專利名稱：改進的磁疇擴展讀取的磁光記錄的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于記錄信息的方法、裝置以及記錄介質(zhì)，其中，把信息按記錄道上的標(biāo)記和空白的模式加以記錄。具體地講，本發(fā)明涉及針對磁疇擴展系統(tǒng)(例如，磁放大磁光系統(tǒng)(MAMMOS))的記錄技術(shù)。
在磁光存儲系統(tǒng)中，衍射極限，即聚焦透鏡的數(shù)值孔徑(NA)和激光波長決定了記錄標(biāo)記的最小寬度。寬度的減小通?；谳^短波長的激光和較高NA的聚焦光學(xué)裝置。在磁光記錄期間，通過使用激光脈沖磁場調(diào)制(LP-MFM)，可以把最小比特長度減小到光衍射極限之下。在LP-MFM中，通過場的切換確定比特轉(zhuǎn)變，并通過激光的切換感應(yīng)溫度梯度。為了讀出以這一方式記錄的小月牙形標(biāo)記，必須使用磁超分辨率(MSR)或磁疇擴展(DomEX)方法。這些技術(shù)基于具有多磁靜態(tài)或交換耦合的RE-TM層的記錄介質(zhì)。根據(jù)MSR，配置磁光盤上的一個讀出層，以在讀取期間僅在讀出部位的一個小區(qū)域中從存儲層拷貝一個標(biāo)記，并屏蔽相鄰比特，然而，根據(jù)磁疇擴展，則要擴展一個部位的中心處的一個磁疇。因為磁疇擴展技術(shù)優(yōu)于MSR，所以可以使用一個相似于具有可比于衍射極限部位的大小的比特的信噪比(SNR)來檢測長度在衍射極限之下的比特。MAMMOS是一種基于磁靜態(tài)耦合存儲和讀出層的磁疇擴展方法，其中，可以把一個磁場調(diào)制用于讀出層中被擴展磁疇的擴展和崩潰。
然而，當(dāng)在一個MAMMOS介質(zhì)中書寫長的游程長度時，相應(yīng)于長游程長度的磁疇中心處的磁雜散場弱于其邊界處(沿切線方向)。在一個特定的“臨界長度”上，游程長度中心處的磁雜散場變得不夠強，不足以在該區(qū)生成一個MAMMOS信號，即不足以獲得讀出層中的一個被拷貝磁疇。這導(dǎo)致了一個錯誤比特流?？梢酝ㄟ^提高激光的讀取功率解決這一問題，但這樣會提高整個溫度，并因而提高了存儲層的局部磁雜散場，與此同時降低了讀出層的矯頑力。如果磁雜散場的增加和矯頑力的降低是充分的，那么將會生成先前丟失的MAMMOS信號。然而，這一過程增大了熱拷貝窗口，熱拷貝窗口確定了讀出的分辨率，以至于由于重疊效應(yīng)，可以生成額外的錯誤的MAMMOS信號。
文獻JP-A-2000-260079建議了一個MAMMOS記錄系統(tǒng)，其中，把一個比特的二進制信息分配給一個磁區(qū)段模式，這一磁區(qū)段模式由兩個磁區(qū)段的一個組合構(gòu)成，這兩個磁區(qū)段擁有相反方向的磁化，以至于可以按一系列具有相反磁化的磁區(qū)段模式，把延續(xù)兩或兩個以上比特的記錄信息形成在記錄層上。于是，獲得了一個均勻的雜散場，而不管一個相應(yīng)讀出磁疇的位置如何，即使是其位于一個連續(xù)記錄信息的中心。因此，能夠可靠地把記錄信息的每一單元傳送到重放層。特別是，按一系列擁有一個長度L1的子標(biāo)記區(qū)域和一個擁有一個長度L2的相繼短子空白區(qū)域，記錄一個標(biāo)記區(qū)域。建議子空白區(qū)域的長度與子標(biāo)記區(qū)域的長度之比L2/L1在0.1～0.9的范圍內(nèi)。然而，使用所引用的現(xiàn)有技術(shù)文獻中所建議的記錄技術(shù)，針對高密度存儲的短通道比特長度仍會導(dǎo)致短游程長度的雜散場和長游程長度中心處最小雜散場之間的一個相當(dāng)大的差。因此，盡管可以獲得所有長游程長度的MAMMOS信號，但降低了分辨率。
因此，本發(fā)明的一個目的是，提供一種用于在一個磁光介質(zhì)上記錄的方法、裝置、以及介質(zhì)，其中磁光介質(zhì)使MAMMOS讀取分辨率能夠得以改進，同時還能夠可靠地檢測長游程長度。
