本發(fā)明涉及安全信息防護(hù)，特別涉及一種f2f(亦稱雙頻率數(shù)據(jù)、雙相位)解碼芯片中的安全信息防護(hù)技術(shù)，特別是f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置。

背景技術(shù)：

隨著大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)水平的提高，將多種不同工藝制程的ic(integratedcircuit，集成電路)集成到單一芯片中構(gòu)建soc(system-on-a-chip，系統(tǒng)芯片)已是大勢(shì)所趨，基于soc的產(chǎn)品越來越受到市場(chǎng)的歡迎。soc可以使原來由分立ic器件構(gòu)成的整機(jī)產(chǎn)品成本更低，功耗更低，可靠性更高。

但是，隨著芯片集成度的提高，開放性與安全性之間的矛盾也越來越突出。一方面，基于其開放性和方便性，其被越來越多的芯片采用作為標(biāo)準(zhǔn)的接口，在市場(chǎng)上大受歡迎，另一方面，系統(tǒng)芯片因?yàn)閷⑺械能浻布Y源都集成在單一芯片內(nèi)，如何保護(hù)芯片內(nèi)部的代碼、參數(shù)、存儲(chǔ)在芯片內(nèi)的密鑰等關(guān)鍵信息也越來越引起人們的重視。

但現(xiàn)有技術(shù)中，并沒有很好的解碼芯片的敏感信息的安全防護(hù)裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷而提供一種f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足，解決了f2f解碼芯片在同主機(jī)進(jìn)行一些信息交互時(shí)，敏感信息得到安全防護(hù)的問題，在芯片被攻擊時(shí)可以起到有效保護(hù)作用。

為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的而提供的一種f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置，包括mcu(microcontrollerunit，微控制單元)，攻擊檢測(cè)電路，安全保護(hù)電路，其中：

所述mcu，用于控制攻擊檢測(cè)電路及安全保護(hù)電路的開閉，配置多種攻擊檢測(cè)類型的開閉，響應(yīng)安全保護(hù)電路的攻擊中斷信號(hào)并回讀攻擊類型；

所述攻擊檢測(cè)電路，由至少一個(gè)傳感器裝置組成，并與安全保護(hù)電路的交互控制，用于識(shí)別攻擊信號(hào)；

所述安全保護(hù)電路，用于與mcu、攻擊檢測(cè)電路的信息交互，內(nèi)置關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)，用于接到所述攻擊檢測(cè)電路發(fā)出的攻擊信號(hào)后，生成攻擊中斷信號(hào)并發(fā)給所述mcu，并對(duì)所述關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)內(nèi)容的讀取并執(zhí)行擦除處理。

作為一種可實(shí)施方式，所述攻擊信號(hào)為高溫攻擊、低溫攻擊、高壓攻擊、低壓攻擊信號(hào)中的一種或者一種以上的組合。

作為一種可實(shí)施方式，所述傳感器裝置為溫度傳感器裝置；

所述溫度傳感器裝置包括二極管、高溫比較器和低溫比較器；

利用所述二極管節(jié)點(diǎn)電壓，與基準(zhǔn)電壓作比較，當(dāng)溫度高于基準(zhǔn)高溫或者低于低溫時(shí)，對(duì)應(yīng)的高溫比較器或者低溫比較器會(huì)輸出高電平。

作為一種可實(shí)施方式，所述基準(zhǔn)高溫為110度；所述基準(zhǔn)低溫為-40度。

作為一種可實(shí)施方式，所述傳感器裝置為電壓檢測(cè)裝置；

所述電壓檢測(cè)裝置高壓檢測(cè)模塊和低壓檢測(cè)模塊，電壓檢測(cè)包括高壓檢測(cè)和低壓檢測(cè)，通過對(duì)電源的電壓分壓，然后與預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較；工作時(shí)，基準(zhǔn)電壓為1.8～3.3v時(shí)，兩個(gè)比較器都輸出低電平；當(dāng)基準(zhǔn)電壓高于3.3v時(shí)，高壓檢測(cè)比較器輸出高電平；當(dāng)基準(zhǔn)電壓低于1.8v時(shí)，低壓檢測(cè)比較器輸出高電平。

