觸控感測裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種觸控感測裝置及其制造方法。觸控感測裝置包括一基底，具有一感測區(qū)及一非感測區(qū)。多個感測電極位于基底的一表面上且對應于感測區(qū)。感測電極的至少一者的一側(cè)壁具有一凹凸狀輪廓。凹凸狀輪廓具有一第一凸部，一第二凸部，和一凹部，其中凹部位于第一與第二凸部之間，第一凸部比第二凸部較接近基底的表面，第一凸部比第二凸部位于感測電極的較外側(cè)。
【專利說明】
觸控感測裝置及其制造方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種觸控感測技術，且特別是涉及一種用于觸控面板的觸控感測裝置及其制造方法。
【背景技術】
[0002]觸控感測裝置通常整合于一平面顯示裝置(例如，液晶顯示器(liquid crystaldisplay, IXD)、有源式陣列有機發(fā)光顯示器(active matrix organic light-emittingdisplay, AMOLED)等等中，以形成觸控面板顯示器。觸控面板顯示器通常裝配于電子裝置中，例如手提電腦、個人數(shù)字助理(personal digital assistants, PDA)、電子書(electronic books)、投影機、及手機等。觸控面板顯示器能夠通過手指、觸控筆(stylus)、尖筆等執(zhí)行輸入的功能。
[0003]觸控感測裝置結(jié)構通常包括:不同方向排列的感測電極(例如，X —電極與Y —電極)、電性隔尚X —電極與Y —電極的絕緣層以及電連接相鄰的X —電極或相鄰的Y —電極的橋接金屬層。在目前的觸控感測裝置制造中，上述感測電極、絕緣層及橋接金屬層都是通過各自的光刻制作工藝及蝕刻制作工藝來形成，因而存在制作工藝繁復及制造成本高等問題。并且，以光刻制作工藝及蝕刻制作工藝得到的感測電極的側(cè)壁輪廓平順，使得感測電極很容易被人眼看到，可視性(visibility)不佳。因此，有必要尋求一種新的觸控感測裝置及其制造方法，其能夠降低制造成本及簡化制作工藝，并且改善可視性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本發(fā)明一實施例提供一種觸控感測裝置，包括一基底，具有一感測區(qū)及一非感測區(qū)。多個感測電極位于基底的一表面上且對應于感測區(qū)。感測電極的至少一者的一側(cè)壁具有一凹凸狀輪廓，凹凸狀輪廓具有一第一凸部、一第二凸部及一凹部，其中凹部位于第一與第二凸部之間，第一凸部比第二凸部較接近基底的表面，第一凸部比第二凸部位于感測電極的較外側(cè)。
[0005]本發(fā)明另一實施例提供一種觸控感測裝置的制造方法，包括提供一基底，具有一感測區(qū)及一非感測區(qū)。利用一遮蔽式掩模進行一第一沉積制作工藝，以在基底的感測區(qū)上形成一第一感測層。移動遮蔽式掩模，并利用遮蔽式掩模進行一第二沉積制作工藝，以在基底的感測區(qū)上形成一第二感測層，使得在第一感測層及第二感測層的相同側(cè)上，第一感測層的一側(cè)壁和第二感測層的一側(cè)壁為不對齊。
【附圖說明】
[0006]圖1A為根據(jù)本發(fā)明一實施例的觸控模塊的平面示意圖；
[0007]圖1B為圖1A中沿1B-1B’線的剖面示意圖；
[0008]圖2A-圖2C為圖1A中沿2_2’線的感測電極的形成方法剖面示意圖；
[0009]圖3A為圖1A中感測電極的局部放大剖面示意圖；
[0010]圖3B為圖1A中走線的局部放大剖面示意圖；
[0011]圖4A為本發(fā)明另一實施例的觸控模塊的平面示意圖；
[0012]圖4B為圖4A中沿4B-4B’線的剖面示意圖；
