專利名稱：在光學記錄介質(zhì)上確定最佳再現(xiàn)條件的方法和設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明的各方面涉及一種光學記錄介質(zhì)，更具體地講，涉及一種在超分 辨率光學記錄介質(zhì)上確定最佳再現(xiàn)條件的方法和設備。
背景技術：
從超分辨率光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法不同于從其他現(xiàn)有光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方 法。如圖1所示，根據(jù)由于恒定溫度增加引起的光學折射率的改變而允許再 現(xiàn)記錄的或先前形成的凹坑的信息的超分辨率盤具有非?？斓脑佻F(xiàn)功率臨界
值。當通過拾取器使用具有405nm波長和0.85 NA的光束記錄75nm長度標 記(對應于2T標記)和112.5 nm長度標記(對應于3T標記)從而使得拾取 器的分辨率為119nm (=405nm/ (4x0.85))時，載噪比(CNR)在約1.8mW 的再現(xiàn)功率急劇增大?？梢钥闯觯捎诔直媛使獗P的基本原理，快的再現(xiàn) 功率臨界現(xiàn)象對超分辨率光盤的再現(xiàn)操作有較大的影響。
發(fā)明公開 技術問題
因此，確定超分辨率盤的最佳再現(xiàn)功率^[艮重要。
技術方案
為了解決上述和/或其他問題，本發(fā)明的一方面提供了一種確定超分辨率 光學記錄介質(zhì)的最佳再現(xiàn)條件的方法和設備，所述方法和設備允許記錄和再 現(xiàn)小于激光束的分辨率的標記，從而可使用大量的信息。
有益效果
根據(jù)本發(fā)明的各方面，因為超分辨率記錄介質(zhì)的再現(xiàn)功率被最佳地確定， 所以從超分辨率記錄介質(zhì)再現(xiàn)的信號的質(zhì)量被改善，從而實現(xiàn)了高容量記錄 和/或再現(xiàn)。


通過下面結(jié)合附圖對實施例進行的描述，本發(fā)明的這些和/或其他方面和
優(yōu)點將會變得清楚和更易于理解，其中
圖1是示出根據(jù)傳統(tǒng)技術的超分辨率光學記錄介質(zhì)的再現(xiàn)功率特性的曲
線圖2是示出當通過使用2T標記和3T標記的每一個的最佳再現(xiàn)功率再現(xiàn) 超分辨率光學記錄介質(zhì)時標記長度和CNR之間的關系的曲線圖3是示出當通過使用2T標記和3T標記的每一個的最佳再現(xiàn)功率再現(xiàn) 超分辨率光學記錄介質(zhì)時標記長度和調(diào)制之間的關系的曲線圖4是示出在超分辨率光學記錄介質(zhì)中根據(jù)關于2T標記和3T標記的再 現(xiàn)功率的幅值和B ER之間的關系的曲線圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的超分辨率光學記錄介質(zhì)的記錄和/或再現(xiàn)設備 的示圖；和
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的確定超分辨率光學記錄介質(zhì)的最佳再現(xiàn) 條件的方法的處理的流程圖。
最佳模式
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種確定記錄在光學記錄介質(zhì)上的標記的最 佳再現(xiàn)條件的方法，其中，至少一個所述標記的長度短于記錄/再現(xiàn)設備的拾 取器的分辨率，所述方法包括獲得具有接近于拾取器的分辨率的長度的標 記的最佳再現(xiàn)條件；和使用獲得的所述標記的最佳再現(xiàn)條件確定標記的最佳 再現(xiàn)條件。
獲得所述標記的最佳再現(xiàn)條件的步驟包括將具有最接近于所述分辨率 的長度的標記記錄在光學記錄介質(zhì)上；在改變光學記錄介質(zhì)的再現(xiàn)功率的同 時，通過發(fā)射再現(xiàn)光束并接收從光學記錄介質(zhì)反射的光束來檢測再現(xiàn)射頻 (RF)信號的電平的變化；和將檢測的再現(xiàn)RF信號的電平被最大化時的再 現(xiàn)光束的功率設置為最佳再現(xiàn)功率。
