專利名稱：隨機(jī)存取存儲器及其刷新控制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種刷新控制器及一種隨機(jī)存取存儲器。
背景技術(shù)：
在已知的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器中，需針對例如來自存儲器重器所發(fā)送的刷新指令，來對其中一個(gè)或多個(gè)存儲區(qū)塊進(jìn)行刷新動作以補(bǔ)充新的電荷。并且，必須在固定時(shí)間內(nèi)完成所有存儲區(qū)塊的刷新動作，否則就有相當(dāng)大的可能性會遺失資料。另外，在低耗能存儲器的需求下，已知技術(shù)也提出只對有存取資料的存儲器區(qū)塊刷新，以減少進(jìn)行刷新動作所消耗的能量。然而，這種已知技術(shù)的刷新動作，在當(dāng)一存儲區(qū)塊中只要有一小部分有儲存資料，其整個(gè)存儲區(qū)塊都必須被刷新，會產(chǎn)生很大的電量消耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種刷新控制器，用以降低刷新動作時(shí)所產(chǎn)生的耗能。本發(fā)明另提供一種隨機(jī)存取存儲器，用以降低刷新動作時(shí)所產(chǎn)生的耗能。本發(fā)明提出一種刷新控制器，適用于隨機(jī)存取存儲器。刷新控制器包括寫入動作偵測器、閂鎖器、重置電路及刷新動作屏蔽器。寫入動作偵測器耦接隨機(jī)存取存儲器的地址譯碼器，用于偵測地址譯碼器所屬的地址是否發(fā)生寫入動作而產(chǎn)生偵測結(jié)果。閂鎖器耦接寫入動作偵測器，用以接收并閂鎖偵測結(jié)果。重置電路耦接閂鎖器，并接收重置控制信號，依據(jù)重置控制信號以重置偵測結(jié)果。刷新動作屏蔽器耦接地址對應(yīng)的字符線控制電路以及閂鎖器，并用以依據(jù)偵測結(jié)果來屏蔽字符線的刷新動作。本發(fā)明另提出一種隨機(jī)存取存儲器，其具有多條字符線，并且隨機(jī)存取存儲器包括多個(gè)刷新控制器。其中，刷新控制器包括寫入動作偵測器、閂鎖器、重置電路及刷新動作屏蔽器。寫入動作偵測器耦接隨機(jī)存取存儲器的地址譯碼器，用于偵測地址譯碼器所屬的地址是否發(fā)生寫入動作而產(chǎn)生偵測結(jié)果。閂鎖器耦接至寫入動作偵測器，用以接收并閂鎖偵測結(jié)果。重置電路耦接閂鎖器，接收重置控制信號，依據(jù)重置控制信號以重置偵測結(jié)果。刷新動作屏蔽器耦接各地址對應(yīng)的各字符線控制電路以及閂鎖器用以依據(jù)偵測結(jié)果來屏蔽各字符線的刷新動作?；谏鲜?，本發(fā)明供一種刷新控制器及一種隨機(jī)存取存儲器。其中，刷新控制器通過偵測字符線上所屬的存儲單元是否發(fā)生過寫入的動作，來作為是否對字符線上的存儲單元進(jìn)行刷新的依據(jù)。并由此降低隨機(jī)存取存儲器在進(jìn)行刷新動作時(shí)所產(chǎn)生的電量消耗。


為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下，其中:圖1A繪示本發(fā)明一實(shí)施例的刷新控制器100的功能方塊圖。圖1B繪示本發(fā)明一實(shí)施例的刷新控制器100的電路示意圖。