通過如權(quán)利要求1中的一種記錄方法、如權(quán)利要求10中的一種記錄裝置、以及如權(quán)利要求13中的一種記錄介質(zhì)，可以實現(xiàn)這一目的。
因此，把標(biāo)記區(qū)域的子標(biāo)記部分的長度設(shè)置成小于或等于標(biāo)記區(qū)域的子空白部分的長度。因而，可以獲得一個合適的分辨率，甚至是對于短通道比特長度，以至能夠進一步改進記錄密度。
另外，使用子空白長度與子標(biāo)記長度的一個大的比率，即使用一個與子空白長度相比短的子標(biāo)記長度，提供了另一個好處減小了游程長度的有效長度。需要加以注意的是把一個標(biāo)記通道比特寫成一個子標(biāo)記后面跟隨一個子空白，這樣做在其端點減少了每一游程長度。作為一種選擇，把這樣的一個標(biāo)記通道比特寫成一個子空白后面跟隨一個子標(biāo)記，也能夠得以運作，這樣做在前端減少了長度。因此，兩種方案均導(dǎo)致了分辨率的同樣的改進，只要對場計時進行正確同步化即可。因而，進一步改進了分辨率與/或剩余功率，因為抑制了具有矯頑力分布曲線(profile)的雜散場的不希望的重疊。
較佳的做法是，把第二部分(子空白部分)的長度與第一部分(子標(biāo)記部分)的長度比設(shè)置成小于或等于4。在這一情況中，可以針對一個100nm的總通道比特長度(總標(biāo)記區(qū)域的長度)寫20nm的子標(biāo)記長度。因而能夠以高記錄密度提供足夠穩(wěn)定的子標(biāo)記區(qū)域。特別是，可以依據(jù)標(biāo)記區(qū)域的長度設(shè)置這一比率。從而，在小通道比特長度的情況下，可以減小比率L2/L1，以確保足夠的熱穩(wěn)定性和雜散場所需的一個最小自標(biāo)記長度。場線圈及其驅(qū)動器的有限的帶寬可以是限制L2/L1的進一步的原因。
較佳的做法是，應(yīng)該針對一個長游程長度的每一第一和最后標(biāo)記區(qū)域增大比率L2/L1。因而，可糾正否則長游程長度的第一和最后比特的過大的雜散場。其效果將依賴于兩種情況中的通道比特長度b。
基于一個給定的或最小的子標(biāo)記長度L1，可以根據(jù)下列方程設(shè)置標(biāo)記區(qū)域的長度(即通道比特長度)bb≥(w+L1+exp)/2其中，w表示一個用于通過一種磁疇擴展技術(shù)把標(biāo)記拷貝到一個讀出層上的拷貝窗口的空間長度，L1表示第一部分的長度，exp表示磁疇擴展過程的擴展時間乘以記錄速度。這一方程可確保以最佳分辨率和/或剩余功率獲得最佳密度。
可以在關(guān)斷記錄激光脈沖之前，通過把磁記錄場的方向從第一方向切換到第二方向，實現(xiàn)對子空白區(qū)域的記錄。標(biāo)記游程長度內(nèi)部的子空白區(qū)域的記錄，也可以通過從第一方向到第二方向的磁記錄場的適當(dāng)?shù)那袚Q，與激光的，即與LP-MFM的一個足夠快的脈沖相結(jié)合，加以實現(xiàn)。
較佳的做法是，可以使用L2/L1的一個整數(shù)值。通過反轉(zhuǎn)一個磁記錄場和以相應(yīng)于長度L1的頻率的脈沖激光，以相等的距離局部地加熱介質(zhì)，以至于可以在大體相同的熱條件下形成磁疇，這對于被記錄磁疇的質(zhì)量有益。特別是，一個為1值有利于場切換，因為此后在寫以及在讀取期間可以使用相同的頻率。從而，達到了易于實現(xiàn)的目的。
關(guān)于記錄裝置，可以對設(shè)置設(shè)備加以配置，以把第二部分的長度與第一部分的長度設(shè)置成1和4之間的范圍內(nèi)的比率。
而且，該記錄裝置可以為針對磁光盤的通過一種磁疇擴展技術(shù)(例如MAMMOS)讀取的任何盤播放器。
從屬權(quán)利要求限定了其它有利的擴展。