根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種確定記錄在光學記錄介質(zhì)上的標記 的最佳再現(xiàn)條件的設備，至少一個所述標記的長度小于所述設備的分辨率， 所述設備包括拾取器單元，發(fā)射記錄光束以將具有接近于所述設備的分辨率的長度的標記記錄在光學記錄介質(zhì)上，發(fā)射再現(xiàn)光束以再現(xiàn)記錄的標記， 并接收從光學記錄介質(zhì)反射的光束；和控制單元，獲得記錄的標記的最佳再 現(xiàn)條件，并使用獲得的記錄的標記的最佳再現(xiàn)條件確定光學記錄介質(zhì)的標記 的最佳再現(xiàn)條件。
根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種用于光學記錄介質(zhì)的記錄和/或再現(xiàn) 設備，在所述光學記錄介質(zhì)中，記錄在該介質(zhì)上的至少一個標記的長度小于
所述設備的分辨率，所述設備包括拾取器單元，發(fā)射記錄光束以將具有接
近于所述設備的分辨率的長度的標記記錄在光學記錄介質(zhì)上，發(fā)射再現(xiàn)光束
以再現(xiàn)記錄的標記，并接收從光學記錄介質(zhì)反射的光束；檢測單元，根據(jù)接 收的光束檢測通過拾取器單元產(chǎn)生的信號的電平；控制單元，當通過檢測單 元檢測的信號的大小被最大化時，將記錄的標記的再現(xiàn)功率確定為光學記錄 介質(zhì)的標記的最佳再現(xiàn)功率；和功率控制單元，控制拾取器單元發(fā)射具有通 過控制單元確定的最佳再現(xiàn)功率的再現(xiàn)光束以再現(xiàn)第 一標記。
控制單元還控制功率控制單元在改變功率的同時控制拾l(fā)^器單元，以搜 索通過檢測單元檢測的信號的大小被最大化的時間點。
具體實施例方式
現(xiàn)在將對本發(fā)明的實施例進行詳細的描述，本發(fā)明的示例示出在附圖中， 其中，相同的標號始終表示相同的部件。下面通過參照附圖對實施例進行描 述以解釋本發(fā)明。
首先，下面描述用于發(fā)現(xiàn)超分辨率記錄介質(zhì)的最佳再現(xiàn)功率的幾個測試 的結(jié)果。在這些測試中，使用具有405nm波長、0.85 NA和119nm ( =405nm/ (4x0.85 ))分辨率的拾取器。寫入條件為2.5m/sec線性速度和10.8mW寫入 功率Pw。使用75nm和112.5nm的標記長度。
通過405nm和0.85 NA的拾取器在光盤上形成的最小標記的長度為約 150nm。在根據(jù)本發(fā)明各方面的測試中，將超分辨率光盤的最小標記的長度 設置為75nm。該長度是一般標記長度的一半，其允許超分辨率光盤具有普通 光盤兩倍的記錄容量。當使用(1,7)編碼時，假設75nm長度的標記相當于 2T標記，112.5nm長度的標記對應于3T標記，該標記是最4妾近于拾取器的 分辨率(如上所述，119nm)的標記。
這里，應該注意，當測量比特誤碼率(BER)時，作為電平檢測方法的局部響應最大相似(PRML)用于該測量。當然，應該理解，也可^f吏用其^也 電平纟全測方法。
圖2是示出當通過使用關于2T和3T標記中的每一個的最佳再現(xiàn)功率從 超分辨率光學記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)時一企測的標記長度和載噪比(CNR)之間的 關系的曲線圖。如圖2所示，符號"■"的曲線(210)表示使用使2T標記 的再現(xiàn)最佳化的2T最佳功率的CNR。符號" "的曲線(220)表示使用使 3T標記的再現(xiàn)最佳化的3T最佳功率的CNR。當使用2T最佳功率(即， Pr=2.2mW)再現(xiàn)標記時，可以看出，當再現(xiàn)標記時，具有接近于拾取器的分 辨率的長度的3T標記的CNR230明顯低于其他T標記。此外，當使用3T最 佳功率(即，Pr=2.9mW)再現(xiàn)標記時，可以看出，3T的CNR 240被顯著改 善。
從圖2可以看出，當確定超分辨率光學記錄介質(zhì)的最佳再現(xiàn)功率時，考 慮到超分辨率光學記錄介質(zhì)的CNR,應該使用能夠使具有接近于拾取器的分 辨率的長度的標記(例如，3T標記)的再現(xiàn)最佳化的再現(xiàn)功率來再現(xiàn)標記， 而不是使用能夠使最短的標記(例如，2T標記)的再現(xiàn)最佳化的再現(xiàn)功率來 再現(xiàn)標記。
