專利名稱：光記錄介質及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光記錄介質及其制造方法。特別涉及一種光記錄介質，更具體而言，涉及一種利用熱模式(heat mode)的一次寫入多次讀出型(追記型)光信息記錄介質。另外，本發(fā)明還涉及在記錄層與保護層之間具有中間層的一次寫入多次讀出型光記錄介質及其制造方法。

背景技術：
過去，已知有可以利用激光只進行一次信息記錄的光記錄介質(光盤)。該光盤也被稱為一次寫入多次讀出型CD(所謂CD-R)，其代表性結構為在透明的圓盤狀基板上依次層疊含有有機色素的記錄層、含有金等金屬的反射層、進而樹脂制的保護層(覆蓋層)。那么，向該CD-R的信息的記錄是通過向CD-R照射近紅外域的激光(通常為780nm附近的波長的激光)進行的，記錄層的照射部分吸收該光，發(fā)生局部地溫度上升，在物理或化學變化(例如凹坑的產生)的作用下，該部分的光學特性發(fā)生變化，由此記錄信息。另一方面，信息的讀取(再生)也是通過另外向CD-R照射與記錄用的激光相同波長的激光進行的，通過檢測記錄層的光學特性發(fā)生變化的部位(記錄部分)與沒有發(fā)生變化的部位(未記錄部分)之間的反射率的不同來進行的。
近年來，日益需求記錄密度更高的光記錄介質。針對這樣的需要，提出了被稱為一次寫入多次讀出型數(shù)字通用光盤(Digital·Versatile·Disk)(所謂DVD-R)的光盤(例如“日經(jīng)新媒體(new media)”增刊“DVD”，1995年發(fā)行)。該DVD-R具有以記錄層為內側貼合2張在以CD-R的一半以下(0.74～0.8μm)的狹窄溝寬形成有用于將要照射的激光的追蹤(tracking)的引導溝(預槽(pregroove))的透明的圓盤狀基板上通常依次層疊含有有機色素的記錄層、反射層及保護層的盤的結構；或者以記錄層為內側貼合與該盤為相同形狀的圓盤狀保護基板的結構。那么，向該DVD-R的信息的記錄及再生是通過照射可風光激光(通常為630nm～680nm范圍波長的激光)進行的，可以進行高于CD-R的高密度的記錄。
最近，互聯(lián)網(wǎng)等網(wǎng)絡或高清晰TV正在被急速地普及。另外，還開始了HDTV(High Definition Television高清晰電視)的放映，日益需求可以用于低價簡便地記錄圖像信息的大容量記錄介質。DVD-R盡管目前充分發(fā)揮著作為大容量的記錄介質的作用，但大容量化、高密度化的要求越來越高，必需開發(fā)出可以對應這些要求的記錄介質。因此，正在推進可以用比DVD-R中使用的光的波長更短波長的光進行高密度的記錄的、更大容量的記錄介質的開發(fā)。
在具有含有機色素的記錄層的光記錄介質中，已知有通過從記錄層側向反射層側照射波長530nm以下的激光，來進行信息的記錄及再生的記錄再生方法(例如參照特開平4-74690號公報、特開平7-304256號公報、特開平7-304257號公報、特開平8-127174號公報、特開平11-53758號公報、特開平11-334204號公報、特開平11-334205號公報、特開平11-334206號公報、特開平11-334207號公報、特開2000-43423號公報、特開2000-108513號公報、特開2000-113504號公報、特開2000-149320號公報、特開2000-158818號公報、特開2000-228028號公報。)。在這些方法中，通過向具備含有卟啉、偶氮系色素、金屬偶氮系色素、奎酞酮系色素、三次甲基菁色素、雙氰乙烯基苯基骨架色素、香豆素化合物、萘花青(ナフタロシァニン)化合物等的記錄層的光盤照射藍色(波長430nm、488nm)或藍綠色(波長515nm)的激光來進行信息的記錄及再生。
另一方面，作為DVD已知有相變化型光盤，但這是采用GeSbTe等合金層，用激光向記錄層瞬間地加熱，使其從結晶狀態(tài)向非晶形狀態(tài)相變化，利用由于相變化而改變的反射率，進行記錄再生的方式。最近，發(fā)表了使用該相變化型DVD，利用藍紫激光進行記錄再生的DVR系統(tǒng)(“ISOM2000”210～211頁)。利用該系統(tǒng)，針對高密度化的課題，可以實現(xiàn)一定的成果。
在以上的光記錄介質中，記錄層由有機物構成的情況下，如果利用粘接劑粘接覆蓋層，則會出現(xiàn)構成記錄層的有機物溶解于粘接劑的問題。該問題可以通過在記錄層與覆蓋層之間設置中間層來解決，但中間層的層厚如果過厚或厚度不均，則會出現(xiàn)由于該中間層而引起反射率的減少，或者記錄再生特性降低的問題。
由于數(shù)字高清晰(digital high vision)電視節(jié)目播放的開始，可以預見到圖像數(shù)據(jù)量會進一步增加，隨之，記錄介質也需要具有高容量、高數(shù)據(jù)傳輸速率(例如參照特開平11-120617號公報。)。在家庭對數(shù)字高清晰電視節(jié)目進行錄像時，一般認為甚至連DVD±R也會容量不足，下一代DVD的開發(fā)正在積極進行。作為一例，被稱為可以2小時錄像·再生BS數(shù)字高清晰電視節(jié)目的藍光(ブル一レィ)盤錄像機已經(jīng)開始出售。
該藍光(ブル一レィ)盤錄像機用的記錄介質也同時開始出售，它是具有相變化型的記錄層的媒體。制造相變化型的媒體時必需大型的真空成膜裝置，或者其層結構復雜?？紤]到這一點，即使是包括所述藍光盤的下一代DVD系統(tǒng)，也為了制造更低廉的記錄介質而正在推進使用有機色素的一次寫入多次讀出型藍光盤媒體的開發(fā)。在采用利用旋涂法成膜有機色素的手法的情況下，有能夠繼續(xù)使用在制造CD-R、DVD-R時使用的制造設備的優(yōu)點。
另外，相反，一次寫入多次讀出型的藍光盤媒體還需要具有與以往的CD-R或DVD-R相同的高保存性。
不過，一次寫入多次讀出型的藍光盤媒體的結構例如為在基板上依次層疊反射層、記錄層、保護層(覆蓋層)。所述保護層例如經(jīng)由粘合劑貼合。為了防止該粘合劑影響記錄層，通常在粘合劑與記錄層之間設置中間層(例如參照特開2002-373451號公報。)。利用該中間層，遮斷粘合劑對中間層的影響。但是，該中間層對水的溶解性大，濕熱保存性存在問題，因此有時會影響記錄特性。
通常，這樣的中間層的材料使用金屬氧化物，在其成膜中使用濺射法。濺射法是典型的一邊向真空中導入氬氣、一邊向基板與成為中間層的材料的金屬氧化物的目標物之間施加直流高電壓，使離子化的氬氣與目標物碰撞，使彈飛的目標物物質(金屬和氧)在基板成膜的方法。
不過，彈飛的目標物物質中，一部分氧被與氬氣一起排氣，因而在成膜的金屬氧化物膜中有時會出現(xiàn)氧不足，可見斑痕狀的氧缺損。由于該氧缺損，有時會給金屬氧化物膜的中間層的光學性能帶來不良影響，存在信號波形惡化，振幅變小等問題。
另外，由于濺射條件不同，有時會在金屬氧化物中產生氧缺損，理想的金屬氧化物是指混有氧化狀態(tài)不同的金屬氧化物，也存在該金屬氧化物給中間層的外觀或記錄特性等帶來不良影響的問題。


發(fā)明內容
本發(fā)明正是鑒于以上以往的問題點而提出的，提供一種光記錄介質及其制造方法。
本發(fā)明的目的在于提供一種以高水平維持記錄再生特性的光記錄介質。
本發(fā)明的第1觀點是一種光記錄介質，其是在基板上依次具有記錄層、中間層、粘接層及保護層(cover sheet)的光記錄介質，其中， 在將高溫高濕保存試驗前的中間層的厚度設為t時，所述高溫高濕保存試驗后的所述中間層的厚度t1為“0.8t≤t1≤1.2t”，所述高溫高濕保存試驗是在恒溫槽中，在60℃90％RH的狀態(tài)下，保存具備中間層的本發(fā)明的光記錄介質168小時，在其保存前和保存后調查中間層的膜厚變化的比例的試驗。
本發(fā)明的第2觀點是一種光記錄介質的制造方法，其是具有在基板上至少形成含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋(cover)層的工序的光記錄介質的制造方法，其中， 利用將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體的濺射法形成所述中間層。
本發(fā)明的第3觀點是一種光記錄介質，其是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中， 所述中間層是利用將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體的濺射法形成而成的。
本發(fā)明的第4觀點是一種光記錄介質，其是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中， 所述中間層滿足下面的條件式(1)。
40％≤A/(A+B)≤100％…條件式(1) (條件式(1)中，A表示氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分的比例，B表示氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分的比例。) 本發(fā)明的第5觀點是一種光記錄介質，其是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中， 所述中間層含有在60℃純水中保存2天的保存前和保存后，將SEM-EDX元素分析中的保存前的峰強度設為A、將保存后的峰強度設為B時，滿足下面的條件式(1)的原材料。
0.8≤B/A≤1…條件式(1)


圖1是表示本發(fā)明的光記錄介質的某種實施方式的層結構的一例的示意圖。
圖2是表示本發(fā)明的光記錄介質的某種實施方式的層結構的示意截面圖。
圖3是表示實施例6中的中間層的金屬峰的圖。
圖4是表示實施例7中的中間層的金屬峰的圖。
圖5是表示實施例8中的中間層的金屬峰的圖。
圖6A是表示實施例9中的中間層的表面的金屬峰的圖。
圖6B是表示實施例9中的中間層的濺射開始2分鐘之后的金屬峰的圖。
圖7A是表示實施例10中的中間層的表面的金屬峰的圖。
圖7B是表示實施例10中的中間層的濺射開始2分鐘之后的金屬峰的圖。
圖8A是表示實施例11中的中間層的表面的金屬峰的圖。
圖8B是表示實施例11中的中間層的濺射開始2分鐘之后的金屬峰的圖。
圖9是表示比較例5中的中間層的金屬峰的圖。
圖10是表示比較例6中的中間層的金屬峰的圖。
圖11是表示比較例7中的中間層的金屬峰的圖。

具體實施例方式 以下對本發(fā)明的光記錄介質進行說明。在某種實施方式(方式A)中，光記錄介質是在基板上依次具有記錄層、中間層、粘接層及保護層，從保護層側照射激光進行信息的記錄再生的光記錄介質。
所述方式的光記錄介質中的中間層在高溫高濕保存試驗中顯示出如下所述的特性。即，在將高溫高濕保存試驗前的中間層的厚度設為t時，所述高溫高濕保存試驗后的所述中間層的厚度t1滿足“0.8t≤t1≤1.2t”的關系。
如果不滿足“0.8t≤t1≤1.2t”的關系，則從覆蓋層表面向記錄層的光程發(fā)生變化，不能維持初期的記錄再生特性。另外，“0.8t＞t1”時，沒有作為中間層的功能的粘接層與記錄層的阻擋效果，發(fā)生粘接層與記錄層的混合(mixing)，記錄再生特性顯著惡化。尤其是在記錄層中含有色素的情況下，會顯著地發(fā)生記錄特性的惡化。所述關系的優(yōu)選范圍為0.9t≤t1≤1.1t，更優(yōu)選0.9t≤t1≤1.05t”。
在此，高溫高濕保存試驗是指在恒溫槽中，在60℃90％RH的狀態(tài)下，保存具備中間層的本發(fā)明的光記錄介質168小時，在其保存前和保存后調查中間層的膜厚變化的比例的試驗。膜厚變化的比例優(yōu)選如下所述地求得。首先，將光記錄介質切斷成一半(或者準備兩張相同的光記錄介質)，在上述條件下保存一半。用FIB(聚焦(Focused)·離子(ion)·束(beam))法切斷保存前后的光記錄介質，利用其切斷面的SEM照片測量中間層的平均厚度，從保存前的厚度t及保存后的厚度t1求得膜厚變化的比例即可。其中，作為FIB的優(yōu)選條件，裝置使用精工儀器(Seiko Instruments Inc.)(セィコ一ィンスッルメンッ)公司制的“Focused Ion Beam SM12050”，束條件使用Ga，加速電壓為30kV。
光記錄介質的測定位置在保存前后為同一處，對于t1及t，優(yōu)選分別至少測定3處，將它們的平均值作為各自的厚度。另外，使膜厚變化的比例成為上述范圍的例示機構如后述。
中間層的耐酸性試驗后的變化率優(yōu)選為20％以內，更優(yōu)選為0～10％。通過在20％以內，中間層多為丙烯酸性系的粘接層或記錄層(色素)為酸性的情況下，可以抑制它們的侵蝕。
該中間層的耐酸性試驗優(yōu)選如下所述地進行。即，用與制作光記錄介質時的條件相同的條件，在玻璃板上制膜中間層(厚度也可以不同)，切斷成一半，將該一半浸漬于0.1當量的醋酸水溶液，在60℃的環(huán)境下浸漬1天。將浸漬前后的SEM-EDAX的所述中間層中含有的元素的峰(例如如果中間層為NbOx，則為“Nb”)變化作為變化率求得。其中，作為SEM-EDAX的條件，優(yōu)選裝置使用日立公司制的“S-800”，優(yōu)選用各元素的最適合檢測的加速電壓條件檢測元素。
本實施方式的光記錄介質的層結構如圖1所例示。該光記錄介質100在基板10上依次具有任意的反射層12、記錄層14、中間層16、粘接層18和保護層20。
某另一種實施方式(方式B)的光記錄介質的制造方法是一種具有在基板上至少形成含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的工序的光記錄介質的制造方法，其中，利用將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體的濺射法形成所述中間層。
另外，某另一種實施方式(方式C)的光記錄介質是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中，所述中間層是利用將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體的濺射法形成而成的。
作為所述實施方式B及C的中間層的構成成分，優(yōu)選為金屬氧化物，作為金屬氧化物，優(yōu)選Nb的氧化物或Ta的氧化物。作為氧化物，優(yōu)選Ta2O5、Nb2O5、NbO、TaO。
如上所述，在只使用稀有氣體(例如氬氣)作為噴濺氣體的通常的濺射法中，在濺射時，彈飛的金屬氧化物中的氧與氬氣一起排氣，從而形成的膜中的氧數(shù)減少，引起氧缺損。該氧缺損成為斑痕狀，影響中間層的光學特性。因此，在本實施方式中，為了彌補與稀有氣體一起排氣的氧，預先在噴濺氣體中混入氧。就是說，通過將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體，在形成的膜中存在金屬氧化物目標物來源的氧和噴濺氣體來源的氧，可以通過適當調節(jié)噴濺氣體中的氧量，以金屬氧化物目標物中的金屬與氧的比形成膜?；蛘?，可以通過調節(jié)金屬氧化物目標物的金屬與氧的比和噴濺氣體中的氧的比率，形成需要的金屬·氧比的膜。
中間層例如可以利用將Nb的氧化物或Ta的氧化物作為目標物的濺射來成膜。這種情況下，成膜時的壓力優(yōu)選為1×10-2～1×10-5mbar，速度(rate)(濺射速度)優(yōu)選為0.1～10nm/秒。濺射電力優(yōu)選為0.2～4kW，更優(yōu)選為0.4～3kW，進而優(yōu)選為0.5～2.5kW。
