專利名稱：磁記錄介質(zhì)和磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)，例如用在使用磁記錄技術(shù)的硬盤驅(qū)動(dòng)器中，本發(fā)明還涉及一種使用磁記錄介質(zhì)的磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備的一種類型，硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的記錄密度每年增加60％以上。可以預(yù)見這種趨勢(shì)會(huì)在未來持續(xù)下去。因此，一直在開發(fā)滿足這種高記錄密度需求的磁記錄磁頭和磁記錄介質(zhì)。
目前投放在市場(chǎng)上的包含在磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備中的磁記錄介質(zhì)具有這樣的結(jié)構(gòu)以Co為主要成分的Co合金膜通過濺射形成在Al合金或者玻璃襯底上。由于使用縱向磁化系統(tǒng)作為磁記錄系統(tǒng)，使用用于使易磁化軸定向的底層，所謂易磁化軸就是具有平行于襯底的hcp(六方最緊密堆積晶格)結(jié)構(gòu)的Co晶粒的C軸。這種底層的一個(gè)例子是Cr合金膜，其中，fcc(立方面心晶格)結(jié)構(gòu)的特定晶面被定向。另外，使用籽晶層，例如NiAl籽晶層，用于通過生長(zhǎng)Cr的特定晶面來降低晶粒大小。需要一種手段來解決這樣的問題所記錄的信息的保持時(shí)間由于熱衰減(thermal decay)而縮短。因此，開發(fā)了一種縱向磁記錄介質(zhì)，其中，借助于將薄的Ru膜夾在磁性膜之間而形成的多層結(jié)構(gòu)，使多層相互間反鐵磁耦合。
作為一種更加適合高密度的方法，在記錄時(shí)使用垂直磁化的垂直磁化記錄系統(tǒng)也得到廣泛的研究。在這種系統(tǒng)中，與縱向介質(zhì)同樣的Co合金用作記錄層。但是，為了垂直定向Co晶粒的C軸，使用了無定形物質(zhì)比如Ge或者NiTa，或者其中對(duì)hcp或者fcc的最緊密堆積面定向的底層比如Ti、Ru、Pd或者Pt。另外，為了確保垂直寫磁場(chǎng)，在所述襯底和所述底層以及籽晶層之間形成一個(gè)軟磁層，并與單極磁頭結(jié)合，從而獲得更好的垂直記錄。
為了減少垂直磁記錄介質(zhì)的噪聲，日本特許公報(bào)No.11-296833例如提出了一種方法，其中使用雙層垂直磁記錄層，在上層中，非磁元素的含量低于下層，從而使得上層中的飽和磁化和磁各向異性能量高于下層中的。
另外，還公開了控制垂直磁化記錄介質(zhì)的熱衰減的技術(shù)。當(dāng)前正在研究的例子是一種在記錄層表面形成Pt膜的方法，以及在CoCrPt基磁性膜上形成膜內(nèi)具有強(qiáng)的磁相互作用的膜的CGC(連續(xù)顆粒復(fù)合物，Continuous Granular Composite)。
為了提高記錄/再現(xiàn)分辨率，已知可以例如縮短MR磁頭的屏蔽間隙長(zhǎng)度、減小磁頭和磁記錄介質(zhì)之間的間隔，降低縱向磁記錄介質(zhì)的膜厚，減小磁頭和垂直磁記錄介質(zhì)中的襯墊軟磁膜之間的距離，或者削減矯頑力的離散(coercive force dispersion)。
可惜，傳統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)和記錄/再現(xiàn)設(shè)備在高密度記錄的性能方面不能令人滿意，需要進(jìn)一步改進(jìn)。
如上所述，削減磁記錄介質(zhì)的矯頑力的離散等可能對(duì)于提高記錄密度來說是有利的。但是，目前還沒有找到能夠進(jìn)一步削減當(dāng)前的磁記錄介質(zhì)的矯頑力的離散的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是考慮到上述情況作出的，目的在于提供一種磁記錄介質(zhì)和磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備，能夠通過基本上降低矯頑力離散而降低磁化翻轉(zhuǎn)寬度，從而提高記錄密度，能夠通過減小磁化翻轉(zhuǎn)長(zhǎng)度并使各向異性磁場(chǎng)Hk均勻來提高介質(zhì)的信噪比，能夠確保高的熱衰減抵抗力，并能夠記錄和再現(xiàn)高密度信息。
首先，本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)，包括在襯底上的疊層，該疊層包括一個(gè)磁記錄層，以及一個(gè)磁致形變比該磁記錄層大的高磁致形變層。
其次，本發(fā)明提供一種磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備，包括一種磁記錄介質(zhì)和一個(gè)記錄/再現(xiàn)磁頭，該磁記錄介質(zhì)包括在襯底上的疊層，該疊層包括一個(gè)磁記錄層，以及一個(gè)磁致形變比該磁記錄層大的高磁致形變層。
本說明書下面的部分將說明本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)，這些目的和優(yōu)點(diǎn)中，一部分從說明書就能看出，另一些要通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)可以通過下面所具體指出的手段及其組合來實(shí)現(xiàn)和獲得。


