本實(shí)用新型涉及導(dǎo)電玻璃技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種全透觸摸屏消影導(dǎo)電玻璃。

背景技術(shù)：

目前，電容屏產(chǎn)品使用非常廣泛，而電容屏中的雙面鍍導(dǎo)電玻璃是其主要器件，雙面鍍導(dǎo)電玻璃的導(dǎo)電薄膜在性能方面要求比較嚴(yán)，比如均勻性、耐熱性能、耐酸堿性能、耐高溫高濕性能等；在制作透明電路的時(shí)候，由于工藝難度增加，在制作電路時(shí)常采用酸刻電路。在制作過程中，容易蝕刻掉不應(yīng)該刻蝕的部位，并且存在電路蝕刻的蝕痕影跡，影響其電磁屏蔽、靜電保護(hù)功能，存在的蝕痕影跡會(huì)對(duì)觀看圖案產(chǎn)生影響。

鑒于上述原因，現(xiàn)研發(fā)出一種全透觸摸屏消影導(dǎo)電玻璃。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種全透觸摸屏消影導(dǎo)電玻璃，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護(hù)和消影作用，并且能夠完全代替現(xiàn)有的傳統(tǒng)導(dǎo)電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導(dǎo)電玻璃。

本實(shí)用新型為了實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案：一種全透觸摸屏消影導(dǎo)電玻璃，是由：玻璃基板、錫面、ITO膜、透明層構(gòu)成；玻璃基板的兩個(gè)表面均為錫面，在玻璃基板上表面的錫面上方設(shè)置ITO膜，在玻璃基板下表面的錫面下方設(shè)置透明層，所述透明層下方設(shè)置ITO膜。

所述透明層采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅。

加工原理：

第一步，對(duì)玻璃基板進(jìn)行處理，

A、對(duì)玻璃基板進(jìn)行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片處理；

B、對(duì)切割后的玻璃基板進(jìn)行磨邊和倒角，先X磨邊，再倒角，旋轉(zhuǎn)90°再對(duì)Y磨邊及倒角；

C、刷洗吹干；

D、對(duì)磨邊和倒角后的玻璃基板進(jìn)行拋光；

E、再刷洗吹干；

第二步，對(duì)玻璃基板濺射透明層；

A、對(duì)拋光刷洗吹干后玻璃基板進(jìn)行加熱；采用的加熱溫度為150-280攝氏度；

B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備對(duì)加熱后的玻璃基板下表面的錫面下方濺射透明層，所述透明層采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；

第三步，在玻璃基板第二步濺射的基礎(chǔ)上，進(jìn)行ITO膜濺射；

A、對(duì)濺射透明層后的玻璃基板進(jìn)行加熱；加熱溫度采用280-380攝氏度；

B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，對(duì)加熱后的玻璃基板，在玻璃基板的上表面的錫面上方和透明層的下方同時(shí)濺射ITO膜；

C、對(duì)濺射ITO膜后的玻璃基板，經(jīng)緩沖室做退火處理：先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩(wěn)定，完成對(duì)玻璃基板的鍍膜。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型能夠保護(hù)氧化銦錫導(dǎo)電膜刻蝕線路，不受制作過程工藝中的酸溶液的蝕刻，避免在制作過程中蝕刻掉不應(yīng)該刻蝕的部位，在制作過程中使氧化銦錫導(dǎo)電膜刻蝕線路達(dá)到設(shè)計(jì)要求，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護(hù)和消影作用，并且能夠完全代替現(xiàn)有的傳統(tǒng)導(dǎo)電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導(dǎo)電玻璃。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明：

圖1是，總裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1中：玻璃基板1、錫面2、ITO膜3、透明層4。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明：

如圖所示，玻璃基板1的兩個(gè)表面均為錫面2，在玻璃基板1上表面的錫面2上方設(shè)置ITO膜3，在玻璃基板1下表面的錫面2下方設(shè)置透明層4，所述透明層4下方設(shè)置ITO膜3。

所述透明層4采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅。