專利名稱：磁記錄介質(zhì)、制造磁記錄介質(zhì)的方法和磁記錄/再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于諸如硬盤驅(qū)動器的磁記錄/再現(xiàn)裝置的磁記錄介質(zhì)和用于制造 該磁記錄介質(zhì)的方法。還涉及磁記錄/再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
近年來，諸如磁盤裝置、軟盤裝置和磁帶裝置的磁記錄/再現(xiàn)裝置被廣泛地應(yīng) 用，其重要性也日益增加。在磁記錄裝置中使用的磁記錄介質(zhì)的記錄密度也被極大地提 高。特別地，因?yàn)镸R頭和PRML技術(shù)的發(fā)展，面記錄密度日益增加。最近，已經(jīng)開發(fā) 了 GMR頭和TMR頭，并且面記錄密度以約每年100%的速率增加。對于進(jìn)一步提高記 錄密度的需求仍然日益增加，因此，熱切需要具有更高矯頑力和更高信噪比(SNR)以及 高分辨率的磁性層。同樣還進(jìn)行了通過增加磁道密度和增加線記錄密度來增加面記錄密度的嘗試。在近期的磁記錄/再現(xiàn)裝置中，磁道密度已達(dá)到約llOkTPI。然而，隨著磁道密 度的增加，磁記錄信息傾向于在相鄰的磁道之間彼此干擾，并且作為噪聲源的在其邊界 區(qū)域中的磁化過渡區(qū)傾向于損害SNR。這些問題導(dǎo)致誤碼率的降低并阻礙了記錄密度的 增加。為了增加面記錄密度，需要使每一個(gè)記錄位的尺寸變小并使每一個(gè)記錄位具有 最大飽和磁化和磁性膜厚度。然而，隨著位尺寸的減小，每位的最小磁化體積變小，并 且所記錄的數(shù)據(jù)往往會因?yàn)橛蔁岵▌釉斐傻拇呕崔D(zhuǎn)而消失。此外，為了減小相鄰磁道之間的距離，磁記錄裝置需要高精度磁道伺服系統(tǒng)技 術(shù)，并且通常采用這樣的操作，其中，進(jìn)行寬幅記錄而進(jìn)行窄幅再現(xiàn)，以使相鄰磁道之 間的影響最小化。該操作的優(yōu)點(diǎn)為可以使相鄰磁道的影響最小化，而缺點(diǎn)為再現(xiàn)輸出相 當(dāng)?shù)?。這還導(dǎo)致難以將SNR提高到希望的高水平。為了減小熱波動、保持希望的SNR并獲得希望的再現(xiàn)輸出，已經(jīng)有這樣的提 議，其中形成沿磁記錄介質(zhì)表面上的磁道延伸的凸起和凹陷，以便通過凹陷來分離位于 凸起上的每一個(gè)構(gòu)圖的磁道，由此增加磁道密度。下文中，將該類型的磁記錄介質(zhì)稱為 離散磁道介質(zhì)，并且將用于提供該類型的磁記錄介質(zhì)的技術(shù)稱為離散磁道方法。還提議了制造這樣的構(gòu)圖介質(zhì)，在其中進(jìn)一步分割在相同磁道中的數(shù)據(jù)區(qū)域。離散磁道介質(zhì)的一個(gè)實(shí)例為在例如專利文獻(xiàn)1中公開的磁記錄介質(zhì)，其被這樣 制造，提供具有在其表面上形成的凸起和凹陷的非磁性基底，并且在非磁性基底上形成 具有對應(yīng)的表面配置的磁性層，以便產(chǎn)生物理離散的磁記錄磁道和伺服信號圖形(參 見，例如，專利文件1)。上述磁記錄介質(zhì)具有的多層結(jié)構(gòu)使得可以通過具有在其表面上形成的凸起和凹 陷的圖形的非磁性基底上的軟磁性襯層(underlayer)來形成鐵磁性層，并在鐵磁性層上形 成保護(hù)性外涂層(overcoat)。磁記錄構(gòu)圖區(qū)在與周圍區(qū)域物理分離的凸起上形成磁記錄 區(qū)。
在上述磁記錄介質(zhì)中，可以防止或最小化在軟磁性襯層中鐵磁疇壁的出現(xiàn)，因 此減輕了由熱波動造成的影響，并且使相鄰信號之間的干擾最小化，從而提供呈現(xiàn)大 SNR的具有高記錄密度的磁記錄介質(zhì)。離散磁道方法包括兩種方法第一種為在形成包括幾個(gè)層疊的膜的多層磁記錄 介質(zhì)之后形成磁道的方法；第二種為在基底的表面上形成具有凸起和凹陷的圖形且之后 形成磁性層的方法(參見，例如，專利文件2和專利文件3)。已經(jīng)提出了另一種離散磁道方法，其中，例如，對預(yù)先形成的連續(xù)的磁性層進(jìn) 行氮離子或氧離子注入或利用激光進(jìn)行輻射，由此在離散磁道介質(zhì)中形成使磁道分離的 區(qū)域，該區(qū)域具有改性的磁特性(參見，例如，專利文件4-6)。專利文件IJP 2004-164692A1專利文件2JP 2004-178793A1專利文件3JP 2004-178794A1專利文件4JP H5-205257A1專利文件5JP 2006-209952A1專利文件6JP 2006-309841A
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題在用于制造具有分離的磁記錄圖形的上述離散磁道介質(zhì)或構(gòu)圖的介質(zhì)的制造方 法中，采用了用于提供分離的磁記錄圖形的工序(procedure)，該分離的磁記錄圖形包括 磁記錄區(qū)域和分離該磁記錄區(qū)域的邊界區(qū)域。也就是，將在磁性層中的將被形成為邊界 區(qū)域的區(qū)域暴露到使用例如氧或鹵素的反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，或當(dāng)適宜時(shí)對其 進(jìn)行使用例如氧或鹵素的離子注入(下文中將該工序稱為“磁性層改性工序”)。更具 體而言，在上述介質(zhì)的制造方法中，在磁性層上形成掩模層，通過光刻技術(shù)對掩模層進(jìn) 行構(gòu)圖，將磁記錄圖形中的邊界區(qū)域暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，或?qū)ζ溥M(jìn)行 離子注入，以便劣化邊界區(qū)域中的磁特性或使邊界區(qū)域退磁，從而得到上述離散磁道介 質(zhì)或構(gòu)圖的介質(zhì)。上述磁性層改性工序的優(yōu)點(diǎn)在于，與用于提供分離的磁記錄圖形的常規(guī)工序 (在適當(dāng)時(shí)該常規(guī)工序稱為“磁性層物理處理工序”)相比，上述制造方法是簡單的，并 且可以避免或最小化出現(xiàn)在制造方法中的不希望的污染，其中在常規(guī)工序中，形成構(gòu)成 邊界區(qū)域的凹陷，然后通過物理工序用非磁性材料填充凹陷，并使該填充的區(qū)域的表面
平滑化。即使通過上述磁性層改性工序形成磁記錄圖形中的用于分離磁記錄區(qū)域的區(qū)域 時(shí)，通過暴露到離子或離子注入也僅輕微地蝕刻磁性層的表面，因此，在邊界區(qū)域的表 面與磁記錄區(qū)域的表面之間存在微小的高度差?？梢酝ㄟ^用另一材料填充邊界區(qū)域并 使該填充的區(qū)域平滑化來消除該微小的高度差，但出于與上述磁性層改性工序相同的原 因，該工序也不是有利的。通常，要求磁記錄介質(zhì)的表面是高度平滑的。在磁記錄圖形包括構(gòu)成磁記錄區(qū) 域的凸起和構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷的情況下，如果通過CVD方法在磁記錄圖形上形成碳薄膜，則所產(chǎn)生的碳薄膜具有由CVD方法的固有特性而導(dǎo)致的不均勻的厚度。也就是，碳 薄膜的位于凹陷上的部分的厚度大于碳薄膜的位于凸起上的部分的厚度?？梢酝茢?，構(gòu) 成邊界區(qū)域的凹陷具有通過暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子或者通過離子注入而形 成的粗糙化的表面，而反應(yīng)性基團(tuán)(reactiveradical)易于附著到該粗糙化的表面上。當(dāng)通 過CVD方法在其上形成碳薄膜時(shí)，碳核的形成優(yōu)先出現(xiàn)在凹陷中，結(jié)果在其上形成厚的 碳膜。僅僅對于提供具有提高的表面平滑度的磁記錄介質(zhì)而言，該形成具有在構(gòu)成邊界 區(qū)域的凹陷上的厚部分和在構(gòu)成磁性區(qū)域的凸起上的薄部分的碳膜的傾向是有利的。形成在磁記錄介質(zhì)的表面上的保護(hù)性碳外涂層除了保護(hù)磁記錄介質(zhì)不與磁頭接 觸之外還具有防止磁性層受到由例如空氣中的濕氣導(dǎo)致的侵蝕(氧化)的作用。本發(fā)明 人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)保護(hù)性碳外涂層在磁記錄區(qū)域上的部分比保護(hù)性碳外涂層在邊界區(qū)域(尤其 是，非磁化的邊界區(qū)域)上的部分薄時(shí)，在磁記錄區(qū)域中會發(fā)生高速率的侵蝕。發(fā)明人 的研究表明，除了保護(hù)性碳外涂層的在磁記錄區(qū)域上的部分的厚度小于其在邊界區(qū)域上 的部分的厚度之外，該侵蝕還因以下事實(shí)而發(fā)生，即，保護(hù)性碳外涂層的在磁記錄區(qū)域 上的部分的表面與保護(hù)性碳外涂層的在邊界區(qū)域上的部分的表面之間存在高度差。艮口， 當(dāng)保護(hù)性碳外涂層具有不均勻的厚度且保護(hù)性碳外涂層的薄部分位于易受侵蝕的區(qū)域上 時(shí)，在該區(qū)域中侵蝕以高速率進(jìn)行。