專利名稱：光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法及光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法和光學(xué)信息記錄介質(zhì)。更詳細(xì)地，本發(fā)明涉及制造設(shè)置有多個信息信號層的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
近年來，在再現(xiàn)專用型DVD (DVD-ROM :數(shù)字通用光盤-只讀存儲器)、記錄型DVD等中存在廣泛的版權(quán)保護(hù)技木。作為ー種技術(shù)，在沒有 在光盤上記錄的狀態(tài)下在最內(nèi)周側(cè)區(qū)域(燒錄區(qū)BCA)內(nèi)，被稱為介質(zhì)ID的固有ニ進(jìn)制信息記錄在介質(zhì)上，使用該介質(zhì)ID對記錄的內(nèi)容數(shù)據(jù)進(jìn)行加密。此外，同樣在諸如藍(lán)光光盤(注冊商標(biāo))(BD)的高密度光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，提出了在BCA中以條形碼形式記錄作為ニ進(jìn)制信息的標(biāo)記(下面稱作BCA標(biāo)記)。通常，在制造光學(xué)信息記錄介質(zhì)之后，記錄BCA標(biāo)記。例如，在已順次執(zhí)行了基板的形成、信息信號膜的沉積以及中間層和覆蓋層的形成之后，執(zhí)行BCA標(biāo)記的記錄。在光學(xué)信息記錄介質(zhì)的初始狀態(tài)下，信息信號膜是未記錄狀態(tài)，并且通過僅在對應(yīng)于BCA標(biāo)記的必要部分上執(zhí)行激光照射而被設(shè)定為記錄狀態(tài)。這時，通常從作為沒有形成基板的信息信號膜ー側(cè)的表面?zhèn)日丈浼す?。在光學(xué)信息記錄介質(zhì)的樹脂基板中，因?yàn)橛捎跍囟茸兓榷鴮?dǎo)致基板中的濕氣分布不均勻以及存在水分含量高的地方膨脹，光學(xué)信息記錄介質(zhì)的翹曲發(fā)生。對于此，在日本未審查專利申請公開2003-3380842中公開了ー種技術(shù)，其中通過在基板的ー個主面上設(shè)置不透濕膜(防濕膜)來防止水分出入基板。

發(fā)明內(nèi)容
在光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，由于確保偏移特性，所以在基板的主面(沒有形成信息信號膜的一側(cè)的主面)上形成防濕膜。在BCA中形成防濕膜。因此，為了避免BCA標(biāo)記的記錄變得困難，在基板的一個主面上順次形成信息信號膜、中間膜、覆蓋膜等之后執(zhí)行BCA標(biāo)記的記錄，并且在那之后，在基板的另ー主面(沒有形成信息信號膜的一側(cè)的主面)上形成防濕膜。然而，在信息信號膜的沉積過程中，如果樹脂基板中的濕氣排放至用于沉積信息信號膜的真空濺射設(shè)備中，那么信息信號膜的記錄特性等低下。為了防止這種情況，優(yōu)選的是，在沉積信息信號膜之前對基板的主面形成防濕膜。然而，難以在沉積信息信號膜前執(zhí)行防濕膜的形成。這是因?yàn)椋捎诜罎衲ひ残纬稍贐CA中，所以當(dāng)在記錄BCA標(biāo)記前形成防濕膜吋，從基板的背面?zhèn)日丈涞挠糜贐CA標(biāo)記記錄激光的需要透過防濕膜，并且在記錄BCA標(biāo)記時對信息信號膜執(zhí)行記錄，結(jié)果，由于激光的透過不足而使得BCA標(biāo)記的記錄變得困難。另ー方面，如果在形成信息信號層之后執(zhí)行防濕膜的形成，那么如上所述，諸如信息信號膜的記錄特性的各種特性將低下。因此，期望提供ー種能夠提高記錄特性等的特性的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法和光學(xué)信息記錄介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式，ー種光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法包括形成具有第一主面和第二主面的基板；在基板的第一主面上形成第一信息信號層；在第一信息信號層上形成中間層；在中間層上形成第二信息信號層；從基板的第二主面?zhèn)日丈涔馇以诘谝粎^(qū)域和第二區(qū)域中的第一區(qū)域上記錄識別信息；以及在記錄識別信息前，在除記錄識別信息的第一區(qū)域以外的第二區(qū)域中對第二主面形成阻擋層。根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式，ー種光學(xué)信息記錄介質(zhì)設(shè)置有具有第一主面和第二主面的基板；形成在基板的第一主面上且記錄識別信息的一個或多個信息信號層；以及形成在第二主面上的阻擋層，其中在除記錄識別信息的第一區(qū)域以外的第二區(qū)域中形成阻擋層。在本發(fā)明的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，在除記錄識別信息的第一區(qū)域以外的第二區(qū)域中形成阻擋層。由于此，可以在記錄識別信息前形成阻擋層，并且可以提高諸如 記錄特性的特性。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠提高諸如記錄特性的特性。


圖IA和圖IB是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的構(gòu)成示例的截面圖；圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的構(gòu)成的平面圖；圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的形成在基板的背面上的阻擋層的沉積區(qū)的平面圖；圖4是用于描述光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造過程的第一示例的流程圖；圖5是示出了外周掩模和內(nèi)周掩模的布置示例的外形圖；圖6是用于描述光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造過程的第二示例的流程圖；圖7是將關(guān)于記錄靈敏度劣化率的測量結(jié)果匯聚一起的示圖；圖8A和圖8B是示出了實(shí)施例I的突變特性的測量結(jié)果的曲線圖；圖9A和圖9B是示出了比較例I的突變特性的測量結(jié)果的曲線圖；以及圖IOA和圖IOB是示出了比較例7的突變特性的測量結(jié)果的曲線圖。
