一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種非易失性存儲(chǔ)器擦除的方法和裝置，其中，所述方法包括：對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù)編程操作；所述目標(biāo)擦除塊中包括多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)；針對(duì)所述經(jīng)預(yù)編程操作的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除；針對(duì)所述經(jīng)過擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)；若存在所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)，則針對(duì)所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除，直至所述目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止；針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行過擦除糾正。本發(fā)明可減少目標(biāo)擦除塊的進(jìn)行擦除時(shí)間，減少過擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)，減少過擦除糾正的數(shù)量和糾正所需要的時(shí)間，提高擦除的準(zhǔn)確性及效率。
【專利說明】一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法和裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法，以及，一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著各種電子裝置及嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用，如計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、移動(dòng)電話、數(shù)字相機(jī)等，大量需要一種能多次編程，容量大，讀寫、擦除快捷、方便、簡(jiǎn)單，外圍器件少，價(jià)格低廉的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器件。非易失性存儲(chǔ)器件就是在這種背景需求下應(yīng)運(yùn)而生的。
[0003]針對(duì)非易失存儲(chǔ)器的一般設(shè)計(jì)而言，只能以整片、整塊(block)或扇區(qū)(sector)的形式刪除，而不能被單字節(jié)刪除。
[0004]以閃存(Flash Memory)為例,它是一種基于半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器,具有系統(tǒng)掉電后仍可保留內(nèi)部信息、在線擦寫等功能特點(diǎn)，閃存通過熱電子注入機(jī)制實(shí)現(xiàn)對(duì)器件編程，采用隧道效應(yīng)實(shí)現(xiàn)擦除。
[0005]在對(duì)非易失存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除時(shí)，若某個(gè)sector由于擦除次數(shù)過多，導(dǎo)致該sector擦除時(shí)間變長(zhǎng)，在對(duì)該sector所在的block進(jìn)行擦除時(shí),block擦除時(shí)間也會(huì)變長(zhǎng),最終將導(dǎo)致該block中其他sector由于長(zhǎng)時(shí)間擦除而產(chǎn)生過擦除的情況，用戶體驗(yàn)不佳。
[0006]因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切需要解決的問題之一在于，提出了一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除機(jī)制，用以極大地降低過擦除風(fēng)險(xiǎn)，提高存儲(chǔ)器的擦除準(zhǔn)確性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供涉及一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法，以及，一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除裝置，用以減少目標(biāo)擦除塊的進(jìn)行擦除時(shí)間，減少過擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)。
[0008]為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種非易失性存儲(chǔ)器擦除的方法，包括:
[0009]對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù)編程操作；所述目標(biāo)擦除塊中包括多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)；
[0010]針對(duì)所述經(jīng)預(yù)編程操作的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除；
[0011]針對(duì)所述經(jīng)過擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)；
[0012]若存在所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)，則針對(duì)所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除，直至所述目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止;
[0013]針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行過擦除糾正。
[0014]優(yōu)選地，在所述針對(duì)經(jīng)擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)的步驟之后，還包括:
[0015]針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)；
[0016]針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)。[0017]優(yōu)選地，所述若存在擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)，則針對(duì)所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除，直至所述目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止的步驟包括:
[0018]子步驟SI，判斷是否存在擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)，若是，則執(zhí)行子步驟S2，若否，則執(zhí)行子步驟S4;
[0019]子步驟S2，針對(duì)所述具有擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除；
[0020]子步驟S3，針對(duì)所述經(jīng)繼續(xù)擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)，并針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)，針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)，然后返回子步驟Si ；
[0021]子步驟S4，停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
[0022]優(yōu)選地，所述的方法還包括:
[0023]當(dāng)施加擦除脈沖的次數(shù)達(dá)到最大預(yù)設(shè)擦除次數(shù)時(shí)，停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
