閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法及其相關(guān)系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，包括下列步驟：將多個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存中；將多個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存中；調(diào)整一切割電平使一資料區(qū)別錯(cuò)誤率低于一默認(rèn)值；以及，利用調(diào)整后的該切割電壓來(lái)區(qū)別該閃存中其他存儲(chǔ)單元的該第一儲(chǔ)存狀態(tài)與該第二儲(chǔ)存狀態(tài)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法及其相關(guān)系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種閃存的控制系統(tǒng)與方法，且特別是有關(guān)于一種閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法及其相關(guān)系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，與非門(mén)閃存(NAND flash memory)所組成的儲(chǔ)存裝置已經(jīng)非常廣泛的應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品。例如SD卡、固態(tài)硬盤(pán)等等?；旧?，根據(jù)每個(gè)存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的資料量可區(qū)分為每個(gè)存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存一位的單層存儲(chǔ)單元(Single-Level Cell,簡(jiǎn)稱(chēng)SLC)閃存、每個(gè)存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存二位的多層存儲(chǔ)單元(Mult1-Level Cell，簡(jiǎn)稱(chēng)MLC)閃存、與每個(gè)存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存三位的三層存儲(chǔ)單元(Triple-Level Cell，簡(jiǎn)稱(chēng)TLC)閃存。
[0003]請(qǐng)參照?qǐng)D1，其所繪示為閃存內(nèi)部存儲(chǔ)單元排列示意圖。其中，每個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)包括一個(gè)浮動(dòng)?xùn)啪w管(floating gate transistor)。此存儲(chǔ)單元可為SLC、MLC、或者TLC。如圖所示，多個(gè)存儲(chǔ)單元串行連接成一行(column)，而閃存中包括多行。再者，每一列的字符線(word line)可控制每行中的一個(gè)存儲(chǔ)單元。
[0004]基本上，浮動(dòng)?xùn)啪w管中的浮動(dòng)?xùn)?floating gate)可以?xún)?chǔ)存熱載流子(hotcarrier),而根據(jù)熱載流子儲(chǔ)存量的多少可決定該浮動(dòng)?xùn)啪w管的臨界電壓(thresholdvoltage，簡(jiǎn)稱(chēng)Vth)。也就是說(shuō)，具有較高的臨界電壓的浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管需要較高的柵極電壓(gate voltage)來(lái)開(kāi)啟(turnon)浮動(dòng)?xùn)啪w管；反之，具有較低的臨界電壓的浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管則可以用較低的柵極電壓來(lái)開(kāi)啟浮動(dòng)?xùn)啪w管。
[0005]因此，于閃存的儲(chǔ)存周期(program cycle)時(shí),可控制注入浮動(dòng)?xùn)艠O的熱載流子量，進(jìn)而改變其臨界電壓。而在讀取周期(read cycle)時(shí)，閃存中的感測(cè)電路(sensingcircuit)即可根據(jù)浮動(dòng)?xùn)啪w管的臨界電壓來(lái)決定其儲(chǔ)存狀態(tài)。
[0006]理論上，為了能讓一個(gè)存儲(chǔ)單元具有不同的儲(chǔ)存狀態(tài)來(lái)表示不同的邏輯資料，一般會(huì)針對(duì)不同的儲(chǔ)存狀態(tài)預(yù)先設(shè)定對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證電壓(verifyvoltage,簡(jiǎn)稱(chēng)Vve)。
[0007]請(qǐng)參照?qǐng)D2，其所繪示為SLC閃存中的儲(chǔ)存狀態(tài)與臨界電壓關(guān)系示意圖。理論上，在SLC閃存中，一個(gè)存儲(chǔ)單元可以有兩種儲(chǔ)存狀態(tài)。因此，系統(tǒng)會(huì)預(yù)先設(shè)定驗(yàn)證電壓Vvea來(lái)定義兩種儲(chǔ)存狀態(tài)，例如狀態(tài)E及狀態(tài)A，用以分別代表邏輯資料I及O?；旧?，當(dāng)存儲(chǔ)單元未注入熱載流子時(shí)，可視為狀態(tài)E ;當(dāng)存儲(chǔ)單元注入熱載流子，使存儲(chǔ)單元的臨界電壓Vth高于驗(yàn)證電壓Vvea之后，即視為狀態(tài)A。再者,狀態(tài)A具有較高電平,狀態(tài)E具有較低電平。
[0008]實(shí)際上，于相同的儲(chǔ)存狀態(tài)下并非每個(gè)存儲(chǔ)單元的臨界電壓都會(huì)相同，而是會(huì)往驗(yàn)證電壓Vve的正方向偏移并呈現(xiàn)一臨界電壓分布，其分布具有一中位(median)臨界電壓。由圖2可知，大部分?jǐn)?shù)目的存儲(chǔ)單元在狀態(tài)E時(shí)的臨界電壓為中位臨界電壓Vthe，而少部份數(shù)目的存儲(chǔ)單元的臨界電壓則分布在中位臨界電壓Vthe的兩側(cè)；同理，大部分?jǐn)?shù)目的存儲(chǔ)單元在狀態(tài)A時(shí)的臨界電壓為中位臨界電壓VTHA，而少部份數(shù)目的存儲(chǔ)單元的臨界電壓則分布在中位臨界電壓Vtha的兩側(cè)。
[0009]根據(jù)以上的特性,于讀取周期時(shí)即可提供一切割電壓(slicingvoltage, Vs)至字符線，并根據(jù)每個(gè)存儲(chǔ)單元是否開(kāi)啟而得知其儲(chǔ)存狀態(tài)。由圖2可知，切割電壓Vs可以設(shè)定在兩個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)的臨界電壓分布之間。當(dāng)存儲(chǔ)單元可以開(kāi)啟時(shí)，其儲(chǔ)存狀態(tài)即為狀態(tài)E ;當(dāng)存儲(chǔ)單元無(wú)法開(kāi)啟時(shí)，其儲(chǔ)存狀態(tài)即為狀態(tài)A。
