導電網(wǎng)柵及觸控面板的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種導電網(wǎng)柵以及使用該導電網(wǎng)柵的觸控面板，尤其涉及一種使用碳 納米管復合線的導電網(wǎng)柵以及觸控面板。
【背景技術】
[0002] 觸控面板是一種顯著改善人機操作界面的輸入設備，具有直觀、簡單、快捷的優(yōu) 點。觸控面板在許多電子產(chǎn)品中已經(jīng)獲得了廣泛的應用，比如手機、PDA、多媒體、公共信息 查詢系統(tǒng)等。觸控面板主要有以下四類，包括電阻式、電容式、紅外和表面聲波式觸控面板。
[0003] 導電網(wǎng)柵是觸控面板中至關重要的組成部分，目前，觸控面板的導電網(wǎng)柵主要是 以ITO (氧化銦錫）通過真空鍍膜、圖形化蝕刻的工藝形成于絕緣基材上，其不僅對工藝、設 備要求較高，還在蝕刻中浪費大量的ITO材料，以及產(chǎn)生大量的含重金屬的工業(yè)廢液。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，確有必要提供一種導電網(wǎng)柵及觸控面板，以避免在制作導電網(wǎng)柵的過 程中造成材料的浪費以及環(huán)境污染的問題。
[0005] -種導電網(wǎng)柵，該導電網(wǎng)柵為多個碳納米管復合線組成的圖形化的網(wǎng)格結構，該 碳納米管復合線包括一碳納米管單紗以及一金屬層，所述碳納米管單紗由多個碳納米管沿 該碳納米管單紗軸向旋轉(zhuǎn)加捻構成。
[0006] -種觸控面板，其包括：一基底；一如上所述的導電網(wǎng)柵，該導電網(wǎng)柵設置于所述 基底。
[0007] -種觸控面板，其包括：一基底；一基質(zhì)層，該基質(zhì)層設置于所述基底；一如上所 述的導電網(wǎng)柵，該導電網(wǎng)柵嵌設于所述基質(zhì)層。
[0008] -種觸控面板，其包括：一基底以及一導電網(wǎng)柵，該導電網(wǎng)柵設置于所述基底表 面，該導電網(wǎng)柵為多個碳納米管復合線組成的圖形化的網(wǎng)格結構，該碳納米管復合線包括 一碳納米管單紗以及一金屬層，所述碳納米管單紗由多個碳納米管沿該碳納米管單紗軸向 旋轉(zhuǎn)加捻構成，該碳納米管單紗的捻度為10轉(zhuǎn)/厘米到300轉(zhuǎn)/厘米，該碳納米管單紗的 直徑為1微米到10微米；所述金屬層包覆于所述碳納米管單紗的外表面，該金屬層厚度為 1微米到5微米。
[0009] -種觸控面板，其包括：一基底以及一圖形化的第一導電網(wǎng)柵與一圖形化的第二 導電網(wǎng)柵，所述圖形化的第一導電網(wǎng)柵和圖形化的第二導電網(wǎng)柵分別設置于所述基底表面 且相互絕緣，所述圖形化的第一導電網(wǎng)柵為多個碳納米管復合線組成的圖形化的網(wǎng)格結 構，該圖形化的第二導電網(wǎng)柵為多個碳納米管復合線組成的圖形化的網(wǎng)格結構。
[0010] 與現(xiàn)有技術相比較，本發(fā)明提供的導電網(wǎng)柵由于是碳納米管復合線構成的網(wǎng)格結 構，相對于ITO膜作為導電網(wǎng)柵，工藝簡單，良率較高，并且材料成本大大降低，由于不需要 用到刻蝕工藝，所以不會造成導電膜材料的浪費，并可以避免環(huán)境污染的問題。
【附圖說明】 toon] 圖1是本發(fā)明第一實施例提供的觸控面板的示意圖。
[0012] 圖2是本發(fā)明第一實施例提供的觸控面板的剖視圖。
[0013] 圖3為本發(fā)明第一實施例提供的觸控面板的導電網(wǎng)柵中碳納米管復合導線的掃 描電鏡照片。
[0014] 圖4是本發(fā)明第一實施例提供的觸控面板中導電網(wǎng)柵的示意圖。
[0015] 圖5為本發(fā)明第二實施例提供的觸控面板的示意圖。
[0016] 圖6是本發(fā)明第二實施例提供的觸控面板的剖視圖。
[0017] 主要元件符號說明
如下【具體實施方式】將結合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
【具體實施方式】
[0018] 下面將結合附圖及具體實施例，對本發(fā)明提供的導電網(wǎng)柵以及使用該導電網(wǎng)柵的 觸控面板作進一步的詳細說明。
[0019] 請參閱圖1和圖2,本發(fā)明第一實施例提供一種觸控面板10,其包括：透明基底 11、透明導電網(wǎng)柵12以及保護層13。所述透明導電網(wǎng)柵12設置于所述透明基底11，所述 保護層13覆蓋所述透明導電網(wǎng)柵12,用于對所述透明導電網(wǎng)柵13進行保護。所述透明基 底11為PET基底，所述透明導電網(wǎng)柵12通過粘結劑固定于所述透明基底11。在本實施例 中，該粘結劑為UV膠。所述透明導電網(wǎng)柵12為多個碳納米管復合線組成的圖形化的網(wǎng)格 結構，該圖形化的網(wǎng)格結構中的多個碳納米管復合線121經(jīng)編織形成網(wǎng)格結構，該網(wǎng)格結 構包括多個網(wǎng)格單元，每個網(wǎng)格單元的形狀為菱形、矩形、三角形、多邊形、各種多邊形的復 合體等。在本實施例中，該網(wǎng)格單元的形狀為菱形。
[0020] 請一并參閱圖3,所述碳納米管復合線121包括碳納米管單紗122和包覆于該碳納 米管單紗122的金屬層123,該碳納米管單紗122由多個碳納米管加捻構成，該多個碳納米 管基本平行排列并沿該碳納米管單紗122的軸向旋轉(zhuǎn)。
[0021] 所述碳納米管單紗122可以通過從一碳納米管陣列中拉取獲得一碳納米管線，并 將所述碳納米管線加捻形成。所述碳納米管線加捻的方向為順時針方向的為S捻；所述碳 納米管線加捻方向為逆時針方向的為Z捻。由于從碳納米管陣列中直接拉取獲得的碳納米 管線中的碳納米管基本沿所述碳納米管線的軸向延伸，且在所述碳納米管線的軸向方向通 過范德華力首尾相連。故，在將所述碳納米管線加捻的過程中，該碳納米管線中的碳納米管 會沿碳納米管線的軸向方向螺旋狀排列，且在延伸方向通過范德華力首尾相連，進而形成 所述碳納米管單紗122。
[0022] 另外，在將所述碳納米管線加捻的過程中，所述碳納米管線中沿徑向方向相鄰的 碳納米管之間的間距會變小，接觸面積增大，從而使所述碳納米管單紗122中沿徑向方向 相鄰的碳納米管之間的范德華力顯著增加，并緊密相連。所述碳納米管單紗122中沿徑向 方向相鄰的碳納米管之間的間距小于等于10納米。優(yōu)選地，所述碳納米管單紗122中沿徑 向方向相鄰的碳納米管之間的間距小于等于5納米。更優(yōu)選地，所述碳納米管單紗122中 沿徑向方向相鄰的碳納米管之間的間距小于等于1納米。由于所述碳納米管單紗122中沿 徑向方向相鄰的碳納米管之間的間距較小且通過范德華力緊密相連，故，所述碳納米管單 紗122具有光滑的表面和致密的結構。
[0023] 所述碳納米管單紗122的直徑為1微米到10微米。所述碳納米管單紗122的捻 度為10轉(zhuǎn)/厘米到300轉(zhuǎn)/厘米，優(yōu)選為250轉(zhuǎn)/厘米到300轉(zhuǎn)/厘米。所述捻度是指單 位長度碳納米管線回轉(zhuǎn)的圈數(shù)。當所述碳納米管單紗122的直徑一定時，適當?shù)哪矶瓤梢?使形成的所述碳納米管單紗122具有較好的機械性能。
[0024] 由于所述碳納米管單紗122具有光滑的表面和致密的結構，故，所述金屬層123可 以和所述碳納米管單紗122形成良好的結合，不易脫落。所述金屬層123均勻的包覆于所述 碳納米管單紗122的外表面，其厚度為1微米到5微米。當所述金屬層123的厚度為1微 米到5微米時，所述碳納米管復合線121的電導率可以到達所述金屬層123中金屬的電導 率的50%以上。當所述金屬層123的厚度太小時，例如小于1微米，一方面不能顯著提高所 述碳納米管復合線121的電導率，另一方面，還會使得該金屬層123在使用時容易被氧化， 進一步降低所述碳納米管復合線121的電導率及使用壽命。另外，實驗證明當所述金屬層 123的厚度大于一定值時，例如大于5微米，所述碳納米管復合線121的電導率不但不會顯 著增加，還會增加所述碳納米管