在本實施方式中，如上所述，噴濺氣體使用Ar等稀有氣體和氧氣。在該噴濺氣體中，氧氣相對稀有氣體的流量比率(氧氣/稀有氣體)優(yōu)選為1/1～1/100，更優(yōu)選為9/10～1/100，進而優(yōu)選為8/10～1/100。通過使氧氣相對稀有氣體的流量比率在1/1～1/100，可以得到穩(wěn)定的膜。另外，從氣體流量的觀點出發(fā)，無論是稀有氣體及氧氣的哪一種，氣體的流量均優(yōu)選為1～50sccm(1～50ml/分鐘)。另外目標物為金屬氧化物的情況下，氧氣的流量優(yōu)選為0.1～25sccm，更優(yōu)選為0.2～20sccm，進而優(yōu)選為0.5～15sccm。通過使氧氣的流量在0.1～25sccm，可以以充分的成膜速度得到穩(wěn)定的膜。
其中，稀有氣體和氧氣即使預先混合成為混合氣體，也可以在濺射時分別導入。
另外，濺射法中的金屬氧化物目標物中的金屬與氧的比率接近由金屬的價數(shù)決定的穩(wěn)定的化學計算比的情況下，所述稀有氣體與氧氣的比率優(yōu)選為1/2～1/100。例如，如果M＝1價，則可以舉出M2O，如果2價，則可以舉出MO，如果3價，則可以舉出M2O3，如果4價，則可以舉出MO2，如果5價，則可以舉出M2O5。
在為RF濺射的情況下，調節(jié)該調諧(tuning)(匹配(matching))，相對FWD的REF優(yōu)選為10％以下，更優(yōu)選為5％以下，進而優(yōu)選為2.5％以下。
在為DC濺射的情況下，優(yōu)選利用脈沖濺射或斷路器(chopper)等，組合瞬間地除去目標物的帶電的手法。
在本實施方式中，中間層的層厚優(yōu)選為1～80nm。通過使中間層的層厚在該范圍內，可以充分地得到記錄層的有機色素與粘合層之間的分離能力，可以得到良好的記錄再生特性。該層厚更優(yōu)選為1～50nm，進而優(yōu)選為1.5～20nm。
如上所述地制造的本實施方式的光記錄介質可以減低在中間層的斑痕狀的缺損，具有良好的經(jīng)時穩(wěn)定性。
本實施方式的光記錄介質的優(yōu)選層結構為在基板上依次設置(中間層)、(反射層)、(中間層)、記錄層、中間層、(粘接層)、覆蓋層、(涂敷層)的結構。其中，除此以外，在各層之間也可以設置為了提高粘接性·記錄特性·保存性等而設置的其他層。另外，在所述結構中，括號內記載的層表示可以根據(jù)需要形成的層。
圖2模式地表示本實施方式的光記錄介質的層結構的一例。圖2所示的光記錄介質10在基板12上依次層疊記錄層14、中間層16、粘接層18和保護層20而成。
進而，另一種實施方式(方式D)的光記錄介質是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中，所述中間層滿足下面的條件式(1)。
40％≤A/(A+B)≤100％…條件式(1) (條件式(1)中，A表示氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分的比例，B表示氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分的比例。) 條件式(1)是與構成中間層的成分元素的氧化狀態(tài)相關的條件式，通過滿足條件式(1)，外觀良好，可以得到出色的記錄特性。其原理例如可以從以下所述推測。即，中間層的材料通?？梢允褂媒饘傺趸?，其成膜可以采用濺射法。濺射法是典型的一邊向真空中導入氬氣、一邊向基板與成為中間層的材料的金屬氧化物的目標物之間施加直流高電壓，使離子化的氬氣與目標物碰撞，使彈飛的目標物物質(金屬和氧)在基板成膜的方法。不過，彈飛的目標物物質中，一部分氧被與氬氣一起排氣，因而在成膜的金屬氧化物膜中有時會出現(xiàn)氧不足，可見斑痕狀的氧缺損?？梢酝茰y出，由于該氧缺損，有時會給金屬氧化物膜的中間層的光學性能帶來不良影響，存在信號波形惡化，振幅變小等問題。因此，在本實施方式中，如上所述地規(guī)定中間層中的氧化狀態(tài)的穩(wěn)定成分和不穩(wěn)定成分的比率。如果氧化狀態(tài)穩(wěn)定的成分比例不到40％，則外觀變得不良，不能得到出色的記錄特性。在此，外觀不良是指在記錄層中出現(xiàn)不均一的斑點花樣的現(xiàn)象。其中，氧化狀態(tài)穩(wěn)定的成分的上限為100％，不能超過該上限。
在條件式(1)中，A/(A+B)優(yōu)選為55以上100以下，進而優(yōu)選為80以上100以下。
所述氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分與所述氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分優(yōu)選為金屬氧化物。具體而言，作為金屬氧化物，優(yōu)選為Nb的氧化物或Ta的氧化物。以下分別進行說明。
[Nb的氧化物] 對于Nb的氧化物，氧化狀態(tài)穩(wěn)定的氧化物可以舉出Nb2O5，氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的氧化物可以舉出NbO、NbO2。那么，為Nb的情況下，優(yōu)選滿足下面的條件式(2)。
40％≤A/(A+B)≤100％…條件式(2) (條件式(2)中，A表示氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分的比例，B表示氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分的比例。) 對于Nb的成分比例，通過滿足條件式(2)，外觀良好，可以得到出色的記錄特性。在為Nb的情況下的條件式(2)中，A/(A+B)優(yōu)選為50以上100以下，進而優(yōu)選為55以上100以下。
其中，Nb氧化物目標物優(yōu)選不是化學計算上穩(wěn)定的Nb2O5，而使用Nb2O4.83的組成的Nb氧化物。這是因為通過使Nb2O4.83和氧較少而產生DC脈沖濺射成為可能的優(yōu)點。不限于Nb，即使在使用Ta或其他金屬氧化物的情況下，與化學計算上最穩(wěn)定的組成相比，使目標物的組成中的氧較少的情況下，允許的A/(A+B)的值存在變小的趨勢。
[Ta的氧化物] 對于Ta的氧化物，氧化狀態(tài)穩(wěn)定的氧化物可以舉出Ta2O5，氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的氧化物可以舉出TaO、TaO2。那么，為Ta的情況下，優(yōu)選滿足下面的條件式(3)。
70％≤A/(A+B)≤100％…條件式(3) (條件式(3)中，A表示氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分的比例，B表示氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分的比例。) 對于Ta的成分比例，通過滿足條件式(3)，外觀良好，可以得到出色的記錄特性。在為Ta的情況下的條件式(3)中，A/(A+B)優(yōu)選為70以上100以下，進而優(yōu)選為99以上100以下。
Ta可以使用化學計算上穩(wěn)定的Ta2O5進行RF濺射。所以，難以發(fā)生氧缺損，A/(A+B)的值的下限值變得大于所述的Nb。不限于Ta，即使在使用Nb或其他金屬氧化物的情況下，在使目標物的組成成為化學計算上穩(wěn)定的組成的情況下，A/(A+B)的值的下限存在變大的趨勢。
在此，對本實施方式中的各成分的測定方法進行說明。
進行從光記錄介質表面到中間層的X射線光電子分光裝置(島津制作所公司制，AXIS ULTRA)中深度方向相對濺射時間的組成分析，算出中間層組成及從表面到阻擋層表面的濺射時間。只用該濺射時間濺射光記錄介質，使該媒體中的中間層表面露出。濺射至距離中間層表面至少1分以上、中間層成分沒有消失的程度，使中間層的中間面露出。對于該中間面的主要金屬，取得主要金屬成分的光電子分光強度概覽圖。對得到的概略圖進行化學位移(chemical shift)的分析，對成分進行定量，將在中間層的主要金屬具有的價電子為最大的情況下的結合能(Binding Energy)值中具有峰中心的峰作為氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分，將在其以外的結合能(Binding Energy)值具有峰中心的峰作為氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分。
接著，顯示在本實施方式中用于滿足所述各條件式的機構的一例。
如上所述，在作為噴濺氣體只使用稀有氣體(例如氬氣)的通常的濺射中，濺射時彈飛的金屬氧化物中的氧與稀有氣體一起排氣，從而形成的膜中的氧數(shù)減少，引起氧缺損。該氧缺損成為斑痕狀，影響中間層的光學特性。因此，為了彌補與稀有氣體一起排氣的氧，預先在噴濺氣體中混入氧。就是說，通過將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體，在形成的膜中存在金屬氧化物目標物來源的氧和噴濺氣體來源的氧，可以防止膜中的氧數(shù)的減少。
中間層例如可以利用將Nb的氧化物或Ta的氧化物作為目標物的濺射來成膜。這種情況下，成膜時的壓力優(yōu)選為1×10-2～1×10-5torr(1.33～1.33×10-3Pa)，速度(rate)(濺射速度)優(yōu)選為0.1～10nm/sec。濺射電力優(yōu)選為0.2～4kW，更優(yōu)選為0.4～3kW，進而優(yōu)選為0.5～2.5kW。
在使用稀有氣體和氧氣的噴濺氣體中，氧氣相對稀有氣體的流量比率優(yōu)選為1/1～0/1，更優(yōu)選為0.9/1～0.01/1，進而優(yōu)選為0.8/1～0.01/1。通過使氧氣相對稀有氣體的流量比率在1/1～0/1，可以得到穩(wěn)定的膜。另外，從氣體流量的觀點出發(fā)，無論是稀有氣體及氧氣的哪一種，氣體的流量均優(yōu)選為1～50sccm(1～50ml/分鐘)。另外目標物為金屬氧化物的情況下，氧氣的流量優(yōu)選為0.1～25sccm，更優(yōu)選為0.2～20sccm，進而優(yōu)選為0.5～15sccm。通過使氧氣的流量在0.1～25sccm，可以以充分的成膜速度得到穩(wěn)定的膜。
其中，稀有氣體和氧氣即使預先混合成為混合氣體，也可以在濺射時分別導入。
在為RF濺射的情況下，調節(jié)該調諧(tuning)(匹配(matching))，相對FWD的REF優(yōu)選為10％以下，更優(yōu)選為5％以下，進而優(yōu)選為2.5％以下。
在為DC濺射的情況下，優(yōu)選利用脈沖濺射或斷路器(chopper)等，組合瞬間地除去目標物的帶電的手法。
在本實施方式中，中間層的層厚優(yōu)選為1～80nm。通過使中間層的層厚在該范圍內，可以充分地得到記錄層的有機色素與粘合層之間的分離能力，可以得到良好的記錄再生特性。該層厚更優(yōu)選為1～50nm，進而優(yōu)選為1.5～20nm。
本實施方式的光記錄介質的優(yōu)選層結構為在基板上依次設置(中間層)、(反射層)、(中間層)、記錄層、中間層、(粘接層)、覆蓋層、(涂敷層)的結構。其中，除此以外，在各層之間也可以設置為了提高粘接性·記錄特性·保存性等而設置的其他層。另外，在所述結構中，括號內記載的層表示可以根據(jù)需要形成的層。
圖2模式地表示本實施方式的光記錄介質的層結構的一例。與前面相同，圖2所示的光記錄介質10在基板12上依次層疊記錄層14、中間層16、粘接層18和保護層20而成。
進而，另一種實施方式(方式E)的光記錄介質是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中，所述中間層含有在60℃純水中保存2天的保存前和保存后，將SEM-EDX元素分析中的保存前的用作中間層的原材料的金屬的峰強度設為A、將保存后的峰強度設為B時，滿足下面的條件式(1)的原材料。
0.8≤B/A≤1…條件式(1) 所述條件式(1)是關于相對中間層的水的溶解性的條件，通過滿足條件式(1)，相對中間層的水的溶解性小，濕熱保存性良好，可以得到良好的記錄特性。如果B/A不到0.8，則溶解性存在問題，不能得到良好的記錄特性。B/A優(yōu)選為0.8以上1.0以下，更優(yōu)選為0.9以上1.0以下。此外，不考慮B/A超過1的情況。其中，所述保存試驗例如用厚5～100nm測定即可。
作為滿足以上條件式(1)的機構，可以舉出選定相對水的溶解性小的原材料作為中間層的原材料。從這樣的觀點出發(fā)，中間層優(yōu)選為金屬氧化物。尤其即使在金屬氧化物中，也可以特別舉出相對水為不溶的氧化鉭(V)(Ta2O5)或氧化鈮(V)(Nb2O5)、SnO等，其中，特別優(yōu)選氧化鉭(V)或氧化鈮(V)。
以下舉出能夠滿足所述條件式(1)的中間層的形成方法的一例。作為金屬氧化物的成膜之一，可以舉出濺射法，但在通常的濺射法中，作為噴濺氣體只使用稀有氣體(利用氬氣)，在濺射時，彈飛的金屬氧化物中的氧與氬氣一起排氣，從而形成的膜中的氧數(shù)減少，引起氧缺損。影響該氧缺損形成的膜中的金屬氧化物的氧化狀態(tài)。例如即使想要成膜不溶于水的Nb2O5時，在氧缺損的作用下，產生可溶于水的NbO，在濕熱保存時變成溶解。
因此，為了彌補與稀有氣體一起排氣的氧，預先在噴濺氣體中混入氧。就是說，通過將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體，在形成的膜中存在金屬氧化物目標物來源的氧和噴濺氣體來源的氧，可以防止某種的氧數(shù)的減少。
其中，氧缺損還存在在中間層表面成為斑痕狀，影響中間層的光學特性的問題。
在利用將Nb的氧化物或Ta的氧化物作為目標物的濺射來成膜中間層的情況下，成膜時的壓力優(yōu)選為1×10-2～1×10-5torr(1.33～1.33×10-3Pa)，速度(rate)(濺射速度)優(yōu)選為0.1～10nm/秒。濺射電力優(yōu)選為0.2～4kW，更優(yōu)選為0.4～3kW，進而優(yōu)選為0.5～2.5kW。
在使用稀有氣體和氧氣的噴濺氣體中，氧氣相對稀有氣體的流量比率優(yōu)選為1/1～1/100，更優(yōu)選為9/10～1/100，進而優(yōu)選為8/10～1/100。通過使氧氣相對稀有氣體的流量比率在1/1～1/100，可以以充分的成膜速度得到穩(wěn)定的膜。另外，從氣體流量的觀點出發(fā)，無論是稀有氣體及氧氣的哪一種，氣體的流量均優(yōu)選為1～50sccm(1～50ml/分鐘)。另外目標物為金屬氧化物的情況下，氧氣的流量優(yōu)選為0.1～25sccm，更優(yōu)選為0.2～20sccm，進而優(yōu)選為0.5～15sccm。通過使氧氣的流量在0.1～25sccm，可以以充分的成膜速度得到穩(wěn)定的膜。
其中，稀有氣體和氧氣即使預先混合成為混合氣體，也可以在濺射時分別導入。
在為RF濺射的情況下，調節(jié)該調諧(tuning)(匹配(matching))，相對FWD的REF優(yōu)選為10％以下，更優(yōu)選為5％以下，進而優(yōu)選為2.5％以下。
