本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種觸控顯示模組、其制作方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，大部分觸控顯示產(chǎn)品在觸控模組和顯示面板貼合后，在觸控區(qū)域和邊框區(qū)域會(huì)出現(xiàn)明顯的色差，為了提高視覺效果，需要盡可能的減小觸控區(qū)域和邊框區(qū)域的色差，達(dá)到一體黑的效果。針對(duì)一體化(OGS，One Glass Solution)觸控模組，現(xiàn)有的一種方案是改變邊框區(qū)域的黑矩陣材料，但是效果并不理想。

可見，現(xiàn)有技術(shù)中存在一體黑效果差的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種觸控顯示模組、其制作方法及顯示裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的一體黑效果差的問題。

本發(fā)明實(shí)施例的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種觸控顯示模組，包括顯示面板和貼附在所述顯示面板上的觸控顯示模組；該觸控模組分為具有觸控電極的觸控區(qū)域和具有黑矩陣的邊框區(qū)域，該觸控模組包括襯底基板，在所述襯底基板靠近所述顯示面板的一側(cè)，包括第一消影層和第二消影層；其中：

所述第一消影層位于所述觸控電極和所述襯底基板之間；所述第二消影層位于所述觸控電極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；

所述第二消影層的厚度大于所述第一消影層的厚度，且所述第一消影層的厚度與所述第二消影層的厚度滿足條件：在暗態(tài)顯示模式下，所述觸控區(qū)域和所述邊框區(qū)域的色差小于預(yù)設(shè)值。

較佳地，在暗態(tài)顯示模式下，所述觸控區(qū)域和所述邊框區(qū)域在Lab色彩模式下的色差ΔE小于1。

較佳地，所述第一消影層為最靠近所述襯底基板的膜層。

較佳地，所述觸控電極包括完整的第一觸控電極和與所述第一觸控電極絕緣設(shè)置的具有多個(gè)子電極的第二觸控電極；

所述觸控模組還包括：具有橋點(diǎn)圖案的導(dǎo)電層，其中，所述導(dǎo)電層中的橋點(diǎn)圖案用于連接所述第二觸控電極的子電極；以及位于所述導(dǎo)電層與所述第一觸控電極之間且露出橋點(diǎn)的兩端的第一絕緣層。

較佳地，在所述邊框區(qū)域還包括與所述觸控電極電連接的柔性線路板FPC連接部；

所述第二消影層暴露出所述FPC連接部所在區(qū)域。

較佳地，所述觸控模組還包括位于所述第二消影層與所述觸控電極、所述第一絕緣層和所述黑矩陣之間的第二絕緣層。

較佳地，所述第一消影層為五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層組成的復(fù)合膜層。

較佳地，所述第二消影層為五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層組成的復(fù)合膜層；或者，所述第二消影層為氮氧化硅膜層。

較佳地，所述觸控電極和所述導(dǎo)電層的材料為氧化銦錫ITO。

較佳地，所述觸控電極的厚度為時(shí)，所述第一消影層中的五氧化二鈮膜層的厚度范圍是二氧化硅膜層的厚度范圍是所述第二消影層中的五氧化二鈮膜層的厚度范圍是二氧化硅膜層的厚度范圍是所述第二消影層中的氮氧化硅膜層的厚度范圍是

較佳地，所述第一消影層中的五氧化二鈮膜層的厚度是二氧化硅膜層的厚度是所述第二消影層中的氮氧化硅膜層的厚度是

較佳地，所述第一消影層中的五氧化二鈮膜層的厚度是二氧化硅膜層的厚度是所述第二消影層中的五氧化二膜層的厚度是二氧化硅膜層的厚度是

一種如以上任一項(xiàng)所述的觸控顯示模組的制作方法，該方法包括：

在襯底基板上形成第一消影層；

在所述襯底基板形成有所述第一消影層的一側(cè)形成觸控電極；

在所述襯底基板形成有所述觸控電極的一側(cè)形成第二消影層，以形成觸控模組；

將所述襯底基板形成有所述第一消影層和所述第二消影層的一側(cè)貼附在顯示面板上；

其中：所述第二消影層的厚度大于所述第一消影層的厚度，且所述第一消影層的厚度與所述第二消影層的厚度滿足條件：在暗態(tài)顯示模式下，所述觸控區(qū)域和所述邊框區(qū)域的色差小于預(yù)設(shè)值。