通過參照以下所描述的實施方案，本發(fā)明的這些和其它方面將會變得十分明顯，并參照以下所描述的實施方案，對本發(fā)明加以說明。
在這些附圖中

圖1是根據(jù)該優(yōu)選實施方案的一個MANMOS盤播放器的結(jié)構(gòu)圖。
圖2A描述了一個針對短和長游程長度相對一個道方向垂直于盤的雜散場部件，以及所要求的矯頑力場分布曲線；圖2B描述了針對短和長游程長度和不同比率L2/L1的相對道方向的雜散場；圖3描述了一個作為比率L2/L1的函數(shù)的I1載體和一個I5載體的最小的量之間的雜散場差；以及圖4～4D描述了針對不同比特長度的一個I4載體和一個I1載體的雜散場。
現(xiàn)在，將根據(jù)如圖1中所示的一個MAMMOS盤播放機描述該優(yōu)選實施方案。
圖1示意性地描述了該盤播放器的結(jié)構(gòu)。該盤播放器包括一個擁有一個激光輻射部分的光拾取單元30，用于磁光記錄介質(zhì)10(例如一個磁光盤)的輻射，其中，在記錄期間，光已經(jīng)切換成具有一個與代碼數(shù)據(jù)同步的周期的脈沖；并且還包括一個具有一個磁頭12的磁場施加部分，在記錄時，磁場施加部分以一種受控的方式施加一個磁場，在重放期間，如果需要的話，還在磁光記錄介質(zhì)10上施加一個磁場。在光拾取單元30中，把一個激光器連接于一個激光驅(qū)動電路，激光驅(qū)動電路從一個記錄脈沖調(diào)整單元32接收記錄脈沖，以便控制脈沖輻度和光拾取單元30的激光計時。記錄脈沖調(diào)整電路32從一個時鐘發(fā)生器26接收一個時鐘信號，時鐘發(fā)生器26可以包括一個PLL(相位鎖定回路)電路。
應(yīng)該加以注意的是，如果使用了零場MAMMOS，重放可以不要求一個磁場。
而且，還應(yīng)該加以注意的是，為了簡單起見，把磁頭12和光拾取單元30描述于圖1中的盤10的相反的側(cè)上。然而，根據(jù)該優(yōu)選實施方案，應(yīng)把它們配置在盤10的相同的一側(cè)。
把磁頭12連接于一個頭驅(qū)動器單元14，并在記錄時，接收經(jīng)由一個計時調(diào)整電路(例如一個相位調(diào)整電路18)和一個子標(biāo)記調(diào)整單元22、來自一個調(diào)制器24的經(jīng)過代碼切換的數(shù)據(jù)。調(diào)制器24把輸入記錄數(shù)據(jù)切換成一個被描述的代碼，子標(biāo)記調(diào)整單元22把被描述的代碼的每一個標(biāo)記區(qū)域切換成一個子標(biāo)記部分或區(qū)域以及一個子空白區(qū)域，同時，設(shè)置子標(biāo)記部分和子空白部分的一個預(yù)確定的長度比率。應(yīng)該加以注意的是，也可以把子標(biāo)記調(diào)整電路22配置在調(diào)制器24之中。
在重放時，頭驅(qū)動器14經(jīng)由一個重放調(diào)整電路20從時鐘發(fā)生器26接收一個時鐘信號，重放調(diào)整電路20生成一個同步信號，用于調(diào)整施加于磁頭12計時和脈沖幅度。提供了一個記錄/重放切換器16，以在記錄期間和在重放期間，切換或選擇將提供于頭驅(qū)動器14的相應(yīng)的信號。然而，在重放期間，因為是在不必施加磁場的情況下，所以這一切換不要求零場MAMMOS。
此外，光拾取單元30還包括一個檢測器，用于檢測從磁光記錄介質(zhì)10所反射的激光，并用于生成一個施加于譯碼器28的相應(yīng)的讀取信號，其中把譯碼器28配置成可對讀取信號進行譯碼，以便生成輸出數(shù)據(jù)。另外，還把由光拾取單元30所生成的讀取信號施加于一個時鐘發(fā)生器26，在時鐘發(fā)生器26中從磁光記錄介質(zhì)10的被凸印的時鐘標(biāo)記中抽取一個時鐘信號，而且它把這些時鐘信號用于同步記錄脈沖調(diào)整電路32、重放調(diào)整電路20、子標(biāo)記調(diào)整電路22、以及調(diào)制器24。特別是，可以在時鐘發(fā)生器26的PLL電路中生成一個數(shù)據(jù)通道時鐘。
