電容屏及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及觸控面板制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電容屏及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著近年來(lái)電子設(shè)備的快速發(fā)展，通過(guò)觸控方式進(jìn)行交互的電容屏已得到廣泛應(yīng) 用，如在手機(jī)、MP3、數(shù)碼相機(jī)、平板電腦、導(dǎo)航儀、顯示器等各中產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用。
[0003] 目前，電容屏的制造工藝主要為黃光工藝，通過(guò)對(duì)ITO層進(jìn)行刻蝕形成特定的 圖案層，然后再I(mǎi)TO層四周的上放制備一層導(dǎo)電層，用于導(dǎo)電。然而，現(xiàn)有的電容屏，其 導(dǎo)電層通常采用鉬鋁鉬或者銅等制成，而且是直接鋪設(shè)在ITO層的上方，如申請(qǐng)?zhí)枮?201110252586. 7的發(fā)明專利以及申請(qǐng)?zhí)枮?01210227470. 2的發(fā)明專利中，均是在ITO層上 設(shè)置一層銅導(dǎo)電層；在申請(qǐng)?zhí)枮?01320532354. 1的實(shí)用新型專利中，則是在ITO層上設(shè)置 一層鉬鋁鉬導(dǎo)電層。不論采用鉬鋁鉬還是采用銅作為導(dǎo)電層，通常為了增強(qiáng)電容屏表面的 抗氧化能力，需要在導(dǎo)電層上方額外設(shè)置一層保護(hù)層，否則電容屏表面的抗氧化能力將非 常低。而一旦增加一層保護(hù)層，則無(wú)疑將導(dǎo)致電容屏的厚度增加，制造工藝更加復(fù)雜；在如 今電子產(chǎn)品不斷追求超薄的環(huán)境趨勢(shì)下，對(duì)電容屏厚度的要求無(wú)疑是越薄越好，因此，每減 少一定厚度的電容屏，將獲得巨大的市場(chǎng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種表面抗氧化能力強(qiáng)，且厚度更薄的電容屏及其 制造方法。
[0005] 本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：電容屏，包括基板，在基板的上表面 和/或下表面的中部區(qū)域設(shè)置有ITO圖案層；在ITO圖案層的外圍的基板上設(shè)置有金屬導(dǎo) 電層，所述金屬導(dǎo)電層包括多條彼此獨(dú)立的金屬導(dǎo)線，每條金屬導(dǎo)線與ITO圖案層內(nèi)對(duì)應(yīng) 的ITO圖案連通；在每條金屬導(dǎo)線的上方還設(shè)置有與金屬導(dǎo)線形狀對(duì)應(yīng)的ITO保護(hù)層。
[0006] 進(jìn)一步的是：所述ITO圖案層和ITO保護(hù)層由同一次真空鍍作業(yè)形成的一體結(jié)構(gòu)。
[0007] 進(jìn)一步的是：所述金屬導(dǎo)電層為銅。
[0008] 進(jìn)一步的是：所述金屬導(dǎo)電層的厚度為200 A~400 Aa
[0009] 進(jìn)一步的是：所述基板為玻璃或者PET。
[0010] 另外，本發(fā)明還提供一種制造上述電容屏的方法，包括如下步驟：
[0011] A)通過(guò)真空鍍方法，在基板的上表面和/或下表面獲得金屬導(dǎo)電層；
[0012] B)通過(guò)金屬蝕刻方法，將金屬導(dǎo)電層上的中部區(qū)域去除，同時(shí)露出相應(yīng)基板的表 面，留下邊框結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)電層；
[0013] C)通過(guò)真空鍍方法，在邊框結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)電層的表面以及金屬層中部區(qū)域的基板 表面獲得ITO層；
[0014] D)通過(guò)ITO蝕刻方法，將邊框結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)電層上的ITO層蝕刻成ITO保護(hù)層，將 金屬導(dǎo)電層中部區(qū)域的ITO層蝕刻成ITO圖案層；
[0015] E)通過(guò)金屬蝕刻方法，將邊框結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)電層中未被上層ITO保護(hù)層覆蓋的區(qū) 域去除，形成多條彼此獨(dú)立的金屬導(dǎo)線。
[0016] 進(jìn)一步的是：步驟B)中的金屬蝕刻方法，包括如下步驟：
[0017] BI)第一次壓膜，在金屬導(dǎo)電層上壓制一層干膜層；
[0018] B2)第一次曝光，在干膜層上鋪設(shè)底片，然后進(jìn)行曝光；
[0019] B3)第一次顯影，曝光后干膜層的中部區(qū)域被去除，留下邊框結(jié)構(gòu)的干膜層；
[0020] B4)第一次蝕刻金屬，使用金屬蝕刻藥水，將未被邊框結(jié)構(gòu)的干膜層覆蓋的金屬去 除，并暴露出相應(yīng)基板的表面，留下邊框結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)電層；
[0021] B5)第一次脫膜，將邊框結(jié)構(gòu)的干膜層去除。
