專利名稱：Gds文件的擴(kuò)展方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種GDS文件的擴(kuò)展方法。
背景技術(shù)：
在集成電路工藝中，通常在完成集成電路的設(shè)計(jì)后，會(huì)產(chǎn)生⑶S文件(GraphicData Stream,圖形數(shù)據(jù)流文件),它是一個(gè)包括集成電路布局的二進(jìn)制文件。⑶S文件包含層級(jí)結(jié)構(gòu)，層級(jí)結(jié)構(gòu)包括由頂層單元以及非頂層單元，頂層單元和非頂層單元中還包括圖形層和標(biāo)簽，其中圖形層可以是半導(dǎo)體器件中的有源區(qū)、硅柵、金屬層、通孔等，而標(biāo)簽是一種文本數(shù)據(jù)，通過(guò)標(biāo)簽來(lái)標(biāo)識(shí)端口名稱，一個(gè)端口就是一個(gè)單元用于和別的單元相連接的金屬。隨著半導(dǎo)體工藝尺寸的逐漸減小，在做工藝尺寸更小(如O. 162微米工藝)的芯片設(shè)計(jì)時(shí)，常常需要從工藝尺寸較大(如O. 18微米工藝)的GDS文件中選用部分單元；而對(duì)于另外一部分比較敏感的電路，如一些模擬電路等，就不能直接使用O. 18微米工藝的GDS文件中的設(shè)計(jì)，而是需要先將其放大(放大1. 11倍)再使用。這樣在芯片設(shè)計(jì)完成后，這個(gè)⑶S文件中有些部分是和O. 18微米工藝一樣大的設(shè)計(jì)，而有些部分是經(jīng)過(guò)放大后的設(shè)計(jì)。然后用這個(gè)GDS文件去生成掩膜版數(shù)據(jù)文件時(shí)，再統(tǒng)一縮小為原來(lái)的90%，這樣原來(lái)和O. 18微米工藝一樣大的單元就變成O. 162微米工藝，而原來(lái)放大過(guò)的單元在縮小時(shí)抵消了變化，使得這些單元內(nèi)的圖形層和原先O. 18微米工藝時(shí)一樣大?，F(xiàn)有的GDS文件的擴(kuò)展方法中，待擴(kuò)展的單元中的接觸孔和通孔在放大后需要恢復(fù)原來(lái)的大小，其中所述接觸孔圖形層和通孔圖形層都是確定大小的正方形。例如，一個(gè)接觸孔，在放大以前左下角坐標(biāo)為(xl，yl)，右上角坐標(biāo)為(x2，y2)，放大倍數(shù)是m，邊長(zhǎng)是d，其中xl、yl、x2、y2、d是整數(shù)，但m不是整數(shù)。放大以后，左下角坐標(biāo)為((m*xl)取整，(m*yl)取整)，右上角坐標(biāo)((m*x2)取整，(m*y2)取整)，為了使其大小恢復(fù)成原來(lái)的大小，每個(gè)邊還需要往里面回縮((m-l)*d/2)取整。在上述計(jì)算過(guò)程中，有兩步取整，而且每個(gè)點(diǎn)的坐標(biāo)值分別計(jì)算，由于放大的倍數(shù)m不是整數(shù)，原本的坐標(biāo)值乘以m后得到的不是整數(shù)，需要四舍五入取整，因此放大以后，可能因?yàn)橐粋€(gè)坐標(biāo)值取整時(shí)舍掉了尾數(shù)，而另一個(gè)坐標(biāo)值進(jìn)一位成為更大的數(shù)，使得兩個(gè)點(diǎn)位置相差一個(gè)格點(diǎn)，而這樣的接觸孔是不符合尺寸要求的。因此為了避免接觸孔/通孔尺寸發(fā)生一個(gè)格點(diǎn)的變化，必須經(jīng)過(guò)額外的處理?，F(xiàn)有的處理方法是，假設(shè)接觸孔邊長(zhǎng)是180納米，通孔邊長(zhǎng)是260納米，放大倍數(shù)是1. 11。那么該接觸孔放大后的邊長(zhǎng)以及回縮尺寸為對(duì)于接觸孔180納米*1. 11 =199. 8納米，每條邊長(zhǎng)兩端分別回縮的尺寸為(1. 11-1)*180納米/2 = 9. 9納米。對(duì)于通孔:260納米*1. 11 = 288. 6納米，每條邊長(zhǎng)兩端分別回縮的尺寸為(1. 11-1) *260納米/2=14. 3納米。為了保證上述所有數(shù)值在全過(guò)程中都為準(zhǔn)確值，沒(méi)有舍入誤差，該方法會(huì)首先對(duì)這個(gè)GDS文件進(jìn)行處理，不使用I納米作為格點(diǎn)，而是使用O.1納米作為格點(diǎn)。放大的過(guò)程在這個(gè)新⑶S文件上進(jìn)行。上述放大和回縮計(jì)算結(jié)束以后，把這個(gè)⑶S再進(jìn)行一次處理，恢復(fù)使用I納米作為格點(diǎn)。那么只要保證前面的步驟都是準(zhǔn)確的，沒(méi)有舍入誤差，而只有最后恢復(fù)原始格點(diǎn)數(shù)值這一個(gè)步驟存在舍入誤差，那么從數(shù)學(xué)上可以證明，這個(gè)通孔的尺寸就和放大之前的大小完全一樣，不會(huì)有這一個(gè)格點(diǎn)的誤差。但是這個(gè)方法需要兩次改變格點(diǎn)的大小，每次改變格點(diǎn)大小，整個(gè)GDS文件所有的坐標(biāo)值都需要重新計(jì)算，絕不限于接觸孔和通孔。