專利名稱：試寫方法及信息記錄裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于通過給記錄介質(zhì)注入能量形成與未記錄部分不同的 標記來記錄信息的試寫方法及信息記錄裝置。
技術背景為了在光盤上高精度記錄信息要進行試寫。所謂試寫，是指為形成更高質(zhì) 量的記錄標記，根據(jù)當時的環(huán)境溫度和在驅(qū)動器上搭載的激光的特性等求最佳 記錄參數(shù)的的動作。DVD—RW、 DVD + RW、 BD—RE等的光盤，在記錄膜 上使用稱為所謂的共晶系的成分的材料。在現(xiàn)在正在產(chǎn)品化的記錄裝置中，通 常，在這些光盤上進行試寫的場合，首先讀出預先書寫在光盤上的記錄條件， 其后進行激光功率的調(diào)整。這里所謂的記錄條件，是例如用作為大激光功率的 記錄功率級(Pw)和作為中間功率的消隱功率級(Pe)、偏置功率級(Pb)表 示的激光功率設定值，或構成多脈沖波形的開始脈沖和后續(xù)的多個中間脈沖以 及結束脈沖的各脈沖寬度。在實際試寫時，以這些條件為基礎，采用如下方法固定在光盤上預先寫 入的Pw和Pe的比，把激光功率作為參數(shù)，求記錄最佳條件。這種方法稱為 Optimum Power Control ( OPC )。在BD 1倍速或者DVD—RW 2.4倍速等比 較低速的記錄中，通過進行只變化這樣的Pw/Pe固定的激光功率的試寫，可以 得到良好的記錄質(zhì)量。這些光盤中的高速記錄重放技術的研究開發(fā)正在發(fā)展。例如，在Optical Data Storage 2003, Proceedings of SPIE Vol. 5069 ( 2003 ) , p130 (非專利文獻1 ) 中描述了相當于BD6倍速記錄速度的216Mbps的記錄技術。伴隨記錄速度的 高速化，適應高速化的記錄波形、所謂的2T系策略的研究也發(fā)展起來。所謂 2T系策略，是指使相鄰的一對偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記的記錄脈沖數(shù)相同的記錄波形。具體說，如圖2所示，例如在最短標記長是2T標記的場合，以2T 標記和3T標記發(fā)生一個矩形脈沖，在4T和5T標記中，發(fā)生開始脈沖和結束 脈沖兩個脈沖。6T標記和7T標記發(fā)生開始脈沖、 一個中間脈沖和結束脈沖共 計3個脈沖。作為該2T系策略的例子，在特開平9—134525號公報(對應USP5, 723, 062 專利文獻l)中，記載了在以開始脈沖和后續(xù)的若干中間脈沖以及結束脈沖組 成的多脈沖記錄方式中，在記錄對于記錄通道時鐘周期的偶數(shù)長和奇數(shù)長的任 何一方的標記長的場合，使開始脈沖和結束脈沖的脈沖寬度大體與記錄通道時 鐘周期相同。另外，在特開平11 — 175976號公報(對應USP6, 256， 277專利文獻2 )中， 提出了組合記錄波形以使多脈沖中的最短脈沖寬度比檢測窗口寬度的1/2倍長 的方法。由此，因為可以充分確保記錄介質(zhì)的冷卻時間，或者降低激光驅(qū)動電 流的頻率成分，所以即使在高轉(zhuǎn)速時也可以以足夠的精度形成標記。再有，在特開2003—30833號公報(專利文獻3 )中，說明了不僅與特開 平11 — 175976號公報一樣地使中間脈沖系列的周期比記錄通道時鐘周期長， 而且依從先行的空白和后續(xù)的空白使開始脈沖和結束脈沖的邊沿位置變化進 行記錄的方法。根據(jù)本方法，因為可以極力抑制以高密度、高傳輸速率進行記 錄時成為問題的軌道方向的熱干涉引起的邊沿移動，所以可以實現(xiàn)高精度的記 錄控制。另外，在特開2001—331936號(對應US2001/053115A1,專利文獻4) 中，記載了以偶數(shù)符號系列和奇數(shù)符號系列移位基準時鐘，另外，關于偶數(shù)用 和奇數(shù)用的記錄脈沖波形，分別用偶數(shù)用和奇數(shù)用改變開始脈沖和結束脈沖的 占空比生成所述波形。此外，在高傳輸速率記錄時的2T系策略的記錄標記形狀控制效果，例如 在Optical Data Storage 2000， Proceedings of SPIE Vol, 4090 ( 2000 ) ， p135 (非 專利文獻2)中做了詳細說明。專利文獻l:特開平9—134525號專利文獻2:特開平11一175976號專利文獻3:特開2003—30833號專利文獻4:特開2001—331936號非專利文獻1: Optical Data Storage 2003, Proceedings of SPIE Vol. 5069 (2003 ) ，pl30非專利文獻2: Optical Data Storage 2000, Proceedings of SPIE Vol. 4090 (2000) ,pl35在上述現(xiàn)有技術的試寫方式、所謂的OPC方式中，使Pw/Pe固定執(zhí)行激 光功率的最優(yōu)化，其中求最優(yōu)質(zhì)量的記錄條件。但是，根據(jù)本發(fā)明人們的研究 結果，要實現(xiàn)新的BD4倍速、或者DVD±RW8倍速以上的記錄速度的話， 可以明白在取Pw/Pe固定的激光功率作參數(shù)的OPC方式中要得到十分良好的 標記質(zhì)量很困難。其理由如下。在BD1倍速或者DVD土RW2.4倍速這樣的低 速記錄的場合，因為從照射上述開始脈沖到照射下一脈沖(中間脈沖或者結束 脈沖)的時間足夠，所以在下次脈沖照射時，記錄膜被充分冷卻。但是，在高 速記錄時，因為在開始脈沖照射后到下一脈沖的照射的時間變短，所以記錄膜 的冷卻速度相對不充分，所以存在在開始脈沖中形成的前邊沿部分未充分冷卻 的問題。在前邊沿部分未充分冷卻的狀態(tài)下照射下一脈沖的話，會在前邊沿部 分引起結晶化，發(fā)生邊沿搖擺或者邊沿移位。這等于標記質(zhì)量降低，發(fā)生由于 高速化使記錄性能惡化的問題。另外，伴隨記錄高速化，也不能無視在市售驅(qū)動器上搭載的激光特性的個 體分散。例如BD4倍速中的記錄通道時鐘周期T約成為3.8ns，必須以Ins以 下來控制激光。但是，因為現(xiàn)在的激光的上升和下降的時間為1 2ns的程度， 所以lns的波形控制接近物理界限，激光的上升、下降的個體差對記錄標記的 形狀有大的影響。并且，在因為光點直徑在驅(qū)動器間分散等引起發(fā)光波形在驅(qū) 動器間不同的情況下，在低速記錄中可由介質(zhì)吸收裝置的個體差的問題，在高 速記錄中成為了表面化的問題。 發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明如下構成。(1)對于檢測窗口寬度的自然數(shù)n倍長的標記，按照用大于等于2的整 常數(shù)除n的余數(shù)生成分類記錄符號序列中的標記長的記錄模式，分別進行記錄 后重放，根據(jù)調(diào)制度和記錄功率的關系求調(diào)制度成為0的記錄功率P0,把用某常數(shù)p乘P0的值設定為各記錄模式的記錄功率。由此，因為對于按照余數(shù)分類的每個記錄模式能夠調(diào)整記錄功率，所以比 把多個記錄模式的記錄功率全部設定為相同時更能提高記錄性能，可以擴寬記 錄裕度。亦即，在2T系策略的場合，成為下面這樣。對于用與基準時鐘周期的偶 數(shù)倍對應的長度的記錄標記構成的偶數(shù)長記錄模式、和用奇數(shù)倍對應的長度的 記錄標記構成的奇數(shù)長記錄模式，分別變化記錄功率進行記錄重放，根據(jù)其重 放結果，設定偶數(shù)長的最佳記錄功率和奇數(shù)長的最佳記錄功率。換言之，在把 一個記錄標記的時間長度作為nT ( T是基準時鐘周期，n是大于等于2的自然 數(shù))、使用由L個脈沖組成的記錄用激光光束形成試寫用的記錄波形的場合， 記錄模式，對于(1 )成為nT = 2LT的標記，亦即與上述基準時鐘周期的偶數(shù) 倍對應的長度的記錄標記形成的偶數(shù)長記錄模式，(2)成為nT = (2L+1 ) T 的標記，亦即與奇數(shù)倍對應的長度的記錄標記形成的奇數(shù)長記錄模式，分別記 錄(1 )偶數(shù)長記錄模式和(2)奇數(shù)長記錄模式。然后，進行這些記錄模式的 重放，分別用偶數(shù)長、奇數(shù)長記錄模式求記錄功率和從重放信號求得的調(diào)制度 的關系，把用某常數(shù)p乘由作為結果得到的調(diào)制度成為0的功率P0 (記錄開 始功率)的值作為基礎設定記錄模式中的記錄功率。接著，在3T系策略的場合，成為下面這樣。在nT^3LT系的場合，使用 (1)由成為nT:3LT的標記形成的記錄模式、(2)由成為nT= (3L-2)T 的標記形成的記錄才莫式、和(3)由成為nT: (3L-1) T的標記形成的記錄 模式，分別記錄這些，求記錄功率和從重放信號求得的調(diào)制度的關系，以在各 自記錄模式中得到的P0為基礎設定記錄功率。另夕卜，在4T系策略的場合，成為下面這樣。在nT-4LT的場合，使用(1) 由nT = 4LT的標記形成的記錄模式、(2 )由成為nT = ( 4L - 2 ) T的標記形 成的記錄模式、(3)由成為nT- (4L-1) T的標記形成的記錄模式和(4) 由成為nT- (4L+1 ) T的標記形成的記錄模式，分別記錄這些，求記錄功率 和從重放信號求得的調(diào)制度的關系，以在各自記錄模式中得到的P0為基礎設 定記錄功率。(2)另外，可以在所述各記錄模式中設定的記錄功率中使用確認模式進行試寫，進行各記錄模式的記錄功率的再調(diào)整。