專利名稱：：聚(亞芳基醚)數(shù)據(jù)存儲介質的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲介質，尤其涉及聚(亞芳基醚)數(shù)據(jù)存儲介質。發(fā)明概要本發(fā)明披露的是數(shù)據(jù)存儲介質及其制造和使用方法。在一個實施方案中，存儲介質包含包含塑料樹脂部分的基片和基片上的數(shù)據(jù)層，其中塑料樹脂部分包含聚(亞芳基醚)和苯乙烯類材料(styrenematerial)，其中苯乙烯類材料選自聚苯乙烯、苯乙烯類共聚物(styreniccopolymer)、和包含前述苯乙烯類材料中的至少一種的反應產物和組合。聚(亞芳基醚)的重均分子量為約5,000至約50,000AMU，并且聚苯乙烯的重均分子量為約10,000至約300,000AMU。通過能量場(energyfield)數(shù)據(jù)層能夠至少部分地被讀取、寫入、或其組合。此外，當能量場接觸存儲介質時，在能量場能夠入射到基片上前，其入射到數(shù)據(jù)層上。在一個實施方案中，檢索數(shù)據(jù)的方法包含旋轉存儲介質，將能量場導向存儲介質，使得在能量場能夠入射到基片上前，其入射到數(shù)據(jù)層上，并且通過能量場從數(shù)據(jù)層檢索信息。圖1是使用光學透明基片的現(xiàn)有技術的低面密度系統(tǒng)的橫截面圖。圖2是使用本發(fā)明的存儲介質的一個可能的實施方案的讀取/寫入系統(tǒng)的橫截面圖，其中光入射到數(shù)據(jù)存儲層上而不通過基片。圖3是本發(fā)明的磁性數(shù)據(jù)存儲基片的一個實施方案的橫截面圖。上述附圖只是示例性的，而非限制性的，只描述了本發(fā)明的一些可能的發(fā)明詳細描述存儲介質可以包含均相或非均相(non-homogenous)的聚(亞芳基醚)/苯乙烯類材料基片，其能夠就地(insitu)形成，其一側或兩側上設置有所需的表面特征，其一側或兩側上還有數(shù)據(jù)存儲層，如磁光材料和任選的保護層、介電和/或反射層?；梢跃哂谢旧暇嗟?、錐形的、凹入的或凸出的幾何形狀，使用各種類型和幾何形狀的增強件(reinforcement)來增加勁度(stiffness)，而不會對表面完整性(surfaceintegrity)和光滑性(smoothness)產生不利影響?；梢园?亞芳基醚)(PAE)和苯乙烯類材料或其反應產物的單相(singlephase)共混物。基片可以包含聚苯乙烯(PS)和/或苯乙烯類共聚物(如，苯乙烯-共聚-丙烯腈(SAN)和/或苯乙烯-共聚-馬來酸酐(SMA))。在一個實施方案中，存儲介質包含重均分子量為約5,000至約50,000的PAE和重均分子量為約10,000至約300,000的聚苯乙烯，其中本文所有的分子量以原子質量單位(AMU)給出，除非另外指明。優(yōu)選的是，小于或等于約20wt％的PAE的重均分子量(Mw)小于或等于約15,000，小于或等于約10wt％是優(yōu)選的，且小于或等于約5wt％是特別優(yōu)選的，以獲得加工性的改進并調整機械性能。組合物可以包含小于或等于約90wt％的PAE和小于或等于約90wt％的苯乙烯類材料，基于組合物的總重量；約25wt％至約75wt％的PAE和約25wt％至約75wt％的苯乙烯類材料是優(yōu)選的；且約40wt％至約60wt％的PAE和約40wt％至約60wt％苯乙烯類材料是尤其優(yōu)選的。還注意低分子量PAE(如，重均分子量小于或等于約15,000，或特性粘度(IV)低于約0.25分升/克(dl/g)(25℃下在氯仿中測定))的總含量優(yōu)選小于或等于約20wt％，小于或等于約10wt％是尤其優(yōu)選的，以防止材料的嚴重脆變。在三元共混物中，苯乙烯類材料可以包含約1wt％至約99wt％的聚苯乙烯和約1wt％至約99wt％的苯乙烯類共聚物，且約25wt％至約90wt％的聚苯乙烯和約10wt％至約75wt％的苯乙烯類共聚物是優(yōu)選的，約50wt％至約90wt％的聚苯乙烯和約10wt％至約50wt％的苯乙烯類共聚物是尤其優(yōu)選的，基于苯乙烯類材料的總重量。在使用苯乙烯類共聚物的實施方案中，苯乙烯類共聚物中的共聚單體的含量應當?shù)陀诩s25摩爾％(mol％)，以便保持單相共混物。即使在低共聚單體含量下，單相共混物取決于PAE組分的分子量和共聚單體的含量。例如，對于含丙烯腈含量為約6mol％的SAN的PAE/SAN共混物來說，在特性粘度IV小于或等于約0.33dl/g的PAE的所有組成范圍內均能觀察到完全混溶性。