專利名稱：：全息記錄材料、全息記錄介質(zhì)和全息記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種通過利用全息記錄而適用于記錄大容量信息的全息記錄材料、使用所述全息記錄材料的全息記錄介質(zhì)和使用所述全息記錄介質(zhì)的全息記錄方法。
背景技術(shù)：
：全息數(shù)據(jù)存儲中，當(dāng)選擇諸如在其分子中具有在光照射下發(fā)生順式-反式取向變化的偶氮苯骨架的聚合物材料(在下文中有時成為"偶氮聚合物")等光致變色材料作為用于記錄全息圖的材料時，可以記錄偏振。偏振記錄是有用的具有全息記錄特征的記錄方法，在全息記錄中可以為了安全起見而將數(shù)據(jù)加鎖和用于計算。然而，現(xiàn)階段作為用于可記錄偏振的全息記錄介質(zhì)的記錄材料正在研究的偶氮聚合物等，在其光致異構(gòu)化反應(yīng)中是可逆的，因而不能永久地保持偏振記錄；因此正在將所述偶氮聚合物作為可重寫材料而進(jìn)行研究。全息數(shù)據(jù)存儲中，因?yàn)槠溆涗浫萘看?，相比可重寫全息記錄介質(zhì)，對不會丟失其中已記錄信息的一次寫入型全息記錄介質(zhì)存在較大需求。作為滿足所述需求的材料，已知有使用光聚合性高分子記錄材料(所謂光聚合物)的全息記錄介質(zhì)，其中所述記錄材料可利用例如光照射時發(fā)生的聚合反應(yīng)等不可逆反應(yīng)記錄信息。然而，在該類型介質(zhì)中，由于不能進(jìn)行偏振記錄因此無法獲得前文中所述的優(yōu)點(diǎn)。此外，當(dāng)進(jìn)行多重記錄時，存在靈敏度隨重復(fù)記錄而顯著降低的缺點(diǎn)。另一方面，已知多種使用在光照射時進(jìn)行光致異構(gòu)化的光致變色材料(例如偶氮聚合物)的光記錄介質(zhì)。例如，己知除偶氮聚合物之外還使用液晶材料的光記錄介質(zhì)(參見例如日本特許第3451319號公報)。在所述介質(zhì)中，通過利用偶氮聚合物或液晶材料按照紫外線照射而得到的取向來形成薄膜圖案，從而進(jìn)行記錄。通過該光記錄介質(zhì)可以獲得非常高的靈敏度。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述情況，本發(fā)明人考慮到通過將經(jīng)光致異構(gòu)化反應(yīng)(例如光照射時偶氮聚合物的順式-反式轉(zhuǎn)化)改變分子(或分子的一部分)的取向的材料(在下文中，稱為"光響應(yīng)性分子")和本身易于根據(jù)光響應(yīng)性分子的取向方向而進(jìn)行取向的液晶分子組合形成記錄材料，在使用所述形成的記錄材料代替諸如在光照射下聚合的光致聚合物等記錄材料時，可以實(shí)現(xiàn)利用偏振的多重記錄并預(yù)計可極大改善記錄時的靈敏度。然而，發(fā)現(xiàn)當(dāng)對使用所述記錄材料的記錄介質(zhì)進(jìn)行全息記錄時，盡管在剛剛制得的記錄介質(zhì)中可以獲得如上所述的優(yōu)點(diǎn)，但是在制備完很長時間后在相同條件下進(jìn)行全息記錄時，記錄特性由于光散射而顯著劣化。本發(fā)明的一個目的是克服上述問題。即，本發(fā)明致力于提供一種全息記錄材料、使用該全息記錄材料的介質(zhì)和使用該全息記錄介質(zhì)的全息記錄方法，即使在使用光響應(yīng)性分子和液晶分子的組合時，由光散射導(dǎo)致的所述全息記錄材料的記錄特性的劣化不僅在初期較小而且隨時間的劣化也較小。根據(jù)以下發(fā)明可以克服所述問題。本發(fā)明提供一種用于至少通過光照射來記錄信息的全息記錄材料，所述全息記錄材料包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和平均粒徑為所述信息的記錄中使用的光的波長的十分之一以下的顆粒?！?如<1>所述的全息記錄材料，其中，所述記錄材料中的所述液晶分子的含量為5重量％以上。如O所述的全息記錄材料，其中，所述光響應(yīng)性分子是光響應(yīng)性聚合物。如<3>所述的全息記錄材料，其中，所述光響應(yīng)性聚合物在側(cè)鏈中具有包含偶氮苯骨架的可光致異構(gòu)化基團(tuán)。如<1>所述的全息記錄材料，其中，所述顆粒與所述液晶分子的比率為0.01重量％以上。<6>.如O所述的全息記錄材料，其中，所述顆粒與所述液晶分子的比率為0.1重量％5重量％。<7>.如O所述的全息記錄材料，其中，所述顆粒的材料是二氧化硅、金屬氧化物或樹脂。<8>.—種用于至少通過光照射來記錄信息的全息記錄介質(zhì)，所述全息記錄介質(zhì)包含含有全息記錄材料的記錄層，所述全息記錄材料包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和平均粒徑為所述信息的記錄中使用的光的波長的十分之一以下的顆粒。<9>.如<8>所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄材料中的所述液晶分子的含量為5重量％以上。<10>.如<8>所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述光響應(yīng)性分子是光響應(yīng)性聚合物。<11>.如<10>所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述光響應(yīng)性聚合物在側(cè)鏈中具有包含偶氮苯骨架的可光異構(gòu)化基團(tuán)。<12>.如<8>所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述顆粒與所述液晶分子的比率為0.01重量％以上。<13>.如<8>所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述顆粒與所述液晶分子的比率為0.1重量％5重量％。<14>.如<8>所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述顆粒的材料是二氧化硅、金屬氧化物或樹脂。<15〉.一種全息記錄方法，所述全息記錄方法包括當(dāng)同時向全息記錄介質(zhì)照射信號光和參考光來記錄信息時，通過使用光強(qiáng)度調(diào)制或光偏振調(diào)制中的至少一種進(jìn)行所述信息的多重記錄，所述全息記錄介質(zhì)具有包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和顆粒的記錄層，并且所述顆粒的平均粒徑是所述信號光的波長的十分之一以下。如上所述，本發(fā)明能提供一種全息記錄材料、使用該全息記錄材料的介質(zhì)和使用該全息記錄介質(zhì)的全息記錄方法，即使在使用光響應(yīng)性分子和液晶分子的組合時，由光散射導(dǎo)致的所述全息記錄材料的記錄特性的劣化不僅在初期較小，而且隨時間的劣化也較小。根據(jù)下列附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方案，其中圖1是顯示在本發(fā)明的一個技術(shù)方案中使用的光記錄再現(xiàn)裝置的實(shí)例的示意圖。具體實(shí)施方式<全息記錄材料和全息記錄介質(zhì)>本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的全息記錄材料(在下文中，可以縮寫為"記錄材料")可以用于至少通過光照射來記錄信息，并且包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和平均粒徑為用于記錄所述信息的光的波長的十分之一以下的顆粒。