附圖構(gòu)成說明書的一部分，用于結(jié)合以上的概括說明和下面對(duì)實(shí)施例的詳細(xì)說明來說明本發(fā)明的實(shí)施例，并用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第一個(gè)例子的方案；圖2是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第二個(gè)例子的方案；圖3是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第三個(gè)例子的方案；圖4是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第四個(gè)例子的方案；圖5是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第五個(gè)例子的方案；圖6是一個(gè)立體圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備的一個(gè)例子的方案；圖7是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第六個(gè)例子的方案；圖8是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第七個(gè)例子的方案；圖9是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第八個(gè)例子的方案；圖10是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第九個(gè)例子的方案；圖11是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第十個(gè)例子的方案；圖12是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第十一個(gè)例子的方案；圖13是一個(gè)剖面示意圖，圖示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第十二個(gè)例子的方案；具體實(shí)施方式
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，包括在襯底上的多層，該多層包括一個(gè)磁記錄層，以及一個(gè)磁致形變比該磁記錄層大的高磁致形變層。
該磁記錄層是一個(gè)具有能夠記錄信息的大的磁各向異性的磁性層。在本發(fā)明中，所述高磁致形變層是具有比磁記錄層大的磁致形變的磁性層。
在本發(fā)明中，當(dāng)在信息記錄時(shí)施加磁場(chǎng)時(shí)，在高磁致形變層中會(huì)出現(xiàn)形變，這導(dǎo)致磁記錄層中出現(xiàn)形變。反磁致形變效應(yīng)減弱了磁記錄層的各向異性，從而使得磁化容易反轉(zhuǎn)。記錄時(shí)的磁頭磁場(chǎng)越大，磁致形變?cè)酱?，各向異性越小。結(jié)果，介質(zhì)的磁化曲線顯著變陡，產(chǎn)生就如各向異性離散(anisotropic dispersion)一樣的效果。這使得磁化翻轉(zhuǎn)區(qū)縮短、變陡。由于矯頑力離散顯著降低，使得磁化翻轉(zhuǎn)寬度縮小，記錄分辨率提高。另外，磁化翻轉(zhuǎn)長(zhǎng)度的縮短使得各向異性磁場(chǎng)Hk均勻，因此介質(zhì)的信噪比提高。
另外，當(dāng)在記錄之后去掉磁頭磁場(chǎng)時(shí)，磁致形變消失，這使得記錄層中的形變消失。這防止了磁各向異性在增加的方向上變化，因此耐熱衰減性能不降低。
本發(fā)明的一種磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備具有如上所述的磁記錄介質(zhì)和一個(gè)記錄/再現(xiàn)磁頭。
當(dāng)應(yīng)用垂直磁記錄系統(tǒng)時(shí)，可以使用單極磁頭作為所述記錄/再現(xiàn)磁頭。
下面參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
圖1是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第一個(gè)例子的方案的剖面示意圖。
如圖1所示，磁記錄介質(zhì)10包括襯底1和一個(gè)多層4。襯底1例如由晶化玻璃制成。該多層4包括按這里的列舉順序形成在所述襯底1上的磁記錄層2和一個(gè)高磁致形變層3，后者例如由Sm0.5Dy0.5Fe2組成。
所述多層4中的所述高磁致形變層3可以形成在高磁致形變層3的應(yīng)變對(duì)磁記錄層2有影響的地方。參見圖1，所述襯底、磁記錄層和高磁致形變層按此順序疊置。但是，也可以在襯底上順序疊置高磁致形變層和磁記錄層。另外，可以在磁記錄層和高磁致形變層之間形成一個(gè)中間層?；蛘撸梢栽趦蓚€(gè)或者多個(gè)磁記錄層之間的至少一部分中形成一個(gè)高磁致形變層。這種結(jié)構(gòu)在下述情況下尤其有效由于層比較厚或者具有高的楊氏模量，磁記錄層不容易產(chǎn)生足夠的應(yīng)變。
圖2是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第二個(gè)例子的方案的剖面示意圖。圖2所示的磁記錄介質(zhì)20具有與圖1所示同樣的結(jié)構(gòu)，不同之處在于代替多層4，形成的是多層6。該多層6中，通過一個(gè)中間層比如一個(gè)底層5在一個(gè)高磁致形變層3上形成磁記錄層2。
例如在一個(gè)實(shí)施例中，高磁致形變層的飽和磁場(chǎng)可以大于磁記錄層的矯頑力；另外，在另一個(gè)實(shí)施例中，高磁致形變層的飽和磁場(chǎng)大于磁記錄層的飽和磁場(chǎng)。如果高磁致形變層的飽和磁場(chǎng)小于磁記錄層的矯頑力，即使使磁頭磁場(chǎng)大于高磁致形變層的飽和磁場(chǎng)，磁致形變?cè)斐傻母叽胖滦巫儗拥男巫円矔?huì)在磁場(chǎng)飽和的同時(shí)停止。結(jié)果，不能獲得大的反磁致形變效應(yīng)，從而會(huì)導(dǎo)致記錄分辨率和介質(zhì)的信噪比的提高不夠。
所述高磁致形變層可以是具有高磁致形變的單個(gè)高磁致形變膜，也可以是高磁致形變膜和具有其它特性的另一層膜組成的多層。
例如，當(dāng)高磁致形變層的飽和磁場(chǎng)小于磁記錄層的矯頑力時(shí)，可以通過使用包括一個(gè)高磁致形變膜和一個(gè)各向異性磁場(chǎng)大于高磁致形變膜和磁記錄層的矯頑力的膜的多層，來使高磁致形變層的飽和磁場(chǎng)大于所述磁記錄層的矯頑力。在這樣的結(jié)構(gòu)中，即使在施加大于磁記錄層的矯頑力的磁頭磁場(chǎng)時(shí)，磁致形變引起的高磁致形變層的形變也不會(huì)停止，因此可以獲得大的反磁致形變效應(yīng)。
通過使用包括一個(gè)高磁致形變膜和在用大于飽和磁場(chǎng)的外部磁場(chǎng)使自旋強(qiáng)制定向時(shí)具有大的強(qiáng)迫磁致形變的膜的多層，可以獲得同樣的效果。
