一種提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法
【專利摘要】一種提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，包括：步驟S1：對(duì)所述的版圖進(jìn)行一次性傳統(tǒng)的冗余圖形偏移交錯(cuò)填充；步驟S2：篩選所述冗余圖形之未充分填充區(qū)域；步驟S3：對(duì)所述冗余圖形之未充分填充區(qū)域再次進(jìn)行冗余圖形偏移交錯(cuò)填充；步驟S4：重復(fù)步驟S2、S3，直至所述冗余圖形均充分填充。通過本發(fā)明所述提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法所獲得的版圖之冗余圖形不僅填充充分、圖案密度分布均勻，而且進(jìn)一步提高后續(xù)化學(xué)機(jī)械研磨或刻蝕的均一性，增強(qiáng)半導(dǎo)體器件的可靠性。
【專利說明】一種提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在集成電路制造工藝中，為了提高化學(xué)機(jī)械研磨和刻蝕的均一性，通常會(huì)在0.25μπι以下工藝，且需要化學(xué)機(jī)械研磨或者刻蝕的功能層中，加入冗余圖形。為了增強(qiáng)所述冗余圖形的工藝表現(xiàn)，常見的冗余圖形填充方式是將所述冗余圖形沿著X或Y的其中之一方向，或者是兩個(gè)方向偏移交錯(cuò)填充。
[0003]但是，傳統(tǒng)的冗余圖形填充方式是對(duì)于同一類型的冗余圖形進(jìn)行一次性填充。明顯地，針對(duì)狹長(zhǎng)填充區(qū)域，由于部分冗余圖形偏移后超出了冗余圖形允許的填充范圍，而無法進(jìn)行填充，進(jìn)而導(dǎo)致所述冗余圖形填充區(qū)域之冗余圖形填充不充分，使得所述化學(xué)機(jī)械研磨或者刻蝕工藝均一性差，降低半導(dǎo)體器件的可靠性。
[0004]故針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本案設(shè)計(jì)人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn)，積極研究改良，于是有了本發(fā)明一種提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中，所述傳統(tǒng)的冗余圖形填充方法易于導(dǎo)致化學(xué)機(jī)械研磨或者刻蝕工藝均一性差，并降低半導(dǎo)體器件的可靠性等缺陷提供一種提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法。
[0006]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之目的，本發(fā)明提供一種提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，所述方法包括:
[0007]執(zhí)行步驟S1:對(duì)所述具有冗余圖形的版圖進(jìn)行一次性傳統(tǒng)的冗余圖形偏移交錯(cuò)填充；
[0008]執(zhí)行步驟S2:篩選所述冗余圖形之未充分填充區(qū)域；
[0009]執(zhí)行步驟S3:對(duì)所述冗余圖形之未充分填充區(qū)域再次進(jìn)行冗余圖形偏移交錯(cuò)填充；
[0010]執(zhí)行步驟S4:重復(fù)步驟S2、S3，直至所述冗余圖形均充分填充。
[0011]可選地，所述版圖在設(shè)計(jì)規(guī)則中定義的最小間距為d，所述版圖所形成之功能層圖案用于化學(xué)機(jī)械研磨工藝或刻蝕工藝。
[0012]可選地，所述功能層圖案之間形成所述冗余圖案填充區(qū)域，所述冗余圖案填充區(qū)域與所述功能層圖案之間的間距為a，且a > d。
[0013]可選地，所述冗余圖案填充區(qū)域與所述功能層圖案之間的間距為a，且5nm ^ a ^ IOym。
[0014]可選地，所述未充分填充之冗余圖形的區(qū)域?yàn)槲闯浞痔畛鋮^(qū)域。
[0015]可選地，所述未充分填充區(qū)域包括至少一個(gè)未充分填充的冗余圖形。[0016]可選地，所述未充分填充區(qū)域與所述相鄰的冗余圖形的間距為b，且b≥d。
[0017]可選地，所述未充分填充區(qū)域與所述相鄰的冗余圖形的間距為b，且5nm ≤ b ≤10 μ m。
[0018]可選地，對(duì)所述冗余圖形進(jìn)行的偏移交錯(cuò)填充為將所述冗余圖形沿著X或者Y的其中之一方向，或者沿著X、Y兩個(gè)方向同時(shí)進(jìn)行偏移交錯(cuò)填充。