[0010]同理，請(qǐng)參照?qǐng)D3，其所繪示為MLC閃存中的儲(chǔ)存狀態(tài)與臨界電壓關(guān)系示意圖。在MLC閃存中，一個(gè)存儲(chǔ)單元可以有四種儲(chǔ)存狀態(tài)E、A、B及C，用以分別代表邏輯資料11、10、00及01。因此，系統(tǒng)會(huì)預(yù)先設(shè)定三個(gè)驗(yàn)證電壓VVEA、Vveb及Vvk來(lái)定義上述四種儲(chǔ)存狀態(tài)。在未注入熱載流子時(shí)，可視為狀態(tài)E，而隨著熱載流子注入存儲(chǔ)單元的數(shù)量漸增，使存儲(chǔ)單元的臨界電壓Vth依序高于驗(yàn)證電壓Vvea、Vveb及Vvec之后，其依序可得到狀態(tài)A、狀態(tài)B及狀態(tài)C。其中，狀態(tài)C具有最高電平，狀態(tài)B次之，狀態(tài)A具在次之，狀態(tài)E具有最低電平。
[0011]同樣地，于相同的儲(chǔ)存狀態(tài)下并非每個(gè)存儲(chǔ)單元的臨界電壓都會(huì)相同，每個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)的存儲(chǔ)單元還是會(huì)往驗(yàn)證電壓VVEA、Vveb與Vvk的正方向偏移并呈現(xiàn)一臨界電壓分布，其分布具有一中位臨界電壓。由圖3可知，狀態(tài)E時(shí)的中位臨界電壓為VTHE，狀態(tài)A時(shí)的中位臨界電壓為Vtha，狀態(tài)B時(shí)的中位臨界電壓為VTHB，狀態(tài)C時(shí)的中位臨界電壓為VTH。。
[0012]因此，于讀取周期時(shí)，可提供一第一切割電壓(Vsl)、第二切割電壓(Vs2)及第三切割電壓(Vs3)來(lái)偵測(cè)MLC閃存中的四個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)。每個(gè)切割電壓分別位在兩個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)的臨界電壓分布之間。
[0013]同理，TLC閃存也是以相同的方式來(lái)區(qū)別每個(gè)存儲(chǔ)單元中的儲(chǔ)存狀態(tài)。因此，不再贅述。
[0014]由上述的說(shuō)明可知，已知閃存制作完成出廠之后，所有的切割電壓已設(shè)定完成無(wú)法更改。然而，當(dāng)閃存經(jīng)過(guò)多次擦除之后，存儲(chǔ)單元的特性會(huì)逐漸劣化，此時(shí)存儲(chǔ)單元的臨界電壓偏移會(huì)更嚴(yán)重。如果持續(xù)利用固定值的切割電壓來(lái)區(qū)別存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)，將使得讀取周期時(shí)的資料錯(cuò)誤率(error rate)升高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]本發(fā)明有關(guān)于一種閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，該閃存中包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每一個(gè)存儲(chǔ)單元可被儲(chǔ)存為一第一儲(chǔ)存狀態(tài)、一第二儲(chǔ)存狀態(tài)、一第三儲(chǔ)存狀態(tài)、與一第四儲(chǔ)存狀態(tài)其中之一，且該第四儲(chǔ)存狀態(tài)具有一最低電平，該第三儲(chǔ)存狀態(tài)具有一最高電平，該狀態(tài)決定方法包括下列步驟:將多個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存中，其中，每一該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第一存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元，且該第一存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為該第一儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為該第三儲(chǔ)存狀態(tài)；將多個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存中，其中每一該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第二存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；而該第二存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為第二儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為該第四儲(chǔ)存狀態(tài)；調(diào)整一切割電平使一資料區(qū)別錯(cuò)誤率低于一默認(rèn)值；以及利用調(diào)整后的該切割電壓來(lái)區(qū)別該閃存中其他存儲(chǔ)單元的該第一儲(chǔ)存狀態(tài)與該第二儲(chǔ)存狀態(tài)。
[0016]本發(fā)明更提出一種閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)，包括:一資料打散器，用以接收一用戶(hù)資料并轉(zhuǎn)換為一打散的用戶(hù)資料；一 ECC編碼器，用以接收該打散的用戶(hù)資料，并據(jù)以產(chǎn)生一 ECC資料；一特定存儲(chǔ)單元圖樣插入器，用以產(chǎn)生多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣；一閃存，用以于儲(chǔ)存時(shí)將該打散的用戶(hù)資料、該ECC資料及該多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存，以及于讀取時(shí)，根據(jù)一切割電壓輸出該打散的用戶(hù)資料、該ECC資料及該多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣；一 ECC解碼器，用以根據(jù)該閃存輸出的該ECC資料產(chǎn)生一校正的打散的用戶(hù)資料；一解資料打散器，接收該校正的打散的用戶(hù)資料并轉(zhuǎn)換為該用戶(hù)資料；一特定存儲(chǔ)單元圖樣分析器，用以分析該閃存輸出的該多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣并產(chǎn)生一調(diào)整的切割電壓；以及一切割電壓提供單元，更新該切割電壓為該調(diào)整的切割電壓。