具體實(shí)施例方式下面，將參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。這里，將以以下的順序進(jìn)行描述I.第一實(shí)施方式(光學(xué)信息記錄介質(zhì))2.其它實(shí)施方式(變形例)I.第一實(shí)施方式[光學(xué)信息記錄介質(zhì)的構(gòu)造]圖IA和圖IB示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的構(gòu)成示例。光學(xué)信息記錄介質(zhì)是例如可記錄型光學(xué)信息記錄介質(zhì)，并且設(shè)置有順次層疊在基板I的一個主面上的第一信息信號層2 (L0層)、第一中間層3、第二信息信號層4 (LI層)、第二中間層5、第三信息信號層6 (L2)、第三中間層7、第四信息信號層8 (L3層)以及覆蓋層9 ;以及層疊在基板I的另ー主面上的阻擋層51，如圖IA所示。這里，在與第一信息信號層2、第一中間層3、第二信息信號層4、第二中間層5、第三信息信號層6、第三中間層7、第四信息信號層8以及覆蓋層9順次層疊在的基板的ー個主面相對的ー側(cè)的另一主面被適宜地稱作為背面。圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的平面圖。導(dǎo)入?yún)^(qū)12設(shè)置在光學(xué)信息記錄介質(zhì)的內(nèi)周部分，并且數(shù) 據(jù)記錄區(qū)13設(shè)置在導(dǎo)入?yún)^(qū)12的外周側(cè)。此夕卜，作為識別信息記錄區(qū)的BCA(燒錄區(qū))14設(shè)置在導(dǎo)入?yún)^(qū)12中。BCA 14通常設(shè)置在半徑r為21. Omm 22. Omm的圓環(huán)狀區(qū)域中。這里，半徑r是距離基板I的主面的中心的半徑。BCA 14是設(shè)定用于在制造光學(xué)信息記錄介質(zhì)時記錄識別信息并且通常設(shè)定在光學(xué)記錄介質(zhì)的最內(nèi)周側(cè)的圓環(huán)狀區(qū)域。識別信息是各介質(zhì)固有的信息，并且例如用于防止欺詐性拷貝等。例如，條形碼形式的BCA標(biāo)記記錄在BCA 14中的第一信息信號層2中。盡管稍后將描述細(xì)節(jié)，但是在形成基板I之后在基板I的一個主面上順次形成第一信息信號層2、第一中間層3、第二信息信號層4、第二中間層5、第三信息信號層6、第三中間層7、第四信息信號層8以及覆蓋層9后，通過從基板I的背面?zhèn)日丈浼す鈦韺Φ谝恍畔⑿盘枌?執(zhí)行BCA標(biāo)記的記錄。通常在形成基板I之后且在形成第一信息信號層2之前或在形成第一信息信號層2之后且在形成第一中間層3之前執(zhí)行形成在基板I的背面上的阻擋層51的形成。數(shù)據(jù)記錄區(qū)13是用于使用者記錄必要數(shù)據(jù)的區(qū)域。數(shù)據(jù)記錄區(qū)13通常設(shè)置在半徑r為23. 2mm 58. 5mm的地方。例如，在數(shù)據(jù)記錄區(qū)13中形成正弦波擺動凹槽。軌距(track pitch)通常是320nm，這是因?yàn)橛捎陂g距縮短而可以獲得能夠進(jìn)行更長時間的記錄和再現(xiàn)的高容量。這里，實(shí)際的數(shù)據(jù)記錄通常在大于24. Omm的半徑r的外周側(cè)。導(dǎo)入?yún)^(qū)12是例如用于記錄諸如識別信息(ID)、加密密鑰以及復(fù)合密鑰的信息的區(qū)域，并且該信息在制造光學(xué)信息記錄介質(zhì)時被記錄。導(dǎo)入?yún)^(qū)12被進(jìn)ー步分為PIC (永久信息&控制數(shù)據(jù))區(qū)、OPC(最佳功率控制)區(qū)以及INFO區(qū)。PIC區(qū)是再現(xiàn)專用區(qū)，并且例如設(shè)置在半徑r為22. 4mm 23. 197mm的地方。例如，在PCI區(qū)中，由矩形擺動凹槽的排列形成的凹槽軌道以350nm軌距形成。從矩形擺動凹槽的排列再現(xiàn)信息。在光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，通過從覆蓋層9側(cè)對第一信息信號層2、第二信息信號層4、第三信息信號層6或第四信息信號層8照射激光來執(zhí)行信息信號的記錄和再現(xiàn)。例如，通過從覆蓋層9側(cè)對第一信息信號層2、第二信息信號層4、第三信息信號層6或第四信息信號層8照射被具有O. 84 O. 86數(shù)值孔徑的物鏡會聚的波長為400nm 410nm的激光來執(zhí)行信息信號的記錄和再現(xiàn)。對于諸如這種的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，存在諸如BD-R的可記錄型光學(xué)信息記錄介質(zhì)。下面，將順次地描述構(gòu)成光學(xué)信息記錄介質(zhì)的基板I、第一信息信號層2、第一中間層3、第二信息信號層4、第二中間層5、第三信息信號層6、第三中間層7、第四信息信號層8、覆蓋層9以及阻擋層51。(基板)基板I具有在中心形成開ロ(下面稱作中心孔)的圓環(huán)狀?；錓的一個主面具有例如凹凸面，并且第一信息信號層2沉積在凹凸面上。下面，在凹凸面中，凹部被稱作凹槽內(nèi)(in groove)Gin以及凸部被稱作凹槽上(on groove)Gon。對于凹槽內(nèi)Gin和凹槽上Gon的形狀，例如存在諸如螺旋狀或同心圓狀的各種形狀。此外，凹槽內(nèi)Gin和/或凹槽上Gon是例如用于添加地址信息的擺動(蜿蜒)。將基板I的直徑選擇為例如120mm。考慮硬度來選擇基板I的厚度，優(yōu)選地在O. 3mm以上 I. 3mm以下的范圍內(nèi)選擇，更優(yōu)選地在O. 6mm以上 I. 3mm以下的范圍內(nèi)選擇，例如選擇I. 1mm。此外，中心孔的直徑被選擇為例如15mm?；錓包括具有吸水特性的塑料樹脂材料作為主要組分。對于基板I的材料，例如可以使用諸如聚碳酸酯系列樹脂或丙烯酸樹脂的樹脂材料。(信息信號層) 圖IB是示出圖IA中示出的各個信息信號層的ー個構(gòu)成示例的模型圖。如圖IB所示，第一信息信號層2至第四信息信號層8設(shè)置有例如無機(jī)記錄層61、被設(shè)置為與無機(jī)記錄層61的ー個主面相鄰的第一保護(hù)層62以及被設(shè)置為與無機(jī)記錄層61的另ー個主面相鄰的第二保護(hù)層63。通過具有這種構(gòu)成，可以提高無機(jī)記錄層61的耐用性。第一信息信號層2至第四信息信號層8中的至少ー個層中的無機(jī)記錄層61包括W氧化物、Pd氧化物以及Cu氧化物的三元氧化物作為主要成分。由于此，可以滿足對于光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信息信號層所必需的特性且實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的透過特性。這里，作為對于光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信息信號層所必需的特性，有良好的信號特性、高的記錄功率裕度、高的再現(xiàn)持久性、記錄后透過率變化的抑制等。優(yōu)選的是，第一信息信號層2至第四信息信號層8中的至少ー個層中的無機(jī)記錄層61包括上述三元氧化物進(jìn)ー步添加有Zn氧化物的四元基氧化物作為主要成分。