此外，本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的全息記錄介質(zhì)(在下文中，可以縮寫為"記錄介質(zhì)")包含記錄層，所述記錄層中包含本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的記錄材料。因此，在本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的記錄材料/記錄介質(zhì)中，即使使用光響應(yīng)性分子和液晶分子的組合時，由光散射導(dǎo)致的所述全息記錄材料的記錄特性的劣化不僅在初期較小而且隨時間的劣化也較小。此外，因?yàn)楸景l(fā)明的一個技術(shù)方案所述的記錄材料/記錄介質(zhì)使用光響應(yīng)性分子和液晶分子的組合，所以能夠?qū)崿F(xiàn)利用偏振并且高靈敏度的多重記錄。在僅僅混合光響應(yīng)性分子和液晶分子的記錄材料中，即使原本易于在特定方向自行取向的液晶分子在剛剛制得記錄材料后立即無規(guī)取向，它們也會自發(fā)地隨時間而在特定方向自行取向。因此，當(dāng)在制備完記錄介質(zhì)再經(jīng)過長時間后以光照射來記錄信息時，記錄層中自發(fā)取向的液晶分子使光線散射。因此，為了與在剛剛制得記錄介質(zhì)后立即進(jìn)行信息記錄的情況相類似地記錄信息，必須增加照射光的強(qiáng)度。此外，光被散射至記錄層中不應(yīng)該記錄信息的區(qū)域。然而，在本發(fā)明的一個技術(shù)方案中，所述記錄材料中包含的顆粒在物理上抑制所述液晶分子自發(fā)的自行取向。因此，可以抑制例如上述的記錄特性隨時間的劣化。另一方面，當(dāng)所述記錄材料中包含所述顆粒時，顆粒本身可能散射用于記錄信息的照射光，因此可能在初期就使記錄特性劣化。因此，不僅在全息記錄中而且在光記錄中(在二者中均使用光來記錄信息)，在記錄材料中加入顆粒均被認(rèn)為是恰恰不利的。因此，所述顆粒的添加通常是無效的。然而，當(dāng)使用的顆粒的平均粒徑是用于記錄信息的光的波長的十分之一以下時，由于與光的波長相比粒徑足夠小，因此可以抑制由顆粒引起的光散射。例如，當(dāng)使用波長大約1000nm的紅外激光器時，顆粒的平均粒徑適當(dāng)?shù)乜梢詾?00nm以下，而當(dāng)使用波長大約400nm的藍(lán)色激光器時，顆粒的平均粒徑可以為40nm以下。顆粒的粒徑下限值沒有特別限定。然而，從諸如容易制造和可獲得性等實(shí)際角度考慮，該下限值可以為lnm以上。此外，優(yōu)選窄粒徑分布，并更優(yōu)選具有單分散性。通過使用透射電子顯微鏡(TEM)測量觀察到的10個顆粒中每一個的最大粒徑并計算其平均值，以獲得本發(fā)明的技術(shù)方案中所述的顆粒的平均粒徑?？梢酝ㄟ^使用TEM觀察記錄材料或記錄介質(zhì)的記錄層的截面，或者可以通過測量用于制備記錄材料的顆粒本身來測定所述粒徑。另一方面，顆粒的材料沒有特別限定。然而，該材料可以是既不會與記錄材料中包含的其它材料起化學(xué)反應(yīng)又不具有催化活性的材料。例如，可以使用金屬氧化物例如二氧化硅和氧化鈦以及樹脂。記錄材料中液晶分子的含量沒有特別限定。然而，優(yōu)選為5重量％以上，并更優(yōu)選為30重量％以上。當(dāng)該含量小于5重量％時，記錄時不能獲得足夠的衍射效率。記錄材料中包含的液晶分子增加時，會加速液晶分子的自發(fā)取向。在5重量％以上的含量中，自發(fā)取向通常是明顯的。然而，在本發(fā)明的一個技術(shù)方案中，因?yàn)橛涗洸牧现幸舶鲜鲱w粒，因此，即使記錄材料中包含的液晶分子含量為5重量％以上，記錄特性隨時間的劣化也能被有效抑制。記錄材料中液晶分子的含量的上限沒有特別限定。然而，考慮到與其它成分的平衡，實(shí)際上優(yōu)選80重量％以下的含量。另一方面，記錄材料中顆粒與液晶分子的混合比率優(yōu)選為0.01重量％以上，更優(yōu)選為0.1重量％以上。當(dāng)該混合比率低于0.01重量％時，不能防止液晶分子發(fā)生自發(fā)取向；因此，在一些情況下所述記錄特性會隨時間而劣化?；旌媳嚷实纳舷逈]有特別限定。然而，考慮到與其它成分的平衡，實(shí)際上優(yōu)選混合比率為5重量％以下。此外，作為在本發(fā)明的技術(shù)方案中使用的液晶分子，盡管以下將詳細(xì)描述，但可以使用任何公知的液晶分子。液晶分子可以是在施加例如光或熱等外部刺激時聚合和/或交聯(lián)的液晶分子(在下文中，稱為"反應(yīng)性液晶分子"；另一方面，不具有該反應(yīng)性的液晶分子稱為"非反應(yīng)性液晶分子")。然而，在本發(fā)明的技術(shù)方案中使用的反應(yīng)性液晶分子優(yōu)選是在光照射時聚合和/或形成交聯(lián)的液晶分子，更優(yōu)選是使用具有所述光響應(yīng)性分子對之響應(yīng)的波長的光進(jìn)行照射時聚合和/或形成交聯(lián)的液晶分子。當(dāng)使用反應(yīng)性液晶分子作為所述液晶分子時，與使用非反應(yīng)性液晶分子的情況相比，已記錄信息的固著性可得到很大提高。因此，可以提供一種可以在長時間內(nèi)穩(wěn)定地儲存已記錄的信息的一次寫入型記錄材料和/或記錄介質(zhì)。因此，本發(fā)明的一個技術(shù)方案中，使用的液晶分子優(yōu)選為反應(yīng)性液晶分子。可以通過同時照射信號光和參考光而在本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的記錄材料中進(jìn)行信息記錄。該信息記錄可以是利用光的偏振方向的調(diào)制的多重信息記錄。然而，當(dāng)然，信息記錄也不一定涉及偏振方向的調(diào)制。例如，可以利用振幅或相位的調(diào)制進(jìn)行信息記錄。此外，當(dāng)利用偏振方向的調(diào)制記錄信息時，信息記錄可以與以下的強(qiáng)度調(diào)制或偏振調(diào)制相容，在所述強(qiáng)度調(diào)制中，信號光的偏振方向和參考光的偏振方向相互并行，在所述偏振調(diào)制中，信號光的偏振方向和參考光的偏振方向相互垂直。當(dāng)進(jìn)行所述全息記錄時，顆粒的平均粒徑可以是信號光的波長的十分之一以下。此外，當(dāng)所述液晶分子是反應(yīng)性液晶分子時，可以以如下所述方式在本發(fā)明的技術(shù)方案所述的記錄材料中進(jìn)行信息記錄和固著。首先，照射可導(dǎo)致光響應(yīng)性分子的光致異構(gòu)化反應(yīng)的光(偏振光)以通過該光致異構(gòu)化反應(yīng)使記錄層中包含的光響應(yīng)性分子按預(yù)定方向發(fā)生取向。該步驟中，在光響應(yīng)性分子附近存在的反應(yīng)性液晶分子根據(jù)光響應(yīng)性分子的取向狀態(tài)而發(fā)生取向。(當(dāng)所述液晶分子是非反應(yīng)性液晶分子時，在該階段基本上完成單次信息記錄過程。)隨后，對根據(jù)光響應(yīng)性分子取向狀態(tài)而取向的反應(yīng)性液晶分子施加外部刺激，從而導(dǎo)致反應(yīng)性液晶分子的聚合和/或交聯(lián)。因此，由于根據(jù)光響應(yīng)性分子取向狀態(tài)而取向的反應(yīng)性液晶分子的取向得以固定，已記錄的信息得以固著。當(dāng)將具有所述光響應(yīng)性分子對之響應(yīng)的波長的光用作所述外部刺激時，確定所述光響應(yīng)性分子和反應(yīng)性液晶分子的組合及其量以及可任選使用的反應(yīng)引發(fā)劑的量，使得分子的取向的發(fā)生優(yōu)先于所述聚合或交聯(lián)反應(yīng)。然而，可以通過上述步驟進(jìn)行信息記錄和固著。當(dāng)進(jìn)行多重記錄時，因?yàn)槊看斡涗浶滦畔r照射不同的偏振光以固著信息，所以，隨著記錄的重復(fù)，記錄層中包含的未聚合的反應(yīng)性液晶分子的量降低。