較佳地，在所述襯底基板形成有所述第一消影層的一側(cè)形成觸控電極之后，在所述襯底基板形成有所述觸控電極的一側(cè)形成第二消影層之前，該方法還包括：

在所述邊框區(qū)域形成與所述觸控電極電連接的柔性線路板FPC連接部；

在所述襯底基板形成有所述觸控電極的一側(cè)形成第二消影層，包括：

利用掩膜版遮擋所述FPC連接部所在區(qū)域，在所述襯底基板形成有所述觸控電極的一側(cè)形成第二消影層；或者，在所述襯底基板形成有所述觸控電極的一側(cè)形成一整層第二消影層薄膜之后，利用刻蝕膏去除覆蓋所述FPC連接部所在區(qū)域的第二消影層薄膜，以形成所述第二消影層。

一種顯示裝置，包括如以上任一項(xiàng)所述的觸控顯示模組。

本發(fā)明實(shí)施例的有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示模組、其制作方法及顯示裝置中，在觸控顯示模組中設(shè)置有第一消影層和第二消影層，第二消影層不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控電極的消影，并且該第二消影層在第一消影層的配合下，還可以使得在暗態(tài)顯示模式下觸控區(qū)域與邊框區(qū)域的色差非常小，與現(xiàn)有技術(shù)相比，大大降低了觸控區(qū)域與邊框區(qū)域的色差，提高了一體黑效果。另外，第二消影層還可以起到對(duì)觸控模組的保護(hù)作用，降低在制作工藝中的刮傷不良率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控模組的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控模組的制作方法流程圖；

圖3a～圖3g為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控模組的制作過程中的每個(gè)步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3f’為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作FPC連接部時(shí)的部分結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

具體實(shí)施方式

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種，包括顯示面板和貼附在顯示面板上的觸控模組；該觸控模組分為具有觸控電極的觸控區(qū)域和具有黑矩陣的邊框區(qū)域，該觸控模組包括襯底基板，在襯底基板靠近顯示面板的一側(cè)，包括第一消影層和第二消影層；其中：

第一消影層位于觸控電極和襯底基板之間；第二消影層位于觸控電極遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)；

第二消影層的厚度大于第一消影層的厚度，且第一消影層的厚度與第二消影層的厚度滿足條件：在暗態(tài)顯示模式下，觸控區(qū)域和邊框區(qū)域的色差小于預(yù)設(shè)值。

其中，第二消影層可以使得觸控電極所在區(qū)域的光學(xué)折射率等于其它區(qū)域的光學(xué)折射率；一般，在制作工藝中，觸控電極所在區(qū)域的光學(xué)折射率與其它區(qū)域的光學(xué)折射率無限接近，即誤差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，都認(rèn)為觸控電極所在區(qū)域的光學(xué)折射率與其它區(qū)域的光學(xué)折射率相等。這樣，可以達(dá)到對(duì)觸控電極進(jìn)行消影的目的。

其中，由于第二消影層還要對(duì)觸控電極進(jìn)行消影，因而第二消影層的厚度要比第一消影層厚。本發(fā)明實(shí)施例中，第一消影層和第二消影層在預(yù)定厚度下，能夠使得在暗態(tài)顯示模式下，觸控區(qū)域和邊框區(qū)域的色差小于預(yù)設(shè)值，該預(yù)設(shè)值為達(dá)到所需一體黑效果的最大色差值。例如，觸控區(qū)域和邊框區(qū)域在Lab色彩模式下的色差ΔE小于1時(shí)，給觀看者的視覺感受就是兩個(gè)區(qū)域的顏色一致，本發(fā)明的方案就可以實(shí)現(xiàn)色差ΔE小于1；其中，在Lab色彩模式中，L表示亮度值，a表示紅綠色值，b表示黃藍(lán)色值，兩個(gè)顏色的色差其中，ΔL表示兩個(gè)顏色的亮度值的差值，Δa表示兩個(gè)顏色的紅綠色值的差值，Δb表示兩個(gè)顏色的黃藍(lán)色值的差值。

本發(fā)明實(shí)施例中，在觸控顯示模組中設(shè)置有第一消影層和第二消影層，第二消影層不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控電極的消影，并且該第二消影層在第一消影層的配合下，還可以使得在暗態(tài)顯示模式下觸控區(qū)域與邊框區(qū)域的色差非常小，與現(xiàn)有技術(shù)相比，大大降低了觸控區(qū)域與邊框區(qū)域的色差，提高了一體黑效果。另外，第二消影層還可以起到對(duì)觸控模組的保護(hù)作用，降低在制作工藝中的刮傷不良率。

