存儲(chǔ)模塊、具有其的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其讀寫(xiě)方法
【專(zhuān)利摘要】提供了一種從包括多個(gè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)模塊中進(jìn)行讀的方法。該方法包括：從多個(gè)存儲(chǔ)器讀取對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)；使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼糾正所讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤；以及以對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)為單位輸出經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】存儲(chǔ)模塊、具有其的存儲(chǔ)系統(tǒng)及其讀寫(xiě)方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]要求2012年11月I日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng):編號(hào)10-2012-0122982的優(yōu)先權(quán)，其整個(gè)內(nèi)容據(jù)此通過(guò)引用并入。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]這里描述的本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例涉及存儲(chǔ)模塊、具有其的存儲(chǔ)系統(tǒng)、以及從中讀取和對(duì)其寫(xiě)入的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]一般，為了高性能和大容量，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以包括按照存儲(chǔ)模塊形式的多個(gè)存儲(chǔ)器芯片(例如，DRAM)?？梢酝ㄟ^(guò)在印刷電路板上安裝多個(gè)存儲(chǔ)器芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)模塊。存儲(chǔ)模塊可以是單個(gè)存儲(chǔ)模塊(以下，稱(chēng)為SIMM)和雙存儲(chǔ)模塊(以下，簡(jiǎn)稱(chēng)為DIMM)。SIMM可以包括多個(gè)安裝在印刷電路板的一側(cè)的存儲(chǔ)器芯片，而DMM可以包括多個(gè)安裝在印刷電路板的兩側(cè)的存儲(chǔ)器芯片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的一方面專(zhuān)注于提供包括多個(gè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)模塊的讀方法，該讀方法包括:從多個(gè)存儲(chǔ)器讀取對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)；使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2糾正所讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤；以及以對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)為單位輸出經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)。
[0006]在示例實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)器的每個(gè)是非易失性存儲(chǔ)器。
[0007]在示例實(shí)施例中，所述輸出的數(shù)據(jù)包括用戶(hù)數(shù)據(jù)和用于檢測(cè)用戶(hù)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤的讀奇偶校驗(yàn)位，并且使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl產(chǎn)生該讀奇偶校驗(yàn)位。
[0008]在示例實(shí)施例中，所述讀方法還包括:以用戶(hù)數(shù)據(jù)為單位劃分經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)；以及使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl產(chǎn)生所劃分的數(shù)據(jù)的讀奇偶校驗(yàn)位。
[0009]在示例實(shí)施例中，所述讀方法還包括:將輸出的數(shù)據(jù)傳遞到控制存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)器管理單元；以及使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl糾正傳遞到存儲(chǔ)器管理單元的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。
[0010]在示例實(shí)施例中，讀取的數(shù)據(jù)由對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的集合形成，以及在存儲(chǔ)模塊中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2產(chǎn)生內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位。
[0011]在示例實(shí)施例中，所述讀方法還包括:確定讀取的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤是否是可糾正的。
[0012]在示例實(shí)施例中，所述讀方法還包括:如果讀取的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤是不可糾正的，則按照用戶(hù)數(shù)據(jù)的大小劃分用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合；使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl產(chǎn)生所劃分的數(shù)據(jù)的讀奇偶校驗(yàn)位；以及輸出所劃分的數(shù)據(jù)和讀奇偶校驗(yàn)位。
[0013]在示例實(shí)施例中，存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2不同于傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECC1。[0014]在示例實(shí)施例中，所述讀方法還包括:在糾正讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤之后將與讀取的數(shù)據(jù)的糾錯(cuò)相關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤信息傳遞給存儲(chǔ)器管理單元。
[0015]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的另一方面專(zhuān)注于提供一種存儲(chǔ)模塊，包括:執(zhí)行突發(fā)操作的存儲(chǔ)器；糾錯(cuò)電路，配置來(lái)從存儲(chǔ)器接收對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的N位數(shù)據(jù)，使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2糾正N位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤，將糾正的數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)，使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl產(chǎn)生關(guān)于每個(gè)劃分的數(shù)據(jù)單位的奇偶校驗(yàn)位，以及順序輸出M位數(shù)據(jù)，其中M位數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位，并且M位數(shù)據(jù)由每個(gè)劃分的數(shù)據(jù)和產(chǎn)生的奇偶校驗(yàn)位形成；第一緩沖器，配置來(lái)順序存儲(chǔ)來(lái)自糾錯(cuò)電路的M位數(shù)據(jù)；和第二緩沖器，配置來(lái)存儲(chǔ)N位數(shù)據(jù)。
[0016]在示例實(shí)施例中，每個(gè)存儲(chǔ)器是磁阻存儲(chǔ)器。
[0017]在示例實(shí)施例中，N位數(shù)據(jù)由用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合和用于檢測(cè)用戶(hù)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤的奇偶校驗(yàn)位的集合形成。糾錯(cuò)電路包括:校驗(yàn)位產(chǎn)生器，配置來(lái)基于用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合產(chǎn)生校驗(yàn)位；比較器，配置來(lái)比較校驗(yàn)位和奇偶校驗(yàn)位的集合以根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生特征群；錯(cuò)誤狀態(tài)寄存器，配置來(lái)存儲(chǔ)指示該比較結(jié)果指示錯(cuò)誤產(chǎn)生的信息；糾錯(cuò)引擎，配置來(lái)接收用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合和特征群并且使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2糾正用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的錯(cuò)誤；和緩沖器，配置來(lái)存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)。
[0018]在示例實(shí)施例中，在測(cè)試操作中，對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的待寫(xiě)入的寫(xiě)數(shù)據(jù)被直接存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器而不經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)電路。
[0019]在示例實(shí)施例中，在突發(fā)寫(xiě)操作中，對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的待寫(xiě)入的數(shù)據(jù)在通過(guò)糾錯(cuò)電路糾正了待寫(xiě)入的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤之后被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。
[0020]在示例實(shí)施例中，響應(yīng)于時(shí)鐘輸出M位數(shù)據(jù)并且該時(shí)鐘在存儲(chǔ)模塊中產(chǎn)生。
[0021]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的又一方面專(zhuān)注于提供一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，其包括:至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊，配置來(lái)通過(guò)突發(fā)讀操作從存儲(chǔ)器讀取對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的N位數(shù)據(jù)，使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2糾正讀取的N位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤，將存儲(chǔ)錯(cuò)誤已糾正的數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)，使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl產(chǎn)生關(guān)于每個(gè)劃分的數(shù)據(jù)的讀奇偶校驗(yàn)位，以及順序輸出M位數(shù)據(jù)(M〈N)，其中M位數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位并且由每個(gè)劃分的數(shù)據(jù)和產(chǎn)生的奇偶校驗(yàn)位形成；以及存儲(chǔ)器管理單元，配置來(lái)從至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊接收M位數(shù)據(jù)并且使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl糾正M位數(shù)據(jù)的傳遞錯(cuò)誤。
[0022]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊在突發(fā)寫(xiě)操作中順序接收M位數(shù)據(jù)，以及輸入的M位數(shù)據(jù)包括用戶(hù)數(shù)據(jù)和用于糾正用戶(hù)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤的寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位。
[0023]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊在突發(fā)寫(xiě)操作中使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl糾正輸入的M位數(shù)據(jù)的傳遞錯(cuò)誤。
[0024]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊在突發(fā)寫(xiě)操作中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2產(chǎn)生關(guān)于用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，并且用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合由對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的傳遞錯(cuò)誤已糾正的用戶(hù)數(shù)據(jù)形成。
[0025]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊在突發(fā)寫(xiě)操作中存儲(chǔ)M位數(shù)據(jù)，其中M位數(shù)據(jù)由用戶(hù)數(shù)據(jù)和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的一部分形成。
[0026]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)該內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位。
[0027]在示例實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)該內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的存儲(chǔ)器被固定。[0028]在示例實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)該內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的存儲(chǔ)器是可變的。
[0029]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊和存儲(chǔ)器管理單元通過(guò)用于接收命令、地址、時(shí)鐘和數(shù)據(jù)的線(xiàn)來(lái)連接。
[0030]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊包括:第一糾錯(cuò)電路，配置來(lái)在突發(fā)讀操作中使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl產(chǎn)生讀奇偶校驗(yàn)位，以及用戶(hù)數(shù)據(jù)是讀取的N位數(shù)據(jù)的一部分并且對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位。
[0031]在示例實(shí)施例中，第一糾錯(cuò)電路在突發(fā)寫(xiě)操作中糾正輸入的M位數(shù)據(jù)的傳遞錯(cuò)誤。
[0032]在示例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理單元還包括:傳遞錯(cuò)誤糾正電路，配置來(lái)在突發(fā)寫(xiě)操作中產(chǎn)生寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位。
[0033]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊在突發(fā)寫(xiě)操作中在存儲(chǔ)器中直接存儲(chǔ)M位數(shù)據(jù)而不糾正M位數(shù)據(jù)的傳遞錯(cuò)誤。
[0034]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊包括:第二糾錯(cuò)電路，配置來(lái)在突發(fā)讀操作中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2產(chǎn)生關(guān)于用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，以及用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合由對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的用戶(hù)數(shù)據(jù)形成，以及讀取的N位數(shù)據(jù)是由用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位形成的數(shù)據(jù)。