由于此，可以滿足對于光學(xué)信息記錄介質(zhì)所必需的特性，實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的透過特性，并且減少W氧化物、Pd氧化物以及Cu氧化物的含量。通過減少W氧化物、Pd氧化物以及Cu氧化物的含量，特別是Pd氧化物的含量，可以降低光學(xué)信息記錄介質(zhì)的成本。對于第一保護(hù)層62和第二保護(hù)層63，優(yōu)選的是使用電介質(zhì)層或透明導(dǎo)電層，并且可以使用電介質(zhì)層作為第一保護(hù)層62和第二保護(hù)層63中的一個以及透明導(dǎo)電層作為另ー個?？梢酝ㄟ^電介質(zhì)層或透明導(dǎo)電層作為氧化物阻擋層來提高無機(jī)記錄層61的耐用性。此夕卜，通過抑制無機(jī)記錄層61的氧的逃逸，可以抑制記錄膜的膜質(zhì)的變化(主要檢測為反射率降低)，并且可以確保對于無機(jī)記錄層61必要的膜質(zhì)。此外，可以通過設(shè)置電介質(zhì)層或透明導(dǎo)電層來提高記錄特性。這樣考慮是因?yàn)橥ㄟ^使入射到電介質(zhì)層或透明導(dǎo)電層上的激光的熱擴(kuò)散最優(yōu)化以及抑制由于記錄部分中的氣泡變得太大或Pd氧化物分解的超前進(jìn)行導(dǎo)致的氣泡破裂進(jìn)行記錄時，可以優(yōu)化氣泡的形成。對于第一保護(hù)層62和第二保護(hù)層63的材料，例如有氧化物、氮化物、硫化物、碳化物以及氟化物或其組合。對于第一保護(hù)層62和第二保護(hù)層63的材料，可以使用彼此不同或彼此相同的材料。對于氧化物，例如有選自于由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi以及Mg組成的組中的ー種或多種元素的氧化物。對于氮化物，例如有選自于由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、W、Ta以及Zn組成的組中的ー種或多種元素的氮化物，更優(yōu)選的是選自由Si、Ge以及Ti組成的組中的ー種或多種元素的氮化物。對于硫化物，例如有Zn硫化物。對于碳化物，例如有選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta以及W組成的組中的ー種或多種元素的碳化物，更優(yōu)選的是選自由Si、Ti以及W組成的組中的ー種或多種元素的碳化物。對于氟化物，例如有選自于由Si、Al、Mg、Ca以及La組成的組中的ー種或多種元素的氟化物。對于其組合，例如有ZnS-Si02、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2-Cr2O3-ZrO2 (SCZ)、In2O3-SnO2 (ITO)、In2O3-CeO2 (ICO)、In2O3-Ga2O3 (IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2 等。(中間層對于第一中間層3、第二中間層5以及第三中間層7的材料，例如可以使用具有透明特性的樹脂材料。對于諸如這種的樹脂材料，例如可以使用諸如聚碳酸酯系列樹脂、聚烯烴系列樹脂、丙烯酸樹脂等的塑料材料。第一中間層3至第三中間層7在覆蓋層9側(cè)的表面是以與基板I相同的方式由凹槽內(nèi)Gin和凹槽上Gon組成的凹凸面。(覆蓋層)作為保護(hù)層的覆蓋層9是例如硬化諸如紫外線硬化樹脂的感光性樹脂所在的樹脂層。對于樹脂層的材料，例如有紫外線硬化型丙烯酸樹脂。此外，覆蓋層可以由圓環(huán)狀的光透過性片和用于向基板I粘合光透過性片的粘合層構(gòu)成。優(yōu)選的是，光透過性片由對用于進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的激光具有低吸收能力的材料形成，具體地，優(yōu)選由具有90 %以上透過率的材料形成。對于光透過性片的材料，例如有聚碳酸酯系列樹脂材料和聚烯烴樹脂(例如,Zeonex (注冊■商標(biāo)))。光透過性片的厚度優(yōu)選地選擇為O. 3mm以下,更優(yōu)選地在3 μ m 177μπι的范圍內(nèi)選擇。粘合層由例如紫外線硬化樹脂或壓敏粘合劑(PSA)形成。覆蓋層9的厚度優(yōu)選地在10 μ m 177 μ m的范圍內(nèi)選擇，例如選擇100 μ m。通過將如此薄的覆蓋層9與例如具有約O. 85的高數(shù)值孔徑的物鏡組合，可以實(shí)現(xiàn)高密度記錄。(硬涂層)可以在覆蓋層9上形成硬涂層。硬涂層用于對光照射面施加抗劃性等。對于硬涂層的材料，例如可以使用丙烯酸樹脂、硅樹脂、氟樹脂、有機(jī)-無機(jī)混合樹脂等。(阻擋層)阻擋層51抑制在沉積過程中從基板I的背面排放氣體(濕氣的釋放)。此外，阻擋層51還具有用于抑制在基板I背面吸收濕氣的防濕層的功能。構(gòu)成阻擋層51的材料不被特定地限制，只要能夠抑制從基板I的背面排放氣體(濕氣的釋放)即可，但是如果舉例說明，可以使用具有低的氣體透過性的電介質(zhì)。對于諸如這種的電介質(zhì)，例如可以使用SiN、Si02、TiN、AlN以及ZnS-SiO2中的至少ー種。優(yōu)選的是，阻擋層51的濕氣透過率為5X 10_5g/cm2 天以下。優(yōu)選的是，阻擋層51的厚度設(shè)定為5nm以上且40nm以下。在小于5nm時,存在抑制從基板的背面排放氣體的阻擋功能減弱的趨勢。另ー方面，在大于40nm時,抑制氣體排放的阻擋功能在等于或小于該厚度的情況下沒有顯著變化，但存在生產(chǎn)率降低的趨勢。圖3是示出了形成在基板I的背面上的阻擋層51的沉積區(qū)的平面圖。如上所述，在基板I的中心部形成中心孔。在基板I的背面中，從基板I的內(nèi)周到基板I的外周設(shè)置有位于內(nèi)周側(cè)的基板暴露區(qū)R1、阻擋層51的沉積區(qū)R2以及位于外周側(cè)的基板暴露區(qū)R3。利用在稍后將描述的阻擋層51的沉積過程中分別覆蓋基板I的內(nèi)周部分和外周部分的內(nèi)周掩模和外周掩模，來調(diào)整阻擋層51的沉積區(qū)R2。通過利用內(nèi)周掩模和外周掩模覆蓋基板I的內(nèi)周部分和外周部分，在不形成阻擋層51的情況下，形成了使基板I暴露的位于內(nèi)周側(cè)的基板暴露區(qū)R1和位于外周側(cè)的基板暴露區(qū)R3。
