專利名稱：：相變存儲器件、使用其的存儲系統(tǒng)和讀取存儲器件的方法相變存儲器件、使用其的存儲系統(tǒng)和讀取存儲器件的方法相關(guān)申請本申請要求2007年4月30日提交的韓國專利申請第2007-42046號的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過引用被整體包含在此。本申請涉及由Chang-WookJeong等人在同一日期提交的，題目為"具有受控的電阻漂移參數(shù)的多級單元相變存儲器件、使用此器件的存儲系統(tǒng)和讀取存儲器件的方法"，的美國序列號(我們的巻號SAM-1116)，其為本申請人所共同擁有，其內(nèi)容通過引用被包含在此。本申請涉及由Chang-WookJeong等人在同一日期被提交的，題目為"具有編程后操作電阻漂移飽和的多級單元相變存儲器件、使用此存儲器件的存儲系統(tǒng)和讀取存儲器件的方法"，的美國序列號(我們的SAM-1117)，其為本申請人所共同擁有，其內(nèi)容通過引用被包含在此。
背景技術(shù)：
：在此所述的相變存儲器或者相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)在本領(lǐng)域中也被稱為奧弗辛斯基電效應(yīng)統(tǒng)一存儲器(OvonicsUnifiedMemoryOUM)。所述OUM單元基于一定體積的硫族化物合金，其在被加熱和冷卻后采用兩種穩(wěn)定的、但是可編程的相之一結(jié)晶的或者無定形的。第一相、即結(jié)晶相的電阻較低，并且第二相、即無定形相的電阻較高。將單元的狀態(tài)編程為邏輯l或者O依賴于可編程體積(programmablevolume)的相，并且通過測量其電阻而被確定。所述結(jié)晶或者導(dǎo)電狀態(tài)通稱為"置位"或者"0"狀態(tài)；所述無定形或者電阻不導(dǎo)電狀態(tài)通稱為"復(fù)位"或者"1"狀態(tài)。為了使得所述可編程體積無定形，其被電阻加熱器加熱到其熔點之上。為了使得可編程體積結(jié)晶，其被加熱到剛好低于其熔點諸如50納秒的短時間段，以便原子在它們的結(jié)晶位置排齊。當(dāng)加熱器被關(guān)閉時，所述體積迅速地冷卻到穩(wěn)定的無定形或者穩(wěn)定的結(jié)晶狀態(tài)。以這種方式，通過將單元編程為結(jié)晶或者無定形狀態(tài)，可以向所述單元寫入數(shù)據(jù)。通過測量被編程的單元的電阻的靈敏放大器來執(zhí)行被編程的單元的讀取。相變存儲器的關(guān)鍵是硫族化物材料。所述器件歷史上包括鍺(Ge)、銻(Sb)和碲(Te)合金，其被通稱為GST合金。所述材料特別有益于包含在存儲器中，因為其當(dāng)被加熱和冷卻時能夠在穩(wěn)定的無定形和結(jié)晶相之間迅速轉(zhuǎn)換。包含硫族化物材料的存儲單元通常包括所述硫族化物材料的上電極、圖案化的層或者體積以及作為電阻加熱元件的下電極。圖l是圖解了使用可編程硫族化物材料的存儲單元10的示意圖。所述單元10包括形成在可編程相變硫族化物材料14上的導(dǎo)電上電極12。形成在可編程材料14之下導(dǎo)電下電極接觸(BEC)16。下電極接觸(BEC)由諸如TiAlN、TiN等的較高電阻材料形成，以便其作為電阻加熱器而工作，當(dāng)電流流過BEC時產(chǎn)生熱量。存取晶體管20(參見圖2A和2B)連接到下電極接觸16，用于控制通過單元10的電流。存取晶體管20的柵極通常連接到包含單元10的存儲器件的字線WL。圖2A和2B是圖解了在所述兩種編程狀態(tài)的每個中的單元10的示意圖。在圖2A中，單元10被示出在導(dǎo)電的置位或者"0"狀態(tài)中。在這種狀態(tài)中，與BEC接觸的可編程材料14的某部分處于結(jié)晶狀態(tài)中。在圖2B中，單元10被示出處于電阻復(fù)位或者"1"狀態(tài)中。在這種狀態(tài)中，與BEC接觸的可編程材料14的某部分在無定形狀態(tài)中。圖3是示意地圖解了單元10的電子配置的示意圖。字線WL在存取晶體管20的柵極控制通過單元10的電流。流過單元10的結(jié)果的電流ICELL和連接到單元10的上電極12的位線BL的激活用于在寫入或者編程操作期間編程單元10的狀態(tài)，并且用作用于在讀取或者感測操作期間讀取單元10的狀態(tài)的參數(shù)。圖4是圖解了存儲單元的編程的時序圖，所述存儲單元包括可編程的硫族化物材料的體積，諸如結(jié)合圖l-3圖解和描述的類型。圖4的時序圖是相對于時間的溫度圖，其圖解了在傳統(tǒng)設(shè)備中使用的熱的編程脈沖，所述傳統(tǒng)設(shè)備用于將所述材料編程為置位(結(jié)晶)狀態(tài)和復(fù)位(非定形)狀態(tài)。被標(biāo)注為22的曲線圖解了用于復(fù)位脈沖的時間溫度關(guān)系，所述復(fù)位脈沖即用于將所述材料編程到復(fù)位(無定形)狀態(tài)的溫度脈沖；被標(biāo)注為24的曲線圖解了用于置位脈沖的時間溫度關(guān)系，所述置位脈沖即用于將所述材料編程到置位(結(jié)晶)狀態(tài)的溫度脈沖。參見在圖4中的標(biāo)注為22的曲線，為了將硫族化物材料的可編程體積改變?yōu)闊o定形(復(fù)位狀態(tài))，所述硫族化物合金被電阻加熱器加熱到高于其熔點(Tm)的溫度。所述加熱脈沖被施加較短的時段，例如幾納秒。當(dāng)加熱器在時段T1——被稱為淬火時段一一結(jié)束被關(guān)閉時，所述合金迅速地冷卻到低于所述體積的結(jié)晶溫度Tc的溫度。在所述淬火時段后，硫族化物材料的體積被置于穩(wěn)定的無定形狀態(tài)中。參見在圖4中的被標(biāo)注為24的曲線，為了將可編程體積改變?yōu)榻Y(jié)晶相(置位狀態(tài))，所述合金被電阻加熱器加熱到低于其熔點Tm的溫度，例如被加熱到在所述材料的結(jié)晶溫度Tc和熔化溫度Tm之間的溫度。所述溫度被保持時段T2，所述時段T2比時段T1相對更長，以允許所述合金的部分結(jié)晶，即允許在材料中的原子在它們的結(jié)晶結(jié)構(gòu)中對齊。當(dāng)加熱器被關(guān)閉時，所述合金迅速地冷卻到低于所述體積的結(jié)晶溫度Tc的溫度。在實現(xiàn)結(jié)晶后，去除所述置位加熱脈沖，并且所述材料冷卻到穩(wěn)定的、結(jié)晶的狀態(tài)。已經(jīng)對于具有多種可編程狀態(tài)的PRAM器件的制造進(jìn)行了研究。例如，上述的示例演示具有兩種狀態(tài)一一即無定形(復(fù)位)和結(jié)晶(置位)狀態(tài)一一的PRAM單元，而其他人已經(jīng)使用具有在無定形和結(jié)晶"終端"狀態(tài)之間的多種所謂的"混合"或者"中間"狀態(tài)的PRAM單元進(jìn)行了試驗。在所述中間狀態(tài)中，所述可編程體積部分是無定形的，部分是結(jié)晶的，并且通過控制可編程材料的無定形和結(jié)晶體積的相對百分比，可以控制所述單元的結(jié)果的電阻。以這種方式，每個結(jié)果的PRAM單元可以說具有多種可編程狀態(tài)或者多種級別，其中每個對應(yīng)于唯一的電阻值。在多級PRAM的領(lǐng)域中的研究已經(jīng)由Itri等人進(jìn)行，"Analysisofphase-transformationdynamicsandestimationofamorphous-chalcogenidefractioninphase-changememories,"IEEE42ndAnnualInternationalReliabilityPhysicsSymposium,Phoenix,2004，pp209=215，其內(nèi)容通過引用被包含在此。其他人已經(jīng)確定被編程的硫族化物體積的電阻值可以隨著時間改變。例如參見Pirovano等人的"Low-FieldAmorphousStateResistanceandThresholdVoltageDriftinChalcogenideMaterials,"IEEETransactionsonElectronDevices,Vol.51,No.5，May2004,pp714-719,其內(nèi)容通過引用被包含在此。結(jié)果的"電阻漂移"在二級PRAM單元的無定形狀態(tài)中并且在多級PRAM單元的部分無定形的中間狀態(tài)和完全無定形狀態(tài)中特別有意義。為了控制電阻漂移，其他人已經(jīng)研究了電阻漂移動態(tài)的行為。參見例如Ielmini等人的"RecoveryandDriftDynamicsofResistanceandThresholdVoltagesinPhase-ChangeMemories,"IEEETransactionsonElectronDevices,Vol.54,No.2February2007，pp308-315,其內(nèi)容通過引用被包含在此。