上述例子使用的是當(dāng)施加磁場(chǎng)時(shí)磁致形變削弱磁各向異性的特性。但是，本實(shí)施例也可以用來通過在施加磁場(chǎng)時(shí)用磁致形變?cè)黾佑涗泴拥拇鸥飨虍愋詠碓黾幽蜔崴p性能(thermal decay resistance)。
圖3是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第三個(gè)例子的方案的剖面示意圖。
如圖3所示，磁記錄介質(zhì)30具有與圖1所示同樣的結(jié)構(gòu)，不同之處在于取代多層4，形成一個(gè)多層12。該多層12包括一個(gè)雙層高磁致形變層11，后者具有一個(gè)各向異性磁場(chǎng)大于高磁致形變膜的膜7以及一個(gè)高磁致形變膜8，它們按此順序形成在襯底1上。該多層還包括一個(gè)形成在所述高磁致形變膜11上的磁記錄層3。
還可以取代各向異性磁場(chǎng)大于高磁致形變膜的膜7，形成一個(gè)具有大的強(qiáng)迫磁致形變的膜。
所述高磁致形變膜在磁場(chǎng)施加方向具有大的磁致形變常數(shù)，優(yōu)選不低于5×10-5，更好的是5×10-5到4×10-4，最好是1×10-4到4×10-4。當(dāng)磁致形變常數(shù)為5×10-5時(shí)，可以給磁記錄層足夠的應(yīng)變，因此可以進(jìn)一步減弱各向異性的離散，有效地提高介質(zhì)的特性。
所述磁記錄層的楊氏模量?jī)?yōu)選為1012到1010(N/m2)，更好的是1011(N/m2)。在實(shí)踐中，高磁致形變的材料可以按照磁記錄層的磁特性進(jìn)行選擇。
當(dāng)使用具有如上所述的楊氏模量和磁致形變常數(shù)的磁記錄層時(shí)，容易由于高磁致形變層的影響而產(chǎn)生應(yīng)變，因此由于反磁致形變效應(yīng)，磁各向異性更有效地下降。與Co合金的結(jié)晶學(xué)磁各向異性(crystallomagnetic anisotropy)的幅度相比，反磁致形變效應(yīng)對(duì)磁各向異性造成的變化不大。但是，與磁各向異性離散(magneticanisotropy dispersion)的幅度相比，這種變化不可忽略，對(duì)矯頑力離散(coercive force dispersion)具有正面的效應(yīng)。
另外，與表示產(chǎn)生記錄層的磁場(chǎng)的反磁疇的Hn的值相比，反磁致形變效應(yīng)導(dǎo)致的磁各向異性的變化也不可忽略。因此，提高了耐熱衰減性能。
例如，在某些實(shí)施例中，作為磁記錄層，可以使用垂直磁記錄層。
該垂直磁記錄層可以具有單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)使用多層結(jié)構(gòu)時(shí)，制造工藝復(fù)雜，但可以比較容易地控制垂直磁記錄層所要求的各種特性。垂直磁記錄層所要求的特性的例子是垂直方向?yàn)橐状呕S；該層具有磁各向異性和磁調(diào)準(zhǔn)，以便記錄磁頭磁場(chǎng)能夠很好地寫入數(shù)據(jù)；盡管磁化單元精細(xì)且噪聲低，仍要使記錄位在高密度和低密度的情況下都穩(wěn)定；不會(huì)由于不必要的外部磁場(chǎng)或者相鄰記錄而不產(chǎn)生磁化翻轉(zhuǎn)。
例如，在一個(gè)實(shí)施例中，可以使用六方最緊密堆積(hexagonalclosest packed，hcp)的Co合金作為所述垂直磁記錄層。當(dāng)具有這種hcp結(jié)構(gòu)的Co合金在易磁化軸方向拉伸時(shí)，晶體的c/a軸比增加，從而磁各向異性降低。因此，作為用在垂直磁記錄介質(zhì)中的高磁致形變膜，可以使用在磁場(chǎng)方向具有正的磁致形變、在垂直于磁場(chǎng)的方向具有負(fù)的磁致形變的膜。從而，當(dāng)出現(xiàn)垂直磁場(chǎng)時(shí)，該高磁致形變膜在垂直于襯底表面的方向伸展，在襯底表面方向收縮。尤其當(dāng)使用六方最緊密堆積(hcp)磁性膜比如Co合金膜作為磁記錄層時(shí)，如果易磁化軸的方向和磁場(chǎng)施加方向相同，則該Co合金基的磁性膜獨(dú)自不會(huì)產(chǎn)生磁致形變，因此高磁致形變材料可以更有效地發(fā)揮作用。
即使使用縱向磁記錄層時(shí)，由于使用環(huán)形磁頭，磁頭磁場(chǎng)也是在水平方向施加。因此，在平行于膜表面的方向上具有正的磁致形變常數(shù)的高磁致形變材料可以與縱向定向的Co合金膜結(jié)合起來。
作為所述高磁致形變膜的材料，可以使用，例如，基于RFe2的材料比如Sm0.5Dy0.5Fe2，TbxDy1-xFe2，TbFe2(在[111]定向)，以及ErFe2，F(xiàn)e3Pt，F(xiàn)e/Pt疊層膜，F(xiàn)e/Pd疊層膜，F(xiàn)eAl合金，含稀土元素的Co合金，以及基于鐵氧體的材料。任何這些磁致形變材料的磁致形變都可以通過定向而增加。另外，如果向這些磁致形變材料中添加氮或者氧，則可以減少來自高磁致形變層的噪聲。
可以用作磁記錄層材料的鈷合金的例子有CoCrPt，CoCrPtB，CoCrPtC，CoCrPtTa，CoCrPtCu，CoCrPtRu，CoCrPtCuB，CoCrPtRuB，CoCrPtTaNd，CoCrPtWC，CoCrPtO，CoPtO，CoPt-SiO2，CoCrPt-SiO2，CoPtO-SiO2以及CoPtCrO-SiO2。還可以使用，例如，Co/Pd疊層，Co/Pt疊層，以及FePt。
例如，可以使用Co合金作為主要元素，添加Pt以增強(qiáng)各向異性，削弱晶粒之間的磁相互作用，以使磁單位精細(xì)，并添加Cr、氧或者SiO2，以使高密度記錄可行。當(dāng)形成磁記錄層時(shí)，通過襯底加熱等，Cr易于在晶粒邊界離析。因此，磁記錄層可以采用一種有利的結(jié)構(gòu)，其中，hpc的C軸垂直于襯底排列的Co合金晶體被用Cr進(jìn)行磁隔離并使之精細(xì)。即使添加氧或者SiO2時(shí)，氧化鈷、氧化鉻或者二氧化硅也在晶粒邊界離析，從而使得該晶粒邊界部分非磁化，因此氧或者二氧化硅也以與Cr同樣的方式起作用。當(dāng)使用氧時(shí)，可以進(jìn)一步減小晶粒尺寸，而不需要進(jìn)行襯底加熱。
可以形成一個(gè)底層來形成所述磁記錄層。