而且每個(gè)接觸孔和通孔都是四個(gè)頂點(diǎn)分別獨(dú)立進(jìn)行全部計(jì)算，其中有大量的乘法計(jì)算是重復(fù)的，這就給計(jì)算速度帶來(lái)巨大影響。另一方面，由于在所述待擴(kuò)展單元進(jìn)行放大之前需要將所述待擴(kuò)展單元的層級(jí)結(jié)構(gòu)打平，即所有隸屬于所述待擴(kuò)展單元的子單元都不存在。那么原本隸屬于所述子單元的標(biāo)簽將上升到所述待擴(kuò)展單元這一級(jí)，使得所述待擴(kuò)展單元中不僅包括原有的標(biāo)簽，還包括了原本隸屬于子單元的標(biāo)簽。在進(jìn)行后續(xù)版圖與電路的物理驗(yàn)證(LVS，layout vsschematic)時(shí)，這些原本屬于所述待擴(kuò)展單元的子單元的標(biāo)簽將無(wú)法通過(guò)驗(yàn)證，因此為了使打平了層級(jí)結(jié)構(gòu)的待擴(kuò)展單元通過(guò)LVS驗(yàn)證，需要在被打平了的待擴(kuò)展單元里只保留原來(lái)就隸屬于所述待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽，而去除所有來(lái)自于其子單元的標(biāo)簽?，F(xiàn)有的方法是利用EDA (Electronic Design Automation,電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)工具的功能，通過(guò)各種操作組合來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的。例如，在把所述待擴(kuò)展單元打平以后，先刪除所有標(biāo)簽，無(wú)論該標(biāo)簽原來(lái)就隸屬于所述待擴(kuò)展單元還是來(lái)自于其子單元，全部刪除以后，再把原本就隸屬于所述待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽復(fù)制過(guò)來(lái)。這樣的方法需要大量人工操作，效率較低，而且發(fā)生錯(cuò)誤的幾率很高。更多關(guān)于⑶S文件的描述可以參考公開(kāi)號(hào)為US6237133B1的美國(guó)專利申請(qǐng)文件Mask pattern data creation method and system that are not subject to data streamdata format limitations (不受數(shù)據(jù)流的數(shù)據(jù)格式限制的掩模圖形數(shù)據(jù)創(chuàng)建方法和系統(tǒng))。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種簡(jiǎn)單方便且處理效率高的GDS文件的擴(kuò)展方法。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GDS文件的擴(kuò)展方法，包括提供待擴(kuò)展的GDS文件，所述待擴(kuò)展的GDS文件包括以層級(jí)結(jié)構(gòu)形式存儲(chǔ)的多個(gè)待擴(kuò)展單元，所述待擴(kuò)展單元中至少一個(gè)為頂層待擴(kuò)展單元；將所述待擴(kuò)展的GDS文件復(fù)制到中間GDS文件中；其中，對(duì)于標(biāo)簽，僅復(fù)制直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽；將所有處于前述層級(jí)結(jié)構(gòu)中非頂層的所述待擴(kuò)展單元變更為頂層待擴(kuò)展單元；變更層級(jí)后，依照設(shè)定的放大參數(shù)擴(kuò)展中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層，以形成目標(biāo)GDS文件?？蛇x地，所述僅復(fù)制直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽是通過(guò)包括下述步驟的方法實(shí)現(xiàn)的當(dāng)掃描到標(biāo)簽，判斷所述標(biāo)簽是否直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元；其中，所述待擴(kuò)展層級(jí)采用預(yù)設(shè)運(yùn)行參數(shù)予以指示；將直接隸屬于所述待擴(kuò)展層級(jí)的待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽復(fù)制到所述中間GDS文件中?？蛇x地，待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元是所述頂層待擴(kuò)展單元?？