但是，電阻漂移仍然是難于處理的問題，特別是在多級PRAM裝置中。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例針對于多級單元相變存儲器件、使用這樣的器件的存儲系統(tǒng)和讀取存儲器件的方法，其中，通過剛好在單元被讀取之前修改所述單元的電阻來控制用于讀取而選擇的器件的電阻漂移，以便在讀取操作之前將所述單元的電阻返回到接近其初始電阻。在一個實施例中，加熱能量脈沖在所述讀取操作之前在大約100ns內(nèi)被施加到所述單元。這樣剛好在讀取之前的單元的加熱將所述單元的電阻水平恢復(fù)到接近其漂移前的電阻值。在另一個實施例中，所述單元是多級存儲單元。在一個方面，一種存儲器件包括多個存儲單元，每個存儲單元包括存儲單元材料，所述存儲單元具有響應(yīng)于在編程操作中施加的編程電流而確定的初始電阻，所述存儲單元的電阻在所述編程操作后的時段上從所述初始電阻變化，并且每個存儲單元連接到存儲器件的導(dǎo)通線，所述導(dǎo)通線用于在編程操作中施加編程電流以編程對應(yīng)的存儲單元的電阻，并且用于在讀取操作中施加讀取電流以讀取對應(yīng)的存儲單元的電阻。修改電路修改用于讀取操作而選擇的多個存儲單元的存儲單元的電阻，以在所述存儲單元的讀取操作之前將其電阻返回到接近初始電阻。在一個實施例中，所述存儲單元材料包括硫族化物材料。在另一個實施例中，每個存儲單元還包括加熱元件，其與所述存儲單元的對應(yīng)存儲單元材料熱連通，所述加熱元件接收所述編程電流以加熱所述對應(yīng)的存儲單元，以便所述存儲單元材料具有初始電阻。在另一個實施例中，所述加熱元件包括與對應(yīng)的存儲單元材料接觸的電極，所述加熱元件包括電阻材料，其當(dāng)電流流過所述加熱元件時產(chǎn)生熱量。在另一個實施例中，每個存儲單元通過所述編程操作被編程以占據(jù)多種狀態(tài)之一，每種狀態(tài)包括獨立于相鄰狀態(tài)的相鄰電阻范圍的電阻范圍。其中所述存儲單元通過所述編程操作編程以占據(jù)超過2種狀態(tài)。在另一個實施例中，所述多種狀態(tài)的低狀態(tài)對應(yīng)于具有最低電阻范圍的狀態(tài)，所述多種狀態(tài)的高狀態(tài)對應(yīng)于具有最高電阻范圍的狀態(tài)，并且所述多種狀態(tài)的至少一種中間狀態(tài)對應(yīng)于至少一種狀態(tài)，所述至少一種狀態(tài)具有大于所述低狀態(tài)的最低電阻范圍并且小于所述高狀態(tài)的最高電阻范圍的電阻范圍。在另一個實施例中，所述修改電路通過在存儲單元的讀取操作之前向?qū)ň€施加能量脈沖而修改存儲單元的電阻，并且其中，當(dāng)通過所述編程操作將所述存儲單元編程到中間狀態(tài)時，所述修改電路施加能量脈沖，并且當(dāng)通過所述編程操作將所述存儲單元編程到低狀態(tài)或者高狀態(tài)時，所述修改電路不施加能量脈沖。在另一個實施例中，所述導(dǎo)通線包括位線，并且其中，所述修改電路通過在存儲單元的讀取操作之前向所述位線施加能量脈沖而修改存儲單元的電阻。在另一個實施例中，所述能量脈沖由耦合到位線的靈敏放大器電路施加。在另一個實施例中，所述能量脈沖由所述存儲器件的控制電路產(chǎn)生，并且由所述靈敏放大器電路的鉗位晶體管激活。在另一個實施例中，所述能量脈沖由耦合到位線的寫入驅(qū)動器電路施加。在另一個實施例中，所述能量脈沖由存儲器件的控制電路產(chǎn)生，并且由寫入驅(qū)動器電路中的開關(guān)電路激活。在另一個實施例中，所述能量脈沖在所述存儲單元的預(yù)充電操作期間施加到位線，其中，在所述能量脈沖的施加之前，預(yù)充電所述位線。在另一個方面，一種讀取存儲器件的方法，所述存儲器件包括多個存儲單元，每個存儲單元包括存儲單元材料，所述存儲單元具有響應(yīng)于在編程操作中施加的編程電流而確定的初始電阻，所述存儲單元的電阻在所述編程操作后的時段上從所述初始電阻變化，每個存儲單元連接到存儲器件的導(dǎo)通線，所述導(dǎo)通線用于在編程操作中施加編程電流以編程對應(yīng)的存儲單元的電阻，并且用于在讀取操作中施加讀取電流以讀取對應(yīng)的存儲單元的電阻，所述方法包括修改用于讀取操作而選擇的存儲單元的電阻，以在所述存儲單元的讀取操作之前將其電阻返回到接近初始電阻；以及執(zhí)行所述存儲單元的讀取操作。在一個實施例中，所述存儲單元材料包括硫族化物材料。在另一個實施例中，每個存儲單元還包括加熱元件，其與所述存儲單元的對應(yīng)存儲單元材料熱連通，并且所述方法進(jìn)一步包括向所述加熱元件施加所述編程電流以加熱所述對應(yīng)的存儲單元，以便所述存儲單元材料具有初始電阻。在另一個實施例中，每個存儲單元通過所述編程操作被編程以占據(jù)多種狀態(tài)之一，每種狀態(tài)包括獨立于相鄰狀態(tài)的相鄰電阻范圍的電阻范圍，其中，在所述編程操作之后，存儲單元的初始電阻占據(jù)初始狀態(tài)，并且其中，在存儲單元的讀取操作之前修改用于讀取操作而選擇的存儲單元的電阻以將其電阻返回到接近初始電阻以將存儲單元的電阻返回到在對應(yīng)于所述初始狀態(tài)的電阻范圍內(nèi)的電阻。在另一個實施例中，所述存儲單元被所述編程操作編程以占據(jù)超過2種狀態(tài)。在另一個實施例中，所述多種狀態(tài)的低狀態(tài)對應(yīng)于具有最低電阻范圍的狀態(tài)，所述多種狀態(tài)的高狀態(tài)對應(yīng)于具有最高電阻范圍的狀態(tài)，并且所述多種狀態(tài)的至少一種中間狀態(tài)對應(yīng)于至少一種狀態(tài)，所述至少一種狀態(tài)具有大于所述低狀態(tài)的最低電阻范圍并且小于所述高狀態(tài)的最高電阻范圍的電阻范圍。在另一個實施例中，當(dāng)存儲單元通過存儲編程操作編程到中間狀態(tài)時，執(zhí)行修改所述存儲單元的電阻，并且當(dāng)所述存儲單元通過所述編程操作編程到低狀態(tài)或者高狀態(tài)時，不執(zhí)行修改所述存儲單元的電阻。在另一個實施例中，修改電阻包括通過在存儲單元的讀取操作之前向連接到所述存儲單元的存儲器件的位線施加能量脈沖，修改存儲單元的電阻。在另一個實施例中，在施加用于執(zhí)行存儲單元的讀取操作的讀取電流之前，在大約100ns內(nèi)施加能量脈沖。在另一個實施例中，在存儲單元的預(yù)充電操作期間，向位線施加能量脈沖，其中，在能量脈沖的施加之前，預(yù)充電所述位線。在另一個方面，一種讀取存儲器件的方法，所述存儲器件包括多個存儲單元，每個存儲單元包括硫族化物材料，所述存儲單元具有響應(yīng)于在編程操作中施加的編程電流而確定的缺陷狀態(tài)，所述存儲單元的缺陷狀態(tài)在所述編程操作后的時段上從所述初始缺陷狀態(tài)變化，每個存儲單元連接到存儲器件的導(dǎo)通線，所述導(dǎo)通線用于在編程操作中施加編程電流以編程對應(yīng)的存儲單元的缺陷狀態(tài)，并且用于在讀取操作中施加讀取電流以讀取對應(yīng)的存儲單元的缺陷狀態(tài)，所述方法包括:修改用于讀取操作而選擇的存儲單元的缺陷狀態(tài)，以在所述存儲單元的讀取操作之前將其缺陷狀態(tài)返回到接近初始缺陷狀態(tài)；以及，執(zhí)行所述存儲單元的讀取操作。在另一個方面，一種電子裝置包括存儲系統(tǒng)，所述存儲系統(tǒng)包括存儲控制器，被布置為連接到數(shù)據(jù)總線，在所述數(shù)據(jù)總線，數(shù)據(jù)信號被傳送；以及，存儲器件，連接到存儲控制器，存儲和檢索數(shù)據(jù)信號。所述存儲器件包括多個存儲單元，每個存儲單元包括存儲單元材料，所述存儲單元具有響應(yīng)于在編程操作中施加的編程電流而確定的初始電阻，所述存儲單元的電阻在所述編程操作后的時段上從所述初始電阻變化，并且每個存儲單元連接到存儲器件的導(dǎo)通線，所述導(dǎo)通線用于在編程操作中施加編程電流以編程對應(yīng)的存儲單元的電阻，并且用于在讀取操作中施加讀取電流以讀取對應(yīng)的存儲單元的電阻。修改電路修改用于讀取操作而選擇的多個存儲單元的存儲單元的電阻，以在所述存儲單元的讀取操作之前將其電阻返回到接近初始電阻。在一個實施例中，所述存儲單元材料包括硫族化物材料。在另一個實施例中，每個存儲單元還包括加熱元件，其與所述存儲單元的對應(yīng)存儲單元材料熱連通，所述加熱元件接收所述編程電流以加熱所述對應(yīng)的存儲單元，以便所述存儲單元材料具有初始電阻。在另一個實施例中，所述加熱元件包括與對應(yīng)的存儲單元材料接觸的電極，所述加熱元件包括電阻材料，其當(dāng)電流流過所述加熱元件時產(chǎn)生熱量。