[0017]本發(fā)明另提出一種閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，該閃存中包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，該狀態(tài)決定方法包括下列步驟:將多個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存中，其中，每一該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第一存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元，且該第一存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為一第一儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為一第二儲(chǔ)存狀態(tài)；將多個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存中，其中每一該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第二存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；而該第二存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為一第三該第二儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為一第四儲(chǔ)存狀態(tài)；調(diào)整一切割電平，用以區(qū)別所述第一存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)及所述第二存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)，使一資料區(qū)別錯(cuò)誤率低于一默認(rèn)值；以及利用調(diào)整后的該切割電壓來(lái)區(qū)別該閃存中其他存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下，其中:
[0019]圖1所繪示為閃存內(nèi)部存儲(chǔ)單元排列示意圖。
[0020]圖2所繪示為SLC閃存中的儲(chǔ)存狀態(tài)與臨界電壓關(guān)系示意圖。
[0021]圖3所繪示為MLC閃存中的儲(chǔ)存狀態(tài)與臨界電壓關(guān)系示意圖。
[0022]圖4所繪示為MLC閃存中存儲(chǔ)單元劣化后的儲(chǔ)存狀態(tài)與臨界電壓關(guān)系示意圖。
[0023]圖5A至圖5E所繪示為存儲(chǔ)單元受到ICI的影響示意圖。
[0024]圖6A所繪示為本發(fā)明閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法。
[0025]圖6B與圖6C所繪示為臨界電壓分布示意圖。
[0026]圖7所繪示為I個(gè)8K byte頁(yè)的資料配置示意圖。
[0027]圖8所繪示為本發(fā)明的閃存儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)示意圖。
[0028]圖9A至圖9F為其他特定存儲(chǔ)單元圖樣范例。
【具體實(shí)施方式】
[0029]如圖4所示，當(dāng)閃存經(jīng)過(guò)多次擦除之后，存儲(chǔ)單元的特性會(huì)逐漸劣化，此時(shí)部份數(shù)目的存儲(chǔ)單元其臨界電壓偏移會(huì)更嚴(yán)重。以圖4的MLC閃存為例，少部份的存儲(chǔ)單元在狀態(tài)E時(shí)，由于存儲(chǔ)單元的特性劣化，其臨界電壓將會(huì)大于默認(rèn)的第一切割電壓(Vsl)，因而導(dǎo)致這些存儲(chǔ)單元會(huì)被判斷為狀態(tài)A，而使得閃存的資料錯(cuò)誤率升高。
[0030]當(dāng)然，圖4僅是一個(gè)簡(jiǎn)單的說(shuō)明范例，而其他儲(chǔ)存狀態(tài)下的存儲(chǔ)單元，也可能會(huì)有少數(shù)目的存儲(chǔ)單元的臨界電壓偏移較大而造成誤判。
[0031]本發(fā)明提供一種可調(diào)整的切割電壓來(lái)?yè)?jù)以決定存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)，以降低閃存的資料錯(cuò)誤率。以圖4為例，如果能夠?qū)⒛J(rèn)的第一切割電壓(Vsl)增加至調(diào)整的第一切割電壓(adjusted first slicing voltage, Vsl’)，則將可有效地降低資料的錯(cuò)誤率。以下將以MLC閃存為例來(lái)做說(shuō)明如何調(diào)整切割電壓。并且，本發(fā)明也可運(yùn)用于SLC與TLC閃存。
[0032]在閃存中，一個(gè)存儲(chǔ)單元周?chē)南噜彺鎯?chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)會(huì)影響此存儲(chǔ)單元的臨界電壓，此即為內(nèi)部存儲(chǔ)單元干擾(inter-eell interference,以下簡(jiǎn)稱(chēng)ICI)。ICI會(huì)影響中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓的偏移狀況，使相同儲(chǔ)存狀態(tài)的中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓呈現(xiàn)一臨界電壓分布。請(qǐng)參照?qǐng)D5A至圖5E，其所繪示為存儲(chǔ)單元受到ICI的影響示意圖。
[0033]如圖5A所示，由(nl)、n、與(n+1)字符線所組成3X3排列的存儲(chǔ)單元中，當(dāng)中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)A且其周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)皆為狀態(tài)E時(shí)，其中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓Vae會(huì)有最小的偏移或不會(huì)產(chǎn)生偏移。亦即，中央位置的存儲(chǔ)單元的臨界電壓會(huì)最靠近狀態(tài)A的驗(yàn)證電壓Vvea，如圖5E所示。
[0034]再者，如圖5B所示的3X3排列的存儲(chǔ)單元中，當(dāng)中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)A且其周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)皆為狀態(tài)A時(shí)，由于ICI的影響，其中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓Vaa會(huì)往正向偏移，如圖5E所示，其偏移量為Λνω。