由于在重復(fù)記錄時可以根據(jù)光響應(yīng)性分子取向進(jìn)行取向的未反應(yīng)的反應(yīng)性液晶分子的量降低，因此所述液晶分子放大靈敏度的功能劣化，就像日本特許第3451319號公報中所示的記錄介質(zhì)的情況一樣。然而，在本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的記錄介質(zhì)中，即使進(jìn)行多重信息記錄，記錄層中包含的并可用于下次記錄的光響應(yīng)性分子的量可以一直保持不變。因此，與記錄層中存在的光響應(yīng)性分子的量相對應(yīng)的特定水平相比，靈敏度可以一直保持更高的水平。因此，本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的記錄介質(zhì)能夠固著信息，而且，即使進(jìn)行多重信息記錄，與使用現(xiàn)有光致聚合物的記錄介質(zhì)相比，該記錄介質(zhì)也可以有效保持高靈敏度。如上所述，當(dāng)反應(yīng)性液晶用作所述液晶分子時，在多重記錄時，所述反應(yīng)性液晶分子主要具有固著已記錄信息的功能，所述光響應(yīng)性分子具有誘導(dǎo)反應(yīng)性液晶分子排列和確保靈敏度的功能。因此，可以實(shí)現(xiàn)利用偏振光的高靈敏度多重記錄，并且已記錄的信息可得以固著。當(dāng)考慮到光響應(yīng)性分子和反應(yīng)性液晶分子功能之間的所述差異時，記錄層中包含的光響應(yīng)性分子與反應(yīng)性液晶分子的含量比率可以為1:9至9:1(重量)。當(dāng)光響應(yīng)性分子與反應(yīng)性液晶分子的含量比率超出上述范圍時，例如，當(dāng)光響應(yīng)性分子與反應(yīng)性液晶分子的比率太小時，因?yàn)橛涗浶畔r反應(yīng)性液晶分子不能充分取向，所以難以記錄要固著的信息。另一方面，當(dāng)反應(yīng)性液晶分子與光響應(yīng)性分子的比率太小時，在一些情況下難以進(jìn)行多重記錄。在本發(fā)明一個技術(shù)方案中，如上所述，在記錄層中進(jìn)行信息記錄的過程中，所述反應(yīng)性液晶分子優(yōu)選能夠在光照射時聚合或交聯(lián)。當(dāng)使用該反應(yīng)性晶體分子時，基本上可以同時進(jìn)行記錄和固著信息，并可以簡化使用全息記錄介質(zhì)記錄和再現(xiàn)信息的全息記錄裝置的結(jié)構(gòu)。然而，在記錄層中進(jìn)行信息記錄的過程中，作為選擇，所述反應(yīng)性液晶分子也可以根據(jù)需要通過不同于光照射的外部刺激進(jìn)行聚合和/或交聯(lián)。在這種情況下，由于可以根據(jù)所記錄的信息的重要性等自由選擇是否固著已記錄的信息，因此，本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的記錄介質(zhì)可以用作可重寫記錄介質(zhì)。因此，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，可以提供既可用作可重寫介質(zhì)也可用作一次性介質(zhì)的記錄介質(zhì)。此外，當(dāng)記錄層中使用的反應(yīng)性液晶分子可以在光照射下共聚合和/或交聯(lián)時，為了加速所述聚合和/或交聯(lián)，可以在記錄層中包含光聚合引發(fā)劑。當(dāng)反應(yīng)性液晶用作所述液晶分子時，優(yōu)選使用另外的光聚合引發(fā)劑。記錄層中(即記錄材料中)光聚合引發(fā)劑的含量沒有特別限定。然而，當(dāng)記錄層包含光聚合弓I發(fā)劑，該光聚合引發(fā)劑可以在記錄層中記錄信息之際促進(jìn)反應(yīng)性液晶分子在光照射下的聚合和/或交聯(lián)時，該光聚合引發(fā)劑與反應(yīng)性液晶分子的含量比率優(yōu)選為0.01重量％10重量％，更優(yōu)選為0.01重量％5重量％。當(dāng)光聚合引發(fā)劑的含量過高時，在光照射下，反應(yīng)性液晶分子在根據(jù)光響應(yīng)性分子的取向進(jìn)行充分取向之前進(jìn)行聚合和/或交聯(lián)；因此在一些情況下不能獲得高記錄性能。此外，當(dāng)光聚合引發(fā)劑的含量過低時，因?yàn)楦鶕?jù)光響應(yīng)性分子的取向進(jìn)行取向的反應(yīng)性液晶分子在光照射時沒有足夠快速地發(fā)生聚合，已取向的反應(yīng)性液晶分子的取向隨時間而緩和，在有些情況下可導(dǎo)致信息的固著性惡化。-全息記錄介質(zhì)的構(gòu)造-下面將更加詳細(xì)描述本發(fā)明的技術(shù)方案所述的記錄介質(zhì)的構(gòu)造和使用的材料。本發(fā)明的技術(shù)方案所述的記錄介質(zhì)至少包括含有記錄材料的記錄層，所述記錄材料包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和諸如上文所述的顆粒。所述記錄層可以設(shè)置在基板(或基體)上。可以在記錄層和基板之間布置反射層。此外，可以在記錄層的與設(shè)置基板的一側(cè)相反的一側(cè)的表面上設(shè)置保護(hù)記錄層的保護(hù)層。該保護(hù)層可以是基板(即在一對基板之間插入記錄層的構(gòu)造)。此外，為了例如確?；迮c反射層或記錄層之間或者反射層、記錄層和保護(hù)層各層之間的粘著性，根據(jù)需要可以設(shè)置中間層。此外，可以將抗反射涂層涂覆在例如保護(hù)層的表面等需要該涂層的部分上。全息記錄介質(zhì)的形狀沒有特別限定。只要記錄層具有恒定厚度并以兩維方式形成，可以選擇任意形狀，例如盤狀、片狀、帶狀或鼓狀。然而，傳統(tǒng)光記錄介質(zhì)中使用的在中心部分具有孔的圓盤狀是優(yōu)選的，因?yàn)樵撔螤羁梢匀菀椎乩脗鹘y(tǒng)光記錄介質(zhì)的生產(chǎn)技術(shù)和記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)。(記錄層)所述記錄層包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和顆粒，并根據(jù)需要可以包含其它成分。此外，當(dāng)所述反應(yīng)性液晶分子用作所述液晶分子時，記錄層可以包含本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的可以根據(jù)需要包含光聚合引發(fā)劑等的全息記錄材料。至于其它成分，可以使用與信息的記錄/再現(xiàn)具有直接關(guān)系的材料，例如粘合劑。從實(shí)際考慮，記錄層的膜厚度可以為3pm2mm。然而，當(dāng)本發(fā)明技術(shù)方案所述的記錄介質(zhì)是平面全息圖時，所述膜厚度優(yōu)選為3pm10(Him，更優(yōu)選為5pm20pm。另一方面，當(dāng)本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的記錄介質(zhì)是立體全息圖時，所述膜厚度優(yōu)選為100pm2mm，更優(yōu)選為250|umlmm。下文中，將詳細(xì)描述記錄層中包含的各種成分。-光響應(yīng)性分子-關(guān)于所述光響應(yīng)性分子，可以使用以下的材料該材料包含在光照射時表現(xiàn)出異構(gòu)化反應(yīng)(例如順式-反式異構(gòu)化或同側(cè)-異側(cè)異構(gòu)化)的一部分結(jié)構(gòu)，并且由于該部分結(jié)構(gòu)的異構(gòu)化而改變其分子取向。在本發(fā)明的一個技術(shù)方案中，光響應(yīng)性分子可以包含在光照射下進(jìn)行順式-反式異構(gòu)化的偶氮苯骨架(在偶氮基每端均具有苯環(huán)的結(jié)構(gòu))。