于安全(或者，啟動)模式。
[0082]在示意性實施例中，與處于安全模式的存儲體或RW電路相關聯(lián)的存儲單元還存儲寫標記和讀標記作為附加模式信息。當最存儲體或RW電路中初始地執(zhí)行寫操作時，存儲單元的寫標記被設置，從而在寫標記被重置之前禁止進一步的寫操作。換句話說，當寫標記處于重置狀態(tài)時，邏輯控制器130保持寫使能信號WE處于激活狀態(tài)，并且當寫標記處于設置的狀態(tài)時，邏輯控制器130去激活寫使能信號WE。類似地，當在RW電路中初始地執(zhí)行讀操作時(在開機啟動之后)，存儲單元的讀標記被設置，從而在讀標記被重置之前禁止進一步的讀操作。換句話說，當讀標記處于重置狀態(tài)時，邏輯控制器130保持讀使能信號RE處于激活狀態(tài)，并且當讀標記處于設置的狀態(tài)時，邏輯控制器130去激活讀使能信號RE。
[0083]最后，當寫信息W具有第一值，且讀信息R具有第二值時，寫使能信號WE和讀使能信號RE保持激活狀態(tài)。于是，對應的存儲體或RW電路是特殊讀/寫使能，并且在斷電之前被重置。因此，與其中存儲具有第一值的寫信息W和具有第二值的讀信息R的存儲單元相對應的存儲體或RW電路處于易失性模式。
[0084]在示意性實施例中，與處于易失性模式的存儲體或RW電路相關聯(lián)的存儲單元還存儲重置標記作為附加模式信息。當在存儲體或RW電路中執(zhí)行寫操作時，對應的存儲單元的重置標記被設置。當寫入到存儲體或RW電路中的所有的數(shù)據(jù)被擦除時，該重置標記被重置。當重置標記處于重置狀態(tài)時，邏輯控制器130在斷電或通電時控制存儲體或RW電路，使得寫入到存儲體中的數(shù)據(jù)全部被擦除。
[0085]因此，一般地，在操作模式被決定之后，無論操作模式如何都允許初始的寫操作和讀操作。換句話說，在模式信息被存儲到相應的存儲單元之后的初始狀態(tài)中，無論在相應的存儲單元中存儲的模式信息如何，邏輯控制器130都初始地激活相應的存儲體或RW電路的寫使能信號WE和讀使能信號RE。
[0086]圖6是示意性示出根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的設置計算系統(tǒng)1000的模式的方法的流程圖。參照圖1、3、5和6，在操作S310中，應用處理器1100將模式設置命令CMD發(fā)送給非易失性存儲器1200。模式設置命令CMD可根據(jù)非易失性存儲器1200的規(guī)格而被預先確定。在操作S320中，應用處理器1100將地址和模式信息發(fā)送給非易失性存儲器1200。
[0087]在操作S330中，非易失性存儲器1200在存儲單元SI至Sn中存儲模式信息。存儲體111至Iln或RW電路121至12η的操作的模式分別根據(jù)存儲的模式信息而被決定。
[0088]在操作S340中，應用處理器1100和非易失性存儲器1200通過允許授權的存取并拒絕未經(jīng)授權的存取，來相互通信。例如，當應用處理器1100請求在具有只讀模式或安全模式的存儲體中的寫操作時，非易失性存儲器1200可以拒絕該寫請求。
[0089]在示意性實施例中，應用處理器1100可以通過從應用處理器1100向非易失性存儲器1200發(fā)送模式設置命令CMD，來改變對非易失性存儲器1200的存儲體111至Iln設置的模式。
[0090]在示意性實施例中，非易失性存儲器1200的存儲體111至Iln可以分別具有隨機訪問模式作為默認值。通過從應用處理器1100向非易失性存儲器1200發(fā)送模式設置命令CMD，存儲體111至Iln的模式被設置為另一模式。在示意性實施例中，可以通過對BIOS的設置來執(zhí)行對非易失性存儲器1200的模式的改變。
