一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明所提供的一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法及系統(tǒng)，所述方法包括步驟：當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進行存儲，在RAM中再對其進行解壓和解密處理，之后在RAM中運行解壓和解密后的數(shù)據(jù)；當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將RAM中運行后的數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進行存儲。由于對數(shù)據(jù)采用了壓縮算法，數(shù)據(jù)量在Flash中存儲量極大提升，同時也提高了數(shù)據(jù)的下載、上載速度。同時數(shù)據(jù)只在RAM中運行并只在掉電時存儲數(shù)據(jù)到FLASH，從而減少了FLASH擦寫次數(shù)，延長了FLASH的使用壽命。
【專利說明】—種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法及系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及的是一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場上的PLC(Programmable Logic Controller,即可編程邏輯控制器,是一種數(shù)字運算操作的電子系統(tǒng)，專為在工業(yè)環(huán)境應(yīng)用而設(shè)計的控制器)為了達到更大的存儲容量和更長的掉電保持時間，一般采用大電容存儲更多能量來延長掉電保持時間，以及采用讀寫速度更快的NAND FLASH.MMC (MultiMedia Card，即多媒體卡)存儲卡等大容量存儲器來達到較大存儲量。還有部分PLC采用RAM和電池供電的方式來保持數(shù)據(jù)。在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)采用MMC卡時會隨著產(chǎn)品老化而導(dǎo)致卡槽接觸不良問題，從而影響PLC的穩(wěn)定性。而當(dāng)采用NAND FLASH或者電池供電的RAM時，雖然PLC運算速度極快，而且容量大，但其導(dǎo)致生產(chǎn)成本極高。
[0003]因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進和發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法及系統(tǒng)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中PLC掉電保持時間短與存儲數(shù)據(jù)量大之間相互矛盾的問題。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，所述方法包括步驟:
A、當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進行存儲，在RAM中再對其進行解壓和解密處理，之后在RAM中運行解壓和解密后的數(shù)據(jù)；
B、當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將RAM中運行后的數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進行存儲。
[0006]所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其中，所述步驟A具體包括:
Al、當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理后，得到待運行數(shù)據(jù)的壓縮包，并將其復(fù)制到RAM中進行存儲；
A2、對復(fù)制到RAM中進行存儲的所述待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包進行數(shù)據(jù)解壓處理，將其解壓為解壓數(shù)據(jù)；
A3、對RAM中的解壓數(shù)據(jù)進行解密處理，將其解析為可運行的數(shù)據(jù)，其中所述可運行的數(shù)據(jù)為從不可運行的加密數(shù)據(jù)經(jīng)解密算法解密后得到的可在RAM中運行的數(shù)據(jù)；
A4、對RAM中的可運行數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)驗證處理，當(dāng)通過驗證，則在RAM中運行所述可運行數(shù)據(jù)，當(dāng)未通過驗證，則不運行所述可運行數(shù)據(jù)。
[0007]所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其中，所述步驟B具體包括:
B1、當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將在RAM中運行后得到的數(shù)據(jù)進行加密處理，得到加密數(shù)據(jù)； B2、對RAM中的所述加密數(shù)據(jù)進行壓縮處理，得到壓縮數(shù)據(jù)；
B3、將RAM中的所述壓縮數(shù)據(jù)復(fù)制到Flash中進行存儲。
[0008]所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其中，所述步驟Al中的所述待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包包括用戶的配置、數(shù)據(jù)及程序；其中所述用戶配置為用戶配置、配方及初始化設(shè)置，用于設(shè)置各種功能；所述數(shù)據(jù)為變量，用于存儲程序的運算結(jié)果；所述程序為指令機器碼集合。