在另一個實施例中，每個存儲單元通過所述編程操作被編程以占據(jù)多種狀態(tài)之一，每種狀態(tài)包括獨立于相鄰狀態(tài)的相鄰電阻范圍的電阻范圍。其中所述存儲單元通過所述編程操作編程以占據(jù)超過2種狀態(tài)。在另一個實施例中，所述多種狀態(tài)的低狀態(tài)對應(yīng)于具有最低電阻范圍的狀態(tài)，所述多種狀態(tài)的高狀態(tài)對應(yīng)于具有最高電阻范圍的狀態(tài)，并且所述多種狀態(tài)的至少一種中間狀態(tài)對應(yīng)于至少一種狀態(tài)，所述至少一種狀態(tài)具有大于所述低狀態(tài)的最低電阻范圍并且小于所述高狀態(tài)的最高電阻范圍的電阻范圍。在另一個實施例中，所述修改電路通過在存儲單元的讀取操作之前向?qū)ň€施加能量脈沖而修改存儲單元的電阻，并且其中，當(dāng)通過所述編程操作將所述存儲單元編程到中間狀態(tài)時，所述修改電路施加能量脈沖，并且當(dāng)通過所述編程操作將所述存儲單元編程到低狀態(tài)或者高狀態(tài)時，所述修改電路不施加能量脈沖。在另一個實施例中，所述導(dǎo)通線包括位線，并且其中，所述修改電路通過在存儲單元的讀取操作之前向所述位線施加能量脈沖而修改存儲單元的電阻。在另一個實施例中，所述能量脈沖由耦合到位線的靈敏放大器電路施加。在另一個實施例中，所述能量脈沖由所述存儲器件的控制電路產(chǎn)生，并且由所述靈敏放大器電路的鉗位晶體管激活。在另一個實施例中，所述能量脈沖由耦合到位線的寫入驅(qū)動器電路施加。在另一個實施例中，所述能量脈沖由存儲器件的控制電路產(chǎn)生，并且由寫入驅(qū)動器電路中的開關(guān)電路激活。在另一個實施例中，所述能量脈沖在所述存儲單元的預(yù)充電操作期間施加到位線，其中，在所述能量脈沖的施加之前，預(yù)充電所述位線。通過如附圖中圖解的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體的說明，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點將顯而易見，在所述附圖中，在不同視圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分。所述附圖不必然按照比例，重點放在圖解本發(fā)明的原理。在附圖中圖l是圖解了使用可編程硫族化物材料的傳統(tǒng)存儲單元的示意圖2A和2B是圖解了在兩種編程狀態(tài)的每個中的傳統(tǒng)存儲單元的示意圖3是圖1、2A和2B的傳統(tǒng)存儲單元的等效電路圖；圖4是圖解了包括可編程硫族化物材料的存儲單元的編程的時序圖5A是將電阻值劃分為用于二級單元的兩種不同狀態(tài)的概念圖；圖5B是將電阻值劃分為用于多級單元(在這種情況下為四級單元)的多種不同的狀態(tài)的概念圖；圖5C是將電阻值劃分為用于圖5B的多級單元的多種不同狀態(tài)的、圖解了電阻漂移的效果的概念圖6A、6B和6C圖解了按照本發(fā)明的實施例的、在讀取操作之前的電阻漂移的管理的效果；圖7是按照本發(fā)明的實施例的、包括PRAM單元陣列的存儲器件的方框圖8A是按照本發(fā)明的實施例的、圖7的存儲器件的靈敏放大器的實施例的示意電路圖；圖8B是圖解按照本發(fā)明的實施例的、圖8A的靈敏放大器的操作的時序圖9是按照本發(fā)明的實施例的、圖7的存儲器件的控制邏輯電路的實施例的方框圖10是圖解靈敏放大器和寫驅(qū)動電路到存儲器件的數(shù)據(jù)線的連接的方框圖11A是按照本發(fā)明的另一個實施例的、圖7的存儲器件的寫驅(qū)動電路的實施例的示意電路圖；圖11B是圖解按照本發(fā)明的實施例的、圖10和11A的寫入驅(qū)動器電路和靈敏放大器電路的操作的時序圖12是按照本發(fā)明的實施例的、包括PRAM單元陣列的電子裝置的方框圖，所述PRAM單元陣列包含多個多級相變可編程存儲單元。具體實施例方式以下參考附圖更全面地描述本發(fā)明的實施例，所述附圖示出了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，本發(fā)明可以被以不同的形式實施，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限定在此給出的實施例。在說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。應(yīng)當(dāng)明白，雖然在此使用術(shù)語第一、第二等來描述不同的元件，但是這些元件不被這些術(shù)語限定。這些術(shù)語用于區(qū)別元件。例如，第一元件可以被稱為第二元件，并且類似地，第二元件可以被稱為第一元件，而不脫離本發(fā)明的范圍。在此使用的術(shù)語"和/或"包括相關(guān)聯(lián)的列出項目的一個或多個的任意和全部的組合。應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)一個元件被稱為"在...之上"或者"連接到"或者"耦合到"另一個元件時，其可以直接地在所述另一個元件之上或者連接到或者耦合到所述另一個元件，或者可以存在插入的元件。相反，當(dāng)元件被稱為"直接在…之上"或者"直接連接到"或者"直接耦合到"另一個元件時，不存在插入的元件。應(yīng)當(dāng)以類似的方式來解釋用于描述在元件之間的關(guān)系的其他詞(例如"之間"相比于"直接在...之間"、"相鄰"相比于"直接相鄰"等)。當(dāng)一個元件在此被稱為"越過"另一個元件時，其可以在所述另一個元件之上或者之下，并且直接地耦合到所述另一個元件，或者可以存在插入的元件，或者可以通過空隙或者間隙來隔開所述元件。在此使用的術(shù)語用于描述具體實施例的目的，并且不意欲限定本發(fā)明。在此使用的單數(shù)形式"一個(a、an)"和"所述(the)"意欲也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指出。還應(yīng)當(dāng)明白，在此使用的術(shù)語"包括"、"包括有"、"包含"、"包含有"指定一定特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或者附加。圖5A是將電阻值劃分為用于二級相變存儲單元的兩種不同狀態(tài)的概念圖；圖5B是將電阻值劃分為用于多級相變存儲單元(在這種情況下為四級單元)的多種不同的狀態(tài)的概念圖；圖5C是將電阻值劃分為用于圖5B的多級相變存儲單元的多種不同狀態(tài)的、圖解了電阻漂移的效果的概念圖。參見圖5A，描述標(biāo)準(zhǔn)的、二級的、相變的存儲單元的狀態(tài)。這樣的二級單元在本領(lǐng)域中被稱為"單級"單元。在所述單元的編程后，結(jié)果的電阻值的分布可以落入兩種狀態(tài)"0"和"1"之一中。落入第一分布曲線32A的范圍內(nèi)的任何編程單元的電阻值被確定為"0"狀態(tài)，并且落入第二分布曲線32B的范圍內(nèi)的任何編程單元的電阻值被確定為"1"狀態(tài)。在這種情況下，可通過邊界電阻值34來容易地區(qū)分對應(yīng)于第一和第二分布曲線32A、32B的電阻值；即如果所確定的電阻值小于所述邊界值34，認(rèn)為其對應(yīng)于"0"狀態(tài)，并且如果所確定的電阻值大于邊界值34,認(rèn)為其對應(yīng)于"l"狀態(tài)。參見圖5B，描述了四級相變存儲單元的狀態(tài)。在單元的編程后，結(jié)果的電阻值會落入四種狀態(tài)"00"、"01"、"10"和"11"之一中。"00"和"11"狀態(tài)在此被稱為"終端狀態(tài)"，因為它們對應(yīng)于處于電阻值的范圍的低端和高端的電阻值。"00"終端狀態(tài)對應(yīng)于單元的結(jié)晶狀態(tài)，"11"終端狀態(tài)對應(yīng)于單元的無定形狀態(tài)。"01"和"10"狀態(tài)對應(yīng)于單元的中間的、部分無定形的狀態(tài)，"01"狀態(tài)對應(yīng)于單元被編程以具有較少的無定形材料并且"10"狀態(tài)對應(yīng)于單元具有較多的無定形材料。多級單元有益于系統(tǒng)集成，因為超過2種狀態(tài)可以被編程為單個單元。雖然"00"和"11"狀態(tài)在此被稱為分別對應(yīng)于"結(jié)晶"和"無定形"狀態(tài)，但是器件的這種終端狀態(tài)不必要對應(yīng)于其中可編程材料的體積是完全結(jié)晶的或者完全無定形的"完全結(jié)晶"和"完全無定形"狀態(tài)。