作為該底層(利用它，磁記錄層的晶粒的晶體各向異性可以在垂直方向定向)，可以使用hcp結(jié)構(gòu)或者fcc結(jié)構(gòu)的材料，比如非磁性的基于CoCr的材料或者基于Ru的材料，在所述結(jié)構(gòu)中，最緊密堆積面容易平行于襯底生長(zhǎng)，并且所述結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)接近于記錄層的晶格常數(shù)。
另外，在形成底層之前可以形成一個(gè)籽晶層。用于能夠在垂直方向定向晶體各向異性的該底層的籽晶層的例子有Ti，Pt，Pd，Au，NiAl，Hf，Ru，Ge，NiTa，CoNiTa，NiNb，CoNiNb，Ag，Al，Si和C。
在與記錄磁道隔開的位置，磁頭磁場(chǎng)的施加方向不同于磁道位置。因此，高磁致形變層的作用是增強(qiáng)磁記錄層的各向異性。這樣，磁頭磁場(chǎng)有效地抑制了在記錄時(shí)相鄰磁道的信息被擦除的問題。
能夠?qū)⒋庞涗泴又械木Я５木w各向異性在縱向上定向的底層的例子有Cr，CrV，CrNb，CrMo，CrW，CrB，CrCu，V，VCr，Nb，NbCr和NbV。作為籽晶層，可以使用NiAl，F(xiàn)eAl，TiN，MgO，Ag，Al和C。
當(dāng)要形成垂直磁記錄層作為磁記錄層時(shí)，可以在該垂直磁記錄層和所述襯底之間形成一個(gè)軟磁層。
當(dāng)形成具有高磁導(dǎo)率的軟磁層時(shí)，獲得在該軟磁層上具有垂直磁記錄層的所謂雙層垂直介質(zhì)。在這種雙層垂直介質(zhì)中，軟磁層執(zhí)行磁頭的部分功能，即，水平傳遞來自磁頭例如用于磁化垂直磁記錄層的單極磁頭的記錄磁場(chǎng)，并將記錄磁場(chǎng)返回磁頭。也就是，軟磁場(chǎng)向磁記錄層施加一個(gè)陡的足夠的垂直磁場(chǎng)，從而提高記錄/再現(xiàn)效率。
作為軟磁材料，可以使用CoZrNb，F(xiàn)eCoB，F(xiàn)eCoN，F(xiàn)eTaC，F(xiàn)eTaN，F(xiàn)eNi和FeAlSi，其中每一種都具有高的飽和磁通密度，并具有有利的磁特性。
另外，可以在所述軟磁層和襯底之間形成一個(gè)偏磁施加層，比如縱向硬磁膜或者反鐵磁膜。軟磁層容易形成磁疇，磁疇產(chǎn)生尖峰噪聲?？梢酝ㄟ^在偏磁施加層的徑向的一個(gè)方向施加磁場(chǎng)，從而將偏磁場(chǎng)施加給形成在偏磁施加層上的軟磁層，來防止產(chǎn)生磁疇壁。還可以賦予所述偏磁施加層一種疊層結(jié)構(gòu)，以細(xì)致地使各向異性離散，使得難以形成大的磁疇。
偏磁施加層材料的例子有CoCrPt，CoCrPtB，CoCrPtTa，CoCrPTc，CoCrPtCuB，CoCrRuB，CoCrPtWC，CoCrPtWB，CoCrPtTaNd，CoSm，CoPt，CoPtO，CoCrPtO，CoPt-SiO2以及CoCrPtO-SiO2。
圖4是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第四個(gè)例子的方案的剖面示意圖。
如圖4所示，磁記錄介質(zhì)40具有與圖1所示相同的結(jié)構(gòu)，不同之處在于在襯底1和具有磁記錄層2和高磁致形變層3的多層4之間，從襯底1開始順序形成一個(gè)偏磁施加層13和軟磁層14。
另外，在所述軟磁層和所述多層之間，還可以形成一個(gè)低彈性層，其楊氏模量小于所述軟磁層的楊氏模量。
該低彈性層根據(jù)軟磁層的材料進(jìn)行選擇。例如，其可以使用低熔點(diǎn)材料比如錫、鉛、銦或者鉍，或者聚合物材料比如聚酯或者聚酰亞胺。
圖5是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第五個(gè)例子的方案的剖面示意圖。
如圖5所示，磁記錄介質(zhì)50具有與圖4所示相同的結(jié)構(gòu)，不同之處在于在多層4和軟磁層14之間形成一個(gè)低彈性層15。
參照?qǐng)D4，在軟磁層14上也可以形成一個(gè)非磁性底層(未示出)，用于改善磁記錄層的垂直定向。該底層也具有在記錄層和軟磁層之間形成磁隔離，從而防止軟磁層的性能退化的功能。作為所述底層，在某些實(shí)施例中，例如可以使用具有hcp結(jié)構(gòu)或者fcc結(jié)構(gòu)的材料，比如非磁性的基于CoCr的材料，或者基于Ru的材料，在所述結(jié)構(gòu)中，最緊密堆積面容易縱向生長(zhǎng)到襯底上，并且所述結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)接近記錄層的晶格常數(shù)。該底層可以是單層，或者是兩個(gè)或者多個(gè)多層，以控制晶粒尺寸或者即使在厚度較小時(shí)改善定向。
圖6是一個(gè)部分分解立體圖，示出了本發(fā)明的磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備的一個(gè)例子。
根據(jù)本發(fā)明的用于記錄信息的剛性磁盤121固定在主軸122上，并由主軸馬達(dá)(未示出)以預(yù)定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。懸架124的端部是一個(gè)薄簧片，上面安裝了浮動(dòng)塊123，浮動(dòng)塊上安裝用于訪問磁盤121以記錄信息的單極記錄磁頭以及用于再現(xiàn)信息的MR磁頭。所述懸架1 24連接到一個(gè)臂125的一端，該臂例如具有一個(gè)固定一個(gè)驅(qū)動(dòng)線圈(未示出)的線圈架。
音圈馬達(dá)126(一種線性馬達(dá))連接到所述臂125的另一端。該音圈馬達(dá)126包括繞在所述臂125的所述線圈架上的所述驅(qū)動(dòng)線圈(未示出)，以及具有一個(gè)永久磁體和在所述驅(qū)動(dòng)線圈兩側(cè)相對(duì)的對(duì)應(yīng)磁軛的磁路。
所述臂125由形成為兩個(gè)的滾珠軸承(未示出)、一個(gè)固定軸127的上部和下部保持，并由所述音圈馬達(dá)126旋轉(zhuǎn)。也就是，浮動(dòng)塊123在所述磁盤121上的位置由所述音圈馬達(dá)126控制。圖6中的附圖標(biāo)記128表示蓋子。