在為DC濺射的情況下，優(yōu)選利用脈沖濺射或斷路器(chopper)等，組合瞬間地除去目標物的帶電的手法。
在本實施方式中，中間層的層厚優(yōu)選為1～80nm。通過使中間層的層厚在該范圍內，可以充分地得到記錄層的有機色素與粘合層之間的分離能力，可以得到良好的記錄再生特性。該層厚更優(yōu)選為1～50nm，進而優(yōu)選為1.5～20nm。
如上所述地進行，光記錄介質使中間層相對水的溶解性較小，濕熱保存性良好，可以得到良好的記錄特性。
本實施方式的光記錄介質的優(yōu)選層結構為在基板上依次設置(中間層)、(反射層)、(中間層)、記錄層、中間層、(粘接層)、覆蓋層、(涂敷層)的結構。其中，除此以外，在各層之間也可以設置為了提高粘接性·記錄特性·保存性等而設置的其他層。另外，在所述結構中，括號內記載的層表示可以根據(jù)需要形成的層。
圖2模式地表示本實施方式的光記錄介質的層結構的一例。與前面相同，圖2所示的光記錄介質10在基板12上依次層疊記錄層14、中間層16、粘接層18和保護層20而成。
以下主要對基板及各層進行說明。以下的記載與以上記載的實施方式相通。此外，本發(fā)明不被這些所限定。
<基板> 作為基板，可以從以往用作光記錄介質的基板材料的各種材料中任意選擇使用。
具體而言，例如可以舉出玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯之類的丙烯酸樹脂；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂；環(huán)氧樹脂、無定形聚烯烴；聚酯；鋁等金屬等，也可以根據(jù)需要并用它們。
上述材料中，從耐濕性、寸法穩(wěn)定性及低價格等的角度出發(fā)，優(yōu)選為聚碳酸酯、無定形聚烯烴，特別優(yōu)選聚碳酸酯。另外，基板的厚度(形成記錄層的區(qū)域的平均厚度)優(yōu)選為0.5～1.4mm，特別優(yōu)選在1.1±0.3mm的范圍。
在基板形成表示跟蹤用引導溝或地址信號等信息的凹凸(槽或預槽)。將基板的凸部稱為外槽(on groove)，將凹部稱為內槽(in groove)。在此，有時也將“外槽”稱為“槽”。為了實現(xiàn)高的記錄密度，優(yōu)選使用形成有與CD-R或DVD-R相比更窄的軌道間距(track pitch)的槽的基板。槽的軌道間距可以為300～600nm、300～360nm或者310～340nm的范圍。另外，在某實施方式中，槽的深度(溝寬)優(yōu)選為40～150nm的范圍。在另一個實施方式中，槽的深度(溝寬)優(yōu)選為20～50nm的范圍，可以一邊防止跟蹤誤差信號變小從而很難跟蹤，一邊防止成形變得困難。在后者的實施方式中，槽的深度(溝寬)更優(yōu)選為25～40nm。。
外槽的半值寬優(yōu)選為50～200nm的范圍。通過在這種范圍內，一邊可以防止跟蹤誤差降低，一邊可以減低跳動(jitter)。更優(yōu)選為70～190nm的范圍，進而優(yōu)選為90～180nm。
其中，為了實現(xiàn)平面性的改善、粘接力的提高，可以在設置后述的反射層一側的基板表面形成底涂層。
作為該底涂層的材料，例如可以舉出聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸·甲基丙烯酸共聚物、苯乙烯·馬來酸酐共聚物、聚乙烯醇、N-羥甲基丙烯酰胺、苯乙烯·乙烯基甲苯共聚物、氯磺化聚乙烯、硝酸纖維素、聚氯乙烯、氯化聚烯烴、聚酯、聚酰亞胺、醋酸乙烯酯·氯乙烯共聚物、乙烯·醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯等高分子物質；硅烷偶合劑等表面改性劑。
底涂層可以通過將上述材料溶解或分散于適當?shù)娜軇┲信渲仆坎家?，然后利用旋涂、浸涂、擠壓涂敷(extrusion coat)等涂布法在基板表面涂布該涂布液而形成。底涂層的層厚通常在0.005～20μm的范圍，優(yōu)選在0.01～10μm的范圍。
<反射層> 反射層使用對激光的反射率高的光反射性物質。作為該反射率，也可以為70％以上。
作為反射率高的光反射性物質，可以舉出Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等金屬及半金屬或者不銹鋼。這些光反射性物質可以單獨使用，或者組合兩種以上，也可以作為合金使用。這些中優(yōu)選Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al及不銹鋼。特別優(yōu)選Au、Ag、Al或它們的合金，最優(yōu)選Au、Ag或它們的合金(Ag可以為50質量％以上)。
反射層例如可以在基板上，通過蒸鍍、濺射或離子鍍上述光反射性物質形成。反射層的層厚通常為10～300nm的范圍，優(yōu)選在50～200nm的范圍。該反射層在以下的記錄層的反射率充分大的情況下不一定需要。
<記錄層> 在某實施方式(主要可以適用于方式A，但不限定于此)中，優(yōu)選為在基板或所述反射層上形成的含有至少可以利用波長為380～500nm、透鏡開口率NA為0.7以上的激光進行信息的記錄再生的有機物(色素)的層。
作為上述有機物，可以從三唑系化合物、酞菁化合物、卟啉(ポリフィリン)系化合物、氨基丁二烯系化合物、菁(cyanine)系化合物、氧雜菁(ォキソノ一ル)化合物(oxonol色素)等中選擇，優(yōu)選為其中的至少一種。特別優(yōu)選酞菁色素及氧雜菁色素。
另外，還可以并用特開平4-74690號公報、特開平8-127174號公報、特開平11-53758號公報、特開平11-334204號公報、特開平11-334205號公報、特開平11-334206號公報、特開平11-334207號公報、特開2000-43423號公報、特開2000-108513號公報、及特開2000-158818號公報中記載的色素。
有機物不限于上述色素，還可以優(yōu)選使用三唑化合物、三嗪化合物、菁化合物、部花青化合物、氨基丁二烯化合物、酞菁化合物、桂皮酸化合物、氧化還原(viologen)化合物、偶氮基化合物、氧雜菁苯并噁唑化合物或苯并三唑衍生物等有機化合物。這些化合物中，特別優(yōu)選苯并三唑化合物、酞菁化合物。
以下對作為特別優(yōu)選的色素的酞菁色素及氧雜菁色素進行說明。
該酞菁色素優(yōu)選具有下述通式(A)表示的結構。
[化1] 通式(A)
通式(A)中，Rα1～Rα8及Rβ1～Rβ8彼此獨立，表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、甲酸基、羧基、磺基、碳原子數(shù)為1～20的取代或無取代的烷基、碳原子數(shù)為6～14的取代或無取代的芳基、碳原子數(shù)為1～10的取代或無取代的雜環(huán)基、碳原子數(shù)為1～20的取代或無取代的烷氧基、碳原子數(shù)為6～14的取代或無取代的芳氧基、碳原子數(shù)為2～21的取代或無取代的酰基、碳原子數(shù)為1～20的取代或無取代的烷基磺酰基、碳原子數(shù)為6～14的取代或無取代的芳基磺?；?、碳原子數(shù)為1～10的雜?；?ヘテリル)磺?；⑻荚訑?shù)為1～25的取代或無取代的氨基甲?；?、碳原子數(shù)為0～32的取代或無取代的氨磺?；?、碳原子數(shù)為2～20的取代或無取代的烷氧羰基、碳原子數(shù)為7～15的芳氧基羰基、碳原子數(shù)為2～21的取代或無取代的酰胺基、或碳原子數(shù)為1～20的取代或無取代的磺酰胺基。另外，Rα1～Rα8不是全部為氫原子，Rα1～Rα8及Rβ1～Rβ8中至少8個為氫原子。M表示2個氫原子、2價～4價的金屬原子、2價～4價的氧金屬原子或具有配位基的2價～4價的金屬原子。
通式(A)中的Rα1～Rα8及Rβ1～Rβ8優(yōu)選彼此獨立，從氫原子、鹵原子、羧基、磺基、碳原子數(shù)為1～16的取代或無取代的烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基)、碳原子數(shù)為6～14的取代或無取代的芳基(例如苯基、對甲氧苯基、對十八烷基苯基)、碳原子數(shù)為1～16的取代或無取代的烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、正辛氧基)、碳原子數(shù)為6～10的取代或無取代的芳氧基(例如苯氧基、對乙氧基苯氧基)、碳原子數(shù)為1～20的取代或無取代的烷基磺酰基(例如甲磺?；?、正丙磺?；⒄粱酋；?、碳原子數(shù)為6～14的取代或無取代的芳基磺?；?例如甲苯磺?；?、苯磺?；?、碳原子數(shù)為0～20的取代或無取代的氨磺?；?例如甲基氨磺?；?、丁基氨磺酰基)、碳原子數(shù)為1～17的取代或無取代的烷氧羰基(例如甲氧羰基、丁氧羰基)、碳原子數(shù)為7～15的芳氧基羰基(例如苯氧羰基、間氯苯基羰基)、碳原子數(shù)為2～21的取代或無取代的酰胺基(例如乙酰氨基、三甲基乙?；被?、正己基氨基)、或碳原子數(shù)為1～18的磺酰胺基(例如甲磺酰胺基、正丁磺酰胺基)中選擇。
Rα1～Rα8及Rβ1～Rβ8尤其優(yōu)選彼此獨立，從氫原子、鹵原子、羧基、磺基、碳原子數(shù)為1～16的取代或無取代的烷基、碳原子數(shù)為1～16的取代或無取代的烷氧基、碳原子數(shù)為1～20的取代或無取代的烷基磺酰基、碳原子數(shù)為6～14的取代或無取代的芳基磺?；?、碳原子數(shù)為2～20的氨磺?；?、碳原子數(shù)為1～13的烷氧羰基、碳原子數(shù)為2～21的取代或無取代的酰胺基、或碳原子數(shù)為1～18的磺酰胺基中選擇。
Rα1～Rα8進而優(yōu)選彼此獨立，從氫原子、鹵原子、磺基、碳原子數(shù)為1～16的取代或無取代的烷氧基、碳原子數(shù)為1～20的取代或無取代的烷基磺?；⑻荚訑?shù)為6～14的取代或無取代的芳基磺?；⑻荚訑?shù)為2～20的氨磺?；?、碳原子數(shù)為2～12的酰胺基、或碳原子數(shù)為1～18的磺酰胺基中選擇，Rβ1～Rβ8進而優(yōu)選彼此獨立，從氫原子、鹵原子中選擇。
在特別優(yōu)選的實施方式中，Rα1～Rα8彼此獨立，從氫原子、磺基、碳原子數(shù)為1～20的無取代的烷基磺酰基、碳原子數(shù)為6～14的無取代的芳基磺?；?、碳原子數(shù)為7～20的無取代的氨磺?；羞x擇，Rβ1～Rβ8為氫原子。
所述通式(A)中的Rα1及Rα2的任意一方、Rα3及Rα4的任意一方、Rα5及Rα6的任意一方、Rα7及Rα8的任意一方的共4個取代基優(yōu)選不同時為氫原子。
通式(A)中的Rα1～Rα8及Rβ1～Rβ8也可以進而具有取代基，作為其可以導入的取代基的例子，可以舉出以下記載的取代基。
碳原子數(shù)為1～20的鏈狀或環(huán)狀的取代或無取代的烷基(例如甲基、乙基、異丙基、環(huán)己基、芐基、苯乙基)、碳原子數(shù)為6～18的取代或無取代的芳基(例如苯基、氯苯基、2，4-二叔戊基苯基、1-萘基)、碳原子數(shù)為2～20的取代或無取代的鏈烯基(例如乙烯基、2-甲基乙烯基)、碳原子數(shù)為2～20的取代或無取代的炔基(例如乙炔基、2-甲基乙炔基、2-苯基乙炔基)、鹵原子(例如F、Cl、Br、I)、氰基、羥基、羧基、碳原子數(shù)為2～20的取代或無取代的?；?例如乙?；?、苯甲?；?、鄰苯羥甲酰基、三甲基乙?；?、碳原子數(shù)為1～20的取代或無取代的烷氧基(例如甲氧基、丁氧基、環(huán)己氧基)、碳原子數(shù)為6～20的芳氧基(例如苯氧基、1-萘氧基、對甲氧基苯氧基)、碳原子數(shù)為1～20的取代或無取代的烷基硫代基(例如甲硫基、丁硫基、芐硫基、3-甲氧基丙硫基)、碳原子數(shù)為6～20的取代或無取代的芳硫基(例如苯硫基、4-氯苯硫基)、碳原子數(shù)為1～20的取代或無取代的烷基磺?；?例如甲磺酰基、丁磺?；?、 碳原子數(shù)為6～20的取代或無取代的芳基磺?；?例如苯磺?；?、對甲苯磺?；?、碳原子數(shù)為1～17的取代或無取代的氨基甲?；?例如無取代的氨基甲酰基、甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲?；?、正丁基氨基甲?；?、二甲基氨基甲?；?、碳原子數(shù)為1～16的取代或無取代的酰胺基(例如乙酰氨基、苯甲酰氨基)、碳原子數(shù)為2～10的取代或無取代的酰氧基(例如乙酰氧基、苯甲酸基)、碳原子數(shù)為2～10的取代或無取代的烷氧羰基(例如甲氧羰基、乙氧羰基)及5員或6員取代或無取代的雜環(huán)基(例如吡啶基、噻嗯基、呋喃基、噻唑基、咪唑基、吡唑基等芳香族雜環(huán)基；吡咯烷環(huán)基、哌啶環(huán)基、嗎啉環(huán)基、吡喃環(huán)基、噻喃環(huán)基、二噁唑環(huán)基、二硫雜環(huán)戊烷環(huán)基等雜環(huán)基)。
另外，作為Rα1～Rα8及Rβ1～Rβ8中可以導入的取代基，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～16的鏈狀或環(huán)狀的烷基、碳原子數(shù)為6～14的取代或無取代的芳基、碳原子數(shù)為1～16的取代或無取代的烷氧基、碳原子數(shù)為6～14的芳氧基、氯原子、碳原子數(shù)為2～17的取代或無取代的烷氧羰基、碳原子數(shù)為1～10的取代或無取代的氨基甲?；?、碳原子數(shù)為1～10的取代或無取代的酰胺基。
更優(yōu)選的取代基例是碳原子數(shù)1～10的鏈狀分支或環(huán)狀的取代或無取代的烷基、碳原子數(shù)6～10的取代或無取代的芳基、碳原子數(shù)1～10的取代或無取代的烷氧基、碳原子數(shù)6～10的取代或無取代的芳氧基、氯原子、碳原子數(shù)2～11的取代或無取代的烷氧羰基、碳原子數(shù)1～7的取代或無取代的氨基甲酰基、碳原子數(shù)1～8的取代或無取代的酰胺基。
進而優(yōu)選的取代基例為碳原子數(shù)為1～8的鏈狀分支或環(huán)狀的取代或無取代的烷基、碳原子數(shù)為1～8的取代或無取代的烷氧基、碳原子數(shù)為3～9的取代或無取代的烷氧羰基、苯基、氯原子。
最優(yōu)選的取代基例為碳原子數(shù)為1～6的無取代的烷氧基。
通式(A)中的M優(yōu)選為2價～4價的金屬原子，其中，優(yōu)選銅原子、鎳原子、或鈀原子，進而更優(yōu)選銅原子或鎳原子，特別優(yōu)選銅原子。
通式(A)表示的化合物(酞菁色素)可以在任意位置結合形成多聚物，這種情況下的各單元可以彼此相同或不同。另外，通式(A)表示的化合物也可以結合于聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、纖維素等聚合物鏈。
以下舉出通式(A)表示的酞菁色素的優(yōu)選具體例，但本發(fā)明不被這些所限定。
在下述表1～表7中，例如被稱為Rx/Ry(x及y表示α1～α8、β1～β8的任意一個)的標記表示Rx或Ry的任意一方，因而，有該標記的化合物是取代位置異構體的混合物。另外，無取代的情況下，即，氫原子取代的情況下，省略標記。
