專利名稱：高密度光記錄介質(zhì)和在其上記錄數(shù)據(jù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能夠存儲(chǔ)高密度數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)和在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法。
背景技術(shù)：
通常，由光拾取器件使用非接觸方法在光記錄介質(zhì)上讀取和記錄數(shù)據(jù)。光記錄介質(zhì)包括光盤(CD)或數(shù)字通用盤(DVD)。這些光記錄介質(zhì)可通過光記錄容量區(qū)分，盡管它們的直徑和厚度相同，分別是12厘米和1.2毫米。于是，他們的外部結(jié)構(gòu)相同。
盡管DVD的外觀和大小與CD相同，但DVD的數(shù)據(jù)記錄容量大于CD。這是通過其內(nèi)部特征不同于CD實(shí)現(xiàn)的，這些內(nèi)部特征包括數(shù)據(jù)記錄標(biāo)準(zhǔn)、其上記錄數(shù)據(jù)的基底的厚度、軌道間距和凹坑的最小尺寸。
即，在DVD上記錄數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)比CD的嚴(yán)格。DVD讀取和記錄數(shù)據(jù)的光源的波長(zhǎng)比CD的短。
隨著因新的信息傳輸介質(zhì)例如高清晰度(HD)TV的出現(xiàn)同時(shí)要記錄的數(shù)據(jù)量增加，要求DVD有增加的數(shù)據(jù)記錄容量。為了滿足該需求，已經(jīng)出現(xiàn)具有增加的數(shù)據(jù)記錄容量的DVD，其專利也已經(jīng)申請(qǐng)。例如，已經(jīng)申請(qǐng)具有其上能夠記錄數(shù)據(jù)的多個(gè)記錄表面的DVD的專利。
詳細(xì)地說，圖1示出了按照現(xiàn)有技術(shù)的DVD，其包括在它們的表面上記錄信息信號(hào)的第一和第二信息基底111和121、和設(shè)在第一信息基底111和第二信息基底121之間的第三信息基底131，在第三信息基底的兩個(gè)表面上記錄信息信號(hào)。第一信息基底111包括第一入射表面111a，通過它傳輸用于記錄/再現(xiàn)的光L；和第一記錄表面111b，在其上記錄信息信號(hào)。在第一記錄表面111b上形成第一反射層113，其反射某些入射光，并且傳輸入射光的其余部分到第三信息基底131上。在第一反射層113上形成在其上記錄信息信號(hào)的第一記錄層115和第二反射層117，第二反射層117形成在第一記錄層115上并且反射某些入射光。
第二信息基底121包括第二入射表面121a，通過它傳輸用于記錄/再現(xiàn)的光L；和第二記錄表面121b，在其上記錄信息信號(hào)。在第二記錄表面121b上形成反射某些入射光的第三反射層123。在第三反射層123之上形成在其上記錄信息信號(hào)的第二記錄層125和第四反射層127，第四反射層127形成在第二記錄層125上并且反射某些入射光。
第三信息基底131被接合并且形成在第二反射層117和第四反射層127之間。第三信息基底131包括第三記錄表面131a，在其上由通過第一和第二反射層113和117傳輸?shù)墓庥涗?再現(xiàn)信息信號(hào)，并且包括第四記錄表面131b，在其上由通過第三和第四反射層123和127傳輸?shù)墓庥涗?再現(xiàn)信息信號(hào)。
用這種方法，如果在一表面上依次形成兩個(gè)或更多數(shù)據(jù)記錄表面，假定以用最接近光源的數(shù)據(jù)記錄表面開始按次序?qū)?shù)據(jù)記錄表面表示為L(zhǎng)0，L1，L2，…，等，則當(dāng)數(shù)據(jù)要記錄在L1或當(dāng)讀取記錄在L1上的數(shù)據(jù)上，用于記錄或讀取的激光必須通過L0傳輸。于是，L0的物理結(jié)構(gòu)例如凹坑、凹槽、或具有作為數(shù)據(jù)記錄的標(biāo)記的凹槽能夠影響記錄或讀取的激光。例如，當(dāng)由在激光路徑中的L0的結(jié)構(gòu)衍射激光時(shí)，到達(dá)L1的激光的強(qiáng)度能夠因此變化。結(jié)果，從L1反射的激光量不同于正常反射的光量，并且變得不能正確地讀取記錄在L1上的數(shù)據(jù)。此外，在激光用于記錄的情況下，穿過L0之后激光的強(qiáng)度低于記錄需要的臨界強(qiáng)度。結(jié)果，可能不正確地記錄數(shù)據(jù)，或者仍然能夠記錄不同于原始數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種具有多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的光記錄介質(zhì)，其中記錄和再現(xiàn)特性沒有下降。
本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種方法，用于在光記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
