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觸摸屏的功能片及觸摸屏的制作方法

文檔序號:6549577閱讀:613來源:國知局
觸摸屏的功能片及觸摸屏的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種觸摸屏的功能片,包括一基板及形成于該基板至少一面上的至少一電極走線層,該電極走線層包括有電極區(qū)域和無電極區(qū)域,在每一電極走線層遠離基板的表面形成一層光學薄膜,該光學薄膜的折射率大于基板的折射率,且小于電極走線層的有電極區(qū)域的折射率。本發(fā)明的觸摸屏的功能片及觸摸屏,在電極走線層的表面形成光學薄膜,平衡了有電極區(qū)域對應的光學薄膜上的反射率與無電極區(qū)域對應的光學薄膜上的反射率,使兩者接近,從而消除了電極底影,提供優(yōu)質的視覺效果,進而提高產品性能。
【專利說明】觸摸屏的功能片及觸摸屏

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及觸摸屏【技術領域】,尤其涉及一種觸摸屏的功能片及觸摸屏。

【背景技術】
[0002] 觸摸屏(Touch panel)作為一種最新的電腦輸入設備,它是目前最簡單、方便、自 然的一種人機交互方式,廣泛應用于手機、平板顯示、車載導航、工業(yè)控制、多媒體教學等多 個方面。觸摸屏的核心部件是功能片(Sensor),通過一系列的光刻、鍍膜工藝形成。目前 觸摸屏的功能片具有單個或多個電極走線層,每一電極走線層包括有電極區(qū)域和無電極區(qū) 域,由于有電極區(qū)域和無電極區(qū)域的反射率不相同,使得反射模式下能夠看到電極底影,影 響視覺效果及產品性能。
[0003] 請參閱圖1所示,為現(xiàn)有的觸摸屏的功能片的電極走線層有電極區(qū)域光路圖,以 具有單層電極走線層的功能片進行說明。電極走線層上下表面反射系數(shù)=1^+、 Γ(Ι2+,另,% 為空氣的折射率,^為電極走線層有電極區(qū)域的折射率,η2為基板的折射率,屯為電極走線 層的有電極區(qū)域的厚度。
[0004] (a)由菲涅爾公式反射系數(shù), r〇i+= (no-n!) / (Πο+η!) ①, r〇2+= 0^-?) / 0^+?) ②, 有電極區(qū)域上表面反射光的振幅為各反射光束的振幅疊加,由光學計算可得有電極區(qū) 域上的總反射率:

【權利要求】
1. 一種觸摸屏的功能片,包括一基板及形成于該基板至少一面上的至少一電極走線 層,該電極走線層包括有電極區(qū)域和無電極區(qū)域,其特征在于,在每一電極走線層遠離基板 的表面形成一層光學薄膜,該光學薄膜的折射率大于基板的折射率,且小于電極走線層的 有電極區(qū)域的折射率。
2. 根據權利要求1所述的觸摸屏的功能片,其特征在于,每一光學薄膜的厚度包括無 電極區(qū)域上對應的光學薄膜的厚度4及有電極區(qū)域上對應的光學薄膜的厚度dfdi,滿足 以下條件:
其中,r/: (n0-n3) / (n0+n3),r2+= (nfn) / (r^+n),r3+= (n3-n2) / (n3+n2),5 尸4 π n3 (d2-屯) /λ, 5 2=4 π n3d2/ λ, 其中,1?為空氣的折射率,ni為電極走線層有電極區(qū)域的折射率,n2為基板的折射率, 113為光學薄膜的折射率,λ為入射光線波長,屯為任一電極走線層的有電極區(qū)域的厚度,d2 為前述電極走線層的無電極區(qū)域上對應的光學薄膜的厚度,為前述電極走線層的有電 極區(qū)域上對應的光學薄膜的厚度。
3. 根據權利要求1所述的觸摸屏的功能片,其特征在于,所述光學薄膜的材質為二氧 化硅、二氧化鈦或二者的混合物。
4. 根據權利要求1所述的觸摸屏的功能片,其特征在于,所述基板的材質為玻璃、聚對 苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、或環(huán)烯烴 聚合物。
5. 根據權利要求1所述的觸摸屏的功能片,其特征在于,所述光學薄膜通過移印工藝 形成于所述電極走線層表面。
6. 根據權利要求1所述的觸摸屏的功能片,其特征在于,所述基板的一面形成一層電 極走線層,所述光學薄膜形成于該電極走線層的外表面。
7. 根據權利要求1所述的觸摸屏的功能片,其特征在于,所述基板的兩面分別形成一 電極走線層,所述光學薄膜分別形成于該兩電極走線層的外表面。
8. 根據權利要求1所述的觸摸屏的功能片,其特征在于,所述基板的一面形成多層電 極走線層,所述光學薄膜分別形成于每一電極走線層的遠離基板的一面。
9. 一種觸摸屏,其特征在于,該觸摸屏包括如權利要求1-8中任一項所述的觸摸屏的 功能片。
【文檔編號】G06F3/041GK104090675SQ201410264073
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月16日 優(yōu)先權日:2014年6月16日
【發(fā)明者】李巖, 黃丹, 劉剛, 李建華 申請人:信利半導體有限公司
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