[0013]圖5為本發(fā)明一實施例的觸控感測裝置的方塊示意圖。
[0014]符號說明
[0015]10、10’觸控模塊
[0016]12 第一感測電極群
[0017]14 第二感測電極群
[0018]20 感測區(qū)
[0019]30 非感測區(qū)
[0020]50 觸控感測裝置
[0021]52 顯示模塊
[0022]100 基底
[0023]100S 表面
[0024]102第一感測電極
[0025]102a^l04a 第一感測層
[0026]102b、102b’、104b、104b’ 第二感測層
[0027]102c、102c，、102c，，、104c、104c，、104c” 第三感測層
[0028]103連接部
[0029]104第二感測電極
[0030]106 絕緣島
[0031]108橋接層
[0032]110、112 走線
[0033]152、154 凹口
[0034]160、170、180 側(cè)壁
[0035]200遮蔽式掩模
[0036]200a軟性基底
[0037]200b 金屬條
[0038]200c、200d 開口圖案
[0039]300第一沉積制作工藝
[0040]300’第二沉積制作工藝
[0041]300”第三沉積制作工藝
[0042]C1、C2 凹部
[0043]H1、H2、H3 高度
[0044]L 切線
[0045]Pl 第一凸部
[0046]P2 第二凸部
[0047]P3 第三凸部
[0048]Θ 1、Θ 2、Θ 3 夾角
【具體實施方式】
[0049]以下說明本發(fā)明實施例的觸控感測裝置及其制造方法。然而，可輕易了解本發(fā)明所提供的實施例僅用于說明以特定方法制作及使用本發(fā)明，并非用以局限本發(fā)明的范圍。
[0050]請參照圖1A及圖1B，其中圖1A繪示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的觸控模塊10的平面示意圖，而圖1B繪示出圖1A中沿1B-1B’線的剖面示意圖。在本實施例中，觸控模塊10可實施于一觸控感測裝置中。觸控模塊10包括一基底100，其具有一感測區(qū)20及一非感測區(qū)30。通常感測區(qū)20位于基底100的中心區(qū)，而非感測區(qū)30位于基底100的周圍區(qū)并圍繞感測區(qū)20。基底100可由透明材料所構成，例如玻璃、石英、或塑膠，用以作為感測電極的承載基底。
[0051]在圖1A及圖1B中，多個感測電極102及104位于基底100的一表面100S上，且對應于感測區(qū)20。請參照圖3A，其繪示出圖1A中第一感測電極102或第二感測電極104的局部放大剖面示意圖。請同時參考圖1A及圖3A，在本實施例中，第一感測電極102及第二感測電極104中至少一者的至少一側(cè)壁160具有凹凸狀輪廓。在一實施例中，凹凸狀輪廓具有一第一凸部P1、一第二凸部P2、一第三凸部P3、及凹部Cl及C2，凹部Cl位于第一凸部Pl與第二凸部P2之間，且凹部C2位于第二凸部P2與第三凸部P3之間。第一凸部Pl比第二凸部P2較接近基底100的表面100S，且第二凸部P2比第三凸部P3較接近基底100的表面100S。再者，第一凸部Pl比第二凸部P2位于感測電極102或104的較外側(cè)，且第二凸部P2比第三凸部P3位于感測電極102或104的較外側(cè)。在其他實施例中，凹凸狀輪廓可具有第一凸部P1、第二凸部P2及凹部Cl。
[0052]請參照圖1A及圖1B，舉例來說，上述感測電極可包括一第一感測電極群12及一第二感測電極群14。第一感測電極群12包括多個第一感測電極102 (圖中顯示兩個)，第一感測電極102沿一第一方向(例如，圖中為X方向)延伸設置。第二感測電極群14包括多個第二感測電極104 (圖中顯示兩個)，第二感測電極104沿一第二方向延伸設置。第二方向可與第一方向相同或不同。本實施例以第二方向不同于第一方向為例，圖中第二方向為Y方向，例如，第二方向可與第一方向垂直。
