用于設計半導體裝置的方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求于2014年10月1日在美國專利商標局（USPT0)提交的第62/058, 266 號臨時申請，以及2015年3月18日在韓國知識產(chǎn)權局提交的第10-2015-0037521號韓國 專利申請的優(yōu)先權，這些申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
技術領域
[0002] 與示例性實施例一致的方法和系統(tǒng)涉及一種用于設計半導體裝置的方法和系統(tǒng)。
【背景技術】
[0003] 通過在諸如半導體晶片的基底上圖案化器件和互連件來制造半導體裝置。
[0004] 可以通過使用電子設計自動化（EDA)設計集成電路（1C)來制造半導體裝置，電子 設計自動化（EDA)使設計者能夠安置并連接電路的各種組件以彼此交互。換而言之，可以 使用EDA創(chuàng)造半導體裝置的布局。
[0005] 半導體裝置的布局包括電路組件、互連線以及各個層的物理位置和尺寸。
[0006] 可以通過將半導體裝置的這種布局轉(zhuǎn)移到半導體基底上來制造半導體裝置。然 而，在使用該布局制造半導體裝置之前，半導體裝置的布局必須先通過檢驗工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明構思的一方面在于提供一種按照將標準單元中的鰭節(jié)距和軌道數(shù)目最優(yōu) 化的方式設計半導體裝置的方法。
[0008] 本發(fā)明構思的另一方面在于提供一種按照將標準單元中的鰭節(jié)距和軌道數(shù)目最 優(yōu)化的方式設計半導體裝置的系統(tǒng)。
[0009] 然而，本發(fā)明構思的方面不受限于這里所闡述的方面。通過參照下面給出的對本 發(fā)明構思的具體描述，上述和其他方面對于本發(fā)明構思所屬的領域的技術人員將變得更加 明顯。
[0010] 根據(jù)示例性實施例的一方面，提供了一種設計半導體裝置的方法，該設計半導體 裝置的方法包括：提供包括有源區(qū)和虛設區(qū)的標準單元布局；確定有源區(qū)中的第一有源鰭 與第二有源鰭之間的第一鰭節(jié)距和虛設區(qū)中的第一虛設鰭與第二虛設鰭之間的第二鰭節(jié) 距；使用第一鰭節(jié)距和第二鰭節(jié)距在有源區(qū)中安置第一有源鰭和第二有源鰭并在虛設區(qū)中 安置第一虛設鰭和第二虛設鰭；以及檢驗標準單元布局。
[0011] 根據(jù)示例性實施例的另一方面，提供了一種設計半導體裝置的方法，該設計半導 體裝置的方法包括：提供包括有源區(qū)和虛設區(qū)的標準單元布局；確定第一鰭節(jié)距和第二鰭 節(jié)距，使得具有第一鰭節(jié)距的多個有源鰭安置在有源區(qū)中并且使得具有第二鰭節(jié)距的多個 虛設鰭安置在虛設區(qū)中；確定多個有源鰭中的有源鰭與多個虛設鰭中的虛設鰭之間的第 三鰭節(jié)距，使得虛設鰭分別安置在標準單元布局的在單元高度的方向上彼此面對的邊界線 上；以及使用第一鰭節(jié)距至第三鰭節(jié)距在有源區(qū)中安置有源鰭并在虛設區(qū)安置虛設鰭。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明構思的又一方面，提供了一種用于設計半導體裝置的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包 括：處理器；和存儲器，存儲使用處理器執(zhí)行的操作模塊，其中，操作模塊接收包括有源區(qū) 和虛設區(qū)的標準單元布局，確定有源區(qū)中的第一有源鰭與第二有源鰭之間的第一鰭節(jié)距和 虛設區(qū)中的第一虛設鰭與第二虛設鰭之間的第二鰭節(jié)距，并使用第一鰭節(jié)距和第二鰭節(jié)距 在有源區(qū)中安置第一有源鰭和第二有源鰭并在虛設區(qū)中安置第一虛設鰭和第二虛設鰭。
【附圖說明】
[0013] 以上和其他的方面和特征通過參照附圖詳細地描述其示例性實施例將變得更明 顯，在附圖中：
[0014] 圖1是示出了根據(jù)示例性實施例的設計半導體裝置的方法的流程圖；
