專(zhuān)利名稱：存儲(chǔ)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器件。
背景技術(shù)：
DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)模塊常常用作諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)或服務(wù)器之類(lèi)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的部件。為了改善DRAM存儲(chǔ)模塊操作的可靠性，在存儲(chǔ)模塊中集成了ECC(糾錯(cuò)碼)功能性。通常，ECC功能性的集成通過(guò)向DRAM存儲(chǔ)模塊添加額外的DRAM芯片或者通過(guò)將ECC功能性直接集成到DRAM存儲(chǔ)模塊的DRAM存儲(chǔ)芯片中來(lái)實(shí)現(xiàn)。
包括ECC功能性的DRAM存儲(chǔ)模塊的缺點(diǎn)在于DRAM存儲(chǔ)模塊的布局比“普通”存儲(chǔ)模塊的布局更復(fù)雜。通常，包括ECC功能性的DRAM存儲(chǔ)模塊的插塞接觸顯示出比不具有ECC功能性的存儲(chǔ)模塊的插塞接觸更多的引腳。
具有ECC功能性的存儲(chǔ)器件是所希望的，其類(lèi)似具有ECC功能性的普通存儲(chǔ)器件那樣具有更透明且簡(jiǎn)單的體系結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器件包括至少兩個(gè)DRAM存儲(chǔ)模塊、為存儲(chǔ)模塊提供ECC功能性的至少一個(gè)外部ECC模塊、和存儲(chǔ)控制器。存儲(chǔ)模塊通過(guò)相應(yīng)的存儲(chǔ)通道連接到存儲(chǔ)控制器。外部ECC模塊通過(guò)公共ECC通道連接到存儲(chǔ)控制器。每個(gè)外部ECC模塊被分配給存儲(chǔ)模塊組。一組存儲(chǔ)模塊以及相應(yīng)的ECC模塊被存儲(chǔ)控制器同步操作。
不同存儲(chǔ)模塊組的第一存儲(chǔ)模塊通過(guò)公共存儲(chǔ)通道連接到存儲(chǔ)控制器。上述情況也可適用于不同存儲(chǔ)模塊組的第二、第三等存儲(chǔ)?？?。在這種情況下，為了同步操作一個(gè)存儲(chǔ)模塊組的各存儲(chǔ)模塊，存儲(chǔ)控制器同時(shí)使用多個(gè)存儲(chǔ)通道以便從這些存儲(chǔ)模塊中讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫(xiě)入其中。
根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器件并不具有復(fù)雜的具有ECC功能性的DRAM存儲(chǔ)模塊。另外，也可以使用標(biāo)準(zhǔn)DRAM存儲(chǔ)模塊。ECC功能性集中在外部ECC模塊內(nèi)。因此，不必為存儲(chǔ)模塊的插塞接觸提供另外的引腳(與ECC功能性相關(guān)的)。根據(jù)本發(fā)明，ECC資源被不同的DRAM存儲(chǔ)模塊共享。由此，節(jié)省了ECC資源。
存儲(chǔ)模塊組的存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)密度與分配給該存儲(chǔ)模塊組的外部ECC模塊的存儲(chǔ)密度基本相同。或者，外部ECC模塊的存儲(chǔ)密度是相應(yīng)存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)密度的一半。一般說(shuō)來(lái)，存儲(chǔ)密度(存儲(chǔ)模塊)與存儲(chǔ)密度(外部ECC模塊)的比率取決于分配給相應(yīng)ECC模塊的存儲(chǔ)模塊的數(shù)量、存儲(chǔ)模快所用存儲(chǔ)芯片的類(lèi)型、外部ECC模塊、以及“所用ECC功能性/現(xiàn)有ECC功能性”的比率。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊組的存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)芯片與分配給該存儲(chǔ)模塊組的外部ECC模塊的存儲(chǔ)芯片基本相同。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)模塊組的存儲(chǔ)模塊以及分配給該存儲(chǔ)模塊組的外部ECC模塊的存儲(chǔ)芯片顯示出“×8”存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，每個(gè)存儲(chǔ)模塊包括四行列(rank)的存儲(chǔ)芯片。然而，可以使用更多或更少行列的存儲(chǔ)芯片。
