本發(fā)明屬于閃存技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

隨著互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)硬盤(pán)作為新的一代存儲(chǔ)，被廣泛應(yīng)用。我們通常所說(shuō)的固態(tài)硬盤(pán)就是基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)（SSD），其采用閃存芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì)。固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的基本組成結(jié)構(gòu)包括閃存顆粒和閃存控制器，閃存控制器中有芯片，負(fù)責(zé)閃存的讀寫(xiě)、磨損均衡、壽命監(jiān)控等等。NAND是目前閃存顆粒用的技術(shù)，SSD里面的存儲(chǔ)顆粒就是一顆顆NAND Flash（NAND閃存）。目前生產(chǎn)NAND顆粒的廠商很多，制作工藝存在差異性，不同廠商生產(chǎn)出來(lái)的同樣用于企業(yè)級(jí)或消費(fèi)級(jí)的顆粒質(zhì)量也存在差異性，主要是PE性能（可寫(xiě)、可擦除的次數(shù)）、讀寫(xiě)擦操作的時(shí)序不一致。而同一廠商正常生產(chǎn)出來(lái)的不同顆粒質(zhì)量不同，會(huì)篩選出用于企業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)的。

目前，NAND顆粒類(lèi)型和和閃存控制器程序的耦合性較高，因?yàn)檫m用的Fireware程序中通道信息都是固定好的，這導(dǎo)致在更換NAND顆粒時(shí)，需要修改相應(yīng)的閃存控制器程序，從而引入非必要的工作量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

下面對(duì)本發(fā)明中出現(xiàn)的名詞作以下解釋?zhuān)?/p>

固態(tài)硬盤(pán)：英文全稱(chēng)Solid State Drives，簡(jiǎn)稱(chēng)SSD，用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤(pán)，由控制單元和存儲(chǔ)單元（FLASH芯片或DRAM芯片）組成，控制單元主要包括特定型號(hào)固態(tài)硬盤(pán)中的固件程序，閃存轉(zhuǎn)換層和閃存控制器等控制模塊，存儲(chǔ)單元主要是由半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的閃存存儲(chǔ)顆粒（NAND顆粒）。

閃存通道控制器：英文全稱(chēng)Flash Channel Controller，簡(jiǎn)稱(chēng)FCC，每個(gè)通道對(duì)應(yīng)一個(gè)閃存通道控制器，其基于閃存獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特性，設(shè)計(jì)固態(tài)硬盤(pán)時(shí)采用多個(gè)FCC并行技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)多通道數(shù)據(jù)的并發(fā)讀寫(xiě)操作，因此有效地提高了固體盤(pán)整體的讀寫(xiě)性能。

引導(dǎo)加載程序：英文全稱(chēng)：Boot Loader，其會(huì)引導(dǎo)操作系統(tǒng)。當(dāng)機(jī)器引導(dǎo)它的操作系統(tǒng)時(shí)，基本輸入輸出系統(tǒng)（Basic Input Output System，簡(jiǎn)稱(chēng)BIOS）會(huì)讀取引導(dǎo)介質(zhì)上最前面的512字節(jié)（即人們所知的主引導(dǎo)記錄（Master Boot Record，簡(jiǎn)稱(chēng)MBR））。在單一的MBR中只能存儲(chǔ)一個(gè)操作系統(tǒng)的引導(dǎo)記錄，所以當(dāng)需要多個(gè)操作系統(tǒng)時(shí)就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。所以需要更靈活的引導(dǎo)加載程序。引導(dǎo)加載程序通常配置為兩種方式的其中之一：要么是作為主引導(dǎo)加載程序（Primary Boot Loader，簡(jiǎn)稱(chēng)PBL），要么是作為二級(jí)引導(dǎo)加載程序（Secondary Boot Loader,簡(jiǎn)稱(chēng)SBL）。主引導(dǎo)程序是安裝在MBR上的第一階段引導(dǎo)加載程序。二級(jí)引導(dǎo)加載程序是安裝在可引導(dǎo)分區(qū)的第一階段引導(dǎo)加載程序。必須在MBR上安裝單獨(dú)的引導(dǎo)加載程序，并配置它將控制權(quán)轉(zhuǎn)交給二級(jí)引導(dǎo)加載程序?，F(xiàn)在兩個(gè)引導(dǎo)加載程序：LILO和GRUB。

帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器：英文全稱(chēng)：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，簡(jiǎn)稱(chēng)EEPROM，是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。EEPROM可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般為即插即用。

邏輯單元：英文全稱(chēng)Logical Unit Number，簡(jiǎn)稱(chēng)LUN，是NAND芯片中可以獨(dú)立地執(zhí)行命令的最小單位，一個(gè)NAND芯片中有一個(gè)或多個(gè)LUN。

針對(duì)以上技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)方法及系統(tǒng)，避免了更換NAND顆粒時(shí)修改控制器程序的麻煩。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明提供一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)方法，包括：

