專利名稱：具有永磁層結(jié)構(gòu)的磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁頭，它具有大體上是扁平的磁線圈，此線圈具有由電導(dǎo)繞組構(gòu)成的至少一層線圈結(jié)構(gòu)。該磁頭特別應(yīng)用于磁光裝置中。
這種磁頭的一種實(shí)施例在WO-A98/48418中已有說(shuō)明。從該P(yáng)CT文件中了解到的磁頭包括具有兩個(gè)平行線圈部分的扁平磁線圈，每個(gè)線圈部分包含用薄膜技術(shù)形成的多個(gè)繞組。磁線圈在磁軛中延伸，該磁軛與線圈一起確定了光束的中心通路。這種已知的磁頭用于磁-光(MO)系統(tǒng)中，在具有記錄層的磁光(MO)介質(zhì)中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，在記錄或讀出數(shù)據(jù)時(shí)磁頭位于距MO介質(zhì)的主要表面不遠(yuǎn)處。這種磁光系統(tǒng)，除了包括所述磁頭外，還包括激光源和光學(xué)元件，例如聚焦透鏡，以使激光束通過(guò)中心通道到達(dá)記錄層。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)，激光束可用來(lái)使選中處大約加熱到記錄層的居里溫度，減少M(fèi)O介質(zhì)的記錄層的矯頑磁性。同時(shí)，磁線圈被激活，產(chǎn)生橫過(guò)記錄層的隨時(shí)間而變化的磁場(chǎng)，以便確定磁疇模式。讀出存儲(chǔ)的信息時(shí)，用激光掃描MO介質(zhì)，就是利用眾所周知的磁光Kerr效應(yīng)。
在磁光存儲(chǔ)信息時(shí)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的最小寬度取決于衍射極限，即所用聚焦透鏡的數(shù)值孔徑(NA)以及激光源發(fā)射的激光束的波長(zhǎng)。
減少所述寬度通常是基于較短波長(zhǎng)的激光和較高NA的光學(xué)聚焦系統(tǒng)。在磁光記錄時(shí)，利用激光脈沖磁場(chǎng)調(diào)制(LP-MFM)可將最小位長(zhǎng)減小到光學(xué)衍射極限以下。在這種過(guò)程中，位長(zhǎng)取決于激光的脈沖速率以及交變的磁場(chǎng)。要讀出以這種方法記錄的小標(biāo)記，要利用磁超分辨率(MSR)技術(shù)，包括磁疇擴(kuò)展方法，象基于具有靜磁耦合層的介質(zhì)的MAMMOS。磁疇擴(kuò)展方法的優(yōu)點(diǎn)在于可以以類似于大小可與衍射限制點(diǎn)相比擬的標(biāo)記的信噪比檢測(cè)長(zhǎng)度小于衍射極限的標(biāo)記。
磁放大磁光(MO)系統(tǒng)，稱為MAMMOS，在IEEE Journal of SelectedTopics in Quantum Electronics，Vol.4，No.5，September/October1998，pages 815-820中有說(shuō)明。
MAMMOS的概念是在讀出時(shí)利用磁疇擴(kuò)展來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)增強(qiáng)。方法是利用具有相互靜磁耦合的存儲(chǔ)層和讀出層的存儲(chǔ)介質(zhì)。讀出時(shí)激光束加熱讀出位置處的介質(zhì)。當(dāng)存儲(chǔ)層中的一個(gè)標(biāo)記，即磁化方向與讀出層的初始磁化方向相反的一個(gè)位，處于稱為復(fù)制窗口的區(qū)域內(nèi)，而此處的溫度很高足以使磁化反向時(shí)，磁疇在讀出層成核。施加外磁場(chǎng)使該磁疇擴(kuò)展，磁場(chǎng)被反向，以便在檢測(cè)到磁疇后破壞該磁疇。
從WO-A98/48418中了解到的磁頭中所用的線圈在與MAMMOS結(jié)合使用時(shí)，其讀出分辨率有限。
本發(fā)明的目的就是提供利用基于靜磁耦合層的磁疇擴(kuò)展技術(shù)來(lái)提高讀出分辨率的一種磁頭。
