一種閃存單元的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種閃存單元，其特征在于，一種閃存單元，包括分立的存儲(chǔ)芯片和控制芯片，其中，所述控制芯片與所述存儲(chǔ)芯片連接，用于對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行控制。本發(fā)明通過(guò)將分立的存儲(chǔ)芯片和控制芯片進(jìn)行連接，控制芯片可以選擇工藝單獨(dú)制造，因此可以降低生產(chǎn)成本，而且也可以降低控制芯片的生產(chǎn)工藝的難度，避免了兩者集成可能出現(xiàn)的工藝問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】一種閃存單元

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及閃存【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種閃存單元。

【背景技術(shù)】
[0002]閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的基本輸入輸出程序(B1S)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。
[0003]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的閃存單元的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，傳統(tǒng)閃存存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)部分11和控制部分12都被集成在同一顆芯片上?？刂撇糠?2包含接口控制模塊，狀態(tài)控制模塊，密碼控制模塊和電壓控制模塊。
[0004]其中，接口控制模塊包含:接口數(shù)據(jù)控制模塊128，用于控制接口的指令輸入和數(shù)據(jù)輸入；數(shù)據(jù)緩沖模塊129，用于緩存用戶輸入的數(shù)據(jù)。
[0005]其中，狀態(tài)控制模塊包含:讀寫(xiě)控制模塊127，用于根據(jù)用戶輸入的指令，控制讀操作狀態(tài)或?qū)懖僮鳡顟B(tài)；狀態(tài)寄存模塊123，用于寄存存儲(chǔ)存儲(chǔ)模塊111內(nèi)部的狀態(tài)。
[0006]其中，密碼控制模塊包含:地址鎖存及計(jì)數(shù)121，用于控制用戶的訪問(wèn)地址；行列譯碼器122，用于根據(jù)訪問(wèn)地址，控制訪問(wèn)存儲(chǔ)模塊111的物理地址。
[0007]其中，電壓控制模塊包含:高壓產(chǎn)生模塊124，用于產(chǎn)生存儲(chǔ)模塊111讀寫(xiě)需要的電壓；參考電壓模塊125，用于產(chǎn)生存儲(chǔ)模塊111讀寫(xiě)需要的參考電壓。
[0008]為了降低成本，存儲(chǔ)部分11的特征尺寸不斷降低，而控制部分12的特征尺寸卻沒(méi)有隨之降低，因此控制部分12相對(duì)存儲(chǔ)部分11的尺寸比例也越來(lái)越高，占整個(gè)閃存單元的面積的比例高達(dá)40%。隨著存儲(chǔ)部分11的工藝的不斷改進(jìn)，控制部分12也必須使用先進(jìn)工藝制程，而且每個(gè)閃存單元都需要各自的控制部分，這些因素都會(huì)導(dǎo)致閃存單元的成本的增加。由于控制部分12也要使用先進(jìn)工藝制程，不僅增加了工藝的難度，同時(shí)引進(jìn)了更多的工藝問(wèn)題，例如功耗、柵氧厚度增加等問(wèn)題，也給控制部分的電路設(shè)計(jì)帶來(lái)了負(fù)面影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提出一種閃存芯片，能夠降低工藝難度并且降低生產(chǎn)成本。
[0010]本發(fā)明實(shí)施例一種閃存單元，包括分立的存儲(chǔ)芯片和控制芯片，其中，所述控制芯片與所述存儲(chǔ)芯片連接，用于對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行控制。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)芯片包含疊封的多顆芯片。
[0012]優(yōu)選地，所述控制芯片和所述存儲(chǔ)芯片通過(guò)封裝方式相連接。
[0013]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)芯片和所述控制芯片通過(guò)疊封方式相連接。
[0014]優(yōu)選地，所述疊封的多顆芯片中的每顆芯片均包含:
[0015]存儲(chǔ)模塊，包含存儲(chǔ)單元；
[0016]靈敏放大器，用于感應(yīng)所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)輸出。
[0017]優(yōu)選地，所述控制芯片用于對(duì)所述存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)存取進(jìn)行控制。
[0018]優(yōu)選地，所述控制芯片的狀態(tài)控制模塊包含:
[0019]讀寫(xiě)控制模塊，用于根據(jù)用戶輸入的指令，控制讀操作狀態(tài)或?qū)懖僮鳡顟B(tài)；