根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，每個(gè)存儲(chǔ)模塊的第一存儲(chǔ)行列借助點(diǎn)對(duì)點(diǎn)CA總線連接連接到存儲(chǔ)控制器。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，至少一組存儲(chǔ)模塊包括兩個(gè)存儲(chǔ)模塊。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，至少一組存儲(chǔ)模塊包括四個(gè)存儲(chǔ)模塊。
在存儲(chǔ)模塊組包括四個(gè)存儲(chǔ)模塊的情況下，例如，這些存儲(chǔ)模塊的插塞接觸的所選配置與外部ECC模塊的插塞接觸的配置基本相同。另外，對(duì)于存儲(chǔ)模塊和外部ECC模塊兩者來(lái)說(shuō)可以使用基本相同的模塊。


下面將借助實(shí)例同時(shí)參考附圖來(lái)解釋本發(fā)明，其中圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)器件。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器件的第一實(shí)施例。
圖3示出說(shuō)明圖2所示存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)存取方案的示意圖。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器件的第二實(shí)施例。
圖5示出說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器件的實(shí)施例中使用的存儲(chǔ)模塊的體系結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6示出說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器件的實(shí)施例中使用的存儲(chǔ)模塊的體系結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7示出說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器件的實(shí)施例中使用的存儲(chǔ)模塊的體系結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖8示出用于存取根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器件的外部ECC模塊的可能的存取方案。
在圖中，相同元件/零件或彼此對(duì)應(yīng)的元件/零件用相同參考數(shù)字表示。
具體實(shí)施例方式
圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)器件100。存儲(chǔ)器件100具有四個(gè)DRAM存儲(chǔ)模塊1和存儲(chǔ)控制器2。每個(gè)存儲(chǔ)模塊1通過(guò)相應(yīng)存儲(chǔ)通道3連接到存儲(chǔ)控制器2。在該實(shí)施例中，至少兩個(gè)存儲(chǔ)模塊1連接到每個(gè)存儲(chǔ)通道3。每個(gè)存儲(chǔ)模塊1具有兩行列的DRAM存儲(chǔ)芯片4，即八個(gè)存儲(chǔ)芯片。存儲(chǔ)控制器2連接到中央處理器(CPU)(未示出)并用作存儲(chǔ)?？?和CPU之間的接口。
存儲(chǔ)器件100沒(méi)有顯示出任何ECC功能性。構(gòu)成本發(fā)明的基礎(chǔ)的問(wèn)題是發(fā)現(xiàn)一種用以為存儲(chǔ)器件100或類(lèi)似存儲(chǔ)器件提供ECC功能性的容易且透明的方式。
參考圖2，根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器件200的示例性實(shí)施例包括四個(gè)DRAM存儲(chǔ)模塊1和為存儲(chǔ)?？?提供ECC功能性的兩個(gè)外部ECC模塊5。每個(gè)存儲(chǔ)模塊1通過(guò)存儲(chǔ)通道3連接到存儲(chǔ)控制器2。ECC模塊5通過(guò)公共ECC通道6連接到存儲(chǔ)控制器2。ECC模塊5是外部模塊，即ECC模塊5不是存儲(chǔ)模塊1的部分。更確切地說(shuō)，ECC模塊5具有它們自己的電插塞接觸。每個(gè)外部ECC模塊5被分配給存儲(chǔ)模塊1組。在該實(shí)例中，第一存儲(chǔ)模塊組A包括第一存儲(chǔ)模塊11和第二存儲(chǔ)模塊12。第二存儲(chǔ)模塊組B包括第三存儲(chǔ)模塊13和第四存儲(chǔ)模塊14。第一外部ECC模塊51被分配給第一存儲(chǔ)模塊組A，以及第二ECC模塊52被分配給第二存儲(chǔ)模塊組B。第一ECC模塊51的資源被第一存儲(chǔ)模塊11和第二存儲(chǔ)模塊12兩者使用。第二ECC模塊52的資源被第三存儲(chǔ)模塊13和第四存儲(chǔ)模塊14使用。