所述偶氮苯骨架的順式-反式異構(gòu)化反應(yīng)描述于如下所示的異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例1。異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例1此外，當(dāng)光響應(yīng)性分子是聚合物(光響應(yīng)性聚合物)時，所述聚合物可以在其側(cè)鏈部分具有包含例如偶氮苯骨架的可光致異構(gòu)化基團(tuán)。所述可光致異構(gòu)化基團(tuán)是指光照射時可進(jìn)行異構(gòu)化反應(yīng)的基團(tuán)。該聚合物材料使得可以分別為主鏈結(jié)構(gòu)和側(cè)鏈結(jié)構(gòu)進(jìn)行各種分子設(shè)計。因此，具有的優(yōu)點(diǎn)是可以容易地將全息記錄所需的諸如吸收系數(shù)、響應(yīng)波長范圍、響應(yīng)速度和記錄保持性等多種物理性能控制為高水平的理想值。例如，除了可光致異構(gòu)化基團(tuán)以外，當(dāng)將液晶線性液晶基元(mesogen)基團(tuán)例如聯(lián)苯衍生物引入側(cè)鏈時，可以增強(qiáng)并固定通過對可光致異構(gòu)化基團(tuán)的光照射而產(chǎn)生的取向變化；因此可以降低吸收損失。包含偶氮苯骨架等的聚合物實(shí)例包括日本特愿2004-150801號公報、特愿2004-113463號公報、特愿2004-163889號公報、特愿2004-83716號公報、特愿2004-81670號公報、特愿2004-135949號公報、特愿2004-135950號公報和特愿2004-81610號公報中公開的聚合物材料。下文中，作為本發(fā)明的一個技術(shù)方案中使用的光響應(yīng)性聚合物的實(shí)例，以下顯示了一種光響應(yīng)性聚合物(在下文中有時稱為偶氮聚合物(l))的化學(xué)結(jié)構(gòu)式的實(shí)例，在所述光響應(yīng)性聚合物的側(cè)鏈部分包含含有偶氮苯骨架等的可光異構(gòu)化基團(tuán)。以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式中，n代表l以上的整數(shù)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>偶氮基聚合物(i)此外，除了包含偶氮苯骨架的光響應(yīng)性分子，所述光響應(yīng)性分子還可以是包含二芳基乙烯類的材料。二芳基乙烯類表現(xiàn)出光致變色性。該光致變色性是僅由光引起轉(zhuǎn)化的6:r電子環(huán)反應(yīng)，就像俘精酸酐的情況一樣。二芳基乙烯類可以認(rèn)為是一種二苯乙烯。二芳基乙烯類的光致變色是順式-反式異構(gòu)化，并且每個異構(gòu)體狀態(tài)的熱穩(wěn)定性和重復(fù)轉(zhuǎn)化的耐用性較高。典型的二芳基乙烯的化學(xué)結(jié)構(gòu)式和其異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例(異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例2)如下所示。異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例2例如，具有以下記錄層的全息記錄介質(zhì)當(dāng)以波長約500nm的光進(jìn)行照射時變?yōu)闊o色，并在以波長約360nm的光進(jìn)行照射時呈現(xiàn)顏色，其中所述記錄層是由二芳基乙烯分散在聚乙烯醇(PVA)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的材料而制成的記錄層。可以利用該吸收變化進(jìn)行全息記錄。此外，還可以使用包含螺吡喃的材料作為光響應(yīng)性材料。螺吡喃是目前研究報告最多的一種光致變色化合物。一些螺吡喃已經(jīng)投入實(shí)用，并且螺吡喃是最令人期待的化合物之一。典型的螺吡喃的化學(xué)結(jié)構(gòu)式和其異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例(異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例3)如下所示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例3當(dāng)用光照射時螺吡喃顯示出具有良好對比度的藍(lán)色。含螺吡喃的聚合物材料通常具有下列特征(i)通過紫外線照射，可從無色材料轉(zhuǎn)變?yōu)橛猩牧希?ii)發(fā)色速度高；以及(iii)當(dāng)放置在暗處時褪色緩慢。具有所述特征的螺吡喃可以用作本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的全息記錄介質(zhì)所用的光響應(yīng)性材料。光響應(yīng)性化合物的其它實(shí)例包含咕噸染料，例如熒光素鈉、赤蘚紅B和曙紅Y。典型的咕噸染料即熒光素鈉的化學(xué)結(jié)構(gòu)式和其異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例(異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例4)如下所示。當(dāng)使用咕噸染料時，甚至可以使用相對低的光強(qiáng)度在全息記錄介質(zhì)中記錄信息。當(dāng)利用咕噸染料制造全息記錄介質(zhì)時，可以使用其中。占噸染料分散在例如PVA或PMMA中的材料。異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例4此外，包含俘精酸酐的材料也可用作光響應(yīng)性材料。典型俘精酸酐的化學(xué)結(jié)構(gòu)式和其異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例(異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例5)如下所示。俘精酸酐在施加具有365nm波長的紫外線時變色，并在施加515nm波長或532nm波長的綠光時發(fā)生異構(gòu)化。因此，可以利用該特性生產(chǎn)使用俘精酸酐的全息記錄介質(zhì)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>異構(gòu)化反應(yīng)實(shí)例5當(dāng)本發(fā)明的一個技術(shù)方案中使用的光響應(yīng)性分子是包含與具有偶氮苯骨架的材料不同的光致變色化合物的聚合物材料時，其實(shí)例包含日本特愿2004-81666號公報中描述的材料。此外，作為其它光響應(yīng)性分子，可以列舉日本特愿2003-298936號公報、特愿2003-300059號公報、特愿2003-300057號公報、特愿2004-88790號公報和特愿2004-91983號公報中公開的材料。-液晶分子-在本發(fā)明的技術(shù)方案中使用的反應(yīng)性液晶分子沒有特別限定，只要它們可以通過施加諸如光或熱等外部刺激而進(jìn)行聚合和/或交聯(lián)即可。可以通過光照射來使反應(yīng)性液晶分子聚合和/或交聯(lián)。所述反應(yīng)性液晶分子是一種液晶化合物，所述液晶化合物具有的骨架選自表現(xiàn)出向列型、膽甾型或近晶型液晶取向的多種骨架，并在其末端具有至少一個可聚合官能團(tuán)。