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的方案進(jìn)行更詳細(xì)地說明。

具體實(shí)施時(shí)，在一種可能的觸控顯示模組中，觸控模組的具體結(jié)構(gòu)如圖1所示，該觸控模組分為具有觸控電極001的觸控區(qū)域和具有黑矩陣002的邊框區(qū)域，該觸控模組包括襯底基板003，在襯底基板003靠近顯示面板的一側(cè)，在觸控區(qū)域和邊框區(qū)域包括第一消影層004和第二消影層005；其中：

第一消影層004位于觸控電極001和襯底基板003之間；第二消影層位于觸控電極遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)；

第二消影層005的厚度大于第一消影層004的厚度，且第一消影層004的厚度與第二消影層005的厚度滿足條件：在暗態(tài)顯示模式下，觸控區(qū)域和邊框區(qū)域在Lab色彩模式下的色差ΔE小于1。

具體實(shí)施時(shí)，第一消影層的膜層位置對(duì)一體黑效果有一定的影響，為了進(jìn)一步提高一體黑效果，具體實(shí)施時(shí)，較佳地，如圖1所示，第一消影層004為最靠近襯底基板003的膜層。本實(shí)施例中，第一消影層為最靠近襯底基板的膜層，第二消影層為最遠(yuǎn)離襯底基板的膜層，能夠達(dá)到較佳的一體黑效果。

一般，觸控顯示模組中包括分別沿行方向和列方向設(shè)置的觸控電極，其中一個(gè)作為驅(qū)動(dòng)電極，另一個(gè)作為感應(yīng)電極。在一種可能的實(shí)施例中，沿行方向設(shè)置的觸控電極和沿列方向設(shè)置的觸控電極都是一條完整的電極。在另一種可能的實(shí)施例中，其中一個(gè)方向的為一條完整的電極，另一個(gè)方向分為多個(gè)子電極。如圖1所示的觸控電極001包括完整的第一觸控電極001a和與第一觸控電極絕緣設(shè)置的具有多個(gè)子電極的第二觸控電極001b；該觸控模組還包括：具有橋點(diǎn)圖案的導(dǎo)電層006，其中，導(dǎo)電層006中的橋點(diǎn)圖案用于連接第二觸控電極001b的子電極；以及位于導(dǎo)電層006與第一觸控電極001a之間且露出橋點(diǎn)的兩端的第一絕緣層007。第一絕緣層007主要起到對(duì)第一觸控電極和第二觸控電極絕緣的作用，導(dǎo)電層中的橋點(diǎn)的兩端無第一絕緣層覆蓋，以保證第二觸控電極001b的子電極能夠與橋點(diǎn)的兩端進(jìn)行電連接。較佳地，如圖1所示，第一絕緣層007還位于黑矩陣002所在區(qū)域，這樣可以起到抗靜電的作用。

由于觸控電極需要與柔性線路板(Flexible Printed Circuit，F(xiàn)PC)連接，具體實(shí)施時(shí)，較佳地，如圖1所示，在邊框區(qū)域還包括與觸控電極電連接的FPC連接部008；第二消影層005暴露出FPC連接部008所在區(qū)域。本實(shí)施例中，在FPC連接部所在區(qū)域沒有第二消影層的遮擋以確保電性。

具體實(shí)施時(shí)，較佳地，如圖1所示的觸控顯示模組還包括位于第二消影層005與觸控電極001、第一絕緣層007和黑矩陣002之間的第二絕緣層009。

具體實(shí)施時(shí)，較佳地，第一消影層為五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層組成的復(fù)合膜層。

具體實(shí)施時(shí)，較佳地，第二消影層為五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層組成的復(fù)合膜層；或者，第二消影層為氮氧化硅膜層。

具體實(shí)施時(shí)，較佳地，觸控電極和導(dǎo)電層的材料為氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)?；诖?，為了達(dá)到較好的一體黑效果，觸控電極的厚度為時(shí)，第一消影層中的五氧化二鈮膜層的厚度范圍是二氧化硅膜層的厚度范圍是第二消影層中的五氧化二鈮膜層的厚度范圍是二氧化硅膜層的厚度范圍是第二消影層中的氮氧化硅膜層的厚度范圍是