[0024]優(yōu)選地，所述針對(duì)經(jīng)擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)的步驟包括:
[0025]對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)中存儲(chǔ)單元施加校驗(yàn)電壓并生成閾值電壓；
[0026]判斷所述閾值電壓是否高于預(yù)設(shè)參考電壓；
[0027]若是，則判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)成功；
[0028]若否，則判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)失敗。
[0029]本發(fā)明還提供了一種非易失性存儲(chǔ)器擦除的裝置，包括:
[0030]預(yù)編程模塊，用于對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù)編程操作；所述目標(biāo)擦除塊中包括多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)；
[0031]擦除模塊，用于針對(duì)所述經(jīng)預(yù)編程操作的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除；
[0032]擦除校驗(yàn)?zāi)K，用于針對(duì)所述經(jīng)過擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)；
[0033]擦除判斷模塊，用于若存在所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)，則針對(duì)所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除，直至所述目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止；
[0034]過擦除糾正模塊，用于針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行過擦除糾正。
[0035]優(yōu)選地，在所述擦除校驗(yàn)?zāi)K之后，還包括:
[0036]成功標(biāo)識(shí)模塊，用于針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)；
[0037]失敗標(biāo)識(shí)模塊，用于針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)。
[0038]優(yōu)選地，所述擦除判斷模塊包括:
[0039]判斷子模塊，用于判斷是否存在擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)，若是，則調(diào)用繼續(xù)擦除子模塊，若否，則調(diào)用停止擦除子模塊；
[0040]繼續(xù)擦除子模塊，用于對(duì)所述具有擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除；
[0041]校驗(yàn)子模塊，用于針對(duì)所述經(jīng)繼續(xù)擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)，并針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)，針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)，然后調(diào)用判斷子模塊；[0042]停止擦除子模塊，用于停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
[0043]優(yōu)選地，所述的裝置還包括:
[0044]擦除結(jié)束模塊，用于當(dāng)施加擦除脈沖的次數(shù)達(dá)到最大預(yù)設(shè)擦除次數(shù)時(shí)，停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
[0045]優(yōu)選地，所述擦除校驗(yàn)?zāi)K包括:
[0046]閾值電壓生成子模塊，用于對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)中存儲(chǔ)單元施加校驗(yàn)電壓并生成閾值電壓；
[0047]閾值電壓判斷子模塊，用于判斷所述閾值電壓是否高于預(yù)設(shè)參考電壓；
[0048]校驗(yàn)成功子模塊，用于判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)成功；
[0049]校驗(yàn)失敗子模塊，用于判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)失敗。
[0050]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn):
[0051]本發(fā)明在目標(biāo)擦除塊中以目標(biāo)擦除扇區(qū)為最小的擦除單元，對(duì)目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除操作，對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)繼續(xù)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除，對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)停止施加擦除脈沖進(jìn)行擦除，直到目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止，可減少目標(biāo)擦除塊的進(jìn)行擦除時(shí)間，減少過擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)，減少過擦除糾正的數(shù)量和糾正所需要的時(shí)間，提高擦除的準(zhǔn)確性及效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0052]圖1是本發(fā)明的一種非易失性存儲(chǔ)器擦除的方法實(shí)施例的步驟流程圖；
[0053]圖2是本發(fā)明的一種非易失性存儲(chǔ)器擦除的裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0054]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0055]本發(fā)明的核心構(gòu)思之一在于，在對(duì)目標(biāo)擦除塊中以目標(biāo)擦除扇區(qū)為最小的擦除單元，對(duì)目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除操作，對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)繼續(xù)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除，對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)停止施加擦除脈沖進(jìn)行擦除，直到目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止，可以減少目標(biāo)擦除塊的進(jìn)行擦除時(shí)間，減少過擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)，提高擦除的準(zhǔn)確性。
[0056]參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明一種非易失性存儲(chǔ)器擦除的方法實(shí)施例的步驟流程圖，所述的方法具體可以包括如下步驟:
[0057]步驟101，對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù)編程操作；所述目標(biāo)擦除塊中包括多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)；