作為一種可實(shí)施方式，所述關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)由純硬件電路搭建，包括一組帶異步低電平復(fù)位控制的寄存器，關(guān)鍵信息存儲(chǔ)在寄存器組中，執(zhí)行并行擦除處理，在一個(gè)時(shí)鐘周期完成信息擦除操作。

作為一種可實(shí)施方式，所述識(shí)別是指所述信號(hào)為高電平時(shí)表示為檢測(cè)到攻擊；

所述攻擊信號(hào)通過或門電路再經(jīng)過反相器后成為關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)的異步復(fù)位信號(hào)，即有一個(gè)檢測(cè)到攻擊時(shí)，就會(huì)在復(fù)位信號(hào)上產(chǎn)生低電平，復(fù)位關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)。

作為一種可實(shí)施方式，f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置還包括一獨(dú)立電源，連接到所述安全防護(hù)電路上，其默認(rèn)為關(guān)閉狀態(tài)

在安全保護(hù)電路擦除關(guān)鍵信息并上報(bào)mcu時(shí)，開啟獨(dú)立電源內(nèi)部維持擦除和上報(bào)工作，直至安全保護(hù)電路控制其關(guān)閉。

本發(fā)明安全信息防護(hù)裝置具有如下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的f2f解碼芯片中使用的安全信息防護(hù)裝置，可以在芯片檢測(cè)到外部攻擊時(shí)及時(shí)擦除敏感信息區(qū)，保護(hù)關(guān)鍵信息不被盜取造成使用者的損失，其快速及時(shí)，電路簡(jiǎn)單，占用芯片資源少，方便實(shí)現(xiàn)。進(jìn)一步地，其可以采用電源單獨(dú)供電，敏感信息在芯片掉電后不丟失，不需要每次上電與主機(jī)端的重復(fù)配置。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置的模塊示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一高溫及低溫傳感器裝置的攻擊檢測(cè)電路示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例二高壓及低壓傳感器裝置的攻擊檢測(cè)電路示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的安全保護(hù)電路示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1-4所示，為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了。結(jié)合具體的實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。此過程中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，用以避免對(duì)不必要地混淆本發(fā)明的概念。對(duì)于這些描述，只是示例性的。并不是限制本發(fā)明的范圍。

如圖1所示，所述f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)裝置，包括mcu(microcontrollerunit，微控制單元)10，攻擊檢測(cè)電路30，安全保護(hù)電路20，其中：

所述mcu10，用于控制攻擊檢測(cè)電路及安全保護(hù)電路的開閉，配置多種攻擊檢測(cè)類型的開閉，響應(yīng)安全保護(hù)電路的攻擊中斷信號(hào)并回讀攻擊類型。

攻擊檢測(cè)電路30，由至少一個(gè)傳感器裝置組成，并與安全保護(hù)電路的交互控制，用于識(shí)別攻擊信號(hào)。

所述攻擊信號(hào)包括但不限于高溫攻擊、低溫攻擊、高壓攻擊、低壓攻擊信號(hào)。

安全保護(hù)電路20，用于與mcu、攻擊檢測(cè)電路的信息交互，內(nèi)置關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)40，支持對(duì)關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)40內(nèi)容的讀取并執(zhí)行擦除處理。

實(shí)施例一：

所述傳感器裝置為溫度傳感器裝置，如圖2所示，該溫度傳感器包括二極管、高溫比較器和低溫比較器。

溫度檢測(cè)采用了二極管的溫度特性實(shí)現(xiàn)，二極管的電壓與溫度關(guān)系密切相關(guān)，如圖2的電路，利用該節(jié)點(diǎn)電壓，與基準(zhǔn)電壓(trefh,trefl)作比較，可以實(shí)現(xiàn)溫度報(bào)警功能。當(dāng)溫度高于110或者低于-40度時(shí)，對(duì)應(yīng)的高溫比較器comp1或者低溫比較器comp2會(huì)輸出高電平。