此目的用本發(fā)明的磁頭即可達(dá)到，該磁頭包括至少大體上扁平的磁線圈，此線圈具有包括電導(dǎo)繞組的至少一層線圈結(jié)構(gòu)，所述磁頭還包括大體上與線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸的且具有平面內(nèi)磁軸的永磁層結(jié)構(gòu)。由于采用的措施，本發(fā)明的磁頭在使用時(shí)可提供由線圈層結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的在使用時(shí)隨時(shí)間變化的垂直磁場(chǎng)和永磁層結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的靜態(tài)平面內(nèi)偏置磁場(chǎng)。永磁層的適用材料有，例如，CoPt或FePt合金；Co/Pt或Co/Pd多層；Nd2Fe14B或Co5Sm稀土過(guò)渡金屬化合物。
MAMMO介質(zhì)的讀出層中小反向區(qū)域的成核在讀出過(guò)程的初始階段主要發(fā)生在雜散場(chǎng)最強(qiáng)且雜散場(chǎng)的方向偏離垂直方向的區(qū)域內(nèi)，因?yàn)檫@種平面內(nèi)雜散場(chǎng)分量可對(duì)讀出層的垂直磁化施加一扭距，從而引發(fā)成核。因此。在用已知裝置讀出時(shí)，成核不是在標(biāo)記中心的附近開(kāi)始，而是在標(biāo)記/非標(biāo)記以及非標(biāo)記/標(biāo)記過(guò)渡區(qū)的附近開(kāi)始。這就導(dǎo)致了檢測(cè)區(qū)域的加寬，因而在高分辨率的讀出時(shí)導(dǎo)致錯(cuò)誤的復(fù)制磁疇。
利用本發(fā)明的磁頭，可以產(chǎn)生外部磁場(chǎng)，它具有磁道方向的磁場(chǎng)分量并有足夠的強(qiáng)度以抑制錯(cuò)誤復(fù)制磁疇的不利效應(yīng)。上述磁場(chǎng)分量增加標(biāo)記/非標(biāo)記過(guò)渡區(qū)的成核并減少非標(biāo)記/標(biāo)記過(guò)渡區(qū)的成核，或與之相反，這根據(jù)平面內(nèi)磁場(chǎng)分量的方向而定。讀出時(shí)將所得的傾斜磁場(chǎng)與復(fù)制窗口的運(yùn)動(dòng)相結(jié)合就降低了小標(biāo)記和非標(biāo)記的誤碼率。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)還有一個(gè)效果就是平面內(nèi)磁場(chǎng)分量可增強(qiáng)初始的磁疇擴(kuò)展速度，這對(duì)高數(shù)據(jù)速率是有利的。除了上述效果外，本發(fā)明的磁頭還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即不需要電流來(lái)產(chǎn)生平面內(nèi)偏置磁場(chǎng)，這樣就將熱損耗保持在有限范圍內(nèi)。
在LP-MFM記錄以及MAMMOS讀出等過(guò)程中為了獲得高的數(shù)據(jù)速率，磁線圈應(yīng)該很小且靠近介質(zhì)。本發(fā)明的措施特別有利之處在于其所謂的第一表面或覆蓋層事件記錄配置，其中線圈和光學(xué)聚焦系統(tǒng)都在磁光介質(zhì)的同一側(cè)，且激光點(diǎn)通過(guò)線圈聚焦。就這點(diǎn)而言，本發(fā)明的磁頭的實(shí)施例具有以下特點(diǎn)磁線圈具有中心區(qū)，導(dǎo)電繞組在中心區(qū)四周延伸，而永磁層結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)扁平的永久磁鐵，它們位于磁線圈中心區(qū)的相對(duì)兩側(cè)。磁鐵具有相同的磁化方向，以便在磁線圈的中心區(qū)產(chǎn)生所需的平面內(nèi)磁場(chǎng)。該實(shí)施例提供了在使用時(shí)獲得線圈中心區(qū)的較大部分上的傾斜磁場(chǎng)而此中心區(qū)并不被覆蓋的可能性。中心區(qū)可以是透明的內(nèi)部區(qū)域或內(nèi)部孔徑。如果是襯底入射記錄，此時(shí)磁光介質(zhì)在線圈和光學(xué)聚集系統(tǒng)之間延伸且激光束不通過(guò)線圈，則以下實(shí)施例就較為有利，即磁線圈具有中心區(qū)，導(dǎo)電繞組圍繞該中心區(qū)延伸，永磁層結(jié)構(gòu)包括位于中心區(qū)的永久磁鐵。