[0091]圖7是示意性示出計算系統(tǒng)1000控制非易失性存儲器1200的具有只讀模式的至少一個存儲體的方法的流程圖。參照圖1、4、5和7，在操作S410中，應用處理器1100將模式設置命令CMD發(fā)送給非易失性存儲器1200。在操作S420中，應用處理器1100將至少一個存儲體的地址和只讀模式信息發(fā)送給非易失性存儲器1200。也就是說，應用處理器1100可以向非易失性存儲器1200提供將以只讀模式被控制的至少一個存儲體的地址。如上面參照圖5所討論的，應用處理器1100可以向非易失性存儲器1200提供具有第二值(例如，O)的寫信息W和具有第一值(例如，I)的讀信息R作為模式信息。
[0092]在操作S430中，非易失性存儲器1200在與接收到的地址對應的存儲單元中存儲傳輸?shù)闹蛔x模式信息。通過在存儲單元中存儲只讀模式信息，可以以只讀模式控制與接收到的地址對應的存儲體或RW電路。
[0093]在操作S440中，應用處理器1100將地址和只讀模式數(shù)據(jù)發(fā)送給非易失性存儲器1200。例如，應用處理器1100可將將以只讀模式被控制的存儲體的地址和將被寫入到該存儲體中的數(shù)據(jù)發(fā)送給非易失性存儲器1200。
[0094]在操作S450中，非易失性存儲器1200在具有只讀模式的存儲體中寫入傳輸?shù)闹蛔x模式數(shù)據(jù)。在寫入只讀模式數(shù)據(jù)之后，非易失性存儲器1200設置與寫入有只讀模式數(shù)據(jù)的存儲體相對應的存儲單元的寫標記。如果寫標記被設置，則非易失性存儲器1200的邏輯控制器130去激活寫使能信號WE。也就是說，對于寫入有只讀模式數(shù)據(jù)的存儲體上的隨后的寫操作被禁止。
[0095]在示意性實施例中，只讀模式數(shù)據(jù)可以包括更新禁止數(shù)據(jù)，例如，計算系統(tǒng)1000的硬件信息、BIOS程序、計算系統(tǒng)1000的固有號等。如果只讀模式數(shù)據(jù)被寫入，則對于具有只讀模式的存儲體的寫入被禁止。因此，可以無損耗地保留在具有只讀模式的存儲體中編程的數(shù)據(jù)。
[0096]在操作S460中，應用處理器1100和非易失性存儲器1200通過允許對于具有只讀模式的存儲體的讀操作并禁止對于具有只讀模式的存儲體的寫操作，來相互通信。
[0097]圖8是示意性示出計算系統(tǒng)1000控制具有安全模式的至少一個存儲體的方法的流程圖。參照圖1、4、5和8，在操作S510中，應用處理器1100將模式設置命令CMD發(fā)送給非易失性存儲器1200。在操作S520中，應用處理器1100將地址和安全模式信息發(fā)送給非易失性存儲器1200。應用處理器1100可以向非易失性存儲器1200提供將以安全模式被控制的至少一個存儲體的地址。如上面參照圖5所討論的，應用處理器1100可以向非易失性存儲器1200提供具有第二值(例如，O)的寫信息W和具有第二值的讀信息R作為模式信肩、O
[0098]在操作S530中，非易失性存儲器1200在與接收到的地址對應的存儲單元中存儲傳輸?shù)陌踩Ｊ叫畔?。在操作S540中，應用處理器1100將地址和安全模式數(shù)據(jù)發(fā)送給非易失性存儲器1200。例如，應用處理器1100可將將以安全模式被控制的存儲體的地址和將被寫入到該存儲體中的數(shù)據(jù)發(fā)送給非易失性存儲器1200。
[0099]在操作S550中，非易失性存儲器1200在與接收到的地址對應的存儲體中寫入接收到的安全模式數(shù)據(jù)，并且設置與寫入有安全模式數(shù)據(jù)的存儲體相關聯(lián)的存儲單元的寫標記。如果寫標記被設置，則非易失性存儲器1200的邏輯控制器130可以去激活寫使能信號WE。也就是說，對于寫入有安全模式數(shù)據(jù)的存儲體的隨后的寫操作被禁止。
[0100]在示意性實施例中，安全模式數(shù)據(jù)可以包括與計算系統(tǒng)1000的啟動相關聯(lián)的信息。安全模式數(shù)據(jù)可以包括在計算系統(tǒng)1000啟動時所需的安全信息、識別信息等。如果安全模式數(shù)據(jù)被寫入，則對于具有安全模式的存儲體的寫入可被禁止。因此，可以無損耗地保留安全模式數(shù)據(jù)。