[0009]所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其中，所述步驟A2中的所述待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包采用LZW解壓算法對其進行解壓處理。
[0010]所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其中，所述步驟BI中的所述在RAM中運行后得到的數(shù)據(jù)包括程序運行結(jié)果及用戶配置。
[0011]所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其中，所述步驟B2中的所述加密數(shù)據(jù)采用LZW壓縮算法對其進行壓縮處理。
[0012]一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，其中，包括上電處理模塊和掉電處理模塊，其中:
所述上電處理模塊，用于當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進行存儲，在RAM中再對其進行解壓和解密處理，之后在RAM中運行解壓和解密后的數(shù)據(jù)；
所述掉電處理模塊，用于當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將RAM中運行后的數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進行存儲。
[0013]所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，其中，所述上電處理模塊包括:
壓縮及復(fù)制單元，用于當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理后，得到待運行數(shù)據(jù)的壓縮包，并將其復(fù)制到RAM中進行存儲；
解壓縮單元，用于對復(fù)制到RAM中進行存儲的所述待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包進行數(shù)據(jù)解壓處理，將其解壓為解壓數(shù)據(jù)；
解密單元，用于對RAM中的解壓數(shù)據(jù)進行解密處理，將其解析為可運行的數(shù)據(jù)，其中所述可運行的數(shù)據(jù)為從不可運行的加密數(shù)據(jù)經(jīng)解密算法解密后得到的可在RAM中運行的數(shù)據(jù)；
驗證單元，用于對RAM中的可運行數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)驗證處理，當(dāng)通過驗證，則在RAM中運行所述可運行數(shù)據(jù)，當(dāng)未通過驗證，則不運行所述可運行數(shù)據(jù)。
[0014]所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，其中，所述掉電處理模塊包括:
加密單元，用于當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將在RAM中運行后得到的數(shù)據(jù)進行加密處理，得到加密數(shù)據(jù)；
第二壓縮單元，用于對RAM中的所述加密數(shù)據(jù)進行壓縮處理，得到壓縮數(shù)據(jù)；
第二復(fù)制單元，用于將RAM中的所述壓縮數(shù)據(jù)復(fù)制到Flash中進行存儲。
[0015]本發(fā)明所提供的一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法及系統(tǒng)，所述方法包括步驟:當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進行存儲，在RAM中再對其進行解壓和解密處理，之后在RAM中運行解壓和解密后的數(shù)據(jù)；當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將RAM中運行后的數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進行存儲。由于對數(shù)據(jù)采用了壓縮算法，數(shù)據(jù)量在Flash中存儲量極大提升，同時也提高了數(shù)據(jù)的下載、上載速度。同時數(shù)據(jù)只在RAM中運行并只在Flash中存儲，從而減少了 FLASH擦寫次數(shù)，延長了 FLASH的使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明提供的一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法較佳實施例步驟流程圖。
[0017]圖2為圖1中上電處理流程的具體步驟流程圖。
[0018]圖3為圖1中掉電處理流程的具體步驟流程圖。
[0019]圖4為本發(fā)明提供的一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)較佳實施例的結(jié)構(gòu)框圖。
[0020]圖5為圖4中上電處理模塊的結(jié)構(gòu)框圖。
[0021]圖6為圖4中掉電處理模塊的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實施方式】
[0022]本發(fā)明提供一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法及系統(tǒng)，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實施例對本發(fā)明進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0023]以下結(jié)合圖1對本發(fā)明所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法做詳細說明，其中，圖1是本發(fā)明提供的一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法較佳實施例步驟流程圖。