實(shí)施例1將一個(gè)2.5英寸、硬盤一樣的晶化玻璃襯底置于一個(gè)濺射設(shè)備中，將該設(shè)備抽真空到1×10-5Pa或者以下。然后，用1700W將襯底加熱7秒，然后用Ni-50at％Al靶在0.6Pa的Ar氛圍中進(jìn)行濺射，從而形成5nm厚的NiAl膜作為籽晶層。
隨后，在該NiAl膜上形成一個(gè)5nm厚的Cr合金底層，用于在縱向定向硬磁膜。在這個(gè)Cr合金底層上，形成一個(gè)15nm厚的Co-19at％Cr-14at％Pt-1at％Cu-1at％B硬磁膜，用于向軟磁膜施加偏磁場(chǎng)。
另外，在這樣得到的硬磁膜上，形成一個(gè)2nm厚的Co-26at％Cr-15at％Ru弱磁膜，以控制所述縱向硬磁膜和其上的軟磁膜之間的磁化固定強(qiáng)度(magnetization fixing strength)。在該弱磁膜上，作為軟磁層，形成一個(gè)100nm厚的Co-5at％-Zr-8at％Nb膜和20nm厚的Co-6at％Ta-2at％Zr膜。
另外，在該軟磁層上，作為定向控制層，形成一個(gè)5nm厚的Ni-40at％Ta膜和一個(gè)15nm厚的具有高Cr組分以用作磁記錄層的初始生長(zhǎng)層的Co-26at％Cr-12at％Pt-4at％B膜。
此后，在該膜上形成一個(gè)多層首先形成一個(gè)具有1×10-5的磁致形變常數(shù)、作為垂直磁記錄層的20nm厚的Co-19at％Cr-16at％Pt-1at％B膜，然后形成一個(gè)具有大于磁記錄層的磁致形變常數(shù)的為2×10-4的磁致形變常數(shù)的4nm厚的Sm0.5Dy0.5Fe2高磁致形變膜。
在該多層上通過CVD形成一個(gè)6nm厚的碳膜之后，通過浸涂形成一個(gè)厚度大于等于1nm的全氟代聚醚(PFPE，perfluoropolyether)膜，從而獲得垂直磁記錄介質(zhì)A-1。
用磁化設(shè)備在徑向向獲得的垂直磁記錄介質(zhì)A-1施加大于等于1185kA/m(15kOe)的脈沖磁場(chǎng)，以將所述縱向硬磁膜的磁化定向到徑向，從而向所述軟磁層施加一個(gè)偏磁場(chǎng)。這樣，就從軟磁膜中消除了磁疇。
圖7圖示了所獲得的介質(zhì)A-1的方案。
如圖7所示，介質(zhì)A-1具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中在襯底1上順序疊置一個(gè)籽晶層16、一個(gè)底層17、一個(gè)硬磁層18、一個(gè)弱磁層19、一個(gè)由軟磁膜20a和20b構(gòu)成的軟磁層20、一個(gè)第一定向控制層21、一個(gè)第二定向控制層22、一個(gè)由垂直磁記錄層23和高磁致形變膜24構(gòu)成的多層25、一個(gè)碳層26以及一個(gè)潤(rùn)滑層(未示出)。
對(duì)所獲得的介質(zhì)A-1進(jìn)行了克爾效應(yīng)測(cè)量和電磁轉(zhuǎn)換特性評(píng)估(記錄/再現(xiàn)性能評(píng)估)。獲得的結(jié)果如表1所示(見后)。
利用克爾效應(yīng)評(píng)估的介質(zhì)A-1的磁特性是垂直矯頑力(垂直Hc)為280.45kA/m(3550Oe)，矩形比Rs為0.92，產(chǎn)生反磁疇的磁場(chǎng)Hn為63.2kA/m(800Oe)。從垂直矯頑力和Hn之間的關(guān)系可以看出，所獲得的垂直磁記錄介質(zhì)的MH環(huán)的斜率陡，這表示高的記錄分辨率。
用包括0.25微米寬的單極記錄磁頭和0.22微米寬的GMR再現(xiàn)元件、對(duì)應(yīng)于15nm的浮動(dòng)量的磁頭評(píng)估了介質(zhì)A-1的記錄/再現(xiàn)特性。作為記錄分辨率的一個(gè)指標(biāo)，微分再現(xiàn)孤波獲得的波形的半寬PW50為8.2納秒，是一個(gè)有利的值。另外，在500kFCI的記錄密度下，通過微分電路處理后的再現(xiàn)波的噪聲(rms值)對(duì)低頻孤立信號(hào)的比值(介質(zhì)噪聲比)SNm為23.3dB。
控制1為了比較，按照與實(shí)施例1的介質(zhì)A-1同樣的工藝制造一個(gè)垂直磁記錄介質(zhì)B-1，但是沒有形成Sm0.5Dy0.5Fe2膜。
按照與實(shí)施例1同樣的方式，對(duì)所獲得的介質(zhì)B-1進(jìn)行克爾效應(yīng)測(cè)量和電磁轉(zhuǎn)換特性評(píng)估(記錄/再現(xiàn)特性評(píng)估)。所獲得結(jié)果如表1所示(見后)。
介質(zhì)B-1的特性是垂直矯頑力(垂直Hc)為300.2kA/m(3800Oe)，矩形比Rs為0.90，產(chǎn)生反磁疇的磁場(chǎng)Hn為23.7kA/m(300Oe)，PW50的值為9.1納秒，SNm值為22.6dB。
介質(zhì)A-1在記錄分辨率和SNm方面勝于介質(zhì)B-1。另外，由于介質(zhì)A-1的Hn值增加了，由于熱衰減而導(dǎo)致的輸出縮減量在介質(zhì)B-1中為-0.15％/十年(decade)，而在介質(zhì)A-1中改善為-0.12％/十年。
實(shí)施例2按照與實(shí)施例1同樣的工藝，在晶化玻璃襯底上形成一個(gè)5nm厚的Ni-50at％Al籽晶膜和5nm厚的Cr-20at％Mo合金膜。另外，在該合金膜上形成一個(gè)多層作為縱向磁記錄層首先形成一個(gè)20nm厚的Co-20at％Cr-16at％Pt-8at％B膜，然后形成一個(gè)具有大的磁致形變的4nm厚的ErFe2高磁致形變膜。
之后，按照與實(shí)施例1同樣的工藝，形成一個(gè)碳膜和一個(gè)潤(rùn)滑膜，從而獲得縱向磁記錄介質(zhì)A-2。
圖8是所獲得的縱向磁記錄介質(zhì)A-2的方案的剖面示意圖。
如圖8所示，該縱向磁記錄介質(zhì)具有這樣的結(jié)構(gòu)在襯底1上順序疊置一個(gè)籽晶層16、一個(gè)底層17、一個(gè)由縱向磁記錄層27和高磁致形變膜28構(gòu)成的多層29、一個(gè)碳保護(hù)層26以及一個(gè)潤(rùn)滑層(未示出)。
對(duì)所獲得的縱向磁記錄介質(zhì)A-2進(jìn)行了克爾效應(yīng)測(cè)量和電磁轉(zhuǎn)換特性評(píng)估(記錄/再現(xiàn)性能評(píng)估)。獲得的結(jié)果如表2所示(見后)。
控制1為了比較，按照與介質(zhì)A-2同樣的工藝制造一個(gè)垂直磁記錄介質(zhì)B-2，但是沒有形成ErFe2高磁致形變膜。
