本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種熱插拔模塊供電裝置、方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

熱插拔功能是服務(wù)器上常見(jiàn)的功能，針對(duì)一些具有熱拔插功能的模塊，允許用戶在不關(guān)閉系統(tǒng)、不切斷電源的情況下將該部件取出和更換，比如硬盤(pán)、電源和各類板卡。通過(guò)熱插拔功能，可以提高服務(wù)器對(duì)故障的及時(shí)恢復(fù)能力以及服務(wù)器的擴(kuò)展性和靈活性，從而提高服務(wù)器的易用性。

具有熱插拔功能的熱插拔模塊在通過(guò)熱插拔方式連接到相應(yīng)接口上時(shí)，熱插拔模塊上電容等容性元件瞬時(shí)充電會(huì)產(chǎn)生較大的浪涌電流，導(dǎo)致熱插拔模塊的供電異常，影響熱插拔模塊的正常運(yùn)作。

目前，在熱插拔模塊的供電電路上設(shè)置延時(shí)電路，延時(shí)電路可以延長(zhǎng)供電線路的導(dǎo)通時(shí)間，從而減小熱插拔模塊進(jìn)行熱連接時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流。

針對(duì)于目前解決熱插拔模塊產(chǎn)生浪涌電流較大的方法，通過(guò)延時(shí)電路雖然可以減小熱插拔模塊所產(chǎn)生的浪涌電流，但是當(dāng)熱插拔模塊發(fā)生過(guò)流、短路等故障時(shí)，延時(shí)電路造成的延時(shí)導(dǎo)致無(wú)法及時(shí)斷開(kāi)熱插拔供電模塊的供電線路，造成熱插拔模塊或供電線路被損壞，因此現(xiàn)有對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的方法安全性較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種熱插拔模塊供電裝置、方法及系統(tǒng)，能夠提高對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的安全性。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種熱插拔模塊供電裝置，包括：控制單元、處理元及開(kāi)關(guān)單元；

所述開(kāi)關(guān)單元上設(shè)置有電流輸入端、電流輸出端及控制端，其中，所述電流輸入端與外部的電源相連，所述電流輸出端與外部的熱插拔模塊相連，所述控制端與所述處理單元相連；

所述控制單元，用于在所述熱插拔模塊通過(guò)熱插拔方式接入系統(tǒng)時(shí)，向所述處理單元發(fā)送第一控制信號(hào)；以及在所述熱插拔模塊出現(xiàn)過(guò)流故障時(shí)，向所述處理單元發(fā)送第二控制信號(hào)；

所述處理單元，用于在接收到所述控制單元發(fā)送的所述第一控制信號(hào)后，向所述開(kāi)關(guān)單元的控制端發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，以使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通；以及在接收到所述控制單元發(fā)送的第二控制信號(hào)后，向所述開(kāi)關(guān)單元的控制端發(fā)送斷開(kāi)信號(hào)，以使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)。

優(yōu)選地，

所述開(kāi)關(guān)單元，包括：至少一個(gè)NMOS管；其中，

各個(gè)所述NMOS管的漏極均與所述電源相連，各個(gè)所述NMOS管的源極均與所述熱插拔模塊相連，各個(gè)所述NMOS管的柵極分別與所述處理單元相連；

每一個(gè)所述NMOS管，用于在接收到所述導(dǎo)通信號(hào)后逐步導(dǎo)通，以及在接收到所述斷開(kāi)信號(hào)后立即截止。

優(yōu)選地，

所述開(kāi)關(guān)單元，進(jìn)一步包括：至少一個(gè)第一電阻，其中所述第一電阻與所述NMOS管一一對(duì)應(yīng)；

每一個(gè)所述第一電阻的第一端與相對(duì)應(yīng)的所述NMOS管的柵極相連，每一個(gè)所述第一電阻的第二端與所述處理單元相連。

優(yōu)選地，

所述處理單元包括：第二電阻、電容、二極管及三極管；其中，

所述第二電阻的第一端分別與所述控制單元及各個(gè)所述第一電阻的第二端相連，所述第二電阻的第二端與所述三極管的基極相連；所述三極管的集電極及發(fā)射極分別與所述電容的兩端相連；所述電容的兩端分別與所述二極管的負(fù)極和地線相連；所述二極管的正極與所述第二電阻的第一端相連；

所述三極管，用于在接收到高電平形式的所述第一控制信號(hào)后截止，使所述電容充電，以形成由零逐步增大至所述第一控制信號(hào)的導(dǎo)通信號(hào)，并將形成的所述導(dǎo)通信號(hào)發(fā)送給各個(gè)所述NMOS管的柵極；以及在接收到低電平形式的所述第二控制信號(hào)后導(dǎo)通，使所述電容放電，以直接將所述第二控制信號(hào)作為所述斷開(kāi)信號(hào)發(fā)送給各個(gè)所述NMOS管的柵極。