[0053]第一感測電極群12可沿第一方向(圖中X方向)排列，而構成多排第一感測電極群12，為簡化起見，圖1A中僅顯示一個第一感測電極群12。第二感測電極群14可沿第二方向(圖中Y方向)排列，而構成多排第二感測電極群14，為簡化起見，圖1A中僅顯示一個第二感測電極群14。
[0054]上述本發(fā)明實施例中感測電極的排列方向僅為例，本發(fā)明不以此排列方向為限。再者，本發(fā)明的感測電極可實施于互容式觸控感測裝置、自容式觸控感測裝置、電阻式觸控感測裝置，且不以此為限。
[0055]第一感測電極102及第二感測電極104可由透明導電圖案層(例如，銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)或銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZ0)層)所構成。
[0056]在本實施例中，第一感測電極102及第二感測電極104中至少一者的表面上具有一凹口。再者，第一感測電極102及第二感測電極104中至少一者的至少一側(cè)壁具有凹凸狀輪廓。
[0057]第一感測電極102及第二感測電極104可為單次制作工藝而制得?；蛘?，第一感測電極102及第二感測電極104可為多次制作工藝而制得。在一實施例中，第一感測電極102及第二感測電極104以三次制作工藝而制得。請參照圖3A，第一感測電極102或第二感測電極104包括一第一感測層102a或104a、位于第一感測層102a或104a上且未與其對齊的一第二感測層102b或104b以及位于第二感測層102b或104b上且未與第一感測層102a或104a及第二感測層102b或104b對齊的一第三部感測層102c或104c。為了簡化說明，以下僅以第一感測電極102作為范例說明。
[0058]在此實施例中，第一感測電極102的第一感測層102a、第二感測層102b及第三感測層102c在相同側(cè)上，各自的側(cè)壁彼此并未對齊，使第一感測電極102的側(cè)壁具有如上述的凹凸狀輪廓，例如一多階梯(mult1-step)狀輪廓。在一實施例中，相鄰的兩階梯的側(cè)邊之間的距離為2 μπι至10 μπι之間，優(yōu)選為3 μπι至8 μπι之間。再者，第一感測電極102的第一感測層102、第二感測層102b及第三感測層102c分別具有高度H1、H2及H3。在一實施例中，每一感測層具有相同的高度(即，Hl = H2 = H3)。在另一實施例中，至少二相鄰的感測層可具有不同的高度(S卩，Hl # H2及/或H2 # H3)。
[0059]再者，對應于第一感測層102a、第二感測層102b及第三感測層102c的底部的切線L與一水平面(例如，基底100的表面100S)之間分別具有夾角Θ 1、Θ 2及Θ 3。感測層可具有相同的夾角(即，Θ1= Θ2= Θ 3)，也可依實際需要，感測層可具有不同的夾角。另夕卜，為了增加光線在第一感測電極102的側(cè)壁的散射，夾角Θ1、Θ2及Θ3不可過大。在本實施例中，夾角Θ1、Θ2及Θ 3為8至25度之間，優(yōu)選為11至20度之間。如此一來，可通過光散射的增加而降低第一感測電極102的邊緣的可視性。可以理解的是圖3Α僅為范例說明，在其他實施例中，第一感測電極102的側(cè)壁可具有二個或三個以上的階梯狀輪廓。
[0060]請再參照圖1A及圖1Β，在本實施例中，觸控感測裝置10還包括:多個走線層110及112、多個橋接層108以及多個絕緣島106。多個走線層110及112設置于基底100的非感測區(qū)20上，其中走線層110將第一感測電極群12的第一感測電極102電連接至一外部電路(未繪示)，而走線層112將第二感測電極群14的第二感測電極104電連接至外部電路。走線層110及112可為金屬，可為單層金屬層，例如，鋁、金、鉬、鉻、錫、鋯、或上述金屬合金?；蛘?，走線層可為多層結(jié)構，例如，鋁、金、鉬、鉻、錫、鋯、或上述金屬合金的組合。