[表1] No取代基位置及取代基M (1)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2N(C5H11-i)2 (2)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2NH(2-s-丁氧基-5- t-戊基苯基) (3)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6 Cu -SO2NH{(CH2)3O(2，4-二-t-戊基苯基)} Rα7/Rα8 -SO3H (4)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Ni -SO2N(3-甲氧基丙基)2 (5)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Ni -SO2N(CH3)(環(huán)己基) (6)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Ni -SO2N(3-i-丙氧基苯基)2 (7)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Pd -SO2NH(2-i- 戊氧基羰基苯基) (8)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Pd -SO2NH(2，4，6-三甲基苯基) (9)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Co -SO2(4-嗎啉代) (10)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8 Fe -SO2N(C2H5)(4-氟苯基) (11)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6 Cu -SO2NH{(CH2)3N(C2H5)2} [表2] NO. 取代基位置及取代基 M (12)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2(2-n-丙氧基苯基) (13)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Ni -SO2(2-n-丁氧基-5-t-丁基苯基]) (14)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Co -SO2(2-甲氧羰基苯基) (15)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2(CH2)4O(2-氯-4-t-戊基苯基) (16)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Pd -SO2(CH2)2CO2C4H9-i (17)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2(環(huán)己基) (18)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Ni -SO2{4-(2-s- 丁氧基苯甲酰氨基)苯基} (19)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Pd -SO2(2，6-二氯-4- 甲氧苯基) (20)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Mg -SO2CH(CH3){CO2CH2-CH(C2H5)C4H9-n} (21)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Zn -SO2{2-(2-乙氧基乙氧基)-苯基) Rβ1/Rβ2、Rβ3/Rβ4、Rβ5/Rβ6、Rβ7/Rβ8 -C2O5 (22)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2N{CH2CH2O(CH3)}2 [表3] No.取代基位置及取代基M (23)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8 Ni -OCH2CH(C2H5)(C4H9-n) (24)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8 Zn -OCH(CH3)(苯基) (25)Rα1、Rα2、Rα3、Rα4、Rα5、Rα6、Rα7、Rα8 Cu -OCH(s-丁基)2 (26)Rα1、Rα2、Rα3、Rα4、Rα5、Rα6、Rα7、Rα8 SiCl2 -OCH2CH2C3H7-i (27)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8 Ni -t-戊基 Rβ1/Rβ2、Rβ3/Rβ4、Rβ5/Rβ6、Rβ7/Rβ8 -Cl (28)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8 Zn -2，6-二-乙氧苯基 (29)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6Cu -SO2NHCH2CH2OC3H7-i Rα7/Rα8 -SO3H (30)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6Cu -CO2CH2CH2C2H5 Rα7/Rα8 -CO2H (31)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8 Co -CO2CH(CH3)(CO2C3H7-i) (32)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8 Cu -CO2NHCH2CH2OC3H7-i [表4] No. 取代基位置及取代基 M (33)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6 Pd -CON(CH2CH2OC4H9-n)2 Rα7/Rα8 -CO2H (34)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Co -NHCOCH(C2H5)(C4H9-n) (35)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Mg -NHCO(2-N- 丁氧羰基苯基) (36)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Pd -NHSO2(2-i-丙氧基苯基) (37)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Zn -NHSO2(2-n-丁氧基-5t- 戊基苯基) (38)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8 Ni -SO2CH3 (39)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2CH(CH3)2 (40)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Zn -SO2C4H9-s (41)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2CH4CO2CH(CH3)2 (42)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2CH(CH3)(CO2CH3) (43)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C6H5 (44)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2N(C5H11-i)2 [表5] No.取代基位置及取代基 M (45)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C4H9-s (46)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(CH3)3 (47)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(CH3)2{CH2C(CH3)3} (48)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(CH3)2(CH2C2H5) (49)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(CH3)2(OCH3) (50)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(CH3)2(CN) (51)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2CF2CF2CF3 (52)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(CH3)2{CH2CH2CO2(苯基)} (53)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(CH3)2{CO(苯基)} (54)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(CH3)2(CH2CH3) (55)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Pd -SO2C(CH3)3 (56)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8SiCl2 -SO2C(CH3)3 (57)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Ni -SO2C(CH3)2(CO2C2H5) [表6] No.取代基位置及取代基 M (58)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(CH3)3 (59)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(CH3)3 Rα1/Rβ2、Rβ3/Rβ4、Rβ5/Rβ6、Rβ7/Rβ8 -Br (60)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu Rβ1/Rβ2、Rβ3/Rβ4、Rβ5/Rβ6、Rβ7/Rβ8-SO2C(CH3)3 (61)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -SO2C(1-甲基環(huán)己基)3 (62)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8V＝0 -SO2C(CH3)3 (63)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Co -SO2C(CH3)3 (64)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Mg -SO2C(CH3)3 (65)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Al -SO2C(CH3)3 (66)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Zn -SO2C(CH3)3 (67)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -OCH{CH(CH3)2}2 (68)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu -OCH{CH(CH3)2}2 Rβ1/Rβ2、Rβ3/Rβ4、Rβ5/Rβ6、Rβ7/Rβ8 -Br [表7] No. 取代基位置及取代基 M (69)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Pd -OCH{CH(CH3)2}2 (70)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6Cu -SO2C(CH3)3 Rα7/Rα8 -OCH{CH(CH3)2}2 (71)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6Cu -SO2C(CH3)3 Rα7/Rα8 -OCH{CH(CH3)2}2 Rα7/Rα8 -Br 在本發(fā)明中，作為色素記錄層中含有的色素，使用通式(A)表示的酞菁色素的情況下，可以單獨使用一種，另外，也可以混合使用多種結構不同的色素，進而也可以與其他色素并用。特別為了防止色素記錄層的結晶化，優(yōu)選使用取代基的取代位置不同的異構體的混合物。
另外，在本發(fā)明中，氧雜菁色素的定義為具有陰離子性發(fā)色團的聚甲炔色素。從記錄特性出色的點出發(fā)，特別優(yōu)選使用下述通式(I)表示的氧雜菁色素。
[化2] 通式(I)
通式(I)中，A、B、C及D是A和B的哈曼特的σp值的總合及C和D的哈曼特(ハメット)的σp值的總合分別為0.6以上的吸電子基團，A與B或C與D也可以連結形成環(huán)，R表示甲炔碳上的取代基，m表示0～3的整數(shù)，n表示0～2m+1的整數(shù)，n為2以上的整數(shù)時，多個R保存相同或不同，或者也可以彼此連結形成環(huán)，Yt+表示t價的陽離子，t表示1～10的整數(shù)。
通式(I)包括由于陰離子的局在位置的標記不同而不同的多個互變異構體，但尤其在A、B、C、D的任意一個為-CO-E(E為取代基)的情況下，通常使負電荷在氧原子上局在并進行標記。例如D為-CO-E的情況下，作為標記，通常為下述通式(II)，但這樣的標記的D也被包括在通式(I)中。
[化3] 通式(II)
在通式(II)中的A、B、C、R、m、n、Yt+、t的定義與通式(I)相同。
以下對所述通式(I)表示的氧雜菁色素進行說明。在通式(II)中，A、B、C及D是A和B的哈曼特的取代基常數(shù)σp值的總合及C和D的哈曼特的取代基常數(shù)σp值的總合分別為0.6以上的吸電子基團。A、B、C及D彼此相同或不同。另外，A與B或C與D也可以連結形成環(huán)。用A、B、C及D表示的吸電子基團的哈曼特的取代基常數(shù)σp值優(yōu)選彼此獨立在0.30～0.85的范圍，進而優(yōu)選在0.35～0.80的范圍。