[0035]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊包括:通過(guò)并行接口與存儲(chǔ)器管理單元連接的多個(gè)存儲(chǔ)模塊。
[0036]在示例實(shí)施例中，至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊包括:通過(guò)串行接口與存儲(chǔ)器管理單元連接的多個(gè)存儲(chǔ)模塊。
[0037]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的又一方面專(zhuān)注于提供一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)方法，其中存儲(chǔ)系統(tǒng)包括至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊和控制至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)器管理單元。該驅(qū)動(dòng)方法包括:讀取對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)；使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2對(duì)讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行第一糾錯(cuò)操作；按照對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)劃分通過(guò)第一糾錯(cuò)操作糾正的數(shù)據(jù)；以及使用不同于存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2的傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl對(duì)所劃分的數(shù)據(jù)執(zhí)行第二糾錯(cuò)操作。
[0038]在示例實(shí)施例中，存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼是BCH碼而傳遞錯(cuò)誤糾正碼是漢明碼。
[0039]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的又一方面專(zhuān)注于提供一種存儲(chǔ)模塊的寫(xiě)方法，其包括:接收對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的寫(xiě)數(shù)據(jù)；使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl按突發(fā)長(zhǎng)度單位糾正輸入的寫(xiě)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤；使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2產(chǎn)生關(guān)于經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位；按照對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)劃分經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)；以及在多個(gè)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)內(nèi)部寫(xiě)數(shù)據(jù)，其由所劃分的數(shù)據(jù)和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的一部分形成。
[0040]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的又一方面專(zhuān)注于提供一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的奇偶校驗(yàn)位產(chǎn)生方法，所述存儲(chǔ)系統(tǒng)包括存儲(chǔ)模塊和管理存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)器管理單元。該奇偶校驗(yàn)位產(chǎn)生方法包括:在寫(xiě)操作中在存儲(chǔ)器管理單元中使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl產(chǎn)生關(guān)于用戶(hù)數(shù)據(jù)的寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位；以及在寫(xiě)操作中從存儲(chǔ)器管理單元向存儲(chǔ)模塊提供對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的寫(xiě)數(shù)據(jù)，從而使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2產(chǎn)生關(guān)于用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，寫(xiě)數(shù)據(jù)由用戶(hù)數(shù)據(jù)和寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位形成，其中用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合由對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的用戶(hù)數(shù)據(jù)形成。[0041]在示例實(shí)施例中，該奇偶校驗(yàn)位產(chǎn)生方法還包括:在讀操作中在存儲(chǔ)模塊中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2糾正用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合；在讀操作中從存儲(chǔ)模塊輸出經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的用戶(hù)數(shù)據(jù)；以及在讀操作中在存儲(chǔ)模塊中使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl產(chǎn)生關(guān)于輸出的用戶(hù)數(shù)據(jù)的讀奇偶校驗(yàn)位。
[0042]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的又一方面專(zhuān)注于提供一種存儲(chǔ)模塊，其包括:多個(gè)存儲(chǔ)器；糾錯(cuò)電路，配置來(lái)在寫(xiě)操作中，使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl糾正對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的寫(xiě)數(shù)據(jù)的傳遞錯(cuò)誤，聚集多個(gè)糾正的寫(xiě)數(shù)據(jù)，產(chǎn)生關(guān)于聚集的寫(xiě)數(shù)據(jù)的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，以及在多個(gè)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)聚集的寫(xiě)數(shù)據(jù)和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，以及在讀操作中，使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼ECC2糾正對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的、從多個(gè)存儲(chǔ)器讀取的讀數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤；以及緩沖器，配置來(lái)在寫(xiě)操作中從外部設(shè)備接收寫(xiě)數(shù)據(jù)以及在讀操作中接收從多個(gè)存儲(chǔ)器讀取的讀數(shù)據(jù)，在寫(xiě)操作中存在用于根據(jù)寫(xiě)命令糾正傳遞錯(cuò)誤的第一時(shí)延，以及在讀操作中存在用于根據(jù)讀命令糾正存儲(chǔ)錯(cuò)誤的第二時(shí)延。
[0043]在示例實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)器的每個(gè)由磁阻存儲(chǔ)器形成。
[0044]在示例實(shí)施例中，寫(xiě)數(shù)據(jù)由用戶(hù)數(shù)據(jù)和寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位形成。
[0045]在示例實(shí)施例中，讀數(shù)據(jù)由用戶(hù)數(shù)據(jù)和讀奇偶校驗(yàn)位形成。
[0046]在示例實(shí)施例中，糾錯(cuò)電路使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl產(chǎn)生讀奇偶校驗(yàn)位。
[0047]在示例實(shí)施例中，糾錯(cuò)電路包括:第一糾錯(cuò)電路，配置來(lái)糾正傳遞錯(cuò)誤；和第二糾錯(cuò)電路，配置來(lái)糾正存儲(chǔ)錯(cuò)誤。
[0048]進(jìn)一步提供一種存儲(chǔ)模塊的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤糾正方法，其包括:使用第一糾錯(cuò)碼ECCl按第一碼字單位糾正在外部設(shè)備和存儲(chǔ)模塊之間的傳遞錯(cuò)誤；和使用不同于第一糾錯(cuò)碼ECCl的第二糾錯(cuò)碼ECC2按大于第一碼字單位的第二碼字單位糾正存儲(chǔ)在存儲(chǔ)模塊中的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤。
[0049]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，一種從包括多個(gè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)模塊中進(jìn)行讀取的方法包括:在存儲(chǔ)模塊從多個(gè)存儲(chǔ)器讀取N位數(shù)據(jù)，所述N位數(shù)據(jù)包括對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)，突發(fā)長(zhǎng)度單位是存儲(chǔ)模塊在存儲(chǔ)模塊的突發(fā)數(shù)據(jù)傳遞操作中傳遞的數(shù)據(jù)量，N是正整數(shù)；在存儲(chǔ)模塊中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼糾正N位讀數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤；將經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的N位數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)M位數(shù)據(jù)單位，M是小于N的正整數(shù)；以及對(duì)于M位數(shù)據(jù)單位的每個(gè)，在存儲(chǔ)模塊使用不同于存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼的傳遞錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于M位數(shù)據(jù)單位的一個(gè)或多個(gè)讀奇偶校驗(yàn)位；以及將M位數(shù)據(jù)單位與對(duì)應(yīng)于M位數(shù)據(jù)單位的一個(gè)或多個(gè)讀奇偶校驗(yàn)位從存儲(chǔ)模塊輸出。
[0050]該方法還可以包括:將輸出的M位數(shù)據(jù)單位從存儲(chǔ)模塊傳遞到控制存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)器管理單元(MMU);在11犯中使用對(duì)應(yīng)于M位數(shù)據(jù)單位的每個(gè)的一個(gè)或多個(gè)奇偶校驗(yàn)位對(duì)M位數(shù)據(jù)單位的每個(gè)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測(cè)操作；以及如果在M位數(shù)據(jù)單位中檢測(cè)到一個(gè)或多個(gè)錯(cuò)誤，在MMU中使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼糾正檢測(cè)到的錯(cuò)誤。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0051]通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述示例實(shí)施例，示例實(shí)施例的以上和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更清楚。附圖意圖描繪示例實(shí)施例并且不應(yīng)解釋為限制權(quán)利要求想要的范圍。附圖不看作按照比例繪制，除非有明確表示。[0052]圖1是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。
[0053]圖2是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊的框圖。
[0054]圖3是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊的N位數(shù)據(jù)和M位數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)的示圖。
[0055]圖4是示意說(shuō)明在寫(xiě)操作中產(chǎn)生N位數(shù)據(jù)的操作的示圖。
[0056]圖5是示意說(shuō)明在讀操作中產(chǎn)生N位數(shù)據(jù)的操作的示圖。
[0057]圖6是示意說(shuō)明圖2的第一糾錯(cuò)電路的框圖。
[0058]圖7是示意說(shuō)明圖2的第二糾錯(cuò)電路的框圖。
[0059]圖8是示意說(shuō)明圖2的存儲(chǔ)器管理單元的糾錯(cuò)電路的框圖。
[0060]圖9是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)器的框圖。
[0061]圖10是示意說(shuō)明圖9的單元陣列的示圖。
[0062]圖11是示意說(shuō)明圖10的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)的示圖。
[0063]圖12A是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊的框圖。
[0064]圖12B是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊的框圖。
[0065]圖13是示意說(shuō)明存儲(chǔ)系統(tǒng)的測(cè)試操作的框圖。
[0066]圖14是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。
[0067]圖15是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。
[0068]圖16是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。
[0069]圖17是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的寫(xiě)方法的流程圖。
[0070]圖18是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀方法的流程圖。
[0071]圖19是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀方法的流程圖。
[0072]圖20是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀方法的流程圖。
[0073]圖21是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀方法的流程圖。
[0074]圖22是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的輸入/輸出操作和與輸入/輸出操作關(guān)聯(lián)的產(chǎn)生奇偶校驗(yàn)的操作的流程圖。
[0075]圖23是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的突發(fā)寫(xiě)操作中的數(shù)據(jù)輸出的時(shí)序圖。
[0076]圖24是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的突發(fā)讀操作中的數(shù)據(jù)輸出的時(shí)序圖；以及
[0077]圖25是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的移動(dòng)設(shè)備的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0078]將參考附圖來(lái)詳細(xì)地描述各實(shí)施例。但是，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例可以以不同的形式來(lái)具體實(shí)施，而不應(yīng)被理解為僅限于說(shuō)明的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例作為示例，從而本公開(kāi)將徹底和完整，并將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例。因此，對(duì)于本發(fā)明構(gòu)思的某些實(shí)施例，沒(méi)有描述公知的過(guò)程、元素和技術(shù)。除非另外規(guī)定，貫穿附圖和所寫(xiě)描述相似參考數(shù)字表示相似元素，因此其描述不會(huì)重復(fù)。在附圖中，各層和各區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可以為了清晰被擴(kuò)大。