[0015] 圖2是更詳細地示出了圖1的方法的框圖；
[0016] 圖3和圖4是根據(jù)圖1的方法設計的示例標準單元布局的示圖；
[0017] 圖5是示出了根據(jù)圖1的方法設計的標準單元布局的數(shù)字的表格；
[0018] 圖6是根據(jù)示例性實施例的用于設計半導體裝置的系統(tǒng)的框圖；
[0019] 圖7是示出了根據(jù)另一個示例性實施例的設計半導體裝置的方法的流程圖；
[0020] 圖8是示出了根據(jù)另一個示例性實施例的設計半導體裝置的方法的流程圖；
[0021] 圖9是根據(jù)另一個示例性實施例的用于設計半導體裝置的系統(tǒng)的框圖。
【具體實施方式】
[0022] 現(xiàn)在在下文將參照其中示出了示例性實施例的附圖更充分地描述示例性實施例。 然而，發(fā)明構思可以以不同的形式來實施，并且不應該被解釋為受限于這里闡述的示例性 實施例。相反，這些示例性實施例被提供使得本公開將是徹底的和完整的，并將向本領域的 技術人員充分地傳達發(fā)明構思的范圍。在整個說明書中相同的附圖標記指示相同的組件。 在附圖中，為了清晰起見夸大了層和區(qū)域的厚度。
[0023] 還將理解的是，當層被稱作"在"另一層或基底"上"時，該層可以直接在該另一層 或基底上，或者也可以存在中間層。相反，當元件被稱作"直接在"另一元件"上"時，不存 在中間元件。
[0024] 為了便于描述，在這里可使用空間相對術語，諸如"在…之下"、"在…下方"、"下面 的"、"在…上方"、"上面的"等來描述如圖中所示的一個元件或特征與其他元件或特征的關 系。將理解的是，空間相對術語意在包含除了在附圖中描繪的方位之外的裝置在使用或操 作中的不同方位。例如，如果圖中裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件或特征"之下"或"下 方"的元件隨后將被定位為"在"其他元件或特征"上方"。因此，示例性術語"在…下方"可 包括"在…上方"和"在…下方"兩種方位。所述裝置可被另外定位（旋轉(zhuǎn)90度或者在其 他方位），并相應地解釋這里使用的空間相對描述語。
[0025] 除非這里另外指出或上下文明顯矛盾，否則術語"一個（種）"和"所述（該）"及 類似用語在描述示例性實施例的環(huán)境中的使用，尤其是在權利要求書的環(huán)境中的使用將理 解為涵蓋單數(shù)形式和復數(shù)形式。除非另有說明，否則術語"包含"、"具有"、"包括"和"含有" 將理解為開放式術語（即，意味著"包括，但不限于，"）。
[0026] 除非另有定義，否則這里使用的所有技術術語和科學術語具有與發(fā)明構思所屬領 域的普通技術人員所通常理解的意思相同的意思。注意的是，除非另外指出，否則這里提供 的任何和所有示例或者示例性術語的使用僅意在更好地對發(fā)明構思進行舉例說明，并不對 發(fā)明構思的范圍造成限制。此外，除非另有定義，否則在通用的字典中定義的所有術語不會 過度解釋。
[0027] 將參照其中示出了示例性實施例的透視圖、剖視圖和/或平面圖來描述本發(fā)明構 思。因此，示例性視圖的輪廓可以根據(jù)制造技術和/或公差作出修改。即，示例性實施例不 是意在示出的精確的視圖，而是涵蓋由于制造工藝的變化可以導致的所有變化和修改。因 此，圖中示出的區(qū)域以示意形式示出，區(qū)域的形狀僅僅通過舉例說明的方式給出，而不是作 為限制。
[0028] 現(xiàn)在將參照圖1至圖5描述根據(jù)示例性實施例的設計半導體裝置的方法。
[0029] 圖1是示出了根據(jù)示例性實施例的設計半導體裝置的方法的流程圖。圖2是具 體地示出了圖1的方法的框圖。圖3和圖4是根據(jù)圖1的方法產(chǎn)生的示例標準單元布局 (standard cell layout，或稱為"標準單元布圖"或"標準單元版圖"）的示圖。圖5是示 出了根據(jù)圖1的方法產(chǎn)生的標準單元布局的數(shù)字的表格。
[0030] 參照圖1，在根據(jù)當前示例性實施例的設計半導體裝置的方法中，提供包括有源區(qū) (active region)AR和虛設區(qū)（dummy region)DR的標準單元布局（standard cell layout) (操作 S100)。
[0031] 然后，確定有源區(qū)AR中