而是，這樣的終端狀態(tài)可以等同地對應(yīng)于部分結(jié)晶和部分無定形的狀態(tài)，就像在中間狀態(tài)中那樣，"00"終端狀態(tài)主要是結(jié)晶的，即包含比其他狀態(tài)更多的結(jié)晶材料，"11"終端狀態(tài)主要是無定形的，即包含比其他狀態(tài)更多的無定形材料。落入第一分布曲線36A的范圍內(nèi)的任何編程單元的電阻值被確定為"00"狀態(tài)，落入第二分布曲線36B的范圍內(nèi)的任何編程單元的電阻值被確定為"01"狀態(tài)，落入第三分布曲線36C中的任何編程單元的電阻值被確定為"10"狀態(tài)，落入第四分布曲線36D的范圍內(nèi)的任何編程單元的電阻值被確定為"11"狀態(tài)。在這種情況下，通過對應(yīng)的邊界電阻值38A、38C，可以容易地將對應(yīng)于屬于終端狀態(tài)"00"和"ll"的第一和第四分布曲線36A、36D的電阻值與相鄰的分布曲線36B、36C區(qū)分。例如，如果所確定的電阻值小于邊界值38A，則認(rèn)為其對應(yīng)于"00"狀態(tài)，并且如果所確定的電阻值大于邊界值38C，則認(rèn)為其對應(yīng)于"ll"狀態(tài)。但是，屬于中間狀態(tài)"01"和"10"的第二和第三分布曲線36B、36C的電阻值更容易受到電阻漂移現(xiàn)象的影響。在圖5C中圖解了這種提高的易感性(susceptibility)。參見圖5C，可以看到在對應(yīng)于四種狀態(tài)"00"、"01"、"10"和"11"的分布曲線36A、36B、36C、36D上的電阻漂移的影響。在一個時段后，對應(yīng)于漂移前分布曲線36A的電阻值漂移，這是由于在可編程體積的化學(xué)晶格(chemicallattice)中的不穩(wěn)定的缺陷轉(zhuǎn)換為更穩(wěn)定的缺陷，使得曲線向漂移后分布曲線36A'偏移。類似地，對應(yīng)于漂移前分布曲線36B的電阻值漂移，使得曲線向漂移后分布曲線36B'偏移；對應(yīng)于漂移前分布曲線36C的電阻值漂移，使得曲線向漂移后分布曲線36C'偏移；對應(yīng)于漂移前分布曲線36D的電阻值漂移，使得曲線向漂移后分布曲線36D'偏移。在圖5C中，可以看到漂移后的分布曲線36A'相對于其漂移前的分布曲線36A漂移了較小量。這是因為與第一分布曲線36A相關(guān)聯(lián)的電阻值是包含較多的結(jié)晶材料或者完全由結(jié)晶材料形成的可編程體積的結(jié)果。因為結(jié)晶材料的晶格比無定形材料的對應(yīng)晶格包含較少的不穩(wěn)定缺陷，因此結(jié)晶的材料將經(jīng)歷較小的電阻漂移。也可以在圖5C中看出，第二、第三和第四漂移后的分布曲線36B，、36C，、36，相對于它們的漂移前分布曲線36B、36C、36D漂移了較大量。所述電阻漂移的量一般隨著在材料的編程體積中的無定形含量的增加而增加。在二級單元的情況下(參見圖5A)，可以更容易地管理電阻漂移，因為可以通過選擇適當(dāng)?shù)倪吔珉娮柚?4而使得對應(yīng)于兩種狀態(tài)"0"和"1"的電阻值基本上彼此區(qū)別，以便即使在長時段發(fā)生實質(zhì)的電阻漂移后，結(jié)果的無定形狀態(tài)"1"的漂移后電阻值仍然大于邊界電阻值34，并且結(jié)果的結(jié)晶狀態(tài)"0"的漂移后電阻值仍然低于邊界電阻值34。因為僅僅需要兩種狀態(tài)，因此電阻漂移在標(biāo)準(zhǔn)的二級單元中不是主要問題。在具有諸如在圖5B和5C中所述的那些的狀態(tài)的多級單元的情況下，電阻漂移的管理是重要的。對于"00"和"11"終端狀態(tài)，通過設(shè)置適當(dāng)?shù)倪吔缰?8A、38C,可以容易地管理電阻漂移。例如，如果邊界值38A被選擇來清楚地限定對應(yīng)于第一分布曲線36A(其被已知不容易受到電阻漂移的影響)的電阻值，則對于終端狀態(tài)"00"的電阻漂移的管理可以容易地管理。類似地，如果邊界值38C被選擇為大大地超過對應(yīng)于第三分布曲線36C'的、預(yù)測的結(jié)果的漂移后電阻值的最大值，則可以確定所有的大于這個邊界值38C的結(jié)果的電阻值對應(yīng)于終端狀態(tài)"ll"，而與由屬于第四漂移后分布曲線36D'的電阻值經(jīng)歷的電阻漂移量無關(guān)。但是，對于"01"和"10"中間狀態(tài)，在這個示例中，需要電阻漂移的管理。例如，第二漂移前分布曲線36B的電阻漂移產(chǎn)生越過預(yù)定的邊界值38B的第二漂移后分布曲線36B'，所述預(yù)定的邊界值38B區(qū)分第二、第三中間狀態(tài)"01"和"10"。類似地，第三漂移前分布曲線36C的電阻漂移產(chǎn)生越過預(yù)定的邊界值38C的第三漂移后分布曲線36C，，所述預(yù)定的邊界值38C區(qū)分第三狀態(tài)和第四狀態(tài)，所述第三狀態(tài)即中間狀態(tài)"01"，所述第四狀態(tài)即終端狀態(tài)"11"。如果不適當(dāng)?shù)毓芾黼娮杵片F(xiàn)象，則會看到，在存儲單元的隨后的讀取操作期間，會發(fā)生不適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)確定。在電阻漂移現(xiàn)象后的機(jī)制在上面引用的Pirovano等人的論文中已描述。由于在編程時硫族化物可編程體積的化學(xué)矩陣(chemicalmatrix)中的特定缺陷結(jié)構(gòu)的存在，電阻漂移自然地發(fā)生。隨著時間的過去，按照下面的化學(xué)關(guān)系式，初始不穩(wěn)定的缺陷(諸如不穩(wěn)定的C,結(jié)構(gòu)，其中，C表示硫族原子)轉(zhuǎn)換為更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)(諸如較為穩(wěn)定的C3+和CV結(jié)構(gòu)):2c30—c30+cr(i)不穩(wěn)定缺陷的密度對于可編程體積的電阻具有直接的影響；因此，材料的可編程體積的結(jié)果的電阻變化。這樣的不穩(wěn)定缺陷在結(jié)晶狀態(tài)中不常見，即它們具有較小的密度，這是為什么電阻漂移對于被編程到結(jié)晶狀態(tài)中的器件不如對于被編程為具有一定百分比的無定形材料的器件重要。本發(fā)明的實施例(包括多級單元相變存儲器件、使用此器件的存儲系統(tǒng)和讀取存儲器的方法)通過剛好在讀取操作之前修改單元的電阻來管理被選擇來用于讀取的存儲單元的電阻漂移，以便剛好在讀取操作之前將單元的電阻返回到接近其初始的電阻，即接近其初始的編程電阻。這將在材料中的不穩(wěn)定缺陷的密度恢復(fù)到接近編程后漂移前的值。在一個實施例中，在讀取操作之前，在大約100ns內(nèi)，向所述單元施加能量脈沖，以便加熱所述單元來完成這樣的電阻值恢復(fù)。在圖6A-6C中圖解了以這種方式管理電阻漂移的效果，所述附圖對應(yīng)于在上面圖5B和5C中圖解的四級單元的示例。參見圖6A，圖解了緊隨單元的編程的單元的可能狀態(tài)。第一到第四狀態(tài)可能是"00""01"、"10"、"11"，所述四種狀態(tài)的每個對應(yīng)于電阻值的第一到第四相應(yīng)的分布曲線36A、36B、36C和36D。如上所述，通過電阻邊界值38A、38B、38C來區(qū)分所述狀態(tài)。此時，緊隨編程，可編程體積的化學(xué)晶格包含較高濃度的不穩(wěn)定缺陷。因為這個原因，所述可編程體積可以被認(rèn)為占據(jù)了第一亞穩(wěn)狀態(tài)。參見圖6B，此時，如上所述，自然電阻漂移可以作為不穩(wěn)定缺陷向更穩(wěn)定缺陷的過渡的結(jié)果而發(fā)生，因此第二、第三和第四漂移前分布曲線36B、36C、36D可以變得偏移到第二、第三和第四漂移后分布曲線36B'、36C'、36D'，導(dǎo)致如上所述的問題。在此時期間，所述可編程體積可以被認(rèn)為占據(jù)了穩(wěn)定狀態(tài)。參見圖6C,為了補(bǔ)償電阻漂移，剛好在讀取操作之前，向單元施加電脈沖，以便向在單元中的可編程材料的體積施加能量。結(jié)果的脈沖將所述單元恢復(fù)到接近其初始電阻值。例如，所述第二、第三和第四漂移后電阻分布曲線36B，、36C'和36D，立即被偏移到對應(yīng)于被恢復(fù)的第二、第三和第四電阻分布曲線40B、40C和40D的較低的電阻值。類似地，在第一漂移前電阻分布曲線36A受到電阻漂移的情況下，其也可以返回到更接近其初始值的、被恢復(fù)的第一電阻分布曲線40A。結(jié)果的第一、第二、第三和第四分布曲線40A、40B、40C和40D在原始限定的電阻邊界值38A、38B、38C之間明確定義，因此單元的讀取操作將獲得可靠的結(jié)果。