對(duì)所獲得的縱向磁記錄介質(zhì)B-2進(jìn)行克爾效應(yīng)測(cè)量和電磁轉(zhuǎn)換特性評(píng)估(記錄/再現(xiàn)特性評(píng)估)。所獲得結(jié)果如表2所示(見后)。
實(shí)施例2的介質(zhì)A-2的磁特性是縱向矯頑力(縱向Hc)為355.5kA/m(40500Oe)，縱向矩形比S為0.86，矯頑力矩形比S*為0.82。從S*的值可以看出，MH環(huán)的斜率陡，這表示高的記錄分辨率。
另外，用包括0.25微米寬的單極記錄磁頭和0.22微米寬的GMR再現(xiàn)元件、對(duì)應(yīng)于15nm的浮動(dòng)量的磁頭評(píng)估了記錄/再現(xiàn)特性。作為記錄分辨率的一個(gè)指標(biāo)，孤立波形(solitary waveform)的半寬PW50為9.0納秒，是一個(gè)有利的值。另外，在500kFCI的記錄密度下，SNm值為23.1dB。
介質(zhì)B-2的特性是縱向矯頑力為379.2kA/m(4800Oe)，縱向矩形比為0.78，PW50的值為9.2納秒，SNm值為22.6dB。
如上所述，介質(zhì)A-2在記錄分辨率和SNm方面勝于介質(zhì)B-2。
實(shí)施例3按照與實(shí)施例1同樣的工藝，在襯底上形成一個(gè)籽晶層、底層、硬磁層、弱磁層和由兩個(gè)軟磁膜形成的軟磁層。另外，在所述軟磁層上，形成5nm厚的錫層(E＝5×1010N/m2)，使得楊氏模量小于CoZrNb膜的楊氏模量(E＝1×1011N/m2)，以不把應(yīng)變傳遞給下伏的軟磁膜。另外，在該錫層上，形成4nm厚的Sm0.5Dy0.5Fe2高磁致形變膜(2×10-4)。在該膜上，形成類似于實(shí)施例1的5nm厚的Ni-40at％Ta膜和15nm厚的Co-26at％Cr-12at％Pt-4at％B膜，作為定向控制層。在這些定向控制層上，作為垂直記錄層，形成具有10-5量級(jí)的磁致形變常數(shù)的20nm厚的Co-19at％Cr-16at％Pt-1at％B膜。
由于具有高硬度和低楊氏模量的錫膜形成在具有高磁致形變常數(shù)的膜和軟磁膜之間，磁致形變的影響不容易傳遞到軟磁膜，因此可以減小軟磁膜的特性的變化。按照與實(shí)施例1同樣的工藝在所得到的結(jié)構(gòu)上形成碳膜和潤(rùn)滑膜，從而得到垂直磁記錄介質(zhì)A-3。
之后，按照與實(shí)施例1同樣的方式，在徑向上用磁化設(shè)備對(duì)介質(zhì)A-3施加脈沖磁場(chǎng)，從而將縱向硬磁膜的磁化定向到所述徑向。
圖9是圖示了介質(zhì)A-3的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
如圖9所示，該垂直磁記錄介質(zhì)A-3具有這樣的結(jié)構(gòu)在襯底1上順序疊置一個(gè)籽晶層16、一個(gè)底層17、一個(gè)硬磁層18、一個(gè)弱磁層19、一個(gè)由軟磁膜20a和20b構(gòu)成的軟磁層20，一個(gè)低彈性層31、一個(gè)多層32以及一個(gè)碳層26。該多層32具有順序形成在所述低彈性層21上的一個(gè)高磁致形變膜24、第一定向控制層21、第二定向控制層22和垂直磁記錄層23。
按照與實(shí)施例1同樣的方式，對(duì)所獲得的介質(zhì)A-3進(jìn)行了克爾效應(yīng)測(cè)量和電磁轉(zhuǎn)換特性評(píng)估(記錄/再現(xiàn)性能評(píng)估)。獲得的結(jié)果如表1所示(見后)。
介質(zhì)A-3的磁特性是垂直矯頑力為284.4kA/m(3600Oe)，矩形比Rs為0.91，產(chǎn)生反磁疇的磁場(chǎng)Hn為31.6kA/m(400Oe)。從垂直Hc和Hn之間的關(guān)系可以看出，與介質(zhì)B-1相比，介質(zhì)A-3的MH環(huán)的斜率陡，這表示高的記錄分辨率。在介質(zhì)B-1中，既沒有形成高磁致形變膜，也沒有形成低彈性膜。
當(dāng)用與實(shí)施例1相同的方式評(píng)估記錄/再現(xiàn)特性時(shí)，半寬PW50為8.3納秒，是一個(gè)有利的值。另外，介質(zhì)A-3在記錄分辨率和SNm方面勝于介質(zhì)B-1。另外，由于介質(zhì)A-3的Hn值增加了，由于熱衰減而導(dǎo)致的輸出縮減量在介質(zhì)B-1中為-0.15％/十年(decade)，而在介質(zhì)A-3中改善為-0.13％/十年。
實(shí)施例4按照與實(shí)施例1相同的工藝獲得垂直磁記錄介質(zhì)A-4，不同之處在于在垂直磁記錄層上，取代所述Sm0.5Dy0.5Fe2高磁致形變膜，順序形成具有1×10-4的高磁致形變常數(shù)的2nm厚的PtFe3膜，以及具有大于磁記錄層飽和磁場(chǎng)Hs的各向異性Hk的2nm厚的Co80Pt20膜。
按照與實(shí)施例1相同的方式對(duì)所獲得的介質(zhì)A-4在徑向施加脈沖磁場(chǎng)，以使縱向硬磁膜的磁化在徑向排列。
另外，按照與介質(zhì)A-4同樣的工藝制造介質(zhì)A-5，不同之處在于不形成Co80Pt20膜。
此后，按照與實(shí)施例1相同的方式用磁化設(shè)備對(duì)介質(zhì)A-5在徑向施加脈沖磁場(chǎng)，以使縱向硬磁膜的磁化定向于徑向。
圖10是圖示了介質(zhì)A-4的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
如圖10所示，該介質(zhì)A-4具有與圖7所示的介質(zhì)A-1同樣的結(jié)構(gòu)，不同之處在于在第二定向控制層22上形成一個(gè)垂直磁記錄層23、高磁致形變膜33和高Hk膜34，而不是由垂直磁記錄層23和高磁致形變膜24構(gòu)成的多層25。
圖11是圖示了介質(zhì)A-5的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
如圖11所示，該介質(zhì)A-5具有與圖7所示的介質(zhì)A-1同樣的結(jié)構(gòu)，不同之處在于在第二定向控制層22上形成一個(gè)垂直磁記錄層23和高磁致形變膜33，而不是由垂直磁記錄層23和高磁致形變膜24構(gòu)成的多層25。