由此，可以微調(diào)整記錄功率， 可以得到最佳記錄條件。(3)乘調(diào)制度成為0的記錄功率PO的常數(shù)p優(yōu)選大于等于1.5小于等于3.0。這是因為在比1.5小的場合，難于得到充分的振幅；在比3.0大時，標記 寬度變大，會結晶化鄰接的標記，產(chǎn)生所謂的串擦(夕口74k — X)。此外， 取p大于等于2.0小于等于2.8則更好。這是因為通過使p大于等于2.0,可 以減低由在根據(jù)記錄功率偏置等的記錄條件的試寫時的功率變動而引起的抖 動的增大；另外，通過使p小于等于2.8,可以防止使用過功率照射，可以防 止由于多次改寫引起的性能降低，所以是更好的。(4 )在對于檢測窗口寬度的自然數(shù)n倍長的標記、按照用大于等于2的 整常數(shù)除n的余數(shù)分類記錄符號序列中的標記長的多個記錄模式中，選擇模式 A,變化記錄功率進行記錄重放，根據(jù)調(diào)制度和記錄功率的關系求調(diào)制度成為 0的記錄功率P0 (A),把用某常數(shù)p乘PO (A)的值設定為記錄模式的記 錄功率Pw (A)，設定其他的記錄模式的記錄功率，以使成為和在Pw (A) 中的調(diào)制度mod (A)大體相同的值。由此，通過對按照余數(shù)分類的每一記錄模式設定記錄功率，因為即使記錄 模式不同也能得到大體相同的調(diào)制度，所以比之把多個記錄模式的記錄功率全 部設定為相同更能提高記錄性能，可以擴寬記錄裕度。另外，關于多個記錄模 式的各個，因為不需要求調(diào)制度成為O的記錄功率PO (A)，所以可以縮短試 寫的時間。例如，表示2T系策略的場合的一例。使用由與基準時鐘周期的奇數(shù)倍對 應的長度的記錄標記構成的奇數(shù)長記錄模式，變化記錄功率進行記錄重放，根 據(jù)調(diào)制度和記錄功率的關系求調(diào)制度成為O的記錄功率PO (odd)，把用某常 數(shù)p乘PO (odd)的值設定為記錄模式的記錄功率Pw (odd)。使成為與在 Pw ( odd)下的調(diào)制度mod (odd)大體相同的值那樣求偶數(shù)長記錄模式的 記錄功率Pw (even)。這里也可以使用Pw ( odd )和Pw (even)的記錄功 率，進行根據(jù)確認模式的試寫，進行各記錄模式的記錄功率的再調(diào)整。此時， 固定Pw (odd)、只微調(diào)整Pw (even)也是有效果的。通過根據(jù)這樣的確認 模式的試寫，可以微調(diào)整記錄功率，可以得到最佳記錄條件。再有，在求得奇數(shù)長標記下的最佳記錄功率Pw (odd)后，作為求只由 偶數(shù)長標記組成的記錄^f莫式中的最佳記錄功率Pw (even)的方法，也可以用 某常數(shù)q乘Pw (odd)或者在其上加上常數(shù)r求Pw (even)。(5 )在2T系策略的場合，其特征為進行由偶數(shù)長組成的記錄模式或者由 奇數(shù)長組成的記錄模式的試寫求記錄功率，在該記錄功率上乘以常數(shù)p或者加 上常數(shù)r求其他記錄模式的記錄功率。亦即，使用于記錄由奇數(shù)長組成的記錄模式的記錄功率Pw (odd)和用 于記錄由偶數(shù)長組成的記錄模式的記錄功率Pw (even)的關系，為Pw (odd) =qxpw (even)或者Pw (odd) = Pw (even) + r。在2T系策略中，使 用用同樣數(shù)目的脈沖序列構成相鄰的一對偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記的記錄波 形進行記錄。例如，在最短標記長度是2T標記的場合，在2T標記和3T標記 中發(fā)生一個矩形脈沖，在4T標記和5T標記中，發(fā)生開始脈沖和結束脈沖兩 個脈沖。此時，影響記錄波形形狀和介質(zhì)的熱特性以及結晶化特性等，有時在 偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記中記錄靈敏度不同。通過用某數(shù)學公式關聯(lián)用于記錄由奇數(shù)長組成的記錄模式的記錄功率Pw (odd)和用于記錄由偶數(shù)長組成的記錄模式的記錄功率Pw (even)的關系， 因為可以只進行單方的記錄模式的試寫，所以可以縮短試寫所需要的時間。常 數(shù)q、常數(shù)r的值可以在發(fā)運驅(qū)動器時決定?；蛘?，在首次加載介質(zhì)時通過學 習求q和r的值，也可以關聯(lián)介質(zhì)ID和q、 r。(6 )計算在包含奇數(shù)長標記的記錄模式中的最小標記長的不均勻性和在 包含偶數(shù)長標記的記錄模式中的最小標記長的不均勻性，使這些成為大體相同 那樣，分別設定用于記錄由奇數(shù)長組成的記錄模式的記錄功率Pw (odd)和 用于記錄由偶數(shù)長組成的記錄模式的記錄功率Pw (even)。例如，在最小標 記是3T標記的場合，把使包含3T標記的記錄模式中的3T標記的不均勻性 Asym (3T)和包含4T標記的記錄模式中的4T標記的不均勻性Asym (4T) 大體成為相同的各自的功率作為記錄功率。此時，在奇數(shù)長記錄模式中可以只 重放3T標記的不均勻性Asym (3T)、偶數(shù)長標記的不均勻性Asym (4T)。這樣通過進行考慮不均勻性的記錄功率設定，因為是比較同時記錄的不同 的標記長度求得的數(shù)值，所以即使萬一在試寫時發(fā)生由于散焦等引起的功率偏移或者電氣的偏移等的場合，也可以抑制這些偏移的影響。另一方面，因為信 號振幅、調(diào)制度等直接接受這些偏移的影響，所以在為設定記錄功率的試寫時 需要注意。這里，用不均勻性這樣的詞語進行統(tǒng)一，但是實際上可以使用(3。 P用下式定義，遵守DVD—RW等的書寫規(guī)則。 P= (Al+A2) / (A1-A2)(3是從AC耦合的HF信號計算出的值，Al、 A2分別表示AC耦合的HF 信號峰值電平(高電平和低電平)。亦即(Al+A2)表示峰值電平的差，(Al -A2 )表示HF信號的peak - to - peak (峰到峰)值。另外，也可以使用Y設定記錄功率。Y用下式定義，和P同樣，遵守DVD 一RW等的書寫規(guī)則。Y= (dm/dPw) * (Pw/m) 這里，m表示HF信號的調(diào)制度。這樣的方法，不僅對于記錄膜有一層的光盤，而且對于記錄層有多層種類 的光盤也特別有效。例如，在存在兩層記錄層的光盤的場合，會發(fā)生各記錄層 上的記錄裕度比記錄層是單層的光盤的裕度變窄的問題，但是根據(jù)本發(fā)明，通 過根據(jù)記錄模式控制記錄功率，可以使記錄裕度擴寬。這些，特別在使用DVD 一RW、 DVD+RW、 BD-RE等共晶系記錄膜的可改寫型介質(zhì)時的試寫中有效。通過進行這些試寫，比現(xiàn)有的方法在試寫上要多花一點時間，但是，如 DVD士RW或者BD-RE那樣的、在記錄中使用"燒"這樣的詞語的介質(zhì)的 場合，因為試寫需要的時間是2 3秒，而"燒"(記錄)作業(yè)所需要的時間(例 如十分鐘)絕對長，所以即使試寫需要的時間增加到5倍，使用戶等待的時間 也幾乎不變，光盤使用不會不方便，對用戶沒有不利之處。此外，本申請?zhí)貏e對高速記錄有效，特別地，在使用稱為共晶系的結晶成 長型的記錄膜的記錄型介質(zhì)中，在記錄速度大于等于20 m/s的條件下進行記 錄時更為有效。另外，所謂調(diào)制度為O,表示標記形成不完全這樣的物理現(xiàn)象。因此，如 果在記錄膜達不到熔融溫度的程度下記錄功率十分低的話，則調(diào)制度成為0, 但是在本專利中，調(diào)制度實質(zhì)成為0的最大記錄功率是重要的。為了在驅(qū)動器中求調(diào)制度0，可以分別求變化記錄功率時的調(diào)制度，根據(jù)規(guī)定的計算公式求 記錄功率和調(diào)制度的關系。亦即可以從表示記錄功率和調(diào)制度的關系的圖表外 插調(diào)制度實質(zhì)成為0 (在圖表上X截面是O)的記錄功率求得。根據(jù)使用的計算公式或者測定數(shù)據(jù)數(shù)，有時調(diào)制度成為0的記錄功率P0多少有些變動，但 即使在這種場合，P0也在為求最佳功率充分的誤差范圍內(nèi)。沖艮據(jù)本發(fā)明，因為可以提高試寫的精度，所以可以提供記錄質(zhì)量更好的高速對應光盤。