[0020]存儲(chǔ)模塊片選控制，用于根據(jù)用戶的訪問(wèn)地址控制所述存儲(chǔ)模塊進(jìn)行片選；以及[0021 ] 狀態(tài)寄存模塊，用于寄存存儲(chǔ)所述存儲(chǔ)模塊內(nèi)部的狀態(tài)。
[0022]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)芯片為NAND存儲(chǔ)芯片或NOR存儲(chǔ)芯片。
[0023]本發(fā)明通過(guò)將分立的存儲(chǔ)芯片和控制芯片進(jìn)行連接，控制芯片可以選擇工藝單獨(dú)制造，因此可以降低生產(chǎn)成本，而且也可以降低控制芯片的生產(chǎn)工藝的難度，避免了兩者集成可能出現(xiàn)的工藝問(wèn)題。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的閃存單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的閃存單元的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖并通過(guò)【具體實(shí)施方式】來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0027]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的閃存單元的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本發(fā)明提供了一種閃存單元，包括分立的存儲(chǔ)芯片21和控制芯片22，其中，所述控制芯片22與所述存儲(chǔ)芯片21連接，并且用于對(duì)所述存儲(chǔ)芯片21進(jìn)行控制。
[0028]由于本發(fā)明將閃存單元的存儲(chǔ)部分和控制部分進(jìn)行分開(kāi)，而不是集成在一個(gè)芯片上，分別形成存儲(chǔ)芯片21和控制芯片22，因此存儲(chǔ)芯片21和控制芯片22可以采用不同的工藝方法進(jìn)行生產(chǎn)，為了提高存儲(chǔ)性能，存儲(chǔ)芯片21的生產(chǎn)工藝不斷提高，因此可以采用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝進(jìn)行生產(chǎn)，而控制芯片22可以采取簡(jiǎn)單的低成本的生產(chǎn)工藝進(jìn)行生產(chǎn)，這樣可以大大降低生產(chǎn)成本。而且，由于控制芯片22不需要使用先進(jìn)工藝制程，降低了工藝的難度，也避免了功耗、柵氧厚度增加等工藝問(wèn)題的出現(xiàn)。
[0029]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)芯片21可以包含疊封的多顆芯片。每顆芯片都有其對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊，因此擴(kuò)充了容量，滿足了大容量、低成本的需求。而且，疊封的多顆芯片可以共用共同的控制芯片控制，大大節(jié)約了成本。
[0030]進(jìn)一步地，存儲(chǔ)芯片21和控制芯片22可以通過(guò)封裝的方式互相連接，雖然會(huì)增加封裝成本，但是由于采用低成本的控制芯片，節(jié)約的成本遠(yuǎn)超過(guò)封裝所增加的成本，因此對(duì)于存儲(chǔ)單元整體還是大大降低了生產(chǎn)成本。
[0031]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例方式，所述存儲(chǔ)芯片21和所述控制芯片22通過(guò)疊封相連接。由于存儲(chǔ)芯片21和控制芯片22進(jìn)行疊封，通過(guò)疊封的方式減小了平鋪面積，甚至可以省掉高達(dá)40%的平鋪，而且降低用戶制版成本。
[0032]其中，存儲(chǔ)芯片21可以包含一顆或多顆芯片，疊封的多顆芯片中的每顆芯片均可以包含存儲(chǔ)模塊211以及對(duì)應(yīng)的靈敏放大器212，存儲(chǔ)芯片21的具體包含內(nèi)容可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行更改，本發(fā)明實(shí)施例所敘述的僅為舉例說(shuō)明。
[0033]存儲(chǔ)模塊211通常由存儲(chǔ)單元組成，靈敏放大器212用于感應(yīng)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)輸出。存儲(chǔ)芯片21可以為NAND存儲(chǔ)芯片或NOR存儲(chǔ)芯片。
[0034]其中，控制芯片22包含存儲(chǔ)器所需要的外圍電路部分，具體包含內(nèi)容可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行更改，本發(fā)明實(shí)施例所敘述的僅為舉例說(shuō)明。優(yōu)選地，控制芯片22可以對(duì)所述存儲(chǔ)芯片21的數(shù)據(jù)存取進(jìn)行控制，當(dāng)執(zhí)行讀操作和寫(xiě)操作時(shí)，控制芯片22只需要啟動(dòng)一套控制裝置，就可以控制至少兩顆芯片的存取操作。
[0035]進(jìn)一步地，控制芯片22可以包含接口控制模塊，狀態(tài)控制模塊，密碼控制模塊和電壓控制模塊。