如果丙烯腈含量增至約8mol％，那么僅對低IV(如，0.12dl/g)的PAE共混物的所有組成范圍觀察到完全混溶性，而更高IV的材料(如，大于或等于約0.33dl/g)在約40mol％至約60mol％的PAE范圍內呈現(xiàn)出不溶性。類似地，可以應用使用PPE、聚苯乙烯和苯乙烯類共聚物的三元共混物。如上所述，在約6mol％丙烯腈的苯乙烯類共聚物情況下觀察到完全混溶性。對于8mol％丙烯腈來說，當SAN含量小于或等于約30wt％或大于或等于約70wt％時，觀察到混溶性。但是，大于或等于70wt％SAN的情況產生了具有低玻璃化轉變溫度(如，低于約130℃)的共混物。術語聚(亞芳基醚)(PAE)包括聚亞苯基醚(PPE)和聚(亞芳基醚)的共聚物；接枝共聚物；聚(亞芳基醚)離子交聯(lián)聚合物；聚(亞芳基醚)，聚(亞芳基醚)，烯基芳族化合物，乙烯基芳族化合物的嵌段共聚物，等等；以及包含前述中的至少一種的反應產物和組合；等等。聚(亞芳基醚)本身是包含多個式(I)的結構單元的已知聚合物其中對于每個結構單元，每個Q1獨立地為鹵素，伯或仲低級烷基(如，包含多至7個碳原子的烷基)，苯基，鹵代烷基，氨基烷基，烴氧基或鹵代烴氧基，其中至少兩個碳原子隔開鹵素原子和氧原子；并且每個Q2獨立地為氫，鹵素，伯或仲低級烷基，苯基，鹵代烷基，烴氧基或鹵代烴氧基，與Q1的定義相同。優(yōu)選的是，每個Q1是烷基或苯基，尤其是C1-4烷基，且每個Q2是氫。聚(亞芳基醚)的均聚物和共聚物均包括在內。優(yōu)選的均聚物是包含2，6-二甲基亞苯基醚單元的那些。合適的共聚物包括無規(guī)共聚物，包含如與2，3，6-三甲基-1，4-亞苯基醚單元或衍生自2，6-二甲基苯酚與2，3，6-三甲基苯酚的共聚反應的共聚物相組合的這類單元。還包括含以下部分的聚(亞芳基醚)，該部分是通過接枝下列物質制備的乙烯基單體或聚合物如聚苯乙烯，以及偶合的聚(亞芳基醚)，其中偶合劑如低分子量聚碳酸酯、醌類(quinines)、雜環(huán)化合物(heterocycles)和縮甲醛(formols)以已知方式與兩個聚(亞芳基醚)鏈的羥基進行反應，生成高分子量聚合物。聚(亞芳基醚)還包括包含上述中的至少一種的反應產物和組合。從上文描述的內容對本領域普通技術人員來說顯而易見的是，所考慮的聚(亞芳基醚)包括所有那些目前已知的物質，不管結構單元或附屬的化學特征的變化。聚(亞芳基醚)的特性粘度(IV)通常為約0.10至約0.60分升/克(dl/g)，在25℃下在氯仿中測定。還可能組合使用高特性粘度的聚(亞芳基醚)(優(yōu)選大于或等于約0.25dl/g)和低特性粘度的聚(亞芳基醚)(優(yōu)選小于或等于0.25dl/g)。當使用兩種特性粘度時，確定其確切的比例在某種程度上取決于所用的聚(亞芳基醚)的確切的特性粘度和所需的最終物理性能。合適的堿可滴定的(basetitratable)官能化的聚(亞芳基醚)樹脂包括但不限于通過與合適的酸或酸酐官能化試劑(functionalizationagent)進行反應而制備的那些。例如，可以使用通過將聚(亞芳基醚)與下列物質進行熔體反應(meltreaction)而制備的那些α，β不飽和羰基化合物，包括馬來酸酐、馬來酸、富馬酸、檸康酸酐、檸康酸、衣康酸酐、衣康酸、烏頭酸酐、烏頭酸及它們的酯和胺；α-羥基羰基化合物，包括羧酸如檸檬酸和馬來酸；5-羥基苯-1，2，4-三羧酸酐的衍生物，如5-乙?；?衍生物或4-酯-衍生物如苯基酯；偏苯三酸酐芳基酯，包括偏苯三酸酐苯基水楊酸酯(trimelliticanhydridephenylsalicylate)，以及包含前述中的至少一種的反應產物和組合?？晒┻x擇的是，聚(亞芳基醚)可以在合適的溶劑中被酸性或潛酸性(latentacidic)基團官能化。這類方法的實例包括在四氫呋喃(THF)中將聚(亞芳基醚)進行金屬化，接著用二氧化碳進行急冷或在甲苯溶液中用偏苯三酸酐酰氯將聚(亞芳基醚)進行封端。通常，可以使用小于或等于約10wt％的官能化試劑，基于聚(亞苯基醚)和試劑的重量，其中小于或等于約6wt％是優(yōu)選的，且約1.5wt％至約4wt％是尤其優(yōu)選的。除了聚(亞芳基醚)以外，組合物中可以包括一種或多種聚苯乙烯(PS)。本文所用的術語“聚苯乙烯”包括通過本領域已知的方法包括本體、懸浮和乳液聚合法制備的聚合物，其包含至少25wt％的結構單元，該結構單元衍生自通式的單體，其中R5是氫、低級烷基或鹵素；Z1是乙烯基、鹵素或低級烷基；和p為0至約5。類似地，除了聚(亞芳基醚)外，在所述的組合物中可以包括一種或多種苯乙烯類共聚物。本文所用的術語“聚苯乙烯共聚物”和“苯乙烯類共聚物”包括通過本領域已知的方法包括本體、懸浮和乳液聚合法，使用至少一種單乙烯基芳族烴制備的聚合物。