[0101]在操作S560中，執(zhí)行重啟。重啟可以包括硬重置和軟重置，其中，硬重置允許在去除計算系統(tǒng)1000的電力之后再次供電，軟重置允許在保持計算系統(tǒng)1000的電力的情況下執(zhí)行操作系統(tǒng)(OS)重啟。無論何時執(zhí)行重啟，非易失性存儲器1200重置與具有安全模式的存儲體相關聯(lián)的存儲單元的讀標記。在示意性實施例中，非易失性存儲器1200可以通過檢測從應用處理器1100傳輸?shù)闹刂眯盘柣蛘吖碾娏Φ碾娖降脑黾?，來重置讀標記。
[0102]在操作S570中，當在非易失性存儲器1200處啟動時，應用處理器1100請求讀操作。應用處理器1100將具有安全模式的存儲體的地址與讀請求一起發(fā)送。
[0103]在操作S580中，非易失性存儲器1200根據(jù)讀請求讀取在具有安全模式的存儲體中存儲的安全模式數(shù)據(jù)。如果讀操作被執(zhí)行，則邏輯控制器130設置與具有安全模式的存儲體相關聯(lián)的存儲單元的讀標記。如果讀標記被設置，則邏輯控制器130可以去激活讀使能信號RE。也就是說對于具有安全模式的存儲體的隨后的讀操作被禁止。
[0104]在操作S590中，應用處理器1100和非易失性存儲器1200通過禁止對于具有安全模式的存儲體的RW操作，來相互通信。
[0105]如果安全模式數(shù)據(jù)在啟動時被讀取，則對于具有安全模式的存儲體的隨后的訪問可被拒絕。因此，可以確保對于具有安全模式的存儲體中存儲的安全模式數(shù)據(jù)的安全。
[0106]圖9是示意性示出計算系統(tǒng)1000控制具有易失性模式的至少一個存儲體的方法的流程圖。參照圖1、4、5和9，在操作S610中，應用處理器1100將模式設置命令CMD發(fā)送給非易失性存儲器1200。
[0107]在操作S620中，應用處理器1100將地址和易失性模式信息發(fā)送給非易失性存儲器1200。應用處理器1100向非易失性存儲器1200提供將以易失性模式被控制的至少一個存儲體的地址。如上面參照圖5所討論的，應用處理器1100可以向非易失性存儲器1200提供具有第一值(例如，I)的寫信息W和具有第二值(例如，O)的讀信息R作為模式信息。
[0108]在操作S630中，非易失性存儲器1200在與對應于接收到的地址的存儲體相關聯(lián)的存儲單元中存儲傳輸?shù)囊资阅Ｊ叫畔?。在操作S640中，應用處理器1100對非易失性存儲器1200進行隨機存取。
[0109]在操作S650中，如果數(shù)據(jù)被寫入到具有易失性模式的存儲體中，則非易失性存儲器1200設置與存儲體相關聯(lián)的存儲單元的重置標記。如果在具有易失性模式的存儲體中寫入的數(shù)據(jù)被擦除，則非易失性存儲器1200重置與存儲體相關聯(lián)的存儲單元的重置標記。
[0110]在操作S660中，檢測到斷電。在示意性實施例中，非易失性存儲器1200可以通過檢測供應到計算系統(tǒng)1000的電力是否低于閾值，來檢測斷電。非易失性存儲器1200可以通過從應用處理器1100接收斷電信號來檢測斷電。
[0111]在操作S670中，響應于檢測到斷電，非易失性存儲器1200根據(jù)重置標記擦除具有易失性模式的存儲體并重置重置標記。例如，具有易失性模式的存儲體中的與寫入有數(shù)據(jù)的存儲體相關聯(lián)的重置標記可以處于設置狀態(tài)。具有易失性模式的存儲體當中的與未寫入有數(shù)據(jù)的存儲體相關聯(lián)的重置標記可以處于重置狀態(tài)。非易失性存儲器1200可以基于重置標記來檢測寫入有數(shù)據(jù)并具有易失性模式的存儲體，并且擦除檢測到的存儲體。與被擦除的存儲體相關聯(lián)的存儲單元的重置標記可以被重置。
[0112]在操作S680中，重啟被執(zhí)行。重啟可以包括硬重置和軟重置，其中，硬重置允許在去除計算系統(tǒng)1000的電力之后再次供電，軟重置允許在保持計算系統(tǒng)1000的電力的情況下執(zhí)行OS重啟。