所述可聚合官能團(tuán)可以是諸如丙烯?；?、甲基丙烯?；蛞蚁┗炔伙柡碗p鍵或環(huán)氧基。反應(yīng)性液晶分子可以具有兩個或兩個以上的可聚合官能團(tuán)，并可以交聯(lián)。通過使用該反應(yīng)性液晶分子可以進(jìn)一步堅固地將取向固定。作為表現(xiàn)出液晶取向的液晶基元的環(huán)狀單元的實(shí)例包括聯(lián)苯類、苯甲酸苯酯類、苯基環(huán)己垸類、苯基嘧啶類、二苯乙炔類、二苯基苯甲酸酯類、二環(huán)己烷類、環(huán)己基苯類和三聯(lián)苯類。所述環(huán)狀單元的端基可以具有取代基，例如氰基、烷基、垸氧基或鹵素基團(tuán)。此外，作為本發(fā)明的一個技術(shù)方案中使用的非反應(yīng)性液晶分子，可以使用已知的液晶材料。例如，可以使用通過從上述反應(yīng)性液晶分子中去掉參與聚合和/或交聯(lián)的反應(yīng)性基團(tuán)而得到的液晶分子。記錄材料中使用的液晶分子可以僅包含一種液晶分子或兩種或更多種液晶分子。此外，經(jīng)過取向處理后，通常以合適的方法利用光或熱使液晶分子交聯(lián)和/或聚合，從而形成聚合物。-光聚合引發(fā)劑-當(dāng)所述反應(yīng)性液晶分子用作所述液晶分子時，可以使用光聚合引發(fā)劑以促進(jìn)在所述包含記錄材料的記錄層中包含的反應(yīng)性液晶分子的聚合和/或交聯(lián)。作為所述光聚合引發(fā)劑，可以使用普通光聚合引發(fā)劑，例如，諸如2，2-二乙氧基苯乙酮等苯乙酮類光敏引發(fā)劑、安息香類光敏引發(fā)劑、二苯甲酮類光敏引發(fā)劑、茂鈦類光敏引發(fā)劑、噻噸酮類光敏引發(fā)劑、重氮鹽類光敏引發(fā)劑、锍鹽類光敏引發(fā)劑、碘鑰鹽類光敏引發(fā)劑或硒鹽類光敏引發(fā)劑。為了抑制光散射的不利影響，作為光聚合引發(fā)劑，可以溶解在反應(yīng)性液晶分子或光響應(yīng)性分子中或與之相容的光聚合引發(fā)劑是優(yōu)選的。此外，還優(yōu)選透明的光聚合引發(fā)劑。例如，可以舉出IRGACURE784、754、184、651和369(商品名，由CibaSpecialtyChemicalsCo.生產(chǎn))。記錄材料中，除了光聚合引發(fā)劑，還可以在不影響本發(fā)明的技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)的范圍內(nèi)加入增感劑。本發(fā)明的技術(shù)方案中，基于所述的記錄材料的重量，所述光聚合引發(fā)劑的含量通常為0.001重量％10重量％，優(yōu)選為0.1重量％5重量％。-其它成分(例如粘合劑)-根據(jù)需要，構(gòu)成記錄介質(zhì)的記錄材料中可以包含其它成分，例如粘合劑樹脂。作為粘合劑樹脂，例如可以使用光學(xué)性質(zhì)優(yōu)異的聚甲基丙烯酸酯(PMMA)或聚乙烯醇(PVA)。此外，還優(yōu)選例如以下化學(xué)結(jié)構(gòu)式(l)中所示的在側(cè)鏈中具有氰基聯(lián)苯基的聚酯材料作為粘合劑樹脂。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>化學(xué)結(jié)構(gòu)式(l)在化學(xué)結(jié)構(gòu)式(l)中，n代表l以上的整數(shù)。當(dāng)在全息記錄介質(zhì)中記錄信息或從中再現(xiàn)信息時通常使用的光的波長范圍中，該聚酯材料具有光透射性能。此外，當(dāng)具有可光致異構(gòu)化基團(tuán)的光響應(yīng)性聚合物與由化學(xué)結(jié)構(gòu)式(l)表示的聚酯一起使用時，隨著可光致異構(gòu)化基團(tuán)的異構(gòu)化，可誘發(fā)雙折射率；因此，可以有效得到更高的光響應(yīng)性聚合物的靈敏度。表述"具有可光致異構(gòu)化基團(tuán)的光響應(yīng)性聚合物與由化學(xué)結(jié)構(gòu)式(l)表示的聚酯一起使用"的范圍不僅包括物理混合所述具有可光致異構(gòu)化基團(tuán)的光響應(yīng)性聚合物和由化學(xué)結(jié)構(gòu)式(l)表示的聚酯材料，也包括化學(xué)混合，即包括在具有可光致異構(gòu)化基團(tuán)的光響應(yīng)性聚合物中包含由化學(xué)結(jié)構(gòu)式(l)表示的重復(fù)單元(以形成共聚物)的情況。-形成記錄層-可以根據(jù)用作記錄層材料的本發(fā)明的技術(shù)方案所述的記錄材料的種類，從已知方法中適當(dāng)?shù)剡x擇方法，由該方法進(jìn)行記錄層的形成。例如，可以使用液相層形成法，例如噴霧法、旋涂法、浸涂法、輥式涂布法、刮涂法、刮刀輥法或絲網(wǎng)印刷法，在所述液相層形成法中，涂布液包含溶解和分散在其中的本發(fā)明的技術(shù)方案所述的記錄材料；或者可以使用氣相沉積法。此外，可以使用注射成型或熱壓法形成板狀記錄層(厚膜)。(基板/基體)作為基板或基體，可以從具有平滑表面的多種材料中任意地選擇使用的材料。例如，可以使用金屬、陶瓷、樹脂或紙。此外，其形狀沒有特別限定。優(yōu)選使用在中心部分具有孔的平坦的圓盤狀基板，例如傳統(tǒng)光記錄介質(zhì)中使用的基板，因?yàn)槭褂迷摶蹇梢匀菀椎乩糜糜诠庥涗浗橘|(zhì)的傳統(tǒng)生產(chǎn)方法和傳統(tǒng)記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)。所述基板材料的具體實(shí)例包括玻璃；聚碳酸酯；諸如聚甲基丙烯酸酯等丙烯酸樹脂；諸如聚氯乙烯和聚氯乙烯共聚物等氯乙烯樹脂；環(huán)氧樹脂；無定形聚烯烴；聚酯；和諸如鋁等金屬。根據(jù)需要還可以使用選自上述材料的組合。在以上舉出的材料中，無定形聚烯烴和聚碳酸酯是優(yōu)選的，從耐濕性、尺寸穩(wěn)定性和低成本的角度考慮，最優(yōu)選的是聚碳酸酯。此外，在基板的表面上，可以設(shè)置跟蹤導(dǎo)向槽(trackingguidegroove)或表示諸如地址信號等信息的凹凸不平物(預(yù)凹槽)。當(dāng)在記錄或再現(xiàn)之際使光照射透過基板進(jìn)入記錄層時，使用允許所用光(記錄光和再現(xiàn)光)波長范圍內(nèi)的光透過的材料。在這種情況下，在使用的光的波長范圍內(nèi)(在激光的情況下，為強(qiáng)度峰波長范圍內(nèi)或該范圍附近)的透光率可以是90%以上。當(dāng)在基板表面上布置反射層時，可以在基板的表面上設(shè)置底涂層，以改善平面性和粘著力。底涂層的材料的實(shí)例包括聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚乙烯醇、N-羥甲基丙烯酰胺、苯乙烯-乙烯基甲苯共聚物、氯磺化聚乙烯、硝化纖維、聚氯乙烯、氯化聚烯烴、聚酯、聚酰亞胺、乙酸乙烯酯-氯乙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯和聚碳酸酯；和表面改性劑，例如硅烷偶聯(lián)劑?？梢酝ㄟ^在合適的溶劑中溶解或分散所述底涂層材料以制備涂布液，并使用例如旋涂法、浸涂法或擠壓涂布法等涂布方法將所述涂布液涂布到基板表面上，從而形成底涂層。底涂層的厚度通常優(yōu)選為0.005pm20pm，更優(yōu)選為0.01(mil(Vm。(反射層)所述反射層可以由對激光的反射率為70%以上的光反射性材料制成。該光反射性材料的實(shí)例包括例如Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、M、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn和Bi等金屬或準(zhǔn)金屬，或不銹鋼。