[0061]在一實施例中，走線層110及112的至少一側(cè)壁具有凹凸狀輪廓。舉例來說，請參照圖3Β，其繪示出圖1A中走線層110或112的局部放大剖面示意圖。如同第一感測電極102，走線層110及112的至少一側(cè)壁170具有一凹凸狀輪廓，例如一多階梯狀輪廓。凹凸狀輪廓的具體結(jié)構，和上述感測電極的凹凸狀輪廓為類似，在此不再贅述。
[0062]橋接層108可對應連接相鄰的第一感測電極102或相鄰的第二感測電極104。在本實施例中，橋接層108連接第二感測電極104，而相鄰的第一感測電極102則通過其間的一連接部103而彼此電連接。絕緣島106對應設置于橋接層108下方并跨越連接部103，以電性隔離第一感測電極102與第二感測電極104。橋接層108可為金屬，但不限于金屬。橋接層108可為單層金屬層，例如，招、金、鉬、絡、錫、錯、或上述金屬合金?；蛘撸瑯蚪訉?08可為多層結(jié)構，例如，鋁、金、鉬、鉻、錫、鋯、或上述金屬合金的組合。
[0063]在一實施例中，絕緣島106及橋接層108的至少一側(cè)壁可具有凹凸狀輪廓。舉例來說，絕緣島106及橋接層108的至少一側(cè)壁具有多階梯狀輪廓。絕緣島106及橋接層108的至少一側(cè)壁的凹凸狀輪廓的具體結(jié)構，和上述感測電極的凹凸狀輪廓為類似，在此不再贅述。凹凸狀輪廓可類似于圖3A及圖3B。
[0064]請參照圖5，其繪示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的觸控感測裝置50的方塊示意圖。在本實施例中，觸控感測裝置50可包括上述的觸控模塊10和一顯示模塊52。觸控模塊10對于觸控感測裝置50提供觸控功能，顯示模塊52對于觸控感測裝置50提供顯示功能。在一實施例中，觸控模塊10為外掛式(out-cell touch)，觸控模塊10的基底100可為觸控感測裝置50的一蓋板基底，用以保護觸控模塊中10的感測電極。又另一實施例中，觸控模塊10可為TOD型式(touch on display，觸控在顯示器上)，觸控模塊10的基底100與顯示模塊52中的其中一基底為同一基底。例如，基底100為顯示模塊52中的彩色濾光片(colorfilter, CF)基底，感測電極設置于彩色濾光片基底的外側(cè)上。在另一實施例中，觸控模塊10可為內(nèi)嵌式(in-cell touch)，基底100與顯示模塊52中的其中一基底為同一基底，例如，感測電極設置于陣列基底或彩色濾光片基底的內(nèi)側(cè)上。
[0065]以下，配合圖1A-圖1B及圖2A-圖2C說明根據(jù)本發(fā)明一實施例的觸控感測裝置形成方法，其中圖2A-圖2C繪示出圖1A中沿2-2’線的感測電極的形成方法剖面示意圖。以下所述方法，為形成本發(fā)明實施例的感測電極的其中一種方式，且并不以此為限。
[0066]首先，提供一基底100 (如圖2A所示)，其具有一感測區(qū)20及一非感測區(qū)30 (如圖1B所標示)。接著，利用一遮蔽式掩模(shadow mask)于基底100的感測區(qū)20 (標示于圖1B)形成多個第一感測電極102及多個第二感測電極104。此處為了簡化說明，僅以單一第一感測電極102及單一第二感測電極104作為說明。