本發(fā)明的磁頭的一個(gè)實(shí)施例能在介質(zhì)中產(chǎn)生非常強(qiáng)的平面內(nèi)磁場(chǎng)，其特點(diǎn)在于永磁層結(jié)構(gòu)位于線圈層結(jié)構(gòu)的一側(cè)，這一側(cè)朝向與存儲(chǔ)介質(zhì)主表面相對(duì)的磁頭面。所述磁頭面可以由至少部分地與線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸的磁頭面組成或包括至少部分地與線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸的磁頭面。此實(shí)施例在使用時(shí)靠近永磁層結(jié)構(gòu)的邊沿處產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)增加，但這種偶發(fā)的效應(yīng)幾乎不會(huì)影響讀出過(guò)程，因?yàn)榻橘|(zhì)的相關(guān)區(qū)域并未被加熱。
另一實(shí)施例不會(huì)有上述的偶發(fā)效應(yīng)，其特點(diǎn)在于永磁層結(jié)構(gòu)位于線圈層結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離磁頭面的一側(cè)。在這種配置中磁線圈在永磁層結(jié)構(gòu)和磁頭面之間延伸，雖然平面內(nèi)磁場(chǎng)可能有點(diǎn)弱，但也可作為優(yōu)選配置。
另一實(shí)施例的特點(diǎn)是永磁層結(jié)構(gòu)和線圈層結(jié)構(gòu)處于同一平面，線圈層結(jié)構(gòu)在永磁層結(jié)構(gòu)的一對(duì)永久磁鐵之間延伸。如果要求所需的平面內(nèi)磁場(chǎng)分量跨過(guò)距線圈層結(jié)構(gòu)較遠(yuǎn)處的較大面積，這種同平面結(jié)構(gòu)的實(shí)施例就特別有利。
根據(jù)磁線圈中心區(qū)的大小，和/或使用時(shí)線圈與介質(zhì)的距離，大體上與線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸的一種軟磁層結(jié)構(gòu)在增強(qiáng)存儲(chǔ)介質(zhì)中由線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)方面可能較為有利?；谶@個(gè)原因，這里提供了一個(gè)配備有這種軟磁層結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的實(shí)施例。在這樣的實(shí)施例中，線圈層結(jié)構(gòu)可在永磁層結(jié)構(gòu)和軟磁層結(jié)構(gòu)之間延伸，或者軟磁層結(jié)構(gòu)位于線圈層結(jié)構(gòu)與磁頭面相對(duì)的一側(cè)，這一側(cè)遠(yuǎn)離磁頭面。軟磁層結(jié)構(gòu)改進(jìn)了導(dǎo)電繞組的效率。而且，特別是如果永磁層結(jié)構(gòu)和線圈層結(jié)構(gòu)處于同一平面，永久磁鐵的效率可以因軟磁層結(jié)構(gòu)而得到改進(jìn)。如果記錄的配置結(jié)構(gòu)是磁線圈位于介質(zhì)的一側(cè)且激光束通過(guò)存儲(chǔ)介質(zhì)的襯底聚焦到一點(diǎn)時(shí)，軟磁層結(jié)構(gòu)可以是一種連續(xù)的軟磁薄膜。否則，軟磁層結(jié)構(gòu)可以做成有間斷的軟磁薄膜。適用于軟磁層結(jié)構(gòu)的軟磁材料有，例如，NiFe或CoZrNb或FeTaN合金。