在示范性實(shí)施方案中，僅使用一種光反射性材料。在另一個示范性實(shí)施方案中，組合使用兩種或兩種以上的光反射性材料。在另一個示范性實(shí)施方案中，使用兩種或兩種以上的光反射性材料的合金。其中，優(yōu)選的是Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al和不銹鋼，更優(yōu)選的是Au、Ag、Al及其合金，再更優(yōu)選的是Au、Ag及其合金。可以通過氣相沉積、濺射或離子電鍍所述光反射性材料而在基板上形成反射層。反射層的厚度通常優(yōu)選為10nm300nm，更優(yōu)選為50nm200nm。(保護(hù)層)用于保護(hù)層的材料可以是具有以下厚度的已知材料所述厚度是所述材料在普通使用環(huán)境下可以以機(jī)械方式、物理方式和化學(xué)方式保護(hù)記錄層的厚度。例如，通常可以舉出透明樹脂和透明無機(jī)材料，例如SiCb。在記錄或再現(xiàn)時，當(dāng)使光照射透過保護(hù)層進(jìn)入記錄層時，所述保護(hù)層材料應(yīng)當(dāng)可以透過在所用光的波長范圍內(nèi)的光。在這種情況下，所用光的波長范圍內(nèi)(在激光的情況下，為強(qiáng)度峰波長范圍內(nèi)或該范圍附近)的透光率可以是90%以上。這也適用于在記錄層的入射光側(cè)的表面上可選地設(shè)置有中間層以改善粘著性的情況。當(dāng)所述保護(hù)層由樹脂制成時，可以使用預(yù)先形成片狀的由聚碳酸酯、三乙酸纖維素等制成的樹脂性膜?？梢酝ㄟ^將該樹脂性膜層壓在記錄層上以形成保護(hù)層。為了確保粘合強(qiáng)度，可以使用熱固化性或紫外線固化性粘合劑，隨后通過施加熱量或照射紫外線來固化所述粘合劑，從而實(shí)現(xiàn)所述層壓。用作保護(hù)層的樹脂膜的厚度沒有特別限定，只要該保護(hù)層可以保護(hù)記錄層即可。然而，從實(shí)際考慮，優(yōu)選為30pm200pm，更優(yōu)選為50,150(xm。作為另外一種選擇，代替所述樹脂性膜的是，可以涂布熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光固化性樹脂等來形成保護(hù)層。此外，根據(jù)需要，可以將抗反射涂層施用于保護(hù)層上。此外，當(dāng)所述保護(hù)層由例如Si02、MgF2、Sn02或Si3N4等透明陶瓷或玻璃材料制成時，可以通過使用濺射方法或溶膠-凝膠法形成保護(hù)層。形成保護(hù)層的透明無機(jī)材料的厚度沒有特別限定，只要能實(shí)現(xiàn)對記錄層的保護(hù)即可。實(shí)用上，優(yōu)選為0.1pm100pm，更優(yōu)選為1pm20pm。(記錄介質(zhì)的制造方法)下面，將描述本發(fā)明的技術(shù)方案所述的具有上述構(gòu)造的全息記錄介質(zhì)的制造方法。當(dāng)本發(fā)明的技術(shù)方案所述的全息記錄介質(zhì)是平面全息圖時，可以根據(jù)用于如上所述各層的材料的種類，通過依次在基板上層壓包括記錄層在內(nèi)的一層或多層而進(jìn)行制造。作為實(shí)例，將簡要地描述具有在基板上設(shè)置記錄層和保護(hù)層的結(jié)構(gòu)的全息記錄介質(zhì)的制造過程的主要流程。首先，通過在聚碳酸酯基板上旋涂涂布液而形成具有所需厚度的記錄層，并充分干燥該記錄層，其中所述涂布液包含溶解在溶劑中的由聚合物構(gòu)成的光響應(yīng)性分子、液晶分子、顆粒和一種或多種其它可選的成分。然后，使用雙面膠帶粘合所述記錄層和用于形成保護(hù)層的三乙酸纖維素樹脂膜，因此獲得具有保護(hù)層/記錄層/基板的構(gòu)造的全息記錄介質(zhì)。此外，當(dāng)本發(fā)明的技術(shù)方案所述的全息記錄介質(zhì)是立體全息圖時，可以通過注射成型或熱壓來形成記錄層。具體地說，可以通過下列方法制備所述立體全息圖。當(dāng)使用注射成型時，可以按照如下所述方式制備全息記錄介質(zhì)。首先，通過注射成型來制備將成為記錄層的圓盤狀成型體。然后，將圓盤狀成型體夾在一對圓盤狀透明基板之間，隨后將其熱壓以進(jìn)行熱熔融粘合。在所述注射成型方法中，將原料樹脂(至少包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和顆粒的樹脂組合物)加熱至熔融，并將熔融的樹脂噴射至成型模具內(nèi)以形成圓盤。使用的注射成型機(jī)可以是其中將塑化所述原料的功能和噴射功能一體化的在線式注射成型機(jī)或者是其中將塑化所述原料的功能和噴射功能分開的預(yù)柱塞式(pre-plunger)注射成型機(jī)。對于注射成型條件，注射壓力優(yōu)選為1000kg/cm23000kg/cm2;注射速度優(yōu)選為5mm/s30mm/s。此外，在熱壓法中，將注射成型法中得到的厚板狀成型體夾在一對盤狀透明基板之間，并在真空下進(jìn)行熱壓。由于由此制備的全息記錄介質(zhì)不是通過在基板上形成記錄層而形成，而是通過與所述基板分開且獨(dú)立的注射成型而形成，因此可以容易地增加記錄層的厚度，并且該方法適合于大規(guī)模制造。此外，由于通過熱壓將所述記錄層粘附至基板，因此可以使注射成型期間產(chǎn)生的成型體殘余應(yīng)變均勻；因此，即使在制造的記錄層較厚時，記錄特性也不會因?yàn)楣馕栈蛏⑸涠踊Ａ硪环矫?，?dāng)施加熱壓時，例如可以按如下方式制備全息記錄介質(zhì)。首先，將粉末狀樹脂(至少包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和顆粒的樹脂組合物)夾在諸如TEFRON⑧片材等高脫模性的基板(擠壓部件)之間，并在真空下熱壓該粉末狀樹脂以直接形成記錄層。所述熱壓方法可以包括真空熱壓。在所述真空熱壓中，在一對擠壓部件之間填充粉末狀樹脂作為樣品。然后，將壓力降低至大約0.1MPa以防止氣泡的產(chǎn)生，并在該低壓下逐漸升高溫度至預(yù)定溫度，并用擠壓部件擠壓樣品。熱壓中，加熱溫度可以等于或高于樹脂材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)，擠壓時的壓力可以為0.01t/cm、噸/平方厘米)至0.1t/cm2。在進(jìn)行預(yù)定時間的熱壓后，停止施加熱量和壓力，將樣品冷卻至室溫，然后取出。通過實(shí)施所述熱壓，夾在一對擠壓部件之間的樹脂材料被加熱并熔融。在樹脂材料冷卻后，可以得到板狀記錄層。當(dāng)最后除去擠壓部件時，可以得到光記錄介質(zhì)。例如，當(dāng)由偶氮聚合物形成記錄層時，由于偶氮聚合物的Tg低至約50°C，因此在約7(TC通過熱壓可以使記錄層容易地形成所需厚度。此外，該熱壓不產(chǎn)生殘余應(yīng)變。根據(jù)需要，可以設(shè)置保護(hù)層等以改善具有記錄層的全息記錄介質(zhì)的耐刮擦性和防潮性。該方法中，所述記錄層不是通過在基板上形成記錄層而形成，而是通過熱壓分開且獨(dú)立地形成。因此，容易增加由此制備的全息記錄介質(zhì)的厚度。此外，由于通過熱壓形成記錄層，因此在成型體中不產(chǎn)生殘余應(yīng)變，并且即使在制造的記錄層較厚時記錄特性也不會因?yàn)楣馕蘸蜕⑸涠踊?lt;全息記錄方法〉下面，將描述使用本發(fā)明的技術(shù)方案所述的全息記錄介質(zhì)的全息記錄方法。根據(jù)本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的全息記錄方法，可以在本發(fā)明的技術(shù)方案所述的記錄介質(zhì)的記錄層中記錄信息，或可以通過用光照射該記錄介質(zhì)來再現(xiàn)已記錄的信息。在本發(fā)明的一個技術(shù)方案中，信息記錄可以是使用偏振光的多重記錄。在這種情況下，可以實(shí)現(xiàn)高靈敏度的多重記錄。