[0079]因此，雖然示例實(shí)施例能夠有各種修改和替換的形式，本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)示例的方式在附圖中示出并且將在此詳細(xì)描述。但是，應(yīng)理解，無(wú)意將示例實(shí)施例限制于公開(kāi)的特定形式，而是相反，示例實(shí)施例將涵蓋落入示例實(shí)施例的范圍的全部修改、等價(jià)物和替換。貫穿附圖的描述相似數(shù)字表示相似元素。
[0080]將會(huì)理解，雖然這里可以使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或截面，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或截面不應(yīng)該被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域，層或截面與另一元件、部件、區(qū)域、層或截面。從而，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的情況下，下面論述的第一元件、部件、區(qū)域、層或截面可以被稱(chēng)為第二元件、部件、區(qū)域、層或截面。
[0081]這里使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定實(shí)施例的目的，而不是要限制本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例。如這里所用，除非上下文清楚地另外指示，單數(shù)形式“一個(gè)”和“該”旨在同時(shí)包含復(fù)數(shù)形式。還可以理解，術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”在說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，表示所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在或增加。如這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)列出的關(guān)聯(lián)條目的任意和所有組合。同樣，術(shù)語(yǔ)“示范”意圖表示示例或說(shuō)明。
[0082]也應(yīng)該注意在一些替換實(shí)施方式中，記錄的功能/動(dòng)作可以在附圖中記錄的順序以外發(fā)生。例如，取決于涉及的功能/動(dòng)作，順序示出的兩個(gè)圖實(shí)際上可以基本同時(shí)執(zhí)行或有時(shí)可以按相反的順序執(zhí)行。
[0083]將會(huì)理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為在另一元件或?qū)印吧稀?，“連接到”、“耦接到”或“相鄰于”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接在另一元件或?qū)又希苯舆B接到、耦接到或相鄰于另一元件或?qū)?，或者可以存在居間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱(chēng)為“直接在其上”，“直接連接到”或“直接耦接到”或“緊鄰于”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)印?br> [0084]除非另外定義，這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員通常所理解的相同含義。還應(yīng)該理解術(shù)語(yǔ)，例如在通常使用的字典中定義的那些，將被理解為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域的上下文和/或本說(shuō)明書(shū)中的含義一致的含義，且不應(yīng)以理想化或過(guò)于正式的意義來(lái)理解，除非這里明確這樣定義。
[0085]圖1是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。參照?qǐng)D1，存儲(chǔ)系統(tǒng)10可以包括存儲(chǔ)模塊100以及控制存儲(chǔ)模塊100的存儲(chǔ)器管理單元(MMU) 200。
[0086]存儲(chǔ)模塊100可以是用于存儲(chǔ)用戶(hù)數(shù)據(jù)的設(shè)備。存儲(chǔ)模塊100可包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器110、糾錯(cuò)電路120、和緩沖器130。
[0087]存儲(chǔ)器110可以是易失性存儲(chǔ)設(shè)備或非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。例如，易失性存儲(chǔ)設(shè)備可以是DRAM、SRAM等。非易失性存儲(chǔ)設(shè)備可以是MRAM (磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、RRAM (電阻性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、PRAM (相變存儲(chǔ)器)，F(xiàn)RAM (鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、STT-RAM (自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、NAND閃存、垂直NAND閃存、NOR閃存等。
[0088]存儲(chǔ)器110可以執(zhí)行突發(fā)操作。這里，突發(fā)操作可以表示通過(guò)按順序增加或減少?gòu)拇鎯?chǔ)器管理單元200提供的初始地址寫(xiě)入或讀出大量數(shù)據(jù)的操作。突發(fā)操作的基本單位可稱(chēng)為突發(fā)長(zhǎng)度BL。在示例實(shí)施例中，突發(fā)長(zhǎng)度BL可以表示通過(guò)按順序增加或減少初始地址連續(xù)地讀出或?qū)懭霐?shù)據(jù)的操作的數(shù)量。例如，在存儲(chǔ)器110是一個(gè)雙數(shù)據(jù)速率(DDR)的MRAM并且其突發(fā)長(zhǎng)度為8的情況下，它可以響應(yīng)于時(shí)鐘CLK通過(guò)按順序增加或減少初始地址而執(zhí)行突發(fā)讀或?qū)懖僮靼舜?。[0089]糾錯(cuò)電路120可以包括第一糾錯(cuò)電路121和第二糾錯(cuò)電路122。
[0090]在寫(xiě)操作中，糾錯(cuò)電路121 (或稱(chēng)為傳遞錯(cuò)誤糾正電路)可使用第一糾錯(cuò)碼ECCl(或被稱(chēng)作為傳遞錯(cuò)誤糾正碼)糾正對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度單位(BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的錯(cuò)誤。在讀操作中，糾錯(cuò)電路121可以產(chǎn)生關(guān)于對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度單位(BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的奇偶校驗(yàn)位(例如Pr)。
[0091]在寫(xiě)操作中，第二糾錯(cuò)電路122 (或，稱(chēng)為存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正電路)可使用第二糾錯(cuò)碼ECC2 (或被稱(chēng)作為存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位(BL=k，k是2或更大的整數(shù))的用戶(hù)數(shù)據(jù)集合[DQ_BLl:DQ_BLk]的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pl到Pk。在讀操作中，第二糾錯(cuò)電路122可以使用第二糾錯(cuò)碼ECC2糾正對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位(BL=k)的用戶(hù)數(shù)據(jù)集合[DQ_BLl:DQ_BLk]的存儲(chǔ)錯(cuò)誤。
[0092]在示例實(shí)施例中，第一糾錯(cuò)碼ECCl和第二糾錯(cuò)碼ECC2的每一個(gè)可以是，例如，BCH碼、RS (里德-所羅門(mén))碼、漢明碼、LDPC (低密度奇偶校驗(yàn))碼、RAID (獨(dú)立盤(pán)冗余陣列)碼、CRC (循環(huán)冗余校驗(yàn))碼等。
[0093]在示例實(shí)施例中，第一糾錯(cuò)碼ECCl可不同于第二糾錯(cuò)碼ECC2。例如，第一糾錯(cuò)碼ECCl可以是漢明碼而第二糾錯(cuò)碼ECC2可以是BCH碼。第二糾錯(cuò)電路122的碼字的大小(例如，BL=k)可以大于第一糾錯(cuò)電路121的碼字的大小(例如，BL=D0
[0094]在其他示例實(shí)施例中，第一糾錯(cuò)碼ECCl可以等于第二糾錯(cuò)碼ECC2，而第二糾錯(cuò)電路122的碼字的大小(例如，BL=k)可以不同于第一糾錯(cuò)電路121的碼字的大小(例如，BL=D0
[0095]下面，將描述存儲(chǔ)模塊100的突發(fā)寫(xiě)操作。
[0096]在突發(fā)寫(xiě)操作，存儲(chǔ)模塊100可以通過(guò)如下操作順序地在存儲(chǔ)器110中寫(xiě)入M位的數(shù)據(jù)DQ_BL+P1:響應(yīng)于時(shí)鐘CLK連續(xù)接收k個(gè)M位的數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw，使用糾錯(cuò)電路120的第一糾錯(cuò)碼ECCl順序地糾正M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw的錯(cuò)誤，在緩沖器130中順序存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度單位(BL=I)的經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL，使用糾錯(cuò)電路120的第二糾錯(cuò)碼ECC2產(chǎn)生關(guān)于對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k)的存儲(chǔ)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位[P1:Pk]，將內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位[Pl:Pk]按k劃分，以及使用k個(gè)奇偶校驗(yàn)位[Pl:Pk]的每一個(gè)作為對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度單位(BL=I)的經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的奇偶校驗(yàn)位。
[0097]這里，M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw可以包括對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL和用于檢測(cè)用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的錯(cuò)誤的寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw。寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw可以從存儲(chǔ)器管理單元200的糾錯(cuò)電路220中產(chǎn)生。
[0098]以下，將描述存儲(chǔ)模塊100的突發(fā)讀操作。
[0099]在突發(fā)讀操作中，存儲(chǔ)模塊100可以響應(yīng)于時(shí)鐘CLK順序地從存儲(chǔ)器110讀取k個(gè)M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pi，使用糾錯(cuò)電路120的第二糾錯(cuò)碼ECC2糾正所讀取的對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k(BL=k)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk的錯(cuò)誤，按k劃分經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk，產(chǎn)生關(guān)于k個(gè)用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的每一個(gè)的讀奇偶校驗(yàn)位Pr，以及順序輸出由對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度單位(BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL和用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的讀奇偶校驗(yàn)位Pr形成的M位數(shù)據(jù) DQ_BL+Pr。
[0100]換句話(huà)說(shuō)，在突發(fā)讀操作中，存儲(chǔ)模塊100可以從存儲(chǔ)器110中讀取對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k)的N位數(shù)據(jù)，糾正所讀取的N位數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤，并以對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度的M位數(shù)據(jù)為單位輸出經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的N位數(shù)據(jù)。這里，輸出的M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pr可包括用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的奇偶校驗(yàn)位Pr。
[0101]本發(fā)明構(gòu)思的存儲(chǔ)模塊100可以使用三種類(lèi)型的M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw、DQ_BL+Pi和DQ_BL+Pr按突發(fā)長(zhǎng)度單位接收和輸出用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL。三種類(lèi)型的M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw、DQ_BL+Pi和DQ_BL+Pr可以包括:由用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL和寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw形成的M位寫(xiě)數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw,由用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pi形成的M位內(nèi)部數(shù)據(jù)DQ_BL+Pi，以及由用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL和讀奇偶校驗(yàn)位Pr形成的M位讀數(shù)據(jù)DQ_BL+Pr。
[0102]此外，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊100可以執(zhí)行兩種糾錯(cuò)功能。存儲(chǔ)模塊100可通過(guò)第一糾錯(cuò)電路121減少在與存儲(chǔ)器管理單元200的數(shù)據(jù)通信中產(chǎn)生的傳遞錯(cuò)誤，以及通過(guò)第二糾錯(cuò)電路122減少在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生的存儲(chǔ)錯(cuò)誤。
[0103]雖然圖中未示出，存儲(chǔ)模塊100可以進(jìn)一步包括鎖相環(huán)(PLL)、延遲鎖定環(huán)(DLL)、為突然斷電而準(zhǔn)備的電力電容器、用于存儲(chǔ)SPD (串行存在檢測(cè))信息的非易失性存儲(chǔ)器等等。這里，sro (串行存在檢測(cè))信息可以用來(lái)設(shè)定模式寄存器。
[0104]存儲(chǔ)器管理單元200可以包括糾錯(cuò)電路220。在突發(fā)寫(xiě)操作中，糾錯(cuò)電路220可以按照對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度單位(BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL劃分將要在存儲(chǔ)模塊100中寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，使用第一糾錯(cuò)碼ECCl產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw，并順序輸出M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw，其由所劃分的數(shù)據(jù)DQ_BL和寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw形成。
[0105]在突發(fā)讀操作中，糾錯(cuò)電路220可以從存儲(chǔ)模塊100順序地接收M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pr，并且使用第一糾錯(cuò)碼ECCl糾正M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pr的錯(cuò)誤。
[0106]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)10可通過(guò)第一糾錯(cuò)電路121糾正數(shù)據(jù)傳遞錯(cuò)誤以及通過(guò)第二糾錯(cuò)電路122糾正所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤。因此，數(shù)據(jù)的可靠性可以得到改善。