按照與實(shí)施例1同樣的方式，對(duì)所獲得的介質(zhì)A-4和A-5進(jìn)行了克爾效應(yīng)測(cè)量和電磁轉(zhuǎn)換特性評(píng)估(記錄/再現(xiàn)性能評(píng)估)。獲得的結(jié)果如表1所示(見后)。
介質(zhì)A-4的磁特性是垂直矯頑力為284.4kA/m(3600Oe)，矩形比Rs為0.93，產(chǎn)生反磁疇的磁場(chǎng)Hn為43.45kA/m(550Oe)。
當(dāng)用與實(shí)施例1相同的方式評(píng)估記錄/再現(xiàn)特性時(shí)，半寬PW50為8.2納秒，是一個(gè)有利的值。另外，SNm的值為23.4dB。
介質(zhì)A-5的磁特性是垂直矯頑力為252.8kA/m(3200Oe)，矩形比Rs為0.90，產(chǎn)生反磁疇的磁場(chǎng)Hn為27.64kA/m(350Oe)，SNm的值為23.0dB，PW50的值為8.7納秒，大于介質(zhì)A-4但是好于介質(zhì)B-1。
如上所述，本發(fā)明的介質(zhì)在記錄分辨率和SNm方面較優(yōu)。另外，由于介質(zhì)A-4的Hn值增加了，由于熱衰減而導(dǎo)致的輸出縮減量在介質(zhì)B-1中為-0.15％/十年(decade)，而在介質(zhì)A-4中改善為-0.11％/十年。類似地，介質(zhì)A-5的輸出縮減量為-0.13％/十年，優(yōu)于介質(zhì)B-1。
實(shí)施例5按照與實(shí)施例1同樣的工藝，形成垂直磁記錄介質(zhì)A-6，不同之處在于，取代由垂直磁記錄層和高磁致形變膜構(gòu)成的多層，按以下方式形成一個(gè)多層順序形成作為垂直磁記錄層的易磁化軸在垂直方向的12nm厚的Co-19at％Cr-16at％Pt-1at％B膜，作為中間層的具有2×10-4的磁致形變常數(shù)的2nm厚的Sm0.5Dy0.5Fe2高磁致形變膜，以及8nm厚的Co-19at％Cr-16at％Pt-1at％B膜。
之后，按照與實(shí)施例1同樣的方式，在徑向上用磁化設(shè)備對(duì)介質(zhì)A-6施加脈沖磁場(chǎng)，從而將縱向硬磁膜的磁化定向到所述徑向。
圖12是圖示了介質(zhì)A-6的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
如圖12所示，該介質(zhì)A-6具有與介質(zhì)A-1同樣的結(jié)構(gòu)，不同之處在于在第二定向控制層22上形成一個(gè)由垂直磁記錄層23和高磁致形變膜37組成的多層38，而不是多層25。
按照與實(shí)施例1同樣的方式，對(duì)所獲得的介質(zhì)A-6進(jìn)行了克爾效應(yīng)測(cè)量和電磁轉(zhuǎn)換特性評(píng)估(記錄/再現(xiàn)性能評(píng)估)。獲得的結(jié)果如表1所示(見后)。
介質(zhì)A-6的磁特性是垂直矯頑力為272.55kA/m(3450Oe)，矩形比Rs為0.91，產(chǎn)生反磁疇的磁場(chǎng)Hn為31.6kA/m(400Oe)。從垂直Hc和Hn之間的關(guān)系可以看出，介質(zhì)A-6的MH環(huán)的斜率陡，這表示高的記錄分辨率。
當(dāng)用與實(shí)施例1相同的方式評(píng)估該介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)特性時(shí)，半寬PW50為8.3納秒，是一個(gè)有利的值。SNm的值為23.5dB。
如上所述，介質(zhì)A-6在記錄分辨率和SNm方面勝于介質(zhì)B-1。另外，由于介質(zhì)A-6的Hn值增加了，相對(duì)于介質(zhì)B-1，由于熱衰減而導(dǎo)致的輸出縮減量改善為-0.12％/十年。
實(shí)施例6按照與實(shí)施例1同樣的工藝，形成垂直磁記錄介質(zhì)A-7，不同之處在于，取代Ni-40at％Ta定向控制層和Co-26at％Cr-12at％Pt-4at％B底層，形成5nm厚的Ti膜和5nm厚的Ru膜，通過用Co-20at％Pt-16at％Cr靶在含氧的Ar環(huán)境中進(jìn)行濺射，在所述Ti和Ru膜上形成一個(gè)20nm厚的CoPtCrO膜，作為垂直磁記錄層，然后在該垂直磁記錄層上形成具有4×10-4的磁致形變常數(shù)的4nm厚的Tb0.5Dy0.5Fe2高磁致形變膜。
之后，按照與實(shí)施例1同樣的方式，在徑向上用磁化設(shè)備對(duì)介質(zhì)A-7施加脈沖磁場(chǎng)，從而將縱向硬磁膜的磁化定向到所述徑向。
圖13是圖示了介質(zhì)A-7的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
如圖13所示，該介質(zhì)A-7具有與介質(zhì)A-1同樣的結(jié)構(gòu)，不同之處在于形成定向控制層39和41而不是第一和第二定向控制層21和22，形成一個(gè)由含氧的垂直磁記錄層42和高磁致形變膜43組成的多層44而不是多層25。
為了比較的目的，按照與介質(zhì)A-7相同的工藝形成一個(gè)傳統(tǒng)的垂直磁記錄介質(zhì)B-3，不同之處在于沒有形成Tb0.5Dy0.5Fe2高磁致形變膜。
對(duì)所獲得的介質(zhì)A-7和B-3進(jìn)行克爾效應(yīng)測(cè)量和電磁轉(zhuǎn)換特性評(píng)估(記錄/再現(xiàn)性能評(píng)估)。
獲得的結(jié)果如表3所示(見后)。
介質(zhì)A-7的磁特性是垂直矯頑力為331.8kA/m(4200Oe)，矩形比Rs為0.94，產(chǎn)生反磁疇的磁場(chǎng)Hn為67.15kA/m(850Oe)。從垂直Hc和Hn之間的關(guān)系可以看出，該介質(zhì)的MH環(huán)的斜率陡，這表示高的記錄分辨率。
當(dāng)用與實(shí)施例1相同的方式評(píng)估該介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)特性時(shí)，半寬PW50為7.8納秒，是一個(gè)有利的值。在500kFCI的記錄密度下SNm的值為23.3dB。
另一方面，傳統(tǒng)介質(zhì)B-3的磁特性是垂直矯頑力為355.5kA/m(4500Oe)，矩形比Rs為0.94，產(chǎn)生反磁疇的磁場(chǎng)Hn為47.4kA/m(600Oe)，PW50的值為8.3納秒，SNm的值為22.4dB。