單乙烯基芳族烴的實例包括烷基-、環(huán)烷基-、芳基-、烷基芳基-、芳烷基-、烷氧基-、芳氧基-、和其它取代的乙烯基芳族化合物、以及包含前述中的至少一種的反應產物和組合。具體實例包括苯乙烯、4-甲基苯乙烯、3，5-二乙基苯乙烯、4-正丙基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、α-甲基乙烯基甲苯、α-氯代苯乙烯、α-溴代苯乙烯、二氯代苯乙烯、二溴代苯乙烯、四氯代苯乙烯、以及包含前述苯乙烯類共聚物中的至少一種的反應產物和組合。所用的優(yōu)選單乙烯基芳族烴是苯乙烯和α-甲基苯乙烯。這些聚合物包含共聚單體，如丙烯酸類單體，包括丙烯腈和取代的丙烯腈，和丙烯酸酯和/或馬來酸酐及其衍生物，如馬來酰亞胺、N-取代的馬來酰亞胺等。共聚單體的具體實例包括丙烯腈、乙基丙烯腈，甲基丙烯腈，α-氯代丙烯腈(a-chloroarylnitrile)、β-氯代-丙烯腈、α-溴代丙烯腈、β-溴代丙烯腈、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、馬來酸酐、甲基丙烯腈、馬來酰亞胺、N-烷基馬來酰亞胺、N-芳基馬來酰亞胺，或烷基或鹵素取代的N-芳基馬來酰亞胺以及包含前述丙烯酸類單體中至少一種的反應產物和組合。優(yōu)選的單體是丙烯腈、馬來酸酐、丙烯酸乙酯，和甲基丙烯酸甲酯，其中丙烯腈和馬來酸酐是尤其優(yōu)選的。聚苯乙烯共聚物中存在的共聚單體的量可以變化。但是，含量通常為摩爾百分數(shù)大于或等于約2mol％且小于或等于約25mol％，其中約4mol％至約15mol％是優(yōu)選的，且約6mol％至約10mol％是尤其優(yōu)選的。尤其優(yōu)選的聚苯乙烯共聚物樹脂包括聚(苯乙烯-馬來酸酐)，通常稱為“SMA”和聚(苯乙烯-丙烯腈)，通常稱為“SAN”。對于本申請來說，理想的是，苯乙烯類共聚物以與PAE組分的單相共混物存在。因此，理想的是，共聚物為無規(guī)共聚物，而不是會導致相分離的嵌段型共聚物。此外，共混物還可以任選含有各種添加劑，如抗氧劑如有機亞磷酸酯，如亞磷酸三(壬基-苯基)酯、亞磷酸三(2，4-二-叔丁基苯基)酯、雙(2，4-二-叔丁基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯或二(十八烷基)季戊四醇二亞磷酸酯；烷基化單苯酚；多酚；多酚與二烯烴的烷基化反應產物，如四[亞甲基(3，5-二-叔丁基-4-羥基氫化肉桂酸酯)]甲烷、3，5-二-叔丁基-4-羥基氫化肉桂酸酯十八烷基(3，5-di-tert-butyl-4-hydroxyhydrocinnamateoctadecyl)，2，4-二叔丁基苯基亞磷酸酯，對甲酚和二環(huán)戊二烯的丁基化反應產物；烷基化氫醌；羥基化的硫代二苯基醚；亞烷基-二酚；芐基化合物；β-(3，5-二-叔丁基-4-羥基苯基)-丙酸與一元醇或多元醇的酯；β-(5-叔丁基-4-羥基-3-甲基苯基)-丙酸與一元醇或多元醇的酯；硫代烷基或硫代芳基化合物的酯，如硫代丙酸二硬脂酯、硫代丙酸二月桂基酯和/或硫代二丙酸二(十三烷基)酯；β-(3，5-二-叔丁基-4-羥基苯基)-丙酸的酰胺，等，以及包含前述抗氧劑中的至少一種的反應產物和組合?？梢赃M一步使用增強劑(reinforcingagents)、填料和其它添加劑等以及包含前述中的至少一種的反應產物和組合，以增加基片的模量，但是，重要的是填料相的存在不會不利地影響成型部件(moldedpart)的表面質量。因此，可能需要注塑(injectionmolding)期間的特殊加工條件以確保在成型加有填料的部件時充分光滑的表面。可以任選使用填料和增強劑如硅酸鹽、二氧化鈦(TiO2)、玻璃、氧化鋅(ZnO)、硫化鋅(ZnS)、炭黑、石墨、碳酸鈣、滑石、云母等，以及包含前述添加劑中的至少一種的反應產物和組合，其呈纖維(包括連續(xù)和切斷纖維)、薄片(flakes)、納米管(nanotubes)、球、顆粒等形狀以及包含前述形狀中的至少一種的組合。而且，也可以任選使用其它添加劑，如脫模劑(moldreleaseagents)(季戊四醇四硬脂酸酯、甘油單硬脂酸酯等)；紫外吸收劑；穩(wěn)定劑如光和熱穩(wěn)定劑(酸性亞磷基化合物、受阻酚等；潤滑劑(礦物油等)；增塑劑；染料(奎寧化合物、偶氮苯類等)；著色劑、抗靜電劑等(四烷基銨苯磺酸鹽、四烷基鏻苯磺酸鹽等)；抗滴落劑(anti-dripagents)；以及包含前述添加劑中的至少一種的反應產物和組合。