專利名稱：用于光學(xué)信號(hào)的過渡偏移定時(shí)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種確定來自光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)信號(hào)中的過渡偏移定時(shí)的方法，并且涉及與對(duì)于光學(xué)記錄介質(zhì)優(yōu)化寫入策略和分析寫入質(zhì)量相結(jié)合地應(yīng)用所述方法。

背景技術(shù)：
近年來，向/從光盤寫入/讀取信息的技術(shù)已經(jīng)取得巨大進(jìn)展。隨著技術(shù)的進(jìn)步，已經(jīng)出現(xiàn)了多種類型的記錄格式和相應(yīng)的介質(zhì)。當(dāng)今在市場(chǎng)上尤其存在只讀介質(zhì)(即諸如用于音樂重放的ROM盤)、一次性寫入光盤(其中數(shù)據(jù)只能被寫入一次，但是可以被讀取多次)以及用于多次記錄和擦除數(shù)據(jù)的可重寫盤。這三種不同格式分別具有其存在的目的，并且各有其優(yōu)缺點(diǎn)。對(duì)于所述三種類型都希望增大數(shù)據(jù)容量，從而可以在單一盤上存在或提供更多的數(shù)據(jù)。
然而，對(duì)于數(shù)據(jù)容量的大小存在許多限制因素。一個(gè)重要的因素是光點(diǎn)的大小，其在高容量盤上變得幾乎與盤上的最小光學(xué)效應(yīng)的大小一樣大。在該極限下，可能由所述光點(diǎn)檢測(cè)到多于單個(gè)比特的信息，從而導(dǎo)致符號(hào)間干擾(ISI)。
在藍(lán)光光盤(BD)格式中，有可能對(duì)于高達(dá)27GB的容量分析切分器跨越(slicer crossing)之間的時(shí)間，從而確定所述光學(xué)效應(yīng)的長(zhǎng)度。但是對(duì)于高于27GB的容量就不再可能明確地確定切分器水平，此外，與最佳功率校準(zhǔn)(OPC)相結(jié)合地用于調(diào)節(jié)記錄模式下的寫入策略的公知的抖動(dòng)分析也是不可能的。
本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)意識(shí)到，當(dāng)前不存在用來分析其容量在30-37GB范圍內(nèi)的光學(xué)介質(zhì)上的已寫入效應(yīng)的長(zhǎng)度的解決方案，而這種解決方案是有益的，因此本發(fā)明人設(shè)計(jì)了本發(fā)明。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明試圖提供用于檢測(cè)和分析光學(xué)介質(zhì)上的已寫入效應(yīng)的改進(jìn)的裝置。優(yōu)選地，本發(fā)明單獨(dú)地或者以任意組合緩解或減輕一個(gè)或多個(gè)上述缺陷或其他缺陷。
相應(yīng)地，在第一方面提供一種確定來自光學(xué)記錄介質(zhì)的所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)中的一系列通道比特中的過渡偏移的定時(shí)的方法，該光學(xué)信號(hào)包括從具有第一寬度的第一區(qū)域反射的第一部分以及從具有第二寬度的第二區(qū)域反射的第二部分，其中，從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過渡被標(biāo)記為由第一和第二寬度索引的前沿，并且從第二區(qū)域到第一區(qū)域的過渡被標(biāo)記為由第二和第一寬度索引的后沿，該方法包括以下步驟 a)以中心孔徑信號(hào)(CA信號(hào))的形式提供所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)的值； b)提供對(duì)應(yīng)于所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)的調(diào)制比特； c)通過光學(xué)通道模型計(jì)算模型信號(hào)，所計(jì)算的模型包括所述前沿和后沿的輸入定時(shí)，所述輸入定時(shí)是一系列輸入過渡偏移； d)從考慮到所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)、所述調(diào)制比特和所計(jì)算的模型信號(hào)的數(shù)學(xué)模型確定所述前沿和后沿的輸出定時(shí)，所述輸出定時(shí)是一系列輸出過渡偏移， 其中，在一個(gè)評(píng)估步驟中使用的輸入定時(shí)是在前一個(gè)評(píng)估步驟中確定的輸出定時(shí)，并且所述模型與所測(cè)量的信號(hào)之間的差異與所述輸入定時(shí)一起被用來計(jì)算后續(xù)的輸出定時(shí)；以及 e)繼續(xù)所述評(píng)估序列，直到在特定評(píng)估步驟中獲得的一系列輸出過渡偏移滿足預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)， 其中，最后獲得的一系列輸出過渡偏移是所測(cè)量的CA信號(hào)的通道比特的平均過渡偏移。
所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)(比如來自只讀、一次性寫入、可重寫等等的CD類型盤、DVD類型盤、BD類型盤等等的所測(cè)量的光學(xué)信號(hào))是已調(diào)信號(hào)，其中所述調(diào)制表示存在于該盤上的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。在所述盤上，信息被存儲(chǔ)在光學(xué)效應(yīng)(例如被稱作標(biāo)記)的模式中。對(duì)于信息的典型的編碼是游程長(zhǎng)度編碼，其中信息被存儲(chǔ)在光學(xué)效應(yīng)、光學(xué)效應(yīng)之間的間隔以及所述光學(xué)效應(yīng)和所述間隔的長(zhǎng)度中。盤上的比特模式在所述游程長(zhǎng)度編碼中可以由間隔與光學(xué)效應(yīng)之間的過渡偏移的定時(shí)序列表示?？梢詮倪^渡偏移的類型和所述過渡偏移之間的定時(shí)推斷出比特類型(即光學(xué)效應(yīng)或間隔)和比特長(zhǎng)度。
提供對(duì)應(yīng)于所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)的調(diào)制比特。所述調(diào)制比特可以從所述光學(xué)介質(zhì)中檢測(cè)到，即從所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)中推斷出，或者所述調(diào)制比特可能已經(jīng)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，從而對(duì)于所述系統(tǒng)是已知的。所述調(diào)制比特是從中提取信息的結(jié)果比特，在理想情況下，所述調(diào)制比特對(duì)應(yīng)于所述通道比特(即如其在盤上的比特)，但是過渡偏移可能會(huì)引入差異或者導(dǎo)致惡化的比特確定。