為了進行記錄，可以使用MFM，但較佳的做法是使用LP-MFM。然后，針對每一子標(biāo)記，脈沖發(fā)射一次激光，針對每一個子空白，(至少)脈沖發(fā)射一次激光。一個實際的方案可以是使用于空白/子標(biāo)記長度比率的一個整數(shù)值，并以相應(yīng)于子標(biāo)記長度而不是相應(yīng)于通道比特長度的一個頻率脈沖激光。在任何情況中，應(yīng)對激光的工作周期(脈沖短于子標(biāo)記長度)和計時(磁場和激光脈沖之間的相位)加以優(yōu)化。
在LP-MFM數(shù)據(jù)記錄的情況下，使用相應(yīng)于數(shù)據(jù)通道時鐘的周期的一半的一個固定的頻率，調(diào)制光拾取單元30的激光，并以相等的距離局部地加熱旋轉(zhuǎn)的磁光記錄介質(zhì)10的數(shù)據(jù)記錄區(qū)或部位。應(yīng)該加以注意的是，當(dāng)使用一個相應(yīng)于子標(biāo)記部分的長度(也是相等間隔的局部加熱)的一個頻率時，可以改進記錄。這將把長度比率限制為整數(shù)值，以便保持激光脈沖與數(shù)據(jù)通道時鐘的同步。另一種選擇將是使用一個被優(yōu)化的相位，以相應(yīng)于標(biāo)記區(qū)域的子標(biāo)記和子空白長度的距離脈沖激光。另外，由時鐘發(fā)生器26所輸出的數(shù)據(jù)通道時鐘也控制調(diào)制器24和子標(biāo)記調(diào)整電路22，以生成具有標(biāo)準(zhǔn)時鐘周期的一個數(shù)據(jù)信號。調(diào)制器24調(diào)制記錄數(shù)據(jù)，并對記錄數(shù)據(jù)進行代碼切換，以獲得相應(yīng)于記錄數(shù)據(jù)的信息的二進制游程長度信息。在子標(biāo)記調(diào)整電路時間20中，把一個相應(yīng)于記錄信息的一個通道比特的標(biāo)記區(qū)域轉(zhuǎn)換成一個子標(biāo)記部分和一個子空白部分，同時維持一個相應(yīng)于一個通道比特的空白區(qū)域。因而，把一個由一系列直接互相相繼的標(biāo)記區(qū)域組成的代碼游程長度轉(zhuǎn)換成一系列擁有一個預(yù)確定的長度比率的相繼的子標(biāo)記和子空白區(qū)域。把來自子標(biāo)記調(diào)整電路22的代碼數(shù)據(jù)的子標(biāo)記和子空白部分的模式轉(zhuǎn)發(fā)到相位調(diào)整電路18，在相位調(diào)整之后，經(jīng)由記錄/重放切換器16，將其轉(zhuǎn)發(fā)到驅(qū)動器14。
以這樣的一種方式配置相位調(diào)整電路18以調(diào)整相位減少一系列子相繼的標(biāo)記部分的一個最初標(biāo)記區(qū)域的一個子標(biāo)記部分的長度L1，同時維持游程長度的相繼的標(biāo)記區(qū)域。
磁光記錄介質(zhì)10的結(jié)構(gòu)可以對應(yīng)于JP-A-2000-260079中所描述的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)該優(yōu)選實施方案，把子標(biāo)記調(diào)整電路22配置成能夠把子標(biāo)記部分的長度L1設(shè)置成小于或等于子空白區(qū)域。因而，每一個標(biāo)記區(qū)域包括一個短子標(biāo)記部分，后跟一個擁有一個大于或等于子標(biāo)記部分的子空白部分。根據(jù)MAMMOS磁疇擴展技術(shù)，與光拾取單元30的脈沖發(fā)射的激光的熱效應(yīng)相結(jié)合，由磁頭12所生成的小月牙形磁記錄區(qū)段可以從磁光記錄介質(zhì)10的記錄層傳送到讀出層并加以放大，同時施加一個重放磁場和激光。例如，在N.Takagi，等人的“MAMMOS Read-Outwith Magnetic Field Modulation”(“Proceedings of Magneto-Optical Recording International Symposium”，J.Magn.Soc.Jpn，vol.23，Suplement，No.S1(1999年)，第161～164頁)中公開了MAMMOS讀出的細節(jié)。