在基板I背面上除BCA 14的區(qū)域中形成阻擋層51。即，為了提高信息信號層的記錄特性等，例如在沉積第一信息信號層2之后且在諸如沉積第二信息信號層4等的記錄BCA標(biāo)記之前，執(zhí)行對基板I的背面形成阻擋層51。因此，當(dāng)在基板I的背面上的BCA 14中形成阻擋層51時，必要的是，在記錄BCA標(biāo)記時，用于記錄BCA標(biāo)記的激光通過透過阻擋層51而對第一信息信號層2執(zhí)行記錄，結(jié)果，由于激光的透過不足等，使得BCA標(biāo)記的記錄變得困難。為了避免這種情況，在基板I背面上BCA 14除外的區(qū)域中形成阻擋層51。具體地，從阻擋層51的沉積區(qū)R2中排除BCA 14。即，具有圓環(huán)狀阻擋層51的沉積區(qū)R2設(shè)置在BCA 14的外側(cè)，而圓環(huán)狀的基板暴露區(qū)R3設(shè)置在更外側(cè)。這里，即使沒有設(shè)定基板暴露區(qū)R3，也足以。如上所述，由于BCA 14通常形成在半徑r為21mm以上且22mm以下的圓環(huán)狀區(qū)域中，所以圓環(huán)狀的沉積區(qū)R2的內(nèi)周側(cè)的開始位置通常在r > 22_的位置。此外，當(dāng)考慮能夠獲得良好的突變特性這點(diǎn)時，沉積區(qū)R2的內(nèi)周側(cè)的開始位置優(yōu)選在22mm < r < 25mm的 位置處。(光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法)接下來，將描述具有上述構(gòu)造的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法的第一示例和第二示例。首先，將在參照圖4的流程圖的同時描述光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法的第一示例。(第一示例)首先，在步驟SI中，例如通過諸如注塑成型設(shè)備的成型設(shè)備形成基板I。接著，將形成的基板I從成型設(shè)備轉(zhuǎn)入至LO層沉積設(shè)備。接下來，在步驟S2中，在LO層沉積設(shè)備中形成第一信息信號層2 (L0層)。優(yōu)選的是，LO層沉積設(shè)備是單晶片沉積設(shè)備。這是因?yàn)槔脝尉练e設(shè)備的各個真空室能夠在不破壞真空的條件下使構(gòu)成第一信息信號層2的各層(例如，第一保護(hù)層62、無機(jī)記錄層61以及第二保護(hù)層63)連續(xù)地順次層疊在基板I上。對于單晶片沉積設(shè)備，例如可以利用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術(shù)的應(yīng)用。對于濺射法，可以使用例如射頻(RF)濺射法或直流(DC)濺射法，但是直流濺射法特別是優(yōu)選的。這是因?yàn)?，由干與射頻濺射法相比，直流濺射法的沉積速率較高，所以可以提高生產(chǎn)率。接著，將形成有第一信息信號層2的基板I從LO層沉積設(shè)備轉(zhuǎn)入至阻擋層沉積設(shè)備。接下來，在步驟S3中，如圖5所示，在阻擋層沉積設(shè)備中，基板I的背面的外周部分和內(nèi)周部分分別被外周掩模31和內(nèi)周掩模32覆蓋，并且在基板I的背面上形成阻擋層51。此時，在參照圖3描述的預(yù)定區(qū)域中形成阻擋層51。對于阻擋層沉積設(shè)備，例如可以使用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術(shù)的應(yīng)用。這里，LO層沉積設(shè)備和阻擋層沉積設(shè)備可以是一體的，并且可以在ー個沉積設(shè)備中連續(xù)地沉積第一信息信號層2和阻擋層51。接著，將形成有阻擋層51的基板I從阻擋層沉積設(shè)備轉(zhuǎn)入至中間層形成設(shè)備。接下來，在步驟S4中，在中間層形成設(shè)備中，利用例如旋涂法將紫外線硬化樹脂均勻地涂布在第一信息信號層2上。之后，對均勻涂布在第一信息信號層2上的紫外線硬化樹脂按壓壓模(stamper)的凹凸圖案，并且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之后分離壓摸。由于此，壓模的凹凸圖案被轉(zhuǎn)印至紫外線硬化樹脂，并且形成設(shè)置有例如凹槽內(nèi)Gin和凹槽上Gon的第一中間層3。接下來，將形成有第一中間層3的基板I從中間層形成設(shè)備轉(zhuǎn)入至LI層沉積設(shè)備。
接下來，在LI層沉積設(shè)備中，在中間層3上形成第二信息信號層4(LI層)。優(yōu)選的是，LI層沉積設(shè)備是單晶片沉積設(shè)備。這是因?yàn)槔贸练e設(shè)備的各個真空室能夠在不破壞真空的情況下將構(gòu)成第二信息信號層4的各層連續(xù)地順次層疊在中間層3上。對于單晶片沉積設(shè)備，例如可以利用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術(shù)的應(yīng)用。接下來，在步驟S5中，在中間層形成設(shè)備中，利用例如旋涂法將紫外線硬化樹脂均勻地涂布在第二信息信號層4上。之后，對均勻地涂布在第二信息信號層4上的紫外線硬化樹脂按壓壓模的凹凸圖案，并且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之后分離壓摸。由于此，壓模的凹凸圖案被轉(zhuǎn)印至紫外線硬化樹脂，并且形成設(shè)置有例如凹槽內(nèi)Gin和凹槽上Gon的第二中間層5。接下來，將形成有第二中間層5的基板I從中間層形成設(shè)備轉(zhuǎn)入至L2層沉積設(shè)備。接下來，在L2層沉積設(shè)備中，在第二中間層5上形成第三信息信號層6 (L2層)。優(yōu)選的是，L2層沉積設(shè)備是單晶片沉積設(shè)備。這是因?yàn)槔贸练e設(shè)備的各個真空室能夠在不破壞真空的情況下將構(gòu)成第三信息信號層6的各層連續(xù)地順次層疊在第二中間層5上。對于單晶片沉積設(shè)備，例如可以使用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術(shù)的應(yīng)用。接下來，在步驟S6中，在中間層形成設(shè)備中，利用例如旋涂法將紫外線硬化樹脂均勻地涂布在第三信息信號層6上。之后，對均勻涂布在第三信息信號層6上的紫外線硬化樹脂按壓壓模的凹凸圖案，并且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之后分離壓摸。由于此，壓模的凹凸圖案被轉(zhuǎn)印至紫外線硬化樹脂，并且形成設(shè)置有例如凹槽內(nèi)Gin和凹槽上Gon的第三中間層7。接下來，將形成有第三中間層7的基板I從中間層形成設(shè)備轉(zhuǎn)入至L3層沉積設(shè)備。接著，在L3層沉積設(shè)備中，在第三中間層7上形成第四信息信號層8 (L3層)。優(yōu)選的是，L3層沉積設(shè)備是單晶片沉積設(shè)備。這是因?yàn)槔贸练e設(shè)備的各個真空室能夠在不破壞真空的情況下將構(gòu)成第四信息信號層8的各層連續(xù)地順次層疊在第三中間層7上。對于單晶片沉積設(shè)備，例如可以使用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術(shù)的應(yīng)用。接下來，將形成有L3層的基板I從L3層沉積設(shè)備轉(zhuǎn)入至覆蓋層形成設(shè)備。接下來，在步驟S7中，在覆蓋層形成設(shè)備中，將作為保護(hù)層的覆蓋層9形成在第四信息信號層8上。