實(shí)施例二：

本發(fā)明實(shí)施例中，所述傳感器裝置為電壓檢測(cè)裝置。

所述電壓檢測(cè)裝置高壓檢測(cè)模塊和低壓檢測(cè)模塊，電壓檢測(cè)包括高壓檢測(cè)和低壓檢測(cè)，通過對(duì)vbat的電壓分壓，然后與預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。工作時(shí)，基準(zhǔn)vbat電壓為1.8～3.3v，兩個(gè)比較器都輸出低電平。當(dāng)vbat高于4v時(shí)，高壓檢測(cè)比較器comp1會(huì)輸出高電平trig_h，電壓低于1.8v時(shí)，低壓檢測(cè)比較器comp2會(huì)輸出高電平trig_l。

基準(zhǔn)高電壓vrefh和基準(zhǔn)低電壓vrefl產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓，不隨電源電壓變化。

所述安全保護(hù)電路用于與mcu進(jìn)行信息交互，與攻擊檢測(cè)電路的信息交互，內(nèi)置關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)，支持對(duì)信息區(qū)內(nèi)容的讀取并能快速及時(shí)執(zhí)行擦除處理。

其中關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)由純硬件電路搭建，可執(zhí)行并行擦除處理，可在一個(gè)時(shí)鐘周期完成信息擦除操作。

如圖4所示，關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)由一組帶異步復(fù)位(低電平復(fù)位)控制的寄存器組成，關(guān)鍵信息存儲(chǔ)在寄存器組中。

攻擊檢測(cè)信號(hào)包括但不限于高溫攻擊temp_h、低溫攻擊temp_l、高壓攻擊trig_h、低壓攻擊trig_l信號(hào)，每個(gè)攻擊信號(hào)為高電平時(shí)表示為檢測(cè)到攻擊，這4個(gè)攻擊信號(hào)通過或門電路再經(jīng)過反相器后成為敏感信息存儲(chǔ)器的異步復(fù)位信號(hào)，即有一個(gè)檢測(cè)到攻擊時(shí)，就會(huì)在復(fù)位信號(hào)上產(chǎn)生低電平，從而立即復(fù)位關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵信息的快速擦除。

所述f2f解碼芯片中的安全信息防護(hù)方法，包括如下步驟：

步驟s100，mcu通過內(nèi)部總線接口控制安全保護(hù)電路打開；

步驟s200，安全保護(hù)電路通過接口配置攻擊檢測(cè)電路工作使能；

步驟s300，一旦攻擊檢測(cè)電路檢測(cè)到攻擊后，通過接口傳輸給安全保護(hù)電路；

步驟s400，安全保護(hù)電路識(shí)別攻擊信號(hào)并快速擦除其內(nèi)部的關(guān)鍵信息防護(hù)區(qū)的信息并同時(shí)向mcu上報(bào)攻擊。

實(shí)施例三：

較佳地，作為另一種可實(shí)施方式，配置一獨(dú)立電源，連接到所述安全防護(hù)電路上，其默認(rèn)為關(guān)閉狀態(tài)，在安全保護(hù)電路擦除關(guān)鍵信息并上報(bào)mcu時(shí)，開啟獨(dú)立電源內(nèi)部維持擦除和上報(bào)工作，直至安全保護(hù)電路控制其關(guān)閉。

本實(shí)施例三中的其他工作與實(shí)施例一、二相同，因此，在本實(shí)施例中不再一一詳細(xì)描述。

作為一種可實(shí)施方式，本實(shí)施例中的解碼芯片為金融領(lǐng)域的解碼芯片，其安全性要求較高，關(guān)鍵信息也比較多，有必要受到很好的保護(hù)。

本發(fā)明實(shí)施例的通過可以在芯片檢測(cè)到外部攻擊時(shí)及時(shí)擦除敏感信息區(qū)，保護(hù)關(guān)鍵信息不被盜取造成使用者的損失，硬件電路實(shí)現(xiàn)外部攻擊檢測(cè)及信息區(qū)擦除操作，快速及時(shí)，電路簡(jiǎn)單，占用芯片資源少，方便實(shí)現(xiàn)。進(jìn)一步地，采用電源單獨(dú)供電，敏感信息在芯片掉電后不丟失，方便使用。

以上所述的具體實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)軌道了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。