專利名稱：布線電路基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及布線電路基板，具體涉及帶電路的懸掛基板或柔性布線電路基 板等布線電路基板。
背景技術：
帶電路的懸掛基板或柔性布線電路基板等布線電路基板具備例如基底絕 緣層、形成于該基底絕緣層上的包含多條布線的導體層以及形成于基底絕緣層 上覆蓋該導體層的覆蓋絕緣層。
例如，為了穩(wěn)定導體層的阻抗、抑制串音的發(fā)生，提出了具備第2絕緣 層(第2層)；在其之上、寬度方向上隔開間隔配置的第2寫入用導體和第2讀 取用導體；覆蓋這些導體的第l絕緣層(第l層)；以及在其之上、寬度方向上
隔開間隔配置的第l寫入用導體和第l讀取用導體的磁盤用懸掛布線部(例如參
照日本專利特開2004-133988號公報。)的技術方案。所以，在該布線部中， 第2寫入用導體和第1讀取用導體以相同的寬度在厚度方向互相對向配置時，第 2讀取用導體和第1寫入用導體也以相同的寬度在厚度方向互相對向配置。

發(fā)明內容
但是，對于形成日本專利特開2004-133988號公報所提出的布線部，由于 是在形成了第2寫入用導體和第2讀取用導體之后，形成第l絕緣層以使其覆 蓋這些導體，所以在第2寫入用導體和第2讀取用導體的寬度方向的兩端部， 對于覆蓋其上的第1絕緣層，會產生與第2寫入用導體和第2讀取用導體相對 應的大階差。
因此，若對形成該階差的第1絕緣層，分別以與第2讀取用導體和第2寫 入用導體相同寬度形成第1寫入用導體和第1讀取用導體，則由于階差的原因， 可能會產生第1寫入用導體和第1讀取用導體的位置偏差，使配置精度降低。 其結果是，有時會導致布線部中的阻抗變得不穩(wěn)定的不良情況。本發(fā)明的目的在于提供一種可以使第2布線的配置精度優(yōu)化、第l布線和
第2布線的阻抗穩(wěn)定的布線電路基板。
本發(fā)明的布線電路基板的特征在于，具備第l絕緣層；形成于上述第1 絕緣層上的第1布線；形成于上述第1絕緣層上以覆蓋上述第1布線的第2絕 緣層；以及形成于上述第2絕緣層的與上述第1布線在厚度方向上對向配置、 寬度比上述第1布線窄的第2布線。
另外，在本發(fā)明的布線電路基板中，上述第l布線和上述第2布線最好是 分別對應于讀取布線和寫入布線而設置。
在本發(fā)明的布線電路基板中，即使覆蓋第l布線的第2絕緣層上產生階差， 由于第2布線的寬度比第l布線的寬度窄，則在第2絕緣層中的階差內側的平 坦部分形成第2布線，這樣可以提高第2布線的配置精度。其結果是，可以確 實地穩(wěn)定第1布線和第2布線的阻抗。


圖1是表示本發(fā)明的布線電路基板的一個實施形態(tài)(為帶電路的懸掛基板 的形態(tài))的關鍵部位的剖面圖。
圖2是表示圖1所示布線電路基板的制造方法的工序的剖面圖，
(a) 表示準備金屬支承基板的工序；
(b) 表示在金屬支承基板上形成基底絕緣層的工序； (C)表示在基底絕緣層上形成第1布線的工序；
(d) 表示在基底絕緣層上形成中間絕緣層的工序；
(e) 表示在中間絕緣層上形成第2布線的工序；
(f) 表示在中間絕緣層上形成覆蓋絕緣層的工序。
圖3是表示本發(fā)明的布線電路基板的其他實施形態(tài)(為柔性布線電路基板
的形態(tài))的關鍵部位的剖面圖。
圖4是表示比較例1的帶電路懸掛基板的關鍵部位的剖面圖。
具體實施例方式