[0035]再者，如圖5C所示的3X3排列的存儲(chǔ)單元中，當(dāng)中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)A且其周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)皆為狀態(tài)B時(shí)，由于ICI的影響，其中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓Vab會(huì)往正向偏移，如圖5Ε所示，其偏移量為M防。
[0036]再者，如圖所示的3X3排列的存儲(chǔ)單元中，當(dāng)中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)A且其周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)皆為狀態(tài)C時(shí)，由于ICI的影響，其中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓會(huì)往正向產(chǎn)生最大偏移，如圖5E所示，其偏移量為Mkc。其中，AVa。大于 AVab，且 AVab 大于 AVaaο
[0037]換句話說(shuō)，無(wú)論中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為何，當(dāng)周?chē)鎯?chǔ)單元被儲(chǔ)存(program)為最高電平(狀態(tài)C)時(shí)，將會(huì)使中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓往正向的偏移量最大。同理，當(dāng)周?chē)鎯?chǔ)單元為最低電平(狀態(tài)E)時(shí)，其中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓往正向的偏移量最小或不會(huì)產(chǎn)生偏移。
[0038]由上述的說(shuō)明可知，當(dāng)中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)A且其周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)E時(shí)，中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓往正向的偏移量最小或不會(huì)產(chǎn)生偏移。當(dāng)中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)A且其周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)C時(shí)，中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓往正向的偏移量最大。
[0039]同理，當(dāng)中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)B且其周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)E時(shí)，中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓往正向的偏移量最小或不會(huì)產(chǎn)生偏移。當(dāng)中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)B且其周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)C時(shí)，中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓往正向的偏移量最大。
[0040]同理，當(dāng)中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)C且其周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)E時(shí)，中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓往正向的偏移量最小或不會(huì)產(chǎn)生偏移。當(dāng)中央位置存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)C且其周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)為狀態(tài)C時(shí)，中央位置存儲(chǔ)單元的臨界電壓往正向的偏移量最大。
[0041]因此，根據(jù)以上的特性，本發(fā)明的提出一種閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法。此方法可以動(dòng)態(tài)的決定一切割電壓以區(qū)別存儲(chǔ)單元中的儲(chǔ)存狀態(tài)。
[0042]請(qǐng)參照?qǐng)D6A，其所繪示為本發(fā)明閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法。首先，將多個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣(specific cell pattern)儲(chǔ)存于閃存中(步驟S602);接著，將多個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于閃存中(步驟S604);接著，調(diào)整一切割電平使資料區(qū)別錯(cuò)誤率低于一默認(rèn)值(步驟S606);接著，利用調(diào)整后的該切割電壓來(lái)區(qū)別該閃存中其他存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)(步驟S608)。本發(fā)明的詳細(xì)實(shí)施例說(shuō)明如下:
[0043]假設(shè)閃存中，存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的電平由低至高依序?yàn)?第四儲(chǔ)存狀態(tài)、第一儲(chǔ)存狀態(tài)、第二儲(chǔ)存狀態(tài)、以及第三儲(chǔ)存狀態(tài)。所以第四儲(chǔ)存狀態(tài)具有最低電平而第三儲(chǔ)存狀態(tài)具有最聞電平。
[0044]如步驟S602所述，將多個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于閃存中。每一個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第一存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；而該第一存儲(chǔ)單元例如被儲(chǔ)存為第一儲(chǔ)存狀態(tài)，多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元例如被儲(chǔ)存為第三儲(chǔ)存狀態(tài)。