因此，所述光學(xué)信號(hào)包括對(duì)應(yīng)于光是從第一區(qū)域還是第二區(qū)域反射的第一部分和第二部分。在相變類型盤或一次性寫入類型盤中，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域可以被分別標(biāo)識(shí)為間隔和標(biāo)記，而在ROM類型盤中則可以被標(biāo)識(shí)為坑和岸，其他情況依此類推。從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過渡被標(biāo)記為由第一和第二寬度(也被稱作長(zhǎng)度)索引的前沿，并且從第二區(qū)域到第一區(qū)域的過渡被標(biāo)記為由第二和第一寬度(長(zhǎng)度)索引的后沿。在相變類型盤中，前沿指代從高反射率區(qū)域到低反射率區(qū)域的過渡，后沿則指代從低反射率區(qū)域到高反射率區(qū)域的過渡。
有利的是從所測(cè)量的CA信號(hào)與所計(jì)算的所述CA信號(hào)的模型信號(hào)之間的比較來確定一系列通道比特中的過渡偏移的定時(shí)，這是由于所述CA信號(hào)是所檢測(cè)到的信號(hào)并且最后獲得的一系列輸出過渡偏移是所測(cè)量的CA信號(hào)的通道比特的平均過渡偏移，從而直接反映了如其在盤上的過渡偏移。
本發(fā)明的方法使得即使對(duì)于高于30GB(比如在30-37GB的范圍內(nèi))的數(shù)據(jù)容量也有可能獲得如其在盤上的過渡偏移。由于當(dāng)前沒有替換的方法存在，因此這是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。
可以用一個(gè)線性光學(xué)模型來數(shù)學(xué)地表示所計(jì)算的模型信號(hào)(即所計(jì)算的模型CA信號(hào))，該線性光學(xué)模型由一種離散有限脈沖響應(yīng)(FIR)實(shí)現(xiàn)方式近似。該線性光學(xué)模型可以是Braat-Hopkins模型。使用線性模型是有利的，這是由于存在良好地描述光學(xué)通道的這種模型(例如Braat-Hopkins模型)，并且線性模型十分適合于由處理器裝置實(shí)現(xiàn)的自動(dòng)建模。
所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)和所計(jì)算的模型信號(hào)都可以通過比特同步近似來表示，所述同步是與所述光學(xué)介質(zhì)上的調(diào)制比特的同步。這樣做是有利的，因?yàn)楣鈱W(xué)設(shè)備通過PLL機(jī)制把所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)相位鎖定到一個(gè)由設(shè)備生成的時(shí)鐘信號(hào)，從而所述模型信號(hào)反映了在所述設(shè)備中處理的真實(shí)的所測(cè)量的信號(hào)。
可以在一個(gè)誤差環(huán)路中把所述模型與所測(cè)量的信號(hào)之間的差異最小化，其中被最小化的參數(shù)是所測(cè)量的信號(hào)與所計(jì)算的模型信號(hào)之間的差異的均方誤差。這樣做是有利的，因?yàn)檫@種最小化方法是非常完善的，并且這種方法在找到大參數(shù)間隔中的適當(dāng)?shù)淖钚≈捣矫婵赡苁囚敯舻?，并且其中可以提供一個(gè)被用作所述模型與所測(cè)量的信號(hào)之間的充分匹配的量度的適當(dāng)?shù)念A(yù)定標(biāo)準(zhǔn)。該預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)可以是所測(cè)量的信號(hào)的一個(gè)數(shù)值或百分比，其中所述誤差應(yīng)當(dāng)?shù)陀谠摂?shù)值或百分比。然而，所述預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)也可以是應(yīng)當(dāng)被執(zhí)行的給定數(shù)目的評(píng)估步驟(包括單個(gè)評(píng)估步驟)。
可以作為在特定過渡偏移之前的該區(qū)域的寬度和后面的區(qū)域的寬度的函數(shù)來確定所述前沿和后沿的定時(shí)。舉例來說，一個(gè)給定的前沿的定時(shí)可以被確定為特定(或當(dāng)前)標(biāo)記的寬度和前一個(gè)間隔長(zhǎng)度的函數(shù)，并且一個(gè)給定的后沿的定時(shí)可以被確定為特定(或當(dāng)前)標(biāo)記的寬度和下一個(gè)間隔的函數(shù)。這可以用2D矩陣來表示，對(duì)于前沿是L矩陣，其具有被設(shè)置成(當(dāng)前標(biāo)記，前一間隔)的矩陣元素，對(duì)于后沿則是2D T矩陣，其具有被設(shè)置成(當(dāng)前標(biāo)記，下一間隔)的矩陣元素。按照這種方式確定所述前沿和后沿的定時(shí)是有利的，這是因?yàn)槠渲苯犹峁┐嬖谟诒P上的各種模式組合的系統(tǒng)特性，從而直接揭示了所述各種模式組合的時(shí)間定位中的系統(tǒng)誤差。因此，這種矩陣表示法提供了一種簡(jiǎn)單有用的資格系統(tǒng)。
在最簡(jiǎn)單的方法中，光學(xué)效應(yīng)被提供給光學(xué)介質(zhì)，這是通過根據(jù)光學(xué)效應(yīng)的期望長(zhǎng)度在預(yù)定持續(xù)時(shí)間內(nèi)以預(yù)定功率電平接通激光，以及在所述光學(xué)效應(yīng)之間在對(duì)應(yīng)于所述間隔的期望長(zhǎng)度的持續(xù)時(shí)間內(nèi)關(guān)斷激光。然而，寫入策略可以比該最簡(jiǎn)單的方法更為復(fù)雜，例如可以與直接覆寫方法(DOW)相結(jié)合，所述直接覆寫方法與相變類型介質(zhì)相結(jié)合地使用。一般來說，利用激光脈沖來寫入光學(xué)效應(yīng)，所述激光脈沖的脈沖形狀由多個(gè)寫入?yún)?shù)表征，這被稱作寫入策略。典型地，所述寫入策略可以用多個(gè)寫入?yún)?shù)來描述，比如用來接通及關(guān)斷激光、把激光功率設(shè)置到特定電平、把激光功率保持給定持續(xù)時(shí)間等等的命令。在把數(shù)據(jù)寫入到新的光學(xué)可記錄介質(zhì)之前校準(zhǔn)(即優(yōu)化)寫入策略是很重要的，有時(shí)甚至是必要的。
描述期望的寫入脈沖的寫入策略可以包括一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)。所述寫入策略可以取決于期望的特定光學(xué)效應(yīng)(即所述效應(yīng)的長(zhǎng)度)以及在用于寫入特定光學(xué)效應(yīng)的寫入脈沖中的寫入?yún)?shù)。可以存在根據(jù)已寫入光學(xué)效應(yīng)的所得到的長(zhǎng)度歸類的標(biāo)準(zhǔn)寫入策略，即用于寫入I2標(biāo)記的I2策略，用于寫入I3標(biāo)記的I3策略等等。所述寫入策略(即包括在特定寫入策略中的寫入?yún)?shù))可以根據(jù)特定類型的前沿和/或后沿的平均過渡偏移而被優(yōu)化。