[0058]所述目標(biāo)擦除塊中包括可以多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)，所述的目標(biāo)擦除扇區(qū)為目標(biāo)擦除塊中的最小擦除單元。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述預(yù)編程操作(Pre_PiOgram)為將目標(biāo)擦除塊中的cell (存儲(chǔ)單元)編程可以為O值；在具體實(shí)現(xiàn)中，預(yù)編程操作是針對(duì)目標(biāo)擦除塊中的cell寫入0，也即是使cell處于高閾值電壓狀態(tài)，以提高擦除操作的穩(wěn)定性。
[0059]可以理解的是，在實(shí)際中，對(duì)于目標(biāo)擦除塊中的cell而言，并不是每一個(gè)都必須執(zhí)行預(yù)編程，即一些cell中的數(shù)據(jù)本來就是0，那么對(duì)于這部分cell就可以不必要執(zhí)行預(yù)編程操作；而只對(duì)需要執(zhí)行預(yù)編程操作的cell，如數(shù)據(jù)為I的cell進(jìn)行預(yù)編程操作即可。
[0060]步驟102，針對(duì)所述經(jīng)預(yù)編程操作的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除；
[0061]當(dāng)對(duì)目標(biāo)擦除塊中的目標(biāo)擦除扇區(qū)完成預(yù)編程操作后，然后開始施加擦除脈沖對(duì)已經(jīng)進(jìn)行了預(yù)編程操作的目標(biāo)擦除扇區(qū)中的cell進(jìn)行擦除。
[0062]步驟103，針對(duì)所述經(jīng)擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)；
[0063]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述步驟103可以包括如下子步驟:
[0064]步驟S11，對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)中存儲(chǔ)單元施加校驗(yàn)電壓并生成閾值電壓；
[0065]步驟S12，判斷所述閾值電壓是否高于預(yù)設(shè)參考電壓；若是，則執(zhí)行步驟S13，若否，則執(zhí)行步驟S14;
[0066]步驟S13，判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)成功；
[0067]步驟S14，判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)失敗。
[0068]在實(shí)際中，判斷對(duì)目標(biāo)擦除扇區(qū)校驗(yàn)擦除是否成功的方法是在不同的操作過程中，使用不同的參考電壓和校驗(yàn)電壓去讀取目標(biāo)擦除扇區(qū)cell中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。當(dāng)把某一個(gè)校驗(yàn)電壓加到cell，把cell上的電流轉(zhuǎn)換為電壓后，同參考電壓進(jìn)行比較，判斷是“I”還是“0”，由判斷結(jié)果即可確定擦除校驗(yàn)成功還是失敗。
[0069]步驟104，若存在所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)，則針對(duì)所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除，直至所述目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止；
[0070]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，在所述針對(duì)經(jīng)擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)的步驟之后，所述的方法還可以包括如下步驟:
[0071]針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)；
[0072]針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)。
[0073]在具體實(shí)現(xiàn)中，為了方便識(shí)別經(jīng)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)是擦除成功還是擦除失敗，可以按目標(biāo)擦除扇區(qū)的校驗(yàn)結(jié)果分配標(biāo)識(shí)。例如，可以對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)(可以使用“O”標(biāo)記)，對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)(可以使用“ I ”標(biāo)記)。
[0074]當(dāng)然，在本發(fā)明中也可以使用其他的標(biāo)識(shí)對(duì)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行標(biāo)記，例如也可以使用“ I ”標(biāo)記擦除校驗(yàn)成功目標(biāo)扇區(qū)，使用“ O ”標(biāo)記擦除校驗(yàn)失敗目標(biāo)扇區(qū)均可，本發(fā)明不對(duì)此做限制。
[0075]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述步驟104可以包括如下子步驟:
[0076]子步驟SI，判斷是否存在擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)，若是，則執(zhí)行子步驟S2，若否，則執(zhí)行子步驟S4;
[0077]子步驟S2，針對(duì)所述具有擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除；
[0078]子步驟S3，針對(duì)所述經(jīng)繼續(xù)擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)，并針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)，針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)，然后返回子步驟SI ；
[0079]子步驟S4，停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
[0080]在本發(fā)明實(shí)施例中，以最小的擦除單元目標(biāo)擦除扇區(qū)為基本單位，例如一個(gè)目標(biāo)擦除塊block中有M個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)sector,在對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行擦除(erase)時(shí),一開始對(duì)M個(gè)sector—起施加擦除脈沖(erase pulse)進(jìn)行擦除,之后只對(duì)擦除校驗(yàn)失敗(fail)的sector繼續(xù)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除,而對(duì)于擦除校驗(yàn)成功(pass)的sector禁止施加擦除脈沖進(jìn)行擦除，直至完成對(duì)目標(biāo)擦除塊的擦除，極大限度的降低過擦除的發(fā)生率，減少需進(jìn)行過擦除糾正的目標(biāo)擦除扇區(qū)的數(shù)量和進(jìn)行過擦除糾正所需要的時(shí)間。
[0081]步驟105，針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行過擦除糾正。
[0082]在實(shí)際運(yùn)用中，對(duì)于擦除校驗(yàn)成功的區(qū)域也可能存在過擦除，還要進(jìn)行過擦除糾正，直至過擦除校驗(yàn)成功為止。
[0083]所述對(duì)目標(biāo)擦除扇區(qū)的過擦除糾正可以采用預(yù)設(shè)的編程電壓針對(duì)閾值電壓低于特定電壓值的目標(biāo)擦除扇區(qū)中的cell進(jìn)行編程，可減少過擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)，提高cell閾值電壓分布的一致性。當(dāng)目標(biāo)擦除扇區(qū)的進(jìn)行過擦除校驗(yàn)成功，目標(biāo)擦除扇區(qū)達(dá)到預(yù)定的閾值電壓范圍時(shí)，完成對(duì)目標(biāo)擦除扇區(qū)的過擦除糾正。