優(yōu)選地，

所述三極管包括：PNP型三極管或NPN型三極管；

當(dāng)所述三極管包括PNP型三極管時(shí)，

所述PNP型三極管的發(fā)射極與所述電容的第一端相連，所述PNP型三極管的集電極與所述電容的第二端相連；所述電容的第一端與所述二極管的負(fù)極相連，所述電容的第二端接地；

當(dāng)所述三極管包括NPN型三極管時(shí)，

所述NPN型三極管的發(fā)射極與所述電容的第二端相連，所述NPN型三極管的集電極與所述電容的第一端相連；所述電容的第一端與所述二極管的負(fù)極相連，所述電容的第二端接地。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種基于上述實(shí)施例提供的任意一種熱插拔模塊供電裝置對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的方法，包括：

通過(guò)所述控制單元判斷所述熱插拔模塊是否通過(guò)熱插拔方式接入系統(tǒng)，如果是，向所述處理單元發(fā)送第一控制信號(hào)；

通過(guò)所述處理單元接收所述第一控制信號(hào)，并在接收到所述第一控制信號(hào)后向所述開(kāi)關(guān)單元的控制端發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，以使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通，對(duì)所述熱插拔模塊進(jìn)行供電；

通過(guò)所述控制單元判斷所述熱插拔模塊是否出現(xiàn)過(guò)流故障，如果是，向所述處理單元發(fā)送第二控制信號(hào)；

通過(guò)所述處理單元接收所述第二控制信號(hào)，并在接收到所述第二控制信號(hào)后向所述開(kāi)關(guān)單元的控制端發(fā)送斷開(kāi)信號(hào)，以使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)，停止對(duì)所述熱插拔模塊進(jìn)行供電。

優(yōu)選地，當(dāng)所述開(kāi)關(guān)單元包括至少一個(gè)NMOS管時(shí)，

所述使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通，包括：使各個(gè)所述NMOS管逐步導(dǎo)通；

所述使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)，包括：使各個(gè)所述NMOS管立即截止。

優(yōu)選地，當(dāng)所述開(kāi)關(guān)單元進(jìn)一步包括至少一個(gè)第一電阻，且所述處理單元包括第二電阻、電容、二極管及三極管時(shí)，

所述通過(guò)所述處理單元接收所述第一控制信號(hào)，在接收到所述第一控制信號(hào)后向所述開(kāi)關(guān)單元的控制端發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，包括：

通過(guò)所述三極管接收高電平形式的所述第一控制信號(hào)，在接收到所述第一控制信號(hào)后截止，使所述電容充電，以形成由零逐步增大至所述第一控制信號(hào)的導(dǎo)通信號(hào)，并將形成的所述導(dǎo)通信號(hào)發(fā)送給各個(gè)所述NMOS管的柵極；

所述通過(guò)所述處理單元接收所述第二控制信號(hào)，并在接收到所述第二控制信號(hào)后向所述開(kāi)關(guān)單元的控制端發(fā)送斷開(kāi)信號(hào)，包括：

通過(guò)所述三極管接收低電平形式的所述第二控制信號(hào)，在接收到所述第二控制信號(hào)后截止，使所述電容放電，以直接將所述第二控制信號(hào)作為所述斷開(kāi)信號(hào)發(fā)送給各個(gè)所述NMOS管的柵極。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種熱插拔模塊的供電系統(tǒng)，包括：電源、熱插拔模塊及上述實(shí)施例提供的任意一種熱插拔模塊供電裝置；

所述熱插拔模塊供電裝置分別與所述電源及所述熱插拔模塊相連；

所述電源，用于向所述熱插拔模塊供電裝置傳輸電流；

所述熱插拔模塊，用于接收所述熱插拔模塊供電裝置輸出的電流。

優(yōu)選地，

所述熱插拔模塊包括：主板、服務(wù)器電源、硬盤(pán)、內(nèi)存條、服務(wù)器節(jié)點(diǎn)、顯卡、網(wǎng)卡、聲卡中的任意一個(gè)或多個(gè)。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種熱插拔模塊供電裝置、方法及系統(tǒng)，當(dāng)熱插拔模塊通過(guò)熱插拔的方式接入系統(tǒng)時(shí)，控制單元向處理單元發(fā)送第一控制信號(hào)，處理單元根據(jù)第一控制信號(hào)形成并向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，使開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通，以對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電；在對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電后，當(dāng)熱插拔模塊出現(xiàn)過(guò)流故障時(shí)，控制單元向處理單元發(fā)送第二控制信號(hào)，處理單元根據(jù)第二控制信號(hào)形成并向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送斷開(kāi)信號(hào)，使開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)，以停止對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電。由此可見(jiàn)，在控制單元與處理單元的配合下，當(dāng)熱插拔模塊接入系統(tǒng)時(shí)，開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通以對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電，防止熱插拔模塊產(chǎn)生較大的浪涌電流；在對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的過(guò)程中，當(dāng)熱插拔模塊出現(xiàn)過(guò)流故障時(shí)，開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)以停止對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電，防止對(duì)熱插拔模塊及電源造成損壞。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的熱插拔模塊供電裝置可以提高對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的安全性。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種熱插拔模塊供電裝置的示意圖；

圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種開(kāi)關(guān)單元的示意圖；

圖3是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例提供的一種開(kāi)關(guān)單元的示意圖；

圖4是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種處理單元的示意圖；

圖5是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例提供的一種處理單元的示意圖；

圖6是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例提供的一種熱插拔模塊供電裝置的示意圖；

圖7是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種熱插拔模塊供電方法的流程圖；

圖8是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種熱插拔模塊供電系統(tǒng)的示意圖；

圖9是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例提供的一種熱插拔模塊供電方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種熱插拔模塊供電裝置，該裝置可以包括：控制單元101、處理單元102及開(kāi)關(guān)單元103；

所述開(kāi)關(guān)單元103上設(shè)置有電流輸入端、電流輸出端及控制端，其中，所述電流輸入端與外部的電源相連，所述電流輸出端與外部的熱插拔模塊相連，所述控制端與所述處理單元102相連；

所述控制單元101，用于在所述熱插拔模塊通過(guò)熱插拔方式接入系統(tǒng)時(shí)，向所述處理單元102發(fā)送第一控制信號(hào)；以及在所述熱插拔模塊出現(xiàn)過(guò)流故障時(shí)，向所述處理單元102發(fā)送第二控制信號(hào)；

所述處理單元102，用于在接收到所述控制單元101發(fā)送的所述第一控制信號(hào)后，向所述開(kāi)關(guān)單元103的控制端發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，以使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通；以及在接收到所述控制單元101發(fā)送的第二控制信號(hào)后，向所述開(kāi)關(guān)單元103的控制端發(fā)送斷開(kāi)信號(hào)，以使所述開(kāi)關(guān)單元103的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種為熱插拔模塊進(jìn)行供電的裝置，當(dāng)熱插拔模塊通過(guò)熱插拔的方式接入系統(tǒng)時(shí)，控制單元向處理單元發(fā)送第一控制信號(hào)，處理單元根據(jù)第一控制信號(hào)形成并向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，使開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通，以對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電；在對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電后，當(dāng)熱插拔模塊出現(xiàn)過(guò)流故障時(shí)，控制單元向處理單元發(fā)送第二控制信號(hào)，處理單元根據(jù)第二控制信號(hào)形成并向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送斷開(kāi)信號(hào)，使開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)，以停止對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電。由此可見(jiàn)，在控制單元與處理單元的配合下，當(dāng)熱插拔模塊接入系統(tǒng)時(shí)，開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通以對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電，防止熱插拔模塊產(chǎn)生較大的浪涌電流；在對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的過(guò)程中，當(dāng)熱插拔模塊出現(xiàn)過(guò)流故障時(shí)，開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)以停止對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電，防止對(duì)熱插拔模塊及電源造成損壞。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的熱插拔模塊供電裝置可以提高對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的安全性。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，開(kāi)關(guān)單元20包括有至少一個(gè)NMOS管，其中，

各個(gè)NMOS管的漏極D均與電源輸出端VIN相連，各個(gè)NMOS管的源極S均與熱插拔模塊的供電輸入端VOUT相連，各個(gè)NMOS管的柵極G分別與處理單元的信號(hào)發(fā)出端EN相連；

每一個(gè)NOMS管用于在接收到處理單元通過(guò)信號(hào)發(fā)出端EN發(fā)出的導(dǎo)通信號(hào)后逐步導(dǎo)通；并在接收到處理單元通過(guò)信號(hào)發(fā)出端EN發(fā)出的斷開(kāi)信號(hào)后立即截止。

具體地，NMOS管的柵極接收到處理單元發(fā)送的導(dǎo)通信號(hào)后，NMOS管的漏極與源極逐步導(dǎo)通，NMOS管的漏極與源極逐步導(dǎo)通過(guò)程中，電源經(jīng)NMOS管向熱插拔模塊傳輸?shù)碾娏髦鸩皆龃?，從而可以減小熱插拔模塊通過(guò)熱插拔方式接入系統(tǒng)是產(chǎn)生的浪涌電流。NMOS管的柵極接收到處理單元發(fā)送的斷開(kāi)信號(hào)后，NMOS管的漏極與源極立即截止，終端熱插拔模塊所產(chǎn)生的過(guò)流故障，以對(duì)熱插拔模塊及電源進(jìn)行保護(hù)。