有利的是能夠把定時(shí)(從而是特定前沿和/或后沿的給定光學(xué)效應(yīng)的定時(shí)中的可能誤差)與寫入脈沖中的一個(gè)或多個(gè)特定寫入?yún)?shù)直接相關(guān)，這是因?yàn)楸忍匦蛄械亩〞r(shí)中的誤差是與最佳情形的偏差，并且將導(dǎo)致惡化的檢測(cè)性能。結(jié)果，從具有非最佳光學(xué)效應(yīng)的介質(zhì)中讀取數(shù)據(jù)容易發(fā)生錯(cuò)誤。能夠把定時(shí)誤差(即光學(xué)效應(yīng)或光學(xué)效應(yīng)之間的間隔的長(zhǎng)度誤差)與一個(gè)或多個(gè)特定寫入?yún)?shù)相關(guān)便于優(yōu)化所述寫入?yún)?shù)的措施，并且從而提供了其中光學(xué)效應(yīng)被最佳地寫入(或者至少是以改進(jìn)的方式寫入)的介質(zhì)。
在本發(fā)明的第二方面，可以通過執(zhí)行以下步驟優(yōu)化寫入策略 α)從光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)中讀取光學(xué)效應(yīng)的模式，該模式包括一個(gè)或多個(gè)光學(xué)效應(yīng)，所述一個(gè)或多個(gè)光學(xué)效應(yīng)當(dāng)中的每一個(gè)與預(yù)定寫入策略相關(guān)聯(lián)，該寫入策略包括一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)； β)執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1的方法，從而提供所測(cè)量的CA信號(hào)的通道比特的所述平均過渡偏移；以及 γ)通過一組預(yù)定規(guī)則調(diào)節(jié)所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)。
該優(yōu)化方法可以是一種一步方法，或者其可以是遞歸過程，在該遞歸過程中，在光盤上的特定區(qū)域內(nèi)重復(fù)該方法，所述特定區(qū)域例如是提供在某些盤上的功率校準(zhǔn)區(qū)域(PCA)。
根據(jù)所述第一方面和/或第二方面的方法可以在根據(jù)本發(fā)明的第三方面的模塊中實(shí)現(xiàn)。該實(shí)現(xiàn)方式可以通過軟件實(shí)現(xiàn)方式或硬件實(shí)現(xiàn)方式來提供，例如包括一個(gè)或多個(gè)IC的實(shí)現(xiàn)方式或者任何其他適當(dāng)?shù)膶?shí)現(xiàn)方式。
所述模塊包括 第一輸入部分，其用于以所測(cè)量的所采樣波形的形式輸入所述CA信號(hào)； 第二輸入部分，其用于輸入通道比特流； 用于根據(jù)所述第一方面的方法處理該CA信號(hào)和該通道比特流的裝置；以及 輸出部分，其用于輸出所測(cè)量的CA信號(hào)的通道比特的所述平均過渡偏移；以及 可選的處理裝置，其用于根據(jù)所述規(guī)則評(píng)估所述過渡偏移。
因此，所述模塊包括用于輸入信號(hào)的輸入部分、用于處理所輸入的信號(hào)的處理部分以及用于輸出結(jié)果的輸出部分。所述輸入部分可以是硬件部分，例如用于把一個(gè)或多個(gè)信號(hào)接口到處理裝置的接口裝置，然而一般來說所述輸入部分可以是被提供來把一個(gè)或多個(gè)信號(hào)饋送或提供給處理裝置的任何類型的裝置。所述輸入信號(hào)可以是來自給定單元的輸出信號(hào)，例如一個(gè)輸入信號(hào)可以是由比特檢測(cè)器提供的信號(hào)，在該比特檢測(cè)器處，由光電檢測(cè)器檢測(cè)到的模擬反射光被轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制比特流，即所述調(diào)制比特流。該調(diào)制比特流或者可以是已知的，例如來自存儲(chǔ)器。所述處理裝置可以是任何類型的處理裝置，其可以是專用于執(zhí)行本發(fā)明的第一方面的方法的專用處理裝置，或者所述處理裝置可以是通用計(jì)算機(jī)的一部分，比如計(jì)算機(jī)程序。所述輸出部分可以是存儲(chǔ)裝置，其允許對(duì)所述結(jié)果或所述輸出部分進(jìn)行訪問，例如作為與圖形地顯示該結(jié)果相結(jié)合的中間步驟。
可選地，所述模塊可以包括用于根據(jù)規(guī)則評(píng)估所述結(jié)果的處理裝置。這種規(guī)則可以是所述評(píng)估裝置已知的，并且其例如提供用于檢測(cè)給定的過渡偏移并且根據(jù)所述規(guī)則調(diào)節(jié)功率電平或電平持續(xù)時(shí)間的措施。
提供一個(gè)模塊是有利的，因?yàn)樵撃K可以是用于執(zhí)行最佳功率校準(zhǔn)的設(shè)備的一部分、可以是用于分析已寫入光學(xué)效應(yīng)的質(zhì)量的分析器的一部分等等。
根據(jù)第四方面，本發(fā)明涉及一種光學(xué)記錄設(shè)備，該設(shè)備包括 -輻射源，其用于發(fā)射具有可控寫入功率電平值的輻射光束以便在所述記錄介質(zhì)上記錄光學(xué)效應(yīng)； -讀取單元，其用于讀取所記錄的效應(yīng)； -根據(jù)由所述第一方面的方法確定的所測(cè)量的CA信號(hào)的特定類型的前沿和/或后沿的所述平均過渡偏移來調(diào)節(jié)寫入策略中的功率電平和/或電平持續(xù)時(shí)間的裝置。
根據(jù)第五方面，本發(fā)明涉及一種用于控制光學(xué)記錄設(shè)備的集成電路(IC)，所述IC適于根據(jù)由所述第一方面的方法確定的所測(cè)量的CA信號(hào)的特定類型的前沿和/或后沿的所述平均過渡偏移來調(diào)節(jié)寫入策略中的一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)。
根據(jù)第六方面，本發(fā)明涉及一種適于執(zhí)行所述第一方面的方法的計(jì)算機(jī)可讀代碼。
可以按照落在本發(fā)明范圍內(nèi)的任何可能方式來組合及結(jié)合本發(fā)明的各方面。



參照下面描述的實(shí)施例，本發(fā)明的這些和其他方面、特征和/或優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見。下面將參照附圖僅以舉例的方式描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中 圖1示意性地示出能夠從/向光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)讀取/寫入信息的光學(xué)記錄設(shè)備； 圖2示意性地示出藍(lán)光光盤上的光學(xué)效應(yīng)； 圖3示意性地示出來自光學(xué)信號(hào)的兩個(gè)通道比特序列； 圖4示出根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)現(xiàn)方式的一個(gè)實(shí)施例； 圖5示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例獲得的前沿和后沿的矩陣圖(LT矩陣)； 圖6示出I2標(biāo)記寫入策略的示意圖； 圖7示出對(duì)于第一I2寫入策略獲得的LT矩陣； 圖8示出對(duì)于第二I2寫入策略獲得的LT矩陣； 圖9示出由圖7的LT矩陣減去圖8的LT矩陣； 圖10示出I3標(biāo)記寫入策略的示意圖； 圖11示出對(duì)于不同的I3寫入策略獲得的減法LT矩陣； 圖12示出一般寫入策略的示意圖； 圖13示出利用圖12的寫入策略的第一版本獲得的LT矩陣； 圖14示出利用圖12的寫入策略的第二版本獲得的LT矩陣；以及 圖15示出I4寫入脈沖的示意圖。

