本實(shí)用新型涉及數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，具體來說是一種數(shù)據(jù)保護(hù)自毀系統(tǒng)。

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背景技術(shù)：
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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，大容量高速SSD也越來越普及，目前SSD持續(xù)讀寫速度最高達(dá)1.1GB/s,1GB/s，這是傳統(tǒng)磁碟完全不能比的，SSD固態(tài)硬盤同HDD硬盤對比存在很多優(yōu)勢，SSD在國防、航空、工業(yè)、包括個(gè)人電腦上應(yīng)用越來越廣泛，這使得SSD數(shù)據(jù)安全備受關(guān)注?，F(xiàn)有的已知的數(shù)據(jù)清除技術(shù)包括：1.使用驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置的“擦除單元”命令，這是ATA時(shí)代的擦除命令，測試了12個(gè)SSD設(shè)備只有4個(gè)設(shè)備完成了擦除，可是事實(shí)上所有數(shù)據(jù)還是可以訪問；2.覆蓋寫入整個(gè)磁盤，其是把所有數(shù)據(jù)改寫成1或者0或者任意數(shù)—重復(fù)這個(gè)過程會(huì)花費(fèi)很長時(shí)間，隨著硬盤容量不但增大，覆蓋重寫會(huì)耗時(shí)更長；3.消磁法，消磁法對HHD起作用，對SSD卻完全不起作用；而對于單一文件的清除：SSD設(shè)備如果總在同一個(gè)塊上進(jìn)行寫入和重新寫入操作，就會(huì)很快損壞，所以FTL會(huì)再所有可用的存儲(chǔ)空間之間進(jìn)行平衡，讓寫入負(fù)荷變得均衡，所以文件經(jīng)過改寫后會(huì)在硬盤中留下很多個(gè)片段，當(dāng)擦除單個(gè)文件時(shí)，F(xiàn)TL無法找到文件之前所有的片段，所以SSD所有單一文件覆蓋清除都是失敗的，因?yàn)樗荒芨采w當(dāng)前片段，無法刪除負(fù)荷均衡過程中的文件片段。綜上所述，SSD數(shù)據(jù)快速擦除，用現(xiàn)有軟件或命令根本不可能做到。

為保護(hù)隱私、機(jī)密、成果不外泄，需要有一種快速可靠的銷毀數(shù)據(jù)的方法，在緊急情況下能夠快速銷毀數(shù)據(jù)，保護(hù)技術(shù)成果或機(jī)要數(shù)據(jù)不外泄。

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技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
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本實(shí)用新型是根據(jù)上述的SSD固態(tài)硬盤采用傳統(tǒng)的擦除或重寫根本不能滿足要求的問題，設(shè)計(jì)了一種數(shù)據(jù)保護(hù)自毀系統(tǒng)，在SSD接入計(jì)算機(jī)或其他設(shè)備之前增加自毀電路，直接燒毀SSD內(nèi)部的存貯顆粒，從而保護(hù)其中的特種數(shù)據(jù)。

為了解決上述問題，設(shè)計(jì)一種數(shù)據(jù)保護(hù)自毀系統(tǒng)，所述的數(shù)據(jù)保護(hù)自毀系統(tǒng)包括SSD硬盤、硬盤供電回路、自毀啟動(dòng)電路、自毀負(fù)壓恒流電路及電源選擇回路，所述的硬盤供電回路將輸入的硬盤電源進(jìn)行整流濾波后作為SSD硬盤的正常供電回路，硬盤供電回路的輸出端連接至電源選擇回路，自毀負(fù)壓恒流電路的輸入端接有外部電源，自毀負(fù)壓恒流電路將輸入的外部電源進(jìn)行限流后連接至電源選擇回路，所述的電源選擇回路的輸入端由硬盤供電回路及自毀負(fù)壓恒流電路分別提供不同電源，電源選擇回路的輸出端連接至SSD硬盤，在電源選擇回路上另接有自毀啟動(dòng)電路，電源選擇回路正常使用時(shí)采用硬盤供電，自毀啟動(dòng)時(shí)由自毀啟動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)其中的MOS管通斷，使得自毀負(fù)壓恒流電路產(chǎn)生負(fù)電壓，SSD硬盤的供電由原來的+5V變?yōu)?6V，從而直接燒毀SSD硬盤內(nèi)的存儲(chǔ)顆粒。