在該實(shí)例中，安裝在存儲(chǔ)模塊1上的存儲(chǔ)芯片4和安裝在ECC模塊5上的存儲(chǔ)芯片4具有基本相同的存儲(chǔ)密度和“×8”存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)(“×8”)。由此，存儲(chǔ)模塊1和ECC模塊5所使用的存儲(chǔ)芯片4可以是相同的。
存儲(chǔ)模塊組的各存儲(chǔ)模塊被同步操作，即每次從特定存儲(chǔ)模塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)，也從相同存儲(chǔ)模塊組的其它存儲(chǔ)模塊讀取數(shù)據(jù)。這樣，沒(méi)有浪費(fèi)ECC模塊5的任何資源。
圖3示出在一個(gè)存儲(chǔ)存取循環(huán)期間從每個(gè)存儲(chǔ)模塊1或存儲(chǔ)模塊組A、B以及相應(yīng)的ECC模塊5中讀取了多少位。正如從圖3可以得出的，在一個(gè)存儲(chǔ)存取間隔期間讀取了72位(72位來(lái)自每個(gè)存儲(chǔ)模塊1以及8位來(lái)自相應(yīng)的ECC模塊5)。
在圖4中，示出根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器件的第二實(shí)施例。在該實(shí)施例中，使用了四個(gè)存儲(chǔ)通道3。存儲(chǔ)控制器2連接到至少四個(gè)存儲(chǔ)模塊1。每個(gè)存儲(chǔ)模塊通過(guò)單獨(dú)的存儲(chǔ)通道3，即借助點(diǎn)對(duì)點(diǎn)CA總線連接連接到存儲(chǔ)控制器2。
該示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)?？旖MC包括第一、第二、第三、和第四存儲(chǔ)模塊11、12、13、14。ECC模塊51被分配給該存儲(chǔ)模塊組C。另外，存儲(chǔ)模塊組D包括第五、第六、第七、和第八存儲(chǔ)模塊15、16、17、18，第二ECC模塊52被分配給該存儲(chǔ)模塊組D。
如圖4所示，可以添加另外的存儲(chǔ)模塊組(以及與其對(duì)應(yīng)的另外的ECC模塊)。另外的存儲(chǔ)模塊組(以及與其對(duì)應(yīng)的另外的ECC模塊)也可以添加到圖2所示的實(shí)施例。
由此，第一存儲(chǔ)模塊11、15通過(guò)第一存儲(chǔ)通道31連接到存儲(chǔ)控制器2，每個(gè)存儲(chǔ)模塊組C、D的第二存儲(chǔ)模塊12、16通過(guò)第二存儲(chǔ)通道32連接到存儲(chǔ)控制器2，等等。
在插塞接觸(其使模塊與存儲(chǔ)通道3相連)和存儲(chǔ)芯片4的設(shè)計(jì)方面ECC模塊5與存儲(chǔ)模塊1基本相同?；蛘撸粝旅總€(gè)ECC模塊5的一行列的存儲(chǔ)芯片4，或者使用存儲(chǔ)模塊1所用的存儲(chǔ)密度的一半。
如圖5-7所示，每個(gè)存儲(chǔ)模塊1在前側(cè)設(shè)有存儲(chǔ)芯片4(行列0和行列1)?；蛘?，每個(gè)存儲(chǔ)模塊1的后側(cè)設(shè)有兩行列的存儲(chǔ)芯片4(行列2和行列3)。對(duì)于本發(fā)明的每個(gè)示例性實(shí)施例來(lái)說(shuō)，這種變化是可以的。采用相同的方式，ECC模塊5的后側(cè)具有存儲(chǔ)芯片。
參考圖8，ECC模塊5可以用多種方式來(lái)處理。
根據(jù)第一方面，本發(fā)明涉及在多存儲(chǔ)通道系統(tǒng)中具有標(biāo)準(zhǔn)模塊的ECC支持，該標(biāo)準(zhǔn)模塊具有采用“×8”結(jié)構(gòu)的4芯片行列。大多數(shù)現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)DRAM模塊使用八個(gè)DRAM芯片，它們被配置成×8(×8)結(jié)構(gòu)，即每個(gè)芯片傳送8位數(shù)據(jù)，以及每一存取和單位間隔(數(shù)據(jù)位時(shí)間)模塊傳送總共64個(gè)數(shù)據(jù)位。如果需要ECC，則一般將使用“×8”結(jié)構(gòu)的第九DRAM芯片添加到模塊以提供ECC功能性。
新存儲(chǔ)技術(shù)例如NMT使用具有每一行列四個(gè)DRAM(數(shù)據(jù))芯片的DRAM模塊。將ECC添加到這種結(jié)構(gòu)傳統(tǒng)上利用內(nèi)部ECC解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。在每一行列四個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)中，添加使用“×8”結(jié)構(gòu)的第五DRAM芯片，即添加使用“×4”結(jié)構(gòu)的第五DRAM芯片，或者通過(guò)利用使用“×9”結(jié)構(gòu)的四個(gè)DRAM芯片。這三種ECC方法具有缺點(diǎn)。第一種方法使用第五芯片的一半。第二和第三種方法需要用于“×4”和“×9”結(jié)構(gòu)的單獨(dú)芯片設(shè)計(jì)。