具體實(shí)施例方式 圖1中示意性地示出能夠從/向光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)讀取/寫入信息的光學(xué)記錄設(shè)備1。
真實(shí)的光學(xué)記錄設(shè)備包括具有各種功能的大量元件，而在這里僅僅示出幾個(gè)元件。存在電動(dòng)機(jī)裝置8、10以用于旋轉(zhuǎn)盤11以及控制光學(xué)拾取單元5的運(yùn)動(dòng)，從而可以把光點(diǎn)3聚焦并且定位在盤上的期望位置處。該光學(xué)拾取單元包括用于發(fā)射激光束的激光器6，所述激光束通過多個(gè)光學(xué)元件而被聚焦在盤上。所聚焦的激光在記錄模式下的強(qiáng)度可以足夠高，從而可以向光盤提供物理改變，即把光學(xué)效應(yīng)提供到盤上。替換地，在讀取模式下的激光功率不足以引起物理改變，并且反射的激光被光電檢測(cè)器7檢測(cè)到，以便讀取盤上的光學(xué)效應(yīng)。
本發(fā)明既涉及到光學(xué)設(shè)備的讀取方面也涉及到光學(xué)設(shè)備的寫入方面，這是因?yàn)榭梢宰x取數(shù)據(jù)以便確定寫入質(zhì)量，并且可以利用優(yōu)化的寫入策略來寫入數(shù)據(jù)。
對(duì)于所述記錄設(shè)備的控制可以通過硬件實(shí)現(xiàn)方式來進(jìn)行，如電動(dòng)機(jī)控制9和光學(xué)器件控制2所示。此外，還存在微處理器控制裝置4。該微處理器控制裝置(例如集成電路(IC)裝置)同時(shí)包含硬連線的處理裝置和軟件處理裝置，從而例如用戶可以通過高級(jí)別控制軟件來影響所述設(shè)備的操作。高級(jí)別控制設(shè)置的例子包括在記錄模式下控制所發(fā)射的激光功率的寫入策略中的脈沖形狀。
在圖2中提供了藍(lán)光光盤(BD)上的光學(xué)效應(yīng)的例子。圖2B示出了在圖2A中示意性地示出的BD盤21上的區(qū)域20的放大圖29。該放大的區(qū)域示出了光學(xué)效應(yīng)23和所述光學(xué)效應(yīng)之間的區(qū)域22。所述效應(yīng)沿著從中心向外盤旋的軌道對(duì)準(zhǔn)，圖中示出了軌道的一部分24。在圖2C中示意性地示出了從該軌道部分24反射的光，其中沿著垂直軸25示出了作為沿水平軸26的位置的函數(shù)的反射光強(qiáng)度，即作為時(shí)間的函數(shù)。所述光學(xué)效應(yīng)23常常被稱作標(biāo)記27，而標(biāo)記之間的區(qū)域22則常常被稱作間隔28。在相變類型盤中，標(biāo)記23、27是具有低反射率的無定形區(qū)域，而間隔22、28則是具有高反射率的晶體區(qū)域。
在光學(xué)記錄過程中，數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在具有不同游程長(zhǎng)度(即不同寬度(長(zhǎng)度))的標(biāo)記27和間隔28中。對(duì)于給定盤的最佳性能來說，很重要的是所有標(biāo)記和間隔都是整數(shù)步長(zhǎng)類的。在BD中，最短的效應(yīng)是通道比特長(zhǎng)度(＝單位長(zhǎng)度)的2倍，也稱作T2。最長(zhǎng)的效應(yīng)是通道比特長(zhǎng)度的9倍，也稱作T9。當(dāng)所述標(biāo)記和間隔的長(zhǎng)度不是通道比特長(zhǎng)度的整倍數(shù)時(shí)，這將被視為與最佳情形有偏差，并且將導(dǎo)致惡化的比特檢測(cè)性能。
在圖3中示出了來自光學(xué)信號(hào)的兩個(gè)通道比特序列。通道比特序列30包括第一部分31和第二部分32，其中第一部分31對(duì)應(yīng)于從具有第一寬度311的第一區(qū)域(即間隔或高反射率區(qū)域)反射的光，第二部分32對(duì)應(yīng)于從具有第二寬度321的第二區(qū)域(即標(biāo)記或低反射率區(qū)域)反射的光。從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過渡被標(biāo)記為前沿33，從第二區(qū)域到第一區(qū)域的過渡被標(biāo)記為后沿34。如圖3B所示，所述前沿由第二和第一寬度索引，而所述后沿則由第一和第二寬度索引。因此，用附圖標(biāo)記35表示的前沿被索引為L(zhǎng)(2，4)，其指代在寬度為2(或者游程長(zhǎng)度為2)的第二區(qū)域與寬度為4的第一區(qū)域之間的前沿，即從游程長(zhǎng)度為4的間隔到游程長(zhǎng)度為2的標(biāo)記的過渡。類似地，用附圖標(biāo)記36表示的后沿被索引為T(2，3)，其指代從游程長(zhǎng)度為2的標(biāo)記到游程長(zhǎng)度為3的間隔的過渡。
在真實(shí)的盤上，從高反射率(間隔)到低反射率(標(biāo)記)的過渡不總是處在正確的位置上。某些過渡太靠左(時(shí)間過早＝定義為負(fù))，某些太靠右(過遲＝正)。這在圖3A中用虛線37示出，其表示所測(cè)量的邊沿位置。在該圖中，時(shí)間軸38被示為水平軸，該時(shí)間軸以所謂的1T(＝1通道比特)分辨率被離散化。對(duì)于理想的信號(hào)，所述過渡應(yīng)當(dāng)位于1T標(biāo)記處。
微小的邊沿偏移(在1T分辨率以下，由所述虛線表示)可以被包括在對(duì)所測(cè)量的信號(hào)的通道模型描述中，這例如是通過使用由Pozidis等人所描述的方法(例如參見Pozidis，H.；Coene，W.M.J.；Bergmans，J.W.M.；Communications，2000.ICC 2000.2000 IEEE InternationalConference，vol.1，18-22 June 2000，p 99-103)，他們對(duì)所述CA信號(hào)上的不對(duì)稱性的影響進(jìn)行了建模。通過不僅使用-1和+1作為所述比特流而且還使用39之間的數(shù)字，有可能以比特同步的方式模擬邊沿偏移。
下面描述本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式的一個(gè)實(shí)施例。從而描述一種測(cè)量所述過渡(或邊沿)偏移的方法的實(shí)現(xiàn)方式的一個(gè)實(shí)施例。
LT方法該方法的一個(gè)重要方面是制作一個(gè)包括所述邊沿偏移的所述中心孔徑信號(hào)的模型。通過把該模型信號(hào)與所測(cè)量的信號(hào)進(jìn)行比較，所述差異(＝誤差)可以被用來對(duì)所述邊沿偏移做出更好的估計(jì)。在一次或多次迭代之后，所述模型輸出可能類似所測(cè)量的信號(hào)。所估計(jì)的邊沿偏移可以被用來適配所述寫入策略。在下面的段落中描述各個(gè)例子。
在寫入策略中只能補(bǔ)償系統(tǒng)性的邊沿偏移(其具有可預(yù)測(cè)的特性)。所述標(biāo)記具有前沿和后沿，所述邊沿可以被偏移。這些邊沿偏移當(dāng)然是(當(dāng)前)標(biāo)記長(zhǎng)度的函數(shù)(Icm)。此外，在前沿的情況下，例如由于受熱歷史而可能會(huì)有前一個(gè)間隔長(zhǎng)度的影響(Ips)，這一效應(yīng)可以被視為寫入通道中的符號(hào)間干擾(ISI)。對(duì)于所述后沿，可能會(huì)有下一個(gè)間隔的影響(Ins)。所述偏移被寫為2D矩陣，其具有對(duì)應(yīng)于所述前沿的矩陣元素L(cm，ps)和對(duì)應(yīng)于所述后沿的矩陣元素T(cm，ns)。其中不涉及到所述間隔，因?yàn)樗鼈冏詣?dòng)落在所寫入的標(biāo)記之間。