圖l是表示本發(fā)明的布線電路基板的一個實施形態(tài)的關鍵部位的剖面圖，
圖2是表示圖1所示布線電路基板的制造方法的工序的剖面圖。圖1中，該布線電路基板l是安裝于硬盤驅動器的帶電路的懸掛基板，具備 沿長邊方向延伸的金屬支承基板2和形成于金屬支承基板2上的作為第1絕緣層 的基底絕緣層3。布線電路基板l還具備形成于基底絕緣層3上的第1布線4;
形成于基底絕緣層3上以覆蓋第1布線4的、作為第2絕緣層的中間絕緣層5;形 成于中間絕緣層5上的第2布線6;以及形成于中間絕緣層5上以覆蓋第2布線6的 覆蓋絕緣層7。
金屬支承基板2由平板狀的金屬箔或金屬薄板形成。金屬支承基板2的厚度 為例如10 30pm，最好是15 25網。
基底絕緣層3形成于金屬支承基板2的表面。更具體地說，基底絕緣層3是 在寬度方向(與長邊方向正交的方向)上形成于金屬支承基板2的整個上表面。 基底絕緣層3的厚度為例如l 10pm，最好是l 5iam。
第1布線4形成于基底絕緣層3的表面，沿長邊方向平行狀地設置多條(例 如2條)。另外，各第1布線4形成為剖面視近似矩形的形狀。還有，對于各第l 布線4的長邊方向的兩端部，設置未圖示的第l端子部。這些第1布線4和第1端 子部連續(xù)形成為布線電路布圖。
然后，各第1布線4與后述的第2布線6，分別對應于讀取布線和寫入布線而 設置，更具體地說，第1布線4具備第1讀取布線4R和第1寫入布線4W。第l讀取 布線4R配置于寬度方向的一側(圖l的左側)，而第1寫入布線4W配置于寬度方 向的另一側(圖l的右側)，并與第1讀取布線4R隔開間隔設置。
另外，第l布線4的厚度為例如l 50iiim，最好是5 15(im。另外，各第l布 線4的寬度(寬度方向的長度)為例如15 21(Vm，最好是20 50^im。另外，各 第1布線4之間的間隔(是寬度方向的間隔，第1讀取布線4R和第1寫入布線4W之 間的間隔)為例如10 200^un，最好是15 50pra。
中間絕緣層5覆蓋第1布線4和基底絕緣層3的表面。更具體地說，中間絕緣 層5在寬度方向上形成于包含第1布線4的基底絕緣層3的整個上表面。另外，在 中間絕緣層5，覆蓋第1布線4的上表面和側面的部分(膨出部分)12，相對于 覆蓋從第1布線4露出的基底絕緣層3 (各第1布線4之間除去兩端部的寬度方向 的中央)的表面的基底側平坦部分16，向厚度方向的上方膨出。另外，膨出部 分12中，形成于各第1布線4的上側(除去寬度方向兩側)的部分為布線側平坦 部分IO，形成于各第1布線4的寬度方向兩側(更具體地說，寬度方向兩側斜上 方)的部分為第l階差部分(肩部)11。形成各第l階差部分ll，使其上表面從布線側平坦部分10的寬度方向兩端部向下側彎曲后，直到基底側平坦部分16的 寬度方向兩端部為止，以使各第1階差部分11與第1布線4的角部(第1布線4上 表面的寬度方向的兩端邊緣)對應。此外，對中間絕緣層5進行開口，以使未 圖示的第l端子部露出。
中間絕緣層5的厚度中，基底側平坦部分16的厚度(基底側平坦部分16的 上表面和基底絕緣層3的上表面之間的長度)D2為例如l 15pm，最好是3 10Hra;布線側平坦部分10的厚度(布線側平坦部分10的上表面和第1布線4的上 表面之間的長度)Dl為例如l 15nm，最好是3 7pm。
布線側平坦部分10的寬度Wl為例如10 195nm，最好是15 50]ini。另外， 第l階差部分ll的寬度W2為例如10nm以下，最好是2^im以下。