[0024]步驟S101、當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進行存儲，在RAM中再對其進行解壓和解密處理，之后在RAM中運行解壓和解密后的數(shù)據(jù)；
步驟S102、當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將RAM中運行后的數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進行存儲。
[0025]在步驟SlOl中，當(dāng)系統(tǒng)開始上電時，如圖2所示，其步驟具體包括:
步驟S201、當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理后，得到待運行數(shù)據(jù)的壓縮包，并將其復(fù)制到RAM中進行存儲；
步驟S202、對復(fù)制到RAM中進行存儲的所述待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包進行數(shù)據(jù)解壓處理，將其解壓為解壓數(shù)據(jù)；
步驟S203、對RAM中的解壓數(shù)據(jù)進行解密處理，將其解析為可運行的數(shù)據(jù)，其中所述可運行的數(shù)據(jù)為從不可運行的加密數(shù)據(jù)經(jīng)解密算法解密后得到的可在RAM中運行的數(shù)據(jù)；步驟S204、對RAM中的可運行數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)驗證處理，當(dāng)通過驗證，則在RAM中運行所述可運行數(shù)據(jù)，當(dāng)未通過驗證，則不運行所述可運行數(shù)據(jù)。
[0026]進一步地，在步驟S201和步驟S202中，對數(shù)據(jù)進行壓縮和解壓處理分別采用LZW壓縮和解壓算法。
[0027]LZW壓縮算法是Lempel-Ziv-Welch 3個人共同發(fā)明的，簡稱LZW的壓縮算法，可以用任何一種語言來實現(xiàn)它。LZW是GIF圖片文件的壓縮算法，而且zip壓縮的思想也是基于LZW實現(xiàn)的，所以LZW對文本文件具有很好的壓縮性能。
[0028]其中，LZW壓縮算法的基本原理:提取原始文本文件數(shù)據(jù)中的不同字符，基于這些字符創(chuàng)建一個編譯表，然后用編譯表中的字符的索引來替代原始文本文件數(shù)據(jù)中的相應(yīng)字符，減少原始數(shù)據(jù)大小。其原理和調(diào)色板圖象的實現(xiàn)原理類似，但此處的編譯表不是預(yù)先創(chuàng)建的，而是根據(jù)原始文件數(shù)據(jù)動態(tài)創(chuàng)建的，解碼時還要從已編碼的數(shù)據(jù)中還原出原來的編譯表。LZW解壓縮算法過程為壓縮算法的逆過程。
[0029]在步驟S203中對RAM中的解壓數(shù)據(jù)進行解密處理，將其解析為可運行的數(shù)據(jù)，解析數(shù)據(jù)的過程即為解密數(shù)據(jù)的過程。在解密數(shù)據(jù)過程中，包括以下步驟:一是獲取密鑰；二是通過密鑰將加密文恢復(fù)為明文。密鑰是在步驟S201中對數(shù)據(jù)加密時使用的，同時可用作此處的解密密鑰。對數(shù)據(jù)進行加密處理后，可提高數(shù)據(jù)在傳輸過程中的安全性。
[0030]在步驟S204中對可運行數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)校驗時，用一種指定的算法數(shù)據(jù)計算出的一個校驗值。數(shù)據(jù)被復(fù)制發(fā)送前，采用同樣的算法計算一次校驗值，如果兩次計算的校驗值一樣，說明數(shù)據(jù)是完整的。對數(shù)據(jù)進行驗證可確保數(shù)據(jù)在從Flash傳輸?shù)絉AM過程中無丟失現(xiàn)象發(fā)生，能確保數(shù)據(jù)能在RAM中正常運行。步驟S204中采用最簡單校驗、奇偶校驗、CRC循環(huán)冗余校驗和MD5及數(shù)字簽名校驗中的其中任何一種。
[0031]在步驟S102中，當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，如圖3所示，其步驟具體包括:
步驟S301、當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將在RAM中運行后得到的數(shù)據(jù)進行加密處理，得到加密數(shù)據(jù)；
步驟S302、對RAM中的所述加密數(shù)據(jù)進行壓縮處理，得到壓縮數(shù)據(jù)；
步驟S303、將RAM中的所述壓縮數(shù)據(jù)復(fù)制到Flash中進行存儲。
[0032]在步驟S302中，同樣采用LZW壓縮算法對數(shù)據(jù)進行壓縮處理，以減少數(shù)據(jù)的存儲
占用量。
[0033]當(dāng)系統(tǒng)再次上電時，把Flash的空間映射到RAM中執(zhí)行，即采用空間映射法將數(shù)據(jù)再次映射到RAM中繼續(xù)運行，此時無需再次從頭開始運行程序得到斷電前RAM運行已得到的數(shù)據(jù)，提高了運算效率。