圖2繪示本發(fā)明一實(shí)施例的隨機(jī)存取存儲器200的示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1A繪示本發(fā)明一實(shí)施例的刷新控制器100的方塊圖。請參照圖1A，刷新控制器100耦接隨機(jī)存取存儲器的字符線控制電路160，并根據(jù)字符線控制電路160所對應(yīng)的隨機(jī)存取存儲器的存儲單元是否曾資料寫入，以判斷是否屏蔽字符線控制電路160對存儲單元執(zhí)行刷新指令。刷新控制器100包括寫入動作偵測器110、閂鎖器120、刷新動作屏蔽器130、感測放大器控制器140及重置電路150。寫入動作偵測器110耦接隨機(jī)存取存儲器的地址譯碼器180，用于偵測地址譯碼器180所屬的地址是否發(fā)生寫入動作而產(chǎn)生偵測結(jié)果DETR0閂鎖器120耦接寫入動作偵測器110，用以接收并閂鎖偵測結(jié)果DETR。重置電路150耦接閂鎖器120，接收重置控制信號RST，并依據(jù)重置控制信號RST以重置偵測結(jié)果DETR。也就是說，在刷新控制器100所屬的隨機(jī)存取存儲器給電(poweron)的初期或是在操作過程中要對隨機(jī)存取存儲器進(jìn)行初始化時(shí)，可通過重置電路150對偵測結(jié)果DETR重置。當(dāng)接收到重置控制信號RST時(shí)，重置電路150會將閂鎖器120所儲存的偵測結(jié)果DETR清除為例如邏輯低電平信號。刷新動作屏蔽器130耦接至字符線控制電路160以及閂鎖器120。刷新動作屏蔽器130接收閂鎖器120所儲存的偵測結(jié)果DETR，并依據(jù)偵測結(jié)果DETR來屏蔽字符線控制電路160的刷新動作。意思是說，當(dāng)?shù)刂穼?yīng)的字符線控制電路160發(fā)出刷新執(zhí)行指令時(shí)，刷新動作屏蔽器130會根據(jù)閂鎖器120所儲存的偵測結(jié)果DETR來判斷字符線控制電路160所產(chǎn)生的字符線bMWL所對應(yīng)的存儲單元是否需要刷新。其中，當(dāng)字符線bMWL為邏輯O的低電平時(shí)，則字符線bMWL被致能以執(zhí)行刷新指令。當(dāng)字符線bMWL為邏輯I的高電平時(shí)，則字符線bMWL被禁能，并且不執(zhí)行刷新指令。因此，若不需要執(zhí)行刷新，刷新動作屏蔽器130則屏蔽字符線控制電路160，并且在字符線bMWL上產(chǎn)生禁能的字符線信號，進(jìn)以屏蔽對字符線bMWL上的存儲單元執(zhí)行刷新指令。另外，刷新控制器100還包括感測放大器控制器140。感測放大器控制器140耦接至閂鎖器120，用以接收并依據(jù)閂鎖器120所儲存的偵測結(jié)果DETR以禁能或致能字符線控制電路160對應(yīng)的感測放大器170。例如，感測放大器控制器140是依據(jù)閂鎖器120所儲存的偵測結(jié)果DETR來決定所產(chǎn)生的感測放大器啟動信號SA_DISABLE的邏輯電壓電平。其中，當(dāng)感測放大器啟動信號SA_DISABLE為邏輯O的低電平時(shí)，感測放大器啟動信號SA_DISABLE為致能狀態(tài)，以啟動感測放大器170。當(dāng)感測放大器啟動信號SA_DISABLE為邏輯I的高電平時(shí)，感測放大器啟動信號SA_DISABLE為禁能狀態(tài)，并停止感測放大器170。因此，當(dāng)閂鎖器120所儲存的偵測結(jié)果DETR指示位線bMWL上的存儲單元未曾被寫入資料時(shí)，感測放大器控制器140產(chǎn)生例如邏輯高電平的感測放大器啟動信號SA_DISABLE以使感測放大器170停止動作。相對的，當(dāng)閂鎖器120所儲存的偵測結(jié)果DETR指示字符線bMWL上的存儲單元曾被寫入資料時(shí)，感測放大器控制器140產(chǎn)生例如邏輯低電平的感測放大器啟動信號SA_DISABLE以啟動感測放大器170。附帶一提的，上述范例的感測放大器啟動信號SA_DISABLE的邏輯高低電平與感測放大器170啟動與否的關(guān)系僅只是一個(gè)范例。本領(lǐng)域具通常知識者皆知，感測放大器啟動信號SA_DISABLE的邏輯高低電平與感測放大器170起動與否的關(guān)系是可以由設(shè)計(jì)者依實(shí)際需求來進(jìn)行定義的。