引入子空白，鑒于這樣的事實在磁光記錄介質(zhì)10的記錄道上各種磁疇長度之間的雜散場中存在著差別。另外，已開發(fā)了適合于小通道比特長度的子空白與子標(biāo)記的一個長度比率范圍。這一范圍擁有另一個好處還能夠通過每一游程長度的有效減少對分辨率和/或剩余功率進一步加以改進。對于MAMMOS讀出，由磁頭14生成的外部磁場和由存儲層中的比特模式或磁疇模式所生成的雜散場的總和，應(yīng)該大于讀出層的矯頑力場。因為隨著溫度的增高，雜散場增強和矯頑力場減弱(正比于激光功率)，所以為實現(xiàn)這一條件要求一個最低溫度(或激光功率)。另一方面，如果激光功率變得過大，則其中溫度高于這一最低溫度的區(qū)的維度也是相當(dāng)大的，以至于將出現(xiàn)與相鄰比特的重疊。這將導(dǎo)致失敗、附加的尖峰，從而導(dǎo)致一系列針對長標(biāo)記游程長度的錯誤的尖峰，同時將不能檢測小空白。因此，能夠以這樣的一種方式對光拾取單元30的激光功率加以控制在部位中心的溫度剛好在最低溫度之上。
雜散場還依賴于被寫磁疇的長度及其周邊。圖2A描述了針對100nm通道比特長度(即一個1比特的標(biāo)記區(qū)域的長度)的相對道方向的一個雜散場。虛線相應(yīng)于一個I1載體，而實線代表一個I1載體中的一個I5?？傮w上講，對于大于100nm的比特長度，雜散場減小，特別是在磁疇的中心附近。這意味著當(dāng)針對比特長度b＝100nm優(yōu)化了讀出條件時，較大磁疇的內(nèi)部區(qū)將不顯示任何MANMOS信號。當(dāng)使用較高讀取功率或較大外部場改進讀出條件時，僅來自該大磁疇的中心處的MAMMOS尖峰將會丟失。然而，可以不再分辨小空白。
在圖2A中，第一情況相應(yīng)于讀出層的矯頑力場和外部場之間的差恰好低于27kA/m的情況，如圖2A中由曲線所指出的。在這一情況中，僅把熱分布曲線(曲線1)的頂端用于短磁疇，而具有較弱矯頑力場的較長磁疇不能由MAMMOS讀出加以檢測。在第二種情況中，在激光所輻射的部位的最熱部分中，讀出層的矯頑力場和外部場之間的差為12kA/m，這導(dǎo)致了圖2A中的曲線2。在這一情況中，能夠檢測較長磁疇，但不能觀察較小空白(例如I1空白)，因為矯頑力場分布曲線或熱分布曲線(曲線2)總是與源于相鄰標(biāo)記的雜散場相重疊。因此，總體上講，對于具有最佳分辨率和最大剩余功率的最佳MAMMOS讀出來說，游程長度(磁疇長度)的所有組合中的雜散場的最大值和最小值之間的差，應(yīng)當(dāng)盡可能地小。
在重放期間，通過改變磁頭14的激光功率或場強，可以實現(xiàn)圖2A中所指出的不同的熱分布曲線。應(yīng)該加以注意的是，圖2A中所示的例子涉及未引入任何如由子標(biāo)記調(diào)整單元22所生成的中間子空白部分的一個連續(xù)的標(biāo)記區(qū)域。
根據(jù)該優(yōu)選實施方案，每一個標(biāo)記通道比特(長度b)包括兩個部分，即一個具有一個標(biāo)記磁化方向和長度L1的子標(biāo)記部分，以及一個具有一個非標(biāo)記(即空白)磁化和長度L2的子空白部分。因而，通道比特長度b＝L1+L2。