相應(yīng)地，為了實(shí)現(xiàn)第一個(gè)目的，提供了一種光記錄介質(zhì)，具有有著光反射系數(shù)的多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面，所述光穿過包含在發(fā)射光的光源和從所述多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面中選擇的一個(gè)記錄/再現(xiàn)表面之間的數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的凹坑區(qū)、平臺(tái)/凹槽區(qū)、以及記錄數(shù)據(jù)的平臺(tái)/凹槽區(qū)，所述反射系數(shù)滿足等式r1≥r2≥r3和[(r1-r3)r1]≤0.2]]>假設(shè)入射在從多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面選擇的所述數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的各個(gè)區(qū)域上的光的反射系數(shù)表示為r1，r2和r3。
最好，所選區(qū)域是凹坑區(qū)、平臺(tái)/凹槽區(qū)、或其上記錄數(shù)據(jù)的平臺(tái)/凹槽區(qū)，并且記錄介質(zhì)包括第一和第二信息基底，每個(gè)具有多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面；和半透明接合層，包括在所述基底之間，用于接合兩個(gè)信息基底，使得包括在第一和第二信息基底上的每個(gè)二重層彼此面對(duì)，或者介質(zhì)包括第一和第二信息基底，每個(gè)具有多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面；不透明接合層，包括在所述基底之間，用于接合兩個(gè)信息基底，使得包括在第一和第二信息基底上的每個(gè)二重層彼此背對(duì)。
為了實(shí)現(xiàn)第二目的，提供了一種在光記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法。該光記錄介質(zhì)具有多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面，其中通過使用具有比光強(qiáng)度Pr大且增加4-20％的強(qiáng)度的光，在比選擇的記錄/再現(xiàn)表面遠(yuǎn)離光源的下個(gè)記錄/再現(xiàn)表面上記錄或再現(xiàn)數(shù)據(jù)，所述光強(qiáng)度Pr是在不包括最靠近光源的多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的記錄/再現(xiàn)表面中的所選記錄/再現(xiàn)表面上記錄或再現(xiàn)數(shù)據(jù)時(shí)使用的光強(qiáng)度。
最好是，通過使用入射在光記錄介質(zhì)的一側(cè)的光，或通過使用從在光記錄介質(zhì)的兩側(cè)所包括的光源中選擇的兩個(gè)光源之一發(fā)射的光，執(zhí)行在所選數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面上的數(shù)據(jù)記錄或再現(xiàn)。
在使用按照本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的情況下，當(dāng)在從多個(gè)記錄/再現(xiàn)表面選擇的表面上記錄數(shù)據(jù)或讀取和再現(xiàn)所記錄的數(shù)據(jù)時(shí)，在所選記錄/再現(xiàn)表面上數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)特性的降低，可以由比所選表面靠近光源的記錄/再現(xiàn)表面來防止。
通過參照附圖詳細(xì)描述優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)將變得更清楚，其中
圖1是傳統(tǒng)高密度光記錄介質(zhì)的局部剖視圖；圖2是在本發(fā)明的試驗(yàn)例子中使用的光記錄介質(zhì)的剖視圖；圖3是含有包括在圖2的光記錄介質(zhì)上的第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面上的頭部分的區(qū)域平面圖；圖4是包括n個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的圖2的光記錄介質(zhì)的模型剖視圖，用于測(cè)試在第一和第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面之間包括基襯層時(shí)所產(chǎn)生的效果；圖5到圖7是比較仿真結(jié)果和試驗(yàn)舉例中的測(cè)量結(jié)果的圖，用于解釋按照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的高密度光記錄介質(zhì)和在高密度光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法；和圖8是按照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的高密度光記錄介質(zhì)的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。為了清楚，附圖的層厚度和區(qū)域擴(kuò)大了。
本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行了下列試驗(yàn)，用于實(shí)現(xiàn)按照本發(fā)明的能夠高密度數(shù)據(jù)記錄的光記錄介質(zhì)和在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法。