本發(fā)明的主要目的為提供一種磁記錄介質(zhì)，其具有對發(fā)生在磁性層的磁記錄區(qū) 域中的侵蝕具有增強(qiáng)的抵抗力，并呈現(xiàn)增強(qiáng)的環(huán)境耐性。解決問題的手段為了解決上述問題，本發(fā)明人進(jìn)行了廣泛的研究并完成了本發(fā)明。因此，根據(jù)本發(fā)明，提供下列磁記錄介質(zhì)⑴到(6)、用于制造磁記錄介質(zhì)的下 列方法(7)到(12)，以及下列磁記錄/再現(xiàn)裝置(13)。(1) 一種磁記錄介質(zhì)，其包括具有磁記錄圖形的磁性層和所述磁性層上的連續(xù)的 保護(hù)性碳外涂層，所述磁記錄圖形包括構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成用于分離所述磁記 錄區(qū)域的邊界區(qū)域的凹陷，所述磁記錄介質(zhì)的特征在于，所述碳外涂層的位于所述磁性 層的所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度大于所述碳外涂層的位于所述磁性層的 所述構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。(2)根據(jù)上述(1)的磁記錄介質(zhì)，其中所述邊界區(qū)域具有改性的磁特性。(3)根據(jù)上述(1)或(2)的磁記錄介質(zhì)，其中所述磁性層的所述構(gòu)成磁記錄區(qū) 域的凸起與所述磁性層的所述構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷之間的高度差在O.lnm到9nm的范圍 內(nèi)。(4)根據(jù)上述⑴到(3)中任何一項(xiàng)的磁記錄介質(zhì)，其中所述碳外涂層的位于所 述磁性層的所述凸起上的部分的上表面與所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述凹陷上 的部分的上表面之間的高度差在Inm到IOnm的范圍內(nèi)。(5)根據(jù)上述⑴到⑷中任何一項(xiàng)的磁記錄介質(zhì)，其中所述碳外涂層的位于所 述磁性層的所述凸起上的部分具有在Inm到5nm范圍內(nèi)的厚度。(6)根據(jù)上述(1)到(5)中任何一項(xiàng)的磁記錄介質(zhì)，其中由所述磁性層中的所述 凹陷構(gòu)成的所述邊界區(qū)域由氧化物構(gòu)成。(7) —種用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，包括以下步驟
形成具有磁記錄圖形的磁性層，所述磁記錄圖形包括構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和 構(gòu)成用于分離所述磁記錄區(qū)域的邊界區(qū)域的凹陷，以及在所述磁性層上形成連續(xù)的保護(hù)性碳外涂層，其特征在于，通過CVD方法以這樣的方式實(shí)施所述連續(xù)的碳外涂層的形成，所 述方式使所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度 大于所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。(8)根據(jù)上述(7)的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中對連續(xù)的磁性層中的將被 形成為所述邊界區(qū)域的區(qū)域進(jìn)行離子銑削以形成包括所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和所述 構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷的磁記錄圖形，然后，在所述磁性層上形成所述連續(xù)的保護(hù)性碳外 涂層。(9)根據(jù)上述(8)的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中，在通過離子銑削連續(xù)的 磁性層中的所述區(qū)域而形成具有磁記錄圖形的所述磁性層的步驟之后但在形成所述保護(hù) 性碳外涂層的步驟之前，通過將經(jīng)離子銑削的邊界區(qū)域暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性 離子或者通過在經(jīng)離子銑削的邊界區(qū)域中進(jìn)行離子注入來進(jìn)行對所述邊界區(qū)域的磁特性 改性的步驟，其中所述磁記錄圖形包括所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和所述構(gòu)成邊界區(qū)域 的凹陷。(10) 一種用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，該方法包括依次實(shí)施的下列步驟(a)到 (f)(a)在非磁性基底的表面上形成連續(xù)的磁性層；(b)在所述磁性層上形成用于形成磁記錄圖形的掩模層；(C)對所述掩模層進(jìn)行構(gòu)圖；(d)在所述掩模層保留在將被形成為磁記錄區(qū)域的區(qū)域上的同時(shí)，對所述磁性層 中的將被形成為用于分離所述磁記錄區(qū)域的邊界區(qū)域的區(qū)域進(jìn)行離子銑削，由此在所述 磁性層中形成構(gòu)成所述磁記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成所述邊界區(qū)域的凹陷；(e)去除所述掩模層；以及然后(f)通過CVD方法以這樣的方式在所述磁性層上形成連續(xù)的保護(hù)性碳外涂層， 所述方式使所述碳外涂層的位于磁性層的所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度大 于所述碳外涂層的位于磁性層的所述構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。(11)根據(jù)上述(10)的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，其還包括在所述離子銑削步 驟(d)之后但在所述掩模層去除步驟(e)之前對磁性層的邊界區(qū)域的磁特性改性的步驟， 其中將經(jīng)離子銑削的邊界區(qū)域暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，或者在經(jīng)離子銑削 的邊界區(qū)域中實(shí)施離子注入。(12)根據(jù)上述(10)或(11)的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，通過采用選自下列工 序[1]、[2]和[3]的工序在所述保護(hù)性碳外涂層形成步驟(f)中形成所述連續(xù)的保護(hù)性碳 外涂層，以便所述碳外涂層的位于磁性層的所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度 大于所述碳外涂層的位于磁性層的所述構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度工序[1]在所述保護(hù)性碳外涂層形成步驟(f)中在將偏置電壓施加到所述基底 的同時(shí)通過CVD方法形成所述保護(hù)性碳外涂層，工序[2]在所述掩模層去除步驟(e)之后但在步驟(f)中的形成所述保護(hù)性碳外涂層之前，在所述磁性層中的所述磁記錄區(qū)域和所述邊界區(qū)域中進(jìn)行離子注入，以及工序[3]在所述掩模層去除步驟(e)之后但在步驟(f)中的形成所述保護(hù)性碳 外涂層之前，在所述掩模保留在磁性層中的所述邊界區(qū)域上的同時(shí)在磁性層的所述磁記 錄區(qū)域中進(jìn)行離子注入，由此粗糙化所述磁記錄區(qū)域。(13) 一種磁記錄/再現(xiàn)裝置，其特征在于組合地包括根據(jù)⑴到(6)中的任 一項(xiàng)的磁記錄介質(zhì)或通過(7)到(12)中任一項(xiàng)的方法制造的磁記錄介質(zhì)；用于沿記錄方 向驅(qū)動所述磁記錄介質(zhì)的驅(qū)動部；包括記錄部和再現(xiàn)部的磁頭；用于以與所述磁記錄介 質(zhì)相對運(yùn)動的方式移動所述磁頭的裝置；以及用于向所述磁頭輸入信號并用于從所述磁 頭再現(xiàn)輸出信號的記錄和再現(xiàn)信號處理裝置。本發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的特征在于，在高溫和高濕度條件下，具有對在磁性 層的磁記錄區(qū)域中發(fā)生的侵蝕的增強(qiáng)的抵抗力并呈現(xiàn)增強(qiáng)的環(huán)境耐性?？梢酝ㄟ^本發(fā)明 的方法以高生產(chǎn)率來制造磁記錄介質(zhì)。