對于覆蓋層形成設(shè)備，可以使用這樣的設(shè)備，即，通過例如旋涂在第四信息信號層8上的諸如紫外線硬化樹脂的感光性樹脂以及照射在感光性樹脂上的諸如紫外線的光來形成覆蓋層9。此外，可以使用通過利用粘合劑將光透過性片粘合在基板I的凹凸面?zhèn)壬蟻硇纬筛采w層9的設(shè)備。具體地，例如可以使用通過利用涂布在第四信息信號層8的諸如紫外線硬化樹脂的感光性樹脂將光透過性片粘合至基板I的凹凸面?zhèn)葋硇纬筛采w層9的設(shè)備。此外，可以使用通過利用預(yù)先均勻地涂布在片的主面上的壓敏粘合劑(PSA)將光透過片粘合至基板I的凹凸面?zhèn)葋硇纬筛采w層9的設(shè)備。之后，在步驟S8中，執(zhí)行BCA標(biāo)記的記錄。下面，將描述BCA標(biāo)記的記錄過程。首 先，將直至形成有覆蓋層9的光學(xué)信息記錄介質(zhì)載置在轉(zhuǎn)盤上，以使得基板I的ー側(cè)(基板I的背面?zhèn)?與光學(xué)拾取器相対。接著，以通過電機(jī)驅(qū)動的預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)光學(xué)信息記錄介質(zhì)。然后，在移動光學(xué)拾取器直到設(shè)置在光學(xué)信息記錄介質(zhì)的內(nèi)周部分的BCA 14之后，驅(qū)動光學(xué)拾取器，并且例如根據(jù)識別信息從基板I側(cè)照射被調(diào)制為脈沖形式的激光。由于此，在第一信息信號層2的照射有激光的部分中，層疊在基板I上的構(gòu)成第一信息信號層2的各層被熔融并被去除。結(jié)果，例如以硬涂覆形式形成對應(yīng)于識別信息的標(biāo)記(BCA標(biāo)記)，并且將識別信息記錄在BCA 14中。這里，優(yōu)選的是，激光是近紅外光或紅外光，以及例如是具有SOOnm波長的激光。此外，優(yōu)選的是，激光照射期間，光學(xué)頭掃描速度為5m/s 9m/s，并且激光功率在3400mW 4000mW的范圍內(nèi)。在這個范圍內(nèi)，可以抑制記錄標(biāo)記邊緣部分中反射率的突然増加。因此，能夠減弱識別信息的再現(xiàn)信號中的噪聲。由于上面的處理，可以獲得圖I所示的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(第二示例)將在參照圖6的流程的同時描述光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法的第二示例。首先，在步驟Sll中，例如通過諸如注塑成型設(shè)備的成型設(shè)備形成基板I。接下來，在步驟S12中，如圖5所示，在阻擋層沉積設(shè)備中，基板I的背面上的外周部分和內(nèi)周部分分別被外周掩模31和內(nèi)周掩模32覆蓋，并且在基板I的背面上形成阻擋層51。這時，在參照圖3描述的預(yù)定區(qū)域中形成阻擋層51。接著，將形成有阻擋層51的基板I從阻擋層沉積設(shè)備轉(zhuǎn)入至LO層沉積設(shè)備。這里，阻擋層沉積設(shè)備和LO層沉積設(shè)備可以是一體的，并且可以在ー個沉積設(shè)備中連續(xù)地沉積阻擋層51和第一信息信號層2。接下來，在步驟S13中，在LO層沉積設(shè)備中形成第一信息信號層2 (L0層)。優(yōu)選的是，LO層沉積設(shè)備是單晶片沉積設(shè)備。這是因?yàn)槔脝尉练e設(shè)備的各個真空室能夠在不破壞真空的情況下將構(gòu)成第一信息信號層2的各層連續(xù)地順次層疊在基板I上。對于單晶片沉積設(shè)備，例如可以使用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術(shù)的應(yīng)用。接著，將形成有第一信息信號層2的基板I從LO層沉積設(shè)備轉(zhuǎn)入至中間層形成設(shè)備。接下來，在步驟S14中，以與第一示例的步驟S4相同的方式執(zhí)行第一中間層3的形成和第二信息信號層4(LI層)的沉積，以及在步驟S15中，以與第一示例的步驟S5相同的方式執(zhí)行第二中間層5的形成和第三信息信號層6 (L2層)的沉積。接著，在步驟S16中，以與第一示例的步驟S6相同的方式執(zhí)行第三中間層7的形成和第四信息信號層8 (L3層)的沉積。接下來，在步驟S17中，以與第一示例的步驟S7相同的方式執(zhí)行覆蓋層9的形成。最后,在步驟S18中，以與第一示例的步驟S8相同的方式執(zhí)行BCA標(biāo)記的記錄。由于上面的處理，可以獲得圖I中示出的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(實(shí)施例)下面，將利用實(shí)施例以具體方式描述本發(fā)明，但是本發(fā)明并不僅限于這些實(shí)施例。下面，鎢氧化物、鈀氧化物、銅氧化物以及鋅氧化物的4種金屬氧化物的混合物稱作“WZCP0”。(實(shí)施例I)首先，利用注塑成型設(shè)備形成具有120mm直徑Φ和I. Ilmm厚度的聚碳酸酯基板。接著，將形成的基板從注塑成型設(shè)備轉(zhuǎn)入至第一單晶片濺射設(shè)備。接著，利用磁控濺射法在基板表面上順次層疊具有以下成分和膜厚度的第一信息信號層(L0層)。從而,在基板表面上形成第一信息信號層(L0層)。第一信息信號層(L0層)、
第二 保護(hù)層材料ITO厚度8nm無機(jī)記錄膜層材料WZCP0厚度32nm第一保護(hù)層材料ITO厚度8nm接下來，將形成有第一信息信號層的基板從第一單晶片濺射設(shè)備轉(zhuǎn)入至阻擋層形成濺射設(shè)備。接著，在基板背面上的內(nèi)周部分和外周部分分別被具有46mm內(nèi)直徑的內(nèi)周掩模和具有115mm外直徑的外周掩模覆蓋后，利用磁控濺射法在基板的背面上形成由Tin形成的厚度為IOnm的阻擋層。由于此，圓環(huán)狀的阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在23mm半徑的位置處。接下來，將基板從阻擋層形成設(shè)備轉(zhuǎn)入至中間層形成設(shè)備，并且利用旋涂法在第一信息信號層上均勻地涂布紫外線硬化樹脂(索尼化學(xué)和信息設(shè)備公司制造的產(chǎn)品名為SK520)。之后，對均勻涂布在第一信息信號層上的紫外線硬化樹脂按壓壓模的凹凸圖案，并且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之后分離壓摸。由于此，形成具有15. 5μπι厚度的第一中間層。接下來，將基板從中間層形成設(shè)備轉(zhuǎn)入至第二單晶片濺射設(shè)備。接著，利用磁控濺射法在中間層上順次層疊具有以下組成和膜厚度的第二信息信號層(LI層)。從而，在第一中間層上形成第二信息信號層。第二信息信號層(LI層)第二保護(hù)層材料ITO厚度8nm無機(jī)記錄膜層材料WZCPO厚度40nm第一保護(hù)層材料ITO厚度7nm接下來，將基板從第二單晶片濺射設(shè)備轉(zhuǎn)入至中間層形成設(shè)備，并且利用旋涂法在第二信息信號層上均勻地涂布紫外線硬化樹脂(索尼化學(xué)和信息設(shè)備公司制造的產(chǎn)品名為SK520)。