圖2B描述了針對這樣的可選標(biāo)記的、針對不同比率L2/L1的相對道方向的雜散場。虛閾值線表示針對每一所選比率的磁疇(I1載體)的最大雜散場水平。那些沒有任何標(biāo)記符號的線代表圖2A中所示的連續(xù)磁疇(即I5載體)。特別是，下三角符號表示比率L2/L1＝0.33，上三角符號表示比率L2/L1＝1，環(huán)形符號表示比率L2/L1＝3。從圖2B可以看到這一點，為了把大游程長度的雜散場增加到I1載體的水平，較大的L2/L1的比率是較為有效的。但是，比率L2/L1不應(yīng)該過大。對于適當(dāng)?shù)腗AMMOS讀出，如果子標(biāo)記長度L1變得大小，那么雜散場將減少得過多。而且，磁疇邊緣的粗糙度和熱磁疇的穩(wěn)定性將變成重要的問題?？梢钥闯觯梢詫?0nm的磁疇長度，并且是足夠穩(wěn)定的。因此，對于100nm的通道比特長度b來說，最高達4的L2/L1比率將是可行的。
圖3指出了I1載體(相應(yīng)于一個比特長度的磁疇長度)和一個I5載體的最小尖峰(相應(yīng)于5個通道比特長度的磁疇長度)之間的作為100nm的通道比特長度的比率L2/L1的一個函數(shù)的雜散場中的差。從圖3的圖中可看出這一點，雜散場的差的減小是明顯的，最高可達1的一個比率L2/L1，然后變得平緩。因而，較佳的做法是令L2/L1應(yīng)該在大于或等于1的范圍內(nèi)加以選擇，即子標(biāo)記區(qū)域的長度應(yīng)小于或等于子空白區(qū)域的長度。在這一情況中，雜散場差在相當(dāng)大的程度上獨立于比率L2/L1。對于在MAMMOS中的實際應(yīng)用，即，例如可與先進的相位改變技術(shù)相比的極高的存儲密度，要求100nm和更小的通道比特長度。因此，在大約20nm的最小子標(biāo)記長度L1的情況下，比率L2/L1的范圍應(yīng)在4(對于b＝100nm)和1(對于b＝40nm)的范圍之間加以選擇。
使用一個大的L2/L1比率的另一個好處是由于長的子空白長度，一個游程長度在其端點的有效長度減小。在這一方式中，分辨率和/或讀取剩余功率進一步得以改進，因為抑制了具有矯頑力分布曲線的雜散場的不希望的重疊(在非標(biāo)記/空白讀出期間)。
圖4A～4D描述了針對不同比特長度b的一個I4游程長度(相應(yīng)于4個通道比特長度的磁疇長度)和一個I1載體(虛線的)的一個交替隔離的磁疇，在所有情況中，比率L2/L1已經(jīng)被設(shè)置為1。在圖4A中，通道比特長度b等于400nm。在圖4B中，通道比特長度b等于200nm。在圖4C中，通道比特長度b等于100nm。在圖4D中，通道比特長度b等于40nm。從圖4A和4B中可以看出這一點，對于b＝200nm和b＝400nm，寫方案是非常有效的。對于一個長游程長度中的每一第一比特來說，在I4游程長度左側(cè)的第一比特的雜散場偏大的現(xiàn)象，可通過使用略大一些的L2/L1比率(較短的子標(biāo)記部分)加以糾正。在相位調(diào)整電路18中或在子標(biāo)記調(diào)整電路22中，可以進行這一調(diào)整。即使是在小通道比特長度(例如40nm)的情況下，也能夠得到一個足夠的雜散場差，以確保既能檢測I4也能檢測I1載體。
應(yīng)該加以注意的是，作為以上各圖的計算的基礎(chǔ)，假設(shè)磁光記錄介質(zhì)10的盤結(jié)構(gòu)擁有一個50nm厚的存儲層、一個20nm厚的讀出層，由5nm的SiNx層加以分隔。對于兩個磁光層，補償溫度大約為室溫，而對于讀出層和存儲層，居里溫度分別為320℃和270℃。
以下給出了用于優(yōu)化通道比特長度b和子標(biāo)記部分長度L1的尺寸分布的一個規(guī)則。