所述脈沖可以減少穩(wěn)定缺陷的數(shù)量，以使得它們的多個或者全部恢復(fù)回它們的原始的編程后的狀態(tài)，因此穩(wěn)定缺陷的密度被減少，并且不穩(wěn)定缺陷的密度被增加。此時，剛好在讀取操作之前，可編程體積可以被認(rèn)為占據(jù)了第二亞穩(wěn)狀態(tài)。在特定的實施例中，通過連接到單元的位線的電路來執(zhí)行向多級存儲單元的電脈沖傳遞以引起電阻恢復(fù)。在一個示例實施例中，通過連接到存儲單元的位線的讀取電路或者靈敏放大器來執(zhí)行這個操作。在另一個示例中，通過連接到存儲單元的位線的寫入驅(qū)動器電路來執(zhí)行所述操作。用于剛好在讀取操作之前向存儲單元傳遞電脈沖的其他配置同樣可用于本發(fā)明的實施例的原理。圖7是按照本發(fā)明的實施例的、包括包含多個多級相變可編程存儲單元的PRAM單元陣列210的存儲器件200的方框圖。所述PRAM單元陣列包括按照標(biāo)準(zhǔn)存儲器件配置的X選擇器電路220和Y選擇器電路230。所述X選擇器電路220，也被稱為行解碼器，接收行地址RA信號，并且Y選擇器電路，也被稱為列解碼器，接收列地址CA信號。參見圖7，按照本實施例的相變存儲器200包括存儲單元陣列210，其存儲N比特數(shù)據(jù)(其中N是2或者更大)。多個存儲單元以行(例如沿著字線)和列(例如沿著位線)被布置在存儲單元陣列210中。每個存儲單元可以由開關(guān)元件和電阻元件構(gòu)成。開關(guān)元件可以由諸如MOS晶體管、二極管等的各種元件形成。電阻元件可以被配置為包括相變膜，該相變膜包括上述的GST材料。每個存儲單元可以是可寫入的存儲單元。在美國專利第6,928，022、6，967,865和6,982，913號中公開了示例的電阻元件，其每個的內(nèi)容通過引用被整體包含在此。繼續(xù)參見圖7，行選擇器電路220被配置為響應(yīng)于行地址RA信號來選擇行(或者字線)之一，并且列選擇器電路230被配置為響應(yīng)于列地址CA信號而選擇特定列(或者位線)。控制邏輯240被配置為坰應(yīng)于外部的讀取/寫入命令而控制多級相變存儲器件200的整體操作。高壓產(chǎn)生器電路250被控制邏輯240控制，并且被配置為產(chǎn)生用于行和列選擇器電路220和230、靈敏放大器電路260以及寫入驅(qū)動器電路280的高壓。例如，可以使用電荷泵來實現(xiàn)高壓產(chǎn)生器電路250。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然高壓產(chǎn)生器電路250的實現(xiàn)不限于在此所述的實施例。靈敏放大器電路260被控制邏輯240控制，并且被配置為經(jīng)由由列選擇器電路230選擇的列(或者位線)感測單元數(shù)據(jù)?？梢越?jīng)由數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器電路270向外輸出感測數(shù)據(jù)SAOUT。靈敏放大器電路260連接到數(shù)據(jù)總線DL，并且被配置為在讀取操作向數(shù)據(jù)總線DL提供感測電流1—SENSE。寫入驅(qū)動器電路280被控制邏輯240控制，并且被配置為按照經(jīng)由數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器電路270提供的數(shù)據(jù)而向數(shù)據(jù)線DL提供寫入電流。偏置電壓產(chǎn)生器電路290被控制邏輯240控制，并且被配置為產(chǎn)生要提供到靈敏放大器電路260和寫入驅(qū)動器電路280的偏置電壓。按照本發(fā)明的多級相變存儲器實施例，具體地，控制邏輯240可以控制靈敏放大器電路260和/或?qū)懭腧?qū)動器電路280，以便在感測操作之前向所選擇的存儲單元提供恢復(fù)電流脈沖，以便防止由于電阻漂移的讀取錯誤。在示例實施例中，可以確定恢復(fù)電流的量，以便在提供恢復(fù)電流脈沖后恢復(fù)相應(yīng)的數(shù)據(jù)狀態(tài)的初始電阻值。在每個所選擇的存儲單元中的電阻元件的電阻值可以通過剛好在單元的讀取操作之前向所選擇的存儲單元提供恢復(fù)電流的方式被恢復(fù)到其初始電阻值(即當(dāng)編程所述單元時初始確定的電阻值或者在電阻漂移發(fā)生之前的電阻值)。這個操作在此被稱為"恢復(fù)操作"。在此恢復(fù)操作后，有可能通過向所選擇的存儲單元提供感測電流來精確地感測來自所選擇的存儲單元的多級數(shù)據(jù)。圖8A是按照本發(fā)明的實施例的、圖7的存儲器件的靈敏放大器SA260的實施例的示意電路圖。在圖8A中，可以看出在PRAM單元陣列210的列中的每個存儲單元連接到公共的位線BL，其依次被列選擇器電路230選擇性地耦合到存儲器200的數(shù)據(jù)線DL。鉗位晶體管263(在這個示例中為NMOS晶體管)連接在數(shù)據(jù)線DL和靈敏放大器264的感測節(jié)點NSA之間。鉗位晶體管263的柵極接收鉗位控制信號VCLP。鉗位晶體管263使得數(shù)據(jù)線DL和所連接的位線BL具有適合于存儲單元的讀取操作的電壓電平。靈敏放大器264將感測節(jié)點NSA的電壓與基準(zhǔn)電壓Vref相比較以向數(shù)據(jù)緩沖器270提供輸出信號SAOUT。預(yù)充電晶體管265(在這種情況下是PMOS晶體管)連接在預(yù)充電電壓電平Vpre和感測節(jié)點NSA之間。預(yù)充電晶體管265的柵極連接到預(yù)充電控制信號nPRE,以在預(yù)充電模式期間將感測節(jié)點NSA預(yù)充電到預(yù)充電電壓電平Vpre。雖然在圖8A中僅僅圖解了對應(yīng)于單個位線的單個靈敏放大器電路，但是對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然附加的靈敏放大器電路被進(jìn)一步提供以對應(yīng)于器件的位結(jié)構(gòu)。例如，在所述器件的位結(jié)構(gòu)為x8的情況下，可以使用8個靈敏放大器電路。在所述器件的位結(jié)構(gòu)是x16的情況下，可以使用16個靈敏放大器電路。但是所需要的靈敏放大器電路的數(shù)量不必然等于存儲器的位結(jié)構(gòu)數(shù)量。參見圖8A，在這個示例中，按照本發(fā)明的靈敏放大器電路260包括PMOS晶體管261、262和265;NMOS晶體管263、266和267;以及靈敏放大器264。PMOS晶體管261、262串聯(lián)在電源端子268和位于靈敏放大器264的輸入端的感測節(jié)點NSA之間。電源電壓VCC或者大于VCC的電壓VsA可以被施加到電源端子268。在此，所述VsA電壓可以是比電源電壓大二極管的閾值電壓的電壓；但是，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然不必需以這種方式來限定所述VsA電壓。PMOS晶體管261響應(yīng)于指示感測時段的控制信號nPBAIS而導(dǎo)通/截止，PMOS晶體管262響應(yīng)于偏置電壓VBIASi(i=l~3)而導(dǎo)通/截止?？梢詮膱D7的控制邏輯240提供所述控制信號nPBAIS，并且可以從圖7的偏置電壓產(chǎn)生器電路290提供偏置電壓VBIASi。NMOS鉗位晶體管263連接在感測節(jié)點NAS和列選擇器電路230(或者數(shù)據(jù)線DL)之間，并且被鉗位控制信號或者鉗位電壓VCLP控制，以便限制位線BL的電壓或者限制被施加到位線BL的電流。鉗位電壓VCLP將位線的電壓保持到低于閾值電壓(在該電壓可以改變對應(yīng)的相變材料體積的復(fù)位狀態(tài))的電平，并且在恢復(fù)時段期間向位線提供恢復(fù)電流脈沖，其例如在量上大于感測電流。靈敏放大器264經(jīng)由列選擇器電路230來感測在位線BL上存在的電壓是否小于或者大于基準(zhǔn)電壓VREF，并且向數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器電路270輸出所感測的結(jié)果。在一個示例中，靈敏放大器264可以被配置為感測存儲單元是否被編程以占據(jù)兩種狀態(tài)之一?；蛘撸`敏放大器264可以被配置為感測存儲單元是否被編程以占據(jù)多種(大于2)狀態(tài)之一。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然靈敏放大器264的結(jié)構(gòu)可以被適當(dāng)?shù)嘏渲靡园凑赵诙嗉塒RAM配置中的可編程狀態(tài)的數(shù)量而進(jìn)行感測。