圖1示例了根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的疊層結(jié)構(gòu)的截面圖；圖2為在根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法中的前半部分步驟的流程圖；圖3為在根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法中的后半部分步驟的流程圖；以 及圖4為根據(jù)本發(fā)明的磁記錄_再現(xiàn)裝置的示意圖。參考標(biāo)號在圖1中，100磁記錄區(qū)域(凸起)200邊界區(qū)域(凹陷)300保護(hù)性碳外涂層400凸起與凹陷之間的高度差500碳外涂層的位于磁記錄區(qū)域上的部分的厚度600碳外涂層的位于邊界區(qū)域上的部分的厚度700碳外涂層的位于磁記錄區(qū)域上的部分的上表面與碳外涂層的位于邊界區(qū)域上 的部分的上表面之間的高度差在圖2和圖3中，1非磁性基底2磁性層3掩模層4抗蝕劑層5 壓模6銑削離子7已經(jīng)從其中部分地去除了磁性層的表面層部分的區(qū)域d已經(jīng)從其中部分地去除了磁性層的表面層部分的區(qū)域的深度，即，磁性層的被去除的表面層部分的厚度8通過壓制形成的在抗蝕劑層中的凹陷9保護(hù)性外涂層10反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子11惰性氣體在圖4中，30磁記錄介質(zhì)31 磁頭32記錄-再現(xiàn)信號系統(tǒng)33磁頭驅(qū)動部34介質(zhì)驅(qū)動部
具體實(shí)施例方式根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)包括具有磁記錄圖形的磁性層和在磁性層上的連續(xù)的 保護(hù)性碳外涂層，該磁記錄圖形包括構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成用于分離磁記錄區(qū)域 的邊界區(qū)域的凹陷，該磁記錄介質(zhì)的特征在于，碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成磁記錄區(qū) 域的凸起上的部分的厚度大于碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。磁性層中的上述邊界區(qū)域優(yōu)選具有改性的磁特性。更具體而言，邊界區(qū)域優(yōu)選 是非磁化的或磁化減小的區(qū)域。如圖1(a)所示，在根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，構(gòu)圖的磁性層具有構(gòu)成磁記錄 區(qū)域的凸起100和構(gòu)成用于分離磁記錄區(qū)域的邊界區(qū)域的凹陷200。由例如通過離子銑 削、或離子輻照或離子注入連續(xù)的磁性層的將被形成為邊界區(qū)域的區(qū)域的表面來稍微蝕 刻的工序而形成所述凸起和凹陷。當(dāng)例如通過PVD (物理氣相沉積)方法在具有凸起和凹陷的磁性層上形成保護(hù)性 碳外涂層300時(shí)的情況下，所產(chǎn)生的碳外涂層在凸起和凹陷之上具有近似均勻的厚度， 如圖1(a)所示。因此，碳外涂層的位于磁性層的凸起上的部分的上表面和碳外涂層的位 于磁性層的凹陷上的部分的上表面之間的高度差(即，碳外涂層的在凹陷200上的部分的 深度)與其下面的磁性層的凸起和凹陷之間的高度差近似相同。如果通過常規(guī)CVD方法將保護(hù)性碳外涂層300形成在具有凸起和凹陷的磁性層 上，則所產(chǎn)生的碳外涂層由于CVD方法的特性而具有不均勻的厚度。也就是，碳外涂層 的位于通過例如離子注入形成的凹陷上的部分的厚度大于碳外涂層的位于未進(jìn)行離子注 入的凸起上的部分的厚度，如圖1(b)所示?？梢酝茢喑?，已進(jìn)行了離子注入的區(qū)域具有 粗糙化的表面(即，在其表面上形成了微小的突起和凹陷)，并且粗糙化的表面呈現(xiàn)出對 反應(yīng)性基團(tuán)的增強(qiáng)的附著，由此碳核會優(yōu)先在該區(qū)域中的粗糙化的表面上產(chǎn)生。因此， 碳外涂層的在離子注入?yún)^(qū)域上的部分的厚度大于碳外涂層的在未蝕刻區(qū)域上的部分的厚 度。形成具有不均勻厚度的碳外涂層的該特性優(yōu)選用于提供具有光滑和平坦表面的磁記 錄介質(zhì)。然而，由本發(fā)明人進(jìn)行的研究表明，當(dāng)保護(hù)性碳外涂層的位于磁記錄區(qū)域上的部分的厚度小于保護(hù)性碳外涂層的位于邊界區(qū)域(特別地，非磁化或磁化減小的邊界區(qū) 域，或由氧化物構(gòu)成的邊界區(qū)域)上的部分的厚度時(shí)，在磁記錄區(qū)域中會傾向于以增加 的速率發(fā)生對磁性層的侵蝕?？梢酝茢喑?，該侵蝕因以下原因而發(fā)生。首先，保護(hù)性 碳外涂層在磁記錄區(qū)域上的部分是薄的。其次，保護(hù)性碳外涂層的位于磁記錄區(qū)域上的 部分和其在邊界區(qū)域上的部分之間存在厚度差。因此，當(dāng)碳外涂層具有不均勻的厚度并 且碳外涂層的位于易受侵蝕的磁性材料上的部分薄時(shí)，磁性材料的侵蝕以增加的速率進(jìn) 行。如圖I(C)(其示出了與根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的主表面垂直的截面)所示， 磁性層具有磁記錄圖形，該圖形具有構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起100和構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷 200。形成在磁性層上的保護(hù)性碳外涂層的特征為具有位于磁性層的構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸 起100上的厚部分500和位于磁性層的構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷200上的薄部分600。磁性層的構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起100與磁性層的構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷200之間的 高度差400優(yōu)選在O.lnm到9nm的范圍內(nèi)。碳外涂層的位于磁性層的凸起100上的厚部分的上表面與碳外涂層的位于磁性 層的凹陷200上的薄部分的上表面之間的高度差700優(yōu)選在Inm到IOnm的范圍內(nèi)。碳 外涂層的位于磁性層的凸起上的厚部分優(yōu)選具有范圍為Inm到5nm的厚度。由磁性層的 凹陷構(gòu)成的薄邊界區(qū)域優(yōu)選具有范圍為O.lnm到4nm的厚度。當(dāng)磁記錄介質(zhì)中的保護(hù)性碳外涂層具有上述厚度特征時(shí)，可以增強(qiáng)磁性層中的 磁記錄區(qū)域的抗侵蝕性，由此磁記錄介質(zhì)呈現(xiàn)出改善的環(huán)境耐性，尤其提高了在高溫和 高濕度條件下的抗侵蝕性。該磁記錄介質(zhì)具有高磁記錄密度，并且其硬盤驅(qū)動器呈現(xiàn)出 改善的磁頭懸浮性，并且該磁記錄介質(zhì)呈現(xiàn)出優(yōu)良的電磁轉(zhuǎn)換特性。如果碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分具有與碳外涂層 的位于磁性層的構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度相同，即使當(dāng)磁記錄介質(zhì)的制造條 件僅僅改變了微小的程度，碳外涂層的厚度通常也是不均勻的，并且磁記錄介質(zhì)傾向于 呈現(xiàn)不同的環(huán)境耐性。在根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，磁性層中的由凹陷構(gòu)成的邊界區(qū)域優(yōu)選由非磁 性材料構(gòu)成，特別地，通過由氧化物構(gòu)成的非磁性材料構(gòu)成。例如，通過將磁性材料暴 露到氧化反應(yīng)性等離子體而產(chǎn)生該氧化物。當(dāng)碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度大于碳外涂 層的位于磁性層的構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度時(shí)，如與本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中 的情況一樣，邊界區(qū)域有可能被侵蝕。然而，當(dāng)邊界區(qū)域由非磁性材料構(gòu)成時(shí)，特別地 通過由氧化物構(gòu)成的非磁性材料構(gòu)成時(shí)，邊界區(qū)域便不會被侵蝕或僅僅以非常微小的程 度被侵蝕。非磁性氧化物不能被進(jìn)一步氧化，因而不會發(fā)生侵蝕。根據(jù)本發(fā)明的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法包括以下步驟形成具有磁記錄圖形 的磁性層，該磁記錄圖形包括構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成用于分離磁記錄區(qū)域的邊界 區(qū)域的凹陷；以及在具有構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和形成邊界區(qū)域的凹陷的磁性層上形成 連續(xù)的保護(hù)性碳外涂層；并且其特征在于，通過CVD方法以這樣的方式實(shí)施該連續(xù)的碳 外涂層的形成，該方式使碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚 度大于碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。