[0045]如步驟S604所述，將多個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于閃存中。每一個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第二存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；而該第二存儲(chǔ)單元例如被儲(chǔ)存為第二儲(chǔ)存狀態(tài)，多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元例如被儲(chǔ)存為第四儲(chǔ)存狀態(tài)。
[0046]當(dāng)步驟S602與步驟S604完成后，代表第一特定存儲(chǔ)單元圖樣中的第一存儲(chǔ)單元會(huì)受到ICI影響。以上述為例,第一存儲(chǔ)單兀的臨界電壓會(huì)往正方向偏移一第一偏移量。同理，第二特定存儲(chǔ)單元圖樣中的第二存儲(chǔ)單元會(huì)受到ICI影響。以上述為例，第二存儲(chǔ)單元的臨界電壓會(huì)往正方向偏移一第二偏移量，其中第一偏移量大于第二偏移量。
[0047]在本發(fā)明實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的電平低于第二存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的電平，且第一存儲(chǔ)單元的鄰近存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的電平高于第二存儲(chǔ)單元的鄰近存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的電平。如此可仿真第一存儲(chǔ)單元的臨界電壓與第二存儲(chǔ)單元的臨界電壓最接近的狀況，藉以調(diào)整切割電平以降低資料區(qū)別錯(cuò)誤率。在一較佳實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的電平及第二存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的電平可為相鄰的電平。
[0048]假設(shè)定義存儲(chǔ)單元為第一儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證電壓為Vvei，而定義存儲(chǔ)單元為第二儲(chǔ)存狀態(tài)的驗(yàn)證電壓為Vve2，且以在閃存中分別儲(chǔ)存四個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣以及四個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣為例。
[0049]在第一種狀況下，如圖6B所示，四個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣中的第一存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為第一儲(chǔ)存狀態(tài)，其四個(gè)臨界電壓即如*符號(hào)所示，由于其鄰近存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)具有較高電平，因此其四個(gè)臨界電壓會(huì)往驗(yàn)證電壓為Vvei的正方向偏移較大的偏移量，亦即位于第一儲(chǔ)存狀態(tài)的臨界電壓分布的右側(cè)。同理，四個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣中的第二存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為第二儲(chǔ)存狀態(tài)，其四個(gè)臨界電壓即如△符號(hào)所示，由于其鄰近存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)具有較低電平，因此其四個(gè)臨界電壓會(huì)往驗(yàn)證電壓為Vve2的正方向偏移較小的偏移量，亦即位于第二儲(chǔ)存狀態(tài)的臨界電壓分布的左側(cè)。
[0050]在圖6B的例子中，由于四個(gè)第一儲(chǔ)存狀態(tài)的臨界電壓及四個(gè)第二儲(chǔ)存狀態(tài)的臨界電壓并未成彼此交錯(cuò)，因此，如步驟S606所示，其可調(diào)整切割電壓(Vs)到成功區(qū)別第一特定存儲(chǔ)單元圖樣中的第一儲(chǔ)存狀態(tài)以及第二特定存儲(chǔ)單元圖樣中的第二狀態(tài)，亦即其資料區(qū)別錯(cuò)誤率為零。
[0051]當(dāng)然，在上述四個(gè)第一儲(chǔ)存狀態(tài)及四個(gè)第二儲(chǔ)存狀態(tài)中，也有可能發(fā)生部份第一儲(chǔ)存狀態(tài)的臨界電壓與第二儲(chǔ)存狀態(tài)的臨界電壓相互交錯(cuò)的狀況。如圖6C所示，在此狀況下，不論切割電壓(Vs)如何調(diào)整皆無(wú)法完全正確的區(qū)分出所有的第一儲(chǔ)存狀態(tài)以及第二儲(chǔ)存狀態(tài)。在此狀況下，如圖6C所示，系統(tǒng)可設(shè)定一默認(rèn)值，并調(diào)整到資料區(qū)別錯(cuò)誤率低于該默認(rèn)值時(shí)的切割電壓(Vs)(步驟S606)。在本實(shí)施例中，上述資料區(qū)別錯(cuò)誤率為區(qū)別上述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)及多個(gè)第二存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的錯(cuò)誤率。
[0052]如步驟S608所示，利用調(diào)整后的切割電壓(Vs)來(lái)區(qū)別閃存中其他存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)。也就是說(shuō)，閃存中的儲(chǔ)存用戶(hù)資料(user data)的存儲(chǔ)單元，即利用調(diào)整后的切割電壓來(lái)區(qū)別其儲(chǔ)存狀態(tài)。
[0053]上述的方法以MLC閃存來(lái)做說(shuō)明。當(dāng)然，也可以運(yùn)用于SLC、與TLC閃存中。
[0054]以SLC閃存為例，在上述的說(shuō)明中當(dāng)?shù)谒膬?chǔ)存狀等于第一儲(chǔ)存狀態(tài)、且第二儲(chǔ)存狀態(tài)等于第三儲(chǔ)存狀態(tài)時(shí)，即可運(yùn)用于SLC閃存。
[0055]眾所周知，閃存中包括許多區(qū)塊(block)，而每個(gè)區(qū)塊中又包括多個(gè)頁(yè)(page)。例如,一個(gè)區(qū)塊中有64頁(yè)，而每個(gè)頁(yè)的容量為8K bytes。再者，由于閃存的特性，每次資料儲(chǔ)存時(shí)是以頁(yè)為最小單位，而每次擦除(erase)時(shí)則是以區(qū)塊為單位進(jìn)行資料擦除。