可以對(duì)所述方法進(jìn)行擴(kuò)展，從而前沿不僅取決于前一個(gè)效應(yīng)，而且還取決于再前一個(gè)效應(yīng)(以及下一個(gè)效應(yīng)和再下一個(gè)效應(yīng)，但是所述LT矩陣將具有更多維數(shù)，并且將快速增大)。
應(yīng)用LT矩陣應(yīng)用LT矩陣(即把所述LT矩陣乘以所述通道比特序列)將導(dǎo)致經(jīng)過修改的調(diào)制比特流k，其也被稱作應(yīng)用了LT后的比特流，其中合并了所述邊沿偏移。對(duì)于每一次過渡(從+1到-1以及從-1到+1)，根據(jù)下面的規(guī)則修改構(gòu)成該過渡的兩個(gè)比特前沿(從游程長(zhǎng)度為y的間隔到游程長(zhǎng)度為x的標(biāo)記的過渡) 后沿(從游程長(zhǎng)度為x的標(biāo)記到游程長(zhǎng)度為y的間隔的過渡) 例如只有當(dāng)以略微過大的功率寫入I3時(shí)(L3x＝負(fù)，T3x＝正，所有其他元素為零)，才通過應(yīng)用所述LT方法獲得下面的經(jīng)過修改的比特流 表1.標(biāo)記和間隔的游程長(zhǎng)度(第一行)、調(diào)制比特ak(第二行)以及應(yīng)用了LT后的調(diào)制比特k(第三行)。
LT估計(jì)方法來自盤(r)的所述CA信號(hào)可以被數(shù)學(xué)地描述，例如通過把該CA信號(hào)寫成以下形式 rk＝[h*(a+b)]k+ck(1) 其中h是通道脈沖響應(yīng)(FIR)，即所述光點(diǎn)的離散表示，a是盤上的比特，c是恒定偏移量。此外，b被定義為 bk＝k-ak(2) 因此b是在前面的段落中描述的應(yīng)用了LT后的比特與原始的(-1/1)比特之間的差。因此b是一個(gè)比特流，其包含關(guān)于所述邊沿偏移的信息。接下來由下式定義與所測(cè)量的信號(hào)作比較的所述模型輸出(d)
其中的擺動(dòng)符號(hào)(wiggle)表示所述量是估計(jì)值。這些估計(jì)值應(yīng)當(dāng)收斂到來自盤的“未知的”值(不帶擺動(dòng)符號(hào))。
定義了來自盤的信號(hào)和用來擬合該信號(hào)的模型，并且可以通過下式找到它們的差(誤差e)
該式可以被重寫，以便清楚地示出不同的分量
對(duì)所述通道的估計(jì)可以通過把所述誤差e與通道比特a相關(guān)來進(jìn)行。這被稱作“最小均方通道響應(yīng)估計(jì)”，其根據(jù)下面的原理數(shù)學(xué)地工作 因此，通過提供對(duì)h的估計(jì)，可以利用以下公式做出新的(更好的)估計(jì) 參看所述誤差中的與邊沿偏移(b)的估計(jì)相關(guān)的第二項(xiàng)，可以看出只有當(dāng)對(duì)h的估計(jì)接近于真實(shí)的h時(shí)才能表示為(b-bwiggle)。在這種情況下，所述誤差可以被寫為 并且利用下式做出新的(更好的)估計(jì) 如在這里所寫出的那樣，對(duì)b的估計(jì)看起來像是單一變量，但是實(shí)際上其值取決于a中的游程長(zhǎng)度組合。上面的更新規(guī)則應(yīng)當(dāng)被應(yīng)用于相應(yīng)的LT矩陣元素。在實(shí)踐中，在所述通道比特流a中的每一個(gè)前沿或后沿處更新正確的LT元素。
最后，可以基于下式估計(jì)所述恒定偏移量c 因此，通過對(duì)在估計(jì)了h和b(LT)之后仍然存在的誤差進(jìn)行積分，可以利用下式估計(jì)所述恒定偏移量 實(shí)現(xiàn)方式可以如圖4中所示的那樣實(shí)現(xiàn)所述LT估計(jì)方法，其中ak通道比特40首先被LT應(yīng)用方法41利用初始的L和T矩陣變換成k。將該k與所述通道響應(yīng)(FIR)卷積42(所述經(jīng)過變換的通道比特被轉(zhuǎn)置45，以便確保各矩陣元素的乘法)，加上DC 43，并且獲得LT模型輸出44。接下來，可以從所述模型輸出與所測(cè)量的波形47的比較計(jì)算誤差信號(hào)46。該誤差信號(hào)可以對(duì)于DC估計(jì)被積分48，并且與經(jīng)過對(duì)稱化的通道比特akSymm400卷積，以便獲得對(duì)所述FIR的新的估計(jì)。在LT估計(jì)器401內(nèi)部，(根據(jù)ak通道比特的游程長(zhǎng)度)選取正確的LT元素并且通過等式(9)更新該元素。通過在LT應(yīng)用塊41中使用這些更新后的LT元素，所述環(huán)路被閉合，并且使得所述“擬合”逐漸地更好。
LT應(yīng)用下面進(jìn)一步討論所述LT應(yīng)用塊41。在可以對(duì)前沿或后沿施加特定的偏移之前，首先必須知道正在經(jīng)過的比特模式，從而選取正確的矩陣元素。為此，確定當(dāng)前正經(jīng)過的調(diào)制比特的游程長(zhǎng)度。這可以通過制作一個(gè)移位寄存器來實(shí)現(xiàn)，該移位寄存器的長(zhǎng)度足以保存最長(zhǎng)的可能過渡(I8/I8，因此是16個(gè)比特)。當(dāng)各比特被添加到該移位寄存器時(shí)，有可能制作一個(gè)游程長(zhǎng)度表，該游程長(zhǎng)度表從最后插入的比特向回計(jì)數(shù)。該游程長(zhǎng)度表可以被用來確定哪個(gè)比特模式正經(jīng)過該移位寄存器，并且確定必須在該移位寄存器內(nèi)部的哪個(gè)位置上應(yīng)用哪個(gè)LT元素。
在所述比特經(jīng)過了該移位寄存器之后，可以把輸出比特流與所述FIR估計(jì)進(jìn)行卷積并且將其加到所述DC估計(jì)上，以便獲得所述模型輸出。
LT估計(jì)下面進(jìn)一步討論所述LT估計(jì)塊401。在該塊中，在所述LT應(yīng)用方法中確定的游程長(zhǎng)度被用來檢查進(jìn)入的誤差(或者實(shí)際上是與所述FIR卷積的誤差，見等式(9))是否處在前沿或后沿附近的位置上。如果是的話，則選取正確的LT矩陣元素并且利用下面的公式來更新該元素 Lest(cm，ps)＝Lest(cm，ps)+μLT·ek Lavg(cm，ps)＝(1-α)·Lavg(cm，ps)+α·Lest(cm，ps)(12) Lvar(cm，ps)＝(1-α)·Lvar(cm，ps)+α·(Lest(cm，ps)-Lavg(cm，ps))2 因此，首先通過把所述誤差的一個(gè)分?jǐn)?shù)μLT加到正確的LT元素上來做出正確的估計(jì)。然后可以重新計(jì)算新的游程平均值，最后還可以重新計(jì)算游程方差(＝標(biāo)準(zhǔn)偏差的平方)。在其上計(jì)算所述游程平均值和方差的有效長(zhǎng)度由α的值確定。
下面結(jié)合實(shí)驗(yàn)描述本發(fā)明的方法的應(yīng)用，在所述實(shí)驗(yàn)中應(yīng)用了根據(jù)本發(fā)明的第一方面的方法。