作為永磁層結(jié)構(gòu)的固態(tài)金屬永磁薄膜會(huì)導(dǎo)致雜散(渦流)電流的產(chǎn)生，當(dāng)線圈工作在高頻時(shí)會(huì)引發(fā)此現(xiàn)象。本發(fā)明的一種磁頭實(shí)施例可將渦流的產(chǎn)生減到最小，其特點(diǎn)是其永磁層結(jié)構(gòu)是一種至少有一層非導(dǎo)電中間層的層疊結(jié)構(gòu)。磁性材料可以是例如CoPt合金，而絕緣材料可以是例如SiO2。渦流以及磁線圈與永磁層結(jié)構(gòu)的容性耦合也可用以下方法來(lái)抵消，即將永磁層結(jié)構(gòu)配置成小磁條與非磁性小條交替的形式，而不是一個(gè)磁性薄膜，這樣就形成了有條紋圖案的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明還涉及用于磁光裝置中的一種滑動(dòng)觸頭。本發(fā)明的滑動(dòng)觸頭包括有本發(fā)明的磁頭?；瑒?dòng)觸頭最好具有如權(quán)利要求2所定義的特征。
此外，本發(fā)明還涉及一種其物鏡配備有本發(fā)明的磁頭的記錄或重放的光學(xué)頭。用來(lái)聚焦或跟蹤的物鏡可以用已知的驅(qū)動(dòng)裝置移動(dòng)。
本發(fā)明還涉及具有本發(fā)明的磁頭、或本發(fā)明的滑動(dòng)觸頭、或本發(fā)明的光學(xué)頭的磁光裝置。
總之，本發(fā)明涉及一種信息讀出方法，該信息存在于具有包括存儲(chǔ)層和讀出層的靜磁耦合層或交換耦合層的磁光介質(zhì)的磁道中。使用此方法時(shí)，激光束聚焦到讀出層的一點(diǎn)上，并且加上外部磁場(chǎng)。本發(fā)明的方法的特點(diǎn)在于利用永久磁鐵在介質(zhì)中、特別是在讀出層中產(chǎn)生磁道方向的磁場(chǎng)分量。本發(fā)明的方法是基于前述的同樣概念。最好，使用本發(fā)明的磁頭、或本發(fā)明的滑動(dòng)觸頭、或本發(fā)明的光學(xué)頭來(lái)實(shí)現(xiàn)此方法。
關(guān)于權(quán)利要求，應(yīng)當(dāng)指出權(quán)利要求中定義的各種特征可以以組合的形式出現(xiàn)。本發(fā)明的上述和其他方面通過(guò)并非限定性的實(shí)例、參考以下說(shuō)明的實(shí)施例，就可一目了然。
附圖中

圖1示出根據(jù)本發(fā)明的用于磁光裝置中的磁頭原理的平面圖；圖2示出在根據(jù)本發(fā)明的磁頭實(shí)施例中在圖1所示的以X-X表示的截面中的磁力線圖；圖3-7示出根據(jù)本發(fā)明的磁頭或滑動(dòng)觸頭的數(shù)個(gè)實(shí)施例的與圖1的X-X截面相似的截面圖7A示出圖7中在VIIA-VIIA線上截取的截面圖；圖7B示出圖7中以箭頭VIIB代表的平面8示出根據(jù)本發(fā)明的磁頭的一種應(yīng)用；以及圖9示出根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)頭的截面圖。
圖1所示的元件用于磁光裝置中，特別適用于可進(jìn)行MAMMOS讀出的裝置。該元件由本發(fā)明的磁頭構(gòu)成。該元件包括至少大體上是扁平的磁線圈1，它具有至少一層線圈層結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)含有導(dǎo)電繞組。在此實(shí)例中，線圈1有兩個(gè)線圈層結(jié)構(gòu)3a和3b，每個(gè)分別含有導(dǎo)電繞組5a和5b。每個(gè)繞組5a和5b具有連接表面6a和6b，繞組由互連6c進(jìn)行電互連。繞組材料可以是金屬，像Cu或Au。該元件還包括永磁層結(jié)構(gòu)7，它大體上與線圈層結(jié)構(gòu)3a和3b平行延伸并具有平面內(nèi)磁軸m。磁線圈1具有中心區(qū)10，導(dǎo)電繞組5a和5b圍繞中心區(qū)10延伸。中心區(qū)10可以是透明的。永磁層結(jié)構(gòu)7具有兩個(gè)扁平的永久磁鐵9a和9b，它們位于磁線圈1的中心區(qū)10的相對(duì)兩側(cè)。兩個(gè)永久磁鐵9a和9b具有相同的磁化方向M，在磁線圈1的中心區(qū)10產(chǎn)生平面內(nèi)磁場(chǎng)。永久磁鐵可以用例如CoPt合金構(gòu)成。MAMMOS讀出時(shí)所需的磁力線傾角可以用優(yōu)化磁鐵9a和9b的位置，和/或尺寸，和/或成分等方法(例如改變磁鐵間的距離，改變它們的厚度，改變永磁材料)來(lái)獲得。