[0056]因此，上述的發(fā)明可運(yùn)用在以頁(yè)為單位的儲(chǔ)存與讀取方法。請(qǐng)參照?qǐng)D7，其所繪示為I個(gè)8K byte頁(yè)的資料配置示意圖。實(shí)際上，在一個(gè)8K byte頁(yè)的資料配置中其包含有8K byte加上324byte的多余空間(spare area)，可規(guī)劃為4個(gè)框(Frame0-Frame3)，每個(gè)框包括2129Byte。
[0057]以第0框?yàn)槔?其規(guī)劃包含2K Byte的用戶(hù)資料(user date),而81Byte的多余空間(spare area)包括:72Byte的錯(cuò)誤校正資料(ECC資料)，2Byte的固件(firmware)資料，以及4byte的特定存儲(chǔ)單元圖樣。也就是說(shuō)，每次儲(chǔ)存一頁(yè)的資料時(shí)，也會(huì)有特定存儲(chǔ)單元圖樣被儲(chǔ)存于閃存中。
[0058]請(qǐng)參照?qǐng)D8，其所繪示為本發(fā)明的閃存儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)示意圖。當(dāng)欲將用戶(hù)資料儲(chǔ)存于閃存810中時(shí)，用戶(hù)資料會(huì)先經(jīng)由資料打散器(scrambler)802將用戶(hù)資料打散。接著，ECC編碼器(encoder) 804會(huì)根據(jù)打散后的用戶(hù)資料進(jìn)行ECC編碼并產(chǎn)生ECC資料。接著，特定存儲(chǔ)單元圖樣插入器806再增加多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣至上述資料中。之后，將打散的用戶(hù)資料、ECC資料、多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于閃存810中。
[0059]于讀取時(shí)，根據(jù)切割電壓(Vs)來(lái)產(chǎn)生打散的用戶(hù)資料、ECC資料、多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣。其中，打散的用戶(hù)資料與ECC資料經(jīng)由ECC解碼器(ECC decoder) 812、解資料打散器(De-scrambler) 814還原成用戶(hù)資料。
[0060]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，特定存儲(chǔ)單元圖樣分析器820可根據(jù)圖6A中步驟606的控制流程來(lái)分析多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣，并且產(chǎn)生新的調(diào)整的切割電壓并更新(update)于切割電壓提供單元822。
[0061]因此，如圖6A中步驟608的控制流程，調(diào)整的切割電壓即可用于產(chǎn)生閃存中的各種資料。
[0062]再者，本發(fā)明的特定存儲(chǔ)單元圖樣并不限定于利用相同儲(chǔ)存狀態(tài)的8個(gè)相鄰存儲(chǔ)單元來(lái)包圍I個(gè)中央位置存儲(chǔ)單元。如圖9A至圖9F的特定存儲(chǔ)單元圖樣范例，利用相同儲(chǔ)存狀態(tài)的4個(gè)相鄰存儲(chǔ)單元來(lái)包圍I個(gè)中央位置存儲(chǔ)單元。而X符號(hào)代表不需理睬(don’tcare)的儲(chǔ)存狀態(tài)。
[0063]由以上的說(shuō)明可知，本發(fā)明提出一種閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法及其相關(guān)系統(tǒng)，其可適當(dāng)?shù)卣{(diào)整切割電壓以更準(zhǔn)確的區(qū)分二個(gè)連續(xù)狀態(tài)，因此，可以有效地降低資料錯(cuò)誤率。[0064]綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，該閃存中包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每一個(gè)存儲(chǔ)單元可被儲(chǔ)存為一第一儲(chǔ)存狀態(tài)、一第二儲(chǔ)存狀態(tài)、一第三儲(chǔ)存狀態(tài)及一第四儲(chǔ)存狀態(tài)其中之一，且該第四儲(chǔ)存狀態(tài)具有一最低電平，該第三儲(chǔ)存狀態(tài)具有一最高電平，該狀態(tài)決定方法包括下列步驟: 將多個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存中，其中，每一該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第一存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元，且該第一存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為該第一儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為該第三儲(chǔ)存狀態(tài)； 將多個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存中，其中每一該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第二存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；而該第二存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為該第二儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為該第四儲(chǔ)存狀態(tài)； 調(diào)整一切割電平使一資料區(qū)別錯(cuò)誤率低于一默認(rèn)值；以及 利用調(diào)整后的該切割電壓來(lái)區(qū)別該閃存中其他存儲(chǔ)單元的該第一儲(chǔ)存狀態(tài)與該第二儲(chǔ)存狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，其中該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣與該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣皆包括一 3X3排列的存儲(chǔ)單元；其中，該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣中，一中央位置存儲(chǔ)單元為該第一存儲(chǔ)單元，該中央位置存儲(chǔ)單元周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元為該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；以及，該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣中，一中央位置存儲(chǔ)單元為該第二存儲(chǔ)單元,該中央位置存儲(chǔ)單元周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元為該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元。