在上述方法中，優(yōu)選采用這樣的工序，其中對連續(xù)的磁性層中的將被形成為邊 界區(qū)域的區(qū)域進(jìn)行離子銑削以形成包括構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷的 磁記錄圖形，然后，在磁性層上形成連續(xù)保護(hù)性碳外涂層。在上述工序中，優(yōu)選在通過離子銑削連續(xù)的磁性層中的區(qū)域而形成具有磁記錄 圖形(其包括構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷)的磁性層的步驟之后但在形 成碳保護(hù)性外涂層的步驟之前，通過將經(jīng)離子銑削的邊界區(qū)域暴露到反應(yīng)性等離子體或 反應(yīng)性離子或者通過在經(jīng)離子銑削的邊界區(qū)域中進(jìn)行離子注入來進(jìn)行使邊界區(qū)域的磁特 性改性的步驟。更具體而言，可以通過包括依次執(zhí)行的下列步驟(a)到(f)的方法來制造根據(jù)本 發(fā)明的磁記錄介質(zhì)(a)在非磁性基底的表面上形成連續(xù)的磁性層；(b)在磁性層上形成用于形成磁記錄圖形的掩模層；(c)對掩模層進(jìn)行構(gòu)圖；(d)對磁性層中的將被形成為用于分離磁記錄區(qū)域的邊界區(qū)域的區(qū)域進(jìn)行離子銑 削，而掩模層則保留在將被被形成為磁記錄區(qū)域的區(qū)域上，由此在磁性層中形成構(gòu)成磁 記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷；(e)去除掩模層；以及然后(f)通過CVD方法以這樣的方式在磁性層上形成連續(xù)的保護(hù)性碳外涂層，該方 式使碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度大于碳外涂層的位 于磁性層的構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。在優(yōu)選實(shí)施例中，用于制造磁記錄介質(zhì)的上述方法還包括在離子銑削步驟(d) 之后但在掩模去除步驟(e)之前使磁性層的邊界區(qū)域的磁特性改性的步驟，其中將經(jīng)離子 銑削的區(qū)域暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，或者在經(jīng)離子銑削的邊界區(qū)域中實(shí)施 離子注入?？梢酝ㄟ^采用選自下列工序[1]、[2]和[3]的工序在上述保護(hù)性碳外涂層形成步 驟(f)中形成連續(xù)的保護(hù)性碳外涂層，以便碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸 起上的部分的厚度大于碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。 在這些工序中，通過CVD方法實(shí)施碳外涂層的形成。工序[1]在保護(hù)性碳外涂層形成步驟(f)中在將偏置電壓施加到基底的同時(shí)通 過CVD方法形成保護(hù)性碳外涂層。通過將偏置電壓施加到基底，等離子體可以容易地集 中到磁性層的構(gòu)成磁性區(qū)域的凸起上。因此，增強(qiáng)了凸起中的基團(tuán)(radical)密度，由此 在凸起上形成厚的保護(hù)性碳外涂層。工序[2]在掩模層去除步驟(e)之后但在步驟(f)中的保護(hù)性碳外涂層的形成 之前，在磁性層中的磁記錄區(qū)域和邊界區(qū)域中進(jìn)行離子注入，之后通過CVD方法形成保 護(hù)性碳外涂層。在該工序[2]中，在磁性層中的磁記錄區(qū)域和邊界區(qū)域二者中都進(jìn)行離子注入， 因此，基團(tuán)以基本上相同的速率附著到這兩個(gè)區(qū)域。因此，當(dāng)通過CVD方法形成保護(hù)性 碳外涂層時(shí)，在腔內(nèi)產(chǎn)生均勻的等離子體，但等離子更靠近構(gòu)成磁性區(qū)域的凸起而不是 更靠近構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷。因此，碳外涂層在凸起上的形成速率高于其在凹陷上的形成速率。工序[3]在用于形成構(gòu)成磁性區(qū)域的凸起和構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷的離子銑削步 驟(d)和后繼的掩模層去除步驟(e)之后但在步驟(f)中的保護(hù)性碳外涂層的形成之前， 在掩模保留在磁性層的邊界區(qū)域上的同時(shí)在磁性層的磁記錄區(qū)域中進(jìn)行離子注入，由此 粗糙化磁記錄區(qū)域。通過該工序[3]，磁記錄區(qū)域的表面變得比邊界區(qū)域的表面粗糙。因 此，基團(tuán)以提高的速率附著到磁記錄區(qū)域，由此碳外涂層在凸起上的形成速率高于其在 凹陷上的形成速率。下面將參考圖2和圖3在制造工藝方面詳細(xì)地并逐個(gè)步驟地描述根據(jù)本發(fā)明的用 于制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中圖2和3分別示出了在本發(fā)明的用于制造磁記錄介質(zhì)的方 法中的前半部分步驟的流程圖和后半部分步驟的流程圖。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的典型實(shí)例具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括例如非磁性基 底、在基底上形成的軟磁性襯層(underlayer)、在軟磁性襯層上形成的中間層、具有磁性 圖形的磁性層、在磁性層上形成的保護(hù)性碳外涂層以及最上面的潤滑層。然而，在本發(fā) 明的磁記錄介質(zhì)中除了非磁性基底、磁性層以及保護(hù)性碳外涂層之外的層都不是必需的 而是可選的。因此，在圖2和圖3中沒有示出除了非磁性基底1、磁性層2以及保護(hù)性碳 外涂層9之外的層。對用于本發(fā)明的非磁性基底1沒有特別地的限制，并且，作為其具體的實(shí)例， 可以提及主要由鋁構(gòu)成的鋁合金基底，例如，Al-Mg合金基底；以及由常規(guī)的鈉玻璃、 鋁硅酸鹽玻璃、玻璃陶瓷、硅、鈦、陶瓷以及有機(jī)樹脂構(gòu)成的基底。在這些基底中，優(yōu) 選使用鋁合金基底、諸如玻璃陶瓷基底的玻璃基底以及硅基底。非磁性基底的平均表面粗糙度(Ra)優(yōu)選不大于lnm，更優(yōu)選不大于0.5nm，特 別優(yōu)選不大于O.lnm。形成在上述非磁性基底的表面上的磁性層2優(yōu)選包括0.5原子％到6原子％的量 的氧化物。磁性層優(yōu)選包括主要由鈷構(gòu)成的合金。作為該合金的具體實(shí)例，可以提及與氧 化物結(jié)合的鈷合金，例如，與氧化物結(jié)合的CoCr、CoCrPt、CoCrPtB> CoCrPtB-X或 CoCrPtB-X-Y (X表示諸如Ru和W的元素，Y表示諸如Cu和Mg的元素)；以及包含 氧或氧化物的鈷合金，例如，CoCrPt-O、CoCrPt-SiO2> CoCrPt-Cr2O3> CoCrPt-TiO2> CoCrPt-ZrO2^ CoCrPt-Nb2O5^ CoCrPt_Ta205、CoCrPt-Al2O3^ CoCrPt-B2O3^ CoCrPt-WO2 以及 CoCrPt-WO3。磁性層的厚度通常在3nm到20nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選為5nm到15nm?？紤]到磁性 合金的種類和層狀(laminar)結(jié)構(gòu)，將磁性層形成為可以獲得足夠高的輸入和輸出磁頭功 率。磁性層應(yīng)具有至少特定值的厚度，以便在再現(xiàn)時(shí)獲得至少特定水平的輸出功率。然 而，隨著輸出功率的增加，與記錄/再現(xiàn)特性相關(guān)的參數(shù)通常會劣化。因此，優(yōu)選地， 考慮到輸出功率和記錄_再現(xiàn)特性而選擇磁性層的最優(yōu)厚度。通常通過濺射方法將磁性層形成為薄膜。下面將更具體地描述根據(jù)本發(fā)明的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法。如圖2所示，用于制造磁記錄介質(zhì)的方法包括以下步驟。在步驟A中，在非磁性基底1上至少形成磁性層2。