第2布線6形成于中間絕緣層5的表面，沿長邊方向平行狀地設置多條(例 如2條)。g卩，第2布線6與各第1布線4在厚度方向上方對向配置，形成于中間 絕緣層5的布線側平坦部分10的上表面。更具體地說，各第2布線6形成于布線 側平坦部分10的寬度方向兩端部中央的上表面，也就是說，各第2布線6是對該 布線側平坦部分10的上表面的寬度方向兩端部設置未形成第2布線6的邊緣部 分13而形成的。另外，各第2布線6形成為剖面視近似矩形的形狀。還有，對各 第2布線6的長邊方向兩端部設置未圖示的第2端子部。這些第2布線6和第2端子
部連續(xù)形成為布線電路布圖。
然后，各第2布線6和各第1布線4分別對應于讀取布線和寫入布線而設置， 更具體的，第2布線6具備第2讀取布線6R和第2寫入布線6W。第2讀取布線6R配 置于寬度方向的一側(圖l中的左側)的同時，第2寫入布線6W配置于寬度方向 的另一側(圖l的右側)、并與第2讀取布線6R隔開間隔設置。
由此，第2讀取布線6R與第1讀取布線4R在厚度方向上方對向配置，而第2 寫入布線6W與第1寫入布線4W在厚度方向上方對向配置。
第2布線6的厚度為例如1 50網，最好是5 15pn。
各第2布線6的寬度要比各第l布線4的寬度短例如5 100nm而形成，最好是 短10 30pm而形成。另外，第2布線6的寬度為例如5 200pm，最好是10 50網。
另外，各第2布線6之間的間隔為例如15 250prn，最好是20 80^im。
另外，布線側平坦部分10的各邊緣部分13的寬度(寬度方向長度)W3為例 如5 200pm，最好是10 50pm。
覆蓋絕緣層7覆蓋第2布線6和中間絕緣層5的表面。更具體地說，覆蓋絕緣層7在寬度方向上形成于包含第2布線6的中間絕緣層5的整個上表面。另外，對 于覆蓋絕緣層7，在中間絕緣層5的基底側平坦部分16上形成為平坦狀，然后， 分別形成向厚度方向上方膨出的部分作為第2階差部分14和第3階差部分15，使 其與中間絕緣層5的第1階差部分11和第2布線6對應。還有，對于第2階差部分 14和第3階差部分15，其上表面形成為與第l階差部分ll的上表面近似相同的形 狀。還有，對覆蓋絕緣層7進行開口，以使未圖示的第2端子部露出。
覆蓋絕緣層7的厚度(平坦部分的厚度)為例如2 10pm,最好是3 6pra。 接著，參照圖2對該布線電路基板1的制造方法進行說明。 首先，在該方法中，如圖2 (a)所示，準備金屬支承基板2。作為形成金 屬支承基板2的金屬材料，使用例如不銹鋼、42合金等，最好是使用不銹鋼(例 如基于AISI (美國鋼鐵協(xié)會)標準的SUS304等)等。
然后，在該方法中，如圖2 (b)所示，在金屬支承基板2上形成基底絕緣層3。
作為形成基底絕緣層3的絕緣材料，使用例如聚酰亞胺、聚醚腈、聚醚砜、 聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氯乙烯等合成樹脂。在這些材料 中，較好的是使用感光性的合成樹脂，最好是使用感光性聚酰亞胺。
對于形成基底絕緣層3，例如對金屬支承基板2的整個上表面均勻涂敷上述 合成樹脂溶液(清漆)后，進行干燥，然后根據(jù)需要通過加熱使之硬化而形成。
另外，基底絕緣層3也可以通過涂敷感光性的合成樹脂、干燥后曝光并顯 影、根據(jù)需要使之硬化，從而形成為布圖。此外，基底絕緣層3的形成并不限 于上述方法，例如，也可以預先將合成樹脂形成為薄膜，將該薄膜用公知的粘 合劑層貼到金屬支承基板2的表面。