另外，將多個(gè)NMOS管以并聯(lián)的形式連接在電源與熱插拔模塊之間，每一個(gè)NMOS管的柵極均與處理單元相連，處理單元同時(shí)向各個(gè)NMOS管的柵極發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，即使有一個(gè)NMOS管由于故障無(wú)法正常導(dǎo)通，由于各個(gè)NMOS管是并聯(lián)關(guān)系，其他NMOS管仍可以正常導(dǎo)通以對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電，提高對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的可靠性。另一方面，由于各個(gè)NMOS管是相互并聯(lián)，電源向熱插拔模塊傳輸電流時(shí)，每個(gè)NMOS管承載總電流的一部分，保證能夠?qū)妮^大的熱插拔模塊進(jìn)行供電，從而提高了本發(fā)明實(shí)施例所提供的熱插拔模塊供電裝置的適用性。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，開(kāi)關(guān)單元30還可以包括至少一個(gè)第一電阻R，其中第一電阻R與NMOS管一一對(duì)應(yīng)；

每一個(gè)第一電阻R的第一端與相對(duì)應(yīng)的NMOS管的柵極G相連，每一個(gè)第一電阻R的第二端與處理單元的信號(hào)輸出端EN相連。

具體地，針對(duì)于每一個(gè)NMOS管，在柵極G與處理單元之間串聯(lián)一個(gè)第一電阻R，通過(guò)調(diào)節(jié)第一電阻R的阻值，可以更改NMOS管柵極G處的電壓值，從而對(duì)NMOS管的導(dǎo)通/截止電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，以適用于不同的熱插拔模塊，提高了本發(fā)明實(shí)施例所提供的熱插拔模塊供電裝置的適用性。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，如圖4所示，處理單元40包括：第二電阻R2，電容C1，二極管D1和三極管Q1；其中，

第二電阻R2的第一端與處理單元40的信號(hào)輸出端EN相連，信號(hào)輸出端EN分別與控制單元及開(kāi)關(guān)單元中各個(gè)第一電阻的第二端相連，第二電阻R2的第二端與三極管Q3的基極B相連；三極管Q3的集電極C和發(fā)射極E分別與電容C1的兩端相連；電容C1的兩端分別與二極管D1的負(fù)極以及底線相連；二極管D1的正極和第二電阻R2的第一端相連；

三極管Q3，用于在接收到控制單元發(fā)送的高電平形式的第一控制信號(hào)后截止，使電容C1充電，以形成由零逐步增大至第一控制信號(hào)的導(dǎo)通信號(hào)，并將形成的導(dǎo)通信號(hào)經(jīng)信號(hào)輸出端EN和各個(gè)第一電阻發(fā)送給各個(gè)NMOS管的柵極G；以及在接收到控制單元發(fā)送的低電平形式的第二控制信號(hào)后導(dǎo)通，使電容C1放電，以直接將第二控制信號(hào)作為斷開(kāi)信號(hào)經(jīng)各個(gè)第一電阻發(fā)送給各個(gè)NMOS管的柵極。

具體地，

如圖4所示，以三極管Q3為PNP型三極管為例，當(dāng)控制單元發(fā)出高電平形式的第一控制信號(hào)后，二極管D1正向?qū)?，由于三極管Q3的基極B沒(méi)有電流流過(guò)，因此三極管Q3的基極B與發(fā)射極E的電位相同，此時(shí)三極管B處于截止?fàn)顟B(tài)，電容C1進(jìn)行充電。電容C1充電會(huì)消耗一部分電壓，隨著充電過(guò)程的進(jìn)行，所消耗的電壓越來(lái)越小，當(dāng)電容C1充電完成后不再消耗電壓。由于電容C1充電的作用，信號(hào)輸出端EN處的電壓從零開(kāi)始逐步增大，當(dāng)電容C1充電完成不再消耗電壓時(shí)，信號(hào)輸出端EN處的電壓為第一控制信號(hào)相同，從而形成了從零逐步增大至第一控制信號(hào)的導(dǎo)通信號(hào)。由于信號(hào)輸出端EN通過(guò)各個(gè)第一電阻與各個(gè)NMOS管的柵極G相連，逐步增大的導(dǎo)通信號(hào)傳輸?shù)礁鱾€(gè)NMOS管的柵極G后，使各個(gè)NMOS管逐步導(dǎo)通直至完全導(dǎo)通，從而傳輸給熱插拔模塊的電流是逐步增大的，減小了熱插拔模塊剛接入系統(tǒng)時(shí)由于電容充電所產(chǎn)生的脈沖電流。

