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氧化環(huán)境中單向碳化硅纖維增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料損傷的檢測(cè)方法

文檔序號(hào):6587145閱讀:493來源:國知局
專利名稱:氧化環(huán)境中單向碳化硅纖維增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料損傷的檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種碳化硅纖維增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料損傷的檢測(cè)方法,特別是涉及一種氧化環(huán)境中單向碳化硅纖維增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料損傷的檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
碳化娃纖維增韌碳化娃陶瓷基復(fù)合材料(Continuous silicon carbidefiberreinforced silicon carbide composites,以下簡(jiǎn)稱 SiC/SiC)的耐高溫、低密度、高比強(qiáng)、高比模等優(yōu)異性能,使其成為航空航天領(lǐng)域不可替代的新型高溫結(jié)構(gòu)材料之一,廣泛應(yīng)用于航空、航天發(fā)動(dòng)機(jī)熱端部件、航空航天往返防熱系統(tǒng)、高速剎車、燃?xì)廨啓C(jī)熱端部件、高溫氣體過濾和熱交換器等,其工作環(huán)境溫度高,且普遍存在氧化性的介質(zhì)(如氧氣)。SiC/SiC組分材料包括碳化硅纖維、碳界面以及碳化硅基體,由于基體與纖維、界面之間的熱膨脹系數(shù)不匹配,制備后的SiC/SiC的基體上存在許多微裂紋,這些微裂紋會(huì)成為氧化介質(zhì)的流動(dòng)通道,從而導(dǎo)致氧化介質(zhì)進(jìn)入復(fù)合材料內(nèi)部,氧化侵蝕碳界面,造成材料整體性能的退化。因此高溫氧化環(huán)境中服役的SiC/SiC,在承受服役載荷的同時(shí),還要受到氧化介質(zhì)的侵蝕,材料的損傷不僅與服役載荷相關(guān),還與氧化環(huán)境有著密切聯(lián)系。合理的檢測(cè)氧化環(huán)境中SiC/SiC復(fù)合材料的損傷,能夠?yàn)椴牧戏圻^程中的壽命評(píng)估提供重要的理論依據(jù),并為材料可靠性設(shè)計(jì)提供必備的技術(shù)支撐。應(yīng)用于氧化環(huán)境中SiC/SiC復(fù)合材料損傷檢測(cè)的技術(shù)主要有以下兩種:文獻(xiàn) 1“R Naslain, J Lamon, R Pailler, et al.Micro/minicomposites:a usefulapproach to the design and development of non-oxide CMCs.Composites:Part A30,1999,537-547”公開了一種通過實(shí)驗(yàn)測(cè)試SiC/SiC復(fù)合材料在氧化環(huán)境中受載時(shí)的力學(xué)行為并檢測(cè)材料損傷的方法,但是材料的制備、測(cè)試過程在時(shí)間、人力、物力上的大量損耗,限制了實(shí)驗(yàn)方法在材料設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。文獻(xiàn) 2 ‘ Lara-Curzi0.Analysis of oxidation-assisted stress-ruptureof continuous fiber-reinforced ceramic matrix composites at intermediatetemperature.Composites:Part A30,1999, 549-554”公開了一種通過建立細(xì)觀力學(xué)模型檢測(cè)單向SiC/SiC復(fù)合材料損傷的方法,該方法將細(xì)觀力學(xué)方法應(yīng)用于構(gòu)型較為簡(jiǎn)單的單向SiC/SiC復(fù)合材料,建立其在氧化環(huán)境中的平均應(yīng)力的細(xì)觀力學(xué)模型,基于材料損傷與平均應(yīng)力之間的經(jīng)驗(yàn)公式,得到損傷結(jié)果的計(jì)算表達(dá)式。然而,細(xì)觀力學(xué)模型僅給出了氧化環(huán)境中的材料平均應(yīng)力的數(shù)據(jù)結(jié)果,因此降低了材料損傷分析的準(zhǔn)確度,另一方面,材料損傷的計(jì)算基于經(jīng)驗(yàn)公式,無法保證計(jì)算結(jié)果的準(zhǔn)確性。以上現(xiàn)有的技術(shù)中實(shí)驗(yàn)方法成本高、耗時(shí)長,細(xì)觀力學(xué)模型精度低,因此無法高效、準(zhǔn)確的檢測(cè)氧化環(huán)境中SiC/SiC復(fù)合材料的損傷
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有的單向SiC/SiC復(fù)合材料損傷檢測(cè)方法精度差的不足,本發(fā)明提供一種氧化環(huán)境中單向碳化硅纖維增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料損傷的檢測(cè)方法。該方法應(yīng)用氧化反應(yīng)動(dòng)力學(xué)方程計(jì)算復(fù)合材料微結(jié)構(gòu)氧化過程中碳界面被氧化損耗的厚度,建立微結(jié)構(gòu)在不同氧化時(shí)刻下的幾何模型;構(gòu)造氧化后微結(jié)構(gòu)的有限元模型,進(jìn)行細(xì)觀應(yīng)力的有限元計(jì)算;采用最大應(yīng)力強(qiáng)度準(zhǔn)則來檢測(cè)材料的損傷情況??梢蕴岣邌蜗騍iC/SiC復(fù)合材料損傷檢測(cè)方法損傷分析的準(zhǔn)確度,解決細(xì)觀力學(xué)模型精度低的技術(shù)問題。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種氧化環(huán)境中單向碳化硅纖維增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料損傷的檢測(cè)方法,其特點(diǎn)是包括以下步驟:(a)氧化環(huán)境中,氧氣與碳界面發(fā)生氧化反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)方程是:
權(quán)利要求
1.一種氧化環(huán)境中單向碳化硅纖維增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料損傷的檢測(cè)方法,其特征在于包括以下步驟: Ca)氧化環(huán)境中,氧氣與碳界面發(fā)生氧化反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)方程是:
全文摘要
本發(fā)明公開了一種氧化環(huán)境中單向碳化硅纖維增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料損傷的檢測(cè)方法,用于解決現(xiàn)有的單向SiC/SiC復(fù)合材料損傷檢測(cè)方法精度差的技術(shù)問題。技術(shù)方案是應(yīng)用氧化反應(yīng)動(dòng)力學(xué)方程計(jì)算復(fù)合材料微結(jié)構(gòu)氧化過程中碳界面被氧化損耗的厚度,得到了復(fù)合材料微結(jié)構(gòu)在不同氧化時(shí)刻下的幾何模型;建立氧化后的微結(jié)構(gòu)有限元模型,進(jìn)行細(xì)觀應(yīng)力的有限元計(jì)算;采用最大應(yīng)力強(qiáng)度準(zhǔn)則來檢測(cè)材料的損傷情況。本發(fā)明從建模到計(jì)算的過程簡(jiǎn)潔高效,克服了現(xiàn)有的實(shí)驗(yàn)方法成本高、耗時(shí)長的缺點(diǎn);借助于ANSYS強(qiáng)大的有限元分析功能,得到了氧化后復(fù)合材料微結(jié)構(gòu)內(nèi)的細(xì)觀應(yīng)力,提高了單向SiC/SiC復(fù)合材料損傷檢測(cè)方法損傷分析的準(zhǔn)確度,解決了細(xì)觀力學(xué)模型精度低的問題。
文檔編號(hào)G06F17/50GK103093063SQ201310052810
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2013年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月19日
發(fā)明者許英杰, 張衛(wèi)紅, 張清文, 王駿 申請(qǐng)人:西北工業(yè)大學(xué)
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