[0022] 進(jìn)一步的是：步驟D)中的ITO蝕刻方法與步驟E)中的金屬蝕刻方法連續(xù)進(jìn)行，包 括如下步驟：
[0023] Dl)第二次壓膜，在ITO層上壓制一層干膜層；
[0024] D2)第二次曝光，在干膜層上鋪設(shè)底片，然后進(jìn)行曝光；
[0025] D3)第二次顯影，曝光后形成相應(yīng)圖案結(jié)構(gòu)的干膜層；
[0026] D4)第一次蝕刻ΙΤ0,使用ITO蝕刻藥水，將未被圖案結(jié)構(gòu)的干膜層覆蓋的ITO去 除，將邊框結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)電層上的ITO層蝕刻成ITO保護(hù)層，將金屬層中部區(qū)域的ITO層蝕 刻成ITO圖案層；
[0027] El)第二次蝕刻金屬，使用金屬蝕刻藥水，將未被圖案結(jié)構(gòu)的干膜層以及對(duì)應(yīng)ITO 保護(hù)層覆蓋的金屬去除，并暴露出相應(yīng)基板的表面，形成多條彼此獨(dú)立的金屬導(dǎo)線；
[0028] E2)第二次脫膜，將圖案結(jié)構(gòu)的干膜層去除。
[0029] 本發(fā)明的有益效果是：通過(guò)將金屬導(dǎo)電層直接設(shè)置在ITO層的下方，由ITO層起 到對(duì)金屬導(dǎo)電層的抗氧化保護(hù)，保證了電容屏的表面抗氧化能力，因此可無(wú)需再設(shè)置專門(mén) 用于導(dǎo)電層抗氧化的保護(hù)層結(jié)構(gòu)，這樣即可使電容屏做的更薄。另外，本發(fā)明所述的制造方 法，采用目前成熟的真空鍍以及黃光工藝，通過(guò)適當(dāng)?shù)募庸ろ樞颍纯傻玫奖景l(fā)明所述的電 容屏，其制造過(guò)程成熟、簡(jiǎn)單，可提高電容屏的制造效率。另外，通過(guò)采用金屬銅作為金屬導(dǎo) 電層，可制得導(dǎo)線邊沿整齊，導(dǎo)電性能穩(wěn)定的額金屬導(dǎo)電層。
【附圖說(shuō)明】
[0030] 圖1至12為制備本發(fā)明所述的電容屏的各個(gè)階段的結(jié)構(gòu)示意圖，并且每個(gè)圖中由 上方的主視圖和下方的俯視圖構(gòu)成；
[0031] 圖中標(biāo)記為：基板I ;ΙΤ0圖案層2 ;ΙΤ0層2a ;金屬導(dǎo)電層3 ;金屬導(dǎo)電層3a ;邊框 結(jié)構(gòu)的金屬導(dǎo)電層3b ;金屬導(dǎo)線31 ;ΙΤ0保護(hù)層4 ;干膜層5 ;邊框結(jié)構(gòu)的干膜層5a ;圖案結(jié) 構(gòu)的干膜層5b ;底片6。
【具體實(shí)施方式】
[0032] 下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明，但是本發(fā)明所保護(hù)的范圍并 不僅限于以下具體實(shí)施例，在本領(lǐng)域技術(shù)人員無(wú)需付出創(chuàng)造性努力的情況下做出的修改、 等同替換、改進(jìn)等均應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0033] 如圖12所示，本發(fā)明所述的電容屏，包括基板1，在基板1的上表面和/或下表面 的中部區(qū)域設(shè)置有ITO圖案層2 ;在ITO圖案層2的外圍的基板1上設(shè)置有金屬導(dǎo)電層3， 所述金屬導(dǎo)電層3包括多條彼此獨(dú)立的金屬導(dǎo)線31，每條金屬導(dǎo)線31與ITO圖案層2內(nèi)對(duì) 應(yīng)的ITO圖案連通；在每條金屬導(dǎo)線31的上方還設(shè)置有與金屬導(dǎo)線31形狀對(duì)應(yīng)的ITO保 護(hù)層4。其中，ITO保護(hù)層4的作用是覆蓋在金屬導(dǎo)線31上，以起到對(duì)金屬導(dǎo)線31的抗氧 化保護(hù)作用，因此無(wú)需在額外設(shè)置專門(mén)的額保護(hù)層結(jié)構(gòu)，可降低電容屏的厚度，使其做得更 薄。
[0034] 另外，進(jìn)一步，上述中的ITO圖案層2和ITO保護(hù)層4可以是由同一次真空鍍作業(yè) 形成的一體結(jié)構(gòu)；這樣的好處是可使得ITO圖案層2和ITO保護(hù)層4為無(wú)縫連接，二者的密 封效果更好；可提高對(duì)金屬導(dǎo)電層的保護(hù)效果。
[0035] 另外，金屬導(dǎo)電層3的作用是實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，考慮到銅具有較好的導(dǎo)線性能，且易于刻 蝕，能獲得較好的導(dǎo)線邊沿，因此本發(fā)明優(yōu)選采用銅作為金屬導(dǎo)電層3 ;同時(shí)可在保證導(dǎo)電 性能符合要求的情況下，設(shè)置導(dǎo)電層3的厚度為200 A~400 A;這樣可確保其厚度適中，盡 量降低電容屏的厚度。
[0036] 另外，基板1通?？刹捎貌ＡЩ蛘逷ET材質(zhì)。
[0037] 另外，本發(fā)明還提供制造上述電容屏的方法，其按照如下步驟進(jìn)行，具體也可參照 圖1只圖12所不流程：
[0038] A)通過(guò)真空鍍方法，在基板1的上表面和/或下表面獲得金屬導(dǎo)電層3a ;
[0039] B)通過(guò)金屬蝕刻方法，將金屬導(dǎo)電層3a上的中部區(qū)域去除，同時(shí)露出相應(yīng)基板