圖2示出使用時(shí)典型配置的截面上的磁力線并且示出在磁線圈的中心區(qū)可以得到大約45度的磁場(chǎng)傾斜。在此配置中使用的線圈101是所謂的雙層磁線圈，即有兩個(gè)線圈層結(jié)構(gòu)103a和103b，它們分別各含有導(dǎo)電繞組105a和105b。線圈101具有線圈軸101a。除了線圈101外，此配置還包括永磁層107，它包括兩個(gè)扁平的永久磁鐵109a和109b，它們位于中心區(qū)(此處以110表示)的相對(duì)兩側(cè)，永久磁鐵具有相同的磁化發(fā)方向M。在此實(shí)例中，永磁層107的厚度為3μm，由CoPt合金構(gòu)成。兩個(gè)永久磁鐵109a和109b之間的距離約為90μm。在中心區(qū)可以得到至少15kA/m大小的磁場(chǎng)，這樣的磁場(chǎng)已證明足以進(jìn)行MAMMOS讀出。
圖3A所示的實(shí)施例是本發(fā)明的滑動(dòng)觸頭，但也可以是本發(fā)明的磁頭，它包括含有導(dǎo)電繞組205的線圈層結(jié)構(gòu)203，還包括永磁層結(jié)構(gòu)207，后者包括兩個(gè)扁平的永久磁鐵209a和209b，它們位于中心區(qū)210的相對(duì)兩側(cè)。該實(shí)施例具有滑動(dòng)觸頭體218，其正面220(在本文中也稱為磁頭面)在使用時(shí)與磁光存儲(chǔ)介質(zhì)的主表面相對(duì)。在此實(shí)例中，永磁層結(jié)構(gòu)207位于面向磁頭面220的線圈層結(jié)構(gòu)203一側(cè)。換句話說(shuō)，永磁層結(jié)構(gòu)在線圈層結(jié)構(gòu)和磁頭面之間延伸。很明顯，在此實(shí)施例中，滑動(dòng)觸頭或磁頭構(gòu)成一個(gè)整體單元或部件。圖3B所示的實(shí)施例包括永磁層結(jié)構(gòu)207，它在線圈層結(jié)構(gòu)203遠(yuǎn)離磁頭面220的一側(cè)與線圈層結(jié)構(gòu)203平行延伸。圖3C所示的實(shí)施例中永磁層結(jié)構(gòu)207位于線圈層結(jié)構(gòu)203的中心區(qū)210。
圖4所示的實(shí)施例包括線圈層結(jié)構(gòu)303，永磁層結(jié)構(gòu)307，以及軟磁層結(jié)構(gòu)330，后者包括兩個(gè)軟磁層部分331a和331b，以便有可能建立透明的中心區(qū)310。在記錄和/或讀出過(guò)程中如果激光束要穿過(guò)磁線圈就需要這樣做。所有這些層結(jié)構(gòu)都相互平行，線圈層結(jié)構(gòu)303在層結(jié)構(gòu)307和330之間延伸，軟磁層結(jié)構(gòu)330位于線圈層結(jié)構(gòu)303遠(yuǎn)離磁頭面320的一側(cè)。軟磁層結(jié)構(gòu)可以由例如NiFe合金構(gòu)成。
圖5所示的實(shí)施例具有磁頭面420并包括線圈層結(jié)構(gòu)403和永磁層結(jié)構(gòu)407，二者均處于與磁頭面420平行延伸的同一平面內(nèi)。永磁層結(jié)構(gòu)407至少有一對(duì)磁鐵409a和409b，結(jié)構(gòu)407在磁鐵409a和409b之間延伸。
圖6所示的實(shí)施例類似于圖5所示的實(shí)施例，但又另加了一層與磁頭面520平行延伸的軟磁層結(jié)構(gòu)530，它以這樣的方式設(shè)置、即、線圈層結(jié)構(gòu)503和永磁層結(jié)構(gòu)507在軟磁層結(jié)構(gòu)530(一側(cè))和磁頭面520(另一側(cè))之間延伸。
圖7，7A和7B所示的實(shí)施例包括線圈層結(jié)構(gòu)603和永磁層結(jié)構(gòu)607，二者相互平行延伸。為了避免永磁層結(jié)構(gòu)607中的渦流，永磁層做成這樣形式的層疊結(jié)構(gòu)，即永磁材料(例如CoPt合金)的子層640與非導(dǎo)電材料(例如石英)的中間層642交替疊放。