為了進(jìn)一步達(dá)到較好的一體黑效果，較佳地，第一消影層中的五氧化二鈮膜層的厚度是二氧化硅膜層的厚度是第二消影層中的氮氧化硅膜層的厚度是

為了進(jìn)一步達(dá)到較好的一體黑效果，較佳地，第一消影層中的五氧化二鈮膜層的厚度是二氧化硅膜層的厚度是第二消影層中的五氧化二膜層的厚度是二氧化硅膜層的厚度是

以上僅是以的ITO觸控電極為例，列舉的較好的一體黑效果的厚度參數(shù)。具體實(shí)施時(shí)，如果ITO觸控電極為其它的厚度，可以根據(jù)觸控電極的厚度，確定需要的達(dá)到消影的第二消影層的厚度，再確定第一消影層的厚度，進(jìn)而使得第一消影層的厚度與第二消影層的厚度滿足條件：觸控區(qū)域和邊框區(qū)域在Lab色彩模式下的色差ΔE小于1。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種如以上任意實(shí)施例的觸控顯示模組的制作方法，如圖2所示，該方法至少包括如下步驟：

步驟210、在襯底基板上形成第一消影層；

步驟220、在襯底基板形成有第一消影層的一側(cè)形成觸控電極；

步驟230、在襯底基板形成有觸控電極的一側(cè)形成第二消影層，以形成觸控模組；

步驟240、將襯底基板形成有第一消影層和第二消影層的一側(cè)貼附在顯示面板上；其中，第二消影層的厚度大于第一消影層的厚度，且第一消影層的厚度與第二消影層的厚度滿足條件：在暗態(tài)顯示模式下，觸控區(qū)域和邊框區(qū)域的色差小于預(yù)設(shè)值。

其中，第二消影層可以使得觸控電極所在區(qū)域的光學(xué)折射率等于其它區(qū)域的光學(xué)折射率；一般，在制作工藝中，觸控電極所在區(qū)域的光學(xué)折射率與其它區(qū)域的光學(xué)折射率無限接近，即誤差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，都認(rèn)為觸控電極所在區(qū)域的光學(xué)折射率與其它區(qū)域的光學(xué)折射率相等。這樣，可以達(dá)到對(duì)觸控電極進(jìn)行消影的目的。

其中，由于第二消影層還要對(duì)觸控電極進(jìn)行消影，因而第二消影層的厚度要比第一消影層厚。本發(fā)明實(shí)施例中，第一消影層和第二消影層在預(yù)定厚度下，能夠使得在暗態(tài)顯示模式下，觸控區(qū)域和邊框區(qū)域的色差小于預(yù)設(shè)值，該預(yù)設(shè)值為達(dá)到所需一體黑效果的最大色差值。例如，觸控區(qū)域和邊框區(qū)域在Lab色彩模式下的色差ΔE小于1時(shí)，給觀看者的視覺感受就是兩個(gè)區(qū)域的顏色一致，本發(fā)明的方案可以實(shí)現(xiàn)色差ΔE小于1；其中，在Lab色彩模式中，L表示亮度值，a表示紅綠色值，b表示黃藍(lán)色值；兩個(gè)顏色的色差其中，ΔL表示兩個(gè)顏色的亮度值的差值，Δa表示兩個(gè)顏色的紅綠色值的差值，Δb表示兩個(gè)顏色的黃藍(lán)色值的差值。

本發(fā)明實(shí)施例中，在觸控顯示模組中設(shè)置有第一消影層和第二消影層，第二消影層不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控電極的消影，并且該第二消影層在第一消影層的配合下，還可以使得在暗態(tài)顯示模式下觸控區(qū)域與邊框區(qū)域的色差非常小，與現(xiàn)有技術(shù)相比，大大降低了觸控區(qū)域與邊框區(qū)域的色差，提高了一體黑效果。另外，第二消影層還可以起到對(duì)觸控模組的保護(hù)作用，降低在制作工藝中的刮傷不良率。

具體實(shí)施例時(shí)，較佳地，在襯底基板形成有第一消影層的一側(cè)形成觸控電極之后，在襯底基板形成有觸控電極的一側(cè)形成第二消影層之前，本發(fā)明實(shí)施例提供的制作方法還包括：在邊框區(qū)域形成與觸控電極電連接的FPC連接部。相應(yīng)的，在襯底基板形成有觸控電極的一側(cè)形成第二消影層，包括：