在相變盤上的LT在第一個(gè)例子中，利用標(biāo)準(zhǔn)寫入策略對(duì)33GB的BD-RE盤進(jìn)行寫入。當(dāng)處理所采樣的波形時(shí)，獲得各ak和dk?？梢栽谒鯽k和dk上運(yùn)行全通道響應(yīng)估計(jì)，從而導(dǎo)致如圖5中所示的圖。在圖5中示出了所有的前(圖5A)偏移和后(圖5B)偏移，并且對(duì)于當(dāng)前標(biāo)記(x軸)與前一個(gè)/下一個(gè)間隔(y軸)的每一種組合繪出一個(gè)點(diǎn)50。當(dāng)沒有偏移時(shí)發(fā)現(xiàn)該點(diǎn)精確地處在交叉點(diǎn)51上，當(dāng)存在正偏移(過遲)時(shí)該點(diǎn)處在該交叉點(diǎn)的右側(cè)52，而當(dāng)存在負(fù)偏移(過早)時(shí)該點(diǎn)處在該交叉點(diǎn)的左側(cè)53。在圖5中可以看出，存在少量的正不對(duì)稱性，所有的前偏移都有一點(diǎn)偏負(fù)，并且所有的后偏移都有一點(diǎn)偏正。
為了獲得關(guān)于所述LT方法的應(yīng)用的進(jìn)一步的認(rèn)識(shí)，對(duì)所述寫入策略做出一點(diǎn)改變，并且討論LT矩陣中的效果。
首先改變寫入所述I2的方式，這一效果已經(jīng)幾乎不可見，因?yàn)槠涑隽薓TF(＝光學(xué)轉(zhuǎn)移函數(shù))的截止點(diǎn)。在圖6中示出了所述I2標(biāo)記寫入策略的示意圖60。所述寫入策略包括至少八個(gè)寫入?yún)?shù)，即四個(gè)功率電平(E、W、B、C)和對(duì)應(yīng)于每個(gè)功率電平的持續(xù)時(shí)間。所述激光開始于擦除電平(E)，隨后給出寫入脈沖(W)，其后所述功率被降低到偏置電平(B)，以便對(duì)所述相變材料進(jìn)行淬火(quench)。最后，具有功率C的擦除脈沖被用來使所述無定形標(biāo)記的一部分再結(jié)晶，以便把所述后沿置于正確的位置上。當(dāng)功率電平C被提高時(shí)，會(huì)有更多的材料結(jié)晶，從而推回所述后沿。在圖7和8中分別對(duì)于C＝0.4*Pw(圖7)和C＝0.6*Pw(圖8)進(jìn)行了LT分析(其中C＝0.5*Pw是標(biāo)稱的)。圖7示出了當(dāng)C過低時(shí)的LT矩陣，其中所述無定形標(biāo)記沒有足夠的回長(zhǎng)(back-growth)，并且所述后沿過于靠右。圖8示出了當(dāng)C過高時(shí)的LT矩陣，其中所述無定形標(biāo)記的回長(zhǎng)過多，從而導(dǎo)致所述后沿開始得過早。可以看到，所述I2標(biāo)記的后沿受到C電平70、71、80、81的影響。如圖9(其示出了由來自C＝0.4的LT矩陣減去C＝0.6的LT矩陣)中所示，同樣非常重要的是只有I2標(biāo)記90、91的后沿通過改變C而受到影響。所有其他前沿和后沿保持在其位置上；因此幾乎觀察不到任何串?dāng)_(符號(hào)間干擾ISI)。由于沒有串?dāng)_，因此可以以非常直接的方式使用所述邊沿偏移的信息來補(bǔ)償所述寫入策略。
當(dāng)在I3寫入策略100中改變電平D時(shí)可以進(jìn)行類似的測(cè)量(如圖10中所示)?？梢哉业剿玫降腖和T矩陣，并且如結(jié)合所述I2寫入策略所討論的那樣，在不同分量之間幾乎看不到串?dāng)_。如圖11所示，只有所述I3標(biāo)記的邊沿110、111受到影響，并且只有所述I3標(biāo)記的后沿111被向右偏移，其中圖11示出了由來自D＝0.4的LT矩陣減去D＝0.6的LT矩陣。
上面的結(jié)果表明，所述LT方法可以被用來測(cè)量寫入策略中的非常具體的參數(shù)的失調(diào)。這樣，所述LT模型可以被用來同時(shí)控制幾個(gè)功率電平，這是因?yàn)閷懭氩呗灾械拿總€(gè)參數(shù)具有其自身的特定影響。
另一種控制所述寫入策略的方法是使用所測(cè)量的邊沿偏移來修改所述激光脈沖的定時(shí)，從而使得所有的效應(yīng)將出現(xiàn)在正確的位置上。基于相變記錄的物理特性；使用了如圖12中所示的寫入策略適配120。
通過偏移第一脈沖P1，可以在盤上以一對(duì)一的方式偏移所述前沿。因此如果我們測(cè)量出一個(gè)前沿提早了2/16的T，則可以通過晚2/16的T給出該第一脈沖來適配所述寫入策略(對(duì)于后沿部分的情況類似)。
在后面的圖中可以看到應(yīng)用該方法的結(jié)果。在圖13中示出了在利用簡(jiǎn)單的寫入策略進(jìn)行寫入之后的LT測(cè)量。所述偏移被用來生成新的寫入策略。當(dāng)利用該新的策略進(jìn)行寫入并且重新進(jìn)行LT測(cè)量時(shí)，得到了圖14?？梢钥闯?，幾乎不再會(huì)看到系統(tǒng)性偏差。此外，盡管仍然使用相同的功率，但是從所述信號(hào)中去除了所有不對(duì)稱性。如圖所示，所述LT方法使得1步寫入策略優(yōu)化成為可能。
在一次性寫入盤上的LT所述LT模型還可以與用于一次性寫入盤的寫入策略相結(jié)合地使用，以便補(bǔ)償提早了或者晚了x/16的T的前沿/后沿。在這種情況下，應(yīng)當(dāng)確定所述寫入策略應(yīng)該被改變多少以便在盤上把前沿或后沿移動(dòng)x/T的數(shù)量。為了對(duì)此進(jìn)行研究，下面改變I4的寫入策略。在圖15中示出了I4的寫入脈沖150。
在Si/Cu一次性寫入盤上執(zhí)行了以下實(shí)驗(yàn)。改變寫入I4的方式，并且分析其對(duì)于LT元素的效果。通過改變最后一個(gè)脈沖PL的持續(xù)時(shí)間(在后端進(jìn)行去除/添加)，所述后沿的位置發(fā)生改變。通過使得所述最后一個(gè)脈沖比原來長(zhǎng)1/16的T，所述I4的后沿被移動(dòng)～3/16T。發(fā)現(xiàn)在最后一個(gè)脈沖的持續(xù)時(shí)間與后沿位置之間所觀察到的關(guān)系是線性的，因此該線性關(guān)系可以被用來把后沿置于正確的位置處。然而，由于所述寫入機(jī)制，這種依賴性非常敏感。當(dāng)需要以1/16T的分辨率把后沿定位在盤上時(shí)，對(duì)于激光驅(qū)動(dòng)器需要3倍的分辨率(因此是1/48T)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)偏移所述最后一個(gè)脈沖幾乎不影響后沿位置。這是由于在一次性寫入堆疊中的寫入處理造成的，所述寫入處理感測(cè)對(duì)該堆疊加熱的功率總量。所述后沿的位置由溫度(由于冷卻)下降到低于閾值的點(diǎn)確定。改變注入所述功率的時(shí)刻幾乎不影響溫度下降到低于所述閾值的時(shí)刻，這是因?yàn)槠洳桓淖兯⑷氲墓β实臄?shù)量。著眼于改變第一脈沖對(duì)LT元素的影響，在前沿與后沿之間發(fā)生更多串?dāng)_。舉例來說，當(dāng)偏移第一脈沖時(shí)，不僅溫度升高到高于寫入閾值的時(shí)刻發(fā)生改變，而且溫度冷卻到低于所述閾值的時(shí)刻也將改變。這導(dǎo)致強(qiáng)烈的串?dāng)_，從而使得該方法很難用于同時(shí)補(bǔ)償任意的前沿偏移和后沿偏移。
通過改變第一脈沖長(zhǎng)度151，即通過晚1比特開始或者早1比特開始，可以很容易地移動(dòng)所述前沿。此外，在該例中，所述邊沿偏移大約是脈沖長(zhǎng)度的改變的3倍大。此外，由于把第一脈沖的起始點(diǎn)向右偏移將減小被注入到所述堆疊中的總功率，因此溫度升高將較小，并且在后沿處溫度將更早到達(dá)所述閾值。這導(dǎo)致具有相反斜率的后沿偏移。很明顯，比起偏移第一脈沖，改變第一脈沖的長(zhǎng)度是定位所述前沿的一種有效得多的方式。由于幾乎沒有串?dāng)_，因此對(duì)所述前沿位置的控制可以被視為(幾乎)獨(dú)立于對(duì)所述后沿位置的控制。