所述的SSD硬盤包括電源、控制器、數(shù)據(jù)接口及若干存儲(chǔ)顆粒，所述的電源分別連接并供電至控制器及各存儲(chǔ)顆粒，各存儲(chǔ)顆粒的數(shù)據(jù)端口通過數(shù)據(jù)總線連接至控制器，所述的控制器連接至數(shù)據(jù)接口，由外部的硬盤數(shù)據(jù)線通過數(shù)據(jù)接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。

所述的自毀啟動(dòng)電路帶有自毀開關(guān)，并采用雙倍鏡像電路控制自毀啟動(dòng)，所述的雙倍鏡像電路帶有MOS管用以防止掉電觸發(fā)，雙倍鏡像電路還設(shè)有三極管用以防止上電觸發(fā)，從而限定自毀啟動(dòng)電路的初始狀態(tài)，保證上電斷電時(shí)數(shù)據(jù)保護(hù)自毀系統(tǒng)穩(wěn)定在非自毀狀態(tài)。

所述的自毀啟動(dòng)電路內(nèi)設(shè)有芯片U1作為電源管理芯片，所述的芯片U1的型號為LTC4352IMS，芯片U1的1號管腳與3號管腳相連后接至+5V電源，芯片U1的2號管腳與7號管腳之間接有電容C2，芯片U1的4號管腳串聯(lián)電阻R9后分別接至芯片U1的7號管腳和9號管腳，芯片U1的5號管腳接有電阻R7后作為自毀電路的使能端，芯片U1的8號管腳接至+5V電源后連接至電源選擇回路，芯片U1的10號管腳與12號管腳分別連接電容C1的兩端，芯片U1的11號管腳分別連接至MOS管Q3的4號管腳和MOS管Q4的4號管腳，所述的MOS管Q3的1號、2號、3號管腳相連并與MOS管Q4的1號、2號、3號管腳相連，MOS管Q3的5號、6號、7號、8號、9號管腳相連并連接至+5V電源，MOS管Q4的5號、6號、7號、8號、9號管腳相連并連接+5V電源，+5V電源另抽出一端連接至MOS管Q5的5號管腳，MOS管的5號、6號、7號、8號、9號管腳并聯(lián)，MOS管Q5的1號、2號、3號管腳相連并與MOS管Q6的1號、2號、3號管腳相連，MOS管Q6的5號、6號、7號、8號、9號管腳相連并連接至-6V電源，MOS管Q5的4號管腳和MOS管Q6的4號管腳相連并串聯(lián)電阻R5后接至-6V電源，所述的芯片U1的4號管腳另抽出一端連接至MOS管Q7的3號管腳，MOS管Q7的3號管腳串聯(lián)電阻R10后連接GND，MOS管Q7的1號管腳串聯(lián)電阻R8后接GND，MOS管Q7的2號管腳連接至-6V電源，三極管Q11的集電極與MOS管Q7的1號管腳相連，三極管Q11的基極與電阻R17相連后接burn_1端，三極管Q11的射極連接電源-6V，在三極管Q11的射極與基極之間串聯(lián)接有電阻R18，三極管Q12的集電極與MOS管Q7的1號管腳相連，三極管Q12的基極與電阻R19相連后接burn_2端，三極管Q12的射極接地，三極管Q11的射極與基極之間串聯(lián)接有電阻R20，所述的雙倍鏡像電路由自毀開關(guān)SW6驅(qū)動(dòng)，自毀開關(guān)SW6的4號端接DIS_SIG1信號端,自毀開關(guān)SW6的2號端接DIS_SIG2信號端,DIS_SIG1信號端連接電阻R24后接至電阻R14，電阻R14另一端接至MOS管Q8的1號管腳，MOS管Q8的1號管腳另抽出一端串聯(lián)電阻R15后接至-6V電源，MOS管Q8的2號管腳連接-6V電源，MOS管Q8的3號管腳串聯(lián)電容C4后連接至-6V電源，并抽出一端連接電阻R11后與電容C3相連，三極管Q9的基極串聯(lián)電阻R12與MOS管Q8的3號管腳相連，三極管Q9的集電極與三極管Q10的集電極相連，三極管Q9的射極連接-6V電源，三極管Q10的基極串聯(lián)電阻R13和電阻R16連接-6V電源，三極管Q10的射極連接電源-6V，三極管Q10的集電極串聯(lián)電容C5后連接至-6V電源，DIS_SIG2信號端依次串聯(lián)電阻R28、電阻R25后連接至MOS管Q13的1號管腳，MOS管Q13的1號管腳另抽出一端串聯(lián)電阻R27后連接電源-6V，MOS管Q13的2號管腳連接電源-6V，MOS管Q13的3號管腳串聯(lián)電阻R22后與三極管Q14的基極相連，MOS管Q13的3號管腳另引出一端串聯(lián)電容C7后連接至-6V電源，三極管Q14的集電極與三極管Q15的集電極相連，三極管Q14的射極連接電源-6V，在電阻R22及三極管Q14的射極兩端并聯(lián)接有電阻R21、電容C6、電阻R26，所述的三極管Q15的基極串聯(lián)電阻R23后接至電容C6與電阻R26之間的連接點(diǎn)，三極管Q15的射極連接電源-6V，MOS管Q13的3號管腳抽出一端串聯(lián)R50后連接至三極管Q24的基極，三極管Q24的射極連接-6V電源，三極管Q24的集電極串聯(lián)電阻R51、電阻R52后連接電源+5V，在電阻R51、電阻R52之間抽出一端串聯(lián)電阻R53后接至MOS管Q25的1號管腳，MOS管Q25的2號管腳接地，MOS管Q25的3號管腳串聯(lián)電阻R54連接電源+5V，MOS管Q23的1號管腳連接電阻R49后接sburn_star信號端，MOS管Q23的2號管腳與三極管Q22的基極相連，MOS管Q23的3號管腳串聯(lián)電阻R55后連接電源+5V，三極管Q22的基極串聯(lián)電阻R48后連接電源-6V，三極管Q22的射極連接電源-6V，三極管Q22的集電極、三極管Q15的集電極與三極管Q10的集電極并聯(lián)后接至電阻R5的一端。