蛇x地，所述將所有處于前述層級(jí)結(jié)構(gòu)中非頂層的所述待擴(kuò)展單元變更為頂層待擴(kuò)展單元；包括確定所述非頂層的所述待擴(kuò)展單元中的圖形層的坐標(biāo)值；以所述頂層待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系為基準(zhǔn)，轉(zhuǎn)換所述非頂層的所述待擴(kuò)展單元中的圖形層的坐標(biāo)值，以確定所述圖形層在所述頂層待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系中的坐標(biāo)值。可選地，所述圖形層包括通孔圖形層或者接觸孔圖形層，所述通孔圖形層或者接觸孔圖形層呈正方形；所述變更層級(jí)后，依照設(shè)定的放大參數(shù)擴(kuò)展中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層，以形成目標(biāo)GDS文件包括將所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的任意一個(gè)頂點(diǎn)的坐標(biāo)值乘以所述放大參數(shù)；基于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長(zhǎng)以及所述放大參數(shù)確定輔助參數(shù)；根據(jù)已乘以所述放大參數(shù)后的頂點(diǎn)的坐標(biāo)值加上所述輔助參數(shù)確定所述頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值；基于所述頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值以及所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長(zhǎng)確定除所述頂點(diǎn)外的其他頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值，以形成目標(biāo)GDS文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層?？蛇x地，所述圖形層還包括其他圖形層，所述其他圖形層為非通孔圖形層和非接觸孔圖形層；所述變更層級(jí)后，依照設(shè)定的放大參數(shù)擴(kuò)展中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層，以形成目標(biāo)GDS文件包括將所述頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層的各個(gè)頂點(diǎn)的坐標(biāo)值分別乘以所述放大參數(shù)，得到各個(gè)頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值；基于所述新坐標(biāo)值確定的圖形層以形成目標(biāo)⑶S文件?？蛇x地，所述放大參數(shù)根據(jù)所述待擴(kuò)展的GDS文件適用的工藝尺寸以及所述目標(biāo)⑶S文件適用的工藝尺寸之間的比例確定。可選地，所述目標(biāo)⑶S文件適用的工藝尺寸小于所述待擴(kuò)展的⑶S文件適用的工藝尺寸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案具有以下有益效果通過(guò)僅復(fù)制直接隸屬于頂層待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽到中間GDS文件，提高了待擴(kuò)展單元中刪除標(biāo)簽的處理效率，同時(shí)也降低了發(fā)生錯(cuò)誤的幾率。進(jìn)一步地，再將所有處于層級(jí)結(jié)構(gòu)中非頂層的待擴(kuò)展單元變更為頂層待擴(kuò)展單元，變更層級(jí)后，根據(jù)預(yù)設(shè)的放大參數(shù)擴(kuò)展中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中圖形層，以形成目標(biāo)GDS文件。本技術(shù)方案不需要改變GDS文件的格點(diǎn)的大小，減少了重新計(jì)算坐標(biāo)值的過(guò)程，提高了處理效率。


圖1是本發(fā)明的一種GDS文件的擴(kuò)展方法的具體實(shí)施方式
的流程示意圖；圖2是本發(fā)明的一種GDS文件的擴(kuò)展方法中所述GDS文件的層級(jí)結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究，提供了一種GDS文件的擴(kuò)展方法，如圖I所示的是本發(fā)明的一種GDS文件的擴(kuò)展方法的具體實(shí)施方式