在ROM盤上的LT所述LT模型的一個(gè)重要的應(yīng)用是其在ROM盤上的使用。所述ROM坑(標(biāo)記)和岸(間隔)的位置由激光束記錄器(LBR)在母版制作(mastering)處理期間對(duì)光敏層進(jìn)行曝光的方式確定。在該步驟之后，需要許多其他步驟來最終獲得原模。利用該壓模，可以通過注射成型來制作ROM盤。如果想要優(yōu)化所述效應(yīng)的長(zhǎng)度和位置，則問題是在所述母版制作處理與能夠最終測(cè)量ROM盤的質(zhì)量的時(shí)刻之間的長(zhǎng)延遲。在這種情況下，非常重要的是能夠?qū)λ銎毓?寫入策略進(jìn)行1步優(yōu)化。如在對(duì)于可重寫盤的情況所示出的那樣，所述LT模型可以提供使之成為可能的信息。
一種重要的情形是只有I2被寫入得太短，所有其他效應(yīng)都精確地處在其位置上，并且這一效應(yīng)幾乎獨(dú)立于被用來對(duì)所述光敏層進(jìn)行曝光的激光功率。與所述I3到I8標(biāo)記相比，所述I2的前沿可能到達(dá)過遲，并且后沿可能到達(dá)過早。這一效應(yīng)對(duì)于增大的容量可能更為強(qiáng)烈。
可以通過計(jì)算在特定時(shí)間內(nèi)接通的移動(dòng)高斯點(diǎn)的積分曝光劑量來理解所述效應(yīng)。如果使用具有尖銳的閾值特性的光敏材料，則只有長(zhǎng)效應(yīng)以正確的方式開始，而如果激光持續(xù)時(shí)間較短，那么所述曝光達(dá)到所述閾值電平的時(shí)間點(diǎn)將遲一點(diǎn)開始并且提早一點(diǎn)結(jié)束。這一結(jié)果與所觀察到的邊沿偏移相關(guān)。所述效應(yīng)可能非常突然，因此該效應(yīng)將僅僅影響I2，而不會(huì)影響I3到I8。
在這一段落中描述的各實(shí)施例可以被用來從同步的中心孔徑信號(hào)和所檢測(cè)到的比特中提取前沿偏移和后沿偏移。所述偏移如其物理地處在盤上那樣被測(cè)量，從而使得相對(duì)簡(jiǎn)單的補(bǔ)償方法是可行的。
本發(fā)明的各實(shí)施例可以應(yīng)用于RW、R以及甚至ROM盤。在RW和R盤上，提供了用來在很少的幾個(gè)步驟中優(yōu)化寫入策略的非常高效的方法。如關(guān)于RW盤所示出的那樣，可以提供功率控制方法，所述功率控制方法選擇性地提供寫入策略中的特定功率電平中的微小變化。此外，可以在寫入策略中適配所述寫入脈沖和擦除脈沖的定時(shí)，并且甚至可以在1步優(yōu)化處理中補(bǔ)償所有所發(fā)現(xiàn)的偏差。關(guān)于R盤已經(jīng)示出了所述前沿和后沿對(duì)于所述激光脈沖的位置和持續(xù)時(shí)間的靈敏度。關(guān)于ROM盤，對(duì)所述中心孔徑信號(hào)的分析表明，與所有其他標(biāo)記相比，在寫入所述I2標(biāo)記時(shí)具有較小的不對(duì)稱性。
所述方法對(duì)于傳統(tǒng)的容量(對(duì)于BD高達(dá)27GB)以及以上的容量(比如對(duì)于BD的30-37)都工作良好，其中最短的游程長(zhǎng)度超出所述光學(xué)截止點(diǎn)。因此，在33GB BD的情況下，本發(fā)明提供用以查看所述I2是否被寫入得過小或者是否被寫入在錯(cuò)誤位置上的措施。
此外，所述方法不受切分器效應(yīng)的影響。由于該效應(yīng)，當(dāng)所述I2的長(zhǎng)度/位置發(fā)生改變時(shí)，一個(gè)時(shí)間間隔分析器(TIA)報(bào)告所有的I3到I8中的改變。這一“串?dāng)_”使得很難使用利用TIA測(cè)量的云圖(cloud-plot)來自動(dòng)補(bǔ)償寫入策略。
本發(fā)明的各實(shí)施例可以被集成到IC中，以便改進(jìn)驅(qū)動(dòng)器的寫入能力，從而提供了進(jìn)行非?？焖俚膶懭氩呗詢?yōu)化的可能性(即使在先驗(yàn)地未知的介質(zhì)上也是如此)。
雖然已經(jīng)結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是并不意圖把本發(fā)明限制到這里闡述的具體形式。相反，本發(fā)明的范圍僅由所附權(quán)利要求書限定。
在這一段落中，出于解釋而不是限制的目的闡述了所公開的實(shí)施例的某些具體細(xì)節(jié)(比如方法步驟、具體數(shù)學(xué)模型、數(shù)據(jù)表示法等等)，以便提供對(duì)本發(fā)明的清晰而透徹的理解。然而本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)很容易理解，在不嚴(yán)重背離本公開內(nèi)容的精神和范圍的情況下，本發(fā)明可以在不完全符合這里闡述的細(xì)節(jié)的其他實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。此外，在本上下文中，為了簡(jiǎn)明起見省略了對(duì)于公知的設(shè)備、電路和方法的具體描述，以避免不必要的細(xì)節(jié)和可能的混淆。
在權(quán)利要求中包含附圖標(biāo)記僅僅是為了清楚起見，而不應(yīng)當(dāng)被理解為限制權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求
1、一種確定來自光學(xué)記錄介質(zhì)(11)的所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)中的一系列通道比特(30)中的過渡偏移(37)的定時(shí)的方法，該光學(xué)信號(hào)包括從具有第一寬度(311)的第一區(qū)域(22)反射的第一部分(28，31)以及從具有第二寬度(321)的第二區(qū)域(23)反射的第二部分(27，32)，其中，從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過渡被標(biāo)記為由第一和第二寬度索引的前沿(33)，并且從第二區(qū)域到第一區(qū)域的過渡被標(biāo)記為由第二和第一寬度索引的后沿(34)，該方法包括以下步驟
a)以中心孔徑信號(hào)(CA信號(hào))的形式提供所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)的值；
b)提供對(duì)應(yīng)于所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)的調(diào)制比特；
c)通過光學(xué)通道模型計(jì)算模型信號(hào)，所計(jì)算的模型包括所述前沿和后沿的輸入定時(shí)，所述輸入定時(shí)是一系列輸入過渡偏移；
d)從考慮到所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)、所述調(diào)制比特和所計(jì)算的模型信號(hào)的數(shù)學(xué)模型確定所述前沿和后沿的輸出定時(shí)，所述輸出定時(shí)是一系列輸出過渡偏移，