然后，在該方法中，如圖2 (c)所示，在基底絕緣層3上以上述布圖形成 第1布線4和未圖示的第1端子部。
作為形成第1布線4和未圖示的第1端子部的材料，使用例如銅、鎳、金、 焊錫或這些材料的合金等金屬材料。在這些材料中，最好是用銅。
對于形成第l布線和第l端子部，采用例如加成法(additive method)、減 成法(subtractive method)等公知的布圖形成法。最好是采用加成法。
在加成法中，首先，在基底絕緣層3的整個上表面形成未圖示的第1金屬薄 膜(種膜)。作為第l金屬薄膜，使用銅、鉻、鎳以及這些材料的合金等金屬 材料。利用濺射、鍍敷等薄膜形成方法形成第l金屬薄膜。最好是用濺射法形成第l金屬薄膜。
然后，在第l金屬薄膜表面設置干膜抗蝕劑，將其曝光并顯影，形成與第l 布線4和第1端子部相反布圖的未圖示的鍍敷保護膜。然后，通過鍍敷，在從鍍
敷保護膜露出的第1金屬薄膜的表面形成第1布線4和第1端子部作為布線電路
布圖，再利用刻蝕等方法除去鍍敷保護膜和形成有鍍敷保護膜的部分的第l金 屬薄膜。
然后，在該方法中，如圖2 (d)所示，在基底絕緣層3上形成中間絕緣層5 以覆蓋第1布線4。
作為形成中間絕緣層5的絕緣材料，使用與上述基底絕緣層3相同的絕緣材料。
對于形成中間絕緣層5，例如，在包含第1布線4的基底絕緣層3的整個上表 面均勻涂敷上述合成樹脂的溶液(清漆)后，進行干燥，然后根據(jù)需要加熱使 之硬化而形成。
另外，中間絕緣層5也可以通過涂敷感光性的合成樹脂、干燥后曝光并顯 影、根據(jù)需要使之硬化，從而形成為布圖。此外，中間絕緣層5的形成并不限 于上述方法，例如，也可以預先將合成樹脂形成為薄膜，將該薄膜用公知的粘 合劑層貼到包含第1布線4的基底絕緣層3的表面。
然后，在該方法中，如圖2 (e)所示，在中間絕緣層5上以上述布圖形成 第2布線6和未圖示的第2端子部。
作為形成第2布線6和第2端子部的材料，使用與上述第1布線4和第1端子部 相同的材料。
對于形成第2布線6和第2端子部，采用與上述相同的布圖形成法，最好是 用加成法。
在加成法中，首先，在中間絕緣層5的整個上表面形成未圖示的第2金屬薄 膜(種膜)。作為第2金屬薄膜，使用與上述同樣的金屬材料。利用上述相同 的薄膜形成方法、最好是濺射法形成第2金屬薄膜。
然后，在第2金屬薄膜表面，設置干膜抗蝕劑，將其曝光并顯影，形成與 第2布線6和第2端子部相反布圖的未圖示的鍍敷保護膜。然后，利用鍍敷，在 從鍍敷保護膜露出的第2金屬薄膜的表面形成第2布線6和第2端子部作為布線
電路布圖，然后，利用刻蝕等方法除去鍍敷保護膜和形成有鍍敷保護膜的部分 的第2金屬薄膜。由此，可以形成第2布線6，使其與第1布線4在厚度方向上對向配置，且其 寬度比第l布線的寬度要窄。
然后，在該方法中，如圖2 (f)所示，在中間絕緣層5上形成覆蓋絕緣層7 以覆蓋第2布線6。
作為形成覆蓋絕緣層7的絕緣材料，使用與上述基底絕緣層3相同的絕緣材料。
對于形成覆蓋絕緣層7，例如，在包含第2布線6的中間絕緣層5的整個上表 面均勻涂敷了上述合成樹脂的溶液(清漆)后，進行干燥，然后根據(jù)需要加熱 使之硬化而形成。
另外，覆蓋絕緣層7也可以通過涂敷感光性的合成樹脂，干燥后曝光并顯 影，根據(jù)需要使之硬化，從而形成為布圖。此外，覆蓋絕緣層7的形成并不限 于上述方法，例如，也可以預先將合成樹脂形成為薄膜，將該薄膜用公知的粘 合劑層貼到包含第2布線6的中間絕緣層5的表面。