[0107]另外，存儲(chǔ)模塊100的第二糾錯(cuò)電路122可以緩存對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (k是2或更大的整數(shù))的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk，并立即糾正所緩存的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk的錯(cuò)誤。因此，與其中糾正對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)的DQ_BL的錯(cuò)誤的情況比較，碼字的大小可能變得更大。這可能意味著，本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的糾錯(cuò)能力得到改善。
[0108]圖2是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊的框圖。
[0109]參考圖2，存儲(chǔ)模塊100可以包括存儲(chǔ)器110 (其包括多個(gè)存儲(chǔ)器111至119)、包括第一糾錯(cuò)電路121和第二糾錯(cuò)電路122的糾錯(cuò)電路120、以及包括第一緩沖器131和第二緩沖器132的緩沖器130。
[0110]存儲(chǔ)器111至119中的每一個(gè)可以執(zhí)行突發(fā)操作?？梢杂梢资源鎯?chǔ)設(shè)備或非易失性存儲(chǔ)設(shè)備形成存儲(chǔ)器111至119的每一個(gè)。在寫(xiě)操作中，存儲(chǔ)器111至119中的至少一個(gè)(例如，119)可以存儲(chǔ)奇偶校驗(yàn)位Pi，而剩余的存儲(chǔ)器111至118可存儲(chǔ)用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL0在讀操作中，存儲(chǔ)器111至118可輸出用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1而存儲(chǔ)器119可以輸出奇偶校驗(yàn)位Pi。存儲(chǔ)器111至119的每一個(gè)可包括同步于時(shí)鐘CLK的鎖相環(huán)(PLL)或延遲鎖定環(huán)(DLL)0
[0111]在寫(xiě)操作中，糾錯(cuò)電路120可從第一緩沖器131接收對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL，使用第一糾錯(cuò)碼ECCl糾正用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的傳遞錯(cuò)誤，將經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL傳遞到第二緩沖器132，并使用第二糾錯(cuò)碼ECC2產(chǎn)生關(guān)于從第二緩沖器132提供的、對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k)的、經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位[P1: PK] ο
[0112]在讀操作中，糾錯(cuò)電路120可以從第二緩沖器132接收對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk，使用第二糾錯(cuò)碼ECC2糾正用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk的錯(cuò)誤，按照突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)劃分經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk，并且使用第一糾錯(cuò)碼ECCl產(chǎn)生關(guān)于所劃分的用戶(hù)數(shù)據(jù)的每一個(gè)的讀奇偶校驗(yàn)位Pr。如果用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的錯(cuò)誤通過(guò)糾錯(cuò)電路120很好地修復(fù)，則從糾錯(cuò)電路120中產(chǎn)生讀奇偶校驗(yàn)位Pr可以等于從存儲(chǔ)器管理單元200輸出的寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw。
[0113]在寫(xiě)操作中，第一緩沖器131可以響應(yīng)于時(shí)鐘CLK順序地接收M位寫(xiě)數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw，其由對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL和寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw形成，以及順序地輸出M位寫(xiě)數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw到糾錯(cuò)電路120。
[0114]在讀操作中，第一緩沖器131可以順序地接收M位寫(xiě)數(shù)據(jù)DQ_BL+Pr，其由對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL和讀奇偶校驗(yàn)位Pr形成，并且響應(yīng)于時(shí)鐘CLK順序輸出M位讀數(shù)據(jù)DQ_BL+Pr。
[0115]第一緩沖器131，如圖2所示，可以包括多個(gè)條目:條目I到條目k。
[0116]在寫(xiě)操作中，第二緩沖器132可存儲(chǔ)使用糾錯(cuò)電路120中的第一糾錯(cuò)碼ECCl糾正錯(cuò)誤的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk，以及存儲(chǔ)使用第二糾錯(cuò)碼ECC2產(chǎn)生的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pl到Pk，并且順序輸出對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的M位內(nèi)部數(shù)據(jù)DQ_BL+Pi到存儲(chǔ)器111至119。這里，M位內(nèi)部數(shù)據(jù)DQ_BL+Pi可以包括用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL與內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pi。
[0117]在讀操作中，第二緩沖器132可以緩存從存儲(chǔ)器111至119中順序輸出的N位數(shù)據(jù)，其由用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pl到Pk形成，并向糾錯(cuò)電路120傳遞對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk。
[0118]存儲(chǔ)模塊100可包括存儲(chǔ)器119，用于存儲(chǔ)內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pi。然而，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例不限于此。例如，用于存儲(chǔ)內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pi的特定的存儲(chǔ)器可以不固定到單一的存儲(chǔ)器。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，存儲(chǔ)模塊100中的許多不同存儲(chǔ)器的任何一個(gè)存儲(chǔ)器可被使用。多個(gè)存儲(chǔ)器中的至少一個(gè)可被選擇性地用于存儲(chǔ)內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pio例如，存儲(chǔ)模塊100可以執(zhí)行能夠指定存儲(chǔ)器的路由功能，與固定的方式相反，其中按照可變或動(dòng)態(tài)的方式存儲(chǔ)奇偶校驗(yàn)位。
[0119]在其他示例實(shí)施例中，在存儲(chǔ)系統(tǒng)10被應(yīng)用到具有RAID (獨(dú)立磁盤(pán)冗余陣列)功能的計(jì)算系統(tǒng)的情況下，內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pi可根據(jù)RAID類(lèi)型分布和存儲(chǔ)在多個(gè)存儲(chǔ)器中。這里，內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pi被存儲(chǔ)的位置可以根據(jù)RAID類(lèi)型而改變。
[0120]還在其他示例實(shí)施例中，數(shù)據(jù)可靠性所需的多個(gè)內(nèi)部奇偶校驗(yàn)可分布和存儲(chǔ)在至少兩個(gè)存儲(chǔ)器中。
[0121]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊100可以包括用于存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k(BL=k, k是2或更大的整數(shù))的N位數(shù)據(jù)的第二緩沖器132，以及用于在讀操作中糾正包括在N位數(shù)據(jù)中的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk的錯(cuò)誤的糾錯(cuò)電路120。因此，有可能提高糾錯(cuò)能力和輸出數(shù)據(jù)的可靠性。
[0122]圖3是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊100的N位數(shù)據(jù)和M位數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)的示圖。
[0123]參考圖3，N位數(shù)據(jù)可以由對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k，k是2或更大的整數(shù))的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk (參考圖2)的集合SDQ和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pl到PK (參考圖2)的集合IP形成。M位數(shù)據(jù)可以由對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL及其奇偶校驗(yàn)位P形成。在此，奇偶校驗(yàn)位P根據(jù)M位數(shù)據(jù)的特征可以是如下中的一個(gè):寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw、內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位P1、和讀奇偶校驗(yàn)位Pr。
[0124]圖4是示意說(shuō)明在寫(xiě)操作中產(chǎn)生N位數(shù)據(jù)的操作的示圖。
[0125]參考圖4，在寫(xiě)操作中，存儲(chǔ)在第二緩沖器132 (參考圖2)的N位數(shù)據(jù)可以由用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合SDQ和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的集合IP形成。用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合SDQ可以由從存儲(chǔ)器管理單元200 (參考圖1)順序接收的k個(gè)M位數(shù)據(jù)DQ_BL1+Pwl到DQ_BLk+Pwk的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk形成。內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的集合IP可以由用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pl到Pk (參考圖2)形成。這里，內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pl到Pk可以從第二糾錯(cuò)電路122 (參考圖1)產(chǎn)生。在寫(xiě)操作中產(chǎn)生的N位數(shù)據(jù)SDQ+IP可以按突發(fā)長(zhǎng)度單位存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器110中。
[0126]圖5是示意說(shuō)明在讀操作中產(chǎn)生N位數(shù)據(jù)的操作的示圖。
[0127]參考圖5，在讀操作中，存儲(chǔ)在第二緩沖器132 (參考圖2)的N位數(shù)據(jù)可以由用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合SDQ和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的集合IP形成。用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合SDQ可以由從存儲(chǔ)器110 (參考圖1)順序讀取的k個(gè)M位數(shù)據(jù)DQ_BL1+P1到DQ_BLk+Pk的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk形成。內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的集合IP可以由從存儲(chǔ)器110順序讀取的k個(gè)M位數(shù)據(jù)DQ_BL1+P1到DQ_BLk+Pk的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pl到Pk形成。N位數(shù)據(jù)SDQ+IP的用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ可以被傳遞到第二糾錯(cuò)電路122以糾正在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生的錯(cuò)誤。
[0128]圖6是示意說(shuō)明圖2的第一糾錯(cuò)電路的框圖。
[0129]參考圖6，第一糾錯(cuò)電路121可以包括校驗(yàn)位產(chǎn)生器141、比較器142、錯(cuò)誤狀態(tài)寄存器143、ECC引擎144、和讀緩沖器145。為了便于描述，假設(shè)M位數(shù)據(jù)是由對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的64位用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL (參考圖3)和8個(gè)奇偶校驗(yàn)位Pw形成。
[0130]校驗(yàn)位產(chǎn)生器141可以從第一緩沖器131 (參考圖2)接收64位用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所輸入的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的8個(gè)校驗(yàn)位Pc。比較器142可以通過(guò)比較來(lái)自校驗(yàn)位產(chǎn)生器141的8個(gè)校驗(yàn)位和來(lái)自第一緩沖器131的8個(gè)校驗(yàn)位來(lái)檢測(cè)錯(cuò)誤。此外，比較器142可以產(chǎn)生用于糾正生成的錯(cuò)誤的特征群。當(dāng)比較結(jié)果指示檢測(cè)到錯(cuò)誤時(shí)，錯(cuò)誤狀態(tài)寄存器143可以存儲(chǔ)指示檢測(cè)到錯(cuò)誤的信息。ECC引擎144可以接收來(lái)自第一緩沖器131的64位用戶(hù)數(shù)據(jù)和來(lái)自比較器142的特征群，使用第一糾錯(cuò)碼ECCl檢測(cè)錯(cuò)誤的位置并且糾正對(duì)應(yīng)于所檢測(cè)的位置的錯(cuò)誤。這里，第一糾錯(cuò)碼ECCl可以是漢明碼。讀緩沖器145可存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL。
[0131]上述第一糾錯(cuò)電路121可以對(duì)應(yīng)于在寫(xiě)操作中使用的ECC解碼器。第一糾錯(cuò)電路121可以進(jìn)一步包括在讀操作中使用的ECC編碼器。這里，ECC編碼器可以由奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器形成，奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的讀奇偶校驗(yàn)位Pr。奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器可以是校驗(yàn)位產(chǎn)生器141?？商娲?，奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器可以由具有和校驗(yàn)位產(chǎn)生器141的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)的單獨(dú)的組件形成。
[0132]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的第一糾錯(cuò)電路121可以在寫(xiě)操作中實(shí)時(shí)糾正對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的錯(cuò)誤，并且在讀操作中實(shí)時(shí)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I(BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的讀奇偶校驗(yàn)位Pr。
[0133]圖7是示意說(shuō)明圖2的第二糾錯(cuò)電路的框圖。
[0134]參考圖7，第二糾錯(cuò)電路122可以包括校驗(yàn)位產(chǎn)生器151、比較器152、錯(cuò)誤狀態(tài)寄存器153、ECC引擎154、和讀緩沖器155。為了便于描述，假設(shè)N位數(shù)據(jù)是由對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度8 (BL=8)的512位用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ (參考圖3)和64個(gè)內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的集合SPw (參考圖3)形成。