如圖4所示，以三極管Q 3為PNP型三極管為例，當(dāng)控制單元發(fā)出低電平形式的第二控制信號(hào)后，由于電容C1中存儲(chǔ)中部分電荷，電容C1上與三極管Q3發(fā)射極E相連的一端為高電平，信號(hào)輸出端EN為低電平，此時(shí)二極管D1截止。由于三極管Q3的基極B與信號(hào)輸出端EN相連，此時(shí)三極管Q3的基極B也為低電平，三極管Q 3導(dǎo)通，電容C1與三極管Q3的發(fā)射極E和集電極C構(gòu)成回路，電容C1中存儲(chǔ)的電荷在該回路中被消耗，因此當(dāng)控制單元發(fā)出低電平的第二控制信號(hào)后，信號(hào)輸出端EN的電平立即被拉低至低電平，相應(yīng)地各個(gè)NMOS管的柵極G也被拉低至低電平，各個(gè)NMOS管立即截止，從而及時(shí)停止對(duì)熱插拔設(shè)備進(jìn)行供電。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，處理單元所包括的三極管可以為PNP型三極管，也可以是NPN型三極管。

當(dāng)三極管為PNP型三極管時(shí)，如圖4所示，三極管Q3的發(fā)射極E與電容C1的第一端相連，三極管Q3的集電極C與電容C1的第二端相連；電容C1的第一端與二極管D1的負(fù)極相連，電容C1的第二端接地。

當(dāng)三極管為NPN型三極管時(shí)，如圖5所示，三極管Q4的集電極C與電容C1的第一端相連，三極管Q4的發(fā)射極E與電容C1的第二端相連；電容C1的第一端與二極管D1的負(fù)極相連，電容C1的第二端接地。

無(wú)論三極管是NPN型三極管還是PNP型三極管，三極管在接收到控制單元發(fā)送的第一控制信號(hào)后截止，使電容充電，以形成逐步增大的導(dǎo)通信號(hào)；三極管在接收到控制單元發(fā)送的第二控制信號(hào)后導(dǎo)通，使電容在處理單元內(nèi)部進(jìn)行放電，不對(duì)控制單元發(fā)送的第二控制信號(hào)進(jìn)行干預(yù)，使低電平的第二控制信號(hào)立即將各個(gè)NMOS管截止。因此，NPN型三極管和PNP型三極管均可以實(shí)現(xiàn)處理單元對(duì)作用，在實(shí)際業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行靈活選擇，進(jìn)一步提高了本發(fā)明實(shí)施例所提供的熱插拔模塊供電裝置的適用性。

下面以三極管為PNP型三極管為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的熱插拔模塊供電裝置作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖6所示，該熱插拔模塊供電裝置包括：控制單元601、處理單元602及開(kāi)關(guān)單元603，其中，

處理單元602包括：電阻R2、二極管D1、PNP型三極管Q3及電容C1；

開(kāi)關(guān)單元603包括：電阻R1、電阻R3、NMOS管M1、NMOS管M2。

在處理單元602中，電阻R2的第一端與控制單元601相連，電阻R2的第二端與PNP型三極管Q3的基極B相連，PNP型三極管Q3的發(fā)射極E與電容C1的第一端相連，PNP型三極管Q3的集電極C與電容C1的第二端相連，電容C1的第二端接地，二極管D1的正極與電阻R2的第一端相連，二極管D2的負(fù)極與電容C1的第一端相連。

在開(kāi)關(guān)單元603中，電阻R1的第一端與NMOS管M1的柵極G相連，電阻R1的第二端與控制單元601相連，NMOS管M1的漏極D與外部的電源VIN相連，NMOS管M1的源極S與外部的熱插拔模塊VOUT相連；電容R3的第一端與NMOS管M2的柵極G相連，電阻R3的第二端與控制單元601相連，NMOS管M2的漏極D與電源VIN相連，NMOS管M2的源極S與熱插拔模塊VOUT相連。

當(dāng)熱插拔模塊VOUT通過(guò)熱插拔的方式接入系統(tǒng)時(shí)，控制單元601受到觸發(fā)輸出高電平的第一控制信號(hào)，第一控制信號(hào)到達(dá)處理單元602時(shí)，對(duì)電容C1進(jìn)行充電；處理單元602在進(jìn)行充電的過(guò)程中形成逐步增大的導(dǎo)通信號(hào)，導(dǎo)通信號(hào)傳輸至NMOS管M1和NMOS管M2的柵極時(shí)，使NMOS管M1和NMOS管M2逐步導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)對(duì)熱插拔模塊VOUT進(jìn)行供電。

當(dāng)熱插拔模塊VOUT出現(xiàn)過(guò)流故障時(shí)，控制單元601受到觸發(fā)輸出低電平的第二控制信號(hào)，第二控制信號(hào)到達(dá)處理單元602時(shí)，使電容C1進(jìn)行放電；處理單元602中的電容C1在進(jìn)行放電時(shí)不會(huì)對(duì)低電平的第二控制信號(hào)造成影響，因此低電平的第二控制信號(hào)作用于NMOS管M1和NMOS管M2的柵極時(shí)，使NMOS管M1和NMOS管M2立即截止，中斷對(duì)熱插拔模塊VOUT進(jìn)行供電。

