數(shù)據(jù)讀寫方法、非接觸芯片生產(chǎn)方法和芯片卡生產(chǎn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及非接觸芯片卡技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種非接觸存儲單元數(shù)據(jù)讀寫方法、非接觸芯片生產(chǎn)方法和非接觸芯片卡生產(chǎn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]非接觸芯片卡是一種便攜的存儲介質(zhì)，廣泛使用于銀行卡、二代身份證、居民健康卡等應(yīng)用的信息識別。非接觸芯片卡的數(shù)據(jù)讀寫是通過非接觸讀卡器實現(xiàn)的。非接觸讀卡器和非接觸芯片卡中均設(shè)置有射頻電路，射頻電路中包括匹配電容和天線，且兩個射頻電路的工作頻率相同，這樣在非接觸讀卡器發(fā)送的電磁波激勵下，非接觸芯片中的射頻電路產(chǎn)生共振，從而使得其中的匹配電容內(nèi)有了電荷，在這個電荷的另一端，接有一個單向?qū)ǖ碾娮颖茫瑢⑵ヅ潆娙輧?nèi)的電荷送到另一個電容內(nèi)存儲，當(dāng)所積累的電荷達(dá)到2V時，此電容可作為電源為其它電路提供工作電壓，從而將非接觸芯片卡中的數(shù)據(jù)發(fā)射出去或接收非接觸讀卡器寫入的數(shù)據(jù)。因此，通過非接觸讀卡器的天線與非接觸芯片的天線發(fā)生電感耦合，從而對載波信號進(jìn)行接收和發(fā)送，實現(xiàn)對數(shù)據(jù)的寫入。
[0003]然而，在需要對芯片級或模塊級的多個非接觸芯片同時進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入時，由于多個非接觸讀卡器和芯片的天線之間的干擾，這種通過天線發(fā)生電感耦合的數(shù)據(jù)讀寫方法將導(dǎo)致數(shù)據(jù)讀寫的穩(wěn)定性和可靠性較差，在實現(xiàn)非接觸芯片的量產(chǎn)時，需要完成操作系統(tǒng)的預(yù)安裝等預(yù)個人化數(shù)據(jù)的寫入，在采用上述數(shù)據(jù)讀寫方法進(jìn)行預(yù)個人化數(shù)據(jù)的寫入時，由于上述數(shù)據(jù)讀寫方法的穩(wěn)定性和可靠性較低，將導(dǎo)致產(chǎn)品的不合格率升高，從而造成生產(chǎn)成本的升高和生產(chǎn)效率的下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種非接觸存儲單元數(shù)據(jù)讀寫方法、非接觸芯片生產(chǎn)方法和非接觸芯片卡生產(chǎn)方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中多個非接觸芯片同時進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入時，由于多個非接觸讀卡器和芯片的天線之間的干擾所導(dǎo)致的數(shù)據(jù)讀寫的穩(wěn)定性和可靠性較差的問題。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種非接觸存儲單元數(shù)據(jù)讀寫方法，所述方法包括:
[0006]對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接；
[0007]通過所述物理連接進(jìn)行所述非接觸存儲單元與所述非接觸讀卡器之間的數(shù)據(jù)傳輸。
[0008]優(yōu)選地，所述對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接具體包括:
[0009]對非接觸存儲單元的匹配電容與非接觸讀卡器的匹配電容進(jìn)行物理連接。
[0010]優(yōu)選地，所述對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接包括:
[0011]通過針板對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接。
[0012]優(yōu)選地，所述對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接包括:
[0013]通過數(shù)據(jù)連接線對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接。
[0014]優(yōu)選地，
[0015]所述針板包括NI個第一接口和NI個第二接口，其中，NI個第一接口和NI個第二接口一一對應(yīng)地相互連接，NI為大于或等于2的整數(shù)；
[0016]對于其中的一組第一接口和對應(yīng)的第二接口，所述第一接口連接至非接觸存儲單元的匹配電容，所述對應(yīng)的第二接口連接至與所述非接觸存儲單元對應(yīng)的非接觸讀卡器的匹配電容。
[0017]優(yōu)選地，所述第一接口的位置分布對應(yīng)于條帶上非接觸存儲單元的位置分布，所述條帶上承載有多個所述非接觸存儲單元。