在步驟B中，在磁性層2上形成掩模層3。在步驟C中，在掩模層3上形成抗蝕劑層4。在步驟D中，通過將壓模5壓向抗蝕劑層4而將負(fù)磁記錄圖形轉(zhuǎn)移到抗蝕劑層4 上。負(fù)磁性記錄圖形是指具有形成在抗蝕劑層上的凹陷的負(fù)圖形，該凹陷已經(jīng)被形成在 用于分離形成在磁性層上的記錄磁道的區(qū)域中。圖2的步驟D中的箭頭表示壓模移動的 方向。參考標(biāo)號8表示抗蝕劑層4中的由按壓形成的凹陷。在步驟E中，選擇性地去除掩模層3的剩余部分和抗蝕劑層4的剩余部分，所述 部分形成了與磁記錄圖形的負(fù)圖形對應(yīng)的凹陷，如步驟D所示。如圖3所示，用于制造磁記錄介質(zhì)的方法包括以下步驟。在步驟F中，將磁性層2的表面層的暴露的凹陷暴露到銑削離子6，該暴露的凹 陷對應(yīng)于已經(jīng)從其中去除了抗蝕劑層4和掩模層3的區(qū)域，由此去除磁性層的經(jīng)離子銑削 的區(qū)域中的表面層部分。參考標(biāo)號7指示出磁性層的表面層的經(jīng)離子銑削的區(qū)域，參考 字母d表示磁性層的已經(jīng)通過離子銑削去除的表面層部分的厚度。通過離子銑削，形成了構(gòu)成磁性層2的磁記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成邊界區(qū)域的凹 陷。進(jìn)行將磁性層的已經(jīng)從其中去除了磁性層的表面層部分的經(jīng)離子銑削的區(qū)域7 暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子或者離子注入該經(jīng)離子銑削的區(qū)域7的步驟，由此 使磁性層的區(qū)域7的磁特性改性或減小磁性層的該區(qū)域7的磁化。圖3中未示出了該磁 特性改性或磁化減小步驟。歸因于進(jìn)行該磁特性改性或磁化減小步驟而實(shí)施的蝕刻，經(jīng) 離子銑削的區(qū)域7的深度稍微增大。進(jìn)行離子銑削6以去除磁性層的表面層部分的上述步驟F不是必需的，而是優(yōu)選 實(shí)施的。也就是，即使不實(shí)施離子銑削步驟F，通過將磁性層的已經(jīng)從其中去除了抗蝕 劑層4和掩模層3的暴露表面暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子或者在磁性層的該暴露 表面中進(jìn)行離子注入，也可以形成構(gòu)成用于分離磁記錄區(qū)域的邊界區(qū)域的凹陷。因此， 可以略去進(jìn)行離子銑削6以去除磁性層的表面層部分的離子銑削步驟F。替代地，可以 實(shí)施進(jìn)行離子銑削6的離子銑削步驟F以去除磁性層的表面層部分并形成將要形成為邊界 區(qū)域中凹陷，并進(jìn)行將磁性層的經(jīng)離子銑削的區(qū)域7暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離 子或離子注入該經(jīng)離子銑削的區(qū)域7的步驟。在去除磁性層的表面層部分的上述離子銑削步驟F和/或?qū)⒋判詫拥膮^(qū)域暴露到 反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子或者對磁性層的該區(qū)域進(jìn)行離子注入之后，進(jìn)行去除剩余 的抗蝕劑層4和剩余的掩模層3的步驟G。該工序過程優(yōu)選包括在步驟G之后的可選的步驟H，該步驟H為用惰性氣體11 輻照磁性層的暴露的表面。此后，在磁性層的表面上形成保護(hù)性碳外涂層。在用于制造磁記錄介質(zhì)的方法的步驟B中在磁性層2上形成的掩模層3可以由 選自 Ta、W、Ta 氮化物、W 氮化物、Si、SiO2> Ta2O5> Re、Mo、Ti、V、Nb、Sn、 Ga、Ge、As以及Ni的至少一種材料形成。通過使用這些材料，可以增強(qiáng)掩模層抗銑削 離子6的屏蔽能力，并且還可以增強(qiáng)通過掩模層3對磁記錄圖形的可成形性?？梢允褂?反應(yīng)性氣體在干法蝕刻步驟中容易地去除這些材料，因此，在圖3示出的步驟F中，可以 使剩余的掩模層最小化，并可避免或最小化對磁記錄介質(zhì)層的暴露表面的污染。
在用于掩模層3的上列材料當(dāng)中，優(yōu)選使用Mo、Ta、W、Ni、Ti、V、Nb、 As、Ge、Sn 以及 Ga。尤其優(yōu)選 Mo、Ta、W、Ni、Ti、V 以及 Nb。最優(yōu)選 Mo、Ta
以及W。掩模層3優(yōu)選具有Inm到20nm的范圍內(nèi)的厚度。在圖2示出的步驟D中將磁記錄圖形的負(fù)圖形轉(zhuǎn)移到抗蝕劑層4上之后，抗蝕劑 層4的凹陷區(qū)域8優(yōu)選具有0到IOnm的厚度。當(dāng)抗蝕劑層的凹陷區(qū)域8優(yōu)選具有這樣 的厚度時(shí)，可以以有利的方式實(shí)現(xiàn)在圖2的步驟E中選擇性去除抗掩模層3。 S卩，可以 避免在掩模層3的邊緣部分處的不希望的下沉(sagging)，并且在圖3的步驟F中可以增 強(qiáng)掩模層3對抗銑削離子6的屏蔽能力，此外還增強(qiáng)了磁記錄圖形通過掩模層3的可成形 性。該抗蝕劑層優(yōu)選具有范圍在約IOnm到IOOnm的厚度。在制造方法的優(yōu)選實(shí)施例中，使用可以通過輻射輻照而固化的材料作為用于在 圖2的步驟C中形成抗蝕劑層4的材料；并且，當(dāng)在步驟D中通過使用壓模5將負(fù)磁記錄 圖形轉(zhuǎn)移到抗蝕劑層4上時(shí)，或者在已經(jīng)完成了負(fù)磁記錄圖形的轉(zhuǎn)移之后，用輻射來輻 照抗蝕劑層4以使其固化。在該優(yōu)選實(shí)施例中，壓模5的形狀(configuration)可被高精度 地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑層4上。因此，當(dāng)在圖2的步驟E中通過蝕刻去除掩模層3的與磁記錄 圖形的負(fù)圖形對應(yīng)的區(qū)域時(shí)，可以避免在掩模層3的邊緣部分處的不希望的下沉，并且 可以增強(qiáng)掩模層3對抗注入的離子的屏蔽能力，此外還可以增強(qiáng)磁記錄圖形通過掩模層3 的可成形性。用于固化可固化材料的輻射在廣義上是指包括熱射線、可見光、紫外光、X射 線、以及Y射線的電磁波。作為可固化材料的具體實(shí)例，可以提及可通過熱射線固化的 熱固樹脂和可通過紫外光固化的紫外固化樹脂。在通過使用壓模5將負(fù)磁記錄圖形轉(zhuǎn)移到抗蝕劑層4上的步驟D中，優(yōu)選將壓模 5壓在具有高流動性的抗蝕劑層4上，并且，在抗蝕劑層處于受壓狀態(tài)的同時(shí)，用輻射來 輻照抗蝕劑層4以由此使其固化，然后將壓模5從抗蝕劑層4移除。通過該工序，可以 將壓模5的形狀高精度地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑層4。為了在抗蝕劑層處于受壓狀態(tài)的同時(shí)用輻射來輻照具有高流動性的抗蝕劑 層，可以采用通過將包括抗蝕劑層的多層結(jié)構(gòu)的基底側(cè)(即，與被壓模按壓的抗蝕 劑層相反的一側(cè))暴露到輻射來利用輻射輻照該多層結(jié)構(gòu)的方法；使用透射輻射的 (radiation-transmitting)壓模并將多層結(jié)構(gòu)的被壓模按壓的一側(cè)暴露到輻射的方法；通過 從多層結(jié)構(gòu)的側(cè)面施加輻射來將被壓模按壓的抗蝕劑層暴露到輻射的方法；以及使用對 于固體呈現(xiàn)高傳導(dǎo)性的輻射(例如，熱射線)將多層結(jié)構(gòu)的被壓模按壓的一側(cè)或其相反側(cè) (基底側(cè))暴露到該高傳導(dǎo)性輻射的方法。在用輻射輻照可輻射固化的抗蝕劑層來固化抗蝕劑層的工序的優(yōu)選的具體實(shí)例 中，使用諸如酚醛清漆樹脂(novolak resin)、丙烯酸酯樹脂或脂環(huán)族環(huán)氧樹脂的可紫外線 固化的樹脂作為可輻射固化的抗蝕劑樹脂，并且使用由高度透射紫外線的玻璃或樹脂制 成的壓模。通過采用上述工序，可以使用于分離磁記錄圖形中的磁記錄區(qū)域的邊界區(qū)域中 的諸如矯頑力和剩余磁化的磁特性改性或?qū)⑵錅p小至最小值，因此，可以避免寫入時(shí)的 字符滲出(Ietterbleeding)并將磁記錄介質(zhì)的面記錄密度提高至更高的程度。
優(yōu)選地，通過利用例如電子束光刻在金屬板上形成微小軌道圖形來形成在圖形 轉(zhuǎn)移步驟D中的壓模。對用于形成壓模的材料沒有特別的限制，只要不妨礙本發(fā)明的 目的，但是，優(yōu)選使用具有足夠經(jīng)受制造磁記錄介質(zhì)的方法的硬度并具有良好耐久性 (durability)的材料。這樣的材料包括例如鎳。形成在壓模上的圖形包括通常用于記錄常規(guī)數(shù)據(jù)的磁道的圖形，還包括用于伺 服信號的圖形，例如脈沖(burst)圖形、格雷碼(gray code)圖形以及前導(dǎo)(preamble)圖形。如圖3的步驟F所示，優(yōu)選地通過例如離子銑削去除在磁性層的凹陷區(qū)域中的表 面層部分，然后將新暴露的區(qū)域暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，由此使磁性層的 該凹陷區(qū)域的磁特性改性。與包含具有改性的磁特性但卻通過不去除在磁性層的凹陷區(qū) 域中的表面層部分的方法而制備的區(qū)域的常規(guī)磁記錄介質(zhì)相比，具有包含這樣的改性的 磁特性的該凹陷區(qū)域的磁記錄介質(zhì)具有呈現(xiàn)清晰的對比度的磁記錄圖形并具有高SNR。 原因如下。首先，通過去除磁性層的凹陷區(qū)域中的表面層部分，新暴露的區(qū)域變得更 清楚并被更好地激活，因此，呈現(xiàn)與反應(yīng)性等離子體和反應(yīng)性離子的增強(qiáng)的反應(yīng)性；第 二，在新暴露的區(qū)域中引入了反應(yīng)性離子可以容易地滲入其中的表面缺陷，例如，微空 隙。通過例如離子銑削6而去除的磁性層的表面層部分的厚度(由圖3的步驟F中的 “d”表示)優(yōu)選在O.lnm到5nm的范圍內(nèi)。當(dāng)被去除的表面層部分的厚度小于O.lnm