首先，準(zhǔn)備具有圖2所示的表面結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)，例如數(shù)字通用盤(DVD)。
具體地說，光記錄介質(zhì)包括依次形成在基底40上的第一和第二基襯層(spacer layer)42和44；形成在基底40和第一基襯層42之間的第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0；形成在第一和第二基襯層42和44之間的第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L1?；?0與在諸如光盤(CD)或DVD的光記錄介質(zhì)中使用的基底的類型相同。
圖2示出光記錄介質(zhì)的兩個(gè)表面。例如，參考標(biāo)號(hào)40和44分別表示構(gòu)成1.2毫米厚DVD的下和上信息基底，并且參考標(biāo)號(hào)42是一接合層，接合下和上信息基底使得第一和第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0和L1面對(duì)。接合層42可以是半透明材料層或不透明材料層，通過該層用于數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)的光可以按照光記錄介質(zhì)的特性傳輸。最好是，接合層42是半透明材料層，以便光被傳輸?shù)降谝缓偷诙?shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面。
第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0由第一和第二區(qū)A1和A2構(gòu)成。第一區(qū)A1和第二區(qū)A2的每一個(gè)是從不形成圖案的鏡面區(qū)、形成凹坑的凹坑區(qū)、平臺(tái)/凹槽區(qū)中選擇的一個(gè)區(qū)域。這樣，第一和第二區(qū)A1和A2可以是兩個(gè)鏡面區(qū)、一個(gè)鏡面區(qū)和一個(gè)凹坑區(qū)、其上只形成凹坑或凹槽的區(qū)、或存在凹坑和凹槽的區(qū)。此外，如圖3所示，可包括由凹坑P形成的頭部分Ph，以記錄或再現(xiàn)基本記錄單元Rb的數(shù)據(jù)。在圖3中，參考標(biāo)號(hào)G和L分別表示凹槽和平臺(tái)。
在準(zhǔn)備光記錄介質(zhì)之后，為了檢驗(yàn)當(dāng)在第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L1記錄數(shù)據(jù)或當(dāng)讀取記錄的數(shù)據(jù)時(shí)、用于數(shù)據(jù)記錄的光對(duì)包括在第一和第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0和L1之間的第一基襯層42的影響，準(zhǔn)備了由n個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0、L1、…Ln-1和Ln構(gòu)成的模型，如圖4所示。在圖4中，R0，R1，…，和Rn表示光反射系數(shù)，即，n個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0、L1、…Ln-1和Ln各自反射光的量。a0T0，a1T1，…an-1Tn-1和anTn表示光透射率，即，n個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0、L1、…Ln-1和Ln各自傳輸光的量。在此，a0，a1，…，an-1和an表示數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0、L1、…Ln-1和Ln各自的透射系數(shù)。下面，仿真具有一種物理結(jié)構(gòu)諸如有如鏡子特性的平面、凹坑、凹槽或具有凹坑的凹槽和具有30微米散焦的第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0，以獲得傳輸?shù)墓饬?，然后與具有相同物理結(jié)構(gòu)的第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0的實(shí)際測(cè)量結(jié)果比較。在仿真中通過考慮暴露到在第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L1上形成光斑的光中的第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0的軌道數(shù)(例如，在第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0的數(shù)值孔徑(NA)是0.6的情況下，多于60個(gè)軌道)，計(jì)算被傳輸光的量。實(shí)際上，對(duì)于三種情況，測(cè)量了從第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L1所反射的光量減少一種情況是第一數(shù)據(jù)/再現(xiàn)表面L0是具有象鏡子的特性的平面，在第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0上不形成圖案；一種情況是在第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0上形成凹坑；和一種情況是在第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0上形成凹槽。