[0018]優(yōu)選地，所述針板包括24個第一接口和24個第二接口，所述24個第一接口按照3行8列整齊排列分布在所述針板的中間區(qū)域，所述24個第二接口分布在所述針板的四個周邊區(qū)域。
[0019]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種非接觸芯片生產(chǎn)方法，所述非接觸芯片卡生產(chǎn)方法包括:
[0020]步驟S201、形成非接觸芯片模塊；
[0021]步驟S202、對所述非接觸芯片模塊進(jìn)行預(yù)個人化數(shù)據(jù)寫入；
[0022]其中，在步驟S202中，采用如權(quán)利要求1?7中任一項所述的非接觸存儲單元數(shù)據(jù)讀寫方法，使用非接觸讀卡器進(jìn)行所述非接觸芯片模塊的預(yù)個人化數(shù)據(jù)寫入，所述非接觸存儲單元具體為所述非接觸芯片模塊；
[0023]步驟S203、對預(yù)個人化數(shù)據(jù)寫入之后的非接觸芯片模塊進(jìn)行加工，得到已寫入預(yù)個人化數(shù)據(jù)的非接觸芯片。
[0024]優(yōu)選地，所述預(yù)個人化數(shù)據(jù)包括芯片操作系統(tǒng)、和/或，文件結(jié)構(gòu)創(chuàng)建和/或初始化、和/或應(yīng)用安裝。
[0025]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種非接觸芯片卡生產(chǎn)方法，所述非接觸芯片卡生產(chǎn)方法包括:
[0026]步驟S301、采用如權(quán)利要求8或9所述的非接觸芯片生產(chǎn)方法生產(chǎn)已寫入預(yù)個人化數(shù)據(jù)的非接觸芯片；
[0027]步驟S302、利用所述已寫入預(yù)個人化數(shù)據(jù)的非接觸芯片，加工出包括所述非接觸芯片的非接觸芯片卡。
[0028]本發(fā)明的有益效果包括:
[0029]通過物理連接實現(xiàn)非接觸存儲單元與所述非接觸讀卡器，能夠避免通過天線發(fā)生電感耦合的數(shù)據(jù)讀寫方法中，在對多個非接觸存儲單元同時進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫時，由于多個非接觸讀卡器和芯片的天線之間的干擾所造成的數(shù)據(jù)讀寫的穩(wěn)定性和可靠性較差，通過本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)讀寫方法，在實現(xiàn)非接觸芯片的量產(chǎn)時，各個非接觸存儲單元之間不會互相干擾，能夠保證數(shù)據(jù)讀寫的穩(wěn)定性和可靠性，提高產(chǎn)品的合格率，從而降低生產(chǎn)成本并提高生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0030]圖1本發(fā)明實施例提供的一種非接觸存儲單元數(shù)據(jù)讀寫方法的流程示意圖；
[0031]圖2為本發(fā)明實施例中非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接的示意圖；
[0032]圖3為包含非接觸芯片模塊的一段條帶的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖4為本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)連接線連接方式的示意圖；
[0034]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種針板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖6為本發(fā)明實施例提供的非接觸芯片生產(chǎn)方法的流程示意圖；
[0036]圖7為本發(fā)明實施例提供的非接觸芯片卡生產(chǎn)方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0037]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例提供的一種非接觸存儲單元數(shù)據(jù)讀寫方法、非接觸芯片生產(chǎn)方法和非接觸芯片卡生產(chǎn)方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0038]請參閱圖1，為本發(fā)明實施例提供的一種非接觸存儲單元數(shù)據(jù)讀寫方法的流程示意圖，如圖1所示，本發(fā)明實施例提供一種非接觸存儲單元數(shù)據(jù)讀寫方法，所述方法包括:
[0039]步驟S101、對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接；
[0040]步驟S102、通過所述物理連接進(jìn)行所述非接觸存儲單元與所述非接觸讀卡器之間的數(shù)據(jù)傳輸。