時(shí)，通過去除該表面層部分所帶來的上述益處是不足的。相反，當(dāng)被去除的部分的厚度 大于5nm時(shí)，所產(chǎn)生的磁記錄介質(zhì)具有差的表面平滑度。這是因?yàn)楫?dāng)凹陷被暴露到反應(yīng) 性等離子體時(shí)，會進(jìn)一步蝕刻去除了表面層部分的凹陷，其被進(jìn)一步蝕刻。所產(chǎn)生的磁 記錄_再現(xiàn)裝置具有差的磁頭懸浮特性。在本發(fā)明中，磁性層的用于使例如磁記錄磁道和伺服信號圖形彼此磁性分離的 邊界區(qū)域優(yōu)選通過暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子而形成，由此使磁性層的該區(qū)域 的磁特性改性或劣化。通過暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，磁性層的凹陷被進(jìn)一步蝕刻。因 此，當(dāng)離子銑削步驟F和暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子的步驟二者都被執(zhí)行時(shí)， 凹陷的深度是通過該兩個(gè)步驟實(shí)現(xiàn)的總深度。該總深度優(yōu)選在O.lnm到9nm的范圍內(nèi)。在本說明書中使用的術(shù)語“磁性分離的磁記錄圖形”表示其中通過磁特性改性 的或磁化減小的邊界區(qū)域(凹陷)使磁記錄區(qū)域分離的磁記錄層中的磁記錄圖形，如從前 側(cè)觀察該多層結(jié)構(gòu)時(shí)所看到的。即使在這樣的實(shí)施例中也可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，在該 實(shí)施例中，在通過磁性層的上表面部分中的磁特性改性或磁化減小的邊界區(qū)域使磁性層 分離的情況下，即使在磁性層的最下部分中磁性層被未分離也是如此。因此，該實(shí)施例 同樣落入這里使用的磁性分離的磁記錄圖形的范圍內(nèi)。這里使用的術(shù)語“磁記錄圖形”表示廣義上的磁記錄圖形，所述磁記錄圖形包 括其中以每位有特定的規(guī)則度而設(shè)置磁記錄圖形的構(gòu)圖的介質(zhì)；其中以磁道方式設(shè)置磁 記錄圖形的介質(zhì)；以及伺服信號圖形。為了制造方法的簡單和容易，本發(fā)明優(yōu)選為離散型磁記錄介質(zhì)，其中磁性分離 的磁記錄圖形包括磁記錄磁道和伺服信號圖形。
用于形成本發(fā)明中的磁記錄圖形而進(jìn)行的在磁性層的邊界區(qū)域中的改性是指為 了形成磁記錄圖形而至少部分地改變磁性層的在其邊界區(qū)域中的磁特性，更具體地，降 低矯頑力或剩余磁化以及退磁。可以通過暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子使特定區(qū)域非晶化來形成磁性層 的使例如磁記錄磁道和伺服信號圖形彼此磁性分離的上述邊界區(qū)域。此外，還可以通過改變磁性層的晶體結(jié)構(gòu)，來使磁性層的邊界區(qū)域的磁特性改 性。本發(fā)明中的磁性層的非晶化是指將磁性層中的原子排列改變?yōu)榉情L程有序的不 規(guī)則的原子排列。更具體地，非晶化是指具有小于2nm的尺寸的微晶顆粒隨機(jī)排列。通 過X-射線衍射分析或電子射線衍射分析時(shí)不存在歸因于晶面的峰或僅僅存在暈圈來確認(rèn) 微晶顆粒的該隨機(jī)排列。在本發(fā)明中使用的反應(yīng)性等離子體包括例如感應(yīng)耦合等離子體(ICP)和反應(yīng)性 離子等離子體(RIE)。在本發(fā)明中使用的反應(yīng)性離子包括，例如，存在于上述感應(yīng)耦合 等離子體和反應(yīng)性離子等離子體中的反應(yīng)性離子。這里使用的感應(yīng)耦合等離子體是指通過以下方式獲得的高溫等離子體，S卩，向 氣體施加高電壓以形成等離子體，并進(jìn)一步施加高頻磁變化，以產(chǎn)生由等離子體內(nèi)部的 過電流(over-current)引起的焦耳熱。與常規(guī)地使用離子束來制造離散磁道介質(zhì)的情況相 比，感應(yīng)耦合等離子體具有高的電子密度并可以在具有大面積的磁性膜中高效地使磁性 層的磁特性改性。這里使用的反應(yīng)性離子等離子體是指通過將諸如02、SF6, CHF3、CF4或CCl4 并入等離子體中而獲得的高反應(yīng)性等離子體。當(dāng)使用其中已經(jīng)并入有反應(yīng)氣體的這樣的 反應(yīng)性離子等離子體作為在本發(fā)明的方法中的反應(yīng)性等離子體時(shí)，該等離子體可以以更 高的效率使磁性層的磁特性改性。反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子優(yōu)選地包含鹵素。對于鹵素離子，特別優(yōu)選的是 通過將選自CF4、SF6, chf3、CCl4以及Ka·的至少一種氣體鹵化物引入反應(yīng)性等離子體 或反應(yīng)性離子中而產(chǎn)生的鹵素離子。通過在反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子中鹵素的存在，磁性層的與用于改性磁性 層的凹陷區(qū)域的等離子體的反應(yīng)性被增強(qiáng)，從而所產(chǎn)生的磁記錄圖形的圖像變得更銳利 (sharp) 0其原因仍不清楚，但可以推測，反應(yīng)性等離子體中的鹵素離子蝕刻了沉積在磁 性層的表面上的外來物質(zhì)，從而清潔了磁性層的表面，結(jié)果增強(qiáng)了磁性層的反應(yīng)性。此 外，還可以推測，磁性層的清潔表面可以與鹵素離子高效率地反應(yīng)。在本發(fā)明中，通過暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子來實(shí)現(xiàn)對磁性層的改 性。優(yōu)選地，通過使構(gòu)成磁性層的磁性金屬與存在于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子中的 原子或離子反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)該改性。該反應(yīng)涉及使原子或離子侵入到磁性金屬中并導(dǎo)致例如 磁性金屬的晶體結(jié)構(gòu)的改變、磁性金屬的組成的改變、磁性金屬的氧化、磁性金屬的氮 化和/或磁性金屬的硅化。在用于去除磁性層的表面層部分的上述離子銑削步驟F和/或?qū)⒋判詫拥膮^(qū)域 暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子或者離子注入磁性層的區(qū)域的步驟之后，實(shí)施步驟 G，在步驟G中，去除剩余的抗蝕劑層4和剩余的掩模層3。通過例如干法蝕刻、反應(yīng)性離子蝕刻、離子銑削或濕法蝕刻的工序來實(shí)施該步驟G。在去除了抗蝕劑層4和掩模層3之后，在步驟H中將已經(jīng)在圖3的步驟F和G 中被激活的磁性層暴露到惰性氣體輻照11，由此使磁性層穩(wěn)定化，因而可以避免或最小 化在高溫和高濕度條件下磁性顆粒遷移的出現(xiàn)。通過暴露到惰性氣體輻照而獲得該益處 的原因還不清楚。但是，可以推測，惰性元素侵入到磁性層的表面層部分中，由此可以 抑制磁性顆粒的遷移，還可以推測，通過惰性氣體輻照而激活的表面層部分被去除，因 而磁性顆粒的遷移不會發(fā)生或僅以小的程度發(fā)生。對于惰性氣體11，為了穩(wěn)定性和抑制磁性顆粒遷移的增強(qiáng)的效果，優(yōu)選使用選 自Ar、He以及Xe的至少一種氣體。優(yōu)選地，通過使用選自離子槍、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)以及反應(yīng)性離子等離 子體(RIE)的至少一種手段的方法來實(shí)施暴露到惰性氣體輻照。其中，為了增強(qiáng)的輻照 強(qiáng)度，ICP和RIE是優(yōu)選的。用于ICP和RIE的工序已知上文中進(jìn)行了描述。如圖3的步驟I所示，在本發(fā)明的方法中形成保護(hù)性碳外涂層9，然后，優(yōu)選地 在保護(hù)性外涂層上涂覆潤滑劑(圖3未示出)，從而完成磁記錄介質(zhì)?？梢酝ㄟ^上文中提到的方法實(shí)現(xiàn)保護(hù)性碳外涂層9的形成，但是，特別優(yōu)選使 用CVD方法形成類金剛石碳膜。CVD方法和CVD裝置是公知的。優(yōu)選地，通過以下使用CVD方法的工序形成 保護(hù)性碳外涂層，以便碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度 大于碳外涂層的位于磁性層的構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。