圖1是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖2是在本發(fā)明中使用的記錄脈沖波形的一例。圖3是表示關于本發(fā)明的一個實施例的記錄功率和調(diào)制度的關系的圖。圖4是在本發(fā)明中使用的記錄脈沖波形的一例。圖5是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖6是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖7是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖8是關于本發(fā)明的 一 個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖9是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖IO是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖11是表示關于本發(fā)明的一個實施例的記錄功率和P的關系的圖。圖12是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖13是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖14是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖15是表示關于本發(fā)明的一個實施例的記錄功率和P的關系的圖。圖16是本發(fā)明中使用的裝置的一例。圖17是本發(fā)明中使用的裝置的一例。圖18是本發(fā)明中使用的裝置的一例。圖19是表示關于本發(fā)明的一個實施例的記錄功率和常數(shù)p的關系的圖。 圖20是表示關于本發(fā)明的一個實施例的記錄功率和常數(shù)p的關系的圖。 圖21是表示關于本發(fā)明的一個實施例的記錄功率和常數(shù)p的關系的圖。圖22是關于本發(fā)明的 一個實施例的試寫方式的處理流程圖。圖23是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。 圖24是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。 圖25是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。 圖26是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。 圖27是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。 圖28是關于本發(fā)明的一個實施例的試寫方式的處理流程圖。 圖29是表示關于本發(fā)明的一個實施例的記錄功率和抖動的關系的圖。
具體實施方式
第一實施例下面參照

本發(fā)明的實施形態(tài)。首先敘述在本實施例中使用的記錄方式。在光盤上寫入數(shù)據(jù)的場合，使用 通過多脈沖的標記邊沿記錄方式，把數(shù)據(jù)作為標記和空白的長度信息寫入光 盤。另外，使用標記的長度為3T到14T、空白的長度從3T到14T的整數(shù)值 的組合的調(diào)制方式。圖2表示本發(fā)明中使用的記錄脈沖波形的一例。在本實施例中使用2T系 策略。由單一脈沖形成3T標記，4T標記以及5T標記由開始脈沖和結束脈沖 兩個脈沖形成。6T標記以及7T標記由開始脈沖和結束脈沖以及1個中間脈沖 合計3個脈沖構成。8T標記以及9T標記由開始脈沖和結束脈沖以及兩個中間 脈沖合計4個脈沖構成。以后，隨著標記變長增加中間脈沖數(shù)。這里，取記錄 標記為nT (T是基準時鐘周期，n是大于等于2的自然數(shù))的話，則4T、 6T 標記等偶數(shù)長標記可以用nT:2LT表示，3T、 5T標記等奇數(shù)長標記可以用nT =(2L+1)T表示。此時L是自然數(shù)，表示記錄脈沖數(shù)。在光盤中，使用可用8倍速記錄的改寫型DVD(紅色光源對應相變化盤)， 在記錄重放測定中使用搭載波長660nm的半導體激光器的驅(qū)動器。取線速度 約27.9m/s。圖2中的時鐘周期約4.8ns。圖1表示說明在本實施例中的試寫方法的動作的流程圖，根據(jù)該圖說明本 發(fā)明。首先，作為第一步驟(S101),讀出在盤中記錄的推薦記錄功率、脈沖 寬度等記錄條件，得到作為激光器功率的記錄功率(Pw) 38 mW、消隱功率(Pe) 8 mW、偏置功率(Pb) 0.1 mW。作為第二步驟(S102),設定這附近 的激光功率條件，作為第三步驟(S103-S108),在盤上執(zhí)行試寫。激光功率 條件，固定Pb的值，取Pw和Pe的比(Pw/Pe )為固定值，使在推薦記錄功 率的0.4倍到1.2倍的記錄功率即從15.2 mW到45.6 mW之間變化。使消隱功 率Pe和Pw —同從3.2 mW到9.6 mW變化。此時，使用僅用偶數(shù)長標記構成 的記錄模式和僅用奇數(shù)長標記構成的記錄模式這兩種試寫用記錄模式，分別進 行試寫。在第三步驟中(S103 )中，使用由偶數(shù)長標記組成的試寫模式使記錄、 消隱功率變化，同時多次進行試寫，從在第三步驟中得到的記錄功率和調(diào)制度 的關系，在第四步驟(S104)中作為調(diào)制度成為0的記錄功率P0 (even)得 到17.5mW。作為第五步驟，對P0 (even)乘以常數(shù)p = 2.1,作為偶數(shù)長標 記記錄功率Pw (even)得到36.8 mW。同樣，使用由奇數(shù)長標記構成的試寫用記錄模式進行記錄，求記錄功率和 調(diào)制度的關系(S106),決定調(diào)制度成為0的記錄功率P0 (odd) (S107)，其 后，用常數(shù)p二2.1乘P0 (odd),作為奇數(shù)長標記記錄功率P0 (odd)得到38.9 mW。使用從第三步驟到第八步驟得到的奇數(shù)長標記用記錄功率和偶數(shù)長標記 用記錄功率，作為第九步驟(S109 )使用混存偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記的試寫 用記錄模式記錄，作為第十步驟(S110)進行記錄性能的確認時，能夠得到實 用上充分的抖動5.1 %。作為和現(xiàn)有方法的比較，使用混存奇數(shù)長標記和偶數(shù)長標記的試寫用記錄 模式求調(diào)制度成為0的功率P0,以常數(shù)p-2.1乘P0的結果，得到記錄功率Pw =37.8 mW。在偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記任何一個的記錄功率也作為相同的 37.8mW記錄重放時，抖動是6,5%,分別設定偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記的記 錄功率可以得到良好的記錄性能。在本實施例中，因為在第九步驟的階段可以得到良好的抖動，所以不需要 執(zhí)行第十一步驟(Slll)，但是在S110沒有得到良好的抖動的場合，最好進行 Pw (odd)和Pw (even)的微調(diào)整。本實施例中使用的偶數(shù)長/奇數(shù)長標記用試寫模式，也可以僅用偶數(shù)長/奇 數(shù)長構成標記，而空白部分為偶數(shù)長和奇數(shù)長混存。亦即，關于空白長度，不需要設定例如在偶數(shù)長用試寫模式中只設定偶數(shù)長度空白等限定。在本實施例中，取乘記錄開始功率PO的常數(shù)p為2.1,在取常數(shù)p比1.5 小的場合，如圖19所示，因為不能得到充分的振幅，所以重放抖動急劇惡化，p=1.2時重放抖動成為13.0%。另夕卜，p=3.3時抖動是12.8%，在使常數(shù)p比3.0 大的場合抖動也大幅惡化。這是因為記錄標記寬度變寬，不能忽略串擦的緣故。 因此，常數(shù)p大于等于1.5小于等于3.0最好。再有，在取常數(shù)p為2.0的場 合，多次執(zhí)行試寫時的抖動為5.1 6.0%,在良好的范圍內(nèi)，但是在使常數(shù)比 2.0小的場合，例如取1.8時，多次執(zhí)行試寫時的抖動為5.4 7.0%，得到的范 圍變寬，同時最大抖動增大(圖20)。在常數(shù)p比2小的場合，極大受到由于 灰塵或臟污等任何原因產(chǎn)生記錄功率偏移場合的抖動增大的影響。因此，最好 使常數(shù)p大于等于2.0。另外，在圖21中表示出進行了 500多次記錄時的抖動 和常數(shù)p的關系。如果p比2.8大，則產(chǎn)生由于過功率引起的記錄膜的破壞， 抖動惡化。通過使p小于等于2.8,因為可以防止過功率的照射，可以防止由 于多次改寫引起的性能降低，所以更好。在2T系策略中，相鄰一對偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記的記錄脈沖數(shù)相等。 例如，由圖2中可知，4T標記和5T標記分別由兩個記錄脈沖構成，6T標記 和7T標記由三個記錄脈沖構成，這里的特征是，4T標記的開始脈沖照射后的 Pb級脈沖寬度(Wl )和6T標記的(Wl )幾乎等長，同樣，5T標記的開始 脈沖照射后的Pb級脈沖寬度(W2 )和7T標記的(W2 )幾乎等長。開始脈沖 下次來時的記錄脈沖的開始位置會影響形成開始脈沖的記錄標記的前邊沿位 置。例如，開始脈沖下次來時的記錄脈沖離開開始脈沖遠的話，則因為記錄膜 熔融后再結晶化的區(qū)域變小，所以前邊沿位置的收縮少，在接近熔融區(qū)域前端 的位置固定。相反，開始脈沖下次來時的記錄脈沖離開開始脈沖近的話，則因 為記錄膜熔融后再結晶化的區(qū)域變寬，所以前邊沿位置的收縮急劇，在比熔融 區(qū)域更后的位置固定前邊沿位置?？梢哉J為4T標記和6T標記、5T標記和7T標記分別由于開始脈沖下次 來時的記錄脈沖(中間脈沖或者結束脈沖)照射引起的前邊沿位置的影響分別 幾乎相同。如圖2所示，8T標記成為類似4T以及6T標記的前邊沿位置。這 樣，通過使用僅由具有類似熱特性的標記構成的試寫用記錄模式，因為難于看到由于從多種記錄脈沖形狀產(chǎn)生的邊沿位置變動數(shù)量引起的抖動的增大，所以 可以正確而且高效求得最佳記錄脈沖寬度。在本實施例中，如圖2所示，關于用單一脈沖形成的3T標記，獨立地設 定包含開始脈沖位置的記錄脈沖條件。這是因為由于用單一脈沖形成3T標記， 定位前邊沿位置的處理和其他用多個記錄脈沖構成的標記不同。本實施例在步 驟S109的試寫中，在第十步驟(S110)求AT的同時，也求3T標記的記錄脈沖條件。