此外，當(dāng)反應(yīng)性液晶分子用作液晶分子時，還可以固著己記錄的信息。進(jìn)一步，由于使用偏振光，還可以對所記錄的數(shù)據(jù)進(jìn)行加鎖或根據(jù)所記錄的數(shù)據(jù)進(jìn)行計算。下面，將描述使用上述本發(fā)明的技術(shù)方案所述的全息記錄介質(zhì)來記錄和/或再現(xiàn)信息的光記錄和/或再現(xiàn)裝置。用于本發(fā)明的技術(shù)方案的光記錄和/或再現(xiàn)裝置可以具有這樣一種構(gòu)造，其中，考慮到用于記錄和/或再現(xiàn)的全息記錄介質(zhì)的規(guī)格，適用于已知的記錄/再現(xiàn)方法，例如全息記錄或光吸收調(diào)制記錄。具體地說，用于本發(fā)明的技術(shù)方案的光記錄和/或再現(xiàn)裝置可以具有利用使用偏振光的全息記錄的構(gòu)造。在這種情況下，用于本發(fā)明的技術(shù)方案的光記錄和/或再現(xiàn)裝置可以至少包括信號光源和參考光源，其中，當(dāng)在全息記錄介質(zhì)中記錄信息時所述信號光源使用對應(yīng)于信息的信號光來照射該全息記錄介質(zhì)，當(dāng)在全息記錄介質(zhì)中再現(xiàn)(讀取)所記錄的信息時，所述參考光源用參考光來照射全息記錄介質(zhì)。此外，光記錄和/或再現(xiàn)裝置可以配備使用光電轉(zhuǎn)換元件的讀取傳感器(例如CCD(電荷耦合器件))，所述元件讀取通過使用參考光來照射全息記錄介質(zhì)而再現(xiàn)的信息(再現(xiàn)光或衍射光)。此外，根據(jù)需要，可以省略信號光源或參考光源以及讀取傳感器以制造專用于記錄或?qū)Ｓ糜谠佻F(xiàn)的裝置。通常，根據(jù)需要可以應(yīng)用多種光學(xué)系統(tǒng)，例如用于普通光記錄和/或再現(xiàn)裝置的光學(xué)系統(tǒng)。例如，通過使用鏡面、分束器、透鏡等形成將信號光照射到全息記錄介質(zhì)上的成像光學(xué)系統(tǒng)。在另一個實(shí)例中，可以通過使用分束器等從同一光源中取出信號光和參考光。此外，信號光和/或參考光的光源沒有特別限定。通常，可以使用例如氦氖激光器或氬激光器等已知激光源。也可使用具有雖然沒有如激光一樣呈完全單色性但是其狹窄光譜半值寬度約為2nm3nm的明線光譜的光源(例如，超高壓水銀燈)。也可使用諸如日光或熒光燈等白色光源。此外，當(dāng)使用的全息記錄介質(zhì)是所謂盤狀介質(zhì)例如市售DVD或CD-ROM時，該裝置可以裝備與DVD、CD-ROM等中使用的盤狀介質(zhì)相容的多種機(jī)構(gòu)。例如，諸如保持并旋轉(zhuǎn)盤狀物的馬達(dá)等機(jī)構(gòu)，和使用信號光或參考光在盤狀物的平面方向上照射預(yù)定位置的機(jī)構(gòu)(當(dāng)光源是固定型時，可以使用電鏡(galvanomirror)等，或者將光源設(shè)置于能夠在所述盤狀物的平面方向上移動的所謂光頭中)。全息記錄方法的實(shí)例包括其中可以在一個位置通過改變指向記錄平面的法線與入射物體光之間的角度來記錄多個全息圖的全息記錄；以及其中通過改變?nèi)肷涔庀鄬τ谟涗浧矫娴奈恢枚谥丿B區(qū)域中記錄多個全息圖的全息記錄。下文中，參考附圖描述本發(fā)明中使用的光記錄/再現(xiàn)裝置的實(shí)例。如圖1所示，在記錄/再現(xiàn)中，使用由激光二極管激發(fā)的固態(tài)激光器(Nd:YV04)20的532nm振蕩譜線。通過半波板21將其偏振方向旋轉(zhuǎn)后，通過偏振光分束器22將固態(tài)激光器發(fā)出的線性偏振光分成信號光26和參考光27兩束光波。這里，可以通過調(diào)節(jié)偏振光的旋轉(zhuǎn)角來控制兩束光波之間的強(qiáng)度平衡。兩束光波在記錄介質(zhì)24中相交，在記錄介質(zhì)24中誘發(fā)與由兩束光波的干涉產(chǎn)生的強(qiáng)度分布或偏振分布相對應(yīng)的光學(xué)各向異性。信號光26的光路上的半波板33控制信號光的偏振，由此，可以記錄其中信號光26和參考光27的偏振方向相互平行的強(qiáng)度調(diào)制全息圖或其中信號光26和參考光27的偏振方向相互垂直的偏振調(diào)制全息圖。在再現(xiàn)時，僅將參考光27照射至光記錄介質(zhì)，因此可以獲得根據(jù)所記錄的信息產(chǎn)生的衍射光，并可以用功率計25測量其光學(xué)輸出功率?？梢酝ㄟ^測定衍射光強(qiáng)度與參考光強(qiáng)度的比率來計算該光記錄介質(zhì)的衍射效率。在本發(fā)明的一個技術(shù)方案中使用的光記錄和/或再現(xiàn)裝置中，可以設(shè)置本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的記錄介質(zhì)作為記錄介質(zhì)24以進(jìn)行信息的記錄和/或再現(xiàn)。當(dāng)使用以偶氮聚合物作為光響應(yīng)性分子的記錄介質(zhì)時，通過控制半波板33或偏振光分束器22，既可以記錄信號光和參考光的偏振方向相互平行的強(qiáng)度調(diào)制全息圖，也可以記錄信號光和參考光的偏振方向相互垂直的偏振調(diào)制全息圖。下文中，參考實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于如下所示的實(shí)施例。<記錄介質(zhì)的制備>(實(shí)施例1)-反應(yīng)性液晶單體(商品名UCL008，由DainipponInkandChemicalsCo.，Ltd.生產(chǎn))55質(zhì)量份-偶氮聚合物(l)(重均分子量23000):35質(zhì)量份-膠態(tài)顆粒(1102，平均粒徑15nm):IO質(zhì)量份-光聚合引發(fā)劑(商品名IRGACURE784，由CibaSpecialtyChemicalsCo.,Ltd.生產(chǎn))0.03質(zhì)量份通過旋涂將通過在THF(四氫呋喃)中溶解上述成分得到的溶液涂布到清洗過的盤狀玻璃基板(直徑50mm，厚度lmm)的一個表面上，并干燥形成厚度2(mi的記錄層，從而制得記錄介質(zhì)A1。(實(shí)施例2)畫反應(yīng)性液晶單體(商品名UCL008，由DainipponInkandChemicalsCo.,Ltd.生產(chǎn))40質(zhì)量份-偶氮聚合物(l)(重均分子量23000):55質(zhì)量份-膠態(tài)顆粒(8102，平均粒徑15nm):5質(zhì)量份-光聚合引發(fā)齊U(商品名IRGACURE784，由CibaSpecialtyChemicalsCo"Ltd.生產(chǎn)):0.03質(zhì)量份通過旋涂將通過在THF(四氫呋喃)中溶解上述成分得到的溶液涂布到清洗過的盤狀玻璃基板(類似于實(shí)施例1的基板)的一個表面上，并干燥形成厚度2pm的記錄層，從而制得記錄介質(zhì)A2。(實(shí)施例3)-反應(yīng)性液晶單體(商品名UCL008，由DainipponInkandChemicalsCo.,Ltd.生產(chǎn))40質(zhì)量份-偶氮聚合物(l)(重均分子量23000):59.5質(zhì)量份-膠態(tài)顆粒(1102，平均粒徑15nm):0.5質(zhì)量份-光聚合引發(fā)劑(商品名IRGACURE784，由CibaSpecialtyChemicalsCo.,Ltd.生產(chǎn))0.03質(zhì)量份通過旋涂將通過在THF(四氫呋喃)中溶解上述成分得到的溶液涂布到清洗過的盤狀玻璃基板(類似于實(shí)施例1的基板)的一個表面上，并干燥形成厚度2pm的記錄層，從而制得記錄介質(zhì)A3。(實(shí)施例4)-反應(yīng)性液晶單體(商品名UCL008，由DainipponInkandChemicalsCo.