[0034]進一步地，所述步驟S201中的所述待運行數(shù)據(jù)包括用戶的配置、數(shù)據(jù)及程序；其中所述用戶配置為用戶配置、配方及初始化設(shè)置，用于設(shè)置各種功能；所述數(shù)據(jù)為變量，用于存儲程序的運算結(jié)果；所述程序為指令機器碼集合。所述步驟S301中的所述解壓數(shù)據(jù)運行后得到的數(shù)據(jù)包括程序運行結(jié)果及用戶配置。當(dāng)系統(tǒng)上電時，PLC中的Flash將用戶的配置、數(shù)據(jù)及程序復(fù)制到RAM中運行，當(dāng)程序運行到某一階段時系統(tǒng)開始掉電，此時利用電容供電可保證系統(tǒng)不會立即斷電，故在系統(tǒng)完全斷電前可將程序運行結(jié)果及用戶配置都壓縮并傳輸至Flash中保存，以待下一次系統(tǒng)上電時，采用空間映射法將程序運行結(jié)果及用戶配置從Flash映射到RAM中繼續(xù)運行。其中，F(xiàn)lash在系統(tǒng)上電和掉電時只保存各種數(shù)據(jù)且不運行，而RAM在系統(tǒng)上電時只運行數(shù)據(jù)、掉電時將數(shù)據(jù)回傳Flash保存，從而減少了FLASH擦寫次數(shù)，延長了 FLASH的使用壽命。由于對在數(shù)據(jù)傳輸前采用了壓縮算法，數(shù)據(jù)量在Flash中存儲量極大提升，同時也提高了數(shù)據(jù)的下載、上載速度。
[0035]基于上述實施例，本發(fā)明還提供了一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，如圖4所示，為本發(fā)明提供的包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)較佳實施例的結(jié)構(gòu)框圖。
[0036]如圖4所示，所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)包括上電處理模塊100和掉電處理模塊200，其中:
上電處理模塊100，用于當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進行存儲，在RAM中再對其進行解壓和解密處理，之后在RAM中運行解壓和解密后的數(shù)據(jù)；
掉電處理模塊200，用于當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將RAM中運行后的數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進行存儲。
[0037]進一步地實施例，如圖5所述，所述上電處理模塊100包括:
壓縮及復(fù)制單元110，用于當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)壓縮包復(fù)制到RAM中進行存儲；
解壓縮單元120，用于對復(fù)制到RAM中進行存儲的所述待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包進行數(shù)據(jù)解壓處理，將其解壓為解壓數(shù)據(jù)；
解密單元130，用于對RAM中的解壓數(shù)據(jù)進行解密處理，將其解析為可運行的數(shù)據(jù)，其中所述可運行的數(shù)據(jù)為從不可運行的加密數(shù)據(jù)經(jīng)解密算法解密后得到的可在RAM中運行的數(shù)據(jù)；
驗證單元140，用于對RAM中的可運行數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)驗證處理，當(dāng)通過驗證，則在RAM中運行所述可運行數(shù)據(jù)，當(dāng)未通過驗證，則不運行所述可運行數(shù)據(jù)。
[0038]進一步地實施例,如圖6所述,所述掉電處理模塊200包括:
加密單元210，用于當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將在RAM中運行后得到的數(shù)據(jù)進行加密處理，得到加密數(shù)據(jù)；
第二壓縮單元220，用于對RAM中的所述加密數(shù)據(jù)進行壓縮處理，得到壓縮數(shù)據(jù)； 第二復(fù)制單元230，用于將RAM中的所述壓縮數(shù)據(jù)復(fù)制到Flash中進行存儲。
[0039]綜上所述，本發(fā)明所提供的一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法及系統(tǒng)，所述方法包括步驟:當(dāng)系統(tǒng)上電時,將Flash中的待運行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進行存儲，在RAM中再對其進行解壓和解密處理，之后在RAM中運行解壓和解密后的數(shù)據(jù)；當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將RAM中運行后的數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進行存儲。由于對數(shù)據(jù)采用了壓縮算法，數(shù)據(jù)量在Flash中存儲量極大提升，同時也提高了數(shù)據(jù)的下載、上載速度。同時數(shù)據(jù)只在RAM中運行并只在Flash中存儲，從而減少了 FLASH擦寫次數(shù)，延長了 FLASH的使用壽命。