PMOS預(yù)充電晶體管265連接在預(yù)充電電壓Vpre和感測節(jié)點NSA之間，并且響應(yīng)于例如由圖7的控制邏輯240產(chǎn)生的預(yù)充電控制信號nPRE而被控制。NMOS晶體管266連接在列選擇器電路230(即數(shù)據(jù)線DL)和地電壓之間，并且響應(yīng)于例如由圖7的控制邏輯240產(chǎn)生的控制信號PDIS而被控制。NMOS晶體管267連接在感測節(jié)點NSA和地電壓之間，并且響應(yīng)于控制信號PDIS而被控制。PMOS晶體管261和262可以構(gòu)成感測電流提供部分，其向感測節(jié)點NSA(即位線BL)提供由偏置電壓VBLASi或者感測電流I一SENSE在感測時段期間確定的電流量。感測電流I一SENSE可以在感測時段期間經(jīng)由位線被提供到存儲單元。預(yù)充電晶體管265可以構(gòu)成預(yù)充電電流提供部分，其在預(yù)充電時段期間向信號線NSA提供預(yù)充電電流。被施加到NMOS鉗位晶體管263的鉗位控制信號VCLP可以構(gòu)成第一和第二鉗位電壓，以便在感測操作之前向位線提供預(yù)充電電流和恢復(fù)電流。第一鉗位電壓小于第二鉗位電壓并且大于地電壓，將在下面更詳細(xì)地說明。已經(jīng)確定在鉗位控制信號VCLP中的恢復(fù)脈沖的施加優(yōu)選地設(shè)置為具有大約10ns-10us的持續(xù)時間和大約Vth-0.3伏特到大約Vth+l伏特的幅度，其中，Vth被確定為多級存儲單元的閾值電壓，所述多級存儲單元具有對應(yīng)于最高電阻值的終端狀態(tài)，例如在上面的圖6的示例中的終端狀態(tài)"ll"。一般，GND<Vl<V2<Vth。另外，已經(jīng)確定恢復(fù)脈沖的施加應(yīng)當(dāng)在讀取操作之前不超過100ns，以隨著電阻漂移的恢復(fù)有效地讀取存儲單元。圖9是按照本發(fā)明的實施例的、包括鉗位電壓產(chǎn)生電路241的上述圖7的控制邏輯電路240的詳細(xì)方框圖。參見圖9，鉗位電壓產(chǎn)生電路241可以包括脈沖產(chǎn)生器241a和電平移位器241b。脈沖產(chǎn)生器241a被配置為響應(yīng)于字線使能信號而產(chǎn)生脈沖信號。電平移位器241b響應(yīng)于脈沖產(chǎn)生器241a的輸出而工作，并且被提供有第一鉗位電壓電平V1和第二鉗位電壓電平V2。在一個實施例中，電平移位器241b當(dāng)脈沖產(chǎn)生器241a的輸出具有低電平時輸出具有第一鉗位電壓電平V1的鉗位控制信號VCLP，并且當(dāng)脈沖產(chǎn)生器241a的輸出具有高電平時輸出具有第二鉗位電壓電平V2的鉗位控制信號VCLP。按照在圖8B中圖解的操作，所述鉗位控制信號VCLP可以被施加到圖8A的靈敏放大器電路260的NMOS鉗位晶體管263的柵極。這個示例僅僅是一種用于向靈敏放大器電路260的NMOS鉗位晶體管263施加適當(dāng)?shù)拿}沖信號的機(jī)制的說明。其他適當(dāng)機(jī)制同樣可用于本發(fā)明的原理。圖8B是圖解按照本發(fā)明的實施例的、在讀取操作期間圖8A的靈敏放大器電路260的操作的時序圖。在描述讀取操作之前，應(yīng)當(dāng)注意，依賴于多種狀態(tài)的編碼方式，下述的感測操作可以被執(zhí)行單次或者多次。按照本發(fā)明的實施例，可以在第一感測操作之前單次地執(zhí)行恢復(fù)操作，而與要執(zhí)行的感測操作的數(shù)量無關(guān)?；蛘?，可以在每個感測操作之前執(zhí)行恢復(fù)操作。為了方便說明，多級相變存儲器件的讀取操作將被描述為在單次感測操作之前包括單次恢復(fù)操作。按照本發(fā)明的實施例的多級相變存儲器件的讀取操作可以包括預(yù)充電時段和感測時段。在預(yù)充電位線/感測節(jié)點BL/NSA之前，即在預(yù)充電時段之前，控制信號PDIS和nPBIAS具有高電平，并且控制信號nPRE具有低電平。此時，鉗位電壓VCLP具有第一鉗位電壓V1(例如2.2V)。以這樣的偏置條件，靈敏放大器電路260的晶體管261、263和265截止，而靈敏放大器電路260的晶體管263、266和267導(dǎo)通。這意味著數(shù)據(jù)線DL和感測節(jié)點NSA被放電到地電壓。在器件的存儲單元的讀取操作的開始，開始預(yù)充電時段以預(yù)充電位線BL、數(shù)據(jù)線DL和感測節(jié)點NSA到適當(dāng)?shù)碾妷弘娖揭杂糜谧x取操作。這是通過激活預(yù)充電控制信號nPRE(在這個示例中通過從"H"向"L"轉(zhuǎn)變)而開始的。在預(yù)充電時段期間，控制信號nPRE和PDIS具有低電平，并且控制信號nPBIAS具有高電平。由于列選擇信號YA被激活，位線BL通過開關(guān)230連接到數(shù)據(jù)線DL。此時，鉗位控制信號VCLP處于大于地電壓電平的第一鉗位電壓電平V1(例如2.2V)，因此NMOS鉗位晶體管263被激活。在這個偏置條件下，數(shù)據(jù)線DL、所連接的位線BL和感測節(jié)點NSA在預(yù)充電時段期間同樣被預(yù)充電到適當(dāng)?shù)碾妷弘娖?。在這個示例中，它們可以被充電到預(yù)充電電壓VpM，其等于被施加到靈敏放大器的基準(zhǔn)電壓VREF。在預(yù)充電時段期間，字線WL被激活，并且開始恢復(fù)時段，以恢復(fù)在對應(yīng)的存儲單元的可編程體積中的電阻水平，以補(bǔ)償在所述存儲單元中的電阻漂移。在這個恢復(fù)時段期間，鉗位控制信號VCLP在一時段中被脈沖到第二鉗位電壓電平V2(例如3.0V)。這樣的鉗位控制信號VCLP的脈沖在此被稱為"恢復(fù)脈沖"。在一個實施例中，第二鉗位電壓電平V2大于第一鉗位電壓電平V1，并且具有足夠的電壓和持續(xù)時間，以便使得足夠的電流經(jīng)由NMOS鉗位晶體管263而流過存儲單元，以使得單元的電阻水平恢復(fù)到其漂移前的水平。同時，第二鉗位電壓電平V2在幅度不足夠大并且其持續(xù)時間不足夠以使足夠的電流流動以便在存儲單元的可編程體積中引起相變。預(yù)處理控制信號nPRE在恢復(fù)時段期間保持激活。在恢復(fù)時段后，開始感測時段。在鉗位電壓VCLP從第二鉗位電壓V2變低到第一鉗位電壓V1后，如圖8B中所示，控制信號nPRE從低電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖剑⑶铱刂菩盘杗PBIAS從高電平轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖?。此時，適當(dāng)?shù)钠秒妷篤BIASi被提供到PMOS晶體管262。在這種情況下，經(jīng)由PMOS晶體管261和262流動的感測電流經(jīng)由NMOS鉗位晶體管263和列選擇器電路230被提供到位線BL。此時，如圖8B中圖解，按照存儲單元的編程狀態(tài)，可以將位線/感測節(jié)點BL/NSA的電壓改變到大于或者小于基準(zhǔn)電壓VREF。感測節(jié)點NSA的電壓變化被經(jīng)由靈敏放大器264感測。所感測的數(shù)據(jù)SAOUT被提供到數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器電路270，由此完成感測操作。在另一個示例中，通過連接到存儲單元的位線的寫入驅(qū)動器電路來執(zhí)行電阻漂移恢復(fù)操作。參見圖IO，并且參見圖7，按照標(biāo)準(zhǔn)存儲器件配置，靈敏放大器SA260和寫入驅(qū)動器電路WD280均連接到存儲器件200的數(shù)據(jù)線DL。在以上結(jié)合圖8A、8B和9描述的實施例中，靈敏放大器電路260和相關(guān)的鉗位電壓產(chǎn)生電路241負(fù)責(zé)產(chǎn)生恢復(fù)脈沖信號以實現(xiàn)從電阻漂移的恢復(fù)。在圖10的當(dāng)前實施例中，靈敏放大器電路260在操作上是常規(guī)的，并且寫入驅(qū)動器電路WD負(fù)責(zé)產(chǎn)生恢復(fù)脈沖信號。寫入驅(qū)動器電路280'被修改以提供這個附加的責(zé)任。圖11A是按照本發(fā)明的另一個實施例的、圖7的存儲器件的寫入驅(qū)動器電路280'的實施例的示意電路圖。在圖10和11A中，可以看出，在PRAM單元陣列210的列中的每個存儲單元連接到公共的位線BL，其依次被Y選擇器電路230耦合到存儲器件200的數(shù)據(jù)線DL。參見圖11A，寫入驅(qū)動器電路280'可以包括驅(qū)動器控制器281、選擇部分282、作為上拉驅(qū)動器的PMOS晶體管283、作為下拉驅(qū)動器的NMOS晶體管284，以及NMOS晶體管285。