圖8所示的本發(fā)明的磁光裝置的實(shí)施例具有框架751，它為磁光(MO)盤(pán)755K旋轉(zhuǎn)地支持著軸753，并具有固定于框架上的滑動(dòng)驅(qū)動(dòng)器的兩個(gè)磁軛757?；瑒?dòng)驅(qū)動(dòng)器還包括與磁軛配合動(dòng)作的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)線圈759a。驅(qū)動(dòng)線圈759a構(gòu)成能相對(duì)軸753作徑向平移運(yùn)動(dòng)的滑動(dòng)裝置759的一部分。滑動(dòng)裝置759具有彈簧懸掛件761，它承載著根據(jù)本發(fā)明的滑動(dòng)觸頭實(shí)施例763，例如圖3所示的滑動(dòng)觸頭。圖8所示的裝置可以用來(lái)實(shí)施本發(fā)明的讀出方法。按此方法，在具有靜磁耦合層的磁光存儲(chǔ)介質(zhì)的磁道中的信息可以用激光點(diǎn)和外加磁場(chǎng)讀出，永久磁鐵、特別是由所述永磁層結(jié)構(gòu)形成的永久磁鐵用于在存儲(chǔ)介質(zhì)中產(chǎn)生磁道方向的磁場(chǎng)分量。這樣，利用平面磁場(chǎng)調(diào)制線圈結(jié)合上述結(jié)構(gòu)的永磁層，就可進(jìn)行高分辨率和低誤碼率的MAMMOS讀出。
圖9所示的光記錄和/或重放磁頭可以是磁光裝置的一部分，其物鏡部分有物鏡802a和前透鏡802b。物鏡802a和802b固定在框架804中，框架804具有支架806，支撐聚焦和/或跟蹤驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)器元件。物鏡、特別是其前透鏡802b配備有根據(jù)本發(fā)明的磁頭實(shí)施例808，例如圖7所示的磁頭。利用所述驅(qū)動(dòng)器，帶有磁頭808的前透鏡802b就能夠相對(duì)MO盤(pán)810作聚焦運(yùn)動(dòng)F和/或跟蹤運(yùn)動(dòng)T。
應(yīng)當(dāng)指出本發(fā)明不限于在此示出的實(shí)例。因此，磁線圈可以有多于一個(gè)或兩個(gè)的線圈層，或線圈層結(jié)構(gòu)。而且，也可使用固定在或安裝在滑動(dòng)觸頭上的本發(fā)明的磁頭，而不是集成在滑動(dòng)觸頭內(nèi)的磁頭。此外，MO裝置可以配備搖臂，而不是或另加滑動(dòng)裝置。
還應(yīng)當(dāng)指出本專利文件所說(shuō)明的措施可以和歐洲專利申請(qǐng)00201412.4(PHNL000221EPP；已作為參考包括在本文內(nèi))所說(shuō)明的措施有利結(jié)合。這就意味著扁平磁線圈可以有平行的線圈層，每一線圈層都有一匝圍繞線圈的中心區(qū)。至少有一層線圈層有一些匝，其較靠近中心區(qū)的匝寬小于遠(yuǎn)離中心區(qū)的匝寬，而至少有一層線圈層的最外匝比其它一個(gè)線圈層的最外匝更靠近中心區(qū)。這種線圈結(jié)構(gòu)具有有限的電容，而功率消耗也有限。
權(quán)利要求
1.一種磁頭、特別是用于磁光裝置的磁頭，該磁頭包括大體上扁平的磁線圈，所述磁線圈具有包括電導(dǎo)繞組的至少一個(gè)線圈層結(jié)構(gòu)，所述磁頭還包括大體上與所述線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸并且具有平面內(nèi)磁軸的永磁層結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于所述磁線圈具有中心區(qū)，所述導(dǎo)電繞組圍繞所述中心區(qū)延伸，其中，所述永磁層結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)扁平的永久磁鐵，它們位于所述磁線圈的所述中心區(qū)的相對(duì)兩側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于所述磁線圈具有中心區(qū)，所述導(dǎo)電繞組圍繞所述中心區(qū)延伸，其中，所述永磁層結(jié)構(gòu)包括位于所述中心區(qū)的永久磁鐵。