另夕卜，在本實施例中，如4T標記和5T標記成為相同記錄脈沖數(shù)那樣， 說明nT=2LT和nT= ( 2L+1 ) T的記錄脈沖數(shù)相等的場合，但是如5T和6T成 為相同脈沖數(shù)那樣，對于nT=2LT和nT= (2L - 1 ) T的記錄脈沖數(shù)相等的場 合，本發(fā)明的效果也不變。再有，在本實施例中，在計算偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記的記錄功率時用常 數(shù)p乘調(diào)制度成為0的功率P0 ( evev)和P0 ( odd )，但是在偶數(shù)長標記記錄 時和奇數(shù)長標記記錄時的調(diào)制度和功率的關系大幅不同時，也可以使乘數(shù)p 取不同的值。亦即，可以根據(jù)介質(zhì)的特性，對于偶數(shù)長標記用和奇數(shù)長標記用 分別把常數(shù)p設定為不同的值。另外，在本實施例中，通過用常數(shù)p乘調(diào)制度實質(zhì)成為0的記錄功率P0 來設定Pw(even)，但是通過求具有調(diào)制度不為0、從調(diào)制度0到達飽和調(diào)制 度的規(guī)定的值的Pw，，用常數(shù)p，乘Pw，來求Pw的方法也可以。圖28表示一例。 圖28中表示把規(guī)定的調(diào)制度作為35°/。的場合的試寫方法。設定調(diào)制度優(yōu)選在 對于記錄功率的變化調(diào)制度難于急劇變化而且被擦寫的調(diào)制度的25%到40% 的范圍。所謂對于記錄功率調(diào)制度的變化急劇意味著可以高精度設定記錄功 率。常數(shù)p，是根據(jù)使用的盤或驅(qū)動器設定的常數(shù),多為1.2^p， ^2.5。在本 實施例中使用的驅(qū)動器或介質(zhì)中，在圖28的步驟S1804求得的Pw， (even) 為23.0 mW， Pw， ( odd)為24.3 mW，取p = 1.6算出Pw ( even)為36.5 mW、 Pw (odd)為38.9 mW。在步驟S1810中確認記錄性能時，抖動為5.1%，可 以得到實用上沒有問題的記錄性能。這樣，從PO和Pw，分別計算出的記錄功 率值不一定相同。以圖1的步驟S110或者圖28的步驟S1810進行記錄性能的 確認，在記錄性能不充分的場合，希望在圖1的步驟Slll或者圖28的步驟S1811中進行微調(diào)整。 第二實施例在第一實施例中，使用相鄰的偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記的記錄脈沖數(shù)是相同的、所謂的2T系策略，而在本實施例中表示使用3T系策略的情況。所謂 3T系策略，是使由nT = 3LT、 nT= (3L —2) T、nT= (3L—1) T表示的 標記的記錄脈沖數(shù)成為相同的記錄系。此時，L是自然數(shù)，表示記錄脈沖數(shù)。 例如，4T 6T標記用兩個記錄脈沖構成，7T 9T標記用三個記錄脈沖構成。 圖4表示這樣的3T系策略(但是，在第二實施例中使用由3T 14T標記構成 的記錄波形)。在本實施例中，光盤使用可以IO倍速記錄的改寫型DVD，在記錄重放測 定中使用搭載波長660 nm的半導體激光器的驅(qū)動器。該驅(qū)動器具有能夠最大 3級設定記錄功率Pw級的特征。取線速度為34.9 m / s。 3T系策略也和2T系 策略一樣，具備由nT二3LT標記組成的試寫用記錄模式、由nT= (3L-2) T 標記組成的試寫用記錄模式以及由nT= (3L-1) T標記組成的試寫用記錄 模式的3種模式，按照圖5的流程圖求使用各自的模式記錄時的記錄功率和調(diào) 制度的關系。首先，作為步驟S201,讀出在盤中記錄的推薦記錄功率、脈沖寬度等的 記錄條件，作為激光功率得到記錄功率(Pw) 56mW、消隱功率(Pe) 11 mW、 偏置功率(Pb) 0.3 mW。作為步驟S202,設定在這附近的激光功率條件，作 為S203 -S211在盤上進行試寫。激光功率條件，Pb的值固定，把Pw和Pe 的比(Pw/Pe)作為固定值，使在推薦記錄功率的0.4倍到1.2倍的記錄功率 即在22.4 mW到67.2 mW之間變化。消隱功率Pe和Pw —起從4.4 mW到13.2 mW變化。此時，使用只由偶數(shù)長標記構成的記錄模式和只由奇數(shù)長標記構成 的記錄模式的兩種試寫用記錄模式分別進行試寫。在步驟S203中使用由11丁 = 3 LT標記組成的試寫模式使消隱功率變化同時多次進行試寫，從在步驟S203 中得到的記錄功率和調(diào)制度的關系，在步驟S204中，在記錄由nT = 3 LT標記 組成的試寫用記錄模式的場合，作為調(diào)制度成為0的記錄功率PO ( 3LT)得到 20.9mW。同樣，在步驟S207，作為nT= (3L-2) T標記記錄時的調(diào)制度 成為0的記錄功率PO( ( 3L — 2 )T )得到19.1 mW，在步驟S210,作為nT = ( 3L-1 ) T標記記錄時的調(diào)制度成為0的記錄功率PO( ( 3L- 1 )T )得到20.2 mW。 其后，用常數(shù)p^2.8乘各自的P0，作為記錄功率Pw (3LT)得到58.5mW、 作為Pw( (3L —2) T)得到53.5mW、作為Pw ( (3L—1) T)得到56.6 mW (步驟S205， S208, S211 )。使用以上得到的三種記錄功率，作為步驟S212,記錄隨機地配置從3T到 14T的標記長度以及空白長度的試寫模式，在作為步驟S213進行記錄性能的 確認時，得到實用上沒有問題的抖動7.5%。進而，通過在步驟S214從58.5 mW 到59.1 mW微調(diào)Pw ( 3LT),可以把抖動抑制到7.0%。在本實施例中取常數(shù)p為2.8,在使常數(shù)p大于2.8的場合，可改寫的次 數(shù)降低。例如，如果比較首次隨機信號抖動，則p = 2.8時為7.5%、 p:3.0時 為8.1%,兩者都在實用上沒有問題。但是在p二2.8的場合，改寫次數(shù)到1000 次時重放抖動不變化，實用上沒有問題，但是在卩=3.0的場合，在800次抖 動時超過13%。因此，優(yōu)選p小于等于2.8。另外，在本實施例中，作為重放特性的評價要素使用抖動，但是即使改變 評價要素的種類，本發(fā)明的效果也不改變。例如在重放性能評價中也可以使用 P腹L等。使用這些試寫的結果和得到的記錄功率進行實際的用戶數(shù)據(jù)的記錄。 第三實施例在第一實施例中，通過把試寫用記錄功率分為用nT = 2LT表示的偶數(shù)長 標記和用nT- (2L+1) T表示的奇數(shù)長標記，分別進行試寫，用常數(shù)p乘調(diào) 制度成為0的各自的記錄功率P0，來獲得奇數(shù)長標記和偶數(shù)長標記的最佳記 錄功率。本實施例表示僅對一方的試寫模式大幅降低記錄功率，求調(diào)制度和記 錄功率的關系，使在求得的記錄功率下的調(diào)制度成為大體相同那樣，表示另一 方的記錄^^式的記錄功率后設定記錄功率的方法。在本實施例中，使用和第一實施例同樣的記錄波形、8倍速記錄可改寫型 DVD盤，搭載波長660nm的半導體激光器的驅(qū)動器。取線速度約27.9 m/s。圖6表示說明本實施例中的試寫方法的動作的流程圖。根據(jù)該圖說明本發(fā) 明。從步驟S301到步驟S305和第一實施例相同，這里省略詳細的說明。和 第一實施例相同，在步驟S304,作為調(diào)制度成為O的記錄功率PO (even)得到17.5 mW。在步驟S305，對P0 (even)乘以常數(shù)p-2.1,作為偶數(shù)長標記記 錄功率Pw ( even )得到36.8 mW。另外，計算取記錄功率Pw =36.8 mW時的 調(diào)制度mod ( even )，得到mod ( even) = 59%。在下面的步驟S306,使用由nT = ( 2L + 1 ) T表示的奇數(shù)長標記組成的 試寫才莫式，^!巴記錄功率作為Pw (even) 二36.8mW記錄，計算其時的調(diào)制 度mod時，是57%。因為由奇數(shù)長標記組成的試寫模式的調(diào)制度mod比mod (even) =59%小，所以從步驟S308前進到步驟S310。以比36.8mW高的 功率記錄由奇數(shù)長標記組成的試寫模式。此時，使記錄功率Pw到Pw (even) 的1.2倍變化進行記錄。本實施例中，作為Pw = Pw( even ) + Pw ( dood) *0.02 x，取(1^x^10)使Pw變化。其結果，因為x = 4的Pw = 39.7mW時調(diào)制 度成為59%，所以選擇Pw ( odd ) = 39.7 mW。即使x = 5的Pw = 40.5 mW 時調(diào)制度也成為59%,但是在本實施例中，對于成為希望的調(diào)制度的記錄功率， 把最接近Pw ( even)的功率作為Pw ( odd)選擇。使用奇數(shù)長標記用記錄功率Pw (odd)和偶數(shù)長標記用記錄功率Pw (even),作為步驟S311使用偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記混存的試寫用記錄功率 進行記錄，在作為步驟S312進行記錄性能的確認時，可以得到實用上充分的 抖動5.4%。在本實施例中，求用偶數(shù)長標記試寫求得的記錄功率下的調(diào)制度，使成為 該調(diào)制度那樣設定奇數(shù)長標記的記錄功率，但是相反，進行奇數(shù)長標記的試寫 求調(diào)制度，使求得的調(diào)制度成為大體相同那樣設定記錄功率，本發(fā)明的效果也 不變。