這表示測(cè)量由第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0引起的光量減少。在該測(cè)量中，將由反射層構(gòu)成的鏡面基底用作在其上形成光點(diǎn)的第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L1，并且不在是第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0的入射表面上形成層，以便測(cè)量第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0的物理結(jié)構(gòu)的影響。
該仿真與測(cè)量結(jié)果的比較示于圖5和7。在仿真和測(cè)量中使用的基本參數(shù)示于表1中。
表1
圖5是基于在第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0的鏡面區(qū)處傳輸光的量、相對(duì)于軌道間距、在凹坑區(qū)和凹槽區(qū)處傳輸光的相對(duì)量的關(guān)系圖。參考圖▲●和■分別表示在具有0.3微米、0.34微米和0.38微米軌道間距的情況下的仿真結(jié)果，并且參考圖○和□分別表示在具有0.34微米和0.38微米軌道間距的情況下的測(cè)量結(jié)果。
首先，在仿真結(jié)果中，穿過第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0的傳輸光的量的減少在鏡面區(qū)最小、凹坑區(qū)較大、和凹槽區(qū)更大。軌道間距越小，傳輸光量的減少越大。即，隨著在凹槽區(qū)的軌道間距變小，穿過第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0的特定區(qū)域例如凹槽區(qū)的光量減少。然而，在凹槽區(qū)傳輸光量的減少量大于在凹坑區(qū)。例如，按照軌道間距，在凹坑區(qū)處傳輸光量減少約4--7.5％，大于在鏡面區(qū)傳輸光的量的減少。然而，在凹槽區(qū)傳輸光的量減少7.5-28.5％。在仿真中，只考慮在凹槽上存在標(biāo)記的區(qū)域處標(biāo)記和平臺(tái)/凹槽之間的反射系數(shù)差。在仿真中不考慮由于非結(jié)晶標(biāo)記和結(jié)晶標(biāo)記之間的吸收差導(dǎo)致的反射系數(shù)差。
隨后，在測(cè)量結(jié)果中，基于0.38微米的軌道間距測(cè)量凹坑區(qū)域處傳輸光的量，并且傳輸光的量的減少比在鏡面區(qū)的大約4％。這樣，對(duì)于凹坑區(qū)仿真結(jié)果和測(cè)量結(jié)果之間沒有差別。
另外，在凹槽區(qū)傳輸光的量的減少測(cè)量結(jié)果比仿真結(jié)果小。在仿真中示出了這些結(jié)果。即，連接平臺(tái)區(qū)和凹槽區(qū)的側(cè)墻的角度在仿真中是垂直的。然而，側(cè)墻的角度是60度，并且因?yàn)槠湫∮?0度，當(dāng)側(cè)墻的角度是60度時(shí)，比90度的情況傳輸光的量多約3％。同樣，仿真結(jié)果不同于測(cè)量結(jié)果的一個(gè)原因是仿真的參數(shù)不同于測(cè)量的參數(shù)，并且通過調(diào)整參數(shù)，可以使得仿真結(jié)果與測(cè)量結(jié)果一致。
圖6是基于在第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0的凹坑區(qū)傳輸光的量、相對(duì)于軌道間距、在凹槽區(qū)傳輸光的相對(duì)量的關(guān)系圖。在凹槽區(qū)傳輸光的量的變化類似于在鏡面區(qū)傳輸光的量的變化。對(duì)于每個(gè)參考圖軌道間距的變化與圖5中的相同。
圖7是在軌道間距是0.38微米的情況下，相對(duì)于軌道間距在凹槽和凹坑區(qū)傳輸光量的變化的測(cè)量結(jié)果與仿真結(jié)果的比較圖。與圖5和6不同，參考圖●▲和●分別表示相對(duì)于軌道間距，在凹槽區(qū)(●和▲)和凹坑區(qū)(●)傳輸光量的變化。在此，在凹槽區(qū)的參考圖●表示仿真結(jié)果，在凹槽區(qū)的參考圖▲表示測(cè)量結(jié)果。
參考圖7，在仿真中，在凹坑區(qū)傳輸光的量隨著在凹坑區(qū)軌道間距的減小而變小，并且在軌道間距0.38微米(實(shí)際上，0.38微米×2，因?yàn)樵陬^部分不同行凹坑之間的距離是軌道間距的兩倍)相對(duì)于軌道間距0.34微米(同樣的理由，0.34微米×2)的情況下，在凹坑區(qū)傳輸光的量減少約4％。然而，在首標(biāo)(header)結(jié)構(gòu)的情況下，減少的量變得更小。
同時(shí)，在軌道間距0.34微米和0.30微米的情況下，在凹槽區(qū)傳輸光的量分別減少約9.5％和22％。然而，對(duì)于測(cè)量結(jié)果(▲)，在軌道間距0.34微米的情況下，傳輸光的量減少到約7.5％。
這樣，假設(shè)為了實(shí)現(xiàn)高密度光記錄介質(zhì)，軌道間距是0.30微米和數(shù)值孔徑是0.85，根據(jù)試驗(yàn)舉例，最好是，使用具有強(qiáng)度比當(dāng)在第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0上記錄數(shù)據(jù)或讀取記錄的數(shù)據(jù)時(shí)的強(qiáng)度大且增加至少4-20％的強(qiáng)度的光，在第二記錄/再現(xiàn)表面L1上記錄數(shù)據(jù)或讀取所記錄的數(shù)據(jù)。