在美國專利第7，012，834號中公開了驅(qū)動器控制器281的示例實施例，其內(nèi)容通過引用被并入在此，因此，省略其詳細(xì)說明。具體地，在本實施例的情況下，在讀取操作期間，PMOS晶體管283不是如在寫入操作期間的情況被來自驅(qū)動器控制器281的驅(qū)動信號控制，而是被經(jīng)由選擇部分282傳送的驅(qū)動信號控制。按照操作模式，選擇部分282接收恢復(fù)控制信號nRCV，并且選擇性地經(jīng)由NMOS晶體管285向上拉和下拉驅(qū)動器283和284輸出恢復(fù)控制信號iiRCV。在此，恢復(fù)控制信號nRCV是脈沖的信號，其被按照電阻漂移恢復(fù)操作而配置，并且可以例如由在圖5中圖解的控制邏輯240提供。繼續(xù)參見圖11A，選擇部分282可以包括驅(qū)動器282a和開關(guān)282b。開關(guān)282b響應(yīng)于操作模式信號RM將驅(qū)動器282a的輸出連接到上拉和下拉晶體管283和284的柵極。在這種情況下，開關(guān)282b當(dāng)操作模式信號RM指示讀取操作時被激活，并且當(dāng)操作模式信號RM指示寫入操作時被禁止。驅(qū)動器282a響應(yīng)于恢復(fù)控制信號nRCV而經(jīng)由開關(guān)282b驅(qū)動上拉和下拉晶體管283和284。例如，當(dāng)恢復(fù)控制信號nRCV具有低電平時，上拉晶體管283截止，并且下拉晶體管284導(dǎo)通。另一方面，當(dāng)恢復(fù)控制信號nRCV具有高電平時，上拉晶體管283導(dǎo)通，并且下拉晶體管284截止。在此，驅(qū)動器282a的上拉/下拉驅(qū)動能力可以被設(shè)置為大于驅(qū)動器控制器281的PMOS晶體管TR7和反相器INVl的上拉/下拉驅(qū)動能力。如在上述實施例中那樣，恢復(fù)控制信號的有效脈沖可以被設(shè)置為具有大約10ns-10us的持續(xù)時間和大約Vth-0.3伏特到大約Vth+l伏特的幅度，其中，Vth被確定為多級存儲單元的閾值電壓，所述多級存儲單元具有對應(yīng)于最高電阻值的終端狀態(tài)，例如在上面的圖6的示例中的終端狀態(tài)"11"。以這種方式，寫入驅(qū)動器電路280'被配置為連接到數(shù)據(jù)線DL，以在寫入操作期間執(zhí)行正常的寫入驅(qū)動應(yīng)用程序，并且也在讀取操作期間為了提供恢復(fù)控制信號nRCV的目的而連接到數(shù)據(jù)線DL。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然在數(shù)據(jù)線和寫入驅(qū)動器電路之間的電互連不限于如上所述的配置，并且為了提供恢復(fù)控制信號nRCV作為用于恢復(fù)可編程體積的電阻漂移的脈沖信號的目的，用于在讀取操作期間將寫入驅(qū)動器電路280'連接到數(shù)據(jù)線DL的其他配置同樣可用于本公開的實施例。圖11B是圖解了在讀取操作期間圖10和11A的靈敏放大器260和寫入驅(qū)動器電路的操作的時序圖。如上所述，在器件的存儲單元的讀取操作開始時，開始預(yù)充電時段以將感測節(jié)點NSA預(yù)充電到適當(dāng)?shù)碾妷弘娖揭杂糜谧x取操作。這是通過激活預(yù)充電控制信號nPRE而開始的。此時，鉗位控制信號VCLP在第一鉗位電壓電平V1，其大于地電壓電平，因此鉗位晶體管263被激活。鉗位控制信號VCLP在讀取操作的持續(xù)時間中保持在第一鉗位電壓電平V1。結(jié)果，數(shù)據(jù)線DL和所連接的位線BL在預(yù)充電時段期間同樣被預(yù)充電到適當(dāng)?shù)碾妷弘娖?。在預(yù)充電時段后，字線WL被激活，并且開始恢復(fù)時段以恢復(fù)在對應(yīng)的存儲單元的可編程體積中的電阻水平，以補(bǔ)償在存儲單元中的電阻漂移。在這個恢復(fù)時段期間，恢復(fù)控制信號nRCV在一時段中被脈沖到低電壓電平。這樣的恢復(fù)控制信號nRCV的脈沖在此被稱為"恢復(fù)脈沖"。控制信號nRCV經(jīng)由寫入驅(qū)動器電路280'的選擇部分282被施加到圖11A的上拉驅(qū)動器283。即，恢復(fù)電流脈沖經(jīng)由上拉驅(qū)動器283被提供到所選擇的位線BL。由于恢復(fù)電流經(jīng)由上拉驅(qū)動器283被提供到所選,的位線BL，存儲單元的對應(yīng)電阻元件的電阻水平可以被恢復(fù)到初始電阻值。在恢復(fù)電流脈沖被提供到所選擇的位線達(dá)到給定的時間時，控制信號nRCV從低電平返回到高電平，這禁止了上拉驅(qū)動器283截止，并且恢復(fù)操作完成。在恢復(fù)時段后，開始感測時段，并且為了確定在存儲單元中的可編程體積的電阻，并從而確定存儲單元的狀態(tài)，靈敏放大器的正常操作隨后進(jìn)行。圖12是按照本發(fā)明的實施例的、電子裝置100的方框圖，所述電子裝置100包括半導(dǎo)體器件PRAM單元陣列，其包含多個多級相變可編程存儲單元。在各種示例中，電子裝置100可以被用作無線通信裝置，即PDA、筆記本計算機(jī)、移動計算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)輸入板(webtablet)、移動電話、數(shù)字音樂播放器或者被配置為在無線環(huán)境中發(fā)送和/或接收信息的任何裝置。電子裝置100可以包括經(jīng)由總線150來通信的輸入/輸出裝置120、存儲器130、無線接口140和控制器110?？刂破?00包括例如微處理器、數(shù)字信號處理器或者微控制器的至少一個。輸入/輸出裝置120可以包括例如鍵區(qū)、鍵盤和顯示單元。存儲器130可以用于存儲由控制器110執(zhí)行的命令，或者可以用于存儲用戶數(shù)據(jù)。存儲器130可以還包括各種存儲器。電子裝置100可以使用無線接口140從無線通信網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)，或者例如通過RF信號向網(wǎng)絡(luò)發(fā)送數(shù)據(jù)。無線接口140可以包括例如天線、無線收發(fā)器和用于以無線方式通信的其他必要設(shè)備。按照本發(fā)明的電子裝置100可以用作通信接口協(xié)議，諸如第三代通信系統(tǒng)，即CDMA、GSM、NADC、E-TDMA、WCDMA、CDMA2000。在示例實施例中，存儲單元的可編程體積可以包括硫族化物材料，其例如由Te、Se、S、其組合或者其合金構(gòu)成。或者，所述硫族化物材料可以由通過向Te、Se、S、其組合或者其合金加入雜質(zhì)(例如Bi、Sr、Si、C、N、0等)而獲得的材料構(gòu)成?；蛘?，所述硫族化物材料可以由選自Ge、Sb、Sn、As、Si、Pb、Te、Se、S、其組合和其合金的組中的材料構(gòu)成?；蛘?，所述硫族化物材料可以由通過向選自Ge、Sb、Sn、As、Si、Pb、Te、Se、S、其組合和其合金的組中的一個加入雜質(zhì)(例如Bi、Sr、Si、C、N、O等)而獲得的材料構(gòu)成。雖然參考本發(fā)明的優(yōu)選實施例具體示出和說明了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離由所附的權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此進(jìn)行在形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。例如，雖然上述的實施例描述了在每個單元兩種或者四種狀態(tài)操作的多級單元，但是可以想象其他數(shù)量的狀態(tài)，并且所述其他數(shù)量的狀態(tài)同樣可用于本公開的原理。例如，單元可以具有作為2的倍數(shù)的數(shù)量的多級狀態(tài)，諸如4、8、16、32等狀態(tài)。而且，單元可以具有其他數(shù)量的狀態(tài)，其不是2的倍數(shù)，諸如3、5、6、7等狀態(tài)。權(quán)利要求1.一種存儲器件，包括多個存儲單元，每個存儲單元包括存儲單元材料，所述存儲單元具有響應(yīng)于在編程操作中施加的編程電流而確定的初始電阻，所述存儲單元的電阻在所述編程操作后的時段上從所述初始電阻變化，并且每個存儲單元連接到所述存儲器件的導(dǎo)通線，所述導(dǎo)通線用于在所述編程操作中施加所述編程電流以編程對應(yīng)的存儲單元的電阻，并且用于在讀取操作中施加讀取電流以讀取對應(yīng)的存儲單元的電阻；以及修改電路，修改用于讀取操作而選擇的所述多個存儲單元的存儲單元的電阻，以在所述存儲單元的讀取操作之前將其電阻返回到接近所述初始電阻。