一種M-Bus接口電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種M-Bus接口電路。
【背景技術(shù)】
[0002]儀表總線(meter bus, Μ-Bus)是一種新型總線結(jié)構(gòu)，M-Bus主要特點(diǎn)是經(jīng)由兩條無(wú)極性傳輸線來(lái)同時(shí)供電和傳輸串行數(shù)據(jù)，而各個(gè)子站(以不同的ID確認(rèn))并聯(lián)在M-Bus總線上。將M-Bus用于各類(lèi)儀表或相關(guān)裝置的能耗類(lèi)智能管理系統(tǒng)中時(shí)，可對(duì)相關(guān)數(shù)據(jù)或信號(hào)進(jìn)行采集并傳遞至集中器，然后再通過(guò)相應(yīng)的接口傳至主站。利用M-Bus可大大簡(jiǎn)化住宅小區(qū)，辦公場(chǎng)所等能耗智能化管理系統(tǒng)的布線和連接，且具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、造價(jià)低廉、可靠性高的特點(diǎn)。由M-Bus構(gòu)成的能耗智能化管理系統(tǒng)由終端數(shù)據(jù)或信號(hào)采集子站及其M-Bus收發(fā)電路、M-Bus總線、主站及其M-Bus轉(zhuǎn)換器等組成。
[0003]目前的M-BUS主站電路，通常用分離元器件搭電路，元器件很多，還需要正負(fù)雙路電源，電路非常復(fù)雜，從而導(dǎo)致故障率高，及成本很高的技術(shù)問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種M-Bus接口電路，解決了目前的M-BUS主站電路，通常用分離元器件搭電路，元器件很多，還需要正負(fù)雙路電源，所造成的電路非常復(fù)雜，而導(dǎo)致的故障率高，及成本很高的技術(shù)問(wèn)題。
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種M-Bus接口電路，包括:
[0006]電源VDD, MCU，4 個(gè)三極管 Ql、Q2、Q3、Q4，8 個(gè)電阻 R2、R7、R8、R9、R10、Rll、R12、R13 ；
[0007]所述MCU的發(fā)送端與所述電阻R8的一端連接，所述MCU的接收端連接在所述電阻R2的一端和所述三極管Ql的集電極之間，所述電阻R2的另一端與所述MCU的電源端連接；
[0008]所述電源VDD與所述三極管Q2的發(fā)射極連接，所述三極管Q2的基極與所述三極管的Q4的集電極連接，所述三極管Q4的基極與所述電阻RlO —端連接，所述電阻RlO的另一端分別與所述電阻R9的一端和所述電阻R8的另一端連接，所述電阻R9的另一端與所述MCU的電源端連接；
[0009]所述三極管Q2的集電極與所述電阻R13 —端連接，所述三極管Q3的發(fā)射極連接在所述三極管Q2的集電極與所述電阻R13—端的之間，所述電阻R13的另一端連接有所述三極管Q3的基極，所述三極管Q3的集電極與所述電阻R7的一端，所述電阻R7和所述電阻Rll串聯(lián)，所述電阻Rll的另一端接地，與所述三極管Q4的發(fā)射極連接，與所述電阻R12的一端連接，所述電阻R12的另一端與所述三極管Q3的基極和所述R13的連接處連接。
[0010]可選地，所述MCU的接收端連接有電阻Rl，并連接在所述電阻R2和所述三極管Ql的集電極之間。
[0011]可選地，所述三極管Q2的基極與所述三極管的Q4的集電極之間串聯(lián)有電阻R6。
[0012]可選地，所述電源VDD與所述三極管Q2和所述電阻R6并聯(lián)有兩個(gè)串聯(lián)連接的電阻R4和R5o
[0013]可選地，所述三極管Ql的發(fā)射極接地，基極與電阻R3的一端連接，所述電阻R3的另一端與所述電阻R7的另一端連接。
[0014]可選地，所述電阻R3的另一端與所述電阻R7的另一端的連接處連接有一個(gè)二極管D1。
[0015]可選地，所述電阻Rll還并聯(lián)有電容C2。
[0016]可選地，所述三極管的Q4的基極和發(fā)射極之間并聯(lián)有電容Cl。
[0017]可選地，所述電阻R12并聯(lián)連接有串聯(lián)形式的過(guò)流保護(hù)器件和二極管D3 ;
[0018]所述二極管D3為ESD保護(hù)二極管。
[0019]可選地，所述電阻R12還并聯(lián)有二極管D4 ；
[0020]所述二極管D4為T(mén)VS保護(hù)二極管。
[0021]從以上技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0022]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種M-Bus接口電路，包括:電源VDD，MCU，4個(gè)三極管Ql、Q2、Q3、Q4，8 個(gè)電阻 R2、R7、R8、R9、R10、Rll、R12、R13 ；MCU 的發(fā)送端與電阻 R8 的一端連接，MCU的接收端連接在電阻R2的一端和三極管Ql的集電極之間，電阻R2的另一端與MCU的電源端連接；電源VDD與三極管Q2的發(fā)射極連接，三極管Q2的基極與三極管的Q4的集電極連接，三極管Q4的基極與電阻RlO —端連接，電阻RlO的另一端分別與電阻R9的一端和電阻R8的另一端連接，電阻R9的另一端與MCU的電源端連接；三極管Q2的集電極與電阻R13—端連接，三極管Q3的發(fā)射極連接在三極管Q2的集電極與電阻R13 —端的之間，電阻R13的另一端連接有三極管Q3的基極，三極管Q3的集電極與電阻R7的一端，電阻R7和電阻Rll串聯(lián)，電阻Rll的另一端接地，與三極管Q4的發(fā)射極連接，與電阻R12的一端連接，電阻R12的另一端與三極管Q3的基極和R13的連接處連接。