同樣，在按照本發(fā)明的光記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法中，當(dāng)在第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L1上記錄數(shù)據(jù)或讀取記錄的數(shù)據(jù)時(shí)，通過使用強(qiáng)度比在第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0上光的強(qiáng)度大且增加到預(yù)定量的光，能夠在第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L1上讀取或記錄數(shù)據(jù)而不受第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0的物理結(jié)構(gòu)的影響。
這些結(jié)果表示在包含多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面(包括n個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面(n≥2))的光記錄介質(zhì)中，諸如磁光盤、相變光盤如DVD RW或CD-RW、記錄盤(CD-R)或再現(xiàn)盤，以及這些結(jié)果表示在包含第一和第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面L0和L1的光記錄介質(zhì)中。
圖8是按照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的光記錄介質(zhì)例如DVD的剖視圖。DVD包括第一信息基底50，具有第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60；第二信息基底52，具有第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面70；和半透明接合層54，設(shè)置在第一和第二信息基底50和52之間，用于接合第一和第二信息基底50和52，使得第一和第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60和70互相面對(duì)。第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60包括不同的區(qū)，例如，凹坑區(qū)Ap、平臺(tái)/凹槽區(qū)AL/G、和記錄數(shù)據(jù)的平臺(tái)/凹槽區(qū)AL/G/M。第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面70具有與第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60相同的區(qū)域。
下面將描述光記錄介質(zhì)的光反射特性。
參照?qǐng)D8，如果在從包含于光記錄介質(zhì)上的多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面中選擇的一個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面上形成一個(gè)光斑，例如，通過將光入射在第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面70上在一個(gè)選擇區(qū)域上形成光斑，由于第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60，光被散焦，并且第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60的凹坑區(qū)Ap、平臺(tái)/凹槽區(qū)AL/G和記錄數(shù)據(jù)的平臺(tái)/凹槽區(qū)AL/G/M被暴露到光中。結(jié)果，穿過凹坑區(qū)Ap、平臺(tái)/凹槽區(qū)AL/G、和數(shù)據(jù)記錄在第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60上的平臺(tái)/凹槽區(qū)AL/G/M的所有光Lp、LL/G和LL/G/M入射在第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面70上的所選區(qū)域上。由于各區(qū)域的特性不同，在這些區(qū)域的光透射率也不同。于是，從第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面70的選擇區(qū)域反射的所有光Lp’LL/G’和LL/G/M’的光量變化。即，光Lp’LL/G’和LL/G/M’的反射系數(shù)變化。所述選擇是凹坑區(qū)、平臺(tái)/凹槽區(qū)、或數(shù)據(jù)在其上記錄的平臺(tái)/凹槽區(qū)。