之后，對均勻涂布在第二信息信號層上的紫外線硬化樹脂按壓壓模的凹凸圖案，并且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之后分離壓摸。由于此，形成具有19. 5 μ m厚度的第二中間層。接下來，將基板從中間層形成設(shè)備轉(zhuǎn)入至第三單晶片濺射設(shè)備。接著，利用磁控濺射法在第二中間層上順次層疊具有下列組成和膜厚度的第三信息信號層(L2層)。從而，在第二中間層上形成第三信息信號層。第三信息信號層(L2層)第二保護(hù)層材料SIZ厚度24nm無機(jī)記錄膜 層材料WZCPO厚度35nm第一保護(hù)層材料ITO厚度IOnm接下來，將基板從第三單晶片濺射設(shè)備轉(zhuǎn)入至中間層形成設(shè)備，并且利用旋涂法在第三信息信號層上均勻地涂布紫外線硬化樹脂(索尼化學(xué)和信息設(shè)備公司制造的產(chǎn)品名為SK520)。之后，對均勻涂布在第三信息信號層上的紫外線硬化樹脂按壓壓模的凹凸圖案，并且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之后分離壓摸。由于此，形成具有11.5μπι厚度的第三中間層。接下來，將基板從中間層形成設(shè)備轉(zhuǎn)入至第四單晶片濺射設(shè)備。接著，利用磁控濺射法在第三中間層上順次層疊具有下列組成和膜厚度的第四信息信號層(L3層)。從而，在第三中間層上形成第四信息信號層。第四信息信號層(L3層)第二保護(hù)層材料SIZ厚度3Inm無機(jī)記錄膜層材料WZCPO厚度35nm第一保護(hù)層材料SIZ厚度IOnm接下來，將基板從第四單晶片濺射設(shè)備轉(zhuǎn)入至旋涂設(shè)備，利用旋涂法在第四信息信號層上涂布紫外線硬化樹脂，并且通過對紫外線硬化樹脂照射紫外線而形成具有53. 5 μ m厚度的覆蓋層。之后，從基板的背面?zhèn)葘Φ谝恍畔⑿盘枌诱丈浼す?，并且在BCA(r為21mm 22mm的圓環(huán)狀區(qū)域)中執(zhí)行BCA標(biāo)記的記錄。由于上述情況，可以獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)(目標(biāo))。(實(shí)施例2)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為48mm以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為24_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(實(shí)施例3)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為50mm以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為25_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(實(shí)施例4)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為52mm以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為26_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
(實(shí)施例5)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為54_以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為27_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(實(shí)施例6)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為56mm以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為28_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(實(shí)施例7)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為58mm以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為29_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(實(shí)施例8)首先，利用注塑成型設(shè)備形成具有120mm直徑Φ和I. Ilmm厚度的聚碳酸酯基板。接下來，將形成的基板從注塑成型設(shè)備轉(zhuǎn)入至阻擋層形成濺射設(shè)備。接著，在通過具有46mm內(nèi)直徑的內(nèi)周掩模和具有118mm外直徑的外周掩模分別覆蓋基板背面上的內(nèi)周部分和外周部分之后，利用磁控濺射法在基板的背面上形成由Tin形成的厚度為IOnm的阻擋層。由于此，圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑為23_處。接下來，將形成有阻擋層的基板從阻擋層形成濺射設(shè)備轉(zhuǎn)入至第一單晶片濺射設(shè)備。接下來，利用磁控濺射法在基板的背面上順次層疊具有下列組成和膜厚度度的第一信息信號層。由于此，在基板的背面上形成第一信息信號層(L0層)。第一信息信號層(L0層)第二保護(hù)層材料ITO厚度8nm無機(jī)記錄膜層材料WZCPO厚度32nm第一保護(hù)層材料ITO厚度8nm之后，以與實(shí)施例I相同的方式，順次形成第一中間層、第二信息信號層、第二中間層、第三信息信號層、第三中間層、第四信息信號層以及覆蓋層，此后，執(zhí)行BCA標(biāo)記的記錄。由于上述處理，獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(比較例I)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為34_以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為17_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