之后，根據(jù)需要，對金屬支承基板2進行外形加工使其形成為所期望的形 狀，獲得布線電路基板l。
因此，在該布線電路基板l中，即使覆蓋第1布線4的中間絕緣層5中產生第 l階差部分ll，但由于各第2布線6的寬度比各第1布線4的寬度要窄，所以在中 間絕緣層5中的第1階差部分11內側的布線側平坦部分10的上表面形成第2布線 6，這樣可以提高第2布線6的配置精度。其結果是，可以確實穩(wěn)定第1布線4和 第2布線6的阻抗。
另外，第1布線4和第2布線6是作為讀取布線和寫入布線，即第l讀取布線 4R、第2讀取布線6R、第1寫入布線4W和第2寫入布線6W而設置的。另外，由于 第U賣取布線4R和第2讀取布線6R在厚度方向上對向配置，因此可以穩(wěn)定向其輸 入的讀取信號的阻抗。而且，由于第1寫入布線4W和第2寫入布線6W在厚度方向 上對向配置，所以可以穩(wěn)定向其輸入的寫入信號的阻抗。
還有，上述說明中，由第1讀取布線4R和第1寫入布線4W形成第1布線4，由 第2讀取布線6R和第2寫入布線6W形成第2布線6，但并不限定于此，雖然未圖示， 但例如也可以僅由讀取布線(第1讀取布線4R和第2讀取布線4R')形成第1布線4， 并且僅由寫入布線(第1寫入布線4W和第2寫入布線4W')形成第2布線6。或者， 也可以是僅由寫入布線形成第1布線4，并且僅由讀取布線形成第2布線6。
另外，上述說明中，將本發(fā)明的布線電路基板作為具備金屬支承基板2的帶電路懸掛基板來舉例說明，但是本發(fā)明的布線電路基板并不限于此，例如圖
3所示，也可以形成為不具備金屬支承基板2的柔性布線電路基板21。
以下表示實施例和比較例，更加具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限定 于任何實施例和比較例。 實施例l
首先，準備厚25(Lim的由不銹鋼(SUS304)箔形成的金屬支承基板(參照圖 2 (a))，然后，在金屬支承基板的整個上表面，通過涂敷感光性聚酰亞胺酸 樹脂的清漆、干燥后曝光并顯影、再加熱硬化，從而形成厚l(Hira的由聚酰亞胺 形成的基底絕緣層(參照圖2 (b))。
然后，在基底絕緣層上利用加成法形成第l布線和第l端子部。 在加成法中，在基底絕緣層的整個上表面，利用鉻濺射和銅濺射依次形成 厚0.03pm的鉻膜和厚0.07^的銅膜，作為第l金屬薄膜，然后，在第l金屬薄膜 的表面形成與第l布線和第l端子部相反布圖的鍍敷保護膜。然后，在從鍍敷保 護膜露出的第l金屬薄膜的表面，利用電解鍍銅形成厚l(^m的第l布線和第l端 子部。然后，利用化學刻蝕除去鍍敷保護膜和形成有鍍敷保護膜的部分的第l 金屬薄膜(參照圖2 (c))。
還有，各第l布線的寬度為50pm，各第l布線間的間隔為25iim。 然后，在包含第l布線的基底絕緣層的整個上表面，通過涂敷感光性聚酰 亞胺酸樹脂的清漆、干燥后曝光并顯影、再加熱硬化，從而形成由聚酰亞胺形 成的中間絕緣層(參照圖2 (d))。
還有，在中間絕緣層，形成基底側平坦部分和由布線側平坦部分與第l階 差部分所形成的膨出部分。布線側平坦部分的厚度為5^m。另外，布線側平坦 部分的寬度為48^im，第l階差部分的寬度為22pm。