[0019]綜上所述，通過本發(fā)明所述提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法所獲得的版圖之冗余圖形不僅填充充分、圖案密度分布均勻，而且進(jìn)一步提高后續(xù)化學(xué)機(jī)械研磨或刻蝕的均一性，增強(qiáng)半導(dǎo)體器件的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1所示為本發(fā)明提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法之流程圖；
[0021]圖2 (a)~圖2 (C)為本發(fā)明提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法之具體實(shí)施的階段性結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為詳細(xì)說明本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)成目的及功效，下面將結(jié)合實(shí)施例并配合附圖予以詳細(xì)說明。
[0023]請(qǐng)參閱圖1，圖1所示為本發(fā)明提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法之流程圖。所述提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法包括:
[0024]執(zhí)行步驟S1:對(duì)所述具有冗余圖形的版圖進(jìn)行一次性傳統(tǒng)的冗余圖形偏移交錯(cuò)填充；
[0025]執(zhí)行步驟S2:篩選所述冗余圖形之未充分填充區(qū)域；
[0026]執(zhí)行步驟S3:對(duì)所述冗余圖形之未充分填充區(qū)域再次進(jìn)行冗余圖形偏移交錯(cuò)填充；
[0027]執(zhí)行步驟S4:重復(fù)步驟S2、S3，直至所述冗余圖形均充分填充。
[0028]為了更直觀的闡述本發(fā)明之技術(shù)方案，凸顯本發(fā)明之技術(shù)效果，不煩以【具體實(shí)施方式】為例進(jìn)行闡述，但不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明創(chuàng)造之技術(shù)方案的限制。
[0029]請(qǐng)參閱圖2 (a)~圖2 (C)，并結(jié)合參閱圖1，圖2 (a)~圖2 (C)為本發(fā)明提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法之具體實(shí)施的階段性結(jié)構(gòu)示意圖。所述提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法包括:
[0030]執(zhí)行步驟S1:對(duì)所述具有冗余圖形11的版圖1進(jìn)行一次性傳統(tǒng)的冗余圖形偏移交錯(cuò)填充；
[0031]非限制性的列舉，所述版圖1在設(shè)計(jì)規(guī)則中定義的最小間距為d，所述版圖1所形成之功能層圖案12用于化學(xué)機(jī)械研磨工藝或刻蝕工藝。所述功能層圖案12之間便形成所述冗余圖案填充區(qū)域13，所述冗余圖案填充區(qū)域13與所述功能層圖案12之間的間距為a,且a≥d。優(yōu)選地,5nm≤a≤10 μ m。在本實(shí)施方式中，對(duì)所述具有冗余圖形11的版圖1進(jìn)行一次性傳統(tǒng)的冗余圖形偏移交錯(cuò)填充的工藝方法可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所掌握的常規(guī)填充方式。
[0032]執(zhí)行步驟S2:篩選所述冗余圖形11之未充分填充區(qū)域14 ；[0033]具體地，在對(duì)所述具有冗余圖形11的版圖1進(jìn)行一次性傳統(tǒng)的冗余圖形偏移交錯(cuò)填充的過程中，位于所述冗余圖形填充區(qū)域13內(nèi)的冗余圖形11充分填充；非所述冗余圖形填充區(qū)域13內(nèi)的冗余圖形11未充分填充，并定義所述未充分填充之冗余圖形11的區(qū)域?yàn)槲闯浞痔畛鋮^(qū)域14。所述未充分填充區(qū)域14包括至少一個(gè)未充分填充之冗余圖形11。所述未充分填充區(qū)域14與所述相鄰的冗余圖形11的間距為b，且b≥ 3d。優(yōu)選地，5nm≤b≤IOym0作為本領(lǐng)域技術(shù)人員，容易理解地，所述冗余圖形11可因工藝上的偏移而不位于所述冗余圖形填充區(qū)域13內(nèi)。
[0034]執(zhí)行步驟S3:對(duì)所述冗余圖形11之未充分填充區(qū)域14再次進(jìn)行冗余圖形偏移交錯(cuò)填充；