所述的自毀負(fù)壓恒流電路由芯片U3作為調(diào)壓控制，芯片U3的型號為LT8710，所述的芯片U3的1號管腳串聯(lián)電阻R38后連接-6V電源，芯片U3的2號管腳通過電容C42接地，在電容C42兩端并聯(lián)接有電阻R42和電容C43，芯片U3的3號管腳串聯(lián)電容C45接地，芯片U3的5號管腳串聯(lián)電容C44后接地，芯片U3的7號管腳連接電阻R33后與MOS管Q18的柵極相連，電阻R33兩端并聯(lián)接有穩(wěn)壓二極管D1，芯片U3的8號管腳串聯(lián)電容C40后接地，芯片U3的10號管腳串聯(lián)電容C35后連接至Q18的柵極，MOS管Q18的源極串聯(lián)電阻R34后接地，MOS管Q18的漏極串聯(lián)L1連接-6V電源，-6V電源對地之間分別并聯(lián)電容C30、電容C31、極性電容CT1、電容C32、電容C33，芯片U3的11號管腳與MOS管Q17的4號管腳相連，芯片U3的12號管腳連接電容C41后接地，并與17號管腳、8號管腳相連，芯片U3的13號管腳連接+12V電源，并依次串聯(lián)電阻R37、電阻R39后接地，芯片U3的14號管腳串聯(lián)電阻R32后與MOS管Q17的1號、2號、3號管腳相連，MOS管Q17的5號，6號，7號，8號，9號管腳相連并分別串聯(lián)電容C29，電容C29兩端并聯(lián)接有電容C28，電容C28連接電感L1后連接至+12V電源，芯片U3的15號管腳與MOS管Q17的1號、2號、3號管腳相連，芯片U3的16號管腳與MOS管Q19的3號管腳相連，并串聯(lián)電阻R39后接地，MOS管Q19的1號管腳依次串聯(lián)電阻R40、電阻R35后連+12V電源，MOS管Q19的2號管腳接地，MOS管的3號管腳與芯片U3的16號管腳相連，芯片U3的18號管腳串聯(lián)電阻后R41接地，+12V電源對地之間分別并聯(lián)極性電容CT2、電容C36、電容C37、電容C38、電容C39，MOS管Q19的3號管腳抽出一端串聯(lián)電阻R36后接至芯片U2的8號管腳，芯片U2采用型號為LT4356的芯片，芯片U2的1號管腳接電阻R31后接地，芯片U2的1號管腳另抽出一端連接電阻R29后連接+12V電源，芯片U2的2號管腳連接+12V電源，芯片U2的3號管腳連接MOS管Q16的1號管腳，MOS管Q16的3號管腳連接+12V電源，MOS管Q16的4號管腳串聯(lián)電阻R30后連接+12V電源，電阻R30另抽出一端連接至芯片U2的4號管腳，芯片U2的5號管腳、6號管腳連接+12V電源，芯片U2的7號管腳接TEST信號端，芯片U2的8號管腳連接至電阻R36，芯片U2的9號管腳接地，芯片U2的10號管腳串聯(lián)電容C34后接地。