拷貝窗口的空間尺寸w確定了讀出的分辨率，其中，拷貝窗口空間尺寸w相應(yīng)于其中溫度足夠高以至于可使磁疇擴展拷貝過程得以運行的區(qū)的長度。因此，拷貝窗口的尺寸w依賴于激光功率和外部磁場。為了得到I1載體的一個適合的分辨率，拷貝窗口的尺寸w應(yīng)小于或等于通道比特長度b的一半。把這一規(guī)則施用于一個具有非對稱子標(biāo)記的寫戰(zhàn)略，其中L1+L2＝b，由Wmax＝b+L2-exp＝2b-L1-exp給出最大所允許的窗口，其中，exp表示磁疇擴展效應(yīng)的擴展時間(乘以磁光記錄介質(zhì)10的速度，以便得到一個相應(yīng)的長度)。具體地說，擴展時間相應(yīng)于這樣的時間在這一時間期間，可以集結(jié)來自記錄層的一個比特，并將其擴展于讀出層中。根據(jù)以上的方程，如果給定了子標(biāo)記長度L1，可以計算一個最小通道比特長度或最大記錄密度，或根據(jù)下列方程反之
bmin＝(w+L1+exp)/2。
從這一方程可以清楚地看出對于一個最佳分辨率和/或剩余功率來說，子標(biāo)記部分L1以及擴展時間exp應(yīng)盡可能地小。然而，如以上所指出的，已確定了一個20nm的最小子標(biāo)記長度L1。
例如，在拷貝窗口w＝55nm(這一窗口是在當(dāng)使用數(shù)字光圈NA＝0.60、660nm的激光、1m/s的盤速度、子標(biāo)記長度L1＝25nm、擴展時間exp＝10ns×1m/s＝10nm時獲得的)的情況下，可以實現(xiàn)一個45nm的最小通道比特長度。
如已經(jīng)提到的那樣，可以在圖1中所示的調(diào)制器24中或在獨立的子標(biāo)記調(diào)整電路22中設(shè)置比率L2/L1?？梢酝ㄟ^模擬的或數(shù)字的計時器電路或脈沖發(fā)生器的任何切換操作，實現(xiàn)基于一個連續(xù)標(biāo)記區(qū)域的子標(biāo)記部分和子空白部分的生成。特別是，既可以把一個標(biāo)記區(qū)域記錄為一個子標(biāo)記后跟一個子空白，也可以把一個標(biāo)記區(qū)域記錄為一個子空白后跟一個子標(biāo)記。
應(yīng)該加以注意的是，本發(fā)明并不局限于以上所描述的優(yōu)選實施方案，而是能夠適用于任何磁光記錄過程，以便減小雜散場變化，并提高讀出分辨率。
權(quán)利要求
1.一種用于把信息按磁光記錄介質(zhì)的記錄道上的標(biāo)記和空白的模式加以記錄的方法，所述方法包括下列步驟a)寫標(biāo)記，即通過把所述磁光記錄介質(zhì)的一個標(biāo)記區(qū)域的子標(biāo)記部分沿基本上垂直于所述記錄介質(zhì)的記錄表面的一個第一方向加以磁化，以及通過把所述標(biāo)記區(qū)域的一個相鄰子空白部分沿與所述第一方向相反的一個第二方向加以磁化，實現(xiàn)這一步驟；以及b)設(shè)置所述標(biāo)記區(qū)域的所述子標(biāo)記部分的長度(L1)，以便使其小于或等于沿所述記錄道的方向的所述標(biāo)記區(qū)域的所述相鄰子空白部分的長度(L2)。
2.如權(quán)利要求1中所要求的一種方法，該方法還包括把所述標(biāo)記區(qū)域的所述子空白部分的長度(L2)與所述子標(biāo)記部分的長度(L1)的比率設(shè)置成小于或等于4的步驟。
3.如權(quán)利要求2中所要求的一種方法，其中，把所述子空白部分的長度(L2)與所述子標(biāo)記部分的長度(L1)的所述比率設(shè)置成1。
4.如權(quán)利要求2或3中所要求的一種方法，其中，依據(jù)所述標(biāo)記區(qū)域的長度(b)設(shè)置所述比率。
5.如權(quán)利要求2～4中任何一個權(quán)利要求所要求的一種方法，其中，針對一個長游程長度的每一第一或最后標(biāo)記區(qū)域增加所述比率。
6.如先前權(quán)利要求中任何一個權(quán)利要求所要求的一種方法，其中，根據(jù)下列方程確定所述標(biāo)記區(qū)域的長度b≥(w+L1+exp)/2其中，w表示一個用于通過一種磁疇擴展技術(shù)把所述標(biāo)記拷貝到一個讀出層上的拷貝窗口的空間長度，L1表示所述子標(biāo)記部分的長度，ex p表示時間乘以記錄速度，其中時間這樣的一個時間在這一時間期間，可以集結(jié)來自記錄層的一個比特，并將其擴展于所述讀出層中。