使用該共混物的數(shù)據(jù)存儲介質可以通過首先使用能夠充分混合各種組分的常規(guī)反應容器，如單或雙螺桿擠出機、捏和機等形成熱塑性組合物而制備。組分或者可以同時通過加料斗供入擠出機中，或者苯乙烯類材料可以在加入PAE之前引入擠出機中并熔化，以防止PAE的粘著。擠出機應當保持在充分高的溫度下以將組分熔化，而不會引起其分解?？梢允褂眉s270℃至約340℃的溫度，其中優(yōu)選約280℃至約320℃，且尤其優(yōu)選約290℃至約305℃。類似地，應當控制擠出機中的停留時間(residencetime)以使分解最小化。通常使用小于或等于約5分鐘(min)或更長的停留時間，其中小于或等于約2min是優(yōu)選的，且小于或等于約1min是尤其優(yōu)選的。在擠出成所需的形狀(通常為粒狀、片狀、幅狀(web)等)，通過熔融過濾(meltfiltering)和/或使用絲網(wǎng)包裝(screenpack)，可以將混合物進行過濾，以除去不需要的污染物或分解產品。一旦已產生組合物，可以使用各種成型和加工技術將其成型為數(shù)據(jù)存儲介質或任何其它所需的物品(薄膜、透鏡、片等)?？赡艿某尚图夹g包括注塑(injectionmolding)、發(fā)泡法(foamingprocesses)、注射-壓縮(injection-compression)、旋轉成型(rotarymolding)、二次注塑(twoshotmolding)、微蜂窩狀成型(microcellularmolding)，鑄膜(filmcasting)、擠壓(extrusion)，壓機成型(pressmolding)、吹塑(blowmolding)等。如果將組合物用作數(shù)據(jù)存儲介質，例如，可以使用本領域常規(guī)已知的其它加工技術如電鍍、涂覆技術(旋涂、噴涂、蒸鍍、絲網(wǎng)印刷、上漆(painting)、浸漬、濺射、真空沉積、電沉積(electrodeposition)、凹凸涂覆(meniscuscoating)等)、層壓、數(shù)據(jù)標記(datastamping)、壓花、表面拋光、夾緊(fixturing)以及包含前述工藝中的至少一種的組合，以將所需的層設置在PAE/苯乙烯類材料基片上。本質上，基片能夠就地形成，其一側或兩側上設置有所需的表面特征，其一側或兩側上還有數(shù)據(jù)存儲層如磁光材料和任選的保護、介電和/或反射層?；梢跃哂谢旧暇嗟?、錐形的、凹入的或凸出的幾何形狀，其中任選使用各種類型和幾何形狀的增強件來增加勁度，而不會對表面完整性和光滑性產生不利影響。PAE/苯乙烯類材料存儲介質的例子包含注塑的PAE/苯乙烯類材料基片，該基片可以任選包含中空(氣泡、空穴等)或填料(金屬、塑料、玻璃、陶瓷等，呈各種形狀如纖維狀、球狀等)芯。各種層，包括數(shù)據(jù)層、介電層、反射層，和/或保護層設置到基片上。根據(jù)所產生的介質的類型，設置這些層。例如，對第一表面介質，所述層可以是保護層、介電層、數(shù)據(jù)存儲層、介電層，然后設置成與基片相接觸的反射層。數(shù)據(jù)存儲層可以包含能夠存儲可檢索數(shù)據(jù)的任何材料，如光學層、磁性層或磁性-光學層，厚度小于或等于約600埃，其中厚度小于或等于約300埃是優(yōu)選的。可能的數(shù)據(jù)存儲層包括但不限于氧化物(例如硅氧化物(siliconeoxide))，稀土元素-過渡金屬合金，鎳，鈷，鉻，鉭，鉑，鋱，釓，鐵，硼等，以及包含前述中的至少一種的合金和組合，有機染料(如，花青型染料或酞菁型染料)，以及無機相變化合物(如，TeSeSn或InAgSb)。防止灰塵、油和其它污染物的保護層可以具有大于或等于約100微米至小于或等于約10埃的厚度，在一些實施方案中，小于或等于約300埃的厚度是優(yōu)選的，而小于或等于約100埃的厚度是尤其優(yōu)選的。保護層的厚度通常至少部分由所用的讀取/寫入機理如磁性、光學或磁光所決定?？赡艿谋Ｗo層包括抗腐蝕材料如氮化物(如，氮化硅和氮化鋁等)、碳化物(如，碳化硅等)、氧化物(如二氧化硅等)、聚合物材料(如，聚丙烯酸酯或聚碳酸酯)、碳薄膜(金剛石、類金剛石的碳等)，以及包含前述中的至少一種的反應產物和組合。設置在數(shù)據(jù)存儲層的一側或兩側上且通常以熱控制劑(heatcontrollers)使用的介電層通?？梢跃哂卸嘀粱虺^約1,000埃且低至約200埃的厚度?？赡艿慕殡妼影ㄅc環(huán)境相容的材料中的氮化物(如，氮化硅和氮化鋁等)、氧化物(如氧化鋁等)、碳化物(如，碳化硅)、以及包含前述中的至少一種的合金和組合，優(yōu)選的是，不與周圍的層反應。反射層應當具有足夠的厚度以反射足夠量的能量使得能夠檢索數(shù)據(jù)。