(比較例2)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為36mm以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為18_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(比較例3)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為38mm以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為19_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(比較例4)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為40mm以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為20_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。 (比較例5)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為42mm以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為21_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(比較例6)除了內(nèi)周掩模的內(nèi)直徑被設(shè)定為44_以及圓環(huán)狀阻擋層形成區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置被設(shè)定在半徑r為22_處之外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(比較例7)除了在基板的背面上未形成有阻擋層外，以與實(shí)施例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(比較例8)除了在形成覆蓋層之后執(zhí)行阻擋層的形成處理外，以與比較例I相同的方式獲得光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(評價)以下將對如上所述獲得的實(shí)施例I至實(shí)施例8以及比較例I 8的光學(xué)信息記錄介質(zhì)進(jìn)行評價。(記錄靈敏度劣化)在光學(xué)信息記錄介質(zhì)的記錄和再現(xiàn)中，利用磁盤檢測器(Pulstec實(shí)業(yè)有限公司制造的產(chǎn)品名為0DU-1000)通過以NA = O. 85、405nm記錄波長以及7. 69m/S的記錄線速度記錄和再現(xiàn)的具有每層32GB密度的1-7調(diào)制數(shù)據(jù)測量第四信息信號層的i-MLSE值。這里，i-MLSE是相當(dāng)于過去在高密度記錄和再現(xiàn)中使用的抖動的信號評價指標(biāo)，并且值越低信號特性越好。在i-MLSE值為最低時，記錄功率為Pwo1,并且在作為持久性的加速條件的具有80°C和85% RH的環(huán)境下進(jìn)行200個小時存儲后的i_MLSE值最低時，記錄功率為Pwo2，利用Pwo1進(jìn)行的Pwo2的記錄功率偏移量的標(biāo)準(zhǔn)化是記錄靈敏度劣化。即在存儲環(huán)境前后的記錄靈敏度劣化被設(shè)定為△的情況下，通過下面描述的式子(I)來規(guī)定。Δ = (Pwo2-Pwo1)/Pwo1. · · (I)(突變特性)從光學(xué)信息記錄介質(zhì)釋放水分以及各個熱膨脹以復(fù)雜的方式相互影響，以及光學(xué)信息記錄介質(zhì)的翅曲(R偏移(skew))變化。為了對此進(jìn)行評價,如下評價Temp沖擊特性和Hum沖擊特性。這里，由于變化量具有±0. 15程度范圍內(nèi)的產(chǎn)品規(guī)格，所以利用良好、不及格以及平均作為參考值執(zhí)行評價。
如果以超過產(chǎn)品規(guī)格的±0. 15程度的變化量來設(shè)計光學(xué)信息記錄介質(zhì)，那么在突然的環(huán)境變化(即，存在突變)的情況下使用時，存在光學(xué)信息記錄介質(zhì)的翹曲大以及記錄再現(xiàn)期間伺服機(jī)構(gòu)脫落，以及極端時接觸拾取器的情況，可能會在生產(chǎn)中產(chǎn)生這種光學(xué)信息記錄介質(zhì)。(Temp沖擊特性)被放入溫度是25°C以及濕度是45%的 環(huán)境的恒溫室中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)被移動至溫度是55°C以及濕度是9%的環(huán)境中的恒溫室中。此時移動后的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的翹曲(R-偏移)的變化量以移動前光學(xué)信息記錄介質(zhì)的翹曲(R偏移)作為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行確認(rèn)。(Hum沖擊特性)被放入溫度是25°C以及濕度是90%的環(huán)境的恒溫室中的光學(xué)信息記錄介質(zhì)被移動到溫度是25°C以及濕度是45%的恒溫室中。此時移動后的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的翹曲(R-偏移)的變化量以移動前光學(xué)信息記錄介質(zhì)的翹曲(R偏移)作為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行確認(rèn)。在圖7中示出了將對實(shí)施例I、實(shí)施例8以及比較例8的記錄靈敏度劣化的評價匯聚一起的條形圖。這里，圖7的條形圖將對于實(shí)施例I、實(shí)施例8以及比較例8執(zhí)行的2個樣本測量的結(jié)果匯聚一起。如圖7所示，與在形成第一信息信號層之后且在形成第一中間層前執(zhí)行阻擋層的形成的實(shí)施例I和在形成基板I之后且在形成第一信息信號層前執(zhí)行阻擋層的形成的實(shí)施例8相比，在形成覆蓋層之后執(zhí)行阻擋層的形成處理的比較例8中，記錄靈敏度劣化更大。在圖8A和圖8B中示出了將實(shí)施例I的突變特性的測量結(jié)果匯聚一起的曲線圖。圖8A中示出了 Temp沖擊特性以及圖8B中示出Hum沖擊特性。在圖9A和圖9B中示出了將比較例I的突變特性的測量結(jié)果匯聚一起的曲線圖。圖9A中示出了 Temp沖擊特性以及圖9B中示出了 Hum沖擊特性。在圖IOA和圖IOB中示出將比較例7的突變特性的測量結(jié)果匯聚一起的曲線圖。圖IOA中示出了 Temp沖擊特性以及圖IOB中示出了 Hum沖擊特性。這里，圖8A中的R28、R54以及R58的數(shù)值表示測量位置(距離基板的一個主面的中心的距離)，以及圖8B中的R57、R53以及R43表示相同方式的測量位置。此外，通過初始示出的標(biāo)記所示的值表示移動前的初始值(圖9A和圖9B以及圖IOA和圖IOB也ー樣)。如果比較圖8A 圖9B中的曲線圖，那么可以確認(rèn)不存在由阻擋層的形成區(qū)域的差異導(dǎo)致的突變特性的差異。因此，從突變特性這點(diǎn)可以理解到，阻擋層的形成區(qū)域的開始位置可以在BCA外側(cè)。另ー方面，如果比較圖8A 圖9B中的曲線圖，可以確認(rèn)不形成阻擋層的情況下的突變特性劣化。