此外，不僅在2T系策略中，即使在3T系、4T系等具有多個類別的試 寫記錄模式的場合，也有相同的效果。具體說，在3T系策略的場合，使用由 成為nT二3LT的標記形成的記錄功率求記錄開始功率P0 (3LT)，用常數(shù)p乘 P0 ( 3LT)得到最佳記錄功率Pw ( 3LT )。用由成為nT = ( 3L - 2 ) T的標記 形成的記錄模式記錄時的調(diào)制度、和用由成為nT = (3L - 1 ) T的標記形成 的記錄模式記錄時的調(diào)制度，設定各自的記錄功率Pw (3L-2)和Pw (3L -1),以使與用Pw (3LT)記錄由成為nT = 3LT的標記形成的記錄功率進行 記錄時的調(diào)制度mod (3LT)相同。在本實施例中，從偶數(shù)長標記的記錄模式開始試寫，但是這只是一例，從由奇數(shù)長標記組成的記錄模式開始試寫，求Pw (odd),其后求Pw (even), 本發(fā)明的效果也不變。另外，在本實施例中，通過用常數(shù)p乘調(diào)制度實質(zhì)成為0的記錄功率P0 設定Pw (even),但是通過求具有調(diào)制度不為0、從調(diào)制度0到達飽和調(diào)制 度的規(guī)定的值的Pw，，用常數(shù)p，乘Pw，來求Pw的方法也可以。圖22表示一例。 圖22中表示使規(guī)定的調(diào)制度為40%的場合的試寫方法。進而在圖23中表示從 抖動成為規(guī)定的值時的記錄功率計算Pw的例子。圖29表示抖動和記錄功率 的一般的關系。在圖23的場合，求使記錄功率變化進行記錄時的抖動值，通 過用常數(shù)p"乘抖動成為13。/。時的記錄功率Pw"(even),求記錄功率Pw (even)。 在使用和本實施例同樣的裝置和盤的場合，最好使規(guī)定的抖動取13%到17%。 另外，在使用限幅均;衡器的場合也可以在6%到10%之間設定規(guī)定抖動值。常 數(shù)p"也是根據(jù)使用的盤或驅(qū)動器設定的常數(shù)，不過多為1.2^p" ^2.0。這樣，決定選擇的任意記錄模式的記錄功率的方法，可以從調(diào)制度實質(zhì)成 為0的記錄功率P0計算，可以從規(guī)定的調(diào)制度(例如圖22中的40%)計算， 也可以從抖動計算。當然，不限定于這些方法，也可以根據(jù)規(guī)定的方法決定任 意的記錄模式的記錄功率。第四實施例在本實施例中，使用圖7、圖8表示2T系策略中的試寫的一例。使用的 驅(qū)動器、光盤等和第一實施例相同，省略對于和第一實施例共同的動作(步驟) 的說明。在第三實施例中，求取和mod (even)大體相同的調(diào)制度那樣的Pw (odd),其后使用偶數(shù)長、奇數(shù)長標記混存的試寫模式確認記錄性能。這里， 使用圖7中所示的方法，亦即在求Pw ( even)后，不4吏用由奇凄丈長才示"i己纟且成 的試寫模式，而使用奇數(shù)長標記和偶數(shù)長標記混存的試寫模式直接求記錄性能 良好的Pw (odd)的方法。在本實施例中，以在步驟S405得到的偶數(shù)長標記 記錄功率Pw (even) = 36.8 mW為中心，使記錄功率在從29.4 mW到44.1 mW 之間變化，在步驟S406中記錄偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記混存的記錄模式。其 結果，作為步驟S407,作為抖動成為最小的Pw ( odd )得到39.0 mW。此時 的混存模式記錄的抖動為5.2%,是實用上沒有問題的良好的性能。在步驟S406變化的記錄功率Pw,優(yōu)選在偶數(shù)長記錄功率Pw ( even )的 0.8倍到1.2倍之間，亦即，a*Pw (even) SPwSb* Pw (even), 0.8 1.0, 1.0^b^l.2。因為a比0.8小的話，記錄功率顯然不夠，所以在本方法的 試寫中成為不需要的試寫，有時成為白白使用限定的試寫區(qū)域。另外，在b 比1.2大的場合，從圖3可知調(diào)制度和最佳記錄功率變化不大，但是因為由于 過功率產(chǎn)生反復改寫特性惡化等的現(xiàn)象，所以不好。圖8表示使在圖7中實施的試寫次數(shù)更少的方法一例。在圖8那樣的試寫 中，因為圖7的a、 b中的任何一個相當于1.0的場合，所以具有可以使試寫 需要的區(qū)域變小和使試寫需要的時間縮短的優(yōu)點。在圖7、 8中，假設選擇抖動成為最小的記錄功率，但是也可以取抖動例 如成為小于等于13%等規(guī)定值以下的記錄功率范圍的中央值，或者取不是抖動 指標的PRML。本發(fā)明不把記錄性能指標限制在抖動上。再有，在圖7、 8中，以PO (even)為基礎計算Pw (even),但是計算Pw (even)的方法不限于此。圖24表示通過求調(diào)制度成為40。/。的記錄功率Pw，、 以常數(shù)p，乘Pw，求Pw的一例。這樣，在計算在多個記錄模式中的任意的記錄 模式中的記錄功率時的方法不唯一，優(yōu)選根據(jù)其驅(qū)動器、介質(zhì)、用途選擇。第五實施例在本實施例中，使用圖9說明適合在偶數(shù)長標記中使用的記錄功率和在奇 數(shù)長標記中使用的記錄功率之間建立某一定關系的介質(zhì)中的試寫的一例。使用 的驅(qū)動器、光盤等和第二實施例相同，設線速度為34.9 m / s。另外在這里， 不是第二實施例中使用的3T系策略而使用2T系策略。從步驟S601到步驟 S603，因為除記錄波形使用2T系策略外其余和第二實施例相同，所以在這里 省略。在步驟S604中，在記錄由偶數(shù)長標記組成的試寫用記錄模式的場合， 作為調(diào)制度成為0的記錄功率PO ( even )得到20.0 mW。其后在步驟S605， 以常數(shù)p-2.8乘P0 ( even), 4乍為寸己錄功率Pw (even) 4尋至!J 56.0 mW。接著在步驟S606，設定奇數(shù)長標記的記錄功率。在本實施例中使用的盤 和記錄條件的組合中，適用Pw (odd) =qxPw (even)的關系式，在取常數(shù) q為0.96時可以得到最好的記錄性能。在本實施例中適用Pw (odd) = qxpw (even)的關系式，但是依從盤結構或使用的記錄波形，有時優(yōu)選Pw(odd)=Pw(even)十r的關系式。選擇哪一個關系式，也可以預先根據(jù)介質(zhì)的種類 在發(fā)運驅(qū)動器時設定?；蛘咭部梢栽谑状渭虞d介質(zhì)時選擇適合的關系式。在步驟S606中，從關系式Pw ( odd ) = 0.96 x pw ( even )設定Pw ( odd) 為53.8 mW后，在S607根據(jù)奇數(shù)長標記和偶數(shù)長標記混存的試寫模式把偶數(shù) 長標記的記錄功率作為Pw ( even),把奇數(shù)長標記^J記錄功率作為Pw ( odd)， 評價記錄性能(步驟S608)。其結果，可以得到抖動7.8%和實用上沒有問題 的記錄性能。這樣，用于記錄由奇數(shù)長標記組成的記錄模式的記錄功率Pw (odd)和用 于記錄由偶數(shù)長標記組成的記錄模式的記錄功率Pw (even)的關系，因為通 過用某數(shù)學式關聯(lián)，也可以只進行單方的記錄模式試寫，所以可以大幅縮短試 寫所需要的時間。也可以在發(fā)運驅(qū)動器時決定常數(shù)q、常數(shù)r的值?；蛘?，在 首次加載介質(zhì)時通過學習求q和r的值，關聯(lián)介質(zhì)ID和q、 r。在組合數(shù)種介 質(zhì)和記錄波形進行試寫時，常數(shù)q在從0.9到1.1的范圍、常數(shù)r在從-3.0到 3.0的范圍，可以得到良好的性能。在本實施例中，以P0 ( even)為基礎計算Pw ( even )，但是計算Pw ( even) 的方法不限于此。可以以抖動性能作為指標，也可以從PRML計算。圖25表 示求(3大體成為5%的記錄功率Pw ( even )的一例。本方法優(yōu)選在對于記錄功 率的變化P的變化急劇那樣的介質(zhì)中使用。在圖25中取P的值為5%,但是優(yōu) 選根據(jù)介質(zhì)或驅(qū)動器的特性設定最佳的(3值。從(3計算Pw的本方法與圖9所 示的從PO計算的方法比較，因為可以直接求希望的記錄功率，所以具有能夠 以更高精度求記錄功率的優(yōu)點。這樣，計算多個記錄模式中的任意的記錄模式 中的記錄功率時的方法不唯一，優(yōu)選根據(jù)其驅(qū)動器、介質(zhì)、用途選擇。在本實施例中使用2T系策略，但是3T系策略或者4T系策略也是有效的 試寫方法。用數(shù)學公式關聯(lián)多個記錄模式、進行一個記錄模式的試寫、從確定 的數(shù)學公式求其他記錄^t式的記錄功率的本方法，具有試寫所需要的時間和試 寫區(qū)域小的優(yōu)點。第六實施例在從第一實施例到第五實施例中，使用調(diào)制度作指標求最佳記錄功率。在 本實施例中，敘述不是用調(diào)制度而是(3設定最佳記錄功率的試寫方法。在本實施例中，使用可6倍速記錄的藍色光源對應盤。使用線速度為約31.7m/s、由2T-9T標記構成的記錄波形。圖10表示說明本實施例中的試寫 方法的動作的流程圖。首先，作為步驟701，讀出在盤中記錄的推薦記錄功率 等記錄條件，得到記錄功率(Pw) 18mW、消隱功率(Pe) 3.4 mW、偏置功 率(Pb)0.1mW。