的流程示意圖，參考圖1，所述擴(kuò)展方法包括步驟S1:提供待擴(kuò)展的GDS文件，所述待擴(kuò)展的GDS文件包括以層級(jí)結(jié)構(gòu)形式存儲(chǔ)的多個(gè)待擴(kuò)展單元，所述待擴(kuò)展單元中至少一個(gè)為頂層待擴(kuò)展單元。具體地，所述GDS文件是以層級(jí)結(jié)構(gòu)形式存儲(chǔ)多個(gè)待擴(kuò)展單元的，結(jié)合參考圖2所示的GDS文件的層級(jí)結(jié)構(gòu)示意圖，所述待擴(kuò)展單元包括頂層單元(如頂層單元I)、非頂層單元(如第一級(jí)子單元11、第一級(jí)子單元11’ )。其中，所述頂層單元就是沒(méi)有其他單元把它作為子單元調(diào)用，非頂層單元就是被其他單元(可以是頂層單元、也可以是其他非頂層單元)調(diào)用的子單元(如第二級(jí)子單元111’被第一級(jí)子單元11’調(diào)用)。進(jìn)一步地，所述頂層單元和非頂層單元中包括圖形層(如隸屬于頂層單元I的圖形層12、圖形層12’;隸屬于第一級(jí)子單元的圖形層112’)和標(biāo)簽(如隸屬于頂層單元I的標(biāo)簽Jia、Y1、Bing、Ding ;隸屬于第一級(jí)子單元的標(biāo)簽Portl),其中所述圖形層可以是有源區(qū)、硅柵、金屬層或者通孔；所述標(biāo)簽是一種文本數(shù)據(jù)，一個(gè)標(biāo)簽只有一個(gè)坐標(biāo)點(diǎn)，作為它的位置。通過(guò)標(biāo)簽來(lái)標(biāo)識(shí)端口名稱，而一個(gè)端口就是一個(gè)單元用于和別的單元相連接的金屬。本實(shí)施例中，在使用所述GDS文件，所述待擴(kuò)展單元包括至少一個(gè)頂層待擴(kuò)展單元。在其他實(shí)施例中，所述待擴(kuò)展單元還可以是隸屬于頂層單元的一個(gè)或者多個(gè)子單元。步驟S2 :將所述待擴(kuò)展的GDS文件復(fù)制到中間GDS文件中；其中，對(duì)于標(biāo)簽，僅復(fù)制直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽。具體地，其中將所述待擴(kuò)展的GDS文件復(fù)制到中間GDS文件中的過(guò)程包括在所述待擴(kuò)展的GDS文件中，至少包括待擴(kuò)展單元，則將所述待擴(kuò)展單元復(fù)制到中間GDS文件中，在后續(xù)步驟S4中將對(duì)所述待擴(kuò)展單元進(jìn)行擴(kuò)展；若是不需要擴(kuò)展的單元(或者說(shuō)非待擴(kuò)展單元)則直接將該單元復(fù)制到中間GDS文件，在后續(xù)步驟中就不需要再對(duì)其進(jìn)行擴(kuò)展。對(duì)于標(biāo)簽僅復(fù)制直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽，具體包括I)當(dāng)掃描到標(biāo)簽，判斷所述標(biāo)簽是否直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元；其中，所述待擴(kuò)展層級(jí)采用預(yù)設(shè)運(yùn)行參數(shù)予以指示。具體地，在本實(shí)施例中，通過(guò)預(yù)設(shè)運(yùn)行參數(shù)指示待擴(kuò)展層級(jí)的待擴(kuò)展單元。例如，在GDS文件中可以為層級(jí)結(jié)構(gòu)中的每一層設(shè)置標(biāo)識(shí)號(hào)，進(jìn)而為每一層中的每個(gè)單元設(shè)置標(biāo)識(shí)號(hào)，那么就可以將這些標(biāo)識(shí)號(hào)作為所述運(yùn)行參數(shù)，從而通過(guò)所述運(yùn)行參數(shù)指示待擴(kuò)展層級(jí)的待擴(kuò)展單元。進(jìn)一步地，在掃描所述⑶S文件的整個(gè)層級(jí)結(jié)構(gòu)過(guò)程中，當(dāng)掃描到一個(gè)標(biāo)簽時(shí)，則根據(jù)預(yù)設(shè)運(yùn)行參數(shù)判斷該標(biāo)簽是否直接隸屬于所述待擴(kuò)展層級(jí)的待擴(kuò)展單元；依此類推，直到掃描完所有的標(biāo)簽為止。2)將直接隸屬于所述待擴(kuò)展層級(jí)的待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽復(fù)制到所述中間GDS文件中。具體地，根據(jù)上述步驟I)的判斷結(jié)果，將直接隸屬于所述待擴(kuò)展層級(jí)的待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽復(fù)制到所述中間GDS文件中。其中所述待擴(kuò)展層級(jí)的待擴(kuò)展單元是頂層待擴(kuò)展單元或者隸屬于所述頂層待擴(kuò)展單元的下一級(jí)單元。相應(yīng)地，對(duì)于那些不直接隸屬于所述待擴(kuò)展層級(jí)的待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽則不再?gòu)?fù)制到所述中間GDS文件中。這樣得到的所述中間GDS文件與所述待擴(kuò)展的GDS文件相比,所有位于所述待擴(kuò)展單元的下一級(jí)子單元中標(biāo)簽都被刪除了。