如上所述，介質(zhì)A-7在記錄分辨率和SNm方面勝于介質(zhì)B-3。另外，由于介質(zhì)A-7的Hn值大于介質(zhì)B-3，由于熱衰減而導(dǎo)致的輸出縮減量改善為-0.10％/十年，而介質(zhì)B-3的為-0.12％/十年。
表1

表2

表3

在如上所述的本發(fā)明中，磁記錄介質(zhì)的矯頑力離散顯著降低。這使得通過降低磁化翻轉(zhuǎn)寬度來提高記錄分辨率、通過縮短磁記錄介質(zhì)的磁化翻轉(zhuǎn)長(zhǎng)度并使其各向異性磁場(chǎng)Hk均勻來提高介質(zhì)信噪比、保證高的耐熱衰減性能、記錄和再現(xiàn)高密度信息成為可能。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員很容易了解其它的優(yōu)點(diǎn)和改進(jìn)。因此，本發(fā)明在其廣義的方面不限于這里所描述和圖示的具體細(xì)節(jié)和代表性實(shí)施例。因此，可以作出各種修改而不脫離所附權(quán)利要求及其等價(jià)方案所限定的總體發(fā)明構(gòu)思的精神實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，包括在襯底上的多層，該多層包括一個(gè)磁記錄層，以及一個(gè)磁致形變比該磁記錄層大的高磁致形變層。
2.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其特征在于，所述磁記錄層是具有垂直磁各向異性的垂直磁記錄層。
3.如權(quán)利要求2所述的介質(zhì)，其特征在于還包括一個(gè)在所述襯底和所述多層之間的軟磁層，其中，該多層還包括在其襯底一側(cè)的低彈性層，該低彈性層的楊氏模量低于所述軟磁層的楊氏模量。
4.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其特征在于所述高磁致形變層的磁致形變常數(shù)大于5×10-5。
5.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其特征在于所述高磁致形變層的飽和磁場(chǎng)大于所述磁記錄層的飽和磁場(chǎng)。
6.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其特征在于所述高磁致形變層包括一個(gè)高磁致形變薄膜和一個(gè)高飽和磁場(chǎng)薄膜的組合，該高飽和磁場(chǎng)薄膜的飽和磁場(chǎng)大于所述磁記錄層的飽和磁場(chǎng)。
7.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其特征在于，所述高磁致形變層包括下列之至少一種RFe2(R為稀土元素)，TbFe2，ErFe2，SmxDy1-xFe2，TbxDy1-xFe2，F(xiàn)e/Pt疊層膜，以及Co/Pd疊層膜。
8.如權(quán)利要求1所述的介質(zhì)，其特征在于，所述磁記錄層包含鈷和鐵中的至少一種，鉑和鈀中的至少一種，以及鉻和氧中的至少一種。
9.一種磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備，包括一種磁記錄介質(zhì)和一個(gè)記錄/再現(xiàn)磁頭，該磁記錄介質(zhì)包括在襯底上的多層，該多層包括一個(gè)磁記錄層，以及一個(gè)磁致形變比該磁記錄層大的高磁致形變層。
10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述記錄/再現(xiàn)磁頭是單極記錄磁頭。
11.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述磁記錄層是具有垂直磁各向異性的垂直磁記錄層。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其特征在于還包括一個(gè)在所述襯底和所述多層之間的軟磁層，其中，該多層還包括在其襯底一側(cè)的低彈性層，該低彈性層的楊氏模量低于所述軟磁層的楊氏模量。
13.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于所述高磁致形變層的磁致形變常數(shù)大于5×10-5。
14.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于所述高磁致形變層的飽和磁場(chǎng)大于所述磁記錄層的飽和磁場(chǎng)。
15.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于所述高磁致形變層包括一個(gè)高磁致形變薄膜和一個(gè)高飽和磁場(chǎng)薄膜的組合，該高飽和磁場(chǎng)薄膜的飽和磁場(chǎng)大于所述磁記錄層的飽和磁場(chǎng)。
16.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述高磁致形變層包括下列之至少一種RFe2(R為稀土元素)，TbFe2，ErFe2，SmxDy1-xFe2，TbxDy1-xFe2，F(xiàn)e/Pt疊層膜，以及Co/Pd疊層膜。
17.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述磁記錄層包含鈷和鐵中的至少一種，鉑和鈀中的至少一種，以及鉻和氧中的至少一種。
全文摘要
本申請(qǐng)公開了一種磁記錄介質(zhì)和磁記錄/再現(xiàn)設(shè)備。其中形成一個(gè)多層(4)，其包括磁記錄層(2)和高磁致形變層(3)，后者具有大于磁記錄層(10)的磁致形變常數(shù)。
文檔編號(hào)G11B5/66GK1551123SQ200410007300
公開日2004年12月1日 申請(qǐng)日期2004年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月28日
發(fā)明者彥坂和志, 中村太, 及川壯一, 巖崎剛之, 前田知幸, 酒井浩志, 清水謙治, 坂脅彰, 一, 之, 坂和志, 幸, 志, 治 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝, 昭和電工株式會(huì)社