，Ltd.生產(chǎn))6質(zhì)量份-偶氮聚合物(l)(重均分子量23000):93質(zhì)量份-膠態(tài)顆粒0102，平均粒徑15nm):1質(zhì)量份-光聚合引發(fā)劑(商品名IRGACURE784，由CibaSpecialtyChemicalsCo.,Ltd.生產(chǎn))0.03質(zhì)量份通過旋涂將通過在THF(四氫呋喃)中溶解上述成分得到的溶液涂布到清洗過的盤狀玻璃基板(類似于實(shí)施例1的基板)的一個表面上，并干燥形成厚度2pm的記錄層，從而制得記錄介質(zhì)A4。(比較例1)-反應(yīng)性液晶單體(商品名UCL008，由DainipponInkandChemicalsCo.,Ltd.生產(chǎn))40質(zhì)量份-偶氮聚合物(l)(重均分子量23000):59.5質(zhì)量份-膠態(tài)顆粒(Ti02，平均粒徑100nm):0.5質(zhì)量份-光聚合引發(fā)劑(商品名IRGACURE784，由CibaSpecialtyChemicalsCo,，Ltd.生產(chǎn))0.03質(zhì)量份通過旋涂將通過在THF(四氫呋喃)中溶解上述成分得到的溶液涂布到清洗過的盤狀玻璃基板(類似于實(shí)施例1的基板)的一個表面上，并干燥形成厚度2pm的記錄層，從而制得記錄介質(zhì)B1。(比較例2)-反應(yīng)性液晶單體(商品名UCL008，由DainipponInkandChemicalsCo.，Ltd.生產(chǎn))40質(zhì)量份-偶氮聚合物(l)(重均分子量23000):60質(zhì)量份-光聚合引發(fā)劑(商品名IRGACURE784，由CibaSpecialtyChemicalsCo"Ltd.生產(chǎn)):0.03質(zhì)量份通過旋涂將通過在THF(四氫呋喃)中溶解上述成分得到的溶液涂布到清洗過的盤狀玻璃基板(類似于實(shí)施例1的基板)的一個表面上，并干燥形成厚度2pm的記錄層，從而制得記錄介質(zhì)B2。(比較例3)-反應(yīng)性液晶單體(商品名UCL008，由DainipponInkandChemicalsCo.,Ltd.生產(chǎn))6質(zhì)量份-偶氮聚合物(l)(重均分子量23000):94質(zhì)量份-光聚合引發(fā)劑(商品名IRGACURE784，由CibaSpecialtyChemicalsCo.，Ltd.生產(chǎn))0.03質(zhì)量份通過旋涂將通過在THF(四氫呋喃)中溶解上述成分得到的溶液涂布到清洗過的盤狀玻璃基板(類似于實(shí)施例1的基板)的一個表面上，并干燥形成厚度2,的記錄層，從而制得記錄介質(zhì)B3。<透光率評價>制備記錄介質(zhì)后以及制備完一個月后測量透光率，以評價由光散射導(dǎo)致的記錄特性的初期劣化以及隨時間劣化。假定使用氬激光器作為記錄信息用光源，使用氬激光器評價所述透光率。評價中，首先從記錄介質(zhì)的記錄層側(cè)以垂直于記錄介質(zhì)的平面的方向照射氬激光(波長515nm，強(qiáng)度0.5W/cm2)。由透過記錄介質(zhì)后的激光強(qiáng)度與進(jìn)入所述記錄介質(zhì)前的激光強(qiáng)度的比率求出透光率。這里，使用功率計(由AdvantestCorp.生產(chǎn))測量激光的強(qiáng)度。通過計算記錄介質(zhì)的平面上的任意三個點(diǎn)的測量值的平均值獲得所述透光率。結(jié)果列于表1。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>表1中所示的制備后立即測得的透光率和透光率降低的評價標(biāo)準(zhǔn)如下所述。-制備后立即測得的透光率-A:80%以上B:60%以上但是低于80%C:40%以上但是低于60%D:低于40%-透光率的降低-A:5%以下B:超過5%，但是在20%以下C:超過20%，但是在40%以下D:超過40%權(quán)利要求1.一種用于至少通過光照射來記錄信息的全息記錄材料，所述全息記錄材料包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和平均粒徑為所述信息的記錄中使用的光的波長的十分之一以下的顆粒。2.如權(quán)利要求1所述的全息記錄材料，其中，所述記錄材料中的所述液晶分子的含量為5重量％以上。3.如權(quán)利要求1所述的全息記錄材料，其中，所述光響應(yīng)性分子是光響應(yīng)性聚合物。4.如權(quán)利要求3所述的全息記錄材料，其中，所述光響應(yīng)性聚合物在側(cè)鏈中具有包含偶氮苯骨架的可光異構(gòu)化基團(tuán)。5.如權(quán)利要求1所述的全息記錄材料，其中，所述顆粒與所述液晶分子的比率為0.01重量％以上。6.如權(quán)利要求1所述的全息記錄材料，其中，所述顆粒與所述液晶分子的比率為0.1重量％5重量％。7.如權(quán)利要求1所述的全息記錄材料，其中，所述顆粒的材料是二氧化硅、金屬氧化物或樹脂。8.—種用于至少通過光照射來記錄信息的全息記錄介質(zhì)，所述全息記錄介質(zhì)包含含有全息記錄材料的記錄層，所述全息記錄材料包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和平均粒徑為所述信息的記錄中使用光的波長的十分之一以下的顆粒。9.如權(quán)利要求8所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄材料中的所述液晶分子的含量為5重量％以上。10.如權(quán)利要求8所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述光響應(yīng)性分子是光響應(yīng)性聚合物。11.如權(quán)利要求10所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述光響應(yīng)性聚合物在側(cè)鏈中具有包含偶氮苯骨架的可光異構(gòu)化基團(tuán)。12.如權(quán)利要求8所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述顆粒與所述液晶分子的比率為0.01重量％以上。13.如權(quán)利要求8所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述顆粒與所述液晶分子的比率是0.1重量％5重量％。14.如權(quán)利要求8所述的全息記錄介質(zhì)，其中，所述顆粒的材料是二氧化硅、金屬氧化物或樹脂。15.—種全息記錄方法，所述全息記錄方法包括當(dāng)同時向全息記錄介質(zhì)照射信號光和參考光來記錄信息時，通過使用光強(qiáng)度調(diào)制或光偏振調(diào)制中的至少一種進(jìn)行所述信息的多重記錄，所述全息記錄介質(zhì)具有包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和顆粒的記錄層，而且所述顆粒的平均粒徑為所述信號光的波長的十分之一以下。全文摘要本發(fā)明提供了一種全息記錄材料、全息記錄介質(zhì)和全息記錄方法。所述全息記錄材料用于至少通過光照射來記錄信息。所述全息記錄材料包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和平均粒徑為所述信息的記錄中使用的光的波長的十分之一以下的顆粒。文檔編號G11B7/0065GK101281760SQ20071009584公開日2008年10月8日申請日期2007年4月5日優(yōu)先權(quán)日2006年7月11日發(fā)明者三鍋治郎,古木真,吉沢久江,安田晉,小笠原康裕,林和廣,河野克典,羽賀浩一申請人:富士施樂株式會社