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案無(wú)須逐一打開(kāi)每一個(gè)待擴(kuò)展單元，只要在掃描⑶S文件時(shí)，運(yùn)行包含預(yù)設(shè)運(yùn)行參數(shù)的指令就可以把不直接隸屬于所述待擴(kuò)展層級(jí)的待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽刪除，而且運(yùn)行這些指令也不啟動(dòng)任何圖形界面，所以運(yùn)行速度也很快。需要說(shuō)明的是，在實(shí)際應(yīng)用中，通常本步驟在僅復(fù)制直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽時(shí)，還將生成用于執(zhí)行后續(xù)步驟的小程序腳本，其具體生成過(guò)程并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)，在此不作贅述。步驟S3 :將所有處于前述層級(jí)結(jié)構(gòu)中非頂層的所述待擴(kuò)展單元變更為頂層待擴(kuò)展單元。具體地，本步驟包括I)確定所述非頂層的所述待擴(kuò)展單元中的圖形層的坐標(biāo)值。所述GDS文件中的每個(gè)單元都有自己的坐標(biāo)系，隸屬于這個(gè)單元內(nèi)的所有圖形層都有坐標(biāo)值。需要說(shuō)明的是，通常⑶S文件中的坐標(biāo)值都是以整數(shù)形式存儲(chǔ)的，相應(yīng)地，所述⑶S文件中將定義這個(gè)文件的格點(diǎn)(grid)數(shù)據(jù)，例如是I納米，那么所述⑶S文件中所有的坐標(biāo)值都是I納米的整數(shù)倍。2)以所述頂層待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系為基準(zhǔn)，轉(zhuǎn)換所述非頂層的所述待擴(kuò)展單元中的圖形層的坐標(biāo)值，以確定所述圖形層在所述頂層待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系中的坐標(biāo)值。由于在⑶S文件中，所述層級(jí)結(jié)構(gòu)中的每個(gè)單元都有自己的坐標(biāo)系，因此在將非頂層的所述待擴(kuò)展單元變更為頂層待擴(kuò)展單元過(guò)程中，由于需要去除所述頂層待擴(kuò)展單元的層級(jí)結(jié)構(gòu)，那么需要將原本非頂層的所述待擴(kuò)展單元內(nèi)的圖形層的坐標(biāo)值變換成以所述頂層待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系為基準(zhǔn)的坐標(biāo)值，從而確定所述圖形層在所述頂層待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系中的坐標(biāo)值。換句話說(shuō)，就是使隸屬于所述頂層待擴(kuò)展單元下的所有非頂層的所述待擴(kuò)展單元(頂層待擴(kuò)展單元的所有子單元)內(nèi)的圖形層都使其直接隸屬于所述頂層待擴(kuò)展單元，通?？梢韵却_定所述非頂層的所述待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系的坐標(biāo)原點(diǎn)在所述頂層待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系內(nèi)的坐標(biāo)值，以確定兩個(gè)坐標(biāo)系的坐標(biāo)值的線性變化關(guān)系，然后再根據(jù)所述線性變化關(guān)系將所述非頂層的所述待擴(kuò)展單元中的圖形層的坐標(biāo)值轉(zhuǎn)換成以所述頂層待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系為基準(zhǔn)的坐標(biāo)值。但在實(shí)際應(yīng)用中，并不限于上述方法。步驟S4 :變更層級(jí)后，依照設(shè)定的放大參數(shù)擴(kuò)展中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層，以形成目標(biāo)GDS文件。具體地，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述圖形層通常包括通孔圖形層或者接觸孔圖形層以及其他圖形層，其中所述其他圖形層為非通孔圖形層和非接觸孔圖形層，例如金屬層、硅柵、有源區(qū)等。進(jìn)一步地，所述接觸孔圖形層是指半導(dǎo)體工藝中連接第一金屬層和多晶硅(或者有源區(qū))的孔，所述通孔層是指半導(dǎo)體工藝中連接不同金屬層的孔，例如連接第一金屬層和第二金屬層的孔或者連接第二金屬層和第三金屬層的孔等。根據(jù)GDS文件進(jìn)行擴(kuò)展的設(shè)計(jì)規(guī)則，接觸孔圖形層和通孔圖形層都必須是確定大小的正方形，同時(shí)所有頂層待擴(kuò)展單元中的接觸孔圖形層和通孔圖形層都必須在放大以后恢復(fù)成原來(lái)的大小。