通常的是，反射層可以具有小于或等于約700埃的厚度，約300埃至約600埃的厚度通常是優(yōu)選的?？赡艿姆瓷鋵影ㄈ魏文軌蚍瓷涮囟ǖ哪芰繄龅牟牧?，包括金屬(如，鋁、銀、金、鈦和包含前述中的至少一種的合金和組合等)。除數(shù)據(jù)存儲層、介電層、保護層和反射層外，可以使用其它層如潤滑層(lubricationlayer)等。有用的潤滑劑包括含氟化合物，尤其是含氟的油類(fluorooils)和油脂類等。本文所述的存儲介質可以應用于常規(guī)的光學、磁光和磁性系統(tǒng)中，以及需要高質量存儲介質和/或面密度的高級體系中。在使用期間，存儲介質相對于讀取/寫入裝置布置，使得能量(磁性、光、或其組合或其它)以入射到存儲介質上的能量場的形式接觸數(shù)據(jù)存儲層。在接觸基片上之前(如果接觸的話)，能量場接觸設置在存儲介質上的層。能量場使存儲介質發(fā)生一些物理或化學變化，以記錄在該位置處能量入射到層上。例如，入射的磁場可以改變層內磁疇(magneticdomains)的取向，或者入射光束可能會引起光加熱材料處的相變化(phasetransformation)。例如，參照圖2，在磁光系統(tǒng)100中，數(shù)據(jù)檢索包含將數(shù)據(jù)存儲層102與入射到這類層上的偏振光110(白光、激光等)接觸。設置在數(shù)據(jù)存儲層102和基片108之間的反射層106通過數(shù)據(jù)存儲層102、保護層104將光往回反射，且反射到檢索數(shù)據(jù)的讀取/寫入裝置112上。在另一實施方案中，參照圖3，讀取/寫入裝置112檢測磁盤存儲層(diskstoragelayer)102′中的磁疇的偏光性(即，讀取數(shù)據(jù))。為了將數(shù)據(jù)寫入到存儲介質上，通過讀取/寫入裝置112在數(shù)據(jù)存儲層102′上施加磁場。磁場從讀取/寫入裝置112′，通過潤滑層105和保護層104，至磁性層(magneticlayer)102′，形成在兩個方向的任一個上排列的磁疇，從而限定數(shù)字數(shù)據(jù)比特。在使用期間，例如，通過下列步驟可以從存儲介質檢索數(shù)據(jù)旋轉存儲介質(如，以高達和超過約10,000轉/分鐘(rpm)的速度，更通常為約3,000至約10,000rpm的速度，且最通常約5,000至約8,000rpm的速度)，將能量場導向存儲介質，使得在能量場能夠入射到基片上之前，先入射到數(shù)據(jù)層上，通過能量場從數(shù)據(jù)層檢索信息。該檢索可以包含將一部分或所有能量場通過數(shù)據(jù)層，且將至少部分或所有部分的能量場從數(shù)據(jù)層返回。優(yōu)選的，至少對于近區(qū)域應用來說，能量場入射到數(shù)據(jù)存儲層上，而不入射到基片上。提供下列實施例來進一步描述本發(fā)明而非限制本發(fā)明的范圍。實施例1.聚(亞苯基醚)/聚苯乙烯將80wt％的0.33IV的聚(亞苯基醚)粉末(Noryl聚(亞苯基醚)樹脂，購自GEPlastics)和20wt％的聚苯乙烯顆粒(NovaPS172，購自NovaChemical)的共混物在40mm雙螺桿擠出機中擠壓，制備均相的單相顆粒。然后將所得的顆粒進行注塑以形成具有凹槽表面的光盤，模型插入物(moldinsert)(“壓模(stamper)”)的凹槽深度約為50nm(納米)且磁道的間距(trackpitch)為約0.8微米。材料的玻璃化轉變溫度(Tg)為約182℃。相比于對比例1中的通常的光學質量的聚碳酸酯光盤，光盤呈現(xiàn)出改進的平坦度(flatness)、更低的密度和更低的吸濕量(moistureabsorption)。實施例2聚(亞苯基醚)/聚苯乙烯將60wt％的0.33IV的聚(亞苯基醚)粉末(得自GEPlastics)和40wt％的聚苯乙烯顆粒(NovaPS172)的共混物在40mm雙螺桿擠出機中擠壓，制備均相的單相顆粒。然后將所得的顆粒進行注塑以形成具有凹槽表面的光盤，模型插入物(“壓?！?的凹槽深度約為50nm且磁道的間距為約0.8微米。材料的Tg為約158℃。相對于含更高含量聚(亞苯基醚)的共混物，該材料呈現(xiàn)出優(yōu)異的凹槽結構的復制性。材料的延展性(通過NotchedIzod，Dynatup或其他沖擊型方法測定)優(yōu)于含更高含量聚苯乙烯的共混物。相比于對比例1中的通常的光學質量的聚碳酸酯光盤，光盤呈現(xiàn)出改進的平坦度、更低的密度和更低的吸濕量。