[0040]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，所述方法包括步驟: A、當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進行存儲，在RAM中再對其進行解壓和解密處理，之后在RAM中運行解壓和解密后的數(shù)據(jù)； B、當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將RAM中運行后的數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進行存儲。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，所述步驟A具體包括: Al、當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包復(fù)制到RAM中進行存儲； A2、對復(fù)制到RAM中進行存儲的所述待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包進行數(shù)據(jù)解壓處理，將其解壓為解壓數(shù)據(jù)； A3、對RAM中的解壓數(shù)據(jù)進行解密處理，將其解析為可運行的數(shù)據(jù)，其中所述可運行的數(shù)據(jù)為從不可運行的加密數(shù)據(jù)經(jīng)解密算法解密后得到的可在RAM中運行的數(shù)據(jù)； A4、對RAM中的可運行數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)驗證處理，當(dāng)通過驗證，則在RAM中運行所述可運行數(shù)據(jù)，當(dāng)未通過驗證，則不運行所述可運行數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，所述步驟B具體包括: B1、當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將在RAM中運行后得到的數(shù)據(jù)進行加密處理，得到加密數(shù)據(jù)； B2、對RAM中的所述加密數(shù)據(jù)進行壓縮處理，得到壓縮數(shù)據(jù)； B3、將RAM中的所述壓縮數(shù)據(jù)復(fù)制到Flash中進行存儲。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，所述步驟Al中的所述待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包包括用戶配置、數(shù)據(jù)及程序；其中所述用戶配置為用戶配置、配方及初始化設(shè)置，用于設(shè)置各種功能；所述數(shù)據(jù)為變量，用于存儲程序的運算結(jié)果；所述程序為指令機器碼集合。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，所述步驟A2中的所述待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包采用LZW解壓算法對其進行解壓處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，所述步驟BI中的所述在RAM中運行后得到的數(shù)據(jù)包括程序運行結(jié)果及用戶配置。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，所述步驟B2中的所述加密數(shù)據(jù)采用LZW壓縮算法對其進行壓縮處理。
8.一種包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng),其特征在于，包括上電處理模塊和掉電處理模塊，其中: 所述上電處理模塊，用于當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)復(fù)制到RAM中進行存儲，在RAM中再對其進行解壓和解密處理，之后在RAM中運行解壓和解密后的數(shù)據(jù)； 所述掉電處理模塊，用于當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將RAM中運行后得到的數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理，得到加密和壓縮后的數(shù)據(jù)，之后將其復(fù)制到Flash中進行存儲。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，其特征在于，所述上電處理模塊包括: 壓縮及復(fù)制單元，用于當(dāng)系統(tǒng)上電時，將Flash中的待運行數(shù)據(jù)進行加密和壓縮處理后，得到待運行數(shù)據(jù)的壓縮包，并將其復(fù)制到RAM中進行存儲； 解壓縮單元，用于對復(fù)制到RAM中進行存儲的所述待運行的經(jīng)過加密和壓縮的數(shù)據(jù)包進行數(shù)據(jù)解壓處理，將其解壓為解壓數(shù)據(jù)； 解密單元，用于對RAM中的解壓數(shù)據(jù)進行解密處理，將其解析為可運行的數(shù)據(jù)，其中所述可運行的數(shù)據(jù)為從不可運行的加密數(shù)據(jù)經(jīng)解密算法解密后得到的可在RAM中運行的數(shù)據(jù)； 驗證單元，用于對RAM中的可運行數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)驗證處理，當(dāng)通過驗證，則在RAM中運行所述可運行數(shù)據(jù)，當(dāng)未通過驗證，則不運行所述可運行數(shù)據(jù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述包含F(xiàn)lash和RAM的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，其特征在于，所述掉電處理模塊包括: 加密單元，用于當(dāng)系統(tǒng)開始掉電時，將在RAM中運行后得到的數(shù)據(jù)進行加密處理，得到加密數(shù)據(jù)； 第二壓縮單元，用于對RAM中的所述加密數(shù)據(jù)進行壓縮處理，得到壓縮數(shù)據(jù)； 第二復(fù)制模塊，用于將RAM中的所述壓縮數(shù)據(jù)復(fù)制到Flash中進行存儲。
【文檔編號】G06F12/16GK103761197SQ201410019528
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月16日
【發(fā)明者】李華平, 胡遠超 申請人:深圳市億維自動化技術(shù)有限公司