3.如權(quán)利要求1所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，其中該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣與該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣皆包括一 3X3排列的存儲(chǔ)單元；其中，該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣中，一中央位置存儲(chǔ)單元為該第一存儲(chǔ)單元，該中央位置存儲(chǔ)單元上、下、左、右的4個(gè)存儲(chǔ)單元為該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；以及，該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣中，一中央位置存儲(chǔ)單元為該第二存儲(chǔ)單元，該中央位置存儲(chǔ)單元上、下、左、右的4個(gè)存儲(chǔ)單元為該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元。
4.如權(quán)利要求1所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，其中該閃存為一多層存儲(chǔ)單元閃存、或者一三層存儲(chǔ)單元閃存。
5.如權(quán)利要求1所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，其中該閃存為一單層存儲(chǔ)單元閃存，且該第四儲(chǔ)存狀等于該第一儲(chǔ)存狀態(tài)且該第二儲(chǔ)存狀態(tài)等于該第三儲(chǔ)存狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求1所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，其中該資料區(qū)別錯(cuò)誤率為區(qū)別所述第一存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)以及所述第二存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的錯(cuò)誤率。
7.—種閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)，包括: 一資料打散器，用以接收一用戶(hù)資料并轉(zhuǎn)換為一打散的用戶(hù)資料； 一 ECC編碼器，用以接收該打散的用戶(hù)資料，并據(jù)以產(chǎn)生一 ECC資料； 一特定存儲(chǔ)單元圖樣插入器，用以產(chǎn)生多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣； 一閃存，用以于儲(chǔ)存時(shí)將該打散的用戶(hù)資料、該ECC資料及該多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存，以及于讀取時(shí)，根據(jù)一切割電壓輸出該打散的用戶(hù)資料、該ECC資料及該多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣； 一 ECC解碼器，用以根據(jù)該閃存輸出的該ECC資料產(chǎn)生一校正的打散的用戶(hù)資料； 一解資料打散器，用以接收該校正的打散的用戶(hù)資料并轉(zhuǎn)換為該用戶(hù)資料； 一特定存儲(chǔ)單元圖樣分析器，用以分析該閃存輸出的該多個(gè)特定存儲(chǔ)單元圖樣并產(chǎn)生一調(diào)整的切割電壓；以及 一切割電壓提供單元，用以更新該切割電壓為該調(diào)整的切割電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)，其中所述特定存儲(chǔ)單元圖樣包括多個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣與多個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣。
9.如權(quán)利要求7所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)，其中，該閃內(nèi)存中包括多個(gè)存儲(chǔ)單兀，每一個(gè)存儲(chǔ)單?？杀粌?chǔ)存為一第一儲(chǔ)存狀態(tài)、一第二儲(chǔ)存狀態(tài)、一第三儲(chǔ)存狀態(tài)、與一第四儲(chǔ)存狀態(tài)其中之一，且該第四儲(chǔ)存狀態(tài)具有一最低電平，該第三儲(chǔ)存狀態(tài)具有一最高電平。
10.如權(quán)利要求9所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)，其中所述特定存儲(chǔ)單元圖樣包括多個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣與多個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣，且該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第一存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元，且該第一存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為該第一儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為該第三儲(chǔ)存狀態(tài)；以及，該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第二存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元，且該第二存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為第二儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為該第四儲(chǔ)存狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求10所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)，其中該特定存儲(chǔ)單元圖樣分析器產(chǎn)生該調(diào)整的切割電壓，使該調(diào)整的切割電壓的一資料區(qū)別錯(cuò)誤率低于一默認(rèn)值，其中該資料區(qū)別錯(cuò)誤率為區(qū)別所 述第一存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)以及所述第二存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的錯(cuò)誤率。