[0113]在操作S690中，非易失性存儲器1200根據(jù)重置標記擦除具有易失性模式的存儲體并重置重置標記。在示意性實施例中，由于計算系統(tǒng)1000的不正常的操作或者突然斷電，不能正常地執(zhí)行操作S670的擦除。在啟動時，非易失性存儲器1200可以基于重置標記再次擦除具有易失性模式的存儲體。
[0114]在示意性實施例中，可以在具有易失性模式的存儲體中存儲信用信息、個人信息和其他用戶數(shù)據(jù)。當計算系統(tǒng)1000被斷電或通電時，在具有易失性模式的存儲體中存儲的所有的信息被擦除。因此，可以防止在具有易失性模式的存儲體中存儲的數(shù)據(jù)被泄露或黑客入侵。
[0115]圖10是示意性示出根據(jù)本發(fā)明構思的另一實施例的設置計算系統(tǒng)1000的模式的方法的流程圖。參照圖1和10，在操作S710中，應用處理器1100將模式設置命令CMD發(fā)送給非易失性存儲器1200。在操作S720中，應用處理器1100將地址和模式信息發(fā)送給非易失性存儲器1200。
[0116]在操作S730中，非易失性存儲器1200將認證請求發(fā)送給應用處理器1100。例如，認證請求可要求輸入密碼和/或認證密鑰。在操作S740中，應用處理器1100和非易失性存儲器1200根據(jù)對認證請求的認證結果來允許或拒絕模式改變。例如，如果認證失敗，則非易失性存儲器1200拒絕模式改變，并且，如果認證通過，那么非易失性存儲器1200允許模式改變。
[0117]通過需要對模式改變的認證，進一步提高非易失性存儲器1200的安全。例如，可以進行黑客入侵嘗試，以試圖將存儲體的安全模式或只讀模式改變?yōu)殡S機訪問模式。但是，通過一旦請求模式改變都產(chǎn)生認證請求并因此需要認證，非易失性存儲器1200確保僅僅通過授權的用戶執(zhí)行對存儲體的模式改變，從而提高非易失性存儲器1200的安全。
[0118]圖11是示意性地圖示根據(jù)本發(fā)明構思的另一實施例的設置計算系統(tǒng)1000的模式的方法的流程圖。參照圖1和11，在操作S810中，應用處理器1100將模式設置命令CMD發(fā)送給非易失性存儲器1200。在操作S820中，應用處理器1100將地址和模式信息發(fā)送給非易失性存儲器1200。
[0119]在操作S830中，非易失性存儲器1200在存儲單元中存儲模式信息。通過在存儲單元中存儲模式信息，可以改變選定的存儲體的模式。在操作S840中，非易失性存儲器1200擦除改變了模式的存儲體中的數(shù)據(jù)。在操作S850中，應用處理器1100和非易失性存儲器1200通過允許被認證的(授權的)存取并拒絕未經(jīng)認證的(未經(jīng)授權的)存取和拒絕未經(jīng)授權的存取，來相互通信。
[0120]在參照圖11描述的實施例中，在改變了模式的存儲體中存儲的數(shù)據(jù)被擦除。因此，在非易失性存儲器1200的模式通過黑客入侵或某一其它未經(jīng)授權的手段而改變的情況中，可以防止在具有例如安全模式或只讀模式的存儲體中存儲的數(shù)據(jù)被泄露。
[0121]通過組合參照圖10和11描述的實施例，可以進一步提高非易失性存儲器1200的安全。也就是說，需要認證來改變模式，并且，改變了模式的存儲體的數(shù)據(jù)被擦除。
[0122]圖12是示意性示出根據(jù)本發(fā)明構思的另一實施例的設置計算系統(tǒng)1000的模式的方法的流程圖。參照圖1、3和12，在操作S710中，應用處理器1100將地址發(fā)送給非易失性存儲器1200。在操作S910中，應用處理器1100可以發(fā)送將被存取的非易失性存儲器1200的存儲器單元的地址。
[0123]在操作S920中，應用處理器1100將存取命令CMD和模式信息發(fā)送給非易失性存儲器1200。模式信息可以包括分別對應于參照圖3描述的讀使能信號RE和寫使能信號WE的讀使能信息和寫使能信息。也就是說，應用處理器1100可以直接向非易失性存儲器1200提供與對應于地址的存儲體的寫許可、寫禁止、讀許可或讀禁止相關聯(lián)的信息。非易失性存儲器1200在存儲單元SI至Sn中存儲模式信息，并且根據(jù)模式信息在內部產(chǎn)生讀使能信號RE和寫使能信號WE。