[0067]舉例來說，請參照圖2A中，提供一遮蔽式掩模200，其具有對應第一感測電極102的開口圖案200c及對應第二感測電極104的開口圖案200d。在一實施例中，遮蔽式掩模200包括一軟性基底200a及位于其內(nèi)的多個平行排列的金屬條200b，其中金屬條200b用以作為軟性基底200a的支撐材料。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，開口圖案200c及200d有可能會露出至少一金屬條200b。
[0068]接著，利用遮蔽式掩模200進行沉積制作工藝，以在基底100上形成感測電極。依據(jù)本發(fā)明實施例，感測電極的沉積制作工藝可為化學氣相沉積、或物理氣相沉積。例如，感測電極的沉積制作工藝可以濺鍍制作工藝進行，但不以此為限。由于開口圖案200c及200d可能露出金屬條200b，因此在進行沉積制作工藝后，會在基底100上的感測電極表面對應金屬條200b的位置形成一凹口。如此一來，形成的感測電極的厚度并不均勻，導致其電特性不佳。為了排除或減輕上述問題，在本實施例中，采多重沉積制作工藝以形成感測電極。
[0069]舉例來說，利用遮蔽式掩模200進行一第一沉積制作工藝300，以在基底100的感測區(qū)20上形成具有相同高度Hl的的第一感測層102a及第一感測層104a。第一感測層102a及104a因遮蔽式掩模200的開口圖案200c及200d內(nèi)露出的金屬條200b，而在進行第一沉積制作工藝300后，在其表面形成一凹口。
[0070]接著，移動遮蔽式掩模200之后，進行相同于第一沉積制作工藝300的一第二沉積制作工藝300’。舉例來說，如圖2B所示，將遮蔽式掩模200沿平行于第一方向移動一距離，以在第一感測層102a及104a上分別形成具有相同高度H2的第二感測層102b及104b，使得在第一感測層102a及104a和第二感測層102b及104b的相同側(cè)上，第一感測層102a及104a的側(cè)壁和第二感測層102b及104b的側(cè)壁為不對齊。遮蔽式掩模移動的距離可為2 μ m至10之間，優(yōu)選為3 μ m至8 μ m之間。同時，由于遮蔽式掩模200的移動，因此一部分的第二感測層102b及104b (標示為102b’及104b’)會形成于基底100上且位于第一感測層102a及104a的側(cè)壁上。再者，由于第二感測層102b及104b相對于第一感測層102a及104a偏移，因此部分的第二感測層102b及104b會填入第一感測層102a及104a表面的凹
□ O
[0071]接著，請參照圖2C，將遮蔽式掩模200沿平行于第一方向偏移一距離之后，進行相同于第一沉積制作工藝300的一第三沉積制作工藝300”，以在第二感測層102b及104b上分別形成具有相同高度H3的第三感測層102c及104c，使得在第二感測層102b及104b和第三感測層102c及104c的相同側(cè)上，第二感測層102b及104b的側(cè)壁和第三感測層102c及104c的側(cè)壁為不對齊。同時，由于遮蔽式掩模200的偏移，因此一部分的第三感測層102c及104c (標示為102c’及104c’)會形成于基底100上，且位于第二感測層102b’及104b’的側(cè)壁上。再者，一部分的第三感測層102c及104c (標示為102c”及104c”)會形成于第二感測層102b及104b的側(cè)壁上。如此一來，便完成第一感測電極102及第二感測電極104的制作。在本實施例中，第一感測電極102包括第一感測層102a、第二感測層102b及102b’以及第三感測層102c、102c’、102c”，而第二感測電極104包括第一感測層104a、第二感測層104b及104b’以及第三感測層104c、104c’、104c”。