請參照圖1B，圖1B繪示本發(fā)明實(shí)施例的刷新控制器100的電路示意圖。通過字符線控制電路160，刷新控制器100可控制是否要對字符線bMWL產(chǎn)生致能的字符線信號。其中，字符線控制電路160包括P型晶體管PMl及PM2、N型晶體管匪I及匪2、緩沖器NI及N2。字符線控制電路160接收來自地址譯碼器180的譯碼信號以輸出寫入信號bRDIN及感測寫入信號RDIN，并通過緩沖器NI及N2在字符線bMWL上產(chǎn)生禁/致能的字符線信號。在關(guān)于刷新控制器100的動作細(xì)節(jié)部分，其中的寫入動作偵測器110包括晶體管WMl及WM2。晶體管WMl具有第一端(例如源極)、第二端(例如漏極)以及控制端(例如柵極)。晶體管麗I第一端接收電源電壓VI，并且控制端接收寫入信號bRDIN。晶體管麗2具有第一端(例如源極)、第二端(例如漏極)以及控制端(例如柵極)。晶體管WM2的第一端耦接晶體管WMl的第二端，晶體管WM2的控制端接收刷新啟動信號REF_ACT，晶體管WM2的第二端產(chǎn)生偵測結(jié)果DETR。當(dāng)對位線bMWL的存儲單元進(jìn)行資料寫入時(shí)，寫入信號bRDIN會被下拉至低電平并且使得P型的晶體管WMl導(dǎo)通。由于此時(shí)并未啟動刷新指令，所以刷新啟動信號REF_ACT會維持在低電平，亦使得P型的晶體管麗2導(dǎo)通。經(jīng)由P型晶體管麗I及WM2的導(dǎo)通，電源電壓Vl被傳至晶體管WM2的第二端，然后將偵測結(jié)果DETR拉升至邏輯高電平。同時(shí)，閂鎖器120閂鎖住邏輯高電平的偵測結(jié)果DETR。另一方面，若是要對所對應(yīng)地址的存儲單元進(jìn)行刷新時(shí)，刷新啟動信號REF_ACT則會上拉至高電平，并使P型的晶體管WM2斷開。在本實(shí)施例中，刷新啟動信號REF_ACT由與門Al依據(jù)刷新指示信號REFRESH以及區(qū)塊選擇信號BLKSEL所產(chǎn)生，其中，當(dāng)字符線bWML的存儲器區(qū)塊被選取執(zhí)行刷新時(shí)，刷新指示信號REFRESH以及區(qū)塊選擇信號BLKSEL皆會受控成為邏輯高電平。閂鎖器120包括反向器INVl及INV2。反向器INV2的輸入端耦接至反向器INVl的輸出端并接收偵測結(jié)果DETR，并且，反向器INV2的輸出端耦接至反向器INVl的輸入端。其中，閂鎖器120通過串接成回路的反向器INVl及INV2來閂鎖所接收的偵測結(jié)果DETR。附帶一提的，反向器INVl所能產(chǎn)生的驅(qū)動能力低于重置電路150及寫入動作偵測器110所能廣生的驅(qū)動能力。重置電路150包括下拉晶體管RM1。下拉晶體管RMl具有第一端(例如源極)、第二端(例如漏極)以及控制端(例如柵極)。下拉晶體管RMl的第一端接收偵測結(jié)果DETR，其控制端接收重置控制信號RST，其第二端接收接地電壓GND。當(dāng)下拉晶體管RMl接收到邏輯高電平的重置控制信號RST時(shí)，晶體管RMl被導(dǎo)通。此時(shí)，接地電壓GND被傳送至下拉晶體管RMl的第一端，并且使得偵測結(jié)果DETR被拉低至等于接地電壓GND的邏輯低電平。刷新動作屏蔽器130可以利用晶體管開關(guān)SWl來建構(gòu)，晶體管開關(guān)SWl串接于與字符線控制電路160的緩沖器N2接收接地電壓GND的路徑上。當(dāng)晶體管開關(guān)SWl受控于偵測結(jié)果DETR，并依據(jù)偵測結(jié)果DETR以導(dǎo)通或切斷接地電壓GND提供至緩沖器N2的路徑。當(dāng)接地電壓GND提供至緩沖器N2的路徑被切斷時(shí)，緩沖器N2將無法正常動作以致能字符線bMWL上的字符線信號。