所述的電源選擇回路由MOS管Q21進(jìn)行切換供電電源，MOS管Q21的1號管腳串聯(lián)電阻R46后與+5V電源相連，MOS管Q21的2號管腳接地，MOS管Q21的3號管腳串聯(lián)電阻R44連接+12V電源，MOS管Q21的3號管腳連接至三極管Q20的基極，三極管Q20的射極接地，三極管Q20的射極與集電極之間串聯(lián)有電阻R45后接地，三極管Q20的集電極連接電阻R43后接+5V電源。

本實(shí)用新型同現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)在于：

1.本系統(tǒng)帶有電源選擇回路，使得正常使用時(shí)采用硬盤供電，自毀啟動(dòng)時(shí)自毀負(fù)壓恒流電路產(chǎn)生負(fù)電壓，使得SSD硬盤與供電電源之間形成電壓差，利用負(fù)電壓直接燒毀SSD內(nèi)部存貯顆粒，能在緊急狀況下快速銷毀硬盤SSD中的數(shù)據(jù)，不受硬盤讀寫速度限制；

2.自毀啟動(dòng)電路帶有物理自毀開關(guān)，操作簡單，不需要專業(yè)軟硬件知識，只需推動(dòng)開關(guān)即可啟動(dòng)自毀電路，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)自毀；

3.自毀啟動(dòng)電路中采用雙倍鏡像電路控制自毀啟動(dòng)，避免電路誤動(dòng)作損壞硬盤，并使用MOS管限定初始狀態(tài)保證上電、掉電，保證上電斷電時(shí)電路穩(wěn)定在非自毀狀態(tài)，使用過程中安全可靠，擁有自毀功能的同時(shí)不影響用戶正常使用。

[附圖說明]

圖1是本實(shí)用新型的系統(tǒng)原理示意圖；

圖2是本實(shí)用新型中自毀啟動(dòng)電路的電路原理圖；

圖3是本實(shí)用新型中自毀負(fù)壓恒流電路的電路原理圖；

圖4是本實(shí)用新型中電源選擇回路的電路原理圖。

[具體實(shí)施方式]

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，這種裝置的結(jié)構(gòu)和原理對本專業(yè)的人來說是非常清楚的。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