利用掩膜版遮擋FPC連接部所在區(qū)域，在襯底基板形成有觸控電極的一側(cè)形成第二消影層；或者，在襯底基板形成有觸控電極的一側(cè)形成一整層第二消影層薄膜之后，利用刻蝕膏去除覆蓋FPC連接部所在區(qū)域的第二消影層薄膜，以形成第二消影層。

本實(shí)施例中，在FPC連接部沒有覆蓋第二消影層，不會(huì)影響其電性。

下面以觸控電極為的ITO為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示模組的制作方法進(jìn)行更加詳細(xì)地說明。

本實(shí)施例中的觸控模組為OGS觸控模組，該觸控模組的具體的制作步驟如下：

步驟一、如圖3a所示，在襯底基板003上形成第一消影層004。

其中，襯底基板003為玻璃基板。

該步驟中的第一消影層004包括依次層疊的五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層，且厚度分別為和

該步驟中，第一消影層是濺鍍(Sputter)工藝形成的，穩(wěn)定性更好。

步驟二、如圖3b所示，在襯底基板003形成有第一消影層004的一側(cè)的邊框區(qū)域形成黑矩陣002。

該步驟中，具體的，可以先在第一消影層上覆蓋一整層的黑矩陣，然后經(jīng)過光刻蝕工藝，僅保留邊框區(qū)域的黑矩陣。

步驟三、如圖3c所示，在襯底基板003形成有黑矩陣002的一側(cè)形成具有橋點(diǎn)圖案的導(dǎo)電層006。

步驟四、如圖3d所示，在襯底基板003形成有導(dǎo)電層006的一側(cè)形成第一絕緣層007，該第一絕緣層007位于黑矩陣002和導(dǎo)電層006上且露出橋點(diǎn)的兩端。

步驟五、如圖3e所示，在襯底基板003形成有第一絕緣層007的的一側(cè)形成第一觸控電極001a和第二觸控電極001b，該第二觸控電極001b的子電極通過橋點(diǎn)電連接。

步驟六、如圖3f所示，在襯底基板003形成有第一觸控電極001a和第二觸控電極001b的一側(cè)形成與各第一觸控電極001a和第二觸控電極001b電連接的FPC連接部008，可參見如圖3f’所示的部分結(jié)構(gòu)的俯視圖。

步驟七、如圖3g所示，在襯底基板003形成有FPC連接部008的一側(cè)形成覆蓋黑矩陣002、第一觸控電極001a、第二觸控電極001b和第一絕緣層007的第二絕緣層009。

從圖3g中可以看出，F(xiàn)PC連接部008沒有被第二絕緣層009覆蓋，而是暴露出來，以保證其電性，另外，在具體實(shí)施時(shí)，一些粗的接地(Ground，GND)線(圖中未示出)的最大塊會(huì)暴露出來。

步驟八、利用掩膜版遮擋住FPC連接部008所在區(qū)域/或整面Sputter后采用刻蝕膏刻蝕的方式，在襯底基板003形成有第二絕緣層009的一側(cè)形成第二消影層005。該步驟中得到的結(jié)構(gòu)可以參見圖1。

該步驟中，第二消影層為氮氧化硅膜層且厚度是或者，第二消影層為依次層疊的五氧化二膜層和二氧化硅膜層，且厚度分別為和

該步驟中，第二消影層是采用Sputter技術(shù)形成的，穩(wěn)定性更好。

按照以上步驟制作得到的觸控模組后，將上述襯底基板003形成有第一消影層和第二消影層的一側(cè)全貼合在顯示面板上，即制作得到觸控顯示模組。本實(shí)施例的制作方法得到的觸控顯示模組，能夠?qū)崿F(xiàn)在暗態(tài)顯示模式下，觸控區(qū)域和邊框區(qū)域在Lab色彩模式下的色差ΔE小于1，一體黑效果大大提高了。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如以上任意實(shí)施例的觸控顯示模組。

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示模組、其制作方法及顯示裝置中，在觸控顯示模組中設(shè)置有第一消影層和第二消影層，第二消影層不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)觸控電極的消影，并且該第二消影層在第一消影層的配合下，還可以使得在暗態(tài)顯示模式下觸控區(qū)域與邊框區(qū)域的色差非常小，與現(xiàn)有技術(shù)相比，大大降低了觸控區(qū)域與邊框區(qū)域的色差，提高了一體黑效果。另外，第二消影層還可以起到對(duì)觸控模組的保護(hù)作用，降低在制作工藝中的刮傷不良率。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。