[0124]在操作S930中，非易失性存儲器1200基于模式信息來處理輸入的存取命令CMD。例如，非易失性存儲器1200可以針對對應于輸入地址的存儲體或RW電路產(chǎn)生分別與輸入的讀使能信息和寫使能信息相對應的讀使能信號RE和寫使能信號WE。
[0125]在示意性實施例中，應用處理器1100在非易失性存儲器1200的存儲器映射圖(memory map)中存儲例如參照圖5描述的模式信息。應用處理器1100管理關于非易失性存儲器1200的區(qū)域是否具有隨機存取模式、只讀模式、安全模式或易失性模式的信息。應用處理器1100基于管理的模式信息來控制非易失性存儲器1200。
[0126]在示意性實施例中，當從上層(例如，OS等)接收到的命令與在存儲器映射圖中存儲的模式信息相矛盾時，應用處理器1100可以拒絕輸入的命令。
[0127]在操作S940中，非易失性存儲器1200向應用處理器1100發(fā)送對處理的命令的響應。
[0128]圖13是示意性示出根據(jù)本發(fā)明構思的實施例的存儲器系統(tǒng)2000的框圖。參照圖13，存儲器系統(tǒng)2000包括控制器2100和非易失性存儲器2200。
[0129]控制器2100被構造為將地址ADDR、控制信號CTRL和命令CMD發(fā)送給非易失性存儲器2200并與非易失性存儲器2200交換數(shù)據(jù)DATA。
[0130]非易失性存儲器2200包括多個存儲體111至Iln。非易失性存儲器2200可被構造為基本上與圖3中圖示的非易失性存儲器1200相同，并且，非易失性存儲器2200可以以與圖3中圖示的方式基本上相同的方式操作。
[0131]與上面參照圖1至12討論的應用處理器1100 —樣，控制器2100被構造為控制非易失性存儲器2200的存儲體111至Iln的操作模式。例如，控制器2100可以在外部主機的控制下控制非易失性存儲器2200的存儲體111至Iln的操作模式。
[0132]上述的實施例在非易失性存儲器1200和2200包括多個存儲體111至Iln的條件下被描述。但是，本發(fā)明構思并不局限于此。例如，如圖14所示，非易失性存儲器3200可以包括多個存儲器塊BLK，且每一個存儲器塊具有多個存儲器單元。存儲器塊可以是共享外圍電路來執(zhí)行讀、寫或擦除操作的存儲器單元的集合。這些存儲器塊BLK可能不會同時執(zhí)行讀、寫或擦除。從這些存儲器塊選擇的一個存儲器塊可以執(zhí)行讀、寫或擦除。在示意性實施例中，存儲體可以包括多個存儲器塊。同樣地，可以通過諸如上面討論的隨機存取模式、只讀模式、安全模式和易失性模式等的各種操作模式控制非易失性存儲器3200的存儲器塊BLK。邏輯控制器130’包括分別對應于存儲器塊的存儲單元SI至Sn。邏輯控制器130’可以響應于從外部裝置接收到的地址ADDR來參考對應于選定的存儲器塊的存儲單元。邏輯控制器130’被構造為根據(jù)參考結果來選擇性地激活或去激活讀使能信號RE和寫使能信號WE。例如，邏輯控制器130’可以基于在對應于地址ADDR的存儲單元中存儲的模式信息來控制如圖5中描述的信號。
[0133]在示意性實施例中，非易失性存儲器可以按照存儲體或者存儲器塊單位來控制模式。非易失性存儲器可以按照存儲體單位來控制存儲體的一部分的模式。非易失性存儲器可以按照存儲器塊單位來控制剩余的存儲體的模式。此時，存儲單元可以一起存儲指示存儲體或存儲器塊的地址作為附加模式信息。邏輯控制器基于與從外部裝置接收到的地址對應的存儲單元來按照存儲體或存儲器塊單位控制模式。
[0134]雖然針對示例性實施例描述了本發(fā)明構思，但是對于本領域的技術人員來說將會顯而易見的是，可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下進行各種改變和修改。因此，應該理解，上述實施例不是限制性的，而是說明性的。