實(shí)施例1

圖1是本系統(tǒng)的原理組成示意圖，現(xiàn)參見圖1對本技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明，數(shù)據(jù)保護(hù)自毀系統(tǒng)包括SSD硬盤、硬盤供電回路、自毀啟動(dòng)電路、自毀負(fù)壓恒流電路及電源選擇回路，硬盤供電回路將輸入的硬盤電源進(jìn)行整流濾波后作為SSD硬盤的正常供電回路，硬盤供電回路采用現(xiàn)有公知技術(shù)，在此不做贅述。硬盤供電回路的輸出端連接至電源選擇回路，自毀負(fù)壓恒流電路的輸入端接有外部電源，自毀負(fù)壓恒流電路將輸入的外部電源進(jìn)行限流后連接至電源選擇回路，電源選擇回路的輸入端由硬盤供電回路及自毀負(fù)壓恒流電路分別提供不同電源，電源選擇回路的輸出端連接至SSD硬盤，SSD硬盤包括電源、控制器、數(shù)據(jù)接口及若干存儲(chǔ)顆粒，電源分別連接并供電至控制器及各存儲(chǔ)顆粒，各存儲(chǔ)顆粒的數(shù)據(jù)端口通過數(shù)據(jù)總線連接至控制器，控制器連接至數(shù)據(jù)接口，由外部的硬盤數(shù)據(jù)線通過數(shù)據(jù)接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。在電源選擇回路上另接有自毀啟動(dòng)電路。自毀啟動(dòng)電路帶有自毀開關(guān)，并采用雙倍鏡像電路控制自毀啟動(dòng)，雙倍鏡像電路帶有MOS管用以防止掉電觸發(fā)，雙倍鏡像電路還設(shè)有三極管用以防止上電觸發(fā)，從而限定自毀啟動(dòng)電路的初始狀態(tài)，保證上電斷電時(shí)數(shù)據(jù)保護(hù)自毀系統(tǒng)穩(wěn)定在非自毀狀態(tài)。電源選擇回路正常使用時(shí)采用硬盤供電，自毀啟動(dòng)時(shí)由自毀啟動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)其中的MOS管通斷，使得自毀負(fù)壓恒流電路產(chǎn)生負(fù)電壓，SSD硬盤的供電由原來的+5V變?yōu)?6V，從而直接燒毀SSD硬盤內(nèi)的存儲(chǔ)顆粒。