然后，在中間絕緣層上，利用加成法形成第2布線和第2端子部。 在加成法中，在中間絕緣層的整個上表面，利用鉻濺射和銅濺射依次形成 厚0.03網的鉻膜和厚0.07nra的銅膜，作為第2金屬薄膜，然后，在第2金屬薄膜 的表面，形成與第2布線和第2端子部相反布圖的鍍敷保護膜。然后，在從鍍敷 保護膜露出的第2金屬薄膜的表面，利用電解鍍銅形成厚l(Hun的第2布線和第2 端子部。然后，利用化學刻蝕除去鍍敷保護膜和形成有鍍敷保護膜的部分的第 2金屬薄膜(參照圖2 (e))。
還有，各第2布線與各第1布線在厚度方向上對向配置，并形成于布線側平坦部分的上表面寬度方向的中央。各第2布線的寬度比各第1布線的寬度短
25拜，即寬度為25網。各第2布線間的間隔為50拜。另外，布線側平坦部分的 邊緣部分的寬度為23pm。
然后，在包含第2布線的中間絕緣層的整個上表面，通過涂敷感光性聚酰 亞胺酸樹脂的清漆、干燥后曝光并顯影、再加熱硬化，形成厚(平坦部分的厚 度)5pm的、由聚酰亞胺形成的覆蓋絕緣層(參照圖1和圖2 (f))。之后，通 過刻蝕將金屬支承基板切割成所期望的形狀，獲得帶電路的懸掛基板。
比較例l
除了在第l布線的形成中，將第l布線的寬度變?yōu)?5pm (即與第2布線的寬 度相同)以外，實施與實施例l相同的處理，獲得帶電路的懸掛基板(參照圖4)。
還有，第l布線間的間隔為25pin，中間絕緣層的布線側的平坦部分的寬度 為20,
(評價)
1) SEM觀察
將實施例l和比較例l的帶電路懸掛基板，利用機械研磨法沿寬度方向切 斷，用SEM (電子顯微鏡)觀察其切面(寬度方向的剖面)。
其結果確認了實施例l中，沒有產生第2布線的位置偏差，俯視時第2布線 包含于第l布線中。
另一方面，確認了比較例l中，如圖4所示，產生第2布線的位置偏差(即 從原來的形成位置(虛線)偏移到實際形成位置(實線)的位置偏差)，俯視 時第2布線的寬度方向的一個端部沒有包含在第1布線中。
2) 特性阻抗
對實施例l和比較例l的帶電路的懸掛基板，利用TDR (Time Domain Reflectometry:時間域反射計)測定了第1布線和第2布線的特性阻抗的變動 幅度。
其結果是，實施例1的特性阻抗的變動幅度為5Q，與此相對的，比較例l 的特性阻抗的變動幅度為15Q。
此外，上述說明是作為本發(fā)明例示的實施形態(tài)而提供的，這僅僅是例示， 并不能作為限定的解釋。本技術領域的從業(yè)人員所了解的本發(fā)明的變形例也包 含于后述的權利要求范圍內。
權利要求
1. 一種布線電路基板，其特征在于，具備第1絕緣層；形成于所述第1絕緣層上的第1布線；形成于所述第1絕緣層上以覆蓋所述第1布線的第2絕緣層；以及形成于所述第2絕緣層上的與所述第1布線在厚度方向上對向配置、寬度比所述第1布線的寬度窄的第2布線。
2. 如權利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，所述第1布線和所述第2布線分別對應于讀取布線和寫入布線而設置。
全文摘要
布線電路基板具備第1絕緣層；形成于第1絕緣層上的第1布線；形成于第1絕緣層上以覆蓋第1布線的第2絕緣層；以及形成于第2絕緣層上的、與第1布線在厚度方向上對向配置、寬度比第1布線更窄的第2布線。
文檔編號G11B5/48GK101414464SQ20081016604
公開日2009年4月22日 申請日期2008年10月15日 優(yōu)先權日2007年10月15日
發(fā)明者V·Y·何, 大澤徹也, 龜井勝利 申請人:日東電工株式會社