哈曼特的取代基常數(shù)σp值(以下稱為σp值)例如可以利用Chem.Rev.91，165(1991)及其中引用的參考文獻中記載的，即使沒有記載也可以利用相同文獻記載的方法求得。在A與B(C與D)連結形成環(huán)的情況下，A(C)的σp值是指-A-B-H(-C-D-H)值的σp值，B(D)的σp值是指-B-A-H(-D-C-H)值的σp值。這種情況下，二者因結合的方向不同而σp值不同。
作為用A、B、C及D表示的吸電子基團的優(yōu)選具體例，可以舉出氰基、硝基、碳原子數(shù)為1～10的酰基(例如乙?；⒈；?、丁?；?、三甲基乙?；⒈郊柞；?、碳原子數(shù)為2～12的烷氧羰基(例如甲氧羰基、乙氧羰基、異丙氧羰基、丁氧羰基、癸氧羰基)、碳原子數(shù)為7～11的芳氧羰基(例如苯氧羰基)、碳原子數(shù)為1～10的氨基甲?；?例如甲基氨基甲?；⒁一被柞；?、苯胺甲?；?、碳原子數(shù)為1～10的烷基磺?；?例如甲磺?；?、碳原子數(shù)為6～10的芳基磺酰基(例如苯磺?；?、碳原子數(shù)為1～10的烷氧基磺?；?例如甲氧基磺?；?、碳原子數(shù)為1～10的氨磺酰基(例如乙基氨磺?；?、苯胺磺?；?、碳原子數(shù)為1～10的烷基亞磺?；?例如甲烷亞磺?；⒁彝閬喕酋；?、碳原子數(shù)為6～10的芳基亞磺?；?例如苯亞磺?；?、碳原子數(shù)為1～10的烷基亞氧硫基(例如甲烷亞氧硫基、乙烷亞氧硫基)、碳原子數(shù)為6～10的芳基亞氧硫基(例如苯亞氧硫基)、鹵原子、碳原子數(shù)為2～10的炔基(例如乙炔基)、碳原子數(shù)為2～10的二?；被?例如二乙酰氨基)、磷?；?、羧基、5員或640員雜環(huán)基(例如2-苯并噻唑基、2-苯并噁唑基、3-吡啶基、5-(1H)-四唑基、4-嘧啶基)。
在通式(I)中，作為R表示的甲炔碳上的取代基，例如可以舉出以下記載的取代基。碳原子數(shù)為1～20的鏈狀或環(huán)狀的烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基)、碳原子數(shù)為6～18的取代或無取代的芳基(例如苯基、氯苯基、茴香基、甲苯酰基、2，4-二叔戊基、1-萘基)、鏈烯基(例如乙烯基、2-甲基乙烯基)、炔基(例如乙炔基、2-甲基乙炔基、2-苯基乙炔基)、鹵原子(例如F、Cl、Br、I)、氰基、羥基、羧基、酰基(例如乙?；?、苯甲?；⑧彵搅u甲?；?、三甲基乙?；?、烷氧基(例如甲氧基、丁氧基、環(huán)己氧基)、芳氧基(例如苯氧基、1-萘氧基)、烷基硫代基(例如甲硫基、丁硫基、芐硫基、3-甲氧基丙硫基)、芳硫基(例如苯硫基、4-氯苯硫基)、 烷基磺?；?例如甲磺酰基、丁磺?；?、芳基磺?；?例如苯磺?；妆交酋；?、碳原子數(shù)為1～10的氨基甲?；⑻荚訑?shù)為1～10的酰胺基、碳原子數(shù)為2～12的亞酰胺基、碳原子數(shù)為2～10的酰氧基、碳原子數(shù)為2～10的烷氧羰基、雜環(huán)基(例如吡啶基、噻嗯基、呋喃基、噻唑基、咪唑基、吡唑基等芳香族雜環(huán)、吡咯烷環(huán)、哌啶環(huán)、嗎啉環(huán)、吡喃環(huán)、噻喃環(huán)、二噁唑環(huán)、二硫雜環(huán)戊烷環(huán)等脂肪族雜環(huán))。
作為R，優(yōu)選為鹵原子、碳原子數(shù)為1～8的鏈狀或環(huán)狀的烷基、碳原子數(shù)為6～10的芳基、碳原子數(shù)為1～8的烷氧基、碳原子數(shù)為6～10的芳氧基、碳原子數(shù)為3～10的雜環(huán)基，特別優(yōu)選碳原子數(shù)為1～4的烷基(例如甲基、乙基、異丙基)、苯基、碳原子數(shù)為1～4的烷氧基(例如甲氧基、乙氧基)、苯氧基、碳原子數(shù)為4～8的含氮雜環(huán)基(例如4-吡啶基、苯并噁唑-2-酰基、苯并噻唑-2-酰基)。
n表示0～2m+1的整數(shù)，n為2以上的整數(shù)時，數(shù)個R彼此相同或不同，另外也可以彼此連結形成環(huán)。此時，環(huán)員數(shù)優(yōu)選為4～8，特別優(yōu)選為5或6，環(huán)的構成原子優(yōu)選為碳原子、氧原子或氮原子，特別優(yōu)選為碳原子。
A、B、C、D及R也可以進而具有取代基，作為取代基的例子，可以舉出與作為通式(I)中的R表示的一價取代基的例子舉出的相同的例子。
作為光記錄介質中使用的色素，從熱分解性的觀點出發(fā)，優(yōu)選A和B或C和D連結形成環(huán)，作為這樣的環(huán)的例子，可以舉出以下。其中，Ra、Rb及Rc彼此獨立，表示氫原子或取代基。
[化4]
[化5]
[化6]
[化7]
其中優(yōu)選的環(huán)為A-8、A-9、A-10、A-11、A-12、A-13、A-14、A-16、A-17、A-36、A-39、A-41、A-54及A-57表示的環(huán)。更優(yōu)選的環(huán)為A-8、A-9、A-10、A-13、A-14、A-16、A-17及A-57表示的環(huán)。最優(yōu)選的環(huán)為A-9、A-10、A-13、A-17及A-57表示的環(huán) 用Ra、Rb及Rc表示的取代基分別與作為所述R表示的取代基舉出的取代基為相同的意義。另外，Ra、Rb及Rc也可以彼此連結形成碳環(huán)或雜環(huán)。作為碳環(huán)，例如可以舉出環(huán)己基環(huán)、環(huán)戊基環(huán)、環(huán)己烯環(huán)及苯環(huán)等飽和或不飽和的4～7員的碳環(huán)。另外，作為雜環(huán)，例如可以舉出哌啶環(huán)、哌嗪環(huán)、嗎啉環(huán)、四氫呋喃環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、吡啶環(huán)及吡嗪環(huán)等飽和或不飽和的4～7員雜環(huán)，這些碳環(huán)或雜環(huán)也可以進一步被取代。作為可以進一步取代的基的例子，可以舉出作為所述R表示的取代基舉出的例子。
在通式(I)中，m表示0～3的整數(shù)，根據(jù)該m值不同而該氧雜菁色素的吸收波長發(fā)生很大的變化。必需根據(jù)記錄再生中使用的激光的激發(fā)波長設計最佳吸收波長的色素，而在這一點中m值的選擇是很重要的。記錄再生中使用的激光的中心激發(fā)波長為780nm的情況下(CD-R記錄用的半導體激光器)，在通式(I)優(yōu)選為2或3，中心激發(fā)波長為635nm或650nm的情況下(DVD-R記錄用的半導體激光)，m優(yōu)選為1或2，中心激發(fā)波長為550nm以下的情況下(例如中心激發(fā)波長為405nm的藍紫色半導體激光)，m優(yōu)選為0或1。
在通式(I)中，Yt+表示的t價陽離子可以為無機或有機的任意陽離子，作為無機的陽離子，例如可以優(yōu)選舉出氫離子、金屬離子、銨離子(NH4+)，特別優(yōu)選堿金屬離子(例如Li+、Na+、K+)或過渡金屬離子(例如Cu2+、Co2+)。另外，在為過渡金屬離子的情況下，也可以為有機配位基配位的過渡金屬離子。
作為用Yt+表示的t價有機陽離子，優(yōu)選為鎓離子，特別優(yōu)選下述通式(III)表示的陽離子。這些化合物可以簡單地利用使對應的聯(lián)吡啶與具有目的取代基的鹵化物之間的門舒特金(メンシュトキン)反應(例如參照特開昭61-148162號公報)或者按照特開昭51-16675號公報及特開平1-96171號公報中記載的方法的芳基化反應得到。
[化8] 通式(III)
式中，R31及R32彼此獨立，表示烷基、鏈烯基、炔基、芳基或雜環(huán)基，R33表示取代基，s表示0～8的整數(shù)，s為2以上的整數(shù)時，數(shù)個R33彼此相同或不同，另外也可以彼此連結形成環(huán)。
在通式(III)中，R31或R32表示的烷基優(yōu)選碳原子數(shù)為1～18，進而優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8，可以為直鏈、分支或環(huán)狀，例如可以舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、異戊基、正己基、環(huán)己基、2-乙基己基、正辛基。
在通式(III)中，R31或R32表示的鏈烯基優(yōu)選碳原子數(shù)為2～18，進而優(yōu)選碳原子數(shù)為2～8，例如可以舉出乙烯基、2-丙烯基、2-甲基丙烯基、1，3-丁二烯基。
在通式(III)中，R31或R32表示的炔基優(yōu)選碳原子數(shù)為2～18，進而優(yōu)選碳原子數(shù)為2～8，例如可以舉出乙炔基、丙炔基、3，3-二甲基丁炔基。
在通式(III)中，R31或R32表示的芳基優(yōu)選碳原子數(shù)為6～18，進而優(yōu)選碳原子數(shù)為6～10，例如可以舉出苯基、1-萘基、2-萘基。
在通式(III)中，R31或R32表示的雜環(huán)基優(yōu)選碳原子數(shù)為4～7的飽和或不飽和的雜環(huán)基，作為含有的雜原子優(yōu)選氮原子、氧原子、硫原子，作為雜環(huán)基，例如可以舉出4-吡啶基、4-嘧啶基、2-咪唑基、2-呋喃基、2-苯硫基、2-苯并噁唑基、2-苯并硫代噁唑基(ベンゾチォキサゾリル)。
通式(III)的R31及R32也可以進一步具有取代基，作為該取代基的例子，可以舉出作為通式(I)的表示R的取代基所例示的取代基相同的取代基。
通式(III)中，R33表示的取代基與通式(II)的R為相同意義，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～18的烷基，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8的無取代烷基。
通式(III)中，s表示0～8的整數(shù)，s優(yōu)選為0～4，進而優(yōu)選為2，特別優(yōu)選為0。s為2以上的整數(shù)時，數(shù)個R33彼此相同或不同，另外也可以彼此連結形成環(huán)。另外，在通式(III)中，兩個吡啶環(huán)可以在任意位置連結，但優(yōu)選在吡啶環(huán)的2位或4位連結，特別優(yōu)選在兩個吡啶環(huán)的4位之間連結。
通式(I)表示的氧雜菁色素可以在任意位置結合形成多聚物，這種情況下的各單元可以彼此相同或不同。另外，也可以結合于聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、纖維素等聚合物鏈。
作為通式(I)表示的氧雜菁色素的具體例，可以舉出特開昭63-209995號公報、特開平10-297103號公報、特開平11-78106號公報、特開平11-348420號公報、特開2000-52658公報、特愿平11-78106號公報中記載的氧雜菁色素的具體例。其一部分化合物如以下所例示。
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
為了提高該記錄層的耐光性，記錄層優(yōu)選含有褪色防止劑。作為褪色防止劑，可以舉例有機氧化劑、單態(tài)氧驟冷劑。作為褪色防止劑使用的有機氧化劑，優(yōu)選特開平10-151861號中記載的化合物。作為單態(tài)氧驟冷劑，可以利用已在公知的專利說明書等發(fā)行物中所記載的單態(tài)氧驟冷劑。作為其具體例子，可以舉出特開昭58-175693號、特開昭59-81194號、特開昭60-18387號、特開昭60-19586號、特開昭60-19587號、特開昭60-35054號、特開昭60-36190號、特開昭60-36191號、特開昭60-44554號、特開昭60-44555號、特開昭60-44389號、特開昭60-44390號、特開昭60-54892號、特開昭60-47069號、特開昭63-209995號、特開平4-25492號、特公平1-38680號及特公平6-26028號等各公報、德國專利350399號說明書、以及日本化學學會志1992年10月號第1141頁等中記載的例子。
作為優(yōu)選的單態(tài)氧驟冷劑的例子，可以舉出下述通式(IV)表示的化合物。
[化13] 通式(IV)
(其中，R31表示可具有取代基的烷基，Q-表示陰離子。) 在通式(IV)中，R31通常為可被取代的碳原子數(shù)為1～8的烷基，優(yōu)選為無取代的碳原子數(shù)為1～6的烷基。作為烷基的取代基，例如可以舉出鹵原子(例如F、Cl)、烷氧基(例如甲氧基、乙氧基)、烷基硫代基(例如甲硫基、乙硫基)、酰基(例如乙酰基、丙酰基)、酰氧基(例如乙酰氧基、丙酰氧基)、羥基、烷氧羰基(例如甲氧羰基、乙氧羰基)、鏈烯基(例如乙烯基)、芳基(例如苯基、萘基)。其中，優(yōu)選鹵原子、烷氧基、烷基硫代基、烷氧羰基。作為Q-的陰離子的例子，優(yōu)選ClO4-、AsF6-、BF4-、及SbF6-。
上述單態(tài)氧驟冷劑等褪色防止劑的使用量，相對用于記錄的化合物的量，通常為0.1～50質量％的范圍，優(yōu)選為0.5～45質量％的范圍，更優(yōu)選為3～40質量％的范圍，特別優(yōu)選為5～25質量％的范圍。
記錄層例如可以通過將所述色素(有機物等)等記錄物質與粘合劑一起溶解于適當?shù)娜軇?，配制記錄層涂布液，接著在基板表面形成的反射層上涂布該記錄層涂布液，形成涂膜，使其干燥形成。記錄層涂布液中的記錄物質的濃度通常為0.01～15質量％的范圍，優(yōu)選為0.1～10質量％的范圍，更優(yōu)選為0.5～5質量％的范圍，最優(yōu)選0.5～3質量％的范圍。另外，作為溶解處理記錄物質等的方法，可以適用超聲波處理、均化器、加溫等方法。
作為配制記錄層涂布液時的溶劑，例如可以舉出醋酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、溶纖劑乙酸酯等酯；甲基乙基甲酮、環(huán)己酮、及甲基異丁基酮等酮；二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、及氯仿之類的氯化烴；二甲基甲酰胺等酰胺；甲基環(huán)己烷等烴；四氫呋喃、乙醚、二噁烷等醚；乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、及雙丙酮醇等醇；2，2，3，3-四氟丙醇等氟系溶劑；乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、及丙二醇一甲醚等乙二醇醚類等。
上述溶劑可以考慮使用的記錄物質的溶解性而單獨使用，或者也可以組合2種以上使用。進而，也可以在涂布液中根據(jù)目的添加抗氧化劑、UV吸收劑、增塑劑、潤滑劑等各種添加劑。
使用粘合劑的情況下，作為粘合劑的例子，例如可以舉出明膠、纖維素衍生物、葡聚糖、松香、及橡膠等天然有機高分子物質；及聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、及聚異丁烯之類的烴系樹脂；聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、及聚氯乙烯·聚醋酸乙烯酯共聚物等乙烯系樹脂；聚丙烯酸甲酯、及聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂；聚乙烯醇、氯化聚乙烯、環(huán)氧樹脂、丁縮醛樹脂、橡膠衍生物、及苯酚·甲醛樹脂等熱固化性樹脂的初期縮聚物等合成有機高分子等。作為記錄層的材料并用粘合劑的情況下，粘合劑的使用量通常相對記錄物質，在0.01倍量～50倍量(質量比)的范圍，優(yōu)選在0.1～15倍量(質量比)的范圍。這樣配制的涂布液中的記錄物質的濃度通常在0.01～10質量％的范圍，優(yōu)選在0.1～5質量％的范圍。