12.如權(quán)利要求10所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)，其中該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣與該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣皆包括一 3X3排列的存儲(chǔ)單元；其中，該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣中，一中央位置存儲(chǔ)單元為該第一存儲(chǔ)單元，該中央位置存儲(chǔ)單元周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元為該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；以及，該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣中，一中央位置存儲(chǔ)單元為該第二存儲(chǔ)單元,該中央位置存儲(chǔ)單元周?chē)?個(gè)存儲(chǔ)單元為該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元。
13.如權(quán)利要求10所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)，其中該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣與該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣皆包括一 3X3排列的存儲(chǔ)單元；其中，該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣中，一中央位置存儲(chǔ)單元為該第一存儲(chǔ)單元，該中央位置存儲(chǔ)單元上、下、左、右的4個(gè)存儲(chǔ)單元為該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；以及，該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣中，一中央位置存儲(chǔ)單元為該第二存儲(chǔ)單元，該中央位置存儲(chǔ)單元上、下、左、右的4個(gè)存儲(chǔ)單元為該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元。
14.如權(quán)利要求10所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)，其中該閃存為一多層存儲(chǔ)單元閃存、或者一三層存儲(chǔ)單元閃存。
15.如權(quán)利要求10所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定系統(tǒng)，其中該閃存為一單層存儲(chǔ)單元閃存，且該第四儲(chǔ)存狀等于該第一儲(chǔ)存狀態(tài)且該第二儲(chǔ)存狀態(tài)等于該第三儲(chǔ)存狀態(tài)。
16.一種閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，該閃存中包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，該狀態(tài)決定方法包括下列步驟: 將多個(gè)第一特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存中，其中每一該第一特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第一存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元，且該第一存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為一第一儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為一第二儲(chǔ)存狀態(tài)； 將多個(gè)第二特定存儲(chǔ)單元圖樣儲(chǔ)存于該閃存中，其中每一該第二特定存儲(chǔ)單元圖樣包括:一第二存儲(chǔ)單元以及多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元；而該第二存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為一第三儲(chǔ)存狀態(tài)，該多個(gè)鄰近存儲(chǔ)單元被儲(chǔ)存為一第四儲(chǔ)存狀態(tài)； 調(diào)整一切割電平，用以區(qū)別所述第一存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)及所述第二存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)，使一資料區(qū)別錯(cuò)誤率低于一默認(rèn)值；以及 利用調(diào)整后的該切割電壓來(lái)區(qū)別該閃存中其他存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)。
17.如權(quán)利要求16所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，其中該資料區(qū)別錯(cuò)誤率為區(qū)別所述第一存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)以及所述第二存儲(chǔ)單元的儲(chǔ)存狀態(tài)的錯(cuò)誤率。
18.如權(quán)利要求16所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，其中該第一儲(chǔ)存狀態(tài)的電平低于該第三儲(chǔ)存狀態(tài)的電平，且該第二儲(chǔ)存狀態(tài)的電平高于該第四儲(chǔ)存狀態(tài)的電平。
19.如權(quán)利要求18所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，其中該第二儲(chǔ)存狀態(tài)的電平等于該第三儲(chǔ)存狀態(tài)的電平，且該第四儲(chǔ)存狀態(tài)的電平等于該第一儲(chǔ)存狀態(tài)的電平。
20.如權(quán)利要求16所述的閃存的儲(chǔ)存狀態(tài)決定方法，其中該第一儲(chǔ)存狀態(tài)的電平與該第三儲(chǔ)存狀態(tài)的電平為相鄰的電平。
【文檔編號(hào)】G11C16/06GK103811074SQ201210462516
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月15日
【發(fā)明者】曾士家, 曾建富, 張錫嘉, 周彥宇 申請(qǐng)人:建興電子科技股份有限公司