實施例3聚(亞苯基醚)/聚苯乙烯將25wt％的0.33IV的聚(亞苯基醚)粉末(購自GEPlastics)和75wt％的聚苯乙烯顆粒(NovaPS172)的共混物在40mm雙螺桿擠出機中擠壓，制備均相的單相顆粒。然后將所得的顆粒進行注塑以形成光盤。材料的Tg為約124℃。盡管該材料的流動性和復制性均優(yōu)于具有高含量聚(亞苯基醚)的共混物，延展性和Tg顯著更低。相比于對比例1中的通常的光學質量的聚碳酸酯光盤，光盤呈現(xiàn)出改進的平坦度、更低的密度和更低的吸濕量。實施例4聚(亞苯基醚)/聚(亞苯基醚)/聚苯乙烯將50wt％的0.33IV的聚(亞苯基醚)粉末(購自GEPlastics)、5wt％的0.12IV的聚(亞苯基醚)粉末和45wt％的聚苯乙烯顆粒(NovaPS172)的共混物在40mm雙螺桿擠出機中擠壓，制備均相的單相顆粒。然后將所得的顆粒進行注塑以形成具有凹槽表面的光盤，模型插入物(“壓?！?的凹槽深度約為50nm且磁道的間距為約0.8微米。材料的Tg為約155℃。相比于含55wt％的0.33IV的聚(亞苯基醚)的共混物，材料呈現(xiàn)出優(yōu)異的流動性，而沒有有任何延展性的顯著降低。相比于對比例1中的通常的光學質量的聚碳酸酯光盤，光盤呈現(xiàn)出改進的平坦度、更低的密度和更低的吸濕量。實施例5.聚(亞苯基醚)/SAN共混物將75wt％的0.33IV的聚(亞苯基醚)粉末(購自GEPlastics)和25wt％的SAN粉末(7.6mol％AN含量；GEPlastics)的共混物在16mm雙螺桿擠出機中擠壓，制備均相的單相顆粒。材料的Tg為約166℃。相比于對比例1中的通常的光學質量的聚碳酸酯光盤，光盤呈現(xiàn)出改進的模量、更低的密度和更低的吸濕量。實施例6.聚(亞苯基醚)/SAN共混物將75wt％的0.33IV的聚(亞苯基醚)粉末(GEPlastics)和25wt％的SAN粉末(6.3mol％AN含量；GEPlastics)的共混物在16mm雙螺桿擠出機中擠壓，制備均相的單相顆粒。材料的Tg為約166℃。相比于對比例1中的通常的光學質量的聚碳酸酯材料，材料呈現(xiàn)出改進的模量、更低的密度和更低的吸濕量。實施例7.聚(亞苯基醚)/SAN共混物將50wt％的0.33IV的聚(亞苯基醚)粉末(購自GEPlastics)和50wt％的SAN粉末(6.3mol％AN含量；購自GEPlastics)的共混物在16mm雙螺桿擠出機中擠壓。與對比例2不同的是，該組合物形成了單相共混物。材料的Tg為約141℃。相比于對比例1中的通常的光學質量的聚碳酸酯材料，材料呈現(xiàn)出改進的模量、更低的密度和更低的吸濕量。實施例8.聚(亞苯基醚)/聚苯乙烯/SAN共混物將56wt％的0.33IV的聚(亞苯基醚)粉末(購自GEPlastics)、19wt％的聚苯乙烯粉末(NovaPS172)和25wt％的SAN粉末(6.3mol％AN含量；購自GEPlastics)的共混物在16mm雙螺桿擠出機中擠壓，以制備均相、單相顆粒。材料的Tg為約153℃。相比于對比例1中的通常的光學質量的聚碳酸酯材料，材料呈現(xiàn)出改進的模量、更低的密度和更低的吸濕量。對比例1聚碳酸酯(PC)上述材料和成型制品的性質可以與通常的光學質量的聚碳酸酯(如，OQ1020C，購自GEPlastics)相比。在標準條件下擠壓PC粉末，而制備顆粒，并在用于數(shù)據(jù)存儲盤的常規(guī)注塑條件下通過注塑而制備磁盤。PC的Tg為約140-145℃，熱分布溫度(HDT)為約127℃。對比例2聚(亞苯基醚)/SAN共混物將50wt％的0.33IV的聚(亞苯基醚)粉末(購自GEPlastics)和50wt％的SAN粉末(7.6mol％AN含量；購自GEPlastics)的共混物在16mm雙螺桿擠出機中擠壓。所得的產品不是單相，表現(xiàn)出約106℃和約198℃的兩個玻璃化轉變溫度。不認為該材料適用于本申請，因為由該共混物成型的部件未顯示出足夠的表面質量(光滑性)。與聚碳酸酯和純聚苯乙烯或苯乙烯類共聚物相比，PAE熱塑性組合物具有改進的性能。例如，50/50PAE/苯乙烯類材料單相共混物的密度和彎曲模量分別為1.07g/cc和440千磅/平方英寸(Kpsi)，而對于PC，它們分別為1.23g/cc和330Kpsi。因此，這些組合物可用于多種用途，特別是數(shù)據(jù)存儲介質(光學、磁性、磁光等)。此外，相比于常規(guī)的材料，PAE組合物呈現(xiàn)出減少的吸濕量，如吸濕量小于或等于約0.20wt％，通常小于或等于約0.15wt％，優(yōu)選小于或等于約0.10wt％，其中吸濕量是當將樣品放置在85℃和85wt％相對濕度下的平衡吸水量。