作為涂布方法，可以舉出噴涂法、旋涂法、浸涂法、輥涂法、刀涂法、括刀輥法、及網(wǎng)板印刷法。記錄層為單層或多層。另外，記錄層的層厚通常為20～500nm的范圍，優(yōu)選為30～300nm的范圍，更優(yōu)選為50～100nm的范圍。另外，作為涂布溫度，只要是23～50℃，則沒有特別問題，優(yōu)選為24～40℃，進而優(yōu)選為25～37℃。
為了控制粘度，涂布溫度優(yōu)選為23～50℃的范圍，更優(yōu)選為24～40℃的范圍，進而優(yōu)選為25～37℃的范圍。為了防止盤的翹曲，紫外線向涂布膜的照射優(yōu)選使用脈沖(pulse)型的光照射器(優(yōu)選UV照射器)進行。脈沖間隔優(yōu)選為msec以下，更優(yōu)選為μsec以下。對1脈沖的照射光量沒有特別限制，優(yōu)選為3kW/cm2以下，更優(yōu)選為2kW/cm2以下。
另外，對照射次數(shù)沒有特別限制，優(yōu)選20次以下，更優(yōu)選10次以下。
另一方面，作為記錄層也可以使用相變化記錄層。相變化記錄層是含有可以在激光的照射下反復進行結晶相與非晶相之間的相變化的材料。
例如可以舉出通過如下所述的方法反復進行結晶相與非晶相的相變化。即，信息記錄時，短時間照射會聚的激光脈沖，部分地熔融相變化記錄層。已熔融的部分在熱擴散的作用下被驟冷，發(fā)生固化，形成非晶狀態(tài)的記錄標記。另外，在清除時，通過向記錄標記部分照射激光，加熱至記錄層的熔點以下、結晶化溫度以上的溫度，而且進行慢冷卻，從而使非晶狀態(tài)的記錄標記發(fā)生結晶化，回到原來的未記錄狀態(tài)。
作為構成相變化記錄層的材料的具體例，可以舉出Sb-Te合金、Ge-Sb-Te合金、Pd-Ge-Sb-Te合金、Nb-Ge-Sb-Te合金、Pd-Nd-Ge-Sb-Te合金、Pt-Ge-Sb-Te合金、Co-Ge-Sb-Te合金、In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、Ag-V-In-Sb-Te合金、Ag-Ge-In-Sb-Te合金等。其中，從可以進行多次重寫出發(fā)，優(yōu)選Ge-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金。
作為相變化記錄層的層厚，優(yōu)選為10～50nm，更優(yōu)選為15～30nm。
以上的相變化記錄層可以利用濺射法、真空蒸鍍法等氣相薄膜堆積法等形成。
在某另一個實施方式(雖然主要可以適用于實施方式B-E，但不限定于此)中，記錄層在反射層上形成，是可以利用波長500nm以下的激光記錄信息的層，是含有有機色素的色素型。
作為上述有機色素的具體例子，可以舉出菁(cyanine)色素、氧雜菁(oxonol)色素、金屬配位化合物系色素、偶氮色素及酞菁色素。
另外，作為有機色素，優(yōu)選使用特開平4-74690號公報、特開平8-127174號公報、特開平11-53758號公報、特開平11-334204號公報、特開平11-334205號公報、特開平11-334206號公報、特開平11-334207號公報、特開2000-43423號公報、特開2000-108513號公報、及特開2000-158818號公報中記載的色素。
進而三唑化合物、三嗪化合物、菁化合物、部花青化合物、氨基丁二烯化合物、酞菁化合物、桂皮酸化合物、氧化還原化合物、偶氮基化合物、氧雜菁苯并噁唑化合物或苯并三唑化合物等有機化合物也作為記錄層原材料，被優(yōu)選使用。這些化合物中，優(yōu)選菁化合物、氧雜菁色素、氨基丁二烯化合物、苯并三唑化合物、酞菁化合物，特別優(yōu)選氧雜菁化合物。這些也可以從作為在前面記載的實施方式中可以使用的色素而記載的色素中選擇。
記錄層可以通過在適當?shù)娜軇┲腥芙庥袡C色素等記錄物質和粘合劑，配制涂布液，接著在基板表面形成的反射層上涂布該涂布液，形成涂膜，然后使其干燥形成。涂布液中的記錄物質的濃度通常為0.01～15質量％的范圍，優(yōu)選為0.1～10質量％的范圍，更優(yōu)選為0.5～5質量％的范圍，最優(yōu)選0.5～3質量％的范圍。
作為涂布液的溶劑，例如可以舉出醋酸丁酯、乳酸乙酯、溶纖劑乙酸酯等酯；甲基乙基甲酮、環(huán)己酮、及甲基異丁基酮等酮；二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、及氯仿之類的氯化烴；二甲基甲酰胺等酰胺；甲基環(huán)己烷等烴；四氫呋喃、乙醚、及二噁烷等醚；乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、及雙丙酮醇等醇；2，2，3，3-四氟丙醇等氟系溶劑；乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、及丙二醇一甲醚等乙二醇醚類等。
上述溶劑可以考慮使用的記錄物質的溶解性而單獨使用，或者也可以組合2種以上使用。進而，也可以在涂布液中根據(jù)目的添加抗氧化劑、UV吸收劑、增塑劑、潤滑劑等各種添加劑。
含有粘合劑的情況下，作為該粘合劑的例子，例如可以舉出明膠、纖維素衍生物、葡聚糖、松香、及橡膠等天然有機高分子物質；及聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、及聚異丁烯等烴系樹脂，聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、及聚氯乙烯·聚醋酸乙烯酯共聚物等乙烯系樹脂，聚丙烯酸甲酯、及聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂，聚乙烯醇、氯化聚乙烯、環(huán)氧樹脂、丁縮醛樹脂、橡膠衍生物、及苯酚·甲醛樹脂等熱固化性樹脂的初期縮聚物等合成有機高分子。作為記錄層的材料并用粘合劑的情況下，粘合劑的使用量通常相對記錄物質，在0.01倍量～50倍量(質量比)的范圍，優(yōu)選在0.1～15倍量(質量比)的范圍。這樣配制的涂布液中的記錄物質的濃度通常在0.01～10質量％的范圍，優(yōu)選在0.1～5質量％的范圍。
作為涂布方法，例如可以舉出噴涂法、旋涂法、浸涂法、輥涂法、刀涂法、括刀輥法、及網(wǎng)板印刷法。記錄層為單層或多層。另外，記錄層的層厚通常為20～500nm的范圍，優(yōu)選為30～300nm的范圍，更優(yōu)選為50～100nm的范圍。
為了提高該記錄層的耐光性，記錄層可以含有褪色防止劑。
作為褪色防止劑，通常使用單態(tài)氧驟冷劑。作為單態(tài)氧驟冷劑，可以利用已在公知的專利說明書等發(fā)行物中所記載的單態(tài)氧驟冷劑。
作為其具體例子，可以舉出特開昭58-175693號公報、特開昭59-81194號公報、特開昭60-18387號公報、特開昭60-19586號公報、特開昭60-19587號公報、特開昭60-35054號公報、特開昭60-36190號公報、特開昭60-36191號公報、特開昭60-44554號公報、特開昭60-44555號公報、特開昭60-44389號公報、特開昭60-44390號公報、特開昭60-54892號公報、特開昭60-47069號公報、特開昭68-209995號公報、特開平4-25492號公報、特公平1-38680號公報及特公平6-26028號公報、德國專利350399號說明書、以及日本化學會志1992年10月號第1141頁等中記載的例子。
上述單態(tài)氧驟冷劑等褪色防止劑的使用量，通常相對有機色素的量為0.1～50質量％的范圍，優(yōu)選為0.5～45質量％的范圍，更優(yōu)選為3～40質量％的范圍，特別優(yōu)選為5～25質量％的范圍。
<中間層> 在某實施方式(雖然主要可以適用于實施方式A，但不限定于此)中，中間層至少在所述記錄層與后述的粘接層之間形成。如果在記錄層上形成粘接層，則粘接層的粘接劑會溶解記錄層的有機物，但通過設置中間層，使粘接劑不直接與記錄層接觸，則可以防止記錄層被粘接劑溶解。
另外，如上所述，該中間層在將高溫高濕保存試驗前的中間層的厚度設為t時，所述高溫高濕保存試驗后的中間層的厚度t1為“0.9t≤t1≤1.1t”。為了滿足這樣的關系，必需研究中間層的構成成分、氧化度、氮化度、膜密度、厚度、目標物的種類及制膜條件等。
作為中間層的構成成分，優(yōu)選使用金屬氧化物，作為金屬氧化物，優(yōu)選Ta的氧化或物Nb的氧化物。作為含有含Ta化合物或含Nb化合物的中間層，例如可以分別舉出Ta或Nb的各氧化物、氮化物，其中，優(yōu)選氧化物。作為氧化物，優(yōu)選Ta2O5、Nb2Ox、NbO、TaO。
在形成中間層時進行的只導入稀有氣體(例如氬氣)的通常的濺射中，濺射時彈飛的金屬氧化物中的氧與稀有氣體一起排氣，從而形成的膜中的氧數(shù)減少，引起氧缺損。該氧缺損成為斑痕狀，影響中間層的光學特性。因此，在本發(fā)明中，為了彌補與稀有氣體一起排氣的氧，預先在導入氣體中混入氧。就是說，通過將混合了稀有氣體和氧氣的混合氣體用作導入氣體，在形成的膜中存在目標物的金屬氧化物來源的氧和混合氣體來源的氧，通過適當?shù)卣{整導入氣體中的氧量，可以以目標物側的金屬氧化物的金屬與氧的比形成膜?；蛘?，可以通過調整目標物側的金屬氧化物的金屬與氧的比與混合氣體中的氧的比率形成理想的金屬·氧比的膜。
中間層例如可以利用將含Ta化合物或含Nb化合物作為目標物的濺射來成膜。這種情況下，成膜時的壓力優(yōu)選為1×10-2～1×10-5torr(1.33～1.33×10-3Pa)，速度(濺射速度)優(yōu)選為0.1～10nm/秒。濺射電力優(yōu)選為0.2～4kW，更優(yōu)選為0.4～3kW，進而優(yōu)選為0.5～2.5kW。
在本發(fā)明中，如上所述，濺射中使用的氣體的種類使用Ar等稀有氣體和氧氣。無論是稀有氣體及氧氣的哪一種，氣體的流量均優(yōu)選為1～50sccm(1～50ml/分鐘)。另外目標物為金屬氧化物的情況下，氧氣的流量優(yōu)選為0.1～25sccm，更優(yōu)選為0.2～20sccm，進而優(yōu)選為0.5～15sccm。通過使氧氣的流量在0.1～25sccm，可以以充分的成膜速度得到穩(wěn)定的膜。
其中，稀有氣體和氧氣即使預先混合成為混合氣體，也可以在濺射時分別導入。
在為RF濺射的情況下，調節(jié)該調諧(tuning)(匹配(matching))，相對FWD的REF優(yōu)選為10％以下，更優(yōu)選為5％以下，進而優(yōu)選為2.5％以下。
在為DC濺射的情況下，優(yōu)選利用脈沖濺射或斷路器等，組合瞬間地除去目標物的帶電的手法。
在本發(fā)明中，中間層的層厚優(yōu)選為1～80nm。通過使中間層的層厚在該范圍內，可以充分地得到記錄層的有機色素與粘合層之間的分離能力，可以得到良好的記錄再生特性。該層厚更優(yōu)選為1～50nm，進而優(yōu)選為1.5～20nm。
在某另一方實施方式(主要可以適用于實施方式B-E，但不限定于此)中，中間層使用已述的材料，利用已述的方法，在記錄層上形成。其中，中間層在記錄層與覆蓋層之間形成，但也可以在“基板與反射層之間”及“反射層與記錄層之間”的至少任意一種形成。
<覆蓋層> 在某實施方式(主要可以適用于實施方式A，但不限定于此)中，覆蓋層是為了防止水分向光記錄介質浸入而形成的層，由粘接層和保護層構成。該覆蓋層優(yōu)選使用在25℃下的固化前的粘度為130mPa·s以上590mPa·s以下的UV固化性粘接劑貼合厚度為0.05～0.09mm的保護層而形成。保護層的材料只要是透明的材質即可，沒有特別限定，優(yōu)選聚碳酸酯、三乙酸纖維素等，更優(yōu)選為23℃50％RH下的吸濕率為5％以下的材料。另外，保護層的厚度優(yōu)選為0.07～0.09mm，更優(yōu)選為0.08～0.09mm。保護層的厚度不到0.05mm時，粘接層的厚度變厚，難以均一地涂布，不能滿足厚度不均為±3μm的規(guī)格。另外，如果超過0.09mm，則難以滿足覆蓋層的厚度的規(guī)格(0.1mm) 其中，“透明”是指相對記錄光及再生光的光，透明到在透過該光(透過率90％以上)的程度的意思。
粘接層及保護層構成的覆蓋層的透水率優(yōu)選為100g/(m2·d)以下，更優(yōu)選為80g/(m2·d)以下。通過使透水率在100g/(m2·d)以下，可以有效地防止水向光記錄介質浸入。
該透水率可以按照如下所述求得。即，優(yōu)選采用基于JIS K7129B的方法，作為測定機，使用MOCON公司制的“PERMATRAN W3/31”，將溫度設為40℃、相對濕度設為90％(上部單元10％、下部單元10％)、測定薄膜面積設為5cm2進行測定。
然后，將通過下述制作的試片安裝到透過單元。試片是插入到上下兩個測定單元的中間的結構，下部單元保持相對氣氛高的氣氛。上部單元成為積蓄通過試片的水蒸氣的結構，利用位于上部單元的紅外線濕度感受器測定通過的水分量。
所述試片優(yōu)選利用以下兩種(方法1及方法2)的任意一種方法制作。這兩種方法可以根據(jù)粘接的方法或設置中間層的位置等選擇。
方法1(從盤(光記錄介質)剝離測定的方法) 從制作的光記錄介質的記錄層剝離上部(從中間層到覆蓋層)。將剝離的薄膜(覆蓋層)對準開口部進行切口。用鋁掩蓋一部分，使透過面積成為5cm2，成為試片。
方法2(在基板上貼合之前進行測定的方法) 將貼合前的覆蓋層(保護層)對準單元的開口部進行切口。用鋁掩蓋一部分，使透過面積成為5cm2，成為試片。此時，通常設置于記錄層上的中間層以相同條件在覆蓋薄膜上成膜，成為薄膜狀的覆蓋層。
覆蓋層是以規(guī)定溫度在中間層上涂布已真空脫氣泡的所述UV固化性粘接劑，形成涂布膜，在該涂布膜上貼合保護層，從該保護層上照射光，使涂布膜固化從而形成的。這樣形成的覆蓋層的厚度優(yōu)選為0.01～0.2mm的范圍，更優(yōu)選為0.03～0.1mm的范圍，進而優(yōu)選為0.05～0.095mm的范圍。
作為UV固化性粘接劑，優(yōu)選使用25℃下固化前的粘度為130mPa·s以上590mPa·s以下的UV固化性粘接劑。該UV固化性粘接劑的粘度更優(yōu)選為140mPa·s以上500mPa·s以下，進而優(yōu)選為150mPa·s以上400mPa·s以下。如果該粘度不到130mPa·s，則即使進行了脫氣泡，UV固化性粘接劑的氣泡可能沒有脫掉，如果超過590mPa·s，則可能會發(fā)生厚度不均。另外，UV固化性粘接劑的固化收縮率優(yōu)選為9％以下。
所述UV固化性粘接劑優(yōu)選利用旋涂法，從光記錄介質的外周向30mm以內的區(qū)域噴出，進行涂布。此時，例如一邊在30～8000rpm范圍改變一邊旋轉光記錄介質，使該UV固化性粘接劑遍布整個面。如果這樣涂布UV固化性粘接劑，可以進一步減少覆蓋層的厚度不均。