接下來，在表I中示出對實(shí)施例I至實(shí)施例7以及比較例I和比較例7的突變特性、BCA標(biāo)記的存在或不存在、記錄靈敏度劣化評價的匯集。在表I中，BCA存在的意義在于可以在與沒有形成阻擋層的情況下記錄BCA標(biāo)記相同的記錄條件(激光器功率、轉(zhuǎn)數(shù)等)下記錄BCA標(biāo)記。BCA標(biāo)記不存在的意義在于不能在上述條件下記錄BCA標(biāo)記。此外，以5%以下作為標(biāo)準(zhǔn)來評價記錄靈敏度劣化為良好、平均、不及格。以5%以下作為標(biāo)準(zhǔn)的原因如下。即，有必要在記錄時利用最佳記錄功率以良好的數(shù)據(jù)進(jìn)行記錄，但是存在即使記錄功率稍微偏離也能夠以比較良好的方式記錄數(shù)據(jù)的范圍，這通常稱作功率裕度寬度。在設(shè)計光學(xué)信息記錄介質(zhì)時，功率裕度寬度通常被確保最小為±5%以下。由于此，考慮到最壞情況±5%而將良好的范圍上限設(shè)定為5%。即，當(dāng)利用預(yù)先存儲在光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信息區(qū)域中的記錄功率(recording power)進(jìn)行記錄時，即使由于存儲環(huán)境前沒有偏離而是良好的，數(shù)據(jù)的寫入也會由于存儲環(huán)境后的記錄靈敏度顯著偏離以致超過功率裕度時導(dǎo)致的不充足記錄功率而變得困難。同樣，將記錄靈敏度劣化的上限設(shè)定為5%。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，包括 形成具有第一主面和第二主面的基板； 在所述基板的所述第一主面上形成第一信息信號層； 在所述第一信息信號層上形成中間層； 在所述中間層上形成第二信息信號層； 從所述基板的所述第二主面?zhèn)日丈涔馇以诘谝粎^(qū)域和第二區(qū)域中的所述第一區(qū)域上記錄識別信息；以及 在記錄所述識別信息前，在除記錄所述識別信息的所述第一區(qū)域以外的所述第二區(qū)域中對所述第二主面形成阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法， 其中，所述第一區(qū)域是圓環(huán)狀區(qū)域，以及 所述第二區(qū)域是在所述第一區(qū)域的外周側(cè)的圓環(huán)狀區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法， 其中，所述第一區(qū)域是距離所述第二主面的中心21mm以上且22mm以下的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法， 其中，所述第二區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置在距所述第二主面的中心22_處的外周側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法， 其中，所述第二區(qū)域的所述內(nèi)周側(cè)的開始位置在距所述第二主面的中心25mm處的內(nèi)周側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法，還包括 在形成所述第二信息信號層之后且在記錄所述識別信息前，形成一個或多個信息信號層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法， 其中，在形成所述基板之后且在形成所述第一信息信號層前，形成所述阻擋層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法， 其中，在形成所述基板之后且在形成所述第一信息信號層前，形成所述阻擋層。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法， 其中，在形成所述第一信息信號層之后且在形成所述第二信息信號層前，形成所述阻擋層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法， 其中，在形成所述第一信息信號層之后且在形成所述第二信息信號層前，形成所述阻擋層。
11.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，包括 基板，具有第一主面和第二主面； 一個或多個信息信號層，所述一個或多個信息信號層記錄有識別信息并形成在所述基板的所述第一主面上；以及 阻擋層，所述阻擋層形成在所述第二主面上， 其中，在除記錄所述識別信息的第一區(qū)域以外的第二區(qū)域中形成所述阻擋層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述第一區(qū)域是圓環(huán)狀區(qū)域，以及 所述第二區(qū)域是在所述第一區(qū)域的外周側(cè)的圓環(huán)狀區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)， 其中，所述第一區(qū)域是距離所述第二主面的中心21mm以上且22mm以下的區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)， 其中，所述第二區(qū)域的內(nèi)周側(cè)的開始位置在距所述第二主面的中心22_處的外周側(cè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)， 其中，所述第二區(qū)域的所述內(nèi)周側(cè)的開始位置在距所述第二主面的中心25mm處的內(nèi)周側(cè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)， 其中，各個所述信息信號層設(shè)置有無機(jī)記錄層、被設(shè)置為與所述無機(jī)記錄層的一個主面相鄰的第一保護(hù)層以及被設(shè)置為與所述無機(jī)記錄層的另一個主面相鄰的第二保護(hù)層。
全文摘要
本發(fā)明公開了光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法及光學(xué)信息記錄介質(zhì)，該光學(xué)信息記錄介質(zhì)的制造方法包括形成具有第一主面和第二主面的基板；在基板的第一主面上形成第一信息信號層；在第一信息信號層上形成中間層；在中間層上形成第二信息信號層；從基板的第二主面?zhèn)日丈涔馇以诘谝粎^(qū)域和第二區(qū)域中的第一區(qū)域上記錄識別信息，并且在除記錄識別信息的第一區(qū)域以外的第二區(qū)域中對第二主面形成阻擋層。
文檔編號G11B7/242GK102629482SQ201210015079
公開日2012年8月8日 申請日期2012年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月3日
發(fā)明者鄉(xiāng)古健 申請人:索尼公司