因此，本步驟將根據(jù)所述圖形層是通孔圖形層或者接觸孔圖形層還是其他圖形層分別實(shí)現(xiàn)第一實(shí)施例若所述圖形層包括通孔圖形層或者接觸孔圖形層，本步驟包括I)將所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的任意一個(gè)頂點(diǎn)的坐標(biāo)值乘以所述放大參數(shù)。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述放大參數(shù)根據(jù)所述待擴(kuò)展的GDS文件適用的工藝尺寸以及所述目標(biāo)GDS文件適用的工藝尺寸之間的比例確定。而且，隨著半導(dǎo)體工藝尺寸逐漸變小，因此通常所述目標(biāo)GDS文件適用的工藝尺寸小于所述待擴(kuò)展的GDS文件適用的工藝尺寸。例如，所述待擴(kuò)展的GDS文件適用的工藝尺寸是65納米，所述目標(biāo)GDS文件適用的工藝尺寸是55納米，那么所述放大參數(shù)為65/55 = 13/11。例如，設(shè)所述任意一個(gè)頂點(diǎn)的坐標(biāo)值為A(xl、yl)，放大參數(shù)為m。那么根據(jù)所述放大參數(shù)對(duì)坐標(biāo)值作放大計(jì)算后，A’ = m*A = (m*xl、m*yl)。2)基于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長(zhǎng)以及所述放大參數(shù)確定輔助參數(shù)。由于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層在放大以后還需要恢復(fù)到原來(lái)的大小，因此，根據(jù)步驟I)將任意一個(gè)頂點(diǎn)的坐標(biāo)值乘以所述放大參數(shù)后還需要作向內(nèi)回縮的計(jì)算。其中所述輔助參數(shù)即為所述向內(nèi)回縮的回縮量，發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究得出，所述輔助參數(shù)可以基于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長(zhǎng)(設(shè)為d)以及上述放大參數(shù)(設(shè)為m)所確定,那么輔助參數(shù)為(m-l)*d/2。3)根據(jù)已乘以所述放大參數(shù)后的頂點(diǎn)的坐標(biāo)值加上所述輔助參數(shù)確定所述頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值。根據(jù)步驟I)和2)的計(jì)算結(jié)果，可以確定所述頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值為m*A+(m_l)*d/2。4)基于所述頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值以及所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長(zhǎng)確定除所述頂點(diǎn)外的其他頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值，以形成目標(biāo)GDS文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層。根據(jù)上述步驟I)至3)確定了所述通孔圖形層或者接觸孔圖形層中一個(gè)頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值，那么由于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層是正方形，因此只需要在所述新坐標(biāo)值的基礎(chǔ)上加減邊長(zhǎng)即可確定除所述已確定的頂點(diǎn)以外的其他頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值，從而形成目標(biāo)GDS文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層?？梢钥闯?，經(jīng)過(guò)上述步驟I)至4)后所形成的目標(biāo)⑶S文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層的大小和原來(lái)待擴(kuò)展的GDS文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層一樣。但是由于經(jīng)過(guò)放大計(jì)算，所述通孔圖形層或者接觸孔圖形層的中心點(diǎn)位置將發(fā)生變化，而所述中心點(diǎn)位置與目標(biāo)GDS文件所設(shè)定要求相符。第二實(shí)施例若所述圖形層還包括其他圖形層，所述其他圖形層為非通孔圖形層和非接觸孔圖形層，那么對(duì)于其他圖形層，本步驟包括I)將所述頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層的各個(gè)頂點(diǎn)的坐標(biāo)值分別乘以所述放大參數(shù)，得到各個(gè)頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值。