根據(jù)待更換的NAND顆粒類(lèi)型，獲取需要配置的通道信息和時(shí)序信息；

SBL將NAND顆粒的微碼加載到FCC中；

FCC配置NAND顆粒的通道信息和時(shí)序。

優(yōu)選地，在SBL將NAND顆粒的微碼加載到FCC中之前，還包括：PBL將NAND顆粒的微碼從EEPROM導(dǎo)入SBL。

優(yōu)選地，在FCC配置NAND顆粒的通道信息和時(shí)序之后，還包括：軟件復(fù)位并初始化固態(tài)硬盤(pán)。

優(yōu)選地，所述通道信息包括NAND顆粒的物理頁(yè)大小、物理頁(yè)數(shù)目、邏輯單元的數(shù)目。

本發(fā)明還提供一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)系統(tǒng)，包括EEPROM，PBL，SBL，F(xiàn)CC，所述EEPROM依次連接PBL、SBL和FCC，所述EEPROM中存有NAND顆粒的微碼；所述PBL將EEPROM中的NAND顆粒的微碼導(dǎo)入SBL；所述SBL將NAND顆粒的微碼加載到FCC中；所述FCC配置NAND顆粒的通道信息和時(shí)序。

優(yōu)選地，所述通道信息包括NAND顆粒的物理頁(yè)大小、物理頁(yè)數(shù)目、邏輯單元的數(shù)目。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果如下：

本發(fā)明通過(guò)將NAND顆粒的微碼提前存入到EEPROM，SBL只需要將微碼加載到FCC中，再由FCC中配置NAND顆粒的通道信息和時(shí)序，降低了控制器程序和NAND顆粒類(lèi)型的耦合性，避免了更換NAND顆粒時(shí)修改控制器程序的麻煩，極大地節(jié)約了時(shí)間和成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)方法的流程示意圖之一。

圖2為本發(fā)明一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)方法的流程示意圖之二。

圖3為本發(fā)明一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)方法及系統(tǒng)作進(jìn)一步地說(shuō)明：

實(shí)施例1

如圖1所示，一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)方法，包括以下步驟：

步驟S101，根據(jù)待更換的NAND顆粒類(lèi)型，獲取需要配置的通道信息和時(shí)序信息；

步驟S102，SBL將NAND顆粒的微碼加載到FCC中；

步驟S103，F(xiàn)CC配置NAND顆粒的通道信息和時(shí)序；

步驟S104，軟件復(fù)位并初始化固態(tài)硬盤(pán)。

上述步驟S101中的通道信息包括NAND顆粒的物理頁(yè)大小、物理頁(yè)數(shù)目、邏輯單元的數(shù)目。

上述步驟S103中時(shí)序是指NAND顆粒的主要操作“讀寫(xiě)擦”的順序。

作為一種實(shí)施方式，微碼可以包括ALE，CLE，REN，WEN，DQS，CEN，REV。

實(shí)施例2

如圖2所示，一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)方法，包括以下步驟：

步驟S201，根據(jù)待更換的NAND顆粒類(lèi)型，獲取需要配置的通道信息和時(shí)序信息；

步驟S202，PBL將NAND顆粒的微碼從EEPROM導(dǎo)入SBL；

步驟S203，SBL將NAND顆粒的微碼加載到FCC中；

步驟S204，F(xiàn)CC配置NAND顆粒的通道信息和時(shí)序；

步驟S205，軟件復(fù)位并初始化固態(tài)硬盤(pán)。

上述步驟S201中的通道信息包括NAND顆粒的物理頁(yè)大小、物理頁(yè)數(shù)目、邏輯單元的數(shù)目。

上述步驟S204中時(shí)序是指NAND顆粒的主要操作“讀寫(xiě)擦”的順序。

作為一種實(shí)施方式，微碼可以包括ALE，CLE，REN，WEN，DQS，CEN，REV。

實(shí)施例3

如圖3所示，一種固態(tài)硬盤(pán)微碼的設(shè)計(jì)系統(tǒng)，其特征在于，包括EEPROM，PBL，SBL，F(xiàn)CC，所述EEPROM依次連接PBL、SBL和FCC，所述EEPROM中存有NAND顆粒的微碼；所述PBL將EEPROM中的NAND顆粒的微碼導(dǎo)入SBL；所述SBL將NAND顆粒的微碼加載到FCC中，所述FCC配置NAND顆粒的通道信息和時(shí)序；所述通道信息包括NAND顆粒的物理頁(yè)大小、物理頁(yè)數(shù)目、邏輯單元的數(shù)目；所述微碼可以包括ALE，CLE，REN，WEN，DQS，CEN，REV。

以上所述僅為本發(fā)明示意性的具體實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明構(gòu)思和原則的前提下所做出的等同變化與修改，均應(yīng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。