圖3是示出當通過使用2T標記和3T標記的每一個的最佳再現(xiàn)功率再現(xiàn) 超分辨率光學記錄介質(zhì)時標記長度和調(diào)制之間的關系的曲線圖。調(diào)制是最短 的T標記和最長的T標記的比率。
參照圖3，符號"■，，的曲線(310)表示當使用使2T標記的再現(xiàn)最佳 化的2T最佳功率再現(xiàn)標記時根據(jù)標記長度的調(diào)制。符號" "的曲線(320) 表示當使用使3T標記的再現(xiàn)最佳化的3T最佳功率再現(xiàn)標記時根據(jù)標記長度 的調(diào)制。
如圖3所示，當使用2T最佳功率(即，Pr=2.2mW)再現(xiàn)標記時，可以 看出，2T標記的調(diào)制330具有比3T標記的調(diào)制340大的值，這會消極地影 響測量的比特誤碼率(BER)。這是因為如下的事實，即，當PRML用于測量 BER時，如果2T標記的調(diào)制大于3T標記的調(diào)制，則2T標記和3T標記會;f皮 此混淆。然而，當使用3T最佳功率(即，Pr=2.9mW)再現(xiàn)標記時，當標記 大小增大時，調(diào)制基本上線性地增大，這會正面地影響測量的BER。
因此，從圖3可以看出，當確定超分辨率光學記錄介質(zhì)的最佳再現(xiàn)功率 時，考慮到調(diào)制，應該使用能夠使具有接近于拾取器的分辨率的長度的標記(例如，3T標記)的再現(xiàn)最佳化的再現(xiàn)功率來再現(xiàn)標記，而不是使用能夠使
最短的標記(例如，2T標記)的再現(xiàn)最佳化的再現(xiàn)功率來再現(xiàn)標記。
圖4是示出在超分辨率光學記錄介質(zhì)中根據(jù)關于2T標記和3T標記的再 現(xiàn)功率的幅值和B ER之間的關系的曲線圖。參照圖4,符號"■"的曲線(410 ) 表示根據(jù)關于2T標記的再現(xiàn)功率的射頻(RF)電平幅值。符號的曲 線(420)表示根據(jù)關于3T標記的再現(xiàn)功率的RF電平幅值。符號"▼"的 曲線(430)表示^4居再現(xiàn)功率測量的BER。
'當發(fā)射到超分辨率記錄介質(zhì)的再現(xiàn)光束的讀出功率增大時，2TRF信號 電平的幅值410和3T RF信號電平的幅值420中的每一個以不同的比率增大， 從而高于預定再現(xiàn)功率的2T RF信號電平和3T RF信號電平的幅值在不同的 功率電平處被最大化。當再現(xiàn)功率從這些最大功率電平進一步增大時，2TRF 信號電平的幅值410和3T RF信號電平的幅值420中的每一個以不同的比率 減小。換句話說，2T RF信號電平和3T RF信號電平的幅值被分別被最大化 處的再現(xiàn)功率彼此不同。也就是說，2T RF信號電平的幅值被最大化處的再 現(xiàn)功率(讀出功率)在約2.25mW附近，而3T RF信號電平的幅值被最大化 處的再現(xiàn)功率(讀出功率)在約3.00mW附近。同時，可以看出，當讀出功 率在約3.0mW附近時，BER被最佳地最小化。也就是說，當3TRF信號電 平的幅值被最大化時，BER被最佳地最小化。
因此，從圖4可以看出，當確定超分辨率光學記錄介質(zhì)的最佳再現(xiàn)功率 時，考慮到BER，應該使用能夠使具有接近于拾取器的分辨率的長度的標記 (例如，3T標記)的再現(xiàn)信號的大小最佳化的再現(xiàn)功率來再現(xiàn)標記，而不是 使用能夠使最短的標記(例如，2T標記)的再現(xiàn)信號的大小最佳化的再現(xiàn)功 率來再現(xiàn)標記。
參照圖2至圖4，根據(jù)使最短的標記最佳化的再現(xiàn)功率和使接近于拾取 器的分辨率的標記最佳化的再現(xiàn)功率之間的比較結(jié)果，可以看出，通過使用 使接近于拾取器的分辨率的標記最佳化的再現(xiàn)功率，比通過使用使最短的標 記最佳化的再現(xiàn)功率獲得更好的效果。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于超分辨率光學記錄介質(zhì)的記錄和/或再現(xiàn) 設備的示圖。如圖5所示，記錄和/或再現(xiàn)設備包括拾取器單元510、計算單 元520、 4企測單元530、控制單元540和功率控制單元550。拾取器單元510 通過向超分辨率記錄介質(zhì)100發(fā)射光束將標記記錄在超分辨率記錄介質(zhì)100上，和/或通過接收從超分辨率記錄介質(zhì)100發(fā)射的光束來再現(xiàn)標記。具體地
講，為了確定超分辨率記錄介質(zhì)100的最佳再現(xiàn)功率，拾取器單元510首先 發(fā)射光束來記錄具有接近于拾取器單元510的分辨率的長度的標記，并且通 過使再現(xiàn)光束入射到記錄介質(zhì)100來接收^v標記反射的光束。
拾取器單元510包括激光二極管10，用于發(fā)射光束；準直透鏡20,用 于使從激光二極管10反射的光成為平行光束；分光器30,用于改變?nèi)肷涔?的行進路徑；和物鏡40,用于將通過分光器30的光聚焦到超分辨率記錄介 質(zhì)100。從超分辨率記錄介質(zhì)IOO反射的光通過分光器30被反射并通過光電 檢測器50被接收。四象限光電檢測器可用作光電檢測器50。通過光電檢測 器50接收的光通過計算單元520被轉(zhuǎn)換為電信號，并被輸出為RF信號。檢 測單元530檢測從計算單元520輸出的RF信號的電平的變化，并將其輸出 到控制單元540。
控制單元540使用通過檢測單元530 4企測的RF信號的電平的變化來計 算最佳再現(xiàn)功率。也就是說，控制單元540監(jiān)控RF信號的電平的變化，并 且控制單元540隨后使用使RF信號電平最大化的時間點的再現(xiàn)光束的功率 來確定最佳再現(xiàn)功率。控制單元540將關于確定的最佳再現(xiàn)條件的信息提供 給功率控制單元550。
具體地講，根據(jù)本實施例，控制單元540控制記錄和/或再現(xiàn)設備的其他 部件記錄具有接近于拾取器單元510的分辨率的長度的標記，以獲得超分辨 率記錄介質(zhì)100的最佳再現(xiàn)功率。功率控制單元550在增大或減小再現(xiàn)功率 電平的同時調(diào)節(jié)再現(xiàn)功率，以搜索使從記錄的標記接收的RF信號的電平最 大化的點。此外，控制單元540確定從具有接近于拾取器單元510的分辨率 的長度的標記接收RF信號的電平的點處的再現(xiàn)功率作為超分辨率記錄介質(zhì) 100的最佳再現(xiàn)功率，并且使用最佳再現(xiàn)功率來控制功率控制單元550調(diào)節(jié) 激光二極管IO的功率，所述標記記錄在超分辨率記錄介質(zhì)100上。此外，控 制單元540控制拾取器單元510將關于確定的再現(xiàn)功率的信息記錄在記錄介 質(zhì)100的預定區(qū)域中。所述預定區(qū)域可以是記錄介質(zhì)的導入?yún)^(qū)或?qū)С鰠^(qū)。所 述記錄和/或再現(xiàn)設備或其他記錄和/或再現(xiàn)設備可使用關于確定的再現(xiàn)功率 的信息來獲得最佳再現(xiàn)條件。
功率控制單元550使用通過控制單元540確定的最佳再現(xiàn)功率來控制從 激光二極管IO發(fā)射的光束的功率。功率控制單元550控制激光二極管10在順序增大光的功率的同時發(fā)光，從而可通過控制單元540來確定最佳再現(xiàn)功率。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的確定超分辨率光學記錄介質(zhì)的最佳再現(xiàn) 條件的方法的處理的流程圖。如圖6所示，將記錄光束發(fā)射到超分辨率記錄 介質(zhì)(610)并且以單調(diào)方式記錄最接近于記錄光束的源的分辨率的標記 (620)。因為最佳再現(xiàn)功率與發(fā)射記錄光束的記錄功率無關，所以不需要將 記錄功率設置到最佳記錄功率?？蓪⒂涗浌β试O置為用于ROM凹坑標記、 預記錄標記或擺動的記錄功率。如上述測試結(jié)果所示，對于超分辨率記錄介 質(zhì)，因為考慮到CNR、調(diào)制或BER，再現(xiàn)具有接近于記錄光束的源的分辨率 的長度的標記，而非最短的標記的最佳功率可能是有效的，所以應該將標記 記錄為具有接近于記錄光束的源的分辨率的長度，以有助于確定最佳再現(xiàn)功 率。
接下來，向超分辨率記錄介質(zhì)發(fā)射再現(xiàn)光束(630)。在順序并輕微地從 低功率增大再現(xiàn)光束的功率的同時，使用再現(xiàn)功率^r測再現(xiàn)RF信號的電平 的變化(640)。