構(gòu)成了在用于制造本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的一個(gè)實(shí)施例中使用的裝置的主要部分 的CVD膜形成裝置具有在其中放置盤的腔；在腔內(nèi)的兩個(gè)側(cè)壁上彼此相對設(shè)置的電極； 用于將高頻電流供給到電極的高頻電源；連接到腔中的盤的偏置電源；以及作為用于將 形成在盤上的保護(hù)性碳外涂層的材料的反應(yīng)氣體的供應(yīng)源(supply source)。腔被連接到用于提供反應(yīng)氣體的入口管路(inletpipe)和用于抽出廢氣的廢氣管 路(exhaustpipe)。廢氣管路具有廢氣控制閥，由此控制廢氣的量以將腔內(nèi)的內(nèi)部壓力保 持在希望的水平。對于高頻電源，優(yōu)選使用能夠在形成保護(hù)性碳外涂層時(shí)向電極供給50到2000W 的功率的高頻電源。對于偏置電源，優(yōu)選使用高頻電源或脈沖直流電源以將等離子體會聚到磁記錄 圖形的構(gòu)成磁性區(qū)域的凸起，提高在所述凸起中的基團(tuán)密度，并提高在所述凸起上的膜 形成速率。高頻電源優(yōu)選能夠向盤施加10到300W的高頻功率。脈沖直流電源優(yōu)選能 夠以10到50000ns的脈寬和IOkHz到IGHz的頻率向盤施加-400V到IOV的電壓(平均 電壓)。優(yōu)選地，在保護(hù)性碳外涂層上形成潤滑層。潤滑層由例如含氟的潤滑劑、碳?xì)?化合物潤滑劑、或其混合物形成。潤滑層的厚度通常在1到4nm的范圍內(nèi)。在圖4中示例了根據(jù)本發(fā)明的磁記錄-再現(xiàn)裝置的實(shí)例的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的磁記 錄-再現(xiàn)裝置組合地包括本發(fā)明的上述磁記錄介質(zhì)30;用于沿記錄方向驅(qū)動磁記錄介 質(zhì)的驅(qū)動部34 ；包括記錄部和再現(xiàn)部的磁頭31 ；用于以與磁記錄介質(zhì)30相對運(yùn)動的方 式移動磁頭31的磁頭驅(qū)動部33 ；以及用于向磁頭31輸入信號并用于從磁頭31再現(xiàn)輸出信號的記錄和再現(xiàn)信號處理裝置32。包括上述裝置的組合的磁記錄-再現(xiàn)裝置可以提供高記錄密度。更具體地，在 該磁記錄-再現(xiàn)裝置的磁記錄介質(zhì)中，磁記錄磁道是磁離散的，因此，記錄磁頭寬度和 再現(xiàn)磁頭寬度在尺寸上可以彼此近似相同，從而獲得足夠高的再現(xiàn)輸出功率和高SNR。 這與其中再現(xiàn)磁頭寬度必須小于記錄磁頭寬度以最小化磁道邊緣中的磁化過渡區(qū)域的影 響的常規(guī)磁記錄介質(zhì)形成了鮮明的對比。通過將磁頭的再現(xiàn)部構(gòu)造為GMR頭或TMR頭，即使在高記錄密度的情況下也 可以獲得足夠高的信號強(qiáng)度，由此，可以提供具有高記錄密度的磁記錄裝置。當(dāng)磁頭以0.005 μ m到0.020 μ m的范圍內(nèi)的懸浮高度(其低于常規(guī)采用的懸浮高 度)懸浮時(shí)，輸出功率增大且SNR變大，由此磁記錄裝置可具有大尺寸和高可靠性。如果在磁記錄介質(zhì)中組合使用和積復(fù)合算法(sum-product compositealgorithm)的 信號處理電路，可以更進(jìn)一步地提高記錄密度，并且即使在以每英寸IOOk磁道或更高的 磁道密度或每英寸IOOOk比特或更高的線記錄密度或每平方英寸至少100G比特的高記錄 密度進(jìn)行記錄_再現(xiàn)時(shí)，也可以獲得足夠高的SNR。實(shí)例下面將通過以下實(shí)例和比較例更具體地描述本發(fā)明。實(shí)例1到7將用于HD的玻璃基底置于真空腔中，并將該腔排空到不大于1.0X10_5Pa的 壓力以去除空氣。所使用的玻璃基底由具有Li2Si205、Al2O3-K2CK MgO-P2O5以及 Sb2O3-ZuO的組合物的玻璃陶瓷構(gòu)成，并具有65mm的外徑和20mm的內(nèi)徑以及2埃的平 均表面粗糙度(Ra)。在玻璃基底上，通過DC濺射方法依次形成由65Fe-30Co_5B構(gòu)成的軟磁性襯 層、由Ru構(gòu)成的中間層、具有由Co-10Cr-20Pt-8 (SiO2)合金(緊接在元素前面的數(shù)字表 示該元素的摩爾百分比)構(gòu)成的粒狀結(jié)構(gòu)的垂直取向磁性層。FeCoB軟磁性襯層、Ru中 間層以及磁性層分別具有600埃、100埃和150埃的厚度。然后，通過濺射方法在磁性層上形成具有60nm的厚度的鉭(Ta)掩模層。通過 旋涂方法在鉭掩模層上形成抗蝕劑層?？刮g劑層由可紫外線固化的酚醛清漆樹脂構(gòu)成并 具有IOOnm的厚度。以IMPa(約8.8kgf/cm2)的壓力將具有與希望的磁記錄圖形對應(yīng)的負(fù)圖形的玻璃 壓模按壓到抗蝕劑層上。該玻璃壓模具有至少95%的紫外線(波長250nm)透射率。 在將壓模按壓到抗蝕劑層上的同時(shí)，用具有250nm波長的紫外線照射壓模的上表面10秒 以固化該抗蝕劑層。此后，將壓模從抗蝕劑層分離，由此將磁記錄圖形轉(zhuǎn)移到抗蝕劑層 上。如此轉(zhuǎn)移的磁記錄圖形具有的形狀使得抗蝕劑層中的凸起為具有120nm的寬度的圓 形且抗蝕劑層中的凹陷為具有60nm的寬度的圓形。經(jīng)構(gòu)圖的抗蝕劑層的厚度為80nm， 抗蝕劑層的凹陷部分的厚度為約5nm。凹陷部分與基底表面成約90度的角。通過干法蝕刻去除抗蝕劑層的凹陷部分和鉭掩模層的對應(yīng)部分。在下列條件下 進(jìn)行對抗蝕劑層的干法蝕刻。O2氣流速40SCCm ；壓力0.3Pa ；高頻等離子體功率 300W； DC偏置電壓30W;以及蝕刻時(shí)間10秒。在下列條件下進(jìn)行對鉭層的干法蝕 刻。CF4氣流速50sccm;壓力0.6Pa ；高頻等離子體功率500W ； DC偏置電壓60 W;以及蝕刻時(shí)間30秒。然后，通過使用Ar離子的離子銑削，去除磁性層的與抗蝕劑層和鉭掩模層的被 去除的凹陷部分對應(yīng)的暴露的表面部分。離子銑削條件如下。高頻輸出功率800W; 加速電壓500V;壓力0.014Pa;氬氣流速5sccm ；以及電流密度0.4mA/cm2。通 過離子銑削去除的磁性層的表面部分的厚度(通過離子銑削形成的在磁性層中的深度)在 實(shí)例1中為O.lnm，在實(shí)例2中為lnm，在實(shí)例3_5中為4nm，在實(shí)例6中為6nm，在實(shí) 例7中為llnm。此后，將磁性層的經(jīng)離子銑削的表面部分暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離 子，以使磁性層的表面部分的磁特性改性。使用感應(yīng)耦合等離子體(ICP)裝置(從 ULVAC Inc.可得的“NE550”)進(jìn)行對反應(yīng)性等離子體的暴露。等離子體發(fā)射條件如 下。CF4的流速90cc/分鐘；輸入功率200W ；裝置內(nèi)的壓力0.5Pa ；以及處理時(shí) 間300秒。在暴露到CF4之后，進(jìn)行暴露到氧氣50秒。此后，通過在下列條件下的干法蝕刻去除殘留在多層結(jié)構(gòu)的表面上的抗蝕劑層 的剩余部分和Ta掩模層的剩余部分。SF6氣的流速lOOsccm ；壓力2.0Pa;高頻等離 子體功率400W ；以及處理時(shí)間300秒。此后，在以下條件下使用氬氣對磁性層的表面進(jìn)行氬離子注入。氬氣的流速 5sccm ；壓力0.014Pa;加速電壓300V ；電流密度0.4mA/cm2 ；以及處理時(shí)間 10秒。在下面的表1中示出了磁性層中的凸起與凹陷之間的高度差(nm)。通過使用RF等離子體CVD裝置的CVD方法，形成碳(DLC 類金剛石碳)的 保護(hù)性外涂層。以13.56MHz的頻率施加500W的功率持續(xù)10秒。對于保護(hù)性碳外涂層 的形成，將脈寬為200nm且頻率為200kHz的-150V的直流脈沖電壓施加到基底。在形成保護(hù)性碳外涂層之后，測量保護(hù)性碳外涂層的下列特性，并在表1中示 出了結(jié)果。碳外涂層的位于凸起上的部分的上表面與碳外涂層的位于凹陷上的部分的下 表面之間的高度差(nm)；碳外涂層的位于凸起上的厚度(nm)；以及碳外涂層的位于凹 陷上的厚度(nm)。最終，用潤滑劑Z-dol 2000涂覆該多層結(jié)構(gòu)，以形成具有20埃厚度的潤滑劑薄 膜。由此，完成磁記錄介質(zhì)的制造。通過下列方法評估每個(gè)磁記錄介質(zhì)的環(huán)境耐性。在空氣中在80°C的溫度下和 85%的濕度下保持磁記錄介質(zhì)96小時(shí)。此后，對出現(xiàn)在磁記錄介質(zhì)的表面上的具有5 μ 或更大的直徑的侵蝕點(diǎn)的數(shù)目進(jìn)行計(jì)數(shù)。以每個(gè)點(diǎn)100微升的量將3%的硝酸水溶液滴到磁記錄介質(zhì)表面上的5個(gè)點(diǎn)上。 還以每個(gè)點(diǎn)100微升的量將純水滴到磁記錄介質(zhì)表面上的5個(gè)點(diǎn)上。在靜置1小時(shí)之后， 收集樣品以通過ICP-MS確定包含在其中的鈷的量。在通過ICP-MS的該確定中，使用 包含200ppm的Y的1毫升的3%硝酸水溶液作為參考液體。在表1中示出了評估結(jié)果。比較例1到4除了在不向基底施加偏置電壓的條件下進(jìn)行通過CVD方法形成保護(hù)性碳外涂層 之外，通過與上述實(shí)例1-7相同的工序制造磁記錄介質(zhì)。評估碳外涂層的特性和磁記錄介質(zhì)的環(huán)境耐性。在表1中示出了結(jié)果。