例如，聚碳酸酯的平衡吸水量為約0.25至約0.35wt％，而PAE/苯乙烯類材料的平衡吸水量為約0.06wt％。這是合乎需要的，因為當將磁盤從濕環(huán)境移到干環(huán)境時(反之亦然)，吸水可能會引起尺寸穩(wěn)定性問題。與其它存儲介質不同，本文所披露的PAE存儲介質使用具有塑料(如，至少為薄塑料膜)作為其至少一部分的基片，以獲得所需的機械性能和表面性質。由于使用塑料，具有所需表面性質的基片的就地形成是可能的。而且，可以將表面特征，包括伺服-圖案化(servo-patterning)(如，凹坑、凹槽等)，粗糙性(如，激光碰撞(laserbumps)等)、突起、邊緣特征、粗糙度、光滑性、微波紋和平坦性等直接壓到基片表面上，使該存儲介質的成本效率高。基片可以具有基本上均相的、錐形的、凹入的或凸出的幾何形狀，使用各種類型和幾何形狀的增強件來增加勁度，而不會對表面完整性和光滑性產生不利影響。盡管已經(jīng)參考示例性的實施方案對本發(fā)明進行了描述，本領域普通技術人員應當理解，在不偏離本發(fā)明的范圍下，可以進行各種變化，且其各要素可以等價替換。此外，可以進行許多改變，以使特定的位置或材料適應本發(fā)明的教導，而不偏離本發(fā)明的基本范圍。因此，本發(fā)明不限于作為實施本發(fā)明的最佳方式而披露的特定實施方案，而是本發(fā)明將包括落入所附的權利要求書的范圍內的所有實施方案。權利要求1.一種用于數(shù)據(jù)的存儲介質，包含包含單相塑料樹脂部分的基片，其中塑料樹脂部分包含聚(亞芳基醚)和苯乙烯類材料，其中苯乙烯類材料選自聚苯乙烯、苯乙烯類共聚物、和包含前述苯乙烯類材料中的至少一種的反應產物和組合，其中聚(亞芳基醚)的重均分子量為約5,000至約50,000AMU，且苯乙烯類材料的重均分子量為約10,000至約300,000AMU，并且其中小于或等于約20wt％的聚(亞芳基醚)的重均分子量小于或等于約15,000AMU；和在基片上的數(shù)據(jù)層；其中通過能量場數(shù)據(jù)層能夠至少部分地被讀取、寫入、或其組合；以及其中當能量場接觸存儲介質時，在能量場能夠入射到基片上前，其入射到數(shù)據(jù)層上。2.一種用于數(shù)據(jù)的存儲介質，包含包含單相塑料樹脂部分的基片，其中塑料樹脂部分包含聚(亞芳基醚)和苯乙烯類材料，其中苯乙烯類材料選自聚苯乙烯、苯乙烯類共聚物、和包含前述苯乙烯類材料中的至少一種的反應產物和組合；基片上的第一數(shù)據(jù)層；和布置在第一數(shù)據(jù)層的與基片相對的側面上的第一保護層，其中第一保護層包含聚碳酸酯；其中通過能量場第一數(shù)據(jù)層能夠至少部分地被讀取、寫入、或其組合；以及其中當能量場接觸存儲介質時，在能量場能夠入射到基片上前，其入射到第一數(shù)據(jù)層上。3.權利要求1或2所述的存儲介質，其中小于或等于約10wt％的聚(亞芳基醚)的重均分子量小于或等于約15,000AMU。4.權利要求3所述的存儲介質，其中小于或等于約5wt％的聚(亞芳基醚)的重均分子量小于或等于約15,000AMU。5.權利要求1-4中任一項所述的存儲介質，其中塑料樹脂部分包含小于或等于約90wt％的聚(亞芳基醚)和小于或等于約90wt％的苯乙烯類材料，基于塑料樹脂部分的總重量。6.權利要求5所述的存儲介質，其中塑料樹脂部分包含約25wt％至約75wt％的聚(亞芳基醚)和約25wt％至約75wt％的苯乙烯類材料，基于塑料樹脂部分的總重量。7.權利要求6所述的存儲介質，其中塑料樹脂部分包含約40wt％至約60wt％的聚(亞芳基醚)和約40wt％至約60wt％苯乙烯類材料，基于塑料樹脂部分的總重量。8.權利要求1-7中任一項所述的存儲介質，其中苯乙烯類共聚物是使用單乙烯基芳族烴，通過本體聚合、懸浮聚合或乳液聚合而制備的，所述單乙烯基芳族烴選自烷基-、環(huán)烷基-、芳基-、烷芳基-、芳烷基-、烷氧基-、芳氧基-的單乙烯基芳族烴、以及包含前述單乙烯基芳族烴中的至少一種的反應產物和組合。9.權利要求8所述的存儲介質，其中烴選自苯乙烯、4-甲基苯乙烯、3，5-二乙基苯乙烯、4-正丙基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、α-甲基乙烯基甲苯、α-氯代苯乙烯、α-溴代苯乙烯、二氯代苯乙烯、二溴代苯乙烯、四氯代苯乙烯、和包含前述烴中至少一種的組合。10.權利要求1-9中任一項所述的存儲介質，其中苯乙烯類材料包含苯乙烯類共聚物，且其中苯乙烯類共聚物具有小于或等于約25摩爾％的共聚單體。11.權利要求10所述的存儲介質，其中苯乙烯類共聚物具有約4摩爾％至約15摩爾％的共聚單體。12.