[0135]在讀操作中，校驗(yàn)位產(chǎn)生器151可以從第二緩沖器132接收512位用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ,以產(chǎn)生64個(gè)校驗(yàn)位SPc，其對(duì)應(yīng)于所輸入的用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ。
[0136]比較器152可通過(guò)比較來(lái)自校驗(yàn)位產(chǎn)生器151的64個(gè)校驗(yàn)位SPc和來(lái)自第二緩沖器132的64個(gè)內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的集合SPw來(lái)檢測(cè)錯(cuò)誤。同樣，比較器152可以產(chǎn)生用于糾正生成的錯(cuò)誤的特征群。這里，該特征群可包括與錯(cuò)誤位置相關(guān)聯(lián)的信息。當(dāng)比較結(jié)果指示檢測(cè)到錯(cuò)誤時(shí)，錯(cuò)誤狀態(tài)寄存器153可以存儲(chǔ)指示檢測(cè)到錯(cuò)誤的信息。
[0137]ECC引擎154可以接收來(lái)自第二緩沖器132的512位用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ和來(lái)自比較器152的特征群，使用第二糾錯(cuò)碼ECC2檢測(cè)錯(cuò)誤的位置并糾正對(duì)應(yīng)于所檢測(cè)的位置的錯(cuò)誤的位值。這里，第二糾錯(cuò)碼ECC2可以是BCH碼。讀緩沖器155可存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ。
[0138]上述第二糾錯(cuò)電路122可以對(duì)應(yīng)于在讀操作中使用的ECC解碼器。第二糾錯(cuò)電路122可以進(jìn)一步包括在寫(xiě)操作中使用的ECC編碼器。這里，ECC編碼器可以由奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器形成，該奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度8 (BL=8)的用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位[Pl:Pk]。奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器可以是校驗(yàn)位產(chǎn)生器151。可替換地，奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器可以由具有和校驗(yàn)位產(chǎn)生器151的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)的單獨(dú)的組件形成。
[0139]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的第二糾錯(cuò)電路122可以在寫(xiě)操作中產(chǎn)生用于糾正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)錯(cuò)誤的用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位[Pl:Pk]，以及在讀操作中糾正對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度8 (BL=8)的用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ的錯(cuò)誤。
[0140]圖8是示意說(shuō)明圖2的存儲(chǔ)器管理單元的糾錯(cuò)電路的框圖。
[0141]參考圖8,糾錯(cuò)電路220可以等同于圖6中所不的存儲(chǔ)|旲塊100的第一糾錯(cuò)電路121。
[0142]糾錯(cuò)電路220可以對(duì)應(yīng)于在讀操作中使用的ECC解碼器。糾錯(cuò)電路220可以進(jìn)一步包括在寫(xiě)操作中使用的ECC編碼器。這里，ECC編碼器可以由奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器形成，該奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw。奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器可以是圖8的校驗(yàn)位產(chǎn)生器221?？商鎿Q地，奇偶校驗(yàn)產(chǎn)生器可以由具有和校驗(yàn)位產(chǎn)生器221的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)的單獨(dú)的組件形成。
[0143]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的糾錯(cuò)電路220可以在寫(xiě)操作中實(shí)時(shí)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw，并且在讀操作中實(shí)時(shí)糾正對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的錯(cuò)誤。
[0144]同時(shí)，圖2中的存儲(chǔ)器111至119的每一個(gè)可以由MRAM(磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)形成。下面，假定圖2中的存儲(chǔ)器111至119的每一個(gè)由MRAM形成。
[0145]圖9是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)器111的框圖。[0146]參考圖9，存儲(chǔ)器111可包括命令解碼器310、地址緩沖器320、行解碼器330、列解碼器340、單元陣列350、寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器/感測(cè)放大器單元360、輸入/輸出驅(qū)動(dòng)器單元370、和數(shù)據(jù)輸入/輸出單元380。
[0147]命令解碼器310可接收和解碼芯片選擇信號(hào)/CS、行地址選通信號(hào)/RAS、列地址選通信號(hào)/CAS、寫(xiě)使能信號(hào)/WE、和時(shí)鐘使能信號(hào)CKE。
[0148]在示例實(shí)施例中，芯片選擇信號(hào)/CS、行地址選通信號(hào)/RAS、列地址選通/CAS、寫(xiě)使能信號(hào)/WE、和時(shí)鐘使能信號(hào)CKE可以從存儲(chǔ)器管理單元200 (參考圖1)中提供。
[0149]在其他示例實(shí)施例中，芯片選擇信號(hào)/CS、行地址選通信號(hào)/RAS、列地址選通/CAS、寫(xiě)使能信號(hào)/WE、和時(shí)鐘使能信號(hào)CKE可以從存儲(chǔ)模塊100 (參考圖1)的內(nèi)部電路提供。
[0150]在解碼結(jié)束之后，存儲(chǔ)器111可以執(zhí)行存儲(chǔ)器管理單元200的命令。地址緩沖器320可存儲(chǔ)從存儲(chǔ)器管理單元200接收的地址ADD。地址緩沖器320可以傳遞行地址X-ADD到行解碼器330以及傳遞列地址Y-ADD到列解碼器340。行解碼器330和列解碼器340中的每一個(gè)可以包括多個(gè)基于MOS晶體管的開(kāi)關(guān)。行解碼器330可響應(yīng)于行地址選擇字線(xiàn)，而列解碼器340可以響應(yīng)于列地址選擇位線(xiàn)。
[0151 ] 單元陣列350可以包括STT-MRAM單元351，其位于字線(xiàn)和位線(xiàn)的交叉處。STT-MRAM單元351可以是電阻性存儲(chǔ)單元。因此，STT-MRAM單元351根據(jù)存儲(chǔ)其中的數(shù)據(jù)可以具有相對(duì)較大的電阻值或相對(duì)較小的電阻值。在數(shù)據(jù)讀操作中，數(shù)據(jù)電壓可以根據(jù)STT-MRAM單元351的電阻值變化并且被提供給寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器/感測(cè)放大器單元360。寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器/感測(cè)放大器單元360可以包括多個(gè)用于感測(cè)和放大數(shù)據(jù)電壓的感測(cè)放大器，并且可以基于數(shù)據(jù)電壓輸出數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)。
[0152]由寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器/感測(cè)放大器單元360處理的數(shù)據(jù)信號(hào)可通過(guò)輸入/輸出驅(qū)動(dòng)器單元370傳遞到數(shù)據(jù)輸入/輸出單元380。數(shù)據(jù)輸入/輸出單元380可以輸出輸入數(shù)據(jù)到存儲(chǔ)器管理單元200。
[0153]圖10是示意說(shuō)明圖9的單元陣列的示圖。
[0154]參考圖10，單元陣列350可以包括字線(xiàn)WLO至WLm(m是I或大于I的自然數(shù))、位線(xiàn)BLO到BLn(n是I或大于I的自然數(shù))、以及安置在字線(xiàn)WLO至WLm和位線(xiàn)BLO到BLn的交叉處的存儲(chǔ)單元351。在每個(gè)存儲(chǔ)單元351由STT-MRAM單元形成的情況中，它可包括具有磁性材料的磁隧道結(jié)(以下，簡(jiǎn)稱(chēng)為MTJ)元件。每個(gè)存儲(chǔ)單元351可以包括在單元晶體管和MTJ元件。單元晶體管可以通過(guò)來(lái)自行解碼器330 (參考圖9)的信號(hào)進(jìn)行通斷(switch)。
[0155]在每個(gè)存儲(chǔ)單元351中，單元晶體管和MTJ元件可被連接在相應(yīng)的位線(xiàn)和源極線(xiàn)SL之間。雖然未在圖10中示出，存儲(chǔ)單元351可以被共同連接于相同的源極線(xiàn)SL?？衫檬褂孟嘧儾牧系腜RAM (相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的電阻元件、使用可變電阻材料(例如，復(fù)合金屬氧化物)的RRAM (電阻性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、或使用鐵磁材料的MRAM (磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)來(lái)替換MTJ元件。電阻元件的材料的電阻值可根據(jù)電流或電壓的電平或方向而變化。雖然電流或電壓被阻斷，但是可以維持電阻值。
[0156]位線(xiàn)BLO到BLn可以與寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器/感測(cè)放大器單元360 (參考圖9)連接。寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器/感測(cè)放大器單元360可以響應(yīng)于外部命令向存儲(chǔ)單元351施加用于寫(xiě)操作的電流。列解碼器340可產(chǎn)生列選擇信號(hào)以選擇一個(gè)位線(xiàn)。在數(shù)據(jù)讀操作中，被存儲(chǔ)單元351的電阻值影響的數(shù)據(jù)電壓可被傳遞到寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器/感測(cè)放大器單元360。寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器/感測(cè)放大器單元360 (或其中的感測(cè)放大器)可以通過(guò)感測(cè)和放大在參考電壓和數(shù)據(jù)電壓之間的差來(lái)輸出數(shù)字信號(hào)。
[0157]圖11是示意說(shuō)明圖10的存儲(chǔ)單元351的結(jié)構(gòu)的示圖。
[0158]參考圖11，存儲(chǔ)單元351可以包括MTJ元件351_1和單元晶體管CT。單元晶體管CT的柵極可以與字線(xiàn)(例如WL0)連接，其一端可通過(guò)MTJ元件351_1與位線(xiàn)(例如，BL0)連接，并且其另一端可以與源極線(xiàn)(例如，SL0)連接。MTJ元件351_1可以包括釘扎層13、自由層11、和隧道層12，隧道層12插在釘扎層13和自由層11之間。釘扎層13的磁化方向可以是固定的，并且自由層11的磁化方向根據(jù)條件可以與釘扎層13的磁化方向平行或反平行。MTJ元件351_1可以進(jìn)一步包括:反鐵磁性層(未示出)，以固定該釘扎層13的磁化方向。
[0159]在STT-MRAM的寫(xiě)操作中，可通過(guò)將高電平電壓施加到字線(xiàn)WLO而導(dǎo)通單元晶體管，并且寫(xiě)電流可以被施加在位線(xiàn)BLO和源極線(xiàn)SLO之間。在STT-MRAM的讀操作中，可以通過(guò)將高電平電壓施加到字線(xiàn)WLO而導(dǎo)通單元晶體管，并且讀電流可以被施加在從位線(xiàn)BLO到源極線(xiàn)SLO的方向中。根據(jù)在此條件下測(cè)得的電阻值，可讀取在存儲(chǔ)單元351_1中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
[0160]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊可以通過(guò)緩沖器實(shí)現(xiàn)，該緩沖器具有足夠用于按照用來(lái)提高速度的管線(xiàn)(pipeline)方式處理用戶(hù)數(shù)據(jù)的尺寸。
[0161]圖12A是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊的框圖。
[0162]參考圖12A，存儲(chǔ)模塊400可以包括:存儲(chǔ)器410，其具有存儲(chǔ)器411到419 ;糾錯(cuò)電路420，其具有第一糾錯(cuò)電路和第二糾錯(cuò)電路，第一糾錯(cuò)電路用于使用第一糾錯(cuò)碼ECCl執(zhí)行糾錯(cuò)，第二糾錯(cuò)電路用于使用第二糾錯(cuò)碼ECC2執(zhí)行糾錯(cuò)；緩沖器430，其具有用于緩存對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的數(shù)據(jù)的第一緩沖器431和第二緩沖器432 ;安全電路440，用于存儲(chǔ)被配置來(lái)加密和解密數(shù)據(jù)的安全模塊；糾錯(cuò)處理器450，用于控制糾錯(cuò)操作；數(shù)據(jù)掩碼電路460 (或隨機(jī)數(shù)發(fā)生器)，用來(lái)通知數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤位置；以及用于壓縮數(shù)據(jù)的壓縮電路470。
[0163]在寫(xiě)或讀操作中，第一緩沖器431可根據(jù)突發(fā)操作從外部設(shè)備接收和向外部設(shè)備傳遞第一碼字。例如，在寫(xiě)操作中，第一碼字可從存儲(chǔ)器管理單元200 (參考圖1)的糾錯(cuò)電路220接收并且輸出到存儲(chǔ)模塊400的第一糾錯(cuò)電路421。在讀操作中，第一碼字可從存儲(chǔ)模塊400的第一糾錯(cuò)電路421接收并且輸出到存儲(chǔ)器管理單元200的糾錯(cuò)電路220。第一緩沖器可以包括存儲(chǔ)第一碼字的多個(gè)條目。如圖12A中所示，第一碼字可以是72位數(shù)據(jù)(64b+8b)。通過(guò)第一緩沖器431傳遞的第一碼字，即M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw或DQ_BL+Pr，可以由用戶(hù)數(shù)據(jù)位DQl到DQ8以及奇偶校驗(yàn)位Pw或Pr形成。
[0164]第二緩沖器432可根據(jù)突發(fā)操作在寫(xiě)或讀操作中存儲(chǔ)第二碼字。例如，在寫(xiě)操作中，由用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合和對(duì)應(yīng)于用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位形成的第二碼字可以被存儲(chǔ)在第二緩沖器432中。在此，存儲(chǔ)在第二緩沖器432中的第二碼字可以根據(jù)選項(xiàng)具有各種不同的格式。參照?qǐng)D12A的選項(xiàng)1，內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位可以被布置成和多個(gè)第一碼字相同?；蛘?，參考圖12A的選項(xiàng)1，內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位可以被聚集。
[0165]第二碼字的大小可以大于第一碼字的大小。
[0166]第二緩沖器432可以被實(shí)現(xiàn)為具有足夠用來(lái)按照管線(xiàn)的方式緩存第二碼字的尺寸。例如，在寫(xiě)操作中，當(dāng)使用第二糾錯(cuò)碼ECC2產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于第二碼字的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位時(shí)，可以同時(shí)接收對(duì)應(yīng)于另一個(gè)第二碼字的用戶(hù)數(shù)據(jù)。
[0167]在讀操作中，當(dāng)使用第二糾錯(cuò)碼ECC2糾正第二碼字的錯(cuò)誤時(shí)，同時(shí)仍可以從存儲(chǔ)器410接收另一個(gè)第二碼字。
[0168]在示例實(shí)施例中，第一緩沖器431和第二緩沖器432可以由緩沖器芯片形成。該緩沖器芯片可如下操作。在寫(xiě)操作中，緩沖器芯片可以接收多個(gè)第一碼字，形成用于糾正存儲(chǔ)錯(cuò)誤的第二碼字，并使用第二碼字重新形成多個(gè)第一碼字。在讀操作中，緩沖器芯片可以接收多個(gè)第一碼字，形成第二碼字，并使用由此形成的第二碼字形成多個(gè)用于糾正傳遞錯(cuò)誤的第一碼字。
[0169]存儲(chǔ)模塊400可包括第二緩沖器432，其足以按照管線(xiàn)方式處理對(duì)應(yīng)于第二碼字的用戶(hù)數(shù)據(jù)，從而提高糾錯(cuò)速度。