[0084]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述的方法還可以包括如下步驟:
[0085]當(dāng)施加擦除脈沖的次數(shù)達(dá)到最大預(yù)設(shè)擦除次數(shù)時(shí)，停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
[0086]在具體實(shí)現(xiàn)中，可能經(jīng)擦除驗(yàn)證后的目標(biāo)擦除扇區(qū)一直不能全部擦除成功，為了避免造成擦除陷入死循環(huán)，可以設(shè)置最大預(yù)設(shè)擦除次數(shù)，當(dāng)施加擦除脈沖的次數(shù)達(dá)到最大預(yù)設(shè)擦除次數(shù)時(shí)，可結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
[0087]本發(fā)明適用于較大的擦除塊的擦除，當(dāng)然也同樣適用于整個(gè)存儲(chǔ)器芯片的擦除。
[0088]需要說明的是，對(duì)于方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。
[0089]參照?qǐng)D2，示出了本發(fā)明的一種非易失性存儲(chǔ)器擦除的裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖，具體可以包括以下模塊:
[0090]預(yù)編程模塊201，用于對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù)編程操作；所述目標(biāo)擦除塊中包括多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)；
[0091]擦除模塊202，用于針對(duì)所述經(jīng)預(yù)編程操作的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除；擦除校驗(yàn)?zāi)K203，用于針對(duì)所述經(jīng)擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)；
[0092]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，在所述擦除校驗(yàn)?zāi)K203之后，還可以包括如下模塊:
[0093]成功標(biāo)識(shí)模塊，用于針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)；
[0094]失敗標(biāo)識(shí)模塊，用于針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)。
[0095]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述擦除校驗(yàn)?zāi)K203可以包括如下子模塊:
[0096]閾值電壓生成子模塊，用于對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)中存儲(chǔ)單元施加校驗(yàn)電壓并生成閾值電壓；
[0097]閾值電壓判斷子模塊，用于判斷所述閾值電壓是否高于預(yù)設(shè)參考電壓；
[0098]校驗(yàn)成功子模塊，用于判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)成功；
[0099]校驗(yàn)失敗子模塊，用于判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)失敗。
[0100]擦除判斷模塊204，用于若存在所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)，則針對(duì)所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除，直至所述目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止；
[0101]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述擦除判斷模塊204可以包括如下子模塊:
[0102]判斷子模塊，用于判斷是否存在擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)，若是，則調(diào)用繼續(xù)擦除子模塊，若否，則調(diào)用停止擦除子模塊；
[0103]繼續(xù)擦除子模塊，用于對(duì)所述具有擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除；
[0104]校驗(yàn)子模塊，用于針對(duì)所述經(jīng)繼續(xù)擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)，并針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)，針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)，然后調(diào)用判斷子模塊；
[0105]停止擦除子模塊，用于停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
[0106]過擦除糾正模塊205，用于針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行過擦除糾正。
[0107]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述的裝置還可以包括如下模塊:
[0108]擦除結(jié)束模塊，用于當(dāng)施加擦除脈沖的次數(shù)達(dá)到最大預(yù)設(shè)擦除次數(shù)時(shí)，停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
[0109]對(duì)于裝置實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。
[0110]由于本發(fā)明的裝置實(shí)施例基本相應(yīng)于前述的方法實(shí)施例，故本實(shí)施例的描述中未詳盡之處，可以參見前述實(shí)施例中的相關(guān)說明，在此就不贅述了。
[0111]本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明的實(shí)施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本發(fā)明可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器、CD-ROM、光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。
[0112]本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計(jì)算機(jī)程序指令到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個(gè)機(jī)器，使得通過計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。
[0113]這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能。
[0114]這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。[0115]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0116]最后，還需要說明的是，在本文中，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)
備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)......”限定的要素，并不