作為UC固化性粘接劑，為了防止盤的翹曲，優(yōu)選具有小的固化收縮率。作為這樣的UV固化性粘接劑，例如可以舉出大日本油墨化學工業(yè)(株)制的“SD-640”及“SD-347”等UV固化性粘接劑。
在UV固化性粘接劑的使用中，必需在以下的化合物中添加光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑使用芳香族酮。對芳香族酮沒有特別限定，但產生作為紫外線照射光源通常使用的汞燈的明線光譜。優(yōu)選在254、313、865nm的波長下吸光系數(shù)較大。作為其代表例，包括乙酰苯酮、苯甲酮、苯偶姻乙醚、芐基甲基酮縮醇、芐基乙基酮縮醇、苯偶姻異丁酮、羥基二甲基苯酮、1-羥基環(huán)己基苯酮、2-2二乙氧基乙酰苯、米希勒(Michler’s)酮等，可以使用各種芳香族酮。芳香族酮的混合比率，相對化合物(a)100質量份，為0.5～20質量份，優(yōu)選為2～15質量份，進而優(yōu)選為3～10質量份。作為紫外線固化型粘接劑，有預先添加了光引發(fā)劑的紫外線固化型粘接劑出售，也可以使用。作為紫外線光源，使用汞燈。汞燈使用20～200W/cm的燈，以速度0.3m/分鐘～20m/分鐘使用?；w與汞燈之間的距離通常優(yōu)選為1～30cm。
此外，在保護層的貼合面設置膠粘劑的情況下，貼合后的膠粘劑構成的層成為粘接層。
另外，在本實施方式的光記錄介質中，在反射層與記錄層之間，可以根據(jù)記錄層的特性形成電介質層或光透過層。例如，可以設置用于提高與記錄層的粘接性的光透過層，在設置相變化型的記錄層的情況下，也可以設置用于放熱的電介質層。作為電介質層，優(yōu)選使用含有Zn、Si、Ti、Te、Sn、Mo、Ge等的氮化物、氧化物、碳化物或硫化物的材料，也可以為ZnS-SiO2之類的電介質。作為光透過層，只要在激光波長下為90％以上的透過率即可，可以使用任意材料。
所述電介質層或光透過層可以利用以往公知的方法形成。電介質層的厚度優(yōu)選為1～100nm。光透過層的厚度優(yōu)選為2～50nm。
另外，也可以在透明片材上設置硬涂層。硬涂層是為了防止受損的層，作為其材料，優(yōu)選使用輻射線固化樹脂。作為硬涂層中使用的輻射線固化樹脂，只要是可以利用放射線照射固化的樹脂即可，更具體而言，優(yōu)選在分子中具有2個以上放射線官能性的雙鍵的樹脂。
例如可以舉出丙烯酸酯類、丙烯酰胺類、甲基丙烯酸酯類、甲基丙烯酰胺類、丙烯酸化合物、乙烯醚類、乙烯酯類等。其中，優(yōu)選2官能以上的丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物。
在某另一個實施方式(主要可以適用于實施方式B-E，但不限定于此)中，覆蓋層是為了使光記錄介質內部免于污染、損傷及沖擊等，或者防止水分的浸入等而形成的。作為材料，只要是透明的材質即可，沒有特別限定，可以優(yōu)選舉出在含有聚碳酸酯或三乙酸纖維素等的保護層的至少一面賦予膠粘劑的覆蓋層。
此外，“透明”是指透明到可以使記錄光及再生光的光透過(透過率90％以上)的意思。
為了防止保護層受損，也可以在保護層的賦予膠粘劑的一面的相反面形成硬涂層。優(yōu)選如下所述地在記錄層上形成這種保護層。
首先，在繞成輥狀的保護層的一面，連續(xù)地涂布輻射線固化樹脂涂布液。向利用涂布形成的涂膜連續(xù)照射放射線，使其固化，在保護層上設置硬涂層。然后，在保護層的另一面連續(xù)地設置有膠粘劑構成的膠粘層，將設置了硬涂層及膠粘層的保護層打通成規(guī)定的形狀(盤狀)。將該盤狀的保護層的膠粘層作為貼合面，在記錄層上設置該保護層，形成覆蓋層。其中，保護層的貼合方法等只是例示，可以適用各種方法。
保護層的厚度優(yōu)選在0.03～0.15mm的范圍，更優(yōu)選在0.05～0.12mm的范圍。通過在這樣的范圍，操作變得容易，而且還可以抑制彗星像差。
作為膠粘劑，可以使用丙烯酸系、橡膠系、硅系的膠粘劑，但從透明性、耐久性的觀點出發(fā)，優(yōu)選丙烯酸系的膠粘劑。作為這種丙烯酸系的膠粘劑，優(yōu)選使用將丙烯酸2-乙基己基酯、丙烯酸正丁酯等為主要成分，為了提高凝聚力而共聚合短鏈的丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸酯例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯與能夠成為與交聯(lián)劑的交聯(lián)點的丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酰胺衍生物、馬來酸、丙烯酸羥基乙基酯、丙烯酸縮水甘油酯等得到的產物?？梢酝ㄟ^適當調節(jié)主要成分、短鏈成分和用于附加交聯(lián)點的成分的混合比率、種類，來改變玻璃化溫度(Tg)或交聯(lián)密度。此外，還可以使用預先賦予了膠粘劑的市售的保護層。
另外，作為硬涂層中使用的輻射線固化樹脂，只要是可以利用放射線照射固化的樹脂即可，更具體而言，優(yōu)選在分子中具有2個以上放射線官能性的雙鍵的樹脂。
例如可以舉出丙烯酸酯類、丙烯酰胺類、甲基丙烯酸酯類、甲基丙烯酰胺類、丙烯酸化合物、乙烯醚類、乙烯酯類等。其中，優(yōu)選2官能以上的丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物。
接著，對向本發(fā)明的光記錄介質記錄信息的方法及已記錄的信息的再生方法進行說明。
信息向光記錄介質的記錄例如如下所述地進行。
首先，以定線速度使光記錄介質旋轉，從保護層側(基板的相反側)，照射記錄用的350～500nm(優(yōu)選400～440nm)的激光。利用該激光的照射，記錄層吸收該光，溫度局部上升，產生物理或化學變化(例如凹坑的產生)，其光學特性變化。利用該光學特性的變化，記錄信息。
作為具有350～500nm的激發(fā)波長的激光光源，例如可以舉出具有390～415nm的范圍的激發(fā)波長的藍紫色半導體激光、中心激發(fā)波長約為430nm的藍紫色SHG激光等。
另外，為了提高記錄密度，拾波器中使用的物鏡的開口率(NA)優(yōu)選為0.7以上，更優(yōu)選為0.80以上。
另一方面，記錄的信息的再生可以通過以與上述相同的定線速度使光記錄介質旋轉，同時從保護層側照射與在信息的記錄中使用的激光為相同波長或其以下的波長的激光，檢測其反射光來進行。
以下記載本發(fā)明的例示實施方式。
<1>一種光記錄介質，其是在基板上依次具有記錄層、中間層、粘接層及保護層的光記錄介質，其中， 在將高溫高濕保存試驗前的中間層的厚度設為t時，所述高溫高濕保存試驗后的所述中間層的厚度t1為“0.8t≤t1≤1.2t”，所述高溫高濕保存試驗是在恒溫槽中，在60℃90％RH的狀態(tài)下，保存具備中間層的本發(fā)明的光記錄介質168小時，在其保存前和保存后調查中間層的膜厚變化的比例的試驗。
<2>根據(jù)<1>所述的光記錄介質，其中， 所述中間層的耐酸性試驗后的變化率在20％以內。
<3>根據(jù)<1>或<2>所述的光記錄介質，其中， 所述粘接層及所述保護層構成的覆蓋層的透水率為100g/(m2·d)以下。
<4>根據(jù)<1>～<3>中任意一項所述的光記錄介質，其中， 所述記錄層含有色素。
<5>根據(jù)<1>～<4>中任意一項所述的光記錄介質，其中， 所述中間層含有氧化鉭(V)或氧化鈮(V)。
<6>一種光記錄介質的制造方法，其是具有在基板上至少形成含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的工序的光記錄介質的制造方法，其中， 利用將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體的濺射法形成所述中間層。
<7>根據(jù)<6>所述光記錄介質的制造方法，其中， 氧氣相對所述稀有氣體的流量比率為1/1～1/100。
<8>根據(jù)<6>或<7>所述的光記錄介質的制造方法，其中， 所述中間層含有金屬氧化物。
<9>根據(jù)<6>或<7>所述的光記錄介質的制造方法，其中， 所述中間層含有金屬氧化物，濺射法中的金屬氧化物目標物中的金屬與氧的比率為10/1at％～1/10at％，所述稀有氣體與氧氣的流量比率為1/1～1/100。
<10>根據(jù)<7>或<8>所述的光記錄介質的制造方法，其中， 所述金屬氧化物為Nb的氧化物或Ta的氧化物。
<11>一種光記錄介質，其是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中， 所述中間層是利用將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體的濺射法形成而成的。
<12>根據(jù)<11>所述的光記錄介質，其中， 所述中間層含有Nb的氧化物或Ta的氧化物。
<13>一種光記錄介質，其是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中， 所述中間層滿足下面的條件式(1)。
40％≤A/(A+B)≤100％…條件式(1) (條件式(1)中，A表示氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分的比例，B表示氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分的比例。) <14>根據(jù)<13>所述的光記錄介質，其中， 所述氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分與所述氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分為金屬氧化物。
<15>根據(jù)<14>所述的光記錄介質，其中， 所述金屬氧化物為Nb的氧化物，滿足下面的條件式(2)。
40％≤A/(A+B)≤100％…條件式(2) (條件式(2)中，A表示氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分的比例，B表示氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分的比例。) <16>根據(jù)<14>所述的光記錄介質，其中， 所述金屬氧化物為Ta的氧化物，滿足下面的條件式(3)。
70％≤A/(A+B)≤100％…條件式(3) (條件式(3)中，A表示氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分的比例，B表示氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分的比例。) <17>一種光記錄介質，其是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中， 所述中間層含有在60℃純水中保存2天的保存前和保存后，將SEM-EDX元素分析中的保存前的峰強度設為A、將保存后的峰強度設為B時，滿足下面的條件式(1)的原材料。
0.8≤B/A≤1…條件式(1) <18>根據(jù)<17>所述的光記錄介質，其中， 所述中間層含有金屬氧化物。
<19>根據(jù)<17>或<18>所述的光記錄介質，其中， 所述金屬氧化物為氧化鉭(V)或氧化鈮(V)。
將日本申請2005-115870、2005-115922、2005-115923、及2005-115924的公開全部通過參照加入到本說明書中。
實施例 以下對本發(fā)明的實施例進行詳細說明，但本發(fā)明不被這些所限定， [實施例1] 在厚1.1mm、直徑120mm的具有螺旋狀的槽(軌道間距320nm，溝深45nm，溝寬160nm)的注射模塑成形聚碳酸酯樹脂(帝人公司制聚碳酸酯，商品名パンラィトAD5503)基板的具有槽的一面，濺射Ag，形成120nm的膜厚的反射層。
將酞菁系色素(商品名ォラゾ一ル藍GN，西巴特殊化學藥品(スペシャリティケミカル)公司制)1.00g溶解于2，2，3，3-四氟丙醇100ml中，配制涂布液。利用旋涂法向所述反射層上涂布該涂布液，在23℃50％RH下實施2小時退火處理，形成記錄層。
加熱處理后，利用真空成膜法，使用由Nb2O4.83構成的目標物，用脈沖DC法制膜10nm厚的中間層。接通功率為1.5kW，噴濺氣體使用Ar氣和氧氣，Ar氣流量為50sccm(50ml/分鐘)，O2氣流量為2sccm(2ml/分鐘)。
然后，利用旋涂法，以30～300rpm在30mm以內涂布UV固化性粘接劑，在其上重疊作為覆蓋層(保護層)的聚碳酸酯片材(帝人化成公司制的ピュァェ一ス，厚80μm)，在30rpm～8000rpm的范圍內變化的同時向整個面擴展粘接劑，然后利用UV照射燈照射紫外線使其固化，制作光記錄介質。
其中，利用所述透水率測定方法測定的覆蓋層(粘接層及保護層)的透水率為72g/(m2·d)。另外，試片利用已述的方法1制作。
[實施例2] 使用由Ta2O5構成的目標物，用RF法(接通功率1.0kW)制膜中間層，除此以外，與實施例1同樣地制作光記錄介質。
[實施例3] 作為色素，將ォラゾ一ル藍GN換成下述化學式表示的酞菁系色素X，除此以外，與實施例1同樣地制作光記錄介質。
[化14]
[比較例1] 使用由ZnO-Ga2O3構成的目標物，用RF法(接通功率1.0kW)制膜中間層，除此以外，與實施例1同樣地制作光記錄介質。
[比較例2] 使噴濺氣體中的O2氣的流量為0sccm(0ml/min)，除此以外，與實施例1同樣地制作光記錄介質。
[比較例3] 將聚碳酸酯換成TAC(富士膠片公司制“フジタック”，厚80μm)，除此以外，與實施例1同樣地制作光記錄介質。
[評價] 對在實施例及比較例中制作的光記錄介質，進行如下所述的試驗，分別進行評價。
(高溫高濕保存試驗) 將在實施例及比較例中制作的光記錄介質保存于已調整至60℃90％的高溫高濕槽中168小時。使用具有由以λ＝405nm發(fā)光的藍紫色激光和開口數(shù)NA＝0.85物鏡構成的拾波器的記錄再生裝置DDU1000(パルステック工業(yè)公司制)，進行17LL調制信號的記錄和再生，測定信號再生跳動。
另外，分別準備兩張在實施例及比較例中制作的光記錄介質，將一張保存于已調整至60℃90％的高溫高濕槽中168小時。利用(聚焦·離子·束)法分別切斷保存后的光記錄介質和沒有保存的光記錄介質，利用其切斷面的SEM照片測量中間層的厚度，從保存前的厚度(t)及保存后的厚度(t1)求得膜厚變化的比例。結果如下述表8所示。
(耐酸性) 用與制作光記錄介質時的條件相同的條件，在玻璃板上制膜中間層(厚度可以不同)，切斷為一半，將其一半浸漬于0.1當量的醋酸水溶液，在60℃的環(huán)境下浸漬1天。將浸漬前后的SEM-EDAX的所述中間層中含有的元素的峰(例如如果中間層為NbOx，則為“Nb”)變化作為變化率求得。結果如下述表8所示。
[表8] 從表8的結果可知，高溫高濕保存后的中間層的厚度t1滿足“0.8t≤t1≤1.2t”的關系的實施例的光記錄介質即使在保存后，也為良好的跳動。
[實施例4] 使用帝人化成(株)公司制的聚碳酸酯樹脂(パンラィトAD5503)，通過注射模塑成形，形成厚1.1mm的基板。外槽部的半值寬為120nm、深深為35nm。
在該基板上，使用Ag98.4at％、Nd0.7at％及Cu0.9at％構成的目標物，利用真空成膜法，以100nm的厚度，成膜反射層。接通功率為2kW，Ar流量為5sccm。