[0072]相似地，由于第三感測層102c及104c相對于第二感測層102b及104b偏移，因此部分的第三感測層102c及104c會填入第二感測層102b及104b表面的凹口。如此一來，可有效縮小第一感測電極102及第二感測電極104的上表面所形成的凹口深度，以避免感測電極的電特性降低。如圖2C所示，依本發(fā)明的實施例，感測電極102的表面上可具有一凹口 152，感測電極104的表面上可具有一凹口 154。例如，感測電極表面上凹口的凹陷深度可為不具凹陷處電極的厚度的6%至75%，依據(jù)一實施例為46%至71%。舉例而言，當感測電極102的厚度(即，第一、第二及第三感測層102a、102b及102c加總)為1500 μm，則凹口 152的凹陷深度可為100至1100 μ m，又例如可為700至1070 μ m，但不以此為限。
[0073]另外，由于第二感測層102b及104b相對于第一感測層102a及104a偏移，且第三感測層102c及104c相對于第二感測層102b及104b偏移，因此第一感測電極102及第二感測電極104的至少一側(cè)壁具有凹凸狀輪廓，例如，多階梯狀輪廓。通過多階梯狀輪廓，可有增加光線在第一感測電極102及第二感測電極104的側(cè)壁的散射，進而降低第一感測電極102及第二感測電極104的可視性。
[0074]可以理解的是圖2A-圖2C僅為范例說明，遮蔽式掩模200可偏移一次或兩次以上。
[0075]接著，可利用現(xiàn)有光刻及蝕刻制作工藝依序在基底100的感測區(qū)20上形成絕緣島106及橋接層108，且在基底100的非感測區(qū)30上形成走線110及112，以形成觸控模塊10，如圖1A-圖1B所示。在其他實施例中，絕緣島106、橋接層108及走線110及112也可利用本發(fā)明上述方式使用遮蔽光掩模進行多重沉積制作工藝。如此，也可使得絕緣島106的至少一側(cè)壁也具有凹凸狀輪廓，橋接層108的至少一側(cè)壁具有凹凸狀輪廓，或者走線110及112的至少一側(cè)壁具有凹凸狀輪廓。也可依據(jù)需要，使得觸控感測裝置中的感測電極的一側(cè)壁、絕緣島的一側(cè)壁、橋接層的一側(cè)壁、及走線的一側(cè)壁，均具有凹凸狀輪廓。
[0076]類似地，絕緣島106、橋接層108及走線110及112的表面上，也可具有一凹口，凹口的特性和上述感測電極102的凹口 152為類似，絕緣島106、橋接層108或走線110及112的表面上凹口的凹陷深度，可為不具凹陷處的膜層的厚度的6 %至75 %，依據(jù)一實施例為46%至71%。在此不再詳述。
[0077]依據(jù)本發(fā)明實施例，絕緣島、橋接層及走線的沉積制作工藝可為化學氣相沉積或物理氣相沉積。例如，絕緣島可使用化學氣相沉積，橋接層及走線可使用濺鍍制作工藝，但不以此為限。
[0078]例如，請參照圖1A，依本發(fā)明上述方式形成走線110，在兩次沉積制作工藝中沿著第二方向(Y方向)移動掩模，則所形成的走線110中，在其側(cè)壁170會具有上述的凹凸狀輪廓。又例如，請參照圖1A，依本發(fā)明上述方式形成橋接層108，在兩次沉積制作工藝中沿著第一方向(X方向)移動掩模，則所形成的橋接層108中，在其側(cè)壁180會具有上述的凹凸狀輪廓。
[0079]請參照圖4A-圖4B，其中圖4A繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的觸控模塊10’的平面示意圖，而圖4B繪示出圖4A中沿4B-4B’線的剖面示意圖。在圖4A-圖4B中，相同于圖1A-圖1B的部件使用相同標號并省略其說明。在本實施例中，觸控模塊10’的結(jié)構相似于圖1A-圖1B中觸控模塊10，不同之處在于絕緣島106覆蓋用以電連接相鄰的第二感測電極104的橋接金屬層108。再者，連接部103跨越絕緣島106，以電連接相鄰的第一感測電極102。觸控模塊10’可利用相似于觸控模塊10的制作工藝來制作，使觸控模塊10’中的第一及第二感測電極102及104、絕緣島106、橋接金屬層108及走線110及112的至少一側(cè)壁具有凹凸狀輪廓。