2.根據(jù)權(quán)利要求l的存儲器件，其中，所述存儲單元材料包括硫族化物材料。3.根據(jù)權(quán)利要求l的存儲器件，其中，每個存儲單元通過所述編程操作被編程以占據(jù)多種狀態(tài)之一，每種狀態(tài)包括獨立于相鄰狀態(tài)的相鄰電阻范圍的電阻范圍，其中所述存儲單元通過所述編程操作編程以占據(jù)超過2種狀態(tài)。4.根據(jù)權(quán)利要求3的存儲器件，其中所述多種狀態(tài)的低狀態(tài)對應(yīng)于具有最低電阻范圍的狀態(tài)，所述多種狀態(tài)的高狀態(tài)對應(yīng)于具有最高電阻范圍的狀態(tài)，并且所述多種狀態(tài)的至少一種中間狀態(tài)對應(yīng)于至少一種狀態(tài)，所述至少一種狀態(tài)具有大于所述低狀態(tài)的最低電阻范圍并且小于所述高狀態(tài)的最高電阻范圍的電阻范圍。25.根據(jù)權(quán)利要求4的存儲器件，其中，所述修改電路通過在所述存儲單元的讀取操作之前向所述導(dǎo)通線施加能量脈沖而修改所述存儲單元的電阻，并且其中，當(dāng)通過所述編程操作將所述存儲單元編程到所述中間狀態(tài)時，所述修改電路施加所述能量脈沖，并且當(dāng)通過所述編程操作將所述存儲單元編程到所述低狀態(tài)或者所述高狀態(tài)時，所述修改電路不施加所述能量脈沖。6.根據(jù)權(quán)利要求l的存儲器件，其中，所述導(dǎo)通線包括位線，并且其中，所述修改電路通過在所述存儲單元的讀取操作之前向所述位線施加能量脈沖而修改所述存儲單元的電阻。7.根據(jù)權(quán)利要求6的存儲器件，其中，所述能量脈沖由耦合到所述位線的靈敏放大器電路施加。8.根據(jù)權(quán)利要求7的存儲器件，其中，所述能量脈沖由所述存儲器件的控制電路產(chǎn)生，并且由所述靈敏放大器電路的鉗位晶體管激活。9.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲器件，其中，所述能量脈沖由耦合到所述位線的寫入驅(qū)動器電路施加。10.根據(jù)權(quán)利要求6的存儲器件，其中，所述能量脈沖由所述存儲器件的控制電路產(chǎn)生，并且由所述寫入驅(qū)動器電路中的開關(guān)電路激活。11.根據(jù)權(quán)利要求6的存儲器件，其中，所述能量脈沖在所述存儲單元的預(yù)充電操作期間施加到所述位線，其中，在所述能量脈沖的施加之前，預(yù)充電所述位線。12.—種讀取存儲器件的方法，所述存儲器件包括多個存儲單元，每個存儲單元包括存儲單元材料，所述存儲單元具有響應(yīng)于在編程操作中施加的編程電流而確定的初始電阻，所述存儲單元的電阻在所述編程操作后的時段上從所述初始電阻變化，每個存儲單元連接到所述存儲器件的導(dǎo)通線，所述導(dǎo)通線用于在所述編程操作中施加所述編程電流以編程對應(yīng)的存儲單元的電阻，并且用于在讀取操作中施加讀取電流以讀取對應(yīng)的存儲單元的電阻，所述方法包括修改用于讀取操作而選擇的存儲單元的電阻，以在所述存儲單元的讀取操作之前將其電阻返回到接近所述初始電阻；以及執(zhí)行所述存儲單元的讀取操作。13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中，所述存儲單元材料包括硫族化物材料。14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中，每個存儲單元通過所述編程操作被編程以占據(jù)多種狀態(tài)之一，每種狀態(tài)包括獨立于相鄰狀態(tài)的相鄰電阻范圍的電阻范圍，其中，在所述編程操作之后，存儲單元的所述初始電阻占據(jù)初始狀態(tài)，并且其中，在所述存儲單元的讀取操作之前修改用于讀取操作而選擇的存儲單元的所述電阻以將其電阻返回到接近所述初始電阻以將所述存儲單元的電阻返回到在對應(yīng)于所述初始狀態(tài)的電阻范圍內(nèi)的電阻。15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，所述存儲單元通過所述編程操作編程以占據(jù)超過2種狀態(tài)。16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述多種狀態(tài)的低狀態(tài)對應(yīng)于具有最低電阻范圍的狀態(tài)，所述多種狀態(tài)的高狀態(tài)對應(yīng)于具有最高電阻范圍的狀態(tài)，并且所述多種狀態(tài)的至少一種中間狀態(tài)對應(yīng)于至少一種狀態(tài)，所述至少一種狀態(tài)具有大于所述低狀態(tài)的最低電阻范圍并且小于所述高狀態(tài)的最高電阻范圍的電阻范圍。17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中，當(dāng)所述存儲單元通過所述存儲編程操作編程到所述中間狀態(tài)時，執(zhí)行修改所述存儲單元的電阻，并且當(dāng)所述存儲單元通過所述編程操作編程到所述低狀態(tài)或者所述高狀態(tài)時，不執(zhí)行修改所述存儲單元的電阻。18.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中，修改所述電阻包括通過在存儲單元的讀取操作之前向連接到所述存儲單元的存儲器件的位線施加能量脈沖，修改所述存儲單元的電阻。19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中，在施加用于執(zhí)行所述存儲單元的讀取操作的讀取電流之前，在大約100ns內(nèi)施加所述能量脈沖。20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中，在所述存儲單元的預(yù)充電操作期間，向所述位線施加所述能量脈沖，其中，在所述能量脈沖的施加之前，預(yù)充電所述位線。21.—種讀取存儲器件的方法，所述存儲器件包括多個存儲單元，每個存儲單元包括硫族化物材料，所述存儲單元具有響應(yīng)于在編程操作中施加的編程電流而確定的初始缺陷狀態(tài)，所述存儲單元的缺陷狀態(tài)在所述編程操作后的時段上從所述初始缺陷狀態(tài)變化，每個存儲單元連接到所述存儲器件的導(dǎo)通線，所述導(dǎo)通線用于在所述編程操作中施加所述編程電流以編程對應(yīng)的存儲單元的缺陷狀態(tài)，并且用于在讀取操作中施加讀取電流以讀取對應(yīng)的存儲單元的缺陷狀態(tài)，所述方法包括修改用于讀取操作而選擇的存儲單元的缺陷狀態(tài)，以在所述存儲單元的讀取操作之前將其缺陷狀態(tài)返回到接近初始缺陷狀態(tài)；以及執(zhí)行所述存儲單元的讀取操作。22.—種包括存儲系統(tǒng)電子裝置，所述存儲系統(tǒng)包括存儲控制器，被布置為連接到數(shù)據(jù)總線，在所述數(shù)據(jù)總線，數(shù)據(jù)信號被傳送；以及存儲器件，連接到所述存儲控制器，存儲和檢索所述數(shù)據(jù)信號，所述存儲器件包括多個存儲單元，每個存儲單元包括存儲單元材料，所述存儲單元具有響應(yīng)于在編程操作中施加的編程電流而確定的初始電阻，所述存儲單元的電阻在所述編程操作后的時段上從所述初始電阻變化，并且每個存儲單元連接到所述存儲器件的導(dǎo)通線，所述導(dǎo)通線用于在所述編程操作中施加所述編程電流以編程對應(yīng)的存儲單元的電阻，并且用于在讀取操作中施加讀取電流以讀取對應(yīng)的存儲單元的電阻；以及修改電路，修改用于讀取操作而選擇的所述多個存儲單元的存儲單元的電阻，以在所述存儲單元的讀取操作之前將其電阻返回到接近所述初始電阻。全文摘要本公開提供了相變存儲器件、使用該存儲器件的存儲系統(tǒng)和讀取該存儲器件的方法。其中，存儲器件包括多個存儲單元，每個存儲單元包括存儲單元材料，所述存儲單元具有響應(yīng)于在編程操作中施加的編程電流而確定的初始電阻，所述存儲單元的電阻在所述編程操作后的時段上從所述初始電阻變化，并且每個存儲單元連接到存儲器件的導(dǎo)通線，所述導(dǎo)通線用于在編程操作中施加編程電流以編程對應(yīng)的存儲單元的電阻，并且用于在讀取操作中施加讀取電流以讀取對應(yīng)的存儲單元的電阻。修改電路修改用于讀取操作而選擇的多個存儲單元的存儲單元的電阻，以在所述存儲單元的讀取操作之前將其電阻返回到接近初始電阻。文檔編號G11C16/02GK101354915SQ20081009494公開日2009年1月28日申請日期2008年4月30日優(yōu)先權(quán)日2007年4月30日發(fā)明者鄭基泰,鄭椙旭,金亨俊,高昇必申請人:三星電子株式會社