權利要求11所述的存儲介質，其中苯乙烯類共聚物具有約6摩爾％至約10摩爾％的共聚單體。13.權利要求10-12中任一項所述的存儲介質，其中共聚單體選自丙烯腈、馬來酸酐、和包含前述共聚單體中的至少一種的反應產物和組合。14.權利要求1-13中任一項所述的存儲介質，還包含選自硅酸鹽、二氧化鈦、玻璃、硫化鋅、炭黑、石墨、碳酸鈣、和包含前述物質的至少一種的反應產物和組合中的添加劑。15.權利要求14所述的存儲介質，其中添加劑呈選自連續(xù)纖維、切斷纖維、片、納米管、球、顆粒、以及包含前述形狀中的至少一種的組合中的形狀。16.權利要求1-15中任一項所述的存儲介質，還包含選自以下的添加劑脫模劑、UV吸收劑、光穩(wěn)定劑、熱穩(wěn)定劑、潤滑劑、增塑劑、染料、著色劑、抗靜電劑、抗滴落劑、以及包含前述添加劑的至少一種的反應產物和組合的添加劑。17.權利要求1-16中任一項所述的存儲介質，其中苯乙烯類材料還包含約25wt％至約90wt％的聚苯乙烯和約10wt％至約75wt％的苯乙烯類共聚物，基于苯乙烯類材料的總重量。18.權利要求17所述的存儲介質，其中苯乙烯類材料包含約50wt％至約90wt％的聚苯乙烯和約10wt％至約50wt％的苯乙烯類共聚物，基于苯乙烯類材料的總重量。19.權利要求1-18中任一項所述的存儲介質，其中聚(亞芳基醚)在25℃下在氯仿中測定的特性粘度為約0.10至約0.60dl/g。20.權利要求2-19中任一項所述的存儲介質，還包含布置在基片和數(shù)據(jù)層之間的第一反射層。21.權利要求20所述的存儲介質，還包含布置在基片的與第一反射層相對的第二側上的其它反射層，以及布置在其它反射層和其它保護層之間的其它數(shù)據(jù)層。22.權利要求2-21中任一項所述的存儲介質，其中保護層還包含氮化物、碳化物、氧化物、聚丙烯酸酯、以及包含前述中的至少一種的反應產物和組合。23.一種用于檢索數(shù)據(jù)的方法，包括旋轉存儲介質，該存儲介質具有包含單一相塑料樹脂部分的基片和布置在基片表面上的數(shù)據(jù)層，其中塑料樹脂部分包含聚(亞芳基醚)和苯乙烯類材料的反應產物，其中苯乙烯類材料選自聚苯乙烯、苯乙烯類共聚物、和包含前述苯乙烯類材料中的至少一種的反應產物和組合，其中聚(亞芳基醚)的重均分子量為約5,000至約50,000AMU，且苯乙烯類材料的重均分子量為約10,000至約300,000AMU，并且其中小于或等于約20wt％的聚(亞芳基醚)的重均分子量小于或等于約15,000AMU；將能量場導向存儲介質，使得能量場能夠在入射到基片上前，入射到數(shù)據(jù)層上；以及通過能量場從數(shù)據(jù)層檢索信息。24.權利要求23所述的用于檢索數(shù)據(jù)的方法，還包括使至少部分能量場通過數(shù)據(jù)層，以及使至少部分能量場從數(shù)據(jù)層返回。25.權利要求23或24所述的用于檢索數(shù)據(jù)的方法，其中小于或等于約10wt％的聚(亞芳基醚)的重均分子量小于或等于約15,000AMU。26.權利要求23-25中任一項所述的檢索數(shù)據(jù)的方法，其中小于或等于約5wt％的聚(亞芳基醚)的重均分子量小于或等于約15,000AMU。27.權利要求23-26中任一項所述的用于檢索數(shù)據(jù)的方法，其中苯乙烯類共聚物具有約4摩爾％至約15摩爾％的共聚單體。28.權利要求27中所述的用于檢索數(shù)據(jù)的方法，其中苯乙烯類共聚物具有約6摩爾％至約10摩爾％的共聚單體。29.權利要求23-28中任一項所述的用于檢索數(shù)據(jù)的方法，其中聚(亞芳基醚)在25℃下在氯仿中測定的特性粘度為約0.10至約0.60dl/g。全文摘要一種存儲介質，包含包含塑料樹脂部分的基片，和在基片上的數(shù)據(jù)層，其中塑料樹脂部分包含聚(亞芳基醚)和苯乙烯類材料(或包含聚(亞芳基醚)和苯乙烯類材料的反應產物)，其中苯乙烯類材料選自聚苯乙烯、苯乙烯類共聚物，和包含前述苯乙烯類材料中的至少一種的反應產物和組合。聚(亞芳基醚)的重均分子量為約5,000至約50,000AMU，且聚苯乙烯的重均分子量為約10,000至約300,000AMU。通過能量場數(shù)據(jù)層能夠至少部分地被讀取、寫入、或讀取及寫入。此外，當能量場接觸存儲介質時，在能量場能夠入射到基片上前，其入射到數(shù)據(jù)層上。文檔編號G11B5/82GK1650359SQ03809772公開日2005年8月3日申請日期2003年3月7日優(yōu)先權日2002年3月11日發(fā)明者托馬斯·P·費斯特,凱文·H·戴,格倫·D·默費爾德申請人:通用電氣公司