[0170]圖1的存儲(chǔ)系統(tǒng)10可以被配置為糾正傳遞通道的錯(cuò)誤和糾正存儲(chǔ)模塊100中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)錯(cuò)誤。然而，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例不限于此。例如，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例可被修改或改變來(lái)選擇性地糾正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)錯(cuò)誤。當(dāng)在測(cè)試操作中檢查了是否正常執(zhí)行了根據(jù)突發(fā)操作的輸入/輸出操作時(shí)，可以檢查傳遞通道的錯(cuò)誤，而不糾正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)錯(cuò)誤。
[0171]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊還可以包括存儲(chǔ)器控制器，其被配置為部分地執(zhí)行存儲(chǔ)器管理單元200的功能。
[0172]圖12B是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊的框圖。
[0173]參考圖12B，與圖12A比較，存儲(chǔ)模塊400a還可以包括存儲(chǔ)器控制器401。存儲(chǔ)器控制器401可以根據(jù)存儲(chǔ)器管理單元200 (參考圖1)的請(qǐng)求控制存儲(chǔ)器410。例如，存儲(chǔ)器控制器401可以生成用于控制存儲(chǔ)器410的各個(gè)信號(hào)(例如/RAS、/CAS, /WE、和CKE)。
[0174]圖13是示意說(shuō)明存儲(chǔ)系統(tǒng)10的測(cè)試操作的框圖。
[0175]參考圖13，在寫(xiě)操作中，M位寫(xiě)數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw可被直接存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器110中，而不經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)電路120。在讀操作中，M位寫(xiě)數(shù)據(jù)DQ_BL+Pr可以通過(guò)糾錯(cuò)電路120輸出到存儲(chǔ)器管理單元200。
[0176]圖1到圖13所示的存儲(chǔ)系統(tǒng)10可以將奇偶校驗(yàn)位Pw/Pr添加到在存儲(chǔ)模塊和存儲(chǔ)器管理單元200之間傳遞的數(shù)據(jù)中。然而，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例不限于此。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)10可以被實(shí)現(xiàn)為使得傳遞通道的錯(cuò)誤不被糾正。
[0177]圖14是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。
[0178]參考圖14，存儲(chǔ)系統(tǒng)20可以包括存儲(chǔ)模塊500和存儲(chǔ)器管理單元600。
[0179]存儲(chǔ)模塊500可以包括存儲(chǔ)器510、糾錯(cuò)電路520、和緩沖器530。存儲(chǔ)器510可以接收和輸出突發(fā)數(shù)據(jù)，突發(fā)數(shù)據(jù)由對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的M位數(shù)據(jù)DQ_BL和其內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pi形成。糾錯(cuò)電路520可以在寫(xiě)操作中產(chǎn)生關(guān)于對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，并糾正對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k, k是2或更大的整數(shù))的突發(fā)讀數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。在寫(xiě)操作中，緩沖器530可以響應(yīng)于時(shí)鐘CLK順序地接收對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的M位數(shù)據(jù)DQ_BL。在讀操作中，緩沖器530可以從存儲(chǔ)器510讀取對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k)的突發(fā)讀數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)由糾錯(cuò)電路520糾錯(cuò)后的突發(fā)讀數(shù)據(jù)，以及響應(yīng)于時(shí)鐘CLK以對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的M位數(shù)據(jù)DQ_BL為單位向存儲(chǔ)器管理單元600輸出經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的突發(fā)讀數(shù)據(jù)。[0180]在寫(xiě)操作中，響應(yīng)于時(shí)鐘CLK，存儲(chǔ)器管理單元600可以傳遞對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I(BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL到存儲(chǔ)模塊500。在讀操作中，存儲(chǔ)器管理單元600可以從存儲(chǔ)模塊500接收經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL。
[0181]存儲(chǔ)系統(tǒng)20可以被配置為向數(shù)據(jù)添加CRC功能以防止數(shù)據(jù)傳遞錯(cuò)誤。
[0182]存儲(chǔ)系統(tǒng)20可糾正對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k, k是2或更大的整數(shù))的突發(fā)讀數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤，以提高數(shù)據(jù)的可靠性。
[0183]存儲(chǔ)系統(tǒng)20可以被配置成使得多個(gè)存儲(chǔ)模塊通過(guò)并行接口與存儲(chǔ)器管理單元連接。
[0184]圖15是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。
[0185]參考圖15，存儲(chǔ)系統(tǒng)30可包括多個(gè)存儲(chǔ)模塊710到7i0( i是2或更大的自然數(shù))、以及控制存儲(chǔ)模塊710到7i0的存儲(chǔ)器管理單元800。存儲(chǔ)模塊710到7i0可以通過(guò)并行
接口與存儲(chǔ)器管理單元800連接。
[0186]存儲(chǔ)模塊710到7i0中的每一個(gè)可以被配置來(lái)在糾錯(cuò)操作之后按照數(shù)據(jù)掩碼或另外的方式向存儲(chǔ)器管理單元800通知其中產(chǎn)生了錯(cuò)誤的單元位置，或按照另外的方式來(lái)通知錯(cuò)誤位置。例如，與錯(cuò)誤類(lèi)型、錯(cuò)誤位置、錯(cuò)誤數(shù)目、錯(cuò)誤頻率、錯(cuò)誤處理方式等等相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器錯(cuò)誤信息可以通過(guò)請(qǐng)求錯(cuò)誤位置和中斷管腳的命令被傳遞到存儲(chǔ)器管理單元800。
[0187]在圖15的存儲(chǔ)系統(tǒng)30中，存儲(chǔ)模塊710到7i0可以通過(guò)并行接口與存儲(chǔ)器管理單元800連接。然而，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例不限于此。例如，存儲(chǔ)系統(tǒng)30可以被實(shí)現(xiàn)為使得存儲(chǔ)模塊710到7i0通過(guò)串行接口與存儲(chǔ)器管理單元800連接。
[0188]圖16是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。
[0189]參考圖16，存儲(chǔ)系統(tǒng)40可包括多個(gè)存儲(chǔ)模塊910到9i0(i是2或更大的自然數(shù))、和控制存儲(chǔ)模塊910到9i0的存儲(chǔ)器管理單元801。存儲(chǔ)模塊910到9i0可以通過(guò)串行接口與存儲(chǔ)器管理單元801連接。存儲(chǔ)模塊910到9i0的每一個(gè)可以包括用于以串行通信方式傳遞數(shù)據(jù)的先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器(AMB )。
[0190]在圖16中，示出了串行接口。然而，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例不限于此。存儲(chǔ)系統(tǒng)40可以由多個(gè)串行接口形成。雖然圖中未示出，當(dāng)使用未與AMB連接的串行接口時(shí)，存儲(chǔ)模塊可以在內(nèi)部執(zhí)行糾錯(cuò)功能。出于這個(gè)原因，可以可選地執(zhí)行存儲(chǔ)器管理單元(或主機(jī))的糾錯(cuò)功能。也即，如果有必要，可以選擇性地執(zhí)行存儲(chǔ)器管理單元(或主機(jī))的糾錯(cuò)功能。
[0191]圖17是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的寫(xiě)方法的流程圖。
[0192]參考圖17，在操作S110，存儲(chǔ)模塊100(參考圖1)可接收對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k(BL=k，k是2或更大的整數(shù))的突發(fā)寫(xiě)數(shù)據(jù)。所輸入的突發(fā)寫(xiě)數(shù)據(jù)可被順序地以M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw為單位存儲(chǔ)在緩沖器130 (參考圖1)中。在操作S120中，糾錯(cuò)電路120可以使用第一糾錯(cuò)碼ECCl按突發(fā)長(zhǎng)度單位糾正所輸入的突發(fā)寫(xiě)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。在操作S130中，糾錯(cuò)電路120可以使用第二糾錯(cuò)碼ECC2產(chǎn)生經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL1到DQ_BLk (參見(jiàn)圖2)的集合的奇偶校驗(yàn)位。之后，可以將由對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL及其內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pi形成的內(nèi)部突發(fā)寫(xiě)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器110 (參考圖1)中。
[0193]圖18是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀方法的流程圖。
[0194]參考圖18，在操作S210，可響應(yīng)于讀命令從多個(gè)存儲(chǔ)器111到119 (參考圖1)讀取對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k，k是2或更大的整數(shù))的N位數(shù)據(jù)。在操作S220中，存儲(chǔ)模塊100的糾錯(cuò)電路120可以糾正N位數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。在操作S230中，糾錯(cuò)電路120可以按照對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)劃分經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的N位數(shù)據(jù)。在操作S240中，糾錯(cuò)電路120可以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于劃分的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL中的每一個(gè)的奇偶校驗(yàn)位Pr (參考圖1)。
[0195]在操作S250中，第一緩沖器131 (參照?qǐng)D2)可以從糾錯(cuò)電路120中順序地接收M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pr，其由所劃分的數(shù)據(jù)DQ_BL和奇偶校驗(yàn)位Pr形成，以便順序地輸出M位數(shù)據(jù)。這里，第一緩沖器131可以通過(guò)AMB (先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器)實(shí)現(xiàn)，該AMB能夠與另一存儲(chǔ)模塊執(zhí)行串行通信。
[0196]在操作S260中，存儲(chǔ)器管理單元200 (參考圖1)的糾錯(cuò)電路220可糾正從存儲(chǔ)模塊100順序輸出的M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pr的錯(cuò)誤。
[0197]利用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的讀方法，存儲(chǔ)模塊100可以執(zhí)行第一糾錯(cuò)操作而存儲(chǔ)器管理單元200可以執(zhí)行第二糾錯(cuò)操作。
[0198]利用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的讀方法，存儲(chǔ)模塊100可確定所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤是否可糾正。基于確定結(jié)果，存儲(chǔ)模塊100可以執(zhí)行糾錯(cuò)操作，或直接輸出讀取的數(shù)據(jù)而不進(jìn)行糾正。
[0199]同時(shí)，存儲(chǔ)系統(tǒng)可確定所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤是否可糾正。基于確定結(jié)果，存儲(chǔ)系統(tǒng)可以執(zhí)行糾錯(cuò)操作，或直接輸出讀取的數(shù)據(jù)而不進(jìn)行糾正。
[0200]圖19是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀方法的流程圖。
[0201]參考圖19，與圖18比較，讀方法可以進(jìn)一步包括操作S215。在操作S215中，可以確定所讀取的N位數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤是否是可糾正的。如果是的話(huà)，則該方法可進(jìn)行到操作S220。如果不是，則該方法可進(jìn)行到操作S240。
[0202]利用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的讀方法，根據(jù)錯(cuò)誤是否可糾正，M位數(shù)據(jù)DQ_BL+Pr可以以不同的方式輸出。
[0203]圖20是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀方法的流程圖。
[0204]參考圖20，響應(yīng)于讀命令可以從多個(gè)存儲(chǔ)器111至119 (參見(jiàn)圖1)讀取對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k)的N位數(shù)據(jù)。這里，所讀取的N位數(shù)據(jù)可以通過(guò)按順序輸出多個(gè)對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的M位數(shù)據(jù)(M〈N)而形成。也就是說(shuō)，在操作S310中，N位數(shù)據(jù)可以通過(guò)緩存多個(gè)M位數(shù)據(jù)而獲得。在操作S320中，糾錯(cuò)電路120 (參考圖1)可糾正所讀取的N位數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。在操作S330中，糾錯(cuò)電路120可以以對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的M位數(shù)據(jù)為單位順序地輸出經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的N位數(shù)據(jù)。
[0205]利用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊的讀方法，N位數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤可以被糾正并且經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的N位數(shù)據(jù)可以以M位數(shù)據(jù)為單位順序地輸出。
[0206]圖21是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀方法的流程圖。
[0207]參考圖21，在操作S410，可通過(guò)突發(fā)讀從存儲(chǔ)器110 (參考圖1)中讀取數(shù)據(jù)。在操作S420中，存儲(chǔ)模塊100可以執(zhí)行第一糾錯(cuò)操作以糾正所讀取的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤。存儲(chǔ)模塊100可以按突發(fā)長(zhǎng)度單位劃分通過(guò)第一糾錯(cuò)操作糾正的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于所劃分的數(shù)據(jù)的每一個(gè)的奇偶校驗(yàn)位Pr (參考圖1)，并將所劃分的數(shù)據(jù)和奇偶校驗(yàn)位傳遞到存儲(chǔ)器管理單元200。在操作S430中，存儲(chǔ)器管理單元200可以執(zhí)行第二糾錯(cuò)操作，以糾正數(shù)據(jù)的傳遞錯(cuò)誤。[0208]圖22是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的輸入/輸出操作以及與輸入/輸出操作相關(guān)聯(lián)的產(chǎn)生奇偶校驗(yàn)的操作的流程圖。