【權利要求】
1.一種非易失性存儲器，包括: 多個存儲體，每一個存儲體包括多個存儲器單元； 邏輯控制器，該邏輯控制器包括分別對應于所述多個存儲體的多個存儲單元，并且該邏輯控制器被構造為基于存儲在各個存儲單元中的模式信息來輸出與各個存儲體對應的寫使能信號和讀使能信號； 分別與所述多個存儲體連接的多個讀寫RW電路，所述多個RW電路被構造為響應于各自存儲體的寫使能信號和讀使能信號來獨立地啟用或禁用相應的存儲體的寫操作和讀操作， 其中，在模式信息被存儲在各種的存儲單元之后的初始狀態(tài)中，無論存儲在各個存儲單元中的模式信息如何，邏輯控制器激活各個存儲體的寫使能信號和讀使能信號。
2.根據(jù)權利要求1所述的非易失性存儲器，其中，存儲在所述多個存儲單元中的每一個中的模式信息包括與讀使能信號相關聯(lián)的讀位和與寫使能信號相關聯(lián)的寫位。
3.根據(jù)權利要求2所述的非易失性存儲器，其中，所述多個存儲體中的每一個被控制為根據(jù)讀位和寫位的值以隨機存取模式、只讀模式、安全模式和易失性模式中的一個模式操作。
4.根據(jù)權利要求1所述的非易失性存儲器，其中，當存儲在從所述多個存儲單元選擇的存儲單元中的模式信息指示只讀模式時，邏輯控制器還被構造為在與選擇的存儲單元對應的存儲體中執(zhí)行寫操作之后在選擇的存儲單元中設置寫標記。
5.根據(jù)權利要求4所述的非易失性存儲器，其中，邏輯控制器基于在選擇的存儲單元中存儲的模式信息和設置的寫標記來去激活被供應給與選擇的存儲單元對應的RW電路的寫使能信號。
6.根據(jù)權利要求1所述的非易`失性存儲器，其中，當存儲在從所述多個存儲單元中選擇的存儲單元中的模式信息指示易失性模式時，邏輯控制器還被構造為在與選擇的存儲單元對應的存儲體中執(zhí)行寫操作之后在選擇的存儲單元中設置重置標記。
7.根據(jù)權利要求6所述的非易失性存儲器，其中，當與選擇的存儲單元對應的存儲體被擦除時，邏輯控制器還被構造為重置在選擇的存儲單元中設置的重置標記。
8.根據(jù)權利要求6所述的非易失性存儲器，其中，當執(zhí)行斷電時，響應于在選定的存儲單元中存儲的模式信息和設置的重置標記，邏輯控制器控制與選擇的存儲單元對應的RW電路，使得與選擇的存儲單元對應的存儲體被擦除并且重置選擇的存儲單元的重置標記。
9.根據(jù)權利要求6所述的非易失性存儲器，其中，當執(zhí)行重啟時，響應于設置的重置標記，邏輯控制器控制與選擇的存儲單元對應的RW電路，使得與選擇的存儲單元對應的存儲體被擦除并且重置選擇的存儲單元的設置的重置標記。
10.根據(jù)權利要求1所述的非易失性存儲器，其中，當存儲在從所述多個存儲單元中選擇的存儲單元的模式信息指示安全模式時，邏輯控制器響應于在選擇的存儲單元中存儲的模式信息而在選擇的存儲單元中設置寫標記并去激活供應給與選擇的存儲單元對應的RW電路的寫使能信號，并在與選擇的存儲單元對應的存儲體的寫操作被執(zhí)行之后設置寫標記。
11.根據(jù)權利要求10所述的非易失性存儲器，其中，當存儲在從所述多個存儲單元中選擇的存儲單元的模式信息指示安全模式時，邏輯控制器還在與選擇的存儲單元對應的存儲體的讀操作被執(zhí)行之后在選擇的存儲單元中設置讀標記，其中，所述讀操作在寫操作之后執(zhí)行。
12.根據(jù)權利要求11所述的非易失性存儲器，其中，邏輯控制器基于選擇的存儲單元的模式信息和設置的讀標記來去激活供應給與選擇的存儲單元對應的RW電路的讀使能信號。
13.根據(jù)權利要求11所述的非易失性存儲器，其中，在執(zhí)行啟動時，邏輯控制器重置設置的讀標記。
14.一種操作非易失性存儲器的方法，所述非易失性存儲器包括多個存儲體，所述方法包括如下步驟: 將所述多個存儲體劃分為至少兩個組； 基于對應的模式信息來確定所述至少兩個組中的每一組的操作的模式，該模式信息指示在所述至少兩個組中的每一組中讀操作是否被允許以及寫操作是否被允許， 其中，在所述至少兩個組中的每一組的操作的模式被決定之后的初始狀態(tài)中，無論操作模式如何都允許所述至少兩個組中的每一組的寫操作和讀操作。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中，確定操作的模式的步驟包括: 確定所述至少兩個組中的至少一個組處于允許寫操作和讀操作的隨機存取模式。