2)基于所述新坐標(biāo)值確定的圖形層以形成目標(biāo)⑶S文件?？梢钥闯觯瑢?duì)于不是通孔圖形層或者接觸孔圖形層的其他圖形層而言，其計(jì)算過(guò)程更為簡(jiǎn)單，只需要將其他圖形層中的各個(gè)頂點(diǎn)的坐標(biāo)值分別乘以所述放大參數(shù)即可得到各個(gè)頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值。其中，所述放大參數(shù)同樣是根據(jù)所述待擴(kuò)展的GDS文件適用的工藝尺寸以及所述目標(biāo)GDS文件適用的工藝尺寸之間的比例確定。進(jìn)一步地，通常所述目標(biāo)GDS文件適用的工藝尺寸小于所述待擴(kuò)展的GDS文件適用的工藝尺寸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案無(wú)須改變GDS文件中的格點(diǎn)大小，仍能保證通孔和/或接觸孔的尺寸是準(zhǔn)確的，而且也不需要逐個(gè)單元分別打開(kāi)，在中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層復(fù)制到目標(biāo)GDS文件過(guò)程中，只要將圖形層的坐標(biāo)值根據(jù)上述實(shí)施例進(jìn)行計(jì)算即可，從而節(jié)省了大量重復(fù)的計(jì)算。此外，在實(shí)際應(yīng)用中，上述計(jì)算過(guò)程可以通過(guò)命令行執(zhí)行，不需要啟動(dòng)任何圖形界面，所以也進(jìn)一步提高了運(yùn)行速度。本技術(shù)方案在將待擴(kuò)展的GDS文件形成目標(biāo)GDS文件的過(guò)程中，通過(guò)僅復(fù)制直接隸屬于頂層待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽到中間GDS文件，提高了待擴(kuò)展單元中刪除標(biāo)簽的處理效率，同時(shí)也降低了發(fā)生錯(cuò)誤的幾率。進(jìn)一步地，再將所有處于層級(jí)結(jié)構(gòu)中非頂層的待擴(kuò)展單元變更為頂層待擴(kuò)展單元，變更層級(jí)后，根據(jù)預(yù)設(shè)的放大參數(shù)擴(kuò)展中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中圖形層，以形成目標(biāo)GDS文件。本技術(shù)方案不需要改變GDS文件的格點(diǎn)的大小，減少了重新計(jì)算坐標(biāo)值的過(guò)程，提高了處理效率。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種⑶S文件的擴(kuò)展方法，其特征在于，包括 提供待擴(kuò)展的GDS文件，所述待擴(kuò)展的GDS文件包括以層級(jí)結(jié)構(gòu)形式存儲(chǔ)的多個(gè)待擴(kuò)展單元，所述待擴(kuò)展單元中至少一個(gè)為頂層待擴(kuò)展單元； 將所述待擴(kuò)展的GDS文件復(fù)制到中間GDS文件中；其中，對(duì)于標(biāo)簽，僅復(fù)制直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽； 將所有處于前述層級(jí)結(jié)構(gòu)中非頂層的所述待擴(kuò)展單元變更為頂層待擴(kuò)展單元； 變更層級(jí)后，依照設(shè)定的放大參數(shù)擴(kuò)展中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層，以形成目標(biāo)⑶S文件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GDS文件的擴(kuò)展方法，其特征在于，所述僅復(fù)制直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽是通過(guò)包括下述步驟的方法實(shí)現(xiàn)的 當(dāng)掃描到標(biāo)簽，判斷所述標(biāo)簽是否直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元；其中，所述待擴(kuò)展層級(jí)采用預(yù)設(shè)運(yùn)行參數(shù)予以指示； 將直接隸屬于所述待擴(kuò)展層級(jí)的待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽復(fù)制到所述中間GDS文件中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GDS文件的擴(kuò)展方法，其特征在于，待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元是所述頂層待擴(kuò)展單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GDS文件的擴(kuò)展方法，其特征在于，所述將所有處于前述層級(jí)結(jié)構(gòu)中非頂層的所述待擴(kuò)展單元變更為頂層待擴(kuò)展單元；包括 