排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0117]以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種非易失性存儲(chǔ)器擦除的方法及裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種非易失性存儲(chǔ)器擦除的方法，其特征在于，包括: 對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù)編程操作；所述目標(biāo)擦除塊中包括多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)； 針對(duì)所述經(jīng)預(yù)編程操作的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除； 針對(duì)所述經(jīng)過擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)； 若存在所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)，則針對(duì)所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除，直至所述目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止；針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行過擦除糾正。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述針對(duì)經(jīng)擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)的步驟之后，還包括: 針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)； 針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述若存在擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)，則針對(duì)所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除，直至所述目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止的步驟包括: 子步驟SI，判斷是否存在擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)，若是，則執(zhí)行子步驟S2，若否，則執(zhí)行子步驟S4; 子步驟S2，針對(duì)所述具有擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除；子步驟S3，針對(duì)所述經(jīng)繼續(xù)擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)，并針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)，針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)，然后返回子步驟SI ； 子步驟S4，停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括: 當(dāng)施加擦除脈沖的次數(shù)達(dá)到最大預(yù)設(shè)擦除次數(shù)時(shí)，停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述針對(duì)經(jīng)擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)的步驟包括: 對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)中存儲(chǔ)單元施加校驗(yàn)電壓并生成閾值電壓； 判斷所述閾值電壓是否高于預(yù)設(shè)參考電壓； 若是，則判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)成功； 若否，則判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)失敗。
6.一種非易失性存儲(chǔ)器擦除的裝置，其特征在于，包括: 預(yù)編程模塊，用于對(duì)目標(biāo)擦除塊進(jìn)行預(yù)編程操作；所述目標(biāo)擦除塊中包括多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)； 擦除模塊，用于針對(duì)所述經(jīng)預(yù)編程操作的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖進(jìn)行擦除； 擦除校驗(yàn)?zāi)K，用于針對(duì)所述經(jīng)過擦除的多個(gè)目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)； 擦除判斷模塊，用于若存在所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)，則針對(duì)所述擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除，直至所述目標(biāo)擦除塊中的所有目標(biāo)擦除扇區(qū)擦除校驗(yàn)成功為止； 過擦除糾正模塊，用于針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行過擦除糾正。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，在所述擦除校驗(yàn)?zāi)K之后，還包括: 成功標(biāo)識(shí)模塊，用于針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)； 失敗標(biāo)識(shí)模塊，用于針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述擦除判斷模塊包括: 判斷子模塊，用于判斷是否存在 擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)，若是，則調(diào)用繼續(xù)擦除子模塊，若否，則調(diào)用停止擦除子模塊； 繼續(xù)擦除子模塊，用于對(duì)所述具有擦除失敗標(biāo)識(shí)的目標(biāo)擦除扇區(qū)施加擦除脈沖繼續(xù)擦除； 校驗(yàn)子模塊，用于針對(duì)所述經(jīng)繼續(xù)擦除的目標(biāo)擦除扇區(qū)進(jìn)行擦除校驗(yàn)，并針對(duì)擦除校驗(yàn)成功的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除成功標(biāo)識(shí)，針對(duì)擦除校驗(yàn)失敗的目標(biāo)擦除扇區(qū)分配擦除失敗標(biāo)識(shí)，然后調(diào)用判斷子模塊； 停止擦除子模塊，用于停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，還包括: 擦除結(jié)束模塊，用于當(dāng)施加擦除脈沖的次數(shù)達(dá)到最大預(yù)設(shè)擦除次數(shù)時(shí)，停止施加擦除脈沖，結(jié)束當(dāng)前目標(biāo)擦除塊的擦除。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述擦除校驗(yàn)?zāi)K包括: 閾值電壓生成子模塊，用于對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)中存儲(chǔ)單元施加校驗(yàn)電壓并生成閾值電壓； 閾值電壓判斷子模塊，用于判斷所述閾值電壓是否高于預(yù)設(shè)參考電壓； 校驗(yàn)成功子模塊，用于判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)成功； 校驗(yàn)失敗子模塊，用于判定針對(duì)所述目標(biāo)擦除扇區(qū)的擦除校驗(yàn)失敗。
【文檔編號(hào)】G11C16/14GK104008777SQ201310059146
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月25日
【發(fā)明者】劉永波 申請(qǐng)人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司