如圖7所示，本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供了一種基于本發(fā)明實(shí)施例提供的任意一種熱插拔模塊供電裝置對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的方法，該方法可以包括以下步驟：

步驟701：通過(guò)所述控制單元判斷所述熱插拔模塊是否通過(guò)熱插拔方式接入系統(tǒng)，如果是，向所述處理單元發(fā)送第一控制信號(hào)；

步驟702：通過(guò)所述處理單元接收所述第一控制信號(hào)，并在接收到所述第一控制信號(hào)后向所述開(kāi)關(guān)單元的控制端發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，以使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通，對(duì)所述熱插拔模塊進(jìn)行供電；

步驟703：通過(guò)所述控制單元判斷所述熱插拔模塊是否出現(xiàn)過(guò)流故障，如果是，向所述處理單元發(fā)送第二控制信號(hào)；

步驟704：通過(guò)所述處理單元接收所述第二控制信號(hào)，并在接收到所述第二控制信號(hào)后向所述開(kāi)關(guān)單元的控制端發(fā)送斷開(kāi)信號(hào)，以使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)，停止對(duì)所述熱插拔模塊進(jìn)行供電。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)開(kāi)關(guān)單元包括至少一個(gè)NMOS管時(shí)，

步驟702中使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通包括：使各個(gè)所述NMOS管逐步導(dǎo)通；

步驟704中使所述開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)包括：使各個(gè)所述NMOS管立即截止。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)開(kāi)關(guān)單元包括至少一個(gè)第一電阻，且處理單元包括第二電阻、電容、二極管及三極管時(shí)，

步驟702中通過(guò)所述處理單元接收所述第一控制信號(hào)，并在接收到所述第一控制信號(hào)后向所述開(kāi)關(guān)單元的控制端發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，包括：通過(guò)所述三極管接收高電平形式的所述第一控制信號(hào)，在接收到所述第一控制信號(hào)后截止，使所述電容充電，以形成由零逐步增大至所述第一控制信號(hào)的導(dǎo)通信號(hào)，并將形成的所述導(dǎo)通信號(hào)發(fā)送給各個(gè)所述NMOS管的柵極；

步驟704中所述通過(guò)所述處理單元接收所述第二控制信號(hào)，并在接收到所述第二控制信號(hào)后向所述開(kāi)關(guān)單元的控制端發(fā)送斷開(kāi)信號(hào)，包括：通過(guò)所述三極管接收低電平形式的所述第二控制信號(hào)，在接收到所述第二控制信號(hào)后截止，使所述電容放電，以直接將所述第二控制信號(hào)作為所述斷開(kāi)信號(hào)發(fā)送給各個(gè)所述NMOS管的柵極。

需要說(shuō)明的是，上述方法實(shí)施例所包括的各個(gè)步驟，由于與上述裝置實(shí)施例基于同一構(gòu)思，具體內(nèi)容可參見(jiàn)上述裝置實(shí)施例中的敘述，再次不再贅述。

如圖8所示，本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供了一種熱插拔模塊供電系統(tǒng)，包括：電源801、熱插拔模塊802及本發(fā)明實(shí)施例提供的任意一種熱插拔模塊供電裝置803；

所述熱插拔模塊供電裝置803分別與所述電源801及所述熱插拔模塊802相連；

所述電源801，用于向所述熱插拔模塊供電裝置803傳輸電流；

所述熱插拔模塊802，用于接收所述熱插拔模塊供電裝置803輸出的電流。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，熱插拔模塊包括主板、服務(wù)器電源、硬盤(pán)、內(nèi)存條、服務(wù)器節(jié)點(diǎn)、顯卡、網(wǎng)卡、聲卡中的任意一個(gè)或多個(gè)。由于熱插拔模塊可以為主板、服務(wù)器電源、硬盤(pán)、內(nèi)存條、服務(wù)器節(jié)點(diǎn)、顯卡、網(wǎng)卡、聲卡中的任意一個(gè)或多個(gè)，因此本發(fā)明實(shí)施例所提供的熱插拔模塊供電裝置可以應(yīng)用于各種熱插模塊，比如熱插拔硬盤(pán)、熱插拔主板等等，提高了本發(fā)明實(shí)施例所提供的熱插拔模塊供電裝置、方法及系統(tǒng)的適用性。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例所提供的熱插拔模塊供電裝置可以單獨(dú)作為一個(gè)設(shè)備存在，也可以集成在熱插拔模塊上，在具體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，可以根據(jù)需求靈活選擇。

下面結(jié)合圖6所示的熱插拔模塊供電裝置及圖8所示的熱插拔模塊供電系統(tǒng)，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的熱插拔模塊供電方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，如圖9所示，該方法可以包括以下步驟：