[0209]參考圖22，在操作S510，存儲(chǔ)器管理單元200在寫(xiě)操作中可以使用第一糾錯(cuò)碼ECCl產(chǎn)生用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw。在操作S520中，在寫(xiě)操作中，存儲(chǔ)模塊100可以接收k個(gè)M位寫(xiě)數(shù)據(jù)DQ_BL+Pw，其中每一個(gè)由用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL和寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位Pw形成，并且使用第二糾錯(cuò)碼ECC2產(chǎn)生用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ (參考圖3)的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pl到Pk0在操作S530中，在讀操作中，存儲(chǔ)模塊100可以使用第一糾錯(cuò)碼ECCl產(chǎn)生來(lái)自用戶(hù)數(shù)據(jù)集合SDQ的、對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的用戶(hù)數(shù)據(jù)DQ_BL的讀奇偶校驗(yàn)位Pr。
[0210]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)可以使用第一糾錯(cuò)碼ECCl產(chǎn)生寫(xiě)/讀奇偶校驗(yàn)位Pw/Pr，以糾正傳遞通道的錯(cuò)誤，以及使用第二糾錯(cuò)碼ECC2產(chǎn)生內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位Pi以糾正與數(shù)據(jù)寫(xiě)入相關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤。
[0211]圖23是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的突發(fā)寫(xiě)操作中的數(shù)據(jù)輸出的時(shí)序圖。
[0212]為了易于說(shuō)明，假設(shè)突發(fā)長(zhǎng)度BL是8。參考圖23，寫(xiě)長(zhǎng)度WL可以由附加長(zhǎng)度AL和默認(rèn)寫(xiě)長(zhǎng)度CWL組成。這里，附加長(zhǎng)度AL可以包括當(dāng)通過(guò)第一緩沖器130 (參考圖1)緩存將要寫(xiě)入的碼字時(shí)的時(shí)間(例如，四個(gè)周期)和當(dāng)所緩存的碼字的錯(cuò)誤被糾正時(shí)的時(shí)間(例如，三個(gè)周期)。假設(shè)默認(rèn)寫(xiě)長(zhǎng)度CWL對(duì)應(yīng)于五個(gè)周期，則總的寫(xiě)長(zhǎng)度WL可以由12個(gè)周期組成。
[0213]同時(shí)，在突發(fā)寫(xiě)操作中，來(lái)自存儲(chǔ)器管理單元200 (參考圖1)的數(shù)據(jù)能夠被直接存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器111到119 (參考圖2)中而不經(jīng)過(guò)第一糾錯(cuò)電路120。在這種情況下，附加長(zhǎng)度AL可以不是必須的。
[0214]在其他示例實(shí)施例中，來(lái)自存儲(chǔ)器管理單元200的數(shù)據(jù)能夠通過(guò)第二緩沖器132緩存，然后被直接存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器111到119 (參考圖2)中而不經(jīng)過(guò)第一糾錯(cuò)電路120。在這種情況下，對(duì)應(yīng)于四個(gè)周期的附加長(zhǎng)度AL可能是必須的。
[0215]圖24是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的突發(fā)讀操作中的數(shù)據(jù)輸出的時(shí)序圖。
[0216]為了易于說(shuō)明，假設(shè)突發(fā)長(zhǎng)度BL是8。參考圖24，讀長(zhǎng)度WL可以由附加長(zhǎng)度AL和默認(rèn)讀長(zhǎng)度CL組成。這里，附加長(zhǎng)度AL可以包括當(dāng)通過(guò)第一緩沖器130 (參考圖1)緩存將要讀取的碼字時(shí)的時(shí)間(例如，四個(gè)周期)和當(dāng)所緩存的碼字的錯(cuò)誤被糾正時(shí)的時(shí)間(例如，三個(gè)周期)。假設(shè)默認(rèn)讀長(zhǎng)度CL對(duì)應(yīng)于五個(gè)周期，則總的讀長(zhǎng)度WL可以由12個(gè)周期組成。
[0217]利用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀操作，可以同步于時(shí)鐘CLK順序地輸出72位數(shù)據(jù)。
[0218]圖25是示意說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的移動(dòng)設(shè)備的框圖。
[0219]參考圖25，移動(dòng)設(shè)備1000可以包括至少一個(gè)處理器1100、至少一個(gè)存儲(chǔ)器1200、至少一個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備1300、圖形模塊1400、和通信模塊1500。所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器1200可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊。存儲(chǔ)設(shè)備1300可以通過(guò)PCIe (或SATAe)接口與處理器1100連接。這里，存儲(chǔ)設(shè)備1300的接口可以不限制于PCIe (或SATAe)接口。例如，存儲(chǔ)設(shè)備1300可以使用各種接口 (例如，SATA、SAS、UFS、eMMC、InfinibancUFC等)中的一個(gè)。移動(dòng)設(shè)備 1000 適用于 Galaxy S、Galaxy note、Galaxy tap、iPhone、iPad
坐寸ο
[0220]在圖1到圖25中，描述了其中根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的存儲(chǔ)模塊中的每個(gè)存儲(chǔ)器執(zhí)行突發(fā)操作的示例。但是，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例不限于此。雖然存儲(chǔ)器不執(zhí)行突發(fā)操作，但是它們可以被實(shí)現(xiàn)為使得存儲(chǔ)在緩沖器的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于突發(fā)操作。例如，在寫(xiě)操作中，存儲(chǔ)模塊可以在緩沖器中順序存儲(chǔ)碼字大小的、對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度k (BL=k)的數(shù)據(jù)，然后同時(shí)在存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)所緩存的數(shù)據(jù)。同樣，在讀操作中，存儲(chǔ)模塊可以同時(shí)從存儲(chǔ)器讀取碼字大小的數(shù)據(jù)并且以對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度I (BL=I)的數(shù)據(jù)為單位順序輸出所讀取的數(shù)據(jù)。雖然當(dāng)從外部查看時(shí)好像突發(fā)寫(xiě)操作和突發(fā)讀操作被執(zhí)行，但是存儲(chǔ)模塊可以寫(xiě)和讀內(nèi)部緩存的數(shù)據(jù)。
[0221]因此已經(jīng)描述了示例實(shí)施例，顯然的是實(shí)施例可以在許多方面進(jìn)行改變。此類(lèi)變化不被看作脫離示例實(shí)施例的意圖的精神和范圍，并且如將對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是顯然的，全部此類(lèi)修改將意圖被包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種從包括多個(gè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)模塊中進(jìn)行讀取的方法，該讀取方法包括: 從多個(gè)存儲(chǔ)器讀取對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)； 使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼糾正所讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤；以及 以對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)為單位輸出經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器的每一個(gè)是非易失性存儲(chǔ)器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述輸出的數(shù)據(jù)包括用戶(hù)數(shù)據(jù)和用于檢測(cè)用戶(hù)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤的讀奇偶校驗(yàn)位，并且讀奇偶校驗(yàn)位是使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括: 以用戶(hù)數(shù)據(jù)為單位劃分經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)；以及 使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生所劃分的數(shù)據(jù)的讀奇偶校驗(yàn)位。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括: 將輸出的數(shù)據(jù)傳遞到控制存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)器管理單元；以及 使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼糾正傳遞到存儲(chǔ)器管理單元的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中讀取的數(shù)據(jù)由對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位 的集合形成，并且內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位是在存儲(chǔ)模塊中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括: 確定讀取的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤是否是可糾正的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括: 如果讀取的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤是不可糾正的，則按照用戶(hù)數(shù)據(jù)的大小劃分用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合； 使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼ECCl產(chǎn)生所劃分的數(shù)據(jù)的讀奇偶校驗(yàn)位；以及 輸出所劃分的數(shù)據(jù)和讀奇偶校驗(yàn)位。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼不同于傳遞錯(cuò)誤糾正碼。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在糾正讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤之后，將與讀取的數(shù)據(jù)的糾錯(cuò)相關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤信息傳遞給存儲(chǔ)器管理單元。
11.一種存儲(chǔ)模塊，包括: 存儲(chǔ)器，被配置為執(zhí)行突發(fā)操作； 糾錯(cuò)電路，被配置為從存儲(chǔ)器接收對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的N位數(shù)據(jù)，使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼糾正N位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤，將糾正的數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)劃分的數(shù)據(jù)單位，使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生用于每個(gè)劃分的數(shù)據(jù)單位的奇偶校驗(yàn)位，以及順序輸出多個(gè)M位數(shù)據(jù)單位，其中每個(gè)M位數(shù)據(jù)單位對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位，并且每個(gè)M位數(shù)據(jù)單位由多個(gè)劃分的數(shù)據(jù)單位中的相應(yīng)的一個(gè)和所產(chǎn)生的奇偶校驗(yàn)位中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)位形成； 第一緩沖器，被配置為順序存儲(chǔ)來(lái)自糾錯(cuò)電路的M位數(shù)據(jù)；和 第二緩沖器，被配置為存儲(chǔ)N位數(shù)據(jù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)模塊，其中每個(gè)存儲(chǔ)器是磁阻存儲(chǔ)器。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)模塊，其中N位數(shù)據(jù)由用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合和用于檢測(cè)用戶(hù)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤的奇偶校驗(yàn)位的集合形成，以及其中糾錯(cuò)電路包括， 校驗(yàn)位產(chǎn)生器，被配置為基于用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合產(chǎn)生校驗(yàn)位； 比較器，被配置為比較校驗(yàn)位和奇偶校驗(yàn)位的集合以便根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生特征群； 錯(cuò)誤狀態(tài)寄存器，被配置為存儲(chǔ)指示該比較結(jié)果指示錯(cuò)誤產(chǎn)生的信息； 糾錯(cuò)引擎，被配置為接收用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合和特征群并且使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼糾正用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的錯(cuò)誤；和 緩沖器，被配置為存儲(chǔ)經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)模塊，其中所述存儲(chǔ)模塊被配置成使得:在測(cè)試操作中，對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的將被寫(xiě)入的寫(xiě)數(shù)據(jù)被直接存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器而不經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)電路。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)模塊，其中所述存儲(chǔ)模塊被配置成使得:在突發(fā)寫(xiě)操作中，在通過(guò)糾錯(cuò)電路糾正將被寫(xiě)入的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤之后對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的將被寫(xiě)入的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)模塊，其中所述存儲(chǔ)模塊被配置成使得:響應(yīng)于時(shí)鐘輸出M位數(shù)據(jù)并且該時(shí)鐘在存儲(chǔ)模塊中產(chǎn)生。