在另一方面，刷新動作屏蔽器130的上述接地電壓GND亦可以電源電壓Vl來取代。感測放大器控制器140包括晶體管SMl及SM2，晶體管SMl具有第一端(例如漏極)、第二端(例如源極)以及控制端(例如柵極)。晶體管SMl的第一端耦接至感測放大器啟動信號SA_DISABLE，晶體管SMl的控制端接收來自字符線控制電路160的感測寫入信號RDIN。晶體管SM2具有第一端(例如漏極)、第二端(例如源極)以及控制端(例如柵極)，晶體管SM2的第一端耦接至晶體管SMl的第二端，晶體管SM2的控制端接收偵測結(jié)果DETR，并且其第二端耦接至接地電壓GND。當(dāng)晶體管SM2的控制端接收高電平的偵測結(jié)果DETR時(shí)，代表曾經(jīng)發(fā)生過寫入動作，則接地電壓GND導(dǎo)通至晶體管SMl的第二端。晶體管SMl受控于感測寫入信號RDIN導(dǎo)通或斷開，若晶體管SMl接收高電平的感測寫入信號RDIN時(shí)，接地電壓GND則會導(dǎo)通至晶體管SMl的第一端，并使得感測放大器啟動信號SA_DISABLE下拉至等于接地電壓GND的邏輯低電平。另一方面，若未發(fā)生過寫入動作，由于未被寫入資料的存儲單元，其感測放大器170不需要?jiǎng)幼?，偵測結(jié)果DETR會位于邏輯低電平，使得晶體管SM2斷開，并且使得放大器禁能信號SA_DISABLE無法被下拉至等于接地電壓GND。如上所述，當(dāng)刷新控制器100在初始化時(shí)，則可通過邏輯高電平的重置控制信號RST，來使閂鎖器120閂鎖等于接地電壓GND的資料。此時(shí)，由于字符線bMWL上所屬的存儲單元未曾被寫入資料。所以，當(dāng)要對字符線bMWL執(zhí)行刷新指令時(shí)，字符線bMWL上的字符線信號會因刷新動作屏蔽器130切斷了緩沖器N2的操作電源的提供路徑而無法有效的被致能，也因此，字符線bMWL的刷新動作可以有效的被屏蔽。在此同時(shí)，由于字符線bMWL上所屬的存儲單元未曾被寫入資料，因此感測放大器170亦不需要有任何動作。依據(jù)閂鎖器120所閂鎖的等于接地電壓GND的資料，感測放大器控制器140的晶體管SM2為斷開狀態(tài)。在此狀態(tài)下，感測放大器啟動信號SA_DISABLE在先前依據(jù)晶體管SAl所接收的預(yù)充信號bPREC而被預(yù)充至邏輯高電平的電壓無法被有效的拉低，也因此使得感測放大器170持續(xù)處于被關(guān)閉的狀態(tài)。相對的，在當(dāng)字符線bMWL上所屬的存儲單元有被寫入資料后，閂鎖器120閂鎖等于電源電壓Vl的資料。此時(shí)，刷新動作屏蔽器130回復(fù)了緩沖器N2的操作電源的提供路徑。因此，字符線bMWL可以依據(jù)刷新動作的被啟動而正常地被驅(qū)動。同時(shí)，感測放大器控制器140的晶體管SM2被導(dǎo)通。如此一來，被預(yù)充至邏輯高電平的電壓感測放大器啟動信號SA_DISABLE可以有效通過導(dǎo)通的晶體管SMl及SM2被下拉至等于接地電壓GND。在此狀況下，感測放大器170可以正常的動作。請參照圖2，圖2繪示本發(fā)明一實(shí)施例的隨機(jī)存取存儲器200的示意圖。隨機(jī)存取存儲器200包括多條字符線bMWL、多條位線BL及存儲單元陣列210，亦包括多個(gè)刷新控制器220，其中多個(gè)刷新控制器220各別包括感測放大器控制器140。多個(gè)感測放大器140耦接至晶體管SAl的漏極，以產(chǎn)生感測放大器啟動信號SA_DISABLE，并且晶體管SAl接收的預(yù)充信號bPREC以進(jìn)行預(yù)充。在本實(shí)施例的隨機(jī)存取存儲器200之中，多個(gè)重刷新控制器220耦接存儲單元陣列210。