作為檢測再現(xiàn)RF信號電平的變化的結(jié)果，檢查再現(xiàn)RF信號的電平是否 被最大化(650)。如果再現(xiàn)RF信號沒有被最大化，則增大再現(xiàn)光束的功率 (670)并再次發(fā)射再現(xiàn)光束(630)。檢測再現(xiàn)RF信號的電平的變化(640) 并重復確定再現(xiàn)RF信號是否被最大化的操作(650)。當再現(xiàn)光束的功率不 再增大時，即使當再現(xiàn)RF信號被最大化時，再現(xiàn)光束此時的功率也被確定 為最佳再現(xiàn)功率(660)。優(yōu)選地，關于確定的最佳再現(xiàn)功率的信息被記錄在 記錄介質(zhì)的預定區(qū)域中。所述預定區(qū)域可以是記錄介質(zhì)的導入?yún)^(qū)或?qū)С鰠^(qū)。
根據(jù)本發(fā)明各方面的確定最佳再現(xiàn)條件的方法可被實施為計算機可讀記 錄介質(zhì)上的計算機可讀代碼。計算機可讀記錄介質(zhì)是任何存儲其后可由計算 機系統(tǒng)讀取的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲裝置。所述計算機可讀記錄介質(zhì)的例子包括只 讀存儲器(ROM)、隨機存取存儲器(RAM)、 CD-ROM、磁帶、軟盤、光學 數(shù)據(jù)存儲裝置以及包含在載波(諸如通過互聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)傳輸)中的計算機數(shù) 據(jù)信號，所述載波包括壓縮源代碼段和加密源代碼段。所述計算機可讀記錄 介質(zhì)也可分布于網(wǎng)絡連接的計算機系統(tǒng)上，以便所述計算機可讀代碼以分布 方式被存儲并被執(zhí)行。此外，用于實現(xiàn)本發(fā)明各方面的功能程序、代碼和代 碼段可由本發(fā)明所屬技術領域的編程人員容易地解釋。
ii雖然已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明的一些實施例，但是本領域技術人員應該 理解，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對這些實施例進行修改， 本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1、一種確定記錄在光學記錄介質(zhì)上的標記的最佳再現(xiàn)條件的方法，其中，至少一個所述標記的長度短于記錄/再現(xiàn)設備的拾取器的分辨率，所述方法包括獲得具有接近于拾取器的分辨率的長度的標記的最佳再現(xiàn)條件；和使用獲得的所述標記的最佳再現(xiàn)條件確定標記的最佳再現(xiàn)條件。
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，獲得所述標記的最佳再現(xiàn)條件的步 驟包括將具有接近于拾取器的分辨率的長度的標記記錄在光學記錄介質(zhì)上； 在改變光學記錄介質(zhì)的再現(xiàn)功率的同時，通過發(fā)射再現(xiàn)光束并接收從光學記錄介質(zhì)上標記所處的位置反射的光束來檢測再現(xiàn)射頻(RF)信號的電平的變^;;和將檢測的再現(xiàn)RF信號的電平被最大化時的再現(xiàn)光束的功率設置為最佳 再現(xiàn)功率。
3、 一種其上存儲有用于執(zhí)行如權(quán)利要求1所述的方法的程序的計算機可 讀介質(zhì)。
4、 一種確定記錄在光學記錄介質(zhì)上的標記的最佳再現(xiàn)條件的設備，至少 一個所述標記的長度小于所述設備的分辨率，所述設備包括標記記錄在光學記錄介質(zhì)上，發(fā)射再現(xiàn)光束以再現(xiàn)記錄的標記，并接收從光 學記錄介質(zhì)反射的光束；和控制單元，獲得記錄的標記的最佳再現(xiàn)條件，并使用獲得的記錄的標記 的最佳再現(xiàn)條件確定光學記錄介質(zhì)的標記的最佳再現(xiàn)條件。
5、 如權(quán)利要求4所述的設備，其中，控制單元控制拾取器單元記錄所述 記錄的標記，在改變光學記錄介質(zhì)光束的再現(xiàn)功率的同時將再現(xiàn)光束發(fā)射到 光學記錄介質(zhì)，并接收從光學記錄介質(zhì)反射的光束，以從反射的光束檢測再 現(xiàn)射頻(RF)信號的電平的變化，并將檢測的再現(xiàn)RF信號的電平被最大化 時的再現(xiàn)光束的功率設置為最佳再現(xiàn)功率。