16.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中，確定操作的模式的步驟包括: 確定所述至少兩個組中的·至少一個組處于只讀模式，其中，在所述只讀模式中，執(zhí)行一個寫操作并且隨后的寫操作被禁止，并且允許讀操作。
17.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中，確定操作的模式的步驟包括: 確定所述至少兩個組中的至少一個組處于安全模式，其中，在所述安全模式中，在執(zhí)行初始的寫操作之后禁止寫操作，以及在執(zhí)行啟動期間的讀操作之后禁止讀操作。
18.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中，確定操作的模式的步驟包括: 確定所述至少兩個組中的至少一個組處于易失性模式，其中，在所述易失性模式中，所述至少一個組在斷電或通電時被擦除。
19.根據(jù)權利要求14所述的方法，還包括如下步驟: 改變至少一個存儲體的操作的模式； 響應于操作的模式的改變來擦除模式被改變的所述至少一個存儲體。
20.根據(jù)權利要求14所述的方法，還包括如下步驟: 接收用于改變至少一個存儲體的操作的模式的改變請求； 根據(jù)改變請求執(zhí)行認證操作；以及 當認證操作通過時允許根據(jù)改變請求的操作的模式的改變，并且在認證操作失敗時拒絕改變請求。
21.一種非易失性存儲器，包括: 共享讀寫RW電路的多個存儲器塊，每一個存儲器塊包括多個存儲器單元； 邏輯控制器，包括分別對應于所述多個存儲器塊的多個存儲單元，并且該邏輯控制器被構造為基于存儲在各個存儲單元中的操作模式信息來輸出與各個存儲器塊對應的寫使能信號和讀使能信號，其中，RW電路被構造為響應于各個存儲器塊的寫使能信號和讀使能信號來獨立地啟用或禁用各個存儲器塊的寫操作和讀操作， 其中，在操作模式信息被存儲在相應的存儲單元之后的初始狀態(tài)中，無論在相應的存儲單元中存儲的操作模式信息如何，邏輯控制器都啟用相應的存儲器塊的寫使能信號和讀使能信號。
22.—種計算系統(tǒng)，包括: 應用處理器，被構造為控制操作的模式； 非易失性存儲器，被構造為從應用處理器接收模式信息，該非易失性存儲器包括: 多個存儲體，每一個存儲體包括多個存儲器單元； 邏輯控制器，包括分別對應于所述多個存儲體的多個存儲單元，并且被構造為基于存儲在各個存儲單元的識別操作的模式的模式信息來激活和去激活寫使能信號和讀使能信號；以及 多個讀寫RW電路，分別與所述多個存儲體連接，并且被構造為響應于基于存儲在各個存儲單元中的對應的模式信息的激活和去激活的各個存儲體的寫使能信號和讀使能信號來獨立地啟用或禁用各個存儲體的寫操作和讀操作。
23.根據(jù)權利要求22所述的計算系統(tǒng)，其中，邏輯控制器從應用處理器接收從所述多個存儲體中的選擇的存儲體的地址和與選擇的存儲體相關聯(lián)的模式信息。
24.根據(jù)權利要求22所述的計算系統(tǒng)，其中，模式信息以地址、命令、控制信號和數(shù)據(jù)中的一種從應用處理器被傳輸?shù)椒且资源鎯ζ鳌?br> 25.根據(jù)權利要求22所述的計算系統(tǒng)，其中，操作的模式包括隨機存取模式、只讀模式、安全模式和易失 性模式。
【文檔編號】G11C16/14GK103854699SQ201310606617
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年11月25日 優(yōu)先權日:2012年11月29日
【發(fā)明者】金燦景, 李相普, 全晟現(xiàn) 申請人:三星電子株式會社