自毀啟動(dòng)電路的電路原理圖見圖2，自毀啟動(dòng)電路內(nèi)設(shè)有芯片U1作為電源管理芯片，芯片U1的型號為LTC4352IMS，芯片U1的1號管腳與3號管腳相連后接至+5V電源，芯片U1的2號管腳與7號管腳之間接有電容C2，芯片U1的4號管腳串聯(lián)電阻R9后分別接至芯片U1的7號管腳和9號管腳，芯片U1的5號管腳接有電阻R7后作為自毀電路的使能端，芯片U1的8號管腳接至+5V電源后連接至電源選擇回路，芯片U1的10號管腳與12號管腳分別連接電容C1的兩端，芯片U1的11號管腳分別連接至MOS管Q3的4號管腳和MOS管Q4的4號管腳，MOS管Q3的1號、2號、3號管腳相連并與MOS管Q4的1號、2號、3號管腳相連，MOS管Q3的5號、6號、7號、8號、9號管腳相連并連接至+5V電源，MOS管Q4的5號、6號、7號、8號、9號管腳相連并連接+5V電源，+5V電源另抽出一端連接至MOS管Q5的5號管腳，MOS管的5號、6號、7號、8號、9號管腳并聯(lián)，MOS管Q5的1號、2號、3號管腳相連并與MOS管Q6的1號、2號、3號管腳相連，MOS管Q6的5號、6號、7號、8號、9號管腳相連并連接至-6V電源，MOS管Q5的4號管腳和MOS管Q6的4號管腳相連并串聯(lián)電阻R5后接至-6V電源，芯片U1的4號管腳另抽出一端連接至MOS管Q7的3號管腳，MOS管Q7的3號管腳串聯(lián)電阻R10后連接GND，MOS管Q7的1號管腳串聯(lián)電阻R8后接GND，MOS管Q7的2號管腳連接至-6V電源，三極管Q11的集電極與MOS管Q7的1號管腳相連，三極管Q11的基極與電阻R17相連后接burn_1端，三極管Q11的射極連接電源-6V，在三極管Q11的射極與基極之間串聯(lián)接有電阻R18，三極管Q12的集電極與MOS管Q7的1號管腳相連，三極管Q12的基極與電阻R19相連后接burn_2端，三極管Q12的射極接地，三極管Q11的射極與基極之間串聯(lián)接有電阻R20，雙倍鏡像電路由自毀開關(guān)SW6驅(qū)動(dòng)，自毀開關(guān)SW6的4號端接DIS_SIG1信號端,自毀開關(guān)SW6的2號端接DIS_SIG2信號端,DIS_SIG1信號端連接電阻R24后接至電阻R14，電阻R14另一端接至MOS管Q8的1號管腳，MOS管Q8的1號管腳另抽出一端串聯(lián)電阻R15后接至-6V電源，MOS管Q8的2號管腳連接-6V電源，MOS管Q8的3號管腳串聯(lián)電容C4后連接至-6V電源，并抽出一端連接電阻R11后與電容C3相連，三極管Q9的基極串聯(lián)電阻R12與MOS管Q8的3號管腳相連，三極管Q9的集電極與三極管Q10的集電極相連，三極管Q9的射極連接-6V電源，三極管Q10的基極串聯(lián)電阻R13和電阻R16連接-6V電源，三極管Q10的射極連接電源-6V，三極管Q10的集電極串聯(lián)電容C5后連接至-6V電源，DIS_SIG2信號端依次串聯(lián)電阻R28、電阻R25后連接至MOS管Q13的1號管腳，MOS管Q13的1號管腳另抽出一端串聯(lián)電阻R27后連接電源-6V，MOS管Q13的2號管腳連接電源-6V，MOS管Q13的3號管腳串聯(lián)電阻R22后與三極管Q14的基極相連，MOS管Q13的3號管腳另引出一端串聯(lián)電容C7后連接至-6V電源，三極管Q14的集電極與三極管Q15的集電極相連，三極管Q14的射極連接電源-6V，在電阻R22及三極管Q14的射極兩端并聯(lián)接有電阻R21、電容C6、電阻R26，三極管Q15的基極串聯(lián)電阻R23后接至電容C6與電阻R26之間的連接點(diǎn)，三極管Q15的射極連接電源-6V，MOS管Q13的3號管腳抽出一端串聯(lián)R50后連接至三極管Q24的基極，三極管Q24的射極連接-6V電源，三極管Q24的集電極串聯(lián)電阻R51、電阻R52后連接電源+5V，在電阻R51、電阻R52之間抽出一端串聯(lián)電阻R53后接至MOS管Q25的1號管腳，MOS管Q25的2號管腳接地，MOS管Q25的3號管腳串聯(lián)電阻R54連接電源+5V，MOS管Q23的1號管腳連接電阻R49后接sburn_star信號端，MOS管Q23的2號管腳與三極管Q22的基極相連，MOS管Q23的3號管腳串聯(lián)電阻R55后連接電源+5V，三極管Q22的基極串聯(lián)電阻R48后連接電源-6V，三極管Q22的射極連接電源-6V，三極管Q22的集電極、三極管Q15的集電極與三極管Q10的集電極并聯(lián)后接至電阻R5的一端。其中，MOS管Q8及MOS管Q13用于防止掉電觸發(fā)，MOS管Q10及MOS管Q15用于防止上電觸發(fā)，保證上電斷電時(shí)電路穩(wěn)定在非自毀狀態(tài)，使用過程中安全可靠。當(dāng)來自開關(guān)的DIS_SIG1端和DIS_SIG2端到地接通時(shí)，對芯片U1的4號管腳產(chǎn)生一個(gè)關(guān)閉MOS管Q3和MOS管Q4的信號，同時(shí)芯片U1的5號管腳輸出使MOS管Q5和MOS管Q6導(dǎo)通的信號，這樣SSD接口的供電由原來的+5V變?yōu)?6V，以達(dá)到對SSD內(nèi)數(shù)據(jù)的毀壞作用。