本實(shí)施例中，通過(guò)電源VDD，MCU，4 個(gè)三極管 Q1、Q2、Q3、Q4，8 個(gè)電阻 R2、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13 的連接，便實(shí)現(xiàn)了僅需一個(gè)電源VDD，即正電源，進(jìn)行M-Bus接口的連接，使得基于M-Bus標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)M-BUS的數(shù)據(jù)傳輸，解決了目前的M-BUS主站電路，通常用分離元器件搭電路，元器件很多，還需要正負(fù)雙路電源，所造成的電路非常復(fù)雜，而導(dǎo)致的故障率高，及成本很高的技術(shù)問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0024]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的一種M-Bus接口電路的連接結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種M-Bus接口電路，解決了目前的M-BUS主站電路，通常用分離元器件搭電路，元器件很多，還需要正負(fù)雙路電源，所造成的電路非常復(fù)雜，而導(dǎo)致的故障率高，及成本很高的技術(shù)問(wèn)題。
[0026]為使得本實(shí)用新型的實(shí)用新型目的、特征、優(yōu)點(diǎn)能夠更加的明顯和易懂，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，下面所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而非全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0027]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的一種M-Bus接口電路的一個(gè)實(shí)施例包括:
[0028]電源VDD, MCU，4 個(gè)三極管 Ql、Q2、Q3、Q4，8 個(gè)電阻 R2、R7、R8、R9、R10、Rll、R12、R13，可以理解的是，前述的電源VDD為M-Bus的電源，例如電壓值可以是36VDC?42VDC，前述的MCU可以是單片機(jī)；
[0029]所述MCU的發(fā)送端與所述電阻R8的一端連接，所述MCU的接收端連接在所述電阻R2的一端和所述三極管Ql的集電極之間，所述電阻R2的另一端與所述MCU的電源端連接；
[0030]所述電源VDD與所述三極管Q2的發(fā)射極連接，所述三極管Q2的基極與所述三極管的Q4的集電極連接，所述三極管Q4的基極與所述電阻RlO —端連接，所述電阻RlO的另一端分別與所述電阻R9的一端和所述電阻R8的另一端連接，所述電阻R9的另一端與所述MCU的電源端連接；
[0031]所述三極管Q2的集電極與所述電阻R13 —端連接，所述三極管Q3的發(fā)射極連接在所述三極管Q2的集電極與所述電阻R13—端的之間，所述電阻R13的另一端連接有所述三極管Q3的基極，所述三極管Q3的集電極與所述電阻R7的一端，所述電阻R7和所述電阻Rll串聯(lián)，所述電阻Rll的另一端接地，與所述三極管Q4的發(fā)射極連接，與所述電阻R12的一端連接，所述電阻R12的另一端與所述三極管Q3的基極和所述R13的連接處連接。
[0032]進(jìn)一步地，所述MCU的接收端連接有電阻Rl，并連接在所述電阻R2和所述三極管Ql的集電極之間。
[0033]進(jìn)一步地，所述三極管Q2的基極與所述三極管的Q4的集電極之間串聯(lián)有電阻R6。
[0034]進(jìn)一步地，所述電源VDD與所述三極管Q2和所述電阻R6并聯(lián)有兩個(gè)串聯(lián)連接的電阻R4和R5。
[0035]進(jìn)一步地，所述三極管Ql的發(fā)射極接地，基極與電阻R3的一端連接，所述電阻R3的另一端與所述電阻R7的另一端連接。
[0036]進(jìn)一步地，所述電阻R3的另一端與所述電阻R7的另一端的連接處連接有一個(gè)二極管Dl，該二極管Dl為穩(wěn)壓二極管，其參數(shù)和MCU電源VCC匹配使用，用于限制電阻Rll兩邊的電壓過(guò)高，而影響所述三極管Ql的壽命。
[0037]進(jìn)一步地，所述電阻Rll還并聯(lián)有電容C2。
[0038]進(jìn)一步地，所述三極管的Q4的基極和發(fā)射極之間并聯(lián)有電容Cl，需要說(shuō)明的是，前述的電容Cl和C2用于濾波。
[0039]進(jìn)一步地，所述電阻R12并聯(lián)連接有串聯(lián)形式的過(guò)流保護(hù)器件和二極管D3，前述的過(guò)流保護(hù)器件用于防止外部短路影響電路，例如PT