步驟901：將熱插拔模塊接入系統(tǒng)，對(duì)控制模塊進(jìn)行觸發(fā)。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)熱插拔的方式將具有熱插拔功能的熱插拔模塊接入系統(tǒng)時(shí)，形成并向控制模塊發(fā)送觸發(fā)信號(hào)。

例如，一個(gè)刀片服務(wù)器上包括有6個(gè)服務(wù)器節(jié)點(diǎn)，分別為服務(wù)器節(jié)點(diǎn)1至服務(wù)器節(jié)點(diǎn)6，其中服務(wù)器節(jié)點(diǎn)6發(fā)生故障去下進(jìn)行維修，維修完成后通過(guò)熱插拔的方式連接到刀片服務(wù)器上時(shí)，會(huì)向服務(wù)器節(jié)點(diǎn)6對(duì)應(yīng)的熱插拔模塊供電裝置中的控制單元發(fā)送觸發(fā)信號(hào)，以對(duì)該控制單元進(jìn)行觸發(fā)。

步驟902：通過(guò)控制模塊發(fā)出高電平形式的第一控制信號(hào)。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，控制模塊在受到觸發(fā)后，確定熱插拔模塊已經(jīng)被通過(guò)熱插拔的方式接入系統(tǒng)，產(chǎn)生高電平形式的第一控制信號(hào)，并將該高電平形式的第一控制信號(hào)發(fā)送給處理單元。

例如，如圖6所示，控制單元601在受到觸發(fā)后，形成20V的第一控制信號(hào)，并將該20V的第一控制信號(hào)持續(xù)發(fā)送給處理單元602。

步驟903：通過(guò)處理單元形成逐步增大的導(dǎo)通信號(hào)，并將該導(dǎo)通信號(hào)發(fā)送給開(kāi)關(guān)單元。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，處理單元接收控制單元發(fā)送的第一控制信號(hào)，將第一控制信號(hào)形成逐步增大的導(dǎo)通信號(hào)，其中導(dǎo)通信號(hào)從零開(kāi)始逐步增大，直至與第一控制信號(hào)相同。處理單元實(shí)時(shí)將形成的導(dǎo)通信號(hào)發(fā)送給開(kāi)關(guān)單元。

例如，如圖6所示，處理單元602在接收到控制單元601所發(fā)送的20V的第一控制信號(hào)后，三極管Q3處于截止?fàn)顟B(tài)，電容C1進(jìn)行充電。電容C1充電消耗一部分電壓，形成從0逐步增大至20V的導(dǎo)通信號(hào)，并將實(shí)時(shí)形成的導(dǎo)通信號(hào)傳輸給開(kāi)關(guān)單元603中各個(gè)NMOS管。

步驟904：通過(guò)開(kāi)關(guān)單元接通電源與熱插拔模塊之間的供電線路，對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)單元在接收到處理單元發(fā)送的逐步增大的第一控制信號(hào)后，逐步接通電源與熱插拔模塊之間的供電線路，使輸入熱插拔模塊的電流逐步增大，直至完全接通電源與熱插拔模塊之間的供電線路，以穩(wěn)定的電流對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電。

例如，如圖6所示，MOS管M1和NMOS管M2的柵極接收到逐步增大的導(dǎo)通信號(hào)后，漏極D與源極S逐步導(dǎo)通，開(kāi)關(guān)單元603向熱插拔模塊VOUT(服務(wù)器節(jié)點(diǎn)6)輸送的電流逐步增大，直至漏極D與源極S完全導(dǎo)通，開(kāi)關(guān)單元603向熱插拔模塊VOUT(服務(wù)器節(jié)點(diǎn)6)輸送穩(wěn)定的電流。

步驟905：通過(guò)控制單元檢測(cè)熱插拔模塊是否發(fā)生過(guò)流故障，如果是，執(zhí)行步驟906，否則繼續(xù)執(zhí)行步驟905。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)開(kāi)關(guān)單元穩(wěn)定的向熱插拔模塊輸出電流后，控制單元實(shí)時(shí)檢測(cè)熱插拔模塊是否出現(xiàn)過(guò)流故障，如果是，相應(yīng)地執(zhí)行步驟906，如果否則繼續(xù)對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行監(jiān)控，相應(yīng)地執(zhí)行步驟905。

步驟906：通過(guò)控制單元發(fā)出低電平形式的第二控制信號(hào)。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)控制單元檢測(cè)到熱插拔模塊發(fā)生過(guò)流或短路故障后，控制單元形成低電平的第二控制信號(hào)，并將該低電平形式的第二控制信號(hào)發(fā)送給處理單元。

例如，如圖6所示，當(dāng)控制單元601檢測(cè)出熱插拔模塊VOUT(服務(wù)器節(jié)點(diǎn)6)發(fā)生過(guò)流故障時(shí)，形成0V的第二控制信號(hào)，即停止向處理單元602傳輸電壓。