[0035]作為具體的實(shí)施方式，優(yōu)選地，對(duì)所述冗余圖形11進(jìn)行的偏移交錯(cuò)填充可以為將所述冗余圖形11沿著X或者Y的其中之一方向，或者沿著χ、gamma兩個(gè)方向同時(shí)進(jìn)行偏移交錯(cuò)填充。
[0036]執(zhí)行步驟S4:重復(fù)步驟S2、S3，直至所述冗余圖形11均充分填充。
[0037]明顯地，通過本發(fā)明所述提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法所獲得的版圖1之冗余圖形11不僅填充充分、圖案密度分布均勻，而且進(jìn)一步提高后續(xù)化學(xué)機(jī)械研磨或刻蝕的均一性，增強(qiáng)半導(dǎo)體器件的可靠性。
[0038]綜上所述，通過本發(fā)明所述提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法所獲得的版圖之冗余圖形不僅填充充分、圖案密度分布均勻，而且進(jìn)一步提高后續(xù)化學(xué)機(jī)械研磨或刻蝕的均一性，增強(qiáng)半導(dǎo)體器件的可靠性。
[0039]本領(lǐng)域技術(shù)人員均應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權(quán)利要求書及等同物的保護(hù)范圍內(nèi)時(shí)，認(rèn)為本發(fā)明涵蓋這些修改和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，其特征在于，所述方法包括: 執(zhí)行步驟S1:對(duì)所述的版圖進(jìn)行一次性傳統(tǒng)的冗余圖形偏移交錯(cuò)填充； 執(zhí)行步驟S2:篩選所述冗余圖形之未充分填充區(qū)域； 執(zhí)行步驟S3:對(duì)所述冗余圖形之未充分填充區(qū)域再次進(jìn)行冗余圖形偏移交錯(cuò)填充； 執(zhí)行步驟S4:重復(fù)步驟S2、S3，直至所述冗余圖形均充分填充 。
2.如權(quán)利要求1所述的提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，其特征在于，所述版圖在設(shè)計(jì)規(guī)則中定義的最小間距為d，所述版圖所形成之功能層圖案用于化學(xué)機(jī)械研磨工藝或刻蝕工藝。
3.如權(quán)利要求2所述的提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，其特征在于，所述功能層圖案之間形成所述冗余圖案填充區(qū)域，所述冗余圖案填充區(qū)域與所述功能層圖案之間的間距為a,且a≥d。
4.如權(quán)利要求3所述的提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，其特征在于，所述冗余圖案填充區(qū)域與所述功能層圖案之間的間距為a,且5nm≤a≤10 μ m。
5.如權(quán)利要求2所述的提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，其特征在于，所述未充分填充之冗余圖形的區(qū)域?yàn)槲闯浞痔畛鋮^(qū)域。
6.如權(quán)利要求5所述的提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，其特征在于，所述未充分填充區(qū)域包括至少一個(gè)未充分填充的冗余圖形。
7.如權(quán)利要求6所述的提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，其特征在于，所述未充分填充區(qū)域與所述相鄰的冗余圖形的間距為b，且b≥d。
8.如權(quán)利要求7所述的提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，其特征在于，所述未充分填充區(qū)域與所述相鄰的冗余圖形的間距為b，且5nm≤b≤10 μ m。
9.如權(quán)利要求2所述的提高狹長(zhǎng)區(qū)域冗余圖形填充率的方法，其特征在于，對(duì)所述冗余圖形進(jìn)行的偏移交錯(cuò)填充為將所述冗余圖形沿著X或者Y的其中之一方向，或者沿著X、Y兩個(gè)方向同時(shí)進(jìn)行偏移交錯(cuò)填充。
【文檔編號(hào)】G06T11/40GK103514617SQ201310491943
【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月18日
【發(fā)明者】闞歡, 張旭升, 魏芳 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司