作為步驟S702設定這附近的激光功率條件，作為步驟S703、 S705在盤上進^f亍試寫。激光功率條件，Pb的值固定為0.1 mW,固定Pe和Pw 的比，使Pw在從15 mW到21 mW之間以步長0.2 mW變化。此時，在步驟 S703,使用包含作為偶數(shù)長標記的最短標記的2T標記的試寫模式，在步驟 S705，使用包含作為奇數(shù)長標記的最短標記的3T標記的試寫模式。具體說， 在步驟S703使用的模式，是由2T標記和8T標記以及從2T到9T長度的空白 構成的記錄模式，在步驟S705使用的模式，是由3T標記和8T標記以及從2T 到8T長度的空白構成的記錄模式。這樣，通過在記錄模式中配置共同的標記 長度(這里是8T),具有以相同的8T標記為基礎計算作為各自最小標記的2T 和3T的(3的優(yōu)點。在步驟S703以及S705改變記錄功率進行記錄，分別計算 作為2T標記的P的P ( 2T)和作為3T標記的P的(3 ( 3T )。圖11表示記錄 功率和(3 (2T)、 |3 (3T)的關系。這樣，P和記錄功率的關系一般依從標記 的長度而不同。在本實施例中，設希望的P為O,在步驟S704以及步驟S706中，作為成 為P (2T) =0的記錄功率設定Pw (even) =18.2mW，作為成為P (3T) =0的記錄功率設定Pw ( odd ) = 18.4 mW。接著在步驟S707,取nT = 2LT 標記的記錄功率Pw ( even)為18.2 mW、 nT = ( 2L+1 ) T標記的記錄功率 Pw ( odd )為18.4 mW,記錄nT = 2LT標記和nT = ( 2L+1 ) T標記混存的 試寫模式(確認模式)。其結果，抖動成為4.9%,成為在實用上沒有問題的良 好的值。在本實施例中，分別試寫奇數(shù)長最小標記和偶數(shù)長最小標記，但是如圖 12所示，也可以通過例如使用隨機模式，使記錄功率變化進行記錄，分別檢 測(3 (2T)和(3 (3T)求包含2T、 3T的記錄模式，求P (2T)和P (3T) 成為希望的值的奇數(shù)長用記錄功率Pw (odd)和偶數(shù)長用記錄功率Pw (even )。本實施例所示的試寫方法，重要的是分別設定記錄功率，使最小標記和其次大的標記的不均勻性或者P 、或者Y大體相等，2T標記最小或3T標記最小 這樣的調(diào)制方式(最小標記的大小)的不同并不重要。因此，使用3T標記成 為最小的調(diào)制方式本發(fā)明的效果也不會改變。這里所謂大體相等，表示不需要 是嚴格一致的數(shù)值，例如不均勻性土 1%的范圍內(nèi)相同即可?？梢栽谟涗浌β?的設定步長的范圍內(nèi)設定最近的不均勻性或者P或者Y 。 第七實施例在從第一實施例到第六實施例中，敘述了在能夠選擇驅(qū)動器具有的激光驅(qū) 動器所希望的多級記錄功率Pw的場合中的試寫方法的一例。這里表示在不具 有激光驅(qū)動器所希望的設定個數(shù)數(shù)量的Pw級的場合中的試寫的一例。圖13表示說明本實施例中的試寫方法的動作的流程圖。據(jù)此進行說明。 光盤使用和第一實施例相同的光盤，在記錄重放測定中使用搭載波長660 nm 的半導體激光器的驅(qū)動器。該驅(qū)動器僅可以設定單值的Pw級。因為從圖13 的步驟S901到步驟S908和從圖1的步驟S101到S108相同，所以這里省略 說明。通過到S908的步驟，在步驟S905作為偶數(shù)長標記記錄功率Pw (even) 得到36.8 mW、在步驟S908作為奇數(shù)長標記記錄功率Pw ( odd)得到38.9 mW。在本實施例中，把用這些記錄功率的平均值除Pw (even)和Pw (odd) 的差的值作為參數(shù)x,根據(jù)該值的大小選擇試寫方法。在步驟S909，使用用(Pw (even) +Pw (odd)) / 2表示的兩個記錄功率的平均值除作為Pw (even) 和Pw (odd)的差的IPw (even) - Pw (odd)|。其結果，本實施例中 的參數(shù)x成為5.5。/。，根據(jù)在步驟S910的判定，前進到步驟S914。在步驟S914使用計算公式求記錄功率Pw (opt)。這里使用的計算公式作 為一個例子舉出下式。Typel Pw ( opt) = Pw ( even)Type2Pw (opt) =Pw (odd)Type3 Pw ( opt) = (Pw ( even) +Pw ( odd)) / 2Type4Pw (opt) =Max (Pw (even), Pw (odd))Type5Pw (opt)=Min(Pw (even), Pw (odd))Typel是重視偶數(shù)長標記的計算公式，適合于最小標記取2T標記的調(diào)制 方式的場合。Type2是重視奇數(shù)長標記的計算公式，適合于最小標記采用3T 標記的調(diào)制方式的場合。Type3是把Pw ( even )和Pw (odd)的平均功率 作為最佳功率Pw (opt),具有使記錄時的分散變小的優(yōu)點。Type4是從Pw (even)和Pw ( odd)中選擇大的記錄功率計算最佳功率Pw (opt)的計算 公式。在使用希望得到S/N低調(diào)制度的介質(zhì)時等重視S/N的場合，Type4適合。 相反，Type5是從Pw (even)和Pw (odd)中選擇小的記錄功率計算最佳 功率Pw (opt)的計算公式。該方式優(yōu)選適用于來自相鄰軌道的串擾大、不 能以大寬度記錄標記的介質(zhì)。換言之，在由于串擾引起抖動惡化急劇的場合 Type5的計算公式適合。優(yōu)選符合這些計算公式使用的驅(qū)動器或盤進行選擇。 另夕卜，這里舉出來的計算公式是一個例子，只要使用從Pw (even)和Pw (odd) 求最佳功率Pw (opt),都在本發(fā)明的范圍內(nèi)。在本實施例中使用Type3。因為Pw ( even ) = 36.8 mW、 Pw ( odd)= 38.9mW，所以最佳功率Pw (opt)成為Pw (opt) = (36.8 + 38.9) /2 = 37.9mW。使用在步驟S914計算出來的Pw (opt),在步驟S915中使用隨機 模式進行試寫時抖動為6.5%，可以得到實用上沒有問題的記錄性能。在本實施例中，作為在步驟S910的判定基準，判定參數(shù)x是否比10%大， 但是也可以取為更安全進行記錄的閾值例如為5%。優(yōu)選符合驅(qū)動器或使用的 介質(zhì)決定閾值。在取閾值為5%的場合，在本實施例中，在圖13的步驟S910 判定為"Yes"，前進到步驟S911。因為在本實施例中使用的驅(qū)動器不具有脈 沖可變功能，所以在步驟S911判定為"No",成為NG、即寫錯誤(不能記錄)。 這樣，成為寫錯誤乍一看對用戶不利。但是，作為以不適當?shù)挠涗浌β收丈溥M 行記錄的結果，也存在破壞以前記錄的數(shù)據(jù)或管理區(qū)域的數(shù)據(jù)的可能性。是為 防止這樣的數(shù)據(jù)破壞重要的流，可以保存作為用戶財產(chǎn)的記錄信息。在圖13 中，表示出在步驟S911判定為No的場合成為NG的場合的一例，但是在步 驟S911判定為No的場合，前進到步驟S914,不用說也可以發(fā)現(xiàn)Pw。在這一 場合，最好在步驟S916中得到充分的記錄性能以前不得到Pw,在步驟S917 設定重試次數(shù)z?？梢苑向?qū)動器或使用的介質(zhì)決定重試次數(shù)。在本實施例中 取z = 1 。另外，在本實施例中，在步驟S909,從下式求參數(shù)x。x叫Pw ( even ) _ Pw ( odd) | / ( Pw ( even) + Pw ( odd)) / 2但是，本發(fā)明不限于上式，可以是能夠以任何形式表示偶數(shù)長標記的最佳 功率和奇數(shù)長標記的最佳功率的差的公式。在本實施例中，因為不是脈沖寬度可變的驅(qū)動器，所以在步驟S911判定 為No,但是在使用脈沖寬度可變的驅(qū)動器的場合，在步驟S912能夠使脈沖寬 度變化。例如，在像本實施例這樣，在Pw (even) < Pw (odd)的場合， 可以是在追記型介質(zhì)中擴寬奇數(shù)長標記的脈沖寬度的方向。在追記型介質(zhì)中與 一般的照射能量成比例標記變大。因此，通過擴寬脈沖寬度，可以降低記錄功 率，結果，可以取接近Pw (even)的功率。相反，使Pw (even)的脈沖寬 度變窄也有同樣的效果。另外，在可改寫型介質(zhì)中，可以是使奇數(shù)長標記的脈 沖寬度變窄的方向。在可改寫相變介質(zhì)中，產(chǎn)生稱為再結晶化的熔融區(qū)域的結 晶化。脈沖寬度展寬的話，此時結晶化變得急劇，通過注入過多的能量有時使 振幅變小。此時，通過使脈沖寬度變窄可以使振幅變大。優(yōu)選脈沖寬度以lns 左右的單位變化。這成為大體相當于激光器的上升時間或者下降時間的時間。 或者也可以以Tw/ 16等用n分割Tw的單位使脈沖可變，哪一種場合都可以 吸收介質(zhì)的加載分狀或者激光驅(qū)動器的個體分散。在本實施例中，從調(diào)制度實質(zhì)成為0的記錄功率P0設定Pw，但是通過求 調(diào)制度不成為0、而成為規(guī)定的調(diào)制度的記錄功率Pw，，用常數(shù)p，乘Pw，來求 Pw的方法也可以。圖26表示一例。在圖26中，表示取規(guī)定的調(diào)制度為30% 的場合的試寫方法。在本實施例中，說明了激光驅(qū)動器不具有希望的記錄功率級設定個數(shù)的場 合，但是圖13、圖26所示的試寫方法作為能夠設定希望的記錄功率級的驅(qū)動 器中的試寫方法也可以使用。