4.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于所述磁頭具有至少部分地與所述線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸的磁頭面，其中，所述永磁層結(jié)構(gòu)位于所述線圈層結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述磁頭面的一側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于所述磁頭具有至少部分地與所述線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸的磁頭面，其中，所述永磁層結(jié)構(gòu)位于所述線圈層結(jié)構(gòu)的靠近所述磁頭面的一側(cè)。
6.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于所述磁頭具有至少部分地與所述線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸的磁頭面，其中，所述永磁層結(jié)構(gòu)和所述線圈層結(jié)構(gòu)處于同一平面，所述線圈層結(jié)構(gòu)在所述永磁層結(jié)構(gòu)的至少兩個(gè)永久磁鐵之間延伸。
7.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于包括大體上與所述線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸的軟磁層結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的磁頭，其特征在于所述線圈層結(jié)構(gòu)在所述永磁層結(jié)構(gòu)和所述軟磁層結(jié)構(gòu)之間延伸。
9.如權(quán)利要求8所述的磁頭，其特征在于所述磁頭具有至少部分地與所述線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸的磁頭面，其中，所述軟磁層結(jié)構(gòu)位于所述線圈層結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述磁頭面的一側(cè)。
10.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于所述永磁層結(jié)構(gòu)是具有至少一層非導(dǎo)電中間層的疊層結(jié)構(gòu)。
11.一種用于磁光裝置并具有如上述權(quán)利要求中任何一個(gè)所述的磁頭的滑動(dòng)觸頭。
12.如權(quán)利要求11所述的滑動(dòng)觸頭，其特征在于所述滑動(dòng)觸頭體與所述磁頭集成為一體。
13.一種記錄和/或重放光學(xué)頭，其物鏡配備有如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的磁頭。
14.一種磁光裝置，它包括如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的磁頭、或者包括如權(quán)利要求11或12所述的磁頭、或者包括如權(quán)利要求13所述的光學(xué)頭。
15.一種利用激光點(diǎn)和外加磁場(chǎng)讀出存在于具有靜磁耦合或交換耦合層的磁光存儲(chǔ)介質(zhì)的磁道中的信息的方法，其特征在于利用永久磁鐵在所述介質(zhì)中產(chǎn)生磁道方向的磁場(chǎng)分量。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于利用如權(quán)利要求14所述的磁光裝置。
全文摘要
為了進(jìn)行高分辨率和低誤碼率的MAMMOS讀出，提出了一種磁頭，該磁頭包括扁平的磁線圈(1)，后者具有由導(dǎo)電層繞組(5a，5b)構(gòu)成的線圈層結(jié)構(gòu)(3a，3b)，該磁頭還包括永磁層結(jié)構(gòu)(7)，此永磁層結(jié)構(gòu)與線圈層結(jié)構(gòu)平行延伸并具有平面內(nèi)磁軸(m)。
文檔編號(hào)G11B11/105GK1461476SQ02801127
公開(kāi)日2003年12月10日 申請(qǐng)日期2002年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月12日
發(fā)明者H·W·范科斯特倫, P·W·M·布洛姆, J·J·L·霍里克西 申請(qǐng)人:皇家菲利浦電子有限公司