7.如權(quán)利要求6中所要求的一種方法，其中，所述磁疇擴展技術(shù)為MAMMOS技術(shù)。
8.如先前權(quán)利要求中任何一個權(quán)利要求所要求的一種方法，該方法還包括在關(guān)斷記錄激光脈沖之前，把磁記錄場的方向從所述第一方向切換到所述第二方向的步驟。
9.如權(quán)利要求1～7中任何一個權(quán)利要求所要求的一種方法，該方法還包括把磁記錄場的方向從所述第一方向切換到所述第二方向，以及根據(jù)相應(yīng)于所述子標(biāo)記部分的長度的一個頻率脈沖記錄激光的步驟。
10.一種用于把信息按磁光記錄介質(zhì)(10)的一個記錄道上的標(biāo)記和空白的一種模式加以記錄的記錄裝置，所述裝置包括a)寫設(shè)備(12)，用于寫標(biāo)記，即通過把所述磁光記錄介質(zhì)(10)的一個標(biāo)記區(qū)域的子標(biāo)記部分沿基本上垂直于所述記錄介質(zhì)的記錄表面的一個第一方向加以磁化，以及通過把所述標(biāo)記區(qū)域的一個相鄰子空白部分沿與所述第一方向相反的一個第二方向加以磁化，實現(xiàn)這一寫功能；以及b)設(shè)置設(shè)備(22)，用于設(shè)置所述標(biāo)記區(qū)域的所述子標(biāo)記部分的長度(L1)，以便使其小于或等于沿所述記錄道的方向的所述標(biāo)記區(qū)域的所述子空白部分的長度(L2)。
11.如權(quán)利要求10中所要求的一種記錄裝置，其中，對所述設(shè)置設(shè)備(22)加以配置，以把所述子空白部分的長度(L2)與所述子標(biāo)記部分的長度(L1)的比率設(shè)置在1和4之間的范圍內(nèi)。
12.如權(quán)利要求10或11中所要求的一種裝置，其中，所述記錄裝置為一個針對磁光盤(10)的盤播放器，其中，通過一種磁疇擴展技術(shù)讀取磁光盤(10)。
13.一種磁光記錄介質(zhì)，在這一介質(zhì)上，把信息按標(biāo)記和空白的一種模式記錄在記錄道上，其中，一個標(biāo)記區(qū)域包括一個沿基本上垂直于所述記錄介質(zhì)(10)的記錄表面的一個第一方向加以磁化的一個子標(biāo)記部分，以及一個沿與所述第一方向相反的一個第二方向加以磁化的子空白部分，且其中所述子標(biāo)記部分的長度(L1)小于或等于沿所述記錄道的所述子空白部分的長度。
14.如權(quán)利要求13中所要求的一種記錄介質(zhì)，其中，所述磁光記錄介質(zhì)為一個磁光盤，其中，通過一種磁疇擴展技術(shù)讀取磁光盤。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種磁光記錄技術(shù)，根據(jù)這一技術(shù)，實現(xiàn)了改進的磁疇擴展讀取。把一個標(biāo)記按子標(biāo)記部分和一個相鄰的子空白部分加以記錄，其中，把子標(biāo)記部分的長度設(shè)置為小于或等于子空白部分的長度。因而，可以量化由于記錄數(shù)據(jù)的不同的游程長度所引發(fā)的雜散場的變化，甚至是對于短通道比特長度，同時改進了分辨率和/或剩余功率。
文檔編號G11B11/105GK1526135SQ02812153
公開日2004年9月1日 申請日期2002年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月18日
發(fā)明者C·A·維爾舒?zhèn)? B·范羅姆佩伊, P·W·M·布洛姆, J·J·L·霍里克斯, H·W·范凱斯特倫, C A 維爾舒?zhèn)? L 霍里克斯, M 布洛姆, 弈放逡, 范凱斯特倫 申請人:皇家菲利浦電子有限公司