一種應(yīng)用于紅外接收芯片的恒定延時電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及延遲電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于紅外接收芯片的恒定延 時電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 在紅外接收電路中，為了避免將偶爾出現(xiàn)的干擾信號錯誤地當(dāng)成有用信號而被解 調(diào)出來，需要在接收信號的傳輸通路上加上積分器濾除干擾信號。加入積分器之后，只有當(dāng) 信號長度達到積分器設(shè)定的信號長度Tl要求，積分器輸出才達到一定的電壓高度使整形 電路翻轉(zhuǎn)。這就造成在接收真實信號時，在最初的Tl時間內(nèi)是沒有信號被解調(diào)輸出的，假 設(shè)真實信號的長度為T，那么輸出信號長度就變成了 T-T1，造成了輸出信號的失真。為了消 除這個失真，同樣也需要在真實信號輸入結(jié)束后，再在積分器模塊加入時間補償，補償時間 長度為T2,這樣輸出信號長度為T-T1+T2,當(dāng)積分延時Tl和時間補償T2相等時，輸出信號 長度就沒有失真。如圖1所示。
[0003] 但是在實際電路中，為了使紅外接收芯片的應(yīng)用范圍更廣，其電源電壓一般設(shè)計 在2. 5V~5. 5V，這樣就造成了整形電路的輸入閾值隨VDD變化明顯，如果積分器不能隨電源 電壓做出對于調(diào)節(jié)，則會造成Tl時間在不同的電源電壓長度不同。同時Tl受電容值的控 制，當(dāng)工藝存在偏差時，Tl的值也會隨著變化。若電源電壓和工藝角對Tl時間影響較大， 使Tl或長或短，就會出現(xiàn)接受電路受干擾信號影響嚴(yán)重。 【實用新型內(nèi)容】
[0004] 本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種應(yīng)用于紅外接收芯片的恒定延時電路， 自動適應(yīng)整形電路因電源電壓和工藝變化而造成的輸入閾值偏移，使接收電路在不同的電 源電壓下積分時間基本不變。
[0005] 為解決上述技術(shù)問題，本實用新型涉及一種應(yīng)用于紅外接收芯片的恒定延時電 路，包括一積分電路和一整形電路，所述積分電路包括一控制電路，兩個開關(guān)Sl、S2和一電 容Cl，所述控制電路的一端為信號輸入端，另一端控制第一開關(guān)Sl和第二開關(guān)S2的通斷； 所述第一開關(guān)Sl的一端連接第一電流源II，另一端連接第二開關(guān)S2,所述第二開關(guān)S2的 另一端連接第二電流源12,所述第一電流源的另一端連接電源VDD，所述第二電流源12的 另一端接地；所述第一開關(guān)Sl和第二開關(guān)S2相連的一端同時連接一電容Cl和所述整形電 路的輸入端，所述電容Cl的另一端接地，所述整形電路的另一端為信號輸出端。
[0006] 優(yōu)選的，所述積分電路的元器件連接關(guān)系如下：第一 MOS管Ml的柵極接K1*VDD， 其中Kl為比例系數(shù)，VDD為電源電壓，源極接第一電阻R1，漏極接第三MOS管M3的漏極和 柵極；第二MOS管M2柵極接基準(zhǔn)電壓Vref，源極接第二電阻R2,漏極接第四MOS管M4的漏 極和柵極以及第五MOS管M5和第六MOS管M6的柵極；所述第三MOS管M3、第四MOS管M4 和第五MOS管M5的源極均接地VSS ;所述第五MOS管M5的漏極接第九MOS管M9的漏極和 柵極以及第十MOS管MlO的柵極；所述第九MOS管M9的源極接電源電壓VDD ;所述第十MOS 管MlO的源極接電源電壓VDD，漏極接第一開關(guān)SI ;第六MOS管M6的源極接地VSS，漏極接 第二開關(guān)S2 ;第七MOS管M7的源極接電源電壓VDD，漏極和柵極接第八MOS管M8的柵極以 及比例電流源mIB，其中m為設(shè)定值，IB為基準(zhǔn)電流源；第八MOS管M8的源極接電源電壓 