自毀負(fù)壓恒流電路由芯片U3作為調(diào)壓控制，參見圖3，芯片U3的型號為LT8710,芯片U3的1號管腳串聯(lián)電阻R38后連接-6V電源，芯片U3的2號管腳通過電容C42接地，在電容C42兩端并聯(lián)接有電阻R42和電容C43，芯片U3的3號管腳串聯(lián)電容C45接地，芯片U3的5號管腳串聯(lián)電容C44后接地，芯片U3的7號管腳連接電阻R33后與MOS管Q18的柵極相連，電阻R33兩端并聯(lián)接有穩(wěn)壓二極管D1，芯片U3的8號管腳串聯(lián)電容C40后接地，芯片U3的10號管腳串聯(lián)電容C35后連接至Q18的柵極，MOS管Q18的源極串聯(lián)電阻R34后接地，MOS管Q18的漏極串聯(lián)L1連接-6V電源，-6V電源對地之間分別并聯(lián)電容C30、電容C31、極性電容CT1、電容C32、電容C33，芯片U3的11號管腳與MOS管Q17的4號管腳相連，芯片U3的12號管腳連接電容C41后接地，并與17號管腳、8號管腳相連，芯片U3的13號管腳連接+12V電源，并依次串聯(lián)電阻R37、電阻R39后接地，芯片U3的14號管腳串聯(lián)電阻R32后與MOS管Q17的1號、2號、3號管腳相連，MOS管Q17的5號，6號，7號，8號，9號管腳相連并分別串聯(lián)電容C29，電容C29兩端并聯(lián)接有電容C28，電容C28連接電感L1后連接至+12V電源，芯片U3的15號管腳與MOS管Q17的1號、2號、3號管腳相連，芯片U3的16號管腳與MOS管Q19的3號管腳相連，并串聯(lián)電阻R39后接地，MOS管Q19的1號管腳依次串聯(lián)電阻R40、電阻R35后連+12V電源，MOS管Q19的2號管腳接地，MOS管的3號管腳與芯片U3的16號管腳相連，芯片U3的18號管腳串聯(lián)電阻后R41接地，+12V電源對地之間分別并聯(lián)極性電容CT2、電容C36、電容C37、電容C38、電容C39，MOS管Q19的3號管腳抽出一端串聯(lián)電阻R36后接至芯片U2的8號管腳，芯片U2采用型號為LT4356的芯片，芯片U2的1號管腳接電阻R31后接地，芯片U2的1號管腳另抽出一端連接電阻R29后連接+12V電源，芯片U2的2號管腳連接+12V電源，芯片U2的3號管腳連接MOS管Q16的1號管腳，MOS管Q16的3號管腳連接+12V電源，MOS管Q16的4號管腳串聯(lián)電阻R30后連接+12V電源，電阻R30另抽出一端連接至芯片U2的4號管腳，芯片U2的5號管腳、6號管腳連接+12V電源，芯片U2的7號管腳接TEST信號端，芯片U2的8號管腳連接至電阻R36，芯片U2的9號管腳接地，芯片U2的10號管腳串聯(lián)電容C34后接地，從而將12V電源限流在3A范圍內(nèi)。

電源選擇回路由MOS管Q21進(jìn)行切換供電電源，電路圖參見圖4，MOS管Q21的1號管腳串聯(lián)電阻R46后與+5V電源相連，MOS管Q21的2號管腳接地，MOS管Q21的3號管腳串聯(lián)電阻R44連接+12V電源，MOS管Q21的3號管腳連接至三極管Q20的基極，三極管Q20的射極接地，三極管Q20的射極與集電極之間串聯(lián)有電阻R45后接地，三極管Q20的集電極連接電阻R43后接+5V電源。