在這一場合，成為在把不能保證記錄性能的粗劣 的光盤介質(zhì)插入驅(qū)動器中時作為NG而吐出的方法。第八實施例在第七實施例中，敘述了在只具有1級Pw的驅(qū)動器中使用2T系策略的 情況。在本實施例中敘述在具有2級Pw的驅(qū)動器中使用3T系策略的情況。 在Pw級可以設定2值的驅(qū)動器中，2T系策略可以給偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記各自分配記錄功率，但是在使用3T系策略的場合，不能給3種記錄模式各自分配記錄功率級。即使在這樣的場合，也可以在和圖13同樣的流中設定記 錄功率。例如，在可以設定Pw (A)和Pw (B)的2值的記錄功率的驅(qū)動 器中，使用圖14說明使用3T策略的場合的一例。光盤使用可IO倍速記錄的改寫型DVD,驅(qū)動器使用和第一實施例同樣的 驅(qū)動器。從步驟S1101到步驟S1111因為和在第二實施例中說明的流程圖相同， 所以在這里省略。因為在第二實施例中使用的驅(qū)動器可以具有3值的記錄功率 級，所以分別設定在步驟S1105、步驟S1108、步驟Sllll中求得的3種記錄 模式的最佳功率，可以在實際的記錄中使用。但是，在這里因為使用僅能設定 2值Pw級的驅(qū)動器，所以不能對于3種記錄模式全部分配最佳功率級。因此， 在步驟S1112,求3種記錄模式中的最佳功率的平均功率Pw (y),在步驟S1113 中，在3種記錄模式的最佳記錄功率Pw (3LT) =57.7mW、 Pw ((3L-1) T) =54.0mW、 Pw ((3L —2)T) = 56.3 mW中，判定成為離開Pw (y) 最遠的值的記錄模式A。在本實施例中，Pw (y) = 56.0 mW,各記錄模式 的記錄功率和Pw (y)的差，Pw (3LT) 是1.7mW、 Pw ((3L—l)T) 是2.0mW、 Pw ((3L-2)T)是0.3 mW,可以明白，具有最遠記錄功率的 記錄模式A是由nT^ (3L-1) T標記組成的記錄模式(步驟S1113)。接著在步驟S1114,把記錄模式A的記錄功率Pw (A)作為成為由nT-(3L-l)T標記組成的記錄模式的記錄功率Pw ((3L-l)T)設定為54.0mW， 在步驟S1115中，使用由nT = 3LT標記和nT = ( 3L - 2 ) T標記組成的記錄 B,改變功率進行記錄。其結果，在步驟S1116，作為抖動成為最小的Pw (B) 得到56.7mW。此時的抖動是6.8mW。在步驟S1117, nT= (3L—l)T標記 作為記錄功率Pw (A)設定為54.0mW, 11丁 = 3]^標記以及11丁= (3L-2) T標記作為記錄功率Pw (B)設定為56.7 mW,使用隨機模式進行記錄。其 結果，可以得到抖動為7.2mW、在實用上沒有問題的記錄性能。在步驟S1118 判定"Yes",試寫結束。在本實施例所示的步驟S1116 (圖14)中，取Pw (B)成為抖動最小值 的Pw，但是為簡便起見，也可以作為2種記錄模式的最佳功率的平均值。再 有，使用在PRML中使用的級抖動也同樣?；蛘呖梢允褂迷诘谄邔嵤├兴灸菢拥膹腡ypel到Type5所示那樣的計算公式，也可以使用不均勻性或者|3 把各自的nT = 3LT標記的最小標記和nT = ( 3L - 2 ) T標記的最小標記的[3 大體成為相同的記錄功率設定為Pw (B)(圖15)。在本實施例中使用最小標 記是3T、最長標記為14T的調(diào)制方式，具體說，nT二3LT標記的最小標記成 為3T標記、nT = (3L - 2) T標記的最小標記成為4T標記。在步驟S1116 中的Pw (B)的選擇方法，也可以用使用的介質(zhì)和驅(qū)動器的符合性決定。在圖14中，從調(diào)制度成為0的記錄功率P0求記錄功率Pw,但是在圖27 中表示在把I3大體成為10%的功率設定為Pw的場合的試寫方法的一例。圖 27的步驟S1703、 S1705、 S1707中使用的試寫模式，分別使用由nT:3LT組 成的標記形成的記錄模式、由nT= ( 3L-2 ) T組成的標記形成的記錄模式、 由11丁= (3L-1) T組成的標記形成的記錄模式3種。但是，本發(fā)明不限定 于這種試寫模式。例如如在第六實施例中所示，也可以使用由在各記錄模式的 最短標記和各記錄模式中共同的標記長度組成的試寫模式，具體說可以使用， 在步驟S1703中作為最短標記的3T標記和作為共同標記的IIT標記、以及從 3T到IIT的長度的空白構成的記錄模式；在步驟S1705中作為最短標記的4T 標記和作為共同標記的IIT標記、以及從3T到IIT的長度的空白構成的記錄 模式；在步驟S1707中作為最短標記的5T標記和作為共同標記的IIT標記、 以及從3T到11T的長度的空白構成的記錄模式。另外，在圖27中，取P為 10%時的記錄功率作為各記錄模式的Pw,但是p的值，有時根據(jù)介質(zhì)或驅(qū)動 器的不同最佳值不同。優(yōu)選根據(jù)介質(zhì)的種類或者驅(qū)動器的特性等設定P的值。第九實施例本實施例說明在上述實施例中執(zhí)行的試寫或者進行實際記錄時的裝置。這 里，作為裝置的一例，表示如第一實施例那樣的2T系策略的裝置。圖16、圖 17以及圖18表示裝置的整體圖。記錄數(shù)據(jù)，用編碼電路變換為記錄代碼，在 合成電路中與由同步信號發(fā)生電路發(fā)生的同步信號合成，輸入到脈沖變換電路 中。接著，使用脈沖變換電路變換為脈沖數(shù)據(jù)，用記錄脈沖整形電路整形為脈 沖狀，驅(qū)動光源。至此，圖16、圖17以及圖18是共同的。圖16表示具有2值記錄功率級、分類偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記發(fā)生記錄 模式、具備偶奇分類試寫模式發(fā)生電路的裝置。偶奇分類試寫模式發(fā)生電路分別發(fā)生由偶數(shù)長標記組成的試寫用記錄模式和奇數(shù)長標記組成的試寫用記錄 模式，在盤中記錄。記錄的信號在檢測電路中被檢測，在重放電路中評價記錄 性能，在重放特性存儲單元中存儲記錄條件和記錄性能的關系。其后，使用記 錄功率調(diào)整電路決定下次的記錄功率，返回到記錄脈沖整形電路。此外，在圖
16中，說明了偶奇分類試寫模式發(fā)生電路，但是對于檢測窗口寬度的自然數(shù)n 倍長度的標記，只要是按照用大于等于2的整常數(shù)除n的余數(shù)進行分類的試寫 模式發(fā)生電路即可。這樣，求各記錄模式中的最佳記錄功率，在實際的記錄中， 在奇數(shù)長標記、偶數(shù)長標記中設定各自的記錄功率。
圖17表示作為使用2T系策略的場合的記錄功率級的設定值是單值的裝置 的結構圖(一例)。是如第七、第八實施例那樣的、記錄功率的設定級值比記 錄模式數(shù)少的場合的裝置結構的一例。和圖16相同，分別發(fā)生2種記錄模式 在盤中存儲，檢測記錄的信號，在重放電路中評價記錄性能。在設定2種記錄 功率的最佳值后，在判定電路中使用在判定式記錄電路中記錄的判定式，對于 2種記錄模式的記錄功率進行判定，在記錄功率的判定值小于等于規(guī)定值的場 合，使用在記錄功率計算公式存儲電路中存儲的計算公式在記錄功率調(diào)整電路 中調(diào)整最佳記錄功率。另外，其特征為具有在記錄功率的判定值比規(guī)定值大的 場合，判斷為寫^l昔誤，顯示不能記錄的功能。在圖17中，.表示對于2T系策 略(2個記錄模式)具有單值的記錄功率設定級的裝置的一例，但是對于n個 記錄才莫式具有不到n個的記錄功率設定級的裝置也同樣可以適用。
圖18表示不用偶數(shù)長和奇數(shù)長區(qū)分試寫用記錄模式、利用隨機信號時的 裝置的結構圖(一例)。在試寫中，記錄的隨機信號在檢測電路中被檢測，其 后使用偶奇分類電路分類為偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記。圖18中的特征是具備 偶數(shù)長標記、奇數(shù)長標記各自專用的重放電路、重放特性存儲單元、記錄功率 調(diào)整電路。這些電路可以在一個電路中容易地實現(xiàn)。另外也容易增加到大于等 于兩個的多個。另外，在圖18中說明了偶奇分類電路，但是對于檢測窗口寬 度的自然數(shù)n倍長的標記，按照用大于等于2的整常數(shù)除n的余數(shù)進行分類的 分類電路也同樣可以適用。在重放特性存儲電路中可以存儲調(diào)制度、P等諸特 性的重放特性。
本發(fā)明涉及一種試寫方法，其用于設定在光學信息記錄介質(zhì)上記錄信息的記錄條件，其中，
對于檢測窗口寬度的自然數(shù)n倍長的標記，按照用大于等于2的整常數(shù)除
n的余數(shù)生成對記錄符號序列中的標記長進行分類的記錄模式，
選擇所述記錄模式中的任意的記錄模式A,設定其他的記錄模式的記錄功
率，以使成為與通過規(guī)定的方法設定的記錄模式A的記錄功率Pw (A)中的
調(diào)制度mod (A)大體相同的值。 如上所述的試寫方法，其中，
所述規(guī)定的方法，對于所述記錄模式A,變化記錄功率進行記錄重放，根 據(jù)調(diào)制度和記錄功率的關系求調(diào)制度成為0的記錄功率P0 (A)，把用常數(shù)p 乘P0 ( A)的值設定為記錄模式的記錄功率Pw ( A )。
本發(fā)明還涉及一種試寫方法，其用于設定在光學信息記錄介質(zhì)上記錄信息 的記錄條件，其中，
對于檢測窗口寬度的自然數(shù)n倍長的標記，按照用大于等于2的整常數(shù)除 n的余數(shù)生成對記錄符號序列中的標記長進行分類的記錄模式，