步驟907：通過(guò)處理單元形成斷開(kāi)信號(hào)，并將該斷開(kāi)信號(hào)發(fā)送給開(kāi)發(fā)單元。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，處理單元接收到控制單元發(fā)送的第二控制信號(hào)后，形成相應(yīng)對(duì)的低電平形式的斷開(kāi)信號(hào)，并將所形成的低電平形式的斷開(kāi)信號(hào)發(fā)送給開(kāi)關(guān)單元。

例如，如圖6所示，當(dāng)控制單元601不再輸出電壓時(shí)，處理單元602中的三極管Q3導(dǎo)通，電容C進(jìn)行放電，但是放電過(guò)程不會(huì)對(duì)控制單元601所輸出的低電平造成影響，從而直接將控制單元601所輸出的低電平形式的第二控制信號(hào)作為斷開(kāi)信號(hào)傳輸給開(kāi)關(guān)單元603。

步驟908：通過(guò)開(kāi)關(guān)單元斷開(kāi)電源與熱插拔模塊之間的供電線路，停止對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)單元在接收到處理單元所發(fā)送的斷開(kāi)信號(hào)后，立即斷開(kāi)電源與熱插拔模塊之間的供電線路，停止對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電。

例如，如圖6所示，控制單元601不再輸出電壓后，NMOS管M1和NMOS管M2的柵極G電平被瞬時(shí)拉低，NMOS管M1和NMOS管M2立即截止，中斷了電源VIN與熱插拔模塊VOUT(服務(wù)器節(jié)點(diǎn)6)之間的供電線路，從而及時(shí)停止對(duì)熱插拔模塊VOUT(服務(wù)器節(jié)點(diǎn)6)進(jìn)行供電。

本發(fā)明實(shí)施例提供的熱插拔模塊供電裝置、方法及系統(tǒng)，至少具有如下有益效果：

1、在本發(fā)明實(shí)施例提供的熱插拔模塊供電裝置、方法及系統(tǒng)中，當(dāng)熱插拔模塊通過(guò)熱插拔的方式接入系統(tǒng)時(shí)，控制單元向處理單元發(fā)送第一控制信號(hào)，處理單元根據(jù)第一控制信號(hào)形成并向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，使開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通，以對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電；在對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電后，當(dāng)熱插拔模塊出現(xiàn)過(guò)流故障時(shí)，控制單元向處理單元發(fā)送第二控制信號(hào)，處理單元根據(jù)第二控制信號(hào)形成并向開(kāi)關(guān)單元發(fā)送斷開(kāi)信號(hào)，使開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)，以停止對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電。由此可見(jiàn)，在控制單元與處理單元的配合下，當(dāng)熱插拔模塊接入系統(tǒng)時(shí)，開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端逐步導(dǎo)通以對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電，防止熱插拔模塊產(chǎn)生較大的浪涌電流；在對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的過(guò)程中，當(dāng)熱插拔模塊出現(xiàn)過(guò)流故障時(shí)，開(kāi)關(guān)單元的電流輸入端與電流輸出端立即斷開(kāi)以停止對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電，防止對(duì)熱插拔模塊及電源造成損壞。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的熱插拔模塊供電裝置可以提高對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的安全性。

2、在本發(fā)明實(shí)施例提供的熱插拔模塊供電裝置、方法及系統(tǒng)中，將多個(gè)NMOS管相互并聯(lián)形成開(kāi)關(guān)單元，每一個(gè)NMOS管的柵極均與處理單元相連，處理單元同時(shí)向各個(gè)NMOS管的柵極發(fā)送導(dǎo)通信號(hào)，即使有一個(gè)NMOS管由于故障無(wú)法正常導(dǎo)通，由于各個(gè)NMOS管是并聯(lián)關(guān)系，其他NMOS管仍可以正常導(dǎo)通以對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電，提高對(duì)熱插拔模塊進(jìn)行供電的可靠性。

3、在本發(fā)明實(shí)施例提供的熱插拔模塊供電裝置、方法及系統(tǒng)中，由于開(kāi)關(guān)單元中各個(gè)NMOS管是相互并聯(lián)的，電源向熱插拔模塊傳輸電流時(shí)，每個(gè)NMOS管承載總電流的一部分，保證能夠?qū)妮^大的熱插拔模塊進(jìn)行供電，從而提高了本發(fā)明實(shí)施例所提供的熱插拔模塊供電裝置的適用性。

4、在本發(fā)明實(shí)施例提供的熱插拔模塊供電裝置、方法及系統(tǒng)中，處理單元中的三極管可以是NPN型三極管，也可以是PNP型三極管，在實(shí)際業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行靈活選擇，進(jìn)一步提高了本發(fā)明實(shí)施例所提供的熱插拔模塊供電裝置的適用性。

需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)〃·····”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同因素。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：ROM、RAM、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)中。

最后需要說(shuō)明的是：以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，僅用于說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。