[0080]根據(jù)上述實施例，由于感測電極通過移動遮蔽式掩模及進行多重沉積制作工藝所形成，因此感測電極上表面的凹口深度得以縮小，進而維持感測電極的電特性。再者，相較于以現(xiàn)有光刻及蝕刻制作工藝而得到具有平順側(cè)壁的感測電極，本發(fā)明實施例的感測電極側(cè)壁具有凹凸狀輪廓，可增加光的散射，進而降低感測電極的可視性。類似地，本發(fā)明實施中走線、橋接金屬層、和絕緣島的凹凸狀輪廓側(cè)壁，也可達到改善可視性的問題。另外，由于可利用遮蔽式掩模及進行多重沉積制作工藝來形成感測電極、絕緣島、橋接層及走線，因此相較于采用光刻及蝕刻制作工藝的現(xiàn)有技術來說，可簡化制作工藝及制造成本。
[0081]雖然結(jié)合以上優(yōu)選實施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當以附上的權利要求所界定的為準。
【主權項】
1.一種觸控感測裝置，包括: 基底，具有感測區(qū)及非感測區(qū)；以及 多個感測電極，位于該基底的一表面上且對應于該感測區(qū)， 其中該多個感測電極的至少一者的一側(cè)壁具有一凹凸狀輪廓，其中該凹凸狀輪廓具有第一凸部、第二凸部及凹部，其中該凹部位于該第一凸部與該第二凸部之間，該第一凸部比該第二凸部較接近該基底的該表面，該第一凸部比該第二凸部位于該感測電極的較外側(cè)。2.如權利要求1所述的觸控感測裝置，其中該多個感測電極包括: 第一感測電極群及第二感測電極群，其中該第一感測電極群包括多個第一感測電極，該多個第一感測電極沿一第一方向沿伸設置，其中該第二感測電極群包括多個第二感測電極，該多個第二感測電極沿一第二方向沿伸設置，該第二方向不同于該第一方向， 其中該多個第一感測電極及該多個第二感測電極中的至少一者的一側(cè)壁具有一凹凸狀輪廓。3.如權利要求2所述的觸控感測裝置，其中該多個感測電極包括: 多個該第一感測電極群及多個該第二感測電極群，其中該多個第一感測電極群沿該第二方向排列，該多個第二感測電極群沿該第一方向排列。4.如權利要求1所述的觸控感測裝置，其中該凹凸狀輪廓為多階梯狀輪廓。5.如權利要求4所述的觸控感測裝置，其該相鄰兩階梯的側(cè)邊之間的距離為2μπι至10 μ m之間。6.如權利要求3所述的觸控感測裝置，還包括: 多個走線層，設置于該基底的該非感測區(qū)上，以分別將該多個第一感測電極群及該多個第二感測電極群電連接至一外部電路， 其中該多個走線層的至少一者的一側(cè)壁具有一凹凸狀輪廓。7.如權利要求3所述的觸控感測裝置，還包括: 多個橋接層，分別連接該多個第二感測電極群中相鄰的第二感測電極， 其中該多個橋接層的至少一者的一側(cè)壁具有一凹凸狀輪廓。8.如權利要求1所述的觸控感測裝置，還包括一顯示模塊，以使該觸控感測裝置具有顯示功能。9.如權利要求1所述的觸控感測裝置，其中該多個感測電極的至少一者的表面上具有一凹口。10.一種觸控感測裝置的制造方法，包括: 提供一基底，具有一感測區(qū)及一非感測區(qū)； 利用一遮蔽式掩模進行一第一沉積制作工藝，以在該基底的該感測區(qū)上形成一第一感測層； 移動該遮蔽式掩模；以及 利用該遮蔽式掩模進行一第二沉積制作工藝，以在該基底和該第一感測層上形成一第二感測層，使得在該第一感測層和該第二感測層的相同側(cè)上，該第一感測層的一側(cè)壁和第二感測層的一側(cè)壁為不對齊。
【文檔編號】G06F3/041GK105824445SQ201510006297
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2015年1月7日
【發(fā)明人】林如玲, 陳錫堅, 張嘉雄, 陳揚證
【申請人】群創(chuàng)光電股份有限公司