重刷新控制器220依據(jù)所連接的字符線bMWL對應(yīng)的存儲單元陣列210中的存儲單元，其是否曾經(jīng)被寫入，來決定是否屏蔽其刷新動作，以及禁能感測放大器控制器140。關(guān)于刷新控制器220的細(xì)部施行方式與前述實(shí)施例中的刷新控制器100是相同的，在此不多贅述。綜上所述，本發(fā)明供一種刷新控制器及一種隨機(jī)存取存儲器，通過偵測字符線上所屬的存儲單元是否發(fā)生過寫入的動作，來作為是否對字符線上的存儲單元進(jìn)行刷新的依據(jù)，進(jìn)而減低隨機(jī)存取存儲器進(jìn)行刷新動作時(shí)的耗能。并且利用感測放大器控制器禁能或致能感測放大器，亦可更進(jìn)一步減低隨機(jī)存取存儲體操作時(shí)的耗能。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種刷新控制器，適用于一隨機(jī)存取存儲器，包括: 一寫入動作偵測器，耦接該隨機(jī)存取存儲器的一地址譯碼器，用于偵測該地址譯碼器所屬的一地址是否發(fā)生一寫入動作而產(chǎn)生一偵測結(jié)果； 一閂鎖器，耦接該寫入動作偵測器，用以接收并閂鎖該偵測結(jié)果； 一重置電路，耦接該R鎖器，接收一重置控制信號，依據(jù)該重置控制信號以重置該偵測結(jié)果；以及 一刷新動作屏蔽器，耦接該地址對應(yīng)的一字符線控制電路以及該閂鎖器，用以依據(jù)該偵測結(jié)果來屏蔽對該字符線所進(jìn)行的刷新動作。
2.按權(quán)利要求1所述的刷新控制器，其中還包括: 一感測放大器控制器，耦接該R鎖器，接收并依據(jù)該偵測結(jié)果以禁能或致能該字符線所屬的一感測放大器。
3.按權(quán)利要求2所述的刷新控制器，其中該感測放大器控制器耦接至一感測放大器啟動信號，該感測放大器控制器包括: 一第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該感測放大器啟動信號，其控制端耦接該字符線控制電路；以及 一第二晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該第一晶體管的第二端，其控制端接收該偵測結(jié)果，其第二端耦接至一接地電壓。
4.按權(quán)利要求1所述的刷新控制器，其中該寫入動作偵測器包括: 一第一晶體管，具有第 一端、第二端以及控制端，其第一端接收一電源電壓，其控制端接收一寫入信號；以及 一第二晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接該第一晶體管的第二端，其控制端接收一刷新啟動信號，該第二晶體管的第二端產(chǎn)生該偵測結(jié)果。
5.按權(quán)利要求1所述的刷新控制器，其中該閂鎖器包括: 一第一反向器，其輸出端接收該偵測結(jié)果；以及 一第二反向器，其輸入端I禹接至該第一反向器的輸出端，其該第二反向器的輸出端率禹接至該第一反向器的輸入端。
6.按權(quán)利要求1所述的刷新控制器，其中該重置電路包括: 一下拉晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收該偵測結(jié)果，其控制端接收該重置控制信號，其第二端接收一接地電壓。
7.按權(quán)利要求1所述的刷新控制器，其中該刷新動作屏蔽器包括: 一晶體管開關(guān)，耦接于與該字符線耦接的一緩沖器上，該晶體管開關(guān)受控于該偵測結(jié)果，并依據(jù)該偵測結(jié)果以導(dǎo)通或切斷一電源電壓或一接地電壓的至少其中之一以提供至該緩沖器的路徑。