確定所述非頂層的所述待擴(kuò)展單元中的圖形層的坐標(biāo)值； 以所述頂層待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系為基準(zhǔn)，轉(zhuǎn)換所述非頂層的所述待擴(kuò)展單元中的圖形層的坐標(biāo)值，以確定所述圖形層在所述頂層待擴(kuò)展單元的坐標(biāo)系中的坐標(biāo)值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的GDS文件的擴(kuò)展方法，其特征在于，所述圖形層包括通孔圖形層或者接觸孔圖形層，所述通孔圖形層或者接觸孔圖形層呈正方形；所述變更層級(jí)后，依照設(shè)定的放大參數(shù)擴(kuò)展中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層，以形成目標(biāo)GDS文件包括 將所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的任意一個(gè)頂點(diǎn)的坐標(biāo)值乘以所述放大參數(shù)； 基于所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長(zhǎng)以及所述放大參數(shù)確定輔助參數(shù)； 根據(jù)已乘以所述放大參數(shù)后的頂點(diǎn)的坐標(biāo)值加上所述輔助參數(shù)確定所述頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值； 基于所述頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值以及所述通孔圖形層或者所述接觸孔圖形層的邊長(zhǎng)確定除所述頂點(diǎn)外的其他頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值，以形成目標(biāo)GDS文件中的通孔圖形層或者接觸孔圖形層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的GDS文件的擴(kuò)展方法，其特征在于，所述圖形層還包括其他圖形層，所述其他圖形層為非通孔圖形層和非接觸孔圖形層；所述變更層級(jí)后，依照設(shè)定的放大參數(shù)擴(kuò)展中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層，以形成目標(biāo)GDS文件包括 將所述頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層的各個(gè)頂點(diǎn)的坐標(biāo)值分別乘以所述放大參數(shù)，得到各個(gè)頂點(diǎn)的新坐標(biāo)值； 基于所述新坐標(biāo)值確定的圖形層以形成目標(biāo)GDS文件。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的GDS文件的擴(kuò)展方法，其特征在于，所述放大參數(shù)根據(jù)所述待擴(kuò)展的GDS文件適用的工藝尺寸以及所述目標(biāo)GDS文件適用的工藝尺寸之間的比例確定。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的GDS文件的擴(kuò)展方法，其特征在于，所述目標(biāo)GDS文件適用的工藝尺寸小于所述待擴(kuò)展的GDS文件適用的工藝尺寸。
全文摘要
一種GDS文件的擴(kuò)展方法，包括提供待擴(kuò)展的GDS文件，所述GDS文件包括以層級(jí)結(jié)構(gòu)形式存儲(chǔ)的多個(gè)待擴(kuò)展單元，所述待擴(kuò)展單元中至少一個(gè)為頂層待擴(kuò)展單元；將所述待擴(kuò)展的GDS文件復(fù)制到中間GDS文件中；其中，對(duì)于標(biāo)簽，僅復(fù)制直接隸屬于待擴(kuò)展層級(jí)的所述待擴(kuò)展單元的標(biāo)簽；將所有處于前述層級(jí)結(jié)構(gòu)中非頂層的所述待擴(kuò)展單元變更為頂層待擴(kuò)展單元；變更層級(jí)后，依照設(shè)定的放大參數(shù)擴(kuò)展中間GDS文件中所有頂層待擴(kuò)展單元中的圖形層，以形成目標(biāo)GDS文件。本技術(shù)方案提高了擴(kuò)展GDS文件的處理效率。
文檔編號(hào)G06F17/50GK103034644SQ201110298649
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者陳智濤 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司