稱量并溶解下述化學式表示的有機色素A，使其相對100ml TFP成為2g的比率。向該溶液照射2小時超聲波，使色素溶解，然后在23℃50％RH的環(huán)境下靜置0.5小時以上，用0.2μm的過濾器過濾。使用該液體，利用旋涂法，在反射層上形成厚110nm的記錄層。然后，在80℃的潔凈烤箱中加熱處理1小時。
[化15]
有機色素A 加熱處理后，利用真空成膜法，使用由Nb2O4.83構成的目標物，用脈沖DC濺射法成膜8nm厚的中間層。接通功率為1.5kW，噴濺氣體使用Ar氣和O2，Ar氣流量為10sccm，O2流量為2sccm。
在形成中間層之后，在其一面貼合形成了厚20μm的膠粘層的聚碳酸酯薄膜(厚80μm)，制作光記錄介質。
[實施例5] 使中間層形成時的O2流量為1sccm，除此以外，與實施例4同樣地制作光記錄介質。
[比較例4] 在形成中間層時不使用O2，只為Ar氣，除此以外，與實施例4同樣地制作光記錄介質。
[評價] -斑痕的評價- (1)使用KOWA公司制遠心(telecentric)顯微鏡TL-10，從聚碳酸酯薄膜側觀察已制作的各光記錄介質的色素記錄層表面，觀察斑痕狀缺陷的有無。按照以下評價標準對觀察結果進行評價。結果如表9所示。
-評價標準- C在光記錄介質靜止的狀態(tài)下，觀察到明確的斑痕狀缺陷。
B在光記錄介質靜止的狀態(tài)下，沒有觀察到斑痕狀缺陷，但如果移動光記錄介質，則能夠感覺到觀察視野中的對比度變動(＝可以推斷為存在極微弱的斑痕狀缺陷)。
A無論在光記錄介質靜止的狀態(tài)下、還是活動的狀態(tài)下，都沒有觀察到缺陷。
(2)使其在室溫下經(jīng)時，在11日后、22日后進行與(1)同樣的評價。結果如表9所示。
[表9] -信號特性- 將制作的樣品安裝于搭載有波長407nm、NA＝0.85的激光光學系的DDU-1000(パルステック工業(yè)(株)制)，記錄·再生8T單一信號，用模擬(analog)示波器(oscilloscope)評價8T信號，將8T信號振幅/8T信號H水平作為8T調制度求得。此時，線速為5.28m/s，最優(yōu)化記錄時的激光的發(fā)光圖案來進行。在11日之后，也進行同樣的測定，將“1-”第11日的8T調制度/第1日的8T調制度”作為變化率求得。結果如表10所示。
[表10] 另外，制作后經(jīng)過4天后，將樣品安裝于搭載有波長407nm、NA＝0.85的激光光學系的DDU-1000(パルステック工業(yè)(株)制)，以4mW的功率，記錄·再生2T單一信號，用光譜分析器(spectrum analyzer)評價2T信號載波輸出(16.5MHz)。此時，線速為5.28m/s，最優(yōu)化記錄時的激光的發(fā)光圖案來進行。在18日之后，也進行同樣的測定，將“1-”第18日的CN比/第4日的CN比”作為變化率求得。結果如表11所示。
[表11] 從表9可知，實施例4～5的光記錄介質均為即使保存1～22日也沒有實用上的問題的水平，但比較例4的光記錄介質在保存11日后可見斑痕狀缺陷。
另外，從表10可知，實施例4～5的光記錄介質與比較例4的光記錄介質相比，即使保存1～11日，調制度的變化率也較小，經(jīng)時穩(wěn)定性良好。與此相對， 進而，從表11可知，實施例4～5的光記錄介質與比較例4的光記錄介質相比，即使保存1～18日，CNR的變化率也較小，經(jīng)時穩(wěn)定性良好。
[實施例6] 中間層的膜厚為50nm以上，除此以外，與實施例4同樣地制作光記錄介質。
[實施例7] 使中間層形成時的O2流量為1sccm，以及中間層的層厚為8nm以上，除此以外，與實施例6同樣地制作光記錄介質。
[實施例8] 中間層的層厚為8nm以上，除此以外，與實施例6同樣地制作光記錄介質。
[實施例9] 將中間層形成時的目標物變更成Ta2O5，在中間層形成時不使用O2而只為Ar氣，除此以外，與實施例6同樣地制作光記錄介質。
[實施例10] 將中間層形成時的目標物變更成Ta2O5，使中間層形成時的O2流量為2sccm，除此以外，與實施例6同樣地制作光記錄介質。
[實施例11] 將中間層形成時的目標物變更成Ta2O5，使中間層形成時的O2流量為10sccm，除此以外，與實施例6同樣地制作光記錄介質。
[比較例5] 在中間層形成時不使用O2而只為Ar氣，除此以外，與實施例6同樣地制作光記錄介質。
[比較例6] 使中間層形成時的O2流量為1sccm，除此以外，與實施例6同樣地制作光記錄介質。
[比較例7] 在中間層形成時不使用O2而只為Ar氣，中間層的層厚為8nm，除此以外，與實施例6同樣地制作光記錄介質。
[評價] 《氧化物的比例的測定》 對制作的各光記錄介質，使用X線光電子發(fā)光裝置(島津制作所公司制，AXIS ULTRA)，分析Ar濺射2分鐘后的媒體表面，峰分離得到的金屬的峰，存取具有最大氧化值的金屬峰，求其峰面積比，從其求得主要成分的比例。得到的金屬的峰如圖3～圖11所示。[測定條件；陽極(Anode)モノクロ(monochro)Al，步驟(Step)100eV，傳遞能量(PassEnergy)10eV，掃過(Sweep)數(shù)3次] NbOx及TaOx膜的分析條件如表12所示。
[表12] 《外觀檢查》 使用KOWA公司制遠心顯微鏡TL-10，從聚碳酸酯薄膜側觀察已制作的各光記錄介質的色素記錄層表面，觀察斑痕狀缺陷的有無。按照以下評價標準對觀察結果進行評價。結果如表13所示。
-評價標準- A無論在光記錄介質靜止的狀態(tài)下、還是活動的狀態(tài)下，都沒有觀察到缺陷。
B在光記錄介質靜止的狀態(tài)下，沒有觀察到斑痕狀缺陷，但如果移動光記錄介質，則能夠感覺到觀察視野中的對比度變動(＝可以推斷為存在極微弱的斑痕狀缺陷)。
C在光記錄介質靜止的狀態(tài)下，觀察到明確的斑痕狀缺陷。
[表13] 《記錄特性》 -信號特性- 將制作的樣品安裝于搭載有波長407nm、NA＝0.85的激光光學系的DDU-1000(パルステック工業(yè)(株)制)，記錄·再生8T單一信號，用模擬示波器評價8T信號，將8T信號振幅/8T信號H水平作為8T調制度求得。此時，線速為5.28m/s，最優(yōu)化記錄時的激光的發(fā)光圖案來進行。在11日之后，也進行同樣的測定，將“1-”第11日的8T調制度/第1日的8T調制度”作為變化率求得。結果如表14所示。
[表14] 另外，制作后經(jīng)過4天后，將樣品安裝于搭載有波長407nm、NA＝0.85的激光光學系的DDU-1000(パルステック工業(yè)(株)制)，以4mW的功率，記錄·再生2T單一信號，用光譜分析器評價2T信號載波輸出(16.5MHz)。此時，線速為5.28m/s，最優(yōu)化記錄時的激光的發(fā)光圖案來進行。在18日之后，也進行同樣的測定，將“1-”第18日的CN比/第4日的CN比”作為變化率求得。結果如表13(表15)所示。表13中的“a-2”、“b-2”、“c-2”與表15中的同一符號對應。
[表15] 從表13可知，實施例6～11的光記錄介質與比較例5～7相比，均可以得到良好的外觀。特別是實施例7及8也可以得到記錄特性出色的結果。
[實施例12] 與實施例4同樣地進行，制作光記錄介質。
[實施例13] 中間層形成時的濺射中的目標物為Ta2O5，用RF濺射法成膜，除此以外，與實施例12同樣地制作光記錄介質。
[比較例8] 中間層形成時的濺射中的目標物為Ta2O5，用RF濺射法成膜，以及噴濺氣體只為Ar，除此以外，與實施例12同樣地制作光記錄介質。
[比較例9] 中間層形成時的濺射中的目標物為ZnO·Ga2O3，除此以外，與實施例12同樣地制作光記錄介質。
[比較例10] 中間層形成時的濺射中的目標物為ZnS·SiO2，以及噴濺氣體只為Ar，除此以外，與實施例12同樣地制作光記錄介質。
[比較例11] 中間層形成時的濺射中的目標物為MnOx，以及噴濺氣體只為Ar，除此以外，與實施例12同樣地制作光記錄介質。
[評價] -峰強度比的測定- 與實施例12～13及比較例8～11的中間層的材料及形成方法同樣地進行，在基板上形成膜厚50nm的中間層，分別得到與其的中間層的樣本。就是說，將各樣本的特性看作各記錄介質的中間層的特性，進行以下測定。對這些樣本，利用SEM-EDX(日立制，S-4700)元素分析，測定中間層引起的峰強度(峰強度A)。接著，保存于60℃純水中2天，然后同樣地測定峰強度(峰強度B)，求保存前后的峰強度比(B/A)。結果如表16所示。
-跳動的評價- 將制作的光記錄介質安裝于搭載有波長403nm、NA＝0.85的激光光學系的DDU-1000(パルステック工業(yè)(株)制)，記錄用5.5mW的功率進行了1-7調制的隨機信號(2T～8T)，用0.35W的功率進行再生，評價跳動。此時，線速為5.28m/s，最優(yōu)化記錄時的激光的發(fā)光圖案來進行。使用常規(guī)均衡器(conventional equalizer)測定跳動。結果如表1所示。記錄后，60℃90％RH下保存168小時的樣本的跳動(自身跳動(self jitter))為15％以下，良好。
[表16] 從表16可知，在條件式(1)的范圍內的實施例12～13的光記錄介質的自身跳動均在15％以下，與比較例8～11的光記錄介質相比，可以得到良好的結果。這可能因為中間層相對水的溶解性較低，濕熱保存性良好。
本發(fā)明提供一種可以以高水平維持記錄再生特性的光記錄介質。另外，還提供可以使中間層中的斑痕狀的氧缺損較少，具有良好的經(jīng)時穩(wěn)定性的光記錄介質及其制造方法。另外，還提供外觀良好的光記錄介質。進而，還提供濕熱保存性良好、可以得到出色的記錄特性的光記錄介質。
本說明書中記載的全部文獻、專利申請以及技術規(guī)格通過參照加入到本說明書中，其中，各文獻、專利申請及技術規(guī)格通過參照加入的情況與具體地而且分別地記載的情況為同等程度。
權利要求
1.一種光記錄介質，其是在基板上依次具有記錄層、中間層、粘接層及保護層的光記錄介質，其中，
在將高溫高濕保存試驗前的中間層的厚度設為t時，所述高溫高濕保存試驗后的所述中間層的厚度t1為“0.8t≤t1≤1.2t”，所述高溫高濕保存試驗是在恒溫槽中，在60℃90％RH的狀態(tài)下，保存具備中間層的本發(fā)明的光記錄介質168小時，在其保存前和保存后調查中間層的膜厚變化的比例的試驗。
2.根據(jù)權利要求1所述的光記錄介質，其中，
所述中間層的耐酸性試驗后的變化率在20％以內。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的光記錄介質，其中，
所述粘接層及所述保護層構成的覆蓋層的透水率為100g/(m2·d)以下。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的光記錄介質，其中，
所述記錄層含有色素。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的光記錄介質，其中，
所述中間層含有氧化鉭(V)或氧化鈮(V)。
6.一種光記錄介質的制造方法，其是具有在基板上至少形成含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的工序的光記錄介質的制造方法，其中，
利用將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體的濺射法形成所述中間層。
7.根據(jù)權利要求6所述光記錄介質的制造方法，其中，
氧氣相對所述稀有氣體的流量比率為1/1～1/100。
8.根據(jù)權利要求6或7所述的光記錄介質的制造方法，其中，
所述中間層含有金屬氧化物。
9.根據(jù)權利要求6或7所述的光記錄介質的制造方法，其中，
所述中間層含有金屬氧化物，濺射法中的金屬氧化物目標物中的金屬與氧的比率為10/1at％～1/10at％，所述稀有氣體與氧氣的流量比率為1/1～1/100。
10.根據(jù)權利要求8所述的光記錄介質的制造方法，其中，
所述金屬氧化物為Nb的氧化物或Ta的氧化物。
11.一種光記錄介質，其是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中，
所述中間層是利用將稀有氣體和氧氣用作噴濺氣體的濺射法形成而成的。
12.根據(jù)權利要求11所述的光記錄介質，其中，
所述中間層含有Nb的氧化物或Ta的氧化物。
13.一種光記錄介質，其是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中，
所述中間層滿足下面的條件式(1)，
40％≤A/(A+B)≤100％…條件式(1)
(條件式(1)中，A表示氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分的比例，B表示氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分的比例)。
14.根據(jù)權利要求13所述的光記錄介質，其中，
所述氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分與所述氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分為金屬氧化物。
15.根據(jù)權利要求14所述的光記錄介質，其中，
所述金屬氧化物為Nb的氧化物，滿足下面的條件式(2)，
40％≤A/(A+B)≤100％…條件式(2)
(條件式(2)中，A表示氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分的比例，B表示氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分的比例)。
16.根據(jù)權利要求14所述的光記錄介質，其中，
所述金屬氧化物為Ta的氧化物，滿足下面的條件式(3)，
70％≤A/(A+B)≤100％…條件式(3)
(條件式(3)中，A表示氧化狀態(tài)穩(wěn)定的主要成分的比例，B表示氧化狀態(tài)不穩(wěn)定的成分的比例。)
17.一種光記錄介質，其是在基板上至少具有含有有機色素的記錄層、中間層和覆蓋層的光記錄介質，其中，
所述中間層含有在60℃純水中保存2天的保存前和保存后，將SEM-EDX元素分析中的保存前的峰強度設為A、將保存后的峰強度設為B時，滿足下面的條件式(1)的原材料，
0.8≤B/A≤1…條件式(1)
18.根據(jù)權利要求17所述的光記錄介質，其中，
所述中間層含有金屬氧化物。
19.根據(jù)權利要求17或18所述的光記錄介質，其中，
所述金屬氧化物為氧化鉭(V)或氧化鈮(V)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光記錄介質，其是一種在基板上依次具有記錄層、中間層、粘接層及保護層的光記錄介質，其中，在將高溫高濕保存試驗前的中間層的厚度設為t時，所述高溫高濕保存試驗后的所述中間層的厚度t1為“0.8t≤t1≤1.2t”。
文檔編號G11B7/24GK101160628SQ20068001244
公開日2008年4月9日 申請日期2006年4月12日 優(yōu)先權日2005年4月13日
發(fā)明者角田毅, 片山和俊, 神澤志保, 河野伸幸 申請人:富士膠片株式會社