選擇所述記錄模式中的任意的記錄模式A，通過規(guī)定的方法設定所述記錄 模式A的記錄功率Pw (A),使所述記錄模式A取所述記錄功率Pw (A)、 而且使其他記錄模式的記錄功率在包含Pw ( A )的一定范圍內(nèi)變化進行試寫， 設定其他記錄模式的記錄功率。
如上所述的試寫方法，其中，
所述一定的范圍是axPw (A) ^Pw^bxPw (A)， 0.8^a^l.0， 1.0 如上所述的試寫方法，其中，
所述規(guī)定的方法，對于所述記錄模式A，變化記錄功率進行記錄重放，根 據(jù)調(diào)制度和記錄功率的關系求調(diào)制度成為0的記錄功率P0 (A)，把用常數(shù)p 乘P0 ( A)的值設定為記錄模式的記錄功率Pw ( A )。
如上所述的試寫方法，其中，
計算所述記錄模式A的所述記錄功率Pw (A)中的調(diào)制度， 計算所述其他記錄;f莫式的、使用所述記錄功率Pw (A)時的調(diào)制度， 比較所述Pw (A)中的調(diào)制度和所述其他記錄^t式的調(diào)制度，根據(jù)所述比較結果，改變記錄功率變化的范圍進行試寫。
此外，本發(fā)明還涉及一種試寫方法，其用于設定在光學信息記錄介質(zhì)上記 錄信息的記錄條件，其中，
對于檢測窗口寬度的自然數(shù)n倍長的標記，按照用大于等于2的整常數(shù)除 n的余數(shù)生成對記錄符號序列中的標記長進行分類的記錄模式，
使用所述記錄模式中的任意的記錄模式a進行試寫，求記錄功率，用常 數(shù)q乘該記錄功率或者加上常數(shù)r求其他方的記錄模式的記錄功率。
另外，本發(fā)明還涉及一種試寫方法，其用于設定在光學信息記錄介質(zhì)上記 錄信息的記錄條件，其中，
生成包含檢測窗口寬度的自然數(shù)n倍長的奇數(shù)長最小標記的第一記錄模 式和包含檢測窗口寬度的自然數(shù)n倍長的偶數(shù)長最小標記的第二記錄模式，
計算奇數(shù)長最小標記的不均勻性或者p或者y 、偶數(shù)長最小標記的不均勻 性或者P或者y,為使這些值成為大體相同，分別設定用于記錄所述第一記錄 模式的記錄功率Pw (odd)和用于記錄所述第二記錄模式的記錄功率Pw (even )。
如上所述的試寫方法，其中，
所述第一記錄模式和所述第二記錄模式包含相同標記長度的標記，根據(jù)所 述相同標記長度的標記計算所述不均勻性或者P或者y 。
此外，本發(fā)明涉及一種試寫方法，其用于設定在光學信息記錄介質(zhì)上記錄 信息的記錄條件，其中，
對于檢測窗口寬度的自然數(shù)n倍長的標記，區(qū)分按照用大于等于2的整常 數(shù)除n的余數(shù)對記錄符號序列中的標記長進行分類的m( m是大于等于2的自 然數(shù))個記錄模式，使用具有記錄功率可設定級值比m個小的激光驅(qū)動器的 驅(qū)動器進行記錄，
該方法具有如下步驟
在對于m個記錄才莫式求各自的最佳記錄功率后，按照某一判定公式求m 個記錄模式的各記錄功率的分散程度的步驟，
在該分散程度在小于等于規(guī)定的數(shù)值時按照計算公式設定共同最佳功率 Pw (C3pt)的步驟，在比規(guī)定的數(shù)值大時，在脈沖寬度可變的驅(qū)動器中變化脈沖寬度，在脈沖 寬度不可變的驅(qū)動器中作為寫錯誤不記錄信息的步驟。另夕卜，本發(fā)明還涉及一種試寫方法，其用于設定在光學信息記錄介質(zhì)上記 錄信息的記錄條件，其中，對于檢測窗口寬度的自然數(shù)n倍長的標記，按照用大于等于2的整常數(shù)除n的余數(shù)生成對記錄符號序列中的標記長進行分類的記錄模式，對于所述記錄模式的每一個，變化記錄功率進行記錄重放，根據(jù)調(diào)制度和記錄功率的關系分別求所述調(diào)制度成為a% (其中0<a)的記錄功率Pw，，把 用常數(shù)p，乘Pw，的值設定為所述各記錄^t式的記錄功率。 如上所述的試寫方法，其中，在所述各記錄模式中設定的記錄功率中，使用所述分類的記錄模式混存的 確認模式進行試寫，進行所述各記錄模式的記錄功率的微調(diào)整。 如上所述的試寫方法，其中，所述分類的記錄模式是由偶數(shù)長標記組成的記錄模式和由奇數(shù)長標記組 成的記錄模式。如上所述的試寫方法，其中，所述分類的記錄模式是由nT = 3LT (L是脈沖數(shù)，T是檢測窗口寬度)組 成的標記形成的記錄模式、由nT = (3L-2) T組成的標記形成的記錄模式 和由nT= ( 3L - 1 ) T組成的標記形成的記錄才莫式。如上所述的試寫方法，其中，所述分類的記錄模式是由nT = 4LT (L為脈沖數(shù)，T為檢測窗口寬度)組 成的標記形成的記錄模式、由nT = ( 4L - 2 ) T組成的標記形成的記錄模式、 由nT = ( 4L - 1 ) T組成的標記形成的記錄模式和由nT = ( 4L+1 ) T組成的 標記形成的記錄才莫式本發(fā)明涉及一種信息記錄裝置，其具有在記錄介質(zhì)上記錄為決定記錄功率的試寫模式的試寫模式記錄單元，檢測記錄的所述試寫模式的檢測電路，重放記錄的所述試寫模式的重放電路，判定所述試寫模式的重放特性的判定電路，用于在所述判定電路中判定為不能記錄的場合顯示寫錯誤的電路， 在所述判定電路中判定為能記錄的場合根據(jù)來自所述檢測電路的信號、調(diào) 整記錄功率的記錄功率調(diào)整電路，所述試寫模式記錄單元是記錄對于檢測窗口寬度的自然數(shù)n倍長的標記、 按照用大于等于2的整常數(shù)除n的余數(shù)對記錄符號序列中的標記長進行分類的 記錄模式的單元，所述記錄功率調(diào)整電路，對于所述分類的每一記錄模式設定記錄功率。
權利要求
1.一種試寫方法，用于設定在光學信息記錄介質(zhì)上記錄信息的記錄條件，包括生成根據(jù)用大于等于2的整常數(shù)除自然數(shù)n獲得的余數(shù)而被分類的記錄模式，所述自然數(shù)n與窗口寬度一樣是記錄符號序列中的標記長度的因子；選擇記錄模式中的任意的記錄模式A；設定記錄功率Pw(A)，所述記錄功率Pw(A)是通過預定處理的所述寫模式A的記錄功率；對記錄模式A以記錄功率Pw(A)執(zhí)行試寫并通過在包含Pw(A)的預定范圍內(nèi)改變記錄功率對其他記錄模式執(zhí)行試寫。
2. 根據(jù)權利要求1所述的試寫方法，其中所述包含Pw(A)的預定范圍不小于Pw(A)乘以a并且不大于Pw(A)乘 以b,其中a不小于0.8并且不大于1.0， b不小于l.O并且不大于1.2。
3. 根據(jù)權利要求1所述的試寫方法，所述預定處理由以下步驟組成 通過改變記錄功率來記錄和重放記錄模式A的步驟； 基于調(diào)制度和記錄功率的關系獲得調(diào)制度為0時的記錄功率PO(A)的步驟；以及對于所述記錄模式A，將P0(A)乘以常數(shù)p的值設置為記錄功率Pw(A)的 步驟。
4. 根據(jù)權利要求1所述的試寫方法，進一步包括 對記錄功率是P(A)時的所述記錄模式A計算調(diào)制度； 對記錄功率是P(A)時的其他記錄模式計算調(diào)制度；比較記錄功率是P(A)時的記錄模式A的調(diào)制度和記錄功率是P(A)時的其 他記錄模式的調(diào)制度；以及通過根據(jù)比較結果改變記錄功率的范圍來進行試寫。
5. 根據(jù)權利要求1所述的試寫方法，進一步包括 對所述其他記錄模式設置記錄功率；以及在所述其他記錄模式中調(diào)整脈沖寬度。
6. —種試寫方法，用于設定在光學信息記錄介質(zhì)上記錄信息的記錄條件，包括生成根據(jù)用大于等于2的整常數(shù)除自然數(shù)n獲得的余數(shù)而被分類的寫模 式，所述自然數(shù)n與窗口寬度一樣是記錄符號序列中的標記長度的因子；使用記錄模式中的任意記錄模式A執(zhí)行試寫并且獲得記錄模式A的記錄 功率；以及通過將記錄模式A的記錄功率乘以常數(shù)p或通過將常數(shù)r加到記錄模式A 的記錄功率來確定記錄模式A之外的記錄模式的記錄功率。
7. —種信息記錄裝置，具有試寫模式記錄單元，在記錄介質(zhì)上記錄用于決定記錄功率的試寫模式； 檢測電路，檢測所記錄的試寫模式； 重放電路，重放所記錄的試寫模式； 判斷電路，判斷試寫模式的重放特性；在判斷電路的判斷是不可能記錄的情況下用于顯示記錄錯誤的電路；以及 記錄功率調(diào)整電路，在判斷電路的判斷是能夠記錄的情況下基于來自檢測 電路的信號用于調(diào)整記錄功率； 其中試寫模式記錄單元記錄根據(jù)用大于等于2的整常數(shù)除自然數(shù)n而獲得的余 數(shù)被分類的寫模式，所述自然數(shù)n與窗口寬度一樣是記錄符號序列中的標記長 度的因子；以及所述記錄功率調(diào)整電路對于每個所述分類的記錄模式設定記錄功率。
全文摘要
本發(fā)明涉及試寫方法及信息記錄裝置。在本發(fā)明中，提供用于通過向記錄介質(zhì)注入能量形成和未記錄部分不同的標記來記錄信息的試寫方法，以及在信息記錄裝置中能夠正確而且在短時間內(nèi)求高速記錄條件下的最佳記錄功率的試寫方法。在2T系策略中，分別試寫偶數(shù)長標記和奇數(shù)長標記求各自的最佳記錄功率。因為可以提高試寫精度，所以可以得到良好的記錄性能。
文檔編號G11B7/125GK101335018SQ200810145248
公開日2008年12月31日 申請日期2005年8月18日 優(yōu)先權日2005年2月10日
發(fā)明者峰邑浩行, 牛山純子 申請人:株式會社日立制作所