[0036]其中，接口控制模塊包含:接口數(shù)據(jù)控制模塊228，用于控制接口的指令輸入和數(shù)據(jù)輸入；數(shù)據(jù)緩沖模塊229，用于緩存用戶輸入的數(shù)據(jù)。
[0037]其中，狀態(tài)控制模塊包含:存儲(chǔ)模塊片選控制226、讀寫(xiě)控制模塊227以及狀態(tài)寄存模塊223。存儲(chǔ)模塊片選控制226用于根據(jù)用戶的訪問(wèn)地址控制所述存儲(chǔ)模塊211進(jìn)行片選；讀寫(xiě)控制模塊227用于根據(jù)用戶輸入的指令和片選結(jié)果控制所述存儲(chǔ)模塊211的讀操作狀態(tài)或?qū)懖僮鳡顟B(tài)以及狀態(tài)切換；以及狀態(tài)寄存模塊223用于寄存存儲(chǔ)所述存儲(chǔ)模塊211內(nèi)部的狀態(tài)，從而與所述讀寫(xiě)控制模塊227控制所述存儲(chǔ)模塊211的讀寫(xiě)狀態(tài)。
[0038]其中，密碼控制模塊包含:地址鎖存及計(jì)數(shù)221，用于控制用戶的訪問(wèn)地址；行列譯碼器222，用于根據(jù)訪問(wèn)地址，控制訪問(wèn)存儲(chǔ)模塊211的物理地址。
[0039]其中，電壓控制模塊包含:高壓產(chǎn)生模塊224，用于產(chǎn)生存儲(chǔ)模塊211讀寫(xiě)需要的電壓；參考電壓模塊225，用于產(chǎn)生存儲(chǔ)模塊211讀寫(xiě)需要的參考電壓。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將分立的存儲(chǔ)芯片和控制芯片進(jìn)行連接，控制芯片可以選擇單獨(dú)制造，因此可以降低生產(chǎn)成本，而且也可以降低控制芯片的生產(chǎn)工藝的難度，避免了兩者集成可能出現(xiàn)的工藝問(wèn)題。
[0041]而且，存儲(chǔ)芯片可以包含疊封的多顆芯片，每顆芯片都有其對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)模塊，因此擴(kuò)充了容量，滿足了大容量、低成本的需求。而且，疊封的多顆芯片可以共用共同的控制芯片控制，大大節(jié)約了成本。
[0042]進(jìn)一步地，通過(guò)將存儲(chǔ)芯片和控制芯片通過(guò)封裝的方式互相連接，雖然會(huì)增加封裝成本，但是由于采用低成本的控制芯片，節(jié)約的成本遠(yuǎn)超過(guò)封裝所增加的成本，因此對(duì)于存儲(chǔ)單元整體還是大大降低了生產(chǎn)成本。
[0043]另外，本發(fā)明實(shí)施例可以將存儲(chǔ)芯片和控制芯片進(jìn)行疊封，通過(guò)疊封的方式可以減小高達(dá)40%的平鋪面積，降低了用戶制版成本。
[0044]以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種閃存單元，其特征在于，包括分立的存儲(chǔ)芯片和控制芯片，其中，所述控制芯片與所述存儲(chǔ)芯片連接，用于對(duì)所述存儲(chǔ)芯片進(jìn)行控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述存儲(chǔ)芯片包含疊封的多顆芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述控制芯片和所述存儲(chǔ)芯片通過(guò)封裝方式相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的閃存單元，其特征在于，所述存儲(chǔ)芯片和所述控制芯片通過(guò)疊封方式相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述疊封的多顆芯片中的每顆芯片均包含: 存儲(chǔ)模塊，包含存儲(chǔ)單元； 靈敏放大器，用于感應(yīng)所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)輸出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述控制芯片用于對(duì)所述存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)存取進(jìn)行控制。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述控制芯片的狀態(tài)控制模塊包含: 存儲(chǔ)模塊片選控制，用于根據(jù)用戶的訪問(wèn)地址控制所述存儲(chǔ)模塊進(jìn)行片選； 讀寫(xiě)控制模塊，用于根據(jù)用戶輸入的指令和片選結(jié)果控制所述存儲(chǔ)模塊的讀操作狀態(tài)或?qū)懖僮鳡顟B(tài)以及狀態(tài)切換；以及 狀態(tài)寄存模塊，用于寄存存儲(chǔ)所述存儲(chǔ)模塊內(nèi)部的狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述存儲(chǔ)芯片為NAND存儲(chǔ)芯片或NOR存儲(chǔ)芯片。
【文檔編號(hào)】G11C16/06GK104425013SQ201310390616
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】蘇志強(qiáng), 劉會(huì)娟 申請(qǐng)人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司