表權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，其包括具有磁記錄圖形的磁性層和所述磁性層上的連續(xù)的保護(hù) 性碳外涂層，所述磁記錄圖形包括構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成用于分離所述磁記錄區(qū) 域的邊界區(qū)域的凹陷，所述磁記錄介質(zhì)的特征在于，所述碳外涂層的位于所述磁性層的 所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度大于所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述 構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁記錄介質(zhì)，其中所述邊界區(qū)域具有改性的磁特性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的磁記錄介質(zhì)，其中所述磁性層的所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起 與所述磁性層的所述構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷之間的高度差在O.lnm到9nm的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任何一項(xiàng)的磁記錄介質(zhì)，其中所述碳外涂層的位于所述磁性 層的所述凸起上的部分的上表面與所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述凹陷上的部分 的上表面之間的高度差在Inm到IOnm的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任何一項(xiàng)的磁記錄介質(zhì)，其中所述碳外涂層的位于所述磁性 層的所述凸起上的部分具有在Inm到5nm的范圍內(nèi)的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任何一項(xiàng)的磁記錄介質(zhì)，其中由所述磁性層中的所述凹陷構(gòu) 成的所述邊界區(qū)域由氧化物構(gòu)成。
7.—種用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，包括以下步驟形成具有磁記錄圖形的磁性層，所述磁記錄圖形包括構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成 用于分離所述磁記錄區(qū)域的邊界區(qū)域的凹陷，以及在所述磁性層上形成連續(xù)的保護(hù)性碳外涂層，其特征在于，通過CVD方法以這樣的方式實(shí)施所述連續(xù)的碳外涂層的形成，所述方 式使所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度大于 所述碳外涂層的位于所述磁性層的所述構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中對連續(xù)的磁性層中的將被形 成為所述邊界區(qū)域的區(qū)域進(jìn)行離子銑削以形成包括所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和所述構(gòu) 成邊界區(qū)域的凹陷的磁記錄圖形，然后，在所述磁性層上形成所述連續(xù)的保護(hù)性碳外涂 層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中，在通過離子銑削連續(xù)的磁性 層中的所述區(qū)域而形成具有磁記錄圖形的所述磁性層的步驟之后但在形成所述保護(hù)性碳 外涂層的步驟之前，通過將經(jīng)離子銑削的邊界區(qū)域暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子 或者通過在經(jīng)離子銑削的邊界區(qū)域中進(jìn)行離子注入來進(jìn)行對所述邊界區(qū)域的磁特性改性 的步驟，其中所述磁記錄圖形包括所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起和所述構(gòu)成邊界區(qū)域的凹 陷。
10.—種用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，該方法包括依次實(shí)施的下列步驟(a)到(f)(a)在非磁性基底的表面上形成連續(xù)的磁性層；(b)在所述磁性層上形成用于形成磁記錄圖形的掩模層；(c)對所述掩模層進(jìn)行構(gòu)圖；(d)在所述掩模層保留在將被形成為磁記錄區(qū)域的區(qū)域上的同時(shí)，對所述磁性層中的 將被形成為用于分離所述磁記錄區(qū)域的邊界區(qū)域的區(qū)域進(jìn)行離子銑削，由此在所述磁性 層中形成構(gòu)成所述磁記錄區(qū)域的凸起和構(gòu)成所述邊界區(qū)域的凹陷；(e)去除所述掩模層；以及然后(f)通過CVD方法以這樣的方式在所述磁性層上形成連續(xù)的保護(hù)性碳外涂層，所述 方式使所述碳外涂層的位于磁性層的所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度大于所 述碳外涂層的位于磁性層的所述構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，其還包括在所述離子銑削步驟 (d)之后但在所述掩模層去除步驟(e)之前對磁性層的所述邊界區(qū)域的磁特性改性的步 驟，其中將經(jīng)離子銑削的邊界區(qū)域暴露到反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，或者在經(jīng)離子 銑削的邊界區(qū)域中實(shí)施離子注入。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中通過采用選自下列工 序[1]、[2]和[3]的工序在所述保護(hù)性碳外涂層形成步驟(f)中形成所述連續(xù)的保護(hù)性碳 外涂層，以便所述碳外涂層的位于磁性層的所述構(gòu)成磁記錄區(qū)域的凸起上的部分的厚度 大于所述碳外涂層的位于磁性層的所述構(gòu)成邊界區(qū)域的凹陷上的部分的厚度工序[1]:在所述保護(hù)性碳外涂層形成步驟(f)中在將偏置電壓施加到所述基底的同 時(shí)通過CVD方法形成所述保護(hù)性碳外涂層，工序[2]在所述掩模層去除步驟(e)之后但在步驟(f)中的形成所述保護(hù)性碳外涂 層之前，在所述磁性層中的所述磁記錄區(qū)域和所述邊界區(qū)域中進(jìn)行離子注入，以及工序[3]在所述掩模層去除步驟(e)之后但在步驟(f)中的形成所述保護(hù)性碳外涂 層之前，在所述掩模保留在磁性層中的所述邊界區(qū)域上的同時(shí)在磁性層的所述磁記錄區(qū) 域中進(jìn)行離子注入，由此粗糙化所述磁記錄區(qū)域。
13.—種磁記錄/再現(xiàn)裝置，其特征在于組合地包括根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一項(xiàng) 的磁記錄介質(zhì)或通過權(quán)利要求7到12中任一項(xiàng)的方法制造的磁記錄介質(zhì)；用于沿記錄方 向驅(qū)動所述磁記錄介質(zhì)的驅(qū)動部；包括記錄部和再現(xiàn)部的磁頭；用于以與所述磁記錄介 質(zhì)相對運(yùn)動的方式移動所述磁頭的裝置；以及用于向所述磁頭輸入信號并用于從所述磁 頭再現(xiàn)輸出信號的記錄和再現(xiàn)信號處理裝置。
全文摘要
一種磁記錄介質(zhì)，其具有磁記錄圖形，其中通過形成邊界區(qū)域的凹部來隔離形成磁性層的磁記錄區(qū)域的凸部。在所述磁性層上，形成連續(xù)的碳保護(hù)膜。所述凸部上的所述碳保護(hù)膜被形成為比所述凹部上的所述碳保護(hù)膜厚。所述碳保護(hù)膜是通過CVD方法形成的。所述凹部的邊界區(qū)域優(yōu)選具有通過將該區(qū)域暴露到等離子體等而改性的磁特性。所述磁記錄介質(zhì)的所述磁記錄區(qū)域不容易被侵蝕，從而所述磁記錄介質(zhì)具有高的環(huán)境耐性。
文檔編號G11B5/72GK102016988SQ20098011611
公開日2011年4月13日 申請日期2009年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月5日
發(fā)明者福島正人 申請人:昭和電工株式會社