[0041]本發(fā)明實施例中的非接觸存儲單元可以是非接觸芯片，也可以是非接觸芯片模塊。
[0042]本發(fā)明實施例中，通過物理連接實現(xiàn)非接觸存儲單元與所述非接觸讀卡器，能夠避免通過天線發(fā)生電感耦合的數(shù)據(jù)讀寫方法中，在對多個非接觸存儲單元同時進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫時，由于多個非接觸讀卡器和芯片的天線之間的干擾所造成的數(shù)據(jù)讀寫的穩(wěn)定性和可靠性較差，通過本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)讀寫方法，在實現(xiàn)非接觸芯片的量產(chǎn)時，各個非接觸存儲單元之間不會互相干擾，能夠保證數(shù)據(jù)讀寫的穩(wěn)定性和可靠性，提高產(chǎn)品的合格率，從而降低生產(chǎn)成本并提高生產(chǎn)效率。
[0043]其中，步驟SlOl中，所述對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接具體包括:對非接觸存儲單元的天線接頭與非接觸讀卡器的匹配電容進(jìn)行物理連接。
[0044]請參閱圖2，為本發(fā)明實施例提供的非接觸存儲單元數(shù)據(jù)讀寫方法中，對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接的示意圖。對于非接觸存儲單元，其中的天線部分和匹配電容并聯(lián)，非接觸存儲單元天線接頭的兩端等同于匹配電容的兩端；同樣，對于非接觸讀卡器，其中的天線接頭的兩端等同于匹配電容的兩端。如圖2所示，將非接觸存儲單元100的匹配電容的一端與非接觸讀卡器200的匹配電容的一端相連接，將非接觸存儲單元100的匹配電容的另一端與非接觸讀卡器200的匹配電容的另一端相連接。
[0045]通過上述物理連接方式，可以通過非接觸讀卡器現(xiàn)有的讀寫方式對非接觸存儲單元進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作，不需要對非接觸讀卡器進(jìn)行其他硬件和軟件上的改動，方便易用，且具有廣泛的適用性。
[0046]對于本發(fā)明實施例，在步驟SlOl中，可以通過針板對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接，也可以通過數(shù)據(jù)連接線對非接觸存儲單元與非接觸讀卡器進(jìn)行物理連接。下面對上述兩種連接方式分別進(jìn)行介紹。
[0047]請參閱圖3，為生產(chǎn)中包含非接觸芯片模塊的一段條帶的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，條帶10上包括多個非接觸芯片模塊100，每個非接觸芯片模塊100經(jīng)過加工可得到一個非接觸芯片，多個非接觸芯片模塊100整齊排列為3行，條帶10的兩側(cè)為定位孔。請參閱圖4，為本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)連接線連接方式的示意圖，如圖4所示，條帶10上包括多個非接觸芯片模塊100，各個非接觸讀卡器分別連接至單片機(jī)200，從而在單片機(jī)200的控制下完成對非接觸芯片模塊100的數(shù)據(jù)讀寫操作，各個非接觸讀卡器200通過數(shù)據(jù)線300連接至對應(yīng)的非接觸芯片模塊100，從而能夠同時完成多個非接觸芯片模塊100的數(shù)據(jù)讀寫的操作。在實際使用中，數(shù)據(jù)線300可以通過一根具有信號屏蔽功能的電纜實現(xiàn)，例如同軸電纜。
[0048]為了方便地對生產(chǎn)過程中的多個非接觸芯片模塊同時進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫，本發(fā)明實施例提供了一種針板，從而在本發(fā)明實施例提供的非接觸存儲單元數(shù)據(jù)讀寫方法中，實現(xiàn)多個非接觸芯片模塊和對應(yīng)的多個非接觸讀卡器之間的同時連通。下面對針板連接的方式進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0049]本發(fā)明實施例提供一種針板，用于實現(xiàn)非接觸存儲單元與非接觸讀卡器之間的物理連接。所述針板包括NI個第一接口和NI個第二接口，其中，NI個第一接口和NI個第二接口——對應(yīng)地相互連接，NI為大于或等于2的整數(shù)。對于其中的一組第一接口和對應(yīng)的第二接口，所述第一接口連接至非接觸存儲單元，所述對應(yīng)的第二接口連接至與所述非接觸存儲單元對應(yīng)的非接觸讀卡器。所述第一接口的位置分布對應(yīng)于條帶上非接觸存儲單元的位置分布，其中，所述條帶上承載有多個所述非接觸存儲單元。
[0050]請參閱圖5，為本發(fā)明實施例提供的一種針板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，所述針板40包