其中，在評(píng)估步驟中使用的輸入定時(shí)是在前一個(gè)評(píng)估步驟中確定的輸出定時(shí)，并且所述模型與所測(cè)量的信號(hào)之間的差異與所述輸入定時(shí)一起被用來計(jì)算后續(xù)的輸出定時(shí)；以及
e)繼續(xù)所述評(píng)估序列，直到在特定評(píng)估步驟中獲得的一系列輸出過渡偏移滿足預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)，
其中，最后獲得的一系列輸出過渡偏移是所測(cè)量的CA信號(hào)的通道比特的平均過渡偏移(500，501)。
2、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，用線性光學(xué)模型來表示所述所計(jì)算的模型信號(hào)，該線性光學(xué)模型由離散有限脈沖響應(yīng)(FIR)實(shí)現(xiàn)方式近似。
3、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)和所計(jì)算的模型信號(hào)都通過比特同步近似來表示，其與所述光學(xué)介質(zhì)上的所述調(diào)制比特同步。
4、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在誤差環(huán)路中把所述模型與所述所測(cè)量的信號(hào)之間的差異最小化，在該誤差環(huán)路中均方誤差被最小化。
5、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，作為在特定過渡偏移之前的該區(qū)域的寬度和后面的區(qū)域的寬度的函數(shù)來確定所述前沿(500)和后沿(501)的定時(shí)。
6、根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，根據(jù)特定類型的前沿和/或后沿的平均過渡偏移來優(yōu)化用于在光學(xué)介質(zhì)上寫入特定光學(xué)效應(yīng)的寫入脈沖(60，100，120，150)中的一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)(E，W，B，C，D)。
7、根據(jù)權(quán)利要求6的方法，還包括以下步驟
α)從光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)(11)中讀取光學(xué)效應(yīng)(23)的模式(29)，該模式包括一個(gè)或多個(gè)光學(xué)效應(yīng)，所述一個(gè)或多個(gè)光學(xué)效應(yīng)當(dāng)中的每一個(gè)與預(yù)定寫入策略(60，100，120，150)相關(guān)聯(lián)，該寫入策略包括一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)(E，W，B，C，D)；
β)執(zhí)行權(quán)利要求1的方法，從而提供所述所測(cè)量的CA信號(hào)的通道比特的所述平均過渡偏移；以及
γ)通過一組預(yù)定規(guī)則調(diào)節(jié)所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)。
8、根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，通過使用所述調(diào)節(jié)后的寫入?yún)?shù)以及重復(fù)所述步驟α)、β)和γ)向所述光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)提供光學(xué)效應(yīng)的加模式。
9、根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)包括
功率電平和/或電平持續(xù)時(shí)間(151)。
10、一種用于運(yùn)行權(quán)利要求1的方法的模塊，該模塊包括
第一輸入部分，其用于以所測(cè)量的所采樣波形的形式輸入所述CA信號(hào)；
第二輸入部分，其用于輸入通道比特流；
用于根據(jù)權(quán)利要求1的方法處理該CA信號(hào)和該通道比特流的裝置；以及
輸出部分，其用于輸出所述所測(cè)量的CA信號(hào)的通道比特的所述平均過渡偏移；以及
可選的處理裝置，其用于根據(jù)所述規(guī)則評(píng)估所述過渡偏移。
11、一種光學(xué)記錄設(shè)備(1)，包括
-輻射源(6)，其用于發(fā)射具有可控寫入功率電平(P)值的輻射光束(3)以便在所述記錄介質(zhì)上記錄光學(xué)效應(yīng)(23)；
-讀取單元(7)，其用于讀取所記錄的效應(yīng)并且形成相應(yīng)的讀取信號(hào)部分；
-根據(jù)由權(quán)利要求1的方法確定的所述所測(cè)量的CA信號(hào)的特定類型的前沿和/或后沿的所述平均過渡偏移(500，501)來調(diào)節(jié)寫入策略中的功率電平和/或電平持續(xù)時(shí)間的裝置。
12、一種用于控制光學(xué)記錄設(shè)備的集成電路(IC)，所述IC適于根據(jù)由權(quán)利要求1的方法確定的所述所測(cè)量的CA信號(hào)的特定類型的前沿和/或后沿的所述平均過渡偏移來調(diào)節(jié)寫入策略中的一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)。
13、一種適于執(zhí)行權(quán)利要求1的方法的計(jì)算機(jī)可讀代碼。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種確定來自光學(xué)記錄介質(zhì)的所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)中的過渡偏移定時(shí)的方法，以及所述方法與對(duì)于光學(xué)記錄介質(zhì)優(yōu)化寫入策略和分析寫入質(zhì)量相結(jié)合的應(yīng)用。該方法包括以下步驟提供所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)的值；提供對(duì)應(yīng)于所測(cè)量的光學(xué)信號(hào)的調(diào)制比特；通過光學(xué)通道模型計(jì)算模型信號(hào)；以及從數(shù)學(xué)模型確定所述前沿和后沿的輸出定時(shí)。該方法是一種遞歸方法，其一直繼續(xù)到滿足預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)為止。最后的輸出是如其在所述光學(xué)記錄介質(zhì)上的所測(cè)量的CA信號(hào)的通道比特的平均過渡偏移。所述方法的應(yīng)用包括(但不限于)用于確定所述平均過渡偏移的模塊，具有用于根據(jù)所述平均過渡偏移來調(diào)節(jié)所述寫入策略的裝置的光學(xué)記錄設(shè)備，以及用于控制光學(xué)記錄設(shè)備的IC。
文檔編號(hào)G11B20/10GK101084551SQ20058004384
公開日2007年12月5日 申請(qǐng)日期2005年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月20日
發(fā)明者R·弗盧特斯 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司