8.一種隨機(jī)存取存儲器，具有多條字符線，包括: 多個(gè)刷新控制器，所述刷新控制器分別耦接所述字符線，各該刷新控制器包括: 一寫入動作偵測器，耦接該隨機(jī)存取存儲器的一地址譯碼器，用于偵測該地址譯碼器所屬的一地址是否發(fā)生一寫入動作而產(chǎn)生一偵測結(jié)果； 一閂鎖器，耦接該寫入動作偵測器，用以接收并閂鎖該偵測結(jié)果； 一重置電路，耦接該R鎖器，接收一重置控制信號，依據(jù)該重置控制信號以重置該偵測結(jié)果；以及 一刷新動作屏蔽器，耦接各該地址對應(yīng)的該字符線控制電路以及該閂鎖器，用以依據(jù)該偵測結(jié)果來屏蔽對各該地址對應(yīng)的該字符線的所進(jìn)行的刷新動作。
9.按權(quán)利要求8所述的隨機(jī)存取存儲器，其中還包括: 一感測放大器控制器，耦接該R鎖器，接收并依據(jù)該偵測結(jié)果以禁能或致能該字符線所屬的一感測放大器。
10.按權(quán)利要求9所述的隨機(jī)存取存儲器，其中該感測放大器控制器耦接至一感測放大器啟動信號，該感測放大器控制器包括: 一第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該感測放大器啟動信號，其控制端耦接各該字符線控制電路；以及 一第二晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至該第一晶體管的第二端，其控制端接收該偵測結(jié)果，其第二端耦接至一接地電壓。
11.按權(quán)利要求8所述的隨機(jī)存取存儲器，其中該寫入動作偵測器包括: 一第一晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收一電源電壓，其控制端接收一寫入信號；以及 一第二晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接該第一晶體管的第二端，其控制端接收一刷新啟動信號，該第二晶體管的第二端產(chǎn)生該偵測結(jié)果。
12.按權(quán)利要求8所述的隨機(jī)存取存儲器，其中該閂鎖器包括: 一第一反向器，其輸 出端接收該偵測結(jié)果；以及 一第二反向器，其輸入端I禹接至該第一反向器的輸出端，其該第二反向器的輸出端率禹接至該第一反向器的輸入端。
13.按權(quán)利要求8所述的隨機(jī)存取存儲器，其中該重置電路包括: 一下拉晶體管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收該偵測結(jié)果，其控制端接收該重置控制信號，其第二端接收一接地電壓。
14.按權(quán)利要求8所述的隨機(jī)存取存儲器，其中該刷新動作屏蔽器包括: 一晶體管開關(guān)，耦接于與各該字符線耦接的一緩沖器上，該晶體管開關(guān)受控于該偵測結(jié)果，并依據(jù)該偵測結(jié)果以導(dǎo)通或切斷一電源電壓或一接地電壓的至少其中之一以提供至該緩沖器的路徑。
全文摘要
本發(fā)明提出一種隨機(jī)存取存儲器及其刷新控制器。其中，刷新控制器包括寫入動作偵測器、閂鎖器、重置電路及刷新動作屏蔽器。寫入動作偵測器耦接隨機(jī)存取存儲器的地址譯碼器，用于偵測地址譯碼器所屬的地址是否發(fā)生寫入動作而產(chǎn)生偵測結(jié)果。閂鎖器耦接寫入動作偵測器，用以接收并閂鎖偵測結(jié)果。重置電路耦接閂鎖器，并接收重置控制信號，依據(jù)重置控制信號以重置偵測結(jié)果。刷新動作屏蔽器耦接地址對應(yīng)的字符線控制電路以及閂鎖器，并用以依據(jù)偵測結(jié)果來屏蔽字符線控制電路的刷新動作。
文檔編號G11C11/4063GK103093807SQ20111034118
公開日2013年5月8日 申請日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者杜盈德 申請人:華邦電子股份有限公司