17.一種存儲(chǔ)系 統(tǒng)，包括: 至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊，被配置為通過(guò)突發(fā)讀操作從存儲(chǔ)器讀取對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的N位數(shù)據(jù)，使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼糾正所讀取的N位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤，將糾正存儲(chǔ)錯(cuò)誤后的數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)劃分的數(shù)據(jù)單位，使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生用于每個(gè)劃分的數(shù)據(jù)單位的讀奇偶校驗(yàn)位，以及順序輸出多個(gè)第一M位數(shù)據(jù)單位，其中每個(gè)第一M位數(shù)據(jù)單位對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位，并且每個(gè)第一 M位數(shù)據(jù)單位由多個(gè)劃分的數(shù)據(jù)單位中的相應(yīng)的一個(gè)和所產(chǎn)生的奇偶校驗(yàn)位中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)位形成，M和N是正整數(shù)，M小于N ;和 存儲(chǔ)器管理單元，被配置為從至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊接收第一 M位數(shù)據(jù)單位并且使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼糾正M位數(shù)據(jù)的傳遞錯(cuò)誤。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊被配置為在突發(fā)寫(xiě)操作中順序接收第二 M位數(shù)據(jù)單位，并且所接收的第二 M位數(shù)據(jù)單位的每一個(gè)包括用戶(hù)數(shù)據(jù)和用于糾正用戶(hù)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤的至少一個(gè)寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊被配置為在突發(fā)寫(xiě)操作中使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼糾正所接收的第二 M位數(shù)據(jù)的傳遞錯(cuò)誤。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊被配置為在突發(fā)寫(xiě)操作中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生關(guān)于用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，并且用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合由對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的糾正傳遞錯(cuò)誤后的用戶(hù)數(shù)據(jù)形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊被配置為在突發(fā)寫(xiě)操作中存儲(chǔ)多個(gè)M位數(shù)據(jù)單位，其中每個(gè)M位數(shù)據(jù)單位由用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的一部分和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的一部分形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)系統(tǒng)被配置為使得至少一個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)所述內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)系統(tǒng)被配置為使得多個(gè)存儲(chǔ)器當(dāng)中存儲(chǔ)所述內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的存儲(chǔ)器被固定。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)系統(tǒng)被配置為從多個(gè)存儲(chǔ)器當(dāng)中選擇用于存儲(chǔ)所述內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的存儲(chǔ)器。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊和存儲(chǔ)器管理單元通過(guò)用于接收命令、地址、時(shí)鐘、和數(shù)據(jù)的線(xiàn)來(lái)連接。
26.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊包括: 第一糾錯(cuò)電路，被配置為在突發(fā)讀操作中使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生讀奇偶校驗(yàn)位，以及 其中用戶(hù)數(shù)據(jù)是所讀取的N位數(shù)據(jù)的一部分并且對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中第一糾錯(cuò)電路被配置為在突發(fā)寫(xiě)操作中糾正所輸入的M位數(shù)據(jù)的傳遞錯(cuò)誤。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)器管理單元還包括: 傳遞錯(cuò)誤糾正電路，被配置為在突發(fā)寫(xiě)操作中產(chǎn)生寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊被配置為在突發(fā)寫(xiě)操作中將所接收的第二 M位數(shù)據(jù)單位直接存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中而不糾正M位數(shù)據(jù)單位的傳遞錯(cuò)誤。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊包括: 第二糾錯(cuò)電路，被配置為在突發(fā)寫(xiě)操作中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生關(guān)于用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，以及 其中用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合由對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的用戶(hù)數(shù)據(jù)形成，并且所讀取的N位數(shù)據(jù)是由用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位形成的數(shù)據(jù)。
31.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊包括:通過(guò)并行接口與存儲(chǔ)器管理單元連接的多個(gè)存儲(chǔ)模塊。
32.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊包括:通過(guò)串行接口與存儲(chǔ)器管理單元連接的多個(gè)存儲(chǔ)模塊。
33.一種驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)系統(tǒng)的方法，其中所述存儲(chǔ)系統(tǒng)包括至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊和控制至少一個(gè)存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)器管理單元，該驅(qū)動(dòng)方法包括: 讀取對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)； 使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼對(duì)所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行第一糾錯(cuò)操作； 按照對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)劃分通過(guò)第一糾錯(cuò)操作糾正的數(shù)據(jù)；以及 使用不同于存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼的傳遞錯(cuò)誤糾正碼對(duì)所劃分的數(shù)據(jù)執(zhí)行第二糾錯(cuò)操作。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼是BCH碼而傳遞錯(cuò)誤糾正碼是漢明碼。
35.一種寫(xiě)入存儲(chǔ)模塊的方法,包括: 接收對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的寫(xiě)數(shù)據(jù)； 使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼按突發(fā)長(zhǎng)度單位糾正所輸入的寫(xiě)數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤； 使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生關(guān)于經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位； 按照對(duì)應(yīng)于突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)劃分經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的數(shù)據(jù)；以及 在多個(gè)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)內(nèi)部寫(xiě)數(shù)據(jù)，其由所劃分的數(shù)據(jù)和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位的一部分形成。
36.一種在存儲(chǔ)系統(tǒng)中產(chǎn)生奇偶校驗(yàn)位的方法，其中所述存儲(chǔ)系統(tǒng)包括存儲(chǔ)模塊和管理存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)器管理單元，該奇偶校驗(yàn)位產(chǎn)生方法包括: 在寫(xiě)操作中，在存儲(chǔ)器管理單元中使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生關(guān)于用戶(hù)數(shù)據(jù)的寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位；以及 在寫(xiě)操作中從存儲(chǔ)器管理單元向存儲(chǔ)模塊提供對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的寫(xiě)數(shù)據(jù)，從而使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生關(guān)于用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，所述寫(xiě)數(shù)據(jù)由用戶(hù)數(shù)據(jù)和寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位形成， 其中用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合由對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的用戶(hù)數(shù)據(jù)形成。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，還包括: 在讀操作中，在存儲(chǔ)模塊中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼糾正用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合； 在讀操作中從存儲(chǔ)模塊輸出經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的用戶(hù)數(shù)據(jù)的集合中的對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的用戶(hù)數(shù)據(jù)；以及 在讀操作中在存儲(chǔ)模塊中使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生關(guān)于輸出的用戶(hù)數(shù)據(jù)的讀奇偶校驗(yàn)位。
38.一種存儲(chǔ)模塊，包括: 多個(gè)存儲(chǔ)器； 糾錯(cuò)電路，被配置為在寫(xiě)操作中使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼糾正多個(gè)寫(xiě)數(shù)據(jù)單位的傳遞錯(cuò)誤，其中每個(gè)寫(xiě)數(shù)據(jù)單位對(duì)應(yīng)于一個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位，聚集多個(gè)糾正后的寫(xiě)數(shù)據(jù)單位，產(chǎn)生關(guān)于所聚集的寫(xiě)數(shù)據(jù)單位的內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，以及在多個(gè)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)所聚集的寫(xiě)數(shù)據(jù)單位和內(nèi)部奇偶校驗(yàn)位，并且被配置為在讀操作中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼糾正對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的、從多個(gè)存儲(chǔ)器讀 取的讀數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤；以及 緩沖器，被配置為在寫(xiě)操作中從外部設(shè)備接收多個(gè)寫(xiě)數(shù)據(jù)單位以及在讀操作中接收從多個(gè)存儲(chǔ)器讀取的讀數(shù)據(jù)， 其中在寫(xiě)操作中存在用于根據(jù)寫(xiě)命令糾正傳遞錯(cuò)誤的第一時(shí)延，以及在讀操作中存在用于根據(jù)讀命令糾正存儲(chǔ)錯(cuò)誤的第二時(shí)延。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的存儲(chǔ)模塊，其中多個(gè)存儲(chǔ)器的每一個(gè)由磁阻存儲(chǔ)器形成。
40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的存儲(chǔ)模塊，其中多個(gè)寫(xiě)數(shù)據(jù)單位的每一個(gè)由用戶(hù)數(shù)據(jù)和寫(xiě)奇偶校驗(yàn)位形成。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的存儲(chǔ)模塊，其中所述讀數(shù)據(jù)由用戶(hù)數(shù)據(jù)和讀奇偶校驗(yàn)位形成。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的存儲(chǔ)模塊，其中所述糾錯(cuò)電路被配置為使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生讀奇偶校驗(yàn)位。
43.根據(jù)權(quán)利要求38所述的存儲(chǔ)模塊，其中所述糾錯(cuò)電路包括: 第一糾錯(cuò)電路，被配置為糾正傳遞錯(cuò)誤；和 第二糾錯(cuò)電路，被配置為糾正存儲(chǔ)錯(cuò)誤。
44.一種在存儲(chǔ)模塊中糾正數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的方法，包括: 使用第一糾錯(cuò)碼按第一碼字單位糾正在外部設(shè)備和存儲(chǔ)模塊之間的傳遞錯(cuò)誤；和使用不同于第一糾錯(cuò)碼的第二糾錯(cuò)碼按大于第一碼字單位的第二碼字單位糾正存儲(chǔ)在存儲(chǔ)模塊中的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤。
45.一種從包括多個(gè)存儲(chǔ) 器的存儲(chǔ)模塊中進(jìn)行讀取的方法，該讀取方法包括:在存儲(chǔ)模塊中從多個(gè)存儲(chǔ)器讀取N位數(shù)據(jù)，所述N位數(shù)據(jù)包括對(duì)應(yīng)于多個(gè)突發(fā)長(zhǎng)度單位的數(shù)據(jù)，突發(fā)長(zhǎng)度單位是存儲(chǔ)模塊在存儲(chǔ)模塊的突發(fā)數(shù)據(jù)傳遞操作中傳遞的數(shù)據(jù)量，N是正整數(shù)； 在存儲(chǔ)模塊中使用存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼糾正N位讀數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤； 將經(jīng)過(guò)糾錯(cuò)的N位數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)M位數(shù)據(jù)單位，M是小于N的正整數(shù)；以及 對(duì)于M位數(shù)據(jù)單位中的每一個(gè)， 在存儲(chǔ)模塊中使用不同于存儲(chǔ)錯(cuò)誤糾正碼的傳遞錯(cuò)誤糾正碼產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于M位數(shù)據(jù)單位的一個(gè)或多個(gè)讀奇偶校驗(yàn)位；以及 將M位數(shù)據(jù)單位與對(duì)應(yīng)于M位數(shù)據(jù)單位的一個(gè)或多個(gè)讀奇偶校驗(yàn)位一起從存儲(chǔ)模塊輸出。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，還包括: 將從存儲(chǔ)模塊輸出的M位數(shù)據(jù)單位傳遞到控制存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)器管理單元(MMU)； 在MMU中使用對(duì)應(yīng)于M位數(shù)據(jù)單位的每一個(gè)的一個(gè)或多個(gè)奇偶校驗(yàn)位對(duì)M位數(shù)據(jù)單位的每一個(gè)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測(cè)操作；以及 如果在M位數(shù)據(jù)單位中檢測(cè) 到一個(gè)或多個(gè)錯(cuò)誤，則使用傳遞錯(cuò)誤糾正碼在MMU中糾正檢測(cè)到的錯(cuò)誤。
【文檔編號(hào)】G11C29/42GK103811076SQ201310535837
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2013年11月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月1日
【發(fā)明者】尹恩振 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社