與以上相同，即，當(dāng)穿過凹坑區(qū)Ap、平臺(tái)/凹槽區(qū)AL/G、和數(shù)據(jù)記錄在第一數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60上的平臺(tái)/凹槽區(qū)AL/G/M的光Lp、LL/G和LL/G/M在第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面70的所選區(qū)域處的反射系數(shù)分別表示為r1、r2和r3時(shí)，反射系數(shù)滿足等式1和等式2。[等式1]r1≥r2≥r3[等式2][r1-r3r1]≤0.2]]>第一和第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60和70每個(gè)作為單層示出，但兩者也可是具有基襯層的二重層，該基襯層包括在第一和第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60和70之間。所述二重層至少具有兩個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面。在此，在從所述二重層選擇的一層的選擇區(qū)域處的反射系數(shù)滿足上述等式。僅包括在最靠近光源的區(qū)域上的數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面排除在所選層之外。
在用于記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的光源分別包括在第一和第二信息基底50和52的兩側(cè)的情況下，接合層54最好是不透明層。在此，第一和第二數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面60和70可以是二重層，并且最好是，在從所述二重層選擇的一層的所選區(qū)域處的光反射系數(shù)具有上述特性，所述選擇層不包括包含在最靠近每個(gè)光源的區(qū)域上的數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面。
從具有圖8所示特性的光記錄介質(zhì)的抖動(dòng)的最小值中產(chǎn)生的光強(qiáng)度約4.4mW，并且抖動(dòng)減少到2％(實(shí)際，小于2％，但是在該系統(tǒng)中可控制到2％)的光強(qiáng)度裕量是在±0.9mW的范圍內(nèi)。這樣，使用等式2，最優(yōu)強(qiáng)度與光簽強(qiáng)度裕量之比是0.9/4.4≈0.2。
在上面描述中具體提到了很多方面，但是這些方面只能理解為優(yōu)選實(shí)施例的舉例，而不是定義本發(fā)明的范圍。例如，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員很明顯，通過將本發(fā)明的精神應(yīng)用到新的光記錄介質(zhì)而不管其它記錄/再現(xiàn)表面的物理結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)能夠記錄在特定的記錄/再現(xiàn)表面上、或能夠讀取所記錄的數(shù)據(jù)。此外，通過應(yīng)用本發(fā)明的記錄方法或?qū)崿F(xiàn)記錄方法的步驟，能夠?qū)崿F(xiàn)用于具有在詳細(xì)描述中沒有提到的物理結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的記錄方法。這樣，能夠提供包括具有不同于本發(fā)明的光記錄介質(zhì)特性的數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的光記錄介質(zhì)。此外，光記錄介質(zhì)至少包括兩個(gè)基底。每個(gè)基底包括多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面，并且從多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面選擇的一個(gè)表面可以具有上述特性。這樣，本發(fā)明的范圍不是由優(yōu)選實(shí)施例而是由權(quán)利要求中描述的精神限定。
如上所述，從包括在按照本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中的多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面選擇的一個(gè)表面的反射特性表示在等式1和2中，并且使用強(qiáng)度大于在在所選表面使用的強(qiáng)度的具有增加強(qiáng)度的光，在包括在下一個(gè)選擇表面的記錄/再現(xiàn)表面上記錄或再現(xiàn)數(shù)據(jù)。于是，當(dāng)在從多個(gè)記錄/再現(xiàn)表面選擇的一個(gè)表面上記錄數(shù)據(jù)或讀取和再現(xiàn)所記錄的數(shù)據(jù)時(shí)，由于記錄/再現(xiàn)表面比所選表面靠近光源，能夠防止在所選記錄/再現(xiàn)表面上數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)特性的下降。
盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例特別示出和描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化，而不脫離所附定義的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，具有有著光反射系數(shù)的多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面，所述光穿過包含在發(fā)射光的光源和從所述多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面中選擇的一個(gè)記錄/再現(xiàn)表面之間的數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的凹坑區(qū)、平臺(tái)/凹槽區(qū)、以及記錄數(shù)據(jù)的平臺(tái)/凹槽區(qū)，所述反射系數(shù)滿足等式r1≥r2≥r3和[(r1-r3)r1]≤0.2]]>假設(shè)入射在從多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面選擇的所述數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的各個(gè)區(qū)域上的光反射系數(shù)表示為r1、r2和r3。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中，所述選擇區(qū)域是凹坑區(qū)、平臺(tái)/凹槽區(qū)、和記錄數(shù)據(jù)的平臺(tái)/凹槽區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，所述介質(zhì)包括第一和第二信息基底，每個(gè)具有多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面；和半透明接合層，包括在所述基底之間，用于接合兩個(gè)信息基底，使得包括在第一和第二信息基底上的每個(gè)二重層彼此面對(duì)。
4.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，所述介質(zhì)包括第一和第二信息基底，每個(gè)具有多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面；不透明接合層，包括在所述基底之間，用于接合兩個(gè)信息基底，使得包括在第一和第二信息基底上的每個(gè)二重層彼此背對(duì)。
5.一種在光記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法，該光記錄介質(zhì)具有多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面，其中通過使用具有比光強(qiáng)度Pr大且增加4-20％的強(qiáng)度的光，在比所選記錄/再現(xiàn)表面遠(yuǎn)離光源的下一個(gè)記錄/再現(xiàn)表面上記錄或再現(xiàn)數(shù)據(jù)，所述光強(qiáng)度Pr是在不包括最靠近光源的多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的記錄/再現(xiàn)表面中選擇的一個(gè)記錄/再現(xiàn)表面上記錄或再現(xiàn)數(shù)據(jù)時(shí)使用的光強(qiáng)度。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過使用入射在光記錄介質(zhì)一側(cè)上的光執(zhí)行在所選數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面上的數(shù)據(jù)記錄或再現(xiàn)。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過使用從包含在光記錄介質(zhì)的兩側(cè)的光源中選擇的兩個(gè)光源之一發(fā)射的光，執(zhí)行在所選數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面上的數(shù)據(jù)記錄或再現(xiàn)。
全文摘要
提供一種高密度光記錄介質(zhì)和在該光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法。所述光記錄介質(zhì)具有有著光反射系數(shù)的多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面,所述光穿過包含在發(fā)射光的光源和從所述多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面中選擇的一個(gè)記錄/再現(xiàn)表面之間的數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的凹坑區(qū)、平臺(tái)/凹槽區(qū)、以及記錄數(shù)據(jù)的平臺(tái)/凹槽區(qū),所述反射系數(shù)滿足等式:r1≥r2≥r3和[(r1－r3)/r1]≤0.2,假設(shè)入射在從多個(gè)數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面選擇的所述數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)表面的各個(gè)區(qū)域上的光反射系數(shù)表示為r1、r2和r3。
文檔編號(hào)G11B7/0045GK1365107SQ0114404
公開日2002年8月21日 申請(qǐng)日期2001年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月28日
發(fā)明者李坰根, 樸仁植, 黃仁吾, 樸昶敏 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社