另外，與無(wú)ECC的模塊相比，對(duì)于ECC模塊，內(nèi)部ECC解決方案在連接器上需要更高的引腳數(shù)，即ECC模塊需要單獨(dú)的連接器。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，不需要專(zhuān)門(mén)的連接器。代替地，使用用以從外部存儲(chǔ)四個(gè)數(shù)據(jù)DRAM模塊的ECC數(shù)據(jù)的、具有采用“×8”結(jié)構(gòu)的每一行列四個(gè)芯片的、附加的標(biāo)準(zhǔn)無(wú)ECC的DRAM DIMM。該解決方案要求系統(tǒng)配有多個(gè)4+1模塊。另外，對(duì)于這些模塊(4個(gè)數(shù)據(jù)+1個(gè)ECC模塊)，需要4+1存儲(chǔ)通道來(lái)獲得類(lèi)似的等待時(shí)間和響應(yīng)性能。對(duì)于每一存儲(chǔ)存取(RD/WR等)，存儲(chǔ)控制器將該存取發(fā)送給數(shù)據(jù)模塊，并同時(shí)發(fā)送給ECC模塊。為了能夠與通道并行地實(shí)現(xiàn)上述，第一行列中的每個(gè)芯片具有與存儲(chǔ)控制器的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)CA總線連接。該實(shí)施例尤其可應(yīng)用于服務(wù)器市場(chǎng)。如上所述，在該實(shí)施例中，使用標(biāo)準(zhǔn)DIMM模塊代替專(zhuān)門(mén)的ECC模塊來(lái)存儲(chǔ)ECC信息。為了實(shí)現(xiàn)上述，四個(gè)(存儲(chǔ))通道一起使用。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，對(duì)具有五個(gè)存儲(chǔ)通道的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)實(shí)施ECC解決方案。四個(gè)通道用于數(shù)據(jù)以及一個(gè)附加通道用于ECC信息。在行列0的每個(gè)芯片和存儲(chǔ)控制器之間存在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)CA總線連接。
參考圖5和7，為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，雙側(cè)模塊的兩個(gè)側(cè)合并在一幅圖中?；蛘撸瑢?duì)于兩個(gè)側(cè)，可以使用堆疊芯片代替如圖所示的兩個(gè)分開(kāi)的芯片。
根據(jù)第二方面，本發(fā)明涉及在雙存儲(chǔ)通道系統(tǒng)中用于采用“×8”結(jié)構(gòu)的4芯片行列的外部ECC支持。在雙存儲(chǔ)通道系統(tǒng)中不需要“×4”DRAM芯片設(shè)計(jì)。對(duì)于每個(gè)DRAM數(shù)據(jù)模塊對(duì)，代替使用兩個(gè)外部ECC模塊，而使用采用“×8”結(jié)構(gòu)的一個(gè)ECC模塊，由此節(jié)省了一半數(shù)量的ECC模塊。外部ECC模塊具有兩倍于“×4”結(jié)構(gòu)ECC模塊的密度。單個(gè)“×8”ECC模塊被兩個(gè)DRAM數(shù)據(jù)模塊共享。為了能夠?qū)崿F(xiàn)上述，兩個(gè)通道以同步方式操作，即兩個(gè)通道內(nèi)的模塊基本同時(shí)被使用，并類(lèi)似具有兩倍總線寬度的一個(gè)模塊那樣起作用。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，使用單個(gè)外部“×8”ECC模塊來(lái)代替使用每一行列四個(gè)數(shù)據(jù)DRAM芯片的同步操作雙通道系統(tǒng)中的兩個(gè)外部“×4”ECC模塊。
根據(jù)圖5-7，存儲(chǔ)模塊是例如雙側(cè)的前側(cè)兩個(gè)行列，每個(gè)具有四個(gè)采用“×8”體系結(jié)構(gòu)的芯片。
后側(cè)兩個(gè)行列，每個(gè)具有四個(gè)采用“×8”體系結(jié)構(gòu)的芯片。
由此，在DRAM模塊上提供總共四個(gè)行列。短語(yǔ)“×8結(jié)構(gòu)”意味著每一芯片每一存取每一單位間隔(數(shù)據(jù)位時(shí)間)DRAM芯片傳送8位。
例如對(duì)雙存儲(chǔ)通道系統(tǒng)結(jié)構(gòu)實(shí)施ECC解決方案。這種結(jié)構(gòu)同時(shí)使用兩個(gè)模塊用于存儲(chǔ)存取(讀或?qū)懙?。這意味著兩個(gè)模塊基本同時(shí)被使用，并類(lèi)似具有兩倍總線寬度的一個(gè)模塊那樣起作用。
來(lái)自每個(gè)DRAM芯片的數(shù)據(jù)位例如被集中，如圖3所示。8個(gè)ECC位的分開(kāi)根據(jù)數(shù)據(jù)位與ECC位的同步容易性來(lái)完成。用以將ECC位分布到兩個(gè)存儲(chǔ)通道的可能的方法在圖8中示出。
盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的具體實(shí)施例詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯然，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可在其中進(jìn)行各種改變和修改。因此，本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明的各修改和變型，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求及其等同替換物的范圍內(nèi)。
參考標(biāo)記列表100、200、300存儲(chǔ)器件1存儲(chǔ)模塊2存儲(chǔ)控制器3存儲(chǔ)通道4存儲(chǔ)芯片5ECC模塊6ECC通道A、B、C、D存儲(chǔ)模塊組
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器件，包括至少兩個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器存儲(chǔ)模塊；為存儲(chǔ)模塊提供糾錯(cuò)碼功能性的至少一個(gè)外部糾錯(cuò)碼模塊，以及存儲(chǔ)控制器，其中存儲(chǔ)模塊通過(guò)相應(yīng)的存儲(chǔ)通道連接到存儲(chǔ)控制器，外部糾錯(cuò)碼模塊通過(guò)公共糾錯(cuò)碼通道連接到存儲(chǔ)控制器，每個(gè)外部糾錯(cuò)碼模塊被分配給存儲(chǔ)模塊組，以及一組存儲(chǔ)模塊連同相應(yīng)的糾錯(cuò)碼模塊一起可被存儲(chǔ)控制器同步操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器件，其中存儲(chǔ)模塊組的存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)密度與分配給該存儲(chǔ)模塊組的外部糾錯(cuò)碼模塊的存儲(chǔ)密度基本相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器件，其中存儲(chǔ)模塊的存儲(chǔ)芯片與分配給存儲(chǔ)模塊組的外部糾錯(cuò)碼模塊的存儲(chǔ)芯片基本相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器件，其中存儲(chǔ)模塊組的存儲(chǔ)模塊以及分配給該存儲(chǔ)模塊組的外部糾錯(cuò)碼模塊的存儲(chǔ)芯片顯示出×8存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)存儲(chǔ)模塊包括四行列的存儲(chǔ)芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的存儲(chǔ)器件，其中每個(gè)存儲(chǔ)模塊的第一存儲(chǔ)行列借助點(diǎn)對(duì)點(diǎn)CA總線連接連接到存儲(chǔ)控制器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器件，其中至少一組存儲(chǔ)模塊包括兩個(gè)存儲(chǔ)模塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器件，其中至少一組存儲(chǔ)模塊包括四個(gè)存儲(chǔ)模塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲(chǔ)器件，其中存儲(chǔ)模塊組的存儲(chǔ)模塊的電連接配置與分配給該存儲(chǔ)模塊組的外部糾錯(cuò)碼模塊的電連接配置基本相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲(chǔ)器件，其中存儲(chǔ)模塊組的存儲(chǔ)模塊與分配給該存儲(chǔ)模塊組的外部糾錯(cuò)碼模塊基本相同。
全文摘要
一種存儲(chǔ)器件包括至少兩個(gè)DRAM存儲(chǔ)模塊、至少一個(gè)外部ECC模塊、和存儲(chǔ)控制器。外部ECC模塊為存儲(chǔ)模塊提供ECC功能性。每個(gè)存儲(chǔ)模塊通過(guò)相應(yīng)的存儲(chǔ)通道連接到存儲(chǔ)控制器。外部ECC模塊通過(guò)公共ECC通道連接到存儲(chǔ)控制器。每個(gè)外部ECC模塊被分配給存儲(chǔ)模塊組。一組存儲(chǔ)模塊以及相應(yīng)的ECC模塊被存儲(chǔ)控制器同步操作。
文檔編號(hào)G11C29/48GK1881478SQ20061009367
公開(kāi)日2006年12月20日 申請(qǐng)日期2006年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月14日
發(fā)明者C·魏斯, S·卡爾姆斯, H·魯克鮑爾 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份公司