VDD，漏極接第一電阻Rl和第二電阻R2 ;第一電阻Rl -端接第一 MOS管Ml的源極，另一端 接第八MOS管M8的漏極和第二電阻R2 ;第二電阻R2 -端接第二MOS管M2的源極，另一端 接第八MOS管M8的漏極和第一電阻Rl ;第一開關(guān)Sl -端接第十MOS管MlO的漏極，另一 端接第二開關(guān)S2、電容Cl的陽極以及所述整形電路的輸入端；第二開關(guān)S2-端接第六MOS 管M6的漏極，另一端接第一開關(guān)S1，電容Cl的陽極以及所述整形電路的輸入端；電容Cl陽 極接第一開關(guān)Sl、第二開關(guān)S2以及整形電路的輸入端，陰極接地VSS ;比例電流源mIB流入 端接第七MOS管M7的漏極和柵極以及第八MOS管M8的柵極，流出端接地VSS。
[0007] 優(yōu)選的，所述整形電路內(nèi)部設(shè)置施密特觸發(fā)器。
[0008] 優(yōu)選的，設(shè)定所述整形電路的上升閾值為Vtr，下降閾值為VDD-Vtf，其中 Vtr=Vtf0
[0009] 本實用新型的有益效果為：通過控制電路的設(shè)置，自動適應(yīng)整形電路因電源電壓 和工藝變化而造成的輸入閾值偏移，使接收電路在不同的電源電壓下積分時間基本不變， 防止?目號失真。
【附圖說明】
[0010] 圖1為【背景技術(shù)】中輸入輸出信號示意圖；
[0011] 圖2為本實用新型積分電路和整形電路原理圖；
[0012] 圖3為本實用新型的電路實例圖。
【具體實施方式】
[0013] 為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施 例，對本實用新型進行進一步詳細說明。需要說明的是，附圖僅為示例性說明，并未按照嚴(yán) 格比例繪制，而且其中可能有為描述便利而進行的局部放大、縮小，對于公知部分結(jié)構(gòu)亦可 能有一定缺省。
[0014] 參見圖1、2,本實用新型涉及一種應(yīng)用于紅外接收芯片的恒定延時電路，包括一積 分電路和一整形電路，所述積分電路包括一控制電路，兩個開關(guān)Sl、S2和一電容C1。圖2 是紅外接收芯片中積分電路和整形電路的原理框圖，積分器的原理是通過控制電路對和電 流源Il串聯(lián)的開關(guān)Sl以及和電流源12串聯(lián)的開關(guān)S2進行通斷控制實現(xiàn)對電容Cl的充 電和放電。當(dāng)電容Cl被充電至整形電路的上升閾值Vtr (整形電路輸入電壓OV時輸出為 VDD，輸入從OV開始上升，當(dāng)輸入電壓上升到Vtr時輸出從VDD翻轉(zhuǎn)為0V)時信號輸出由高 變低，當(dāng)電容Cl被放電至整形電路的下降閾值VDD-Vtf (整形電路輸入電壓VDD時輸出為 0V，輸入從VDD開始下降，當(dāng)輸入電壓下降到VDD-Vtf時輸出從OV翻轉(zhuǎn)為VDD)時信號輸出 由低變高。
[0015] 電容Cl的充電時間即為積分時間T1，其計算公式為：
[0016] :變菅1 .雜?^歷擊t
[0017] 電容Cl的放電時間即為時間補償T2,其計算公式為：
[0018] 掃(2) S 2 ,32
[0019] 整形電路使用施密特觸發(fā)器，通過仔細設(shè)計可以實現(xiàn)：
[0020] Vtr = Vti\ftr = Vtf (3 )
[0021] =:::麵'=Il (4)
[0022] 這樣就實現(xiàn)了 Tl和T2相等，使信號的輸出不會對輸入出現(xiàn)失真。
[0023] 但施密特觸發(fā)器的特點是Vtr和Vtf均是電源電壓VDD的分壓，為：
[0024] Vtr = Vrf = Kl - VDDVir = Ytf = Kl - VBD (5)
[0025] Kl是比例系數(shù)，為一常數(shù)，后面的K2和K3也是比例系數(shù)，為常數(shù)。同時電容Cl的 值受工藝偏差的影響，當(dāng)Cl較大時，Tl會偏大，Cl較小時，Tl又會偏小。此時若還是采用 恒定電流Il和12對電容Cl進行充放電就會出現(xiàn)當(dāng)電源電壓和工藝變化