6、 如權(quán)利要求4所述的設備，其中，記錄的標記以單調(diào)方式來記錄。
7、 如權(quán)利要求4所述的設備，其中，至少一個所述標記的長度為75nm，記錄的標記的長度為112.5nm。
8、 一種用于光學記錄介質(zhì)的記錄和/或再現(xiàn)設備，在所述光學記錄介質(zhì) 中，記錄在該介質(zhì)上的至少一個標記的長度小于所述設備的分辨率，所述設 備包括拾取器單元，發(fā)射記錄光束以將具有接近于所述設備的分辨率的長度的 標記記錄在光學記錄介質(zhì)上，發(fā)射再現(xiàn)光束以再現(xiàn)記錄的標記，并接收從光 學記錄介質(zhì)反射的光束；檢測單元，根據(jù)接收的光束檢測通過拾取器單元產(chǎn)生的信號的電平；控制單元，當通過檢測單元檢測的信號的大小被最大化時，將記錄的標 記的再現(xiàn)功率確定為光學記錄介質(zhì)的標記的最佳再現(xiàn)功率；和功率控制單元，控制拾取器單元發(fā)射具有通過控制單元確定的最佳再現(xiàn) 功率的再現(xiàn)光束以再現(xiàn)第一標記。
9、 如權(quán)利要求8所述的記錄和/或再現(xiàn)設備，其中，控制單元控制功率 控制單元在改變功率的同時控制拾取器單元，以搜索通過檢測單元檢測的信 號的大小被最大化時的時間點。
10、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中，記錄的標記以單調(diào)方式來記錄。
11、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中，至少一個所述標記的長度為75nm， 第二標記的長度為112.5nm。
12、 一種操作再現(xiàn)設備以確定再現(xiàn)記錄在記錄介質(zhì)上的標記的最佳再現(xiàn) 條件的方法，至少一個所述標記小于所述再現(xiàn)設備的分辨率，所述方法包括將具有接近于再現(xiàn)設備的分辨率的大小的標記記錄在記錄介質(zhì)上；確定再現(xiàn)記錄的標記的最佳再現(xiàn)功率；和以用于再現(xiàn)記錄的標記的最佳再現(xiàn)功率再現(xiàn)第一標記。
13、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，確定再現(xiàn)記錄的標記的最佳再現(xiàn) 功率的步驟包括向記錄的標記發(fā)射再現(xiàn)光束并改變光束的再現(xiàn)功率； 接收從光學記錄介質(zhì)上記錄的標記所處的位置反射的光束；和 檢測與接收的光束相應的再現(xiàn)射頻(RF)信號的電平的變化，以確定 RF信號的最大值。
14、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，記錄的標記以單調(diào)方式來記錄。
15、 如;K利要求12所述的方法，其中，至少一個所述標記的長度為75nm,n標記的長度為112.5nm。
16、 一種其上存儲有執(zhí)行如權(quán)利要求12所述的方法的程序的計算機可讀 介質(zhì)。
17、 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括將關于確定的最佳再現(xiàn)條件的信息記錄在光學記錄介質(zhì)的預定區(qū)域中。
18、 如權(quán)利要求4所述的設備，其中，控制單元控制拾取器單元將關于 確定的最佳再現(xiàn)條件的信息記錄在光學記錄介質(zhì)的預定區(qū)域中。
全文摘要
一種確定記錄在光學記錄介質(zhì)上的標記的最佳再現(xiàn)條件的方法，其中，至少一個所述標記的長度小于拾取器的分辨率。所述方法包括獲得具有接近于拾取器的分辨率的長度的標記的最佳再現(xiàn)條件；和使用獲得的最佳再現(xiàn)條件確定標記的最佳再現(xiàn)條件。
文檔編號G11B7/125GK101300628SQ200680040836
公開日2008年11月5日 申請日期2006年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月20日
發(fā)明者小